JP2021086044A - 電子写真感光体用の円筒状基体および該円筒状基体を用いた電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

【課題】 堆積膜形成中や堆積膜形成後に、円筒状基体の外周面の端部からの膜剥がれを従来よりも抑制可能な電子写真感光体用の円筒状基体を提供する。【解決手段】 外周面と端面との間に、前記外周面に隣接し前記端面に向かって前記円筒状基体の外径が小さくなる傾斜面と、前記傾斜面と前記端面との間に形成された面取り面とを有し、前記傾斜面の前記外周面に対する傾斜角度は、３度以上３０度以下であり、前記円筒状基体を軸方向に切断したときの断面において、前記傾斜面の長さが前記面取り面の長さよりも長く、前記傾斜面と前記外周面のＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１における算術平均粗さが０．２μｍ以下である電子写真感光体用の円筒状基体。【選択図】 図２

Description

本発明は電子写真感光体用の円筒状基体および該円筒状基体用いた電子写真感光体に関する。

電子写真感光体は、一般的に、アルミニウムまたはその合金からなる導電性の円筒状基体の外周面に、有機材料またはアモルファスシリコン系材料（以下「ａ−Ｓｉ」ともいう）などの無機材料からなる膜が形成されて製造される。これらの中でも、ａ−Ｓｉ膜が円筒状基体の外周面に形成されてなる電子写真感光体（以下「ａ−Ｓｉ感光体」ともいう）は、高性能かつ高耐久性であり、広く実用化されている。
円筒状基体の外周面にａ−Ｓｉ膜を形成する方法としては、プラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを直流、高周波、マイクロ波グロー放電などによって分解して堆積させる方法が実用化されている。

１３．５６ＭＨｚの高周波を用いたＲＦグロー放電法では、感光体に適したａ−Ｓｉ膜を形成するために、堆積膜形成中には円筒状基体を１５０〜３５０℃に加熱する必要がある。この時、ａ−Ｓｉ膜とアルミニウムまたはその合金からなる円筒状基体とでは、熱膨張係数の差が大きいため、堆積膜形成中や堆積膜形成後の温度変動によって、ａ−Ｓｉ膜に圧縮側の内部応力（熱応力）が生じる。このａ−Ｓｉ膜の内部応力が、ａ−Ｓｉ膜と円筒状基体との密着力を上回るとａ−Ｓｉ膜が円筒状基体から剥がれてしまう。この膜剥がれは、特に円筒状基体の外周面の端部の角部から起きることが多い。

堆積膜形成中に膜剥がれが発生し、剥がれた膜片が円筒状基体の外周面に付着すると、その部分は膜欠陥となる。その程度によっては、感光体として利用したときの画像欠陥の原因になるものもあり、感光体の不良や品質低下の一因になっている。この膜剥がれを抑制するために、外周面端部を工夫した円筒状基体や電子写真感光体が提案されている。例えば、特許文献１には、円筒状基体の外周面と端面との間に形成される面取り面および端面の表面粗さを規定して、円筒状基体と膜の密着力を上げて膜剥がれを抑制する技術が開示されている。また、特許文献２には、円筒状基体の外周面から端面に向かって外径が小さくなる傾斜面と、傾斜面と端面との境界部分に曲面状の面取り面とを形成して、外周面から端面の間に膜剥がれの起点となる形状を減らして膜剥がれを抑制する技術が開示されている。

特許第４２４２９０２号公報 特開２０１１−１９７４６６号公報

上記の技術により、ａ−Ｓｉ膜の膜剥がれが低減され、電子写真感光体の品質向上が図られてきた。近年、電子写真装置の高速化や高画質化が求められ、それに対応してａ−Ｓｉ膜の厚膜化や膜質の向上などによる感光体特性の向上が必要になった。その達成手段としては、例えば堆積膜形成速度を上げる、堆積膜形成時間を長くする、堆積膜形成中の基体の温度を上げるなどの堆積膜形成条件の変更が挙げられる。しかし、これら条件変更の多くは膜応力を大きくするものであり、膜応力が大きくなる場合、従来よりも膜剥がれが生じやすくなる。
本発明は上記に鑑みて提案されたものであり、堆積膜形成中や堆積膜形成後に、円筒状基体の外周面の端部からの膜剥がれを従来よりも抑制可能な電子写真感光体用の円筒状基体を提供することを目的とする。

上述した目的を達成するため、本発明に係る電子写真感光体用の円筒状基体は、
外周面と端面との間に、前記外周面に隣接し、前記端面に向かって円筒状基体の外径が小さくなる傾斜面と、前記傾斜面と前記端面との間に形成された面取り面とを有し、
前記傾斜面の前記外周面に対する傾斜角度は、３度以上３０度以下であり、
前記円筒状基体を軸方向に切断したときの断面において、前記傾斜面の長さが前記面取り面の長さよりも長く、
前記傾斜面と前記外周面のＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１における算術平均粗さが０．２μｍ以下であることを特徴とする。
また、本発明に係る電子写真感光体は、前記円筒状基体にアモルファスシリコン系材料からなる感光層が形成されたことを特徴とする。

本発明によれば、堆積膜形成中や堆積膜形成後に、円筒状基体の外周面の端部からの膜剥がれを従来よりも抑制可能な電子写真感光体用の円筒状基体を提供することが可能になる。

本発明に係る電子写真感光体の層構成を示す模式的な断面図である。 本発明に係る電子写真感光体の端部外周面の模式的な断面図である。 従来の電子写真感光体の端部外周面の模式的な断面図である。 ａ−Ｓｉ感光体の成膜装置の一例を示す模式的な縦断面図である。

以下に、本発明を実施するための形態を、図面を用いて例示的に説明する。ただし、この実施の形態は、本発明の範囲を以下の実施の形態に限定するものではない。
図１に示す電子写真感光体１００は、円筒状基体１０１の外周面１０２に、感光層として電荷注入阻止層１０３、光導電層１０４および表面保護層１０５を順次堆積、形成したものである。
円筒状基体１０１の材料は、電気伝導率が良好であり、軽量で加工性や製造コストに優れるなどの理由で、押出・引抜加工されたアルミニウム合金の管材が好適に用いられる。その管材に対して、一般的に旋盤による両端および外周面の切削加工が行われ、円筒状基体１０１となる。両端加工としては、例えば、長さ合わせのための端面加工、面取り加工、端部係合部材（ギヤやフランジ等）を係合するための端部内面へのインロー加工などが実施される。また、外周面は、外径寸法や表面形状を所定の値にするための加工が実施される。

切削加工の表面仕上げは、要求される品質（主に寸法精度および表面粗さ）と加工コストとによって決められる。一般的に、電子写真感光体用の円筒状基体では、画像品質や耐久性に優れるという点から外周面は高い平滑性（旧ＪＩＳ記号で▽▽▽▽：鏡面仕上げ）が求められるため、超精密切削が行われる。外周面以外の加工部分は寸法精度を満たせばよく、並み仕上げ〜微鏡面仕上げ（旧ＪＩＳ記号で▽▽〜▽▽▽程度）の精密切削が行われる。

図３に従来の円筒状基体３０１の端部外周面について、円筒状基体３０１の軸方向に切断したときの模式的な断面を示す。外周面３０２と端面３０３の間に面取り面３０４（Ｃ面取り、端面３０３に対する面取り面３０４の傾斜角度γ≒４５度）が形成されている。また、面取り面３０４の表面粗さは並み仕上げ〜微鏡面仕上げ程度であり、ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１における算術平均粗さでいうと０．２μｍを超える。

図３の従来の円筒状基体３０１に形成されたａ−Ｓｉ膜は、外周面３０２と面取り面３０４との稜線部３０５から膜剥がれが生じることが多い。これは、稜線部３０５の形状の変化が大きいことが一因である。また、外周面３０２と面取り面３０４との表面粗さが大きく異なるため、堆積膜形成時の外周面３０２と面取り面３０４とで表面温度に差が出て、外周面３０２と面取り面３０４とに形成される膜の膜質に差が出ることも一因である。

図２に本発明の円筒状基体１０１の端部外周面を示す。図２は円筒状基体１０１の軸方向に切断したときの模式的な断面を示す。円筒状基体１０１には、外周面１０２と端面２０１との間に、傾斜面２０２と面取り面２０３とが形成されている。傾斜面２０２は、外周面１０２に隣接している。傾斜面２０２は、端面２０１に向かって円筒状基体１０１の外径が小さくなるように傾斜している。面取り面２０３は、傾斜面２０２と端面２０１との間に形成されている。
傾斜面２０２の外周面１０２に対する傾斜角度αは、３度以上３０度以下である。傾斜面２０２の長さＬ１は、面取り面２０３の長さＬ２よりも長い。
傾斜面２０２と外周面１０２とのＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１における算術平均粗さＲａが０．２μｍ以下となっている。

図２に示す円筒状基体１０１は、傾斜面２０２を有し、外周面１０２に対する傾斜角度αが３０度以下であるため、稜線部２０４の形状の変化が小さく、膜剥がれが生じにくくなる。稜線部２０４の形状の変化が小さいほど膜剥がれが生じにくくなるので、傾斜角度αは小さい方が好ましいが、小さすぎるとＬ１が長くなりすぎて感光体が大型化してしまうため、３度が下限になる。

傾斜面２０２は、端面２０１に向かって円筒状基体１０１の外径が小さくなっている。この形状によって、堆積膜形成中の円筒状基体１０１の端部近傍の放電状態に変化が生じ、形成されるａ−Ｓｉ膜は傾斜面２０２上で端面２０１に向かって徐々に膜厚が薄くなる。この現象によって、傾斜面２０２の端面２０１側での膜応力が低下し、膜剥がれが生じにくくなる。この効果は、円筒状基体１０１の上端及び下端に同じ長さの傾斜面２０２を形成したときに、両端の傾斜面２０２の長さＬ１の合計値（＝２×Ｌ１）がある程度あると効果が現れ、具体的には円筒状基体１０１の長さの２％以上が好ましい。
一方、両端の傾斜面２０２は非画像形成領域であり、大きすぎると画像形成装置の大型化を招いてしまう。そのため両端の傾斜面２０２の長さＬ１の合計値は５％以内とすることが好ましい。

また、傾斜面２０２と外周面１０２との算術平均粗さＲａを０．２μｍ以下にして、傾斜面２０２の表面粗さを外周面１０２に近くする。これにより、堆積膜形成時の外周面１０２と傾斜面２０２との表面温度の差が小さくなって、外周面１０２と傾斜面２０２とに形成されるａ−Ｓｉ膜の膜質差が小さくり、膜剥がれが生じにくくなる。
なお、図２に示す傾斜面２０２は断面の形状が平面状であるが、傾斜面２０２は、傾斜角度αが３度以上３０度以下で面取り面２０３に接続できれば、平面状に限らず例えば凸状に湾曲していてもよい。

さらに、傾斜面２０２と端面２０１との間に面取り面２０３を形成することで、稜線部２０５における形状の変化、および稜線部２０６における形状の変化が小さくなり、より膜剥がれが生じにくくなる。
面取り面２０３は、端面２０１と傾斜面２０２との面取りであるため、端面２０１に対する面取り面２０３の傾斜角度βは、下記式（１）のとおりとすることが好ましい。
（９０−α）／２≦β≦４５ （１）

なお、図２に示す面取り面２０３は断面の形状が平面状であるが、曲面状かつ端面２０１および傾斜面２０２と滑らかに接続するように加工を行うと、さらに膜剥がれが生じにくくなり、好ましい。
さらに、面取り面２０３のＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１における算術平均粗さＲａを、傾斜面２０２と同様に０．２μｍ以下とすると、堆積膜形成時の面取り面２０３と傾斜面２０２とで表面温度の差が小さくなる。これにより、面取り面２０３と傾斜面２０２とのａ−Ｓｉ膜の膜質差が小さくり、膜剥がれが生じにくくなる。

面取り面は、面取り深さが０．３ｍｍ以上の角面又は曲率半径が０．３ｍｍ以上の曲面であることが好ましい。
面取り面の面取り深さが０．３ｍｍ以上の角面であると、面取り面として安定して加工可能な寸法であるため好ましい。
面取り面の曲率半径が０．３ｍｍ以上の曲面であると、面取り面として安定して加工可能な寸法であるため好ましい。
なお、面取り面が大きすぎると、その部分の円筒状基体の肉厚が薄くなり、変形してしまう恐れがあるため、面取り深さ又は曲率半径は円筒状基体の肉厚の５０％以下であることが好ましい。

（ａ−Ｓｉ感光体の製造方法）
図１に示す層構成のａ−Ｓｉ感光体１００の製造方法について述べる。ａ−Ｓｉ感光体１００は、円筒状基体１０１の外周面１０２に、ａ−Ｓｉ膜を形成することにより製造することができる。
このａ−Ｓｉ感光体１００の製造を、図４に示す成膜装置４００を用いて行う。

図４は、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって、ａ−Ｓｉ感光体１００を製造するための成膜装置の一例を示す模式的な縦断面図である。
成膜装置４００は、円筒状基体１０１の外周面１０２にａ−Ｓｉ膜を形成する装置である。反応容器４１０は、上碍子４０６、円筒状のカソード電極４０７、下碍子４０８、底板４０９により構成され、壁面の一部である上碍子４０６の上に蓋４０５が備えられている。底板４０９は、排気配管４１８および排気バルブ４１９を介して不図示の排気装置（真空ポンプ）が接続されており、反応容器４１０の内部が減圧可能となっている。

円筒状基体１０１は、上部補助基体４０１、下部補助基体４０２とともに基体ホルダ４０３に装着され、反応容器４１０の内部の受台４０４に、基体ホルダ４０３の下部を嵌め込むように設置される。受台４０４には、不図示の回転装置が取り付けられ、基体ホルダ４０３が回転可能となっている。更に、反応容器４１０の内部にはヒータ４１１が設置され、基体ホルダ４０３の内側から円筒状基体１０１を加熱可能となっている。

反応容器４１０の内部には、原料ガス導入管４１２および４１３が、円筒状基体１０１を交互に取り囲むようにそれぞれ複数本配設されている。原料ガス導入管４１２および４１３の側面には、それぞれ長手方向に沿って多数の細孔が設けられているが、その配置が異なっており、形成する層によって使い分けられるようになっている。原料ガス導入管４１２および４１３は、それぞれ原料ガス供給管４１６および４１７を介して不図示の原料ガス供給装置に接続されている。これらにより、反応容器４１０の内部に原料ガスが供給可能となっている。また、円筒状のカソード電極４０７には、マッチングボックス４１４を介して高周波電源４１５が接続されている。

この成膜装置４００で、ａ−Ｓｉ膜を形成する手順を以下に説明する。
まず、円筒状基体１０１と上部補助基体４０１および下部補助基体４０２を、基体ホルダ４０３に装着する。そして、反応容器４１０の内部を大気圧にして、蓋４０５を開け、基体ホルダ４０３を受台４０４に設置し、蓋４０５を閉める。
次に、圧力計４２０の値で所定の圧力（例えば０．６７Ｐａ）以下になるまで、排気バルブ４１９を開いて反応容器４１０の内部を不図示の排気装置で排気する。所定の圧力になった時点で、加熱用の不活性ガス（例えばＡｒガス）を反応容器４１０の内部に導入する。そして、反応容器４１０の内部が所定の圧力になるように加熱用の不活性ガスの流量および不図示の排気装置の排気速度を調整する。その後、温度コントローラ（不図示）を作動させてヒータ４１１を運転し、円筒状基体１０１の温度を所定の温度（例えば２０〜５００℃）に制御する。円筒状基体１０１が所定の温度に加熱されたところで、不活性ガスを徐々に止める。これと並行して、成膜用の原料ガスを徐々に導入する。

原料ガスとしては、例えば、ＳｉＨ_４、Ｓｉ_２Ｈ_６、ＣＨ_４、Ｃ_２Ｈ_６、ＮＯのような材料ガスや、Ｂ_２Ｈ_６、ＰＨ_３のようなドーピングガス、Ｈ_２、Ｈｅ、Ａｒのような希釈ガスが挙げられる。次に、不図示の原料ガス供給装置よって、各原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反応容器４１０の内部が所定の圧力（例えば１〜１００Ｐａ）に維持されるように、圧力計４２０を見ながら排気装置の排気速度を調整する。
成膜用の原料ガスを導入した後、圧力計４２０の値が安定したところで、受台４０４を回転させ、円筒状基体１０１と、上部補助基体４０１および下部補助基体４０２が装着された基体ホルダ４０３を回転させる。

以上の手順によってａ−Ｓｉ膜形成の準備を完了した後、円筒状基体１０１の外周面１０２にａ−Ｓｉ膜の形成を行う。具体的には、高周波電源４１５を所定の電力に設定して円筒状のカソード電極４０７に供給し、グロー放電を生起させる。このとき、反射電力が最小となるようにマッチングボックス４１４を調整し、高周波の入射電力から反射電力を差し引いた値を所定の値に調整する。この放電エネルギーによって反応容器４１０の内部に導入された原料ガスが分解され、円筒状基体１０１の外周面１０２にａ−Ｓｉ膜が形成される。

所望の膜厚のａ−Ｓｉ膜の形成を行った後、電力の供給を止め、反応容器４１０の内部への各原料ガスの流入を止めて、一旦高真空になるように反応容器４１０の内部を排気する。上記の操作を繰り返し行うことによって、所定の層構成のａ−Ｓｉ膜を形成することができる。円筒状基体１０１の外周面１０２にａ−Ｓｉ膜を形成した後、ヒータ４１１による加熱を停止する。次に、反応容器４１０の内部を大気圧にして、蓋４０５を開け、基体ホルダ４０３を反応容器４１０の内部から取り出す。そして、ａ−Ｓｉ膜が形成された円筒状基体１０１を基体ホルダから外し、ａ−Ｓｉ感光体１００が完成する。

以下の実施例により、本発明の効果を具体的に説明するが、本発明は、これら実施例により何ら限定されるものではない。
また、以下の実施例および比較例では、Ａｌ−Ｍｇ系のアルミニウム合金製の管材を用い、外径８４ｍｍ、内径７８ｍｍ、肉厚３ｍｍ、長さ３８１ｍｍの円筒状基体１０１に加工した。加工には（株）エグロ製ＳＤ−５５０旋盤（感光ドラム仕上加工専用機）を使用した。
算術平均粗さＲａの測定は、ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に準拠したフォームトレーサーＳＶ−Ｃ４０００Ｓ４（（株）ミツトヨ)を用いて測定した。用いた触針の形状はＪＩＳ Ｂ０６５１−２００１に従った。すなわち、先端形状は球状の先端をもつ円錐とし、先端半径２μｍ、円錐のテーパー角度６０゜、測定力は０．７５ｍＮとした。
各部の寸法の測定は、加工後の円筒状基体１０１を軸方向に切断し、その断面を測定投影機で投影して観察・測定した。

〔実施例１〜８〕
図２に示す端部外周面形状の円筒状基体１０１を、表１に示す実施例１〜８の表面粗さおよび寸法にそれぞれ５本加工した。但し、実施例７は面取り面２０３を曲面状に加工している。
面取り面の形状が角面である場合、「面取り面の深さ」は、表１に記載の長さＬ２、角度α及び角度βの各数値を下記式に代入して算出される値を四捨五入した値である。
Ｌ２×ｃｏｓ（α＋β）
外周面１０２および傾斜面２０２の表面粗さは、一旦鏡面に加工して算術平均粗さＲａが０．０２μｍとし、必要に応じて粗面化した。粗面化はウエットブラスト加工で行い、円筒状基体１０１を加工装置に設置し、投射ノズルからアルミナからなる研磨剤と水とが混合した液体（研磨剤濃度が１５Ｖｏｌ％）に圧縮空気を混合させて投射し、圧縮空気の圧力および処理時間で表面粗さを調整した。

加工後の円筒状基体１０１は洗浄機で洗浄した後、成膜装置４００に設置し、前述の製造方法で、表２に示す条件で図１に示す層構成のａ−Ｓｉ膜を形成して、ａ−Ｓｉ感光体１００を各実施例でそれぞれ５本作製した。
作製されたａ−Ｓｉ感光体１００について、以下の評価を行った。

（画像欠陥の評価）
ａ−Ｓｉ感光体１００をキヤノン（株）製複写機ｉＲＣ６８８０Ｎに設置し、画像露光量を最小にして出力したＡ３サイズの画像を観察し、感光体１周分当たりの、直径０．１０ｍｍ以上の白ポチ（画像形成領域での画像欠陥の部分）の個数を数えた。これを各実施例のそれぞれ５本について実施し、５本の画像欠陥の平均値を算出した。
画像欠陥の評価は、後述の比較例１で得られた結果を１００としたときの相対評価で行い、評価結果を以下のようにランク付けした。この評価結果は、数字が小さいほど画像欠陥が少なく、良好であることを示す。
Ａ ・・・ ７０未満。
Ｂ ・・・ ７０以上９０未満。
Ｃ ・・・ ９０以上１１０未満（変化無し）。
Ｄ ・・・ １１０以上（低下）。
得られた結果を表３に示す。

（膜剥がれの評価）
堆積膜形成後のａ−Ｓｉ感光体１００の外観を目視で確認し、膜剥がれの有無とその面積を調べた。これを各実施例のそれぞれ５本について実施した。
膜剥がれの評価は後述の比較例１の剥がれた面積を１００としたときの相対評価で行い、評価結果を以下のようにランク付けした。この評価結果は、数字が小さいほど画像欠陥が少なく、良好であることを示す。
Ａ ・・・ ３０未満（膜剥がれ殆ど無し）
Ｂ ・・・ ３０以上８０未満（膜剥がれは有るが、比較例１よりも剥がれた面積が小さい）
Ｃ ・・・ ８０以上１２０未満（比較例１と同等）
Ｄ ・・・ １２０以上（膜剥がれが有り、比較例１よりも剥がれた面積が大きい。）
得られた結果を表３に示す。

〔比較例１、２〕
図２に示す端部外周面形状の円筒状基体１０１を、表１に示す比較例１および２の表面粗さおよび寸法にそれぞれ５本加工した。加工後の円筒状基体１０１は実施例と同様にしてａ−Ｓｉ感光体１００をそれぞれ５本作製した。
作製されたａ−Ｓｉ感光体１００について、実施例と同様の評価を行った。得られた結果を表３に示す。

〔比較例３〕
図３に示す端部外周面形状の円筒状基体３０１を、表１に示す比較例３の表面粗さおよび寸法に５本加工した。加工後の円筒状基体３０１は実施例および比較例１、２と同様にしてａ−Ｓｉ感光体１００を５本作製した。
作製されたａ−Ｓｉ感光体１００について、実施例と同様の評価を行った。得られた結果を表３に示す。

表３に示すように、比較例３に対し、各実施例および比較例１、２が同等か又は良化していることから、傾斜面２０２を形成することの効果が現れた。
また、比較例１に対し、実施例１、５、６、８が良化していることから、外周面１０２と傾斜面２０２の算術平均粗さＲａを０．２μｍ以下にすることの効果が現れた。
中でも、実施例１、６、８は良好であり、外周面１０２と傾斜面２０２の算術平均粗さＲａを同等にすると良いことがわかる。
実施例８も良好であることから、面取り面２０３を含めて算術平均粗さＲａを同等にすると良い。
また、実施例７から面取り面２０２は曲面状でも良好であった。

１０１‥‥円筒状基体
１０２‥‥外周面
２０１‥‥端面
２０２‥‥傾斜面
２０３‥‥面取り面
２０４‥‥外周面と傾斜面の稜線部
２０５‥‥傾斜面と面取り面の稜線部
２０６‥‥面取り面と端面の稜線部
α‥‥傾斜面の外周面に対する傾斜角度
β‥‥面取り面の端面に対する傾斜角度
Ｌ１‥‥円筒状基体を軸方向に切断したときの傾斜面の長さ
Ｌ２‥‥円筒状基体を軸方向に切断したときの面取り面の長さ

Claims (5)

1. 外周面と端面との間に、前記外周面に隣接し、前記端面に向かって円筒状基体の外径が小さくなる傾斜面と、前記傾斜面と前記端面との間に形成された面取り面とを有し、
   前記傾斜面の前記外周面に対する傾斜角度は、３度以上３０度以下であり、
   前記円筒状基体を軸方向に切断したときの断面において、前記傾斜面の長さが前記面取り面の長さよりも長く、
   前記傾斜面と前記外周面のＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１における算術平均粗さが０．２μｍ以下であることを特徴とする電子写真感光体用の円筒状基体。
2. 前記円筒状基体を軸方向に切断したときの断面において、前記円筒状基体の両端の前記傾斜面の長さの合計値は、前記円筒状基体の長さの２％以上である請求項１に記載の電子写真感光体用の円筒状基体。
3. 前記面取り面は、面取り深さが０．３ｍｍ以上でありかつ前記円筒状基体の肉厚の５０％以下の角面である請求項１または２に記載の電子写真感光体用の円筒状基体。
4. 前記面取り面は、曲率半径が０．３ｍｍ以上でありかつ前記円筒状基体の肉厚の５０％以下の曲面である請求項１または２に記載の電子写真感光体用の円筒状基体。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電子写真感光体用の円筒状基体の上に、アモルファスシリコン系材料からなる感光層が形成されたことを特徴とする電子写真感光体。

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