JP2021085901A - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】レンズ性能の向上を図ることができる電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置は、第１画素電極および第２画素電極を含む画素電極群と、複数の絶縁層を含む積層体と、第１トランジスターと、第２トランジスターと、前記第１画素電極と重なる第１レンズ、および前記第２画素電極と重なる第２レンズを有するレンズ層と、前記第１トランジスターと前記第１画素電極とを電気的に接続する第１コンタクトと、前記第２トランジスターと前記第２画素電極とを電気的に接続する第２コンタクトと、を備え、前記積層体と、前記レンズ層と、前記画素電極群とは、順に配置され、前記第１レンズおよび前記第２レンズのそれぞれと、前記積層体とは、空間を介して配置され、前記第１コンタクトおよび前記第２コンタクトのそれぞれは、前記レンズ層および前記空間を通る。【選択図】図４

Description

本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器に関する。

液晶装置等の電気光学装置において、光量ロスを抑制するために、複数のレンズを備える光学基板が用いられている。特許文献１には、マイクロレンズを備える電気光学装置用基板が開示される。当該電気光学装置用基板は、凹面を有する基板とスイッチング素子との間に設けられ、平面視で画素電極と重なる第１レンズと、スイッチング素子と画素電極との間に設けられ、平面視で画素電極と重なる第２レンズと、を備える。第１レンズは、石英基板に設けられた凹面の内側に充填され、当該石英基板よりも高い屈折率を有するシリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ）からなるレンズ層から構成され、第２レンズは、スイッチング素子と画素電極との間に配置されたシリコン酸化物（ＳｉＯ２）からなる層間絶縁膜に設けられ凹面の内側に充填され、当該層間絶縁膜よりも高い屈折率を有するシリコン酸窒化膜からなるレンズ層から構成されている。

特開２０１５−３４８６０号公報

レンズ性能を高める観点から、基板とレンズ層との屈折率の差を大きくすることが好ましい。屈折率の差をより大きくするためには、例えばレンズ層の屈折率を大きくすることが考えらえる。しかし、一般的に、レンズ層の屈折率を大きくするほど、光の透過率が低下する傾向がある。そのため、基板とレンズ層とが接触した従来の構成では、レンズ層の屈折率を大きくしようとすると、レンズ層における光の透過率が低下してしまう。それゆえ、光の透過率の低下を抑制しつつ、レンズの性能を向上させることが難しいという課題があった。

本発明の電気光学装置の一態様は、第１画素電極および第２画素電極を含む画素電極群と、複数の絶縁層を含む積層体と、前記積層体に配置される第１トランジスターと、前記積層体に配置される第２トランジスターと、前記積層体の厚さ方向からみて前記第１画素電極と重なる第１レンズ、および前記厚さ方向からみて前記第２画素電極と重なる第２レンズを有するレンズ層と、前記第１トランジスターと前記第１画素電極とを電気的に接続する第１コンタクトと、前記第２トランジスターと前記第２画素電極とを電気的に接続する第２コンタクトと、を備え、前記積層体と、前記レンズ層と、前記画素電極群とは、順に配置され、前記第１レンズおよび前記第２レンズのそれぞれと、前記積層体とは、空間を介して配置され、前記第１コンタクトおよび前記第２コンタクトのそれぞれは、前記レンズ層および前記空間を通る。

本発明の電気光学装置の製造方法の一態様は、複数の絶縁層の積層される積層体、前記積層体に配置される第１トランジスター、およびを前記積層体に配置される第２トランジスターを形成する工程と、前記積層体上に無機材料で構成される犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層上に、第１レンズおよび第２レンズを含むレンズ層を形成する工程と、前記犠牲層および前記レンズ層を貫通する第１孔と、前記犠牲層および前記レンズ層を貫通する第２孔と、を形成する工程と、前記第１トランジスターと電気的に接続される第１コンタクトを前記第１孔の内部に形成するとともに、前記第２トランジスターと電気的に接続される第２コンタクトを前記第２孔の内部に形成する工程と、前記レンズ層に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔を用いて前記犠牲層を除去することにより、前記レンズ層と前記積層体との間に空間を形成する工程と、前記レンズ層の厚さ方向からみて前記第１レンズと重なり、前記第１コンタクトに接続される第１画素電極と、前記厚さ方向からみて前記第２レンズと重なり、前記第２コンタクトに接続される第２画素電極と、を形成する工程と、を有する。

第１実施形態に係る電気光学装置の平面図である。 図１中のＡ−Ａ線断面図である。 素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。 素子基板を示す断面図である。 素子基板を示す平面図である。 第１実施形態に係る電気光学装置の製造方法の流れを示す図である。 積層体形成工程を説明するための断面図である。 犠牲層形成工程を説明するための断面図である。 犠牲層形成工程を説明するための断面図である。 犠牲層形成工程を説明するための断面図である。 レンズ層形成工程を説明するための断面図である。 コンタクトホール形成工程を説明するための断面図である。 保護膜形成工程を説明するための断面図である。 保護膜形成工程を説明するための断面図である。 コンタクト形成工程を説明するための断面図である。 貫通孔形成工程を説明するための断面図である。 空間形成工程を説明するための断面図である。 空間形成工程を説明するための断面図である。 空間形成工程を説明するための断面図である。 透光部形成工程を説明するための断面図である。 透光部形成工程を説明するための断面図である。 電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。 電子機器の一例であるスマートフォンを示す斜視図である。 電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。 第１実施形態の係る電気光学装置の図１中のＡ−Ａ線断面図である。 第１実施形態の変形例１に係る電気光学装置の断面図である。 第１実施形態の変形例２に係る電気光学装置の断面図である。

以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法または縮尺は実際と適宜に異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。また、本明細書において「要素Ａ上に要素Ｂが形成される」という表現は、要素Ａと要素Ｂとが直接的に接触する構成に限定されない。要素Ａと要素Ｂとが直接的に接触していない構成も、「要素Ａ上に要素Ｂが形成される」という概念に包含される。

１．電気光学装置
本発明の電気光学装置の一例として、アクティブマトリクス方式の液晶装置を例に説明する。

１Ａ．基本構成
図１は、第１実施形態に係る電気光学装置１００の平面図である。図２は、図１中のＡ−Ａ線断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向といい、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向という。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向といい、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向という。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向といい、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向という。

図１および図２に示す電気光学装置１００は、透過型の液晶表示装置である。図２に示すように、電気光学装置１００は、透光性を有する素子基板２と、透光性を有する対向基板４と、枠状のシール部材８と、液晶層９とを有する。シール部材８は、素子基板２と対向基板４との間に配置される。液晶層９は、素子基板２、対向基板４およびシール部材８によって囲まれる領域内に配置される。素子基板２、液晶層９および対向基板４は、Ｚ軸に沿って並ぶ。素子基板２が有する第１基材２１の表面がＸ−Ｙ平面に平行である。以下では、Ｚ１方向またはＺ２方向からみることを「平面視」と言う。

本実施形態の電気光学装置１００では、光は、例えば素子基板２に入射し、液晶層９を透過して対向基板４から出射される。なお、光は、対向基板４に入射し、液晶層９を透過して素子基板２から出射されてもよい。当該光は可視光である。「透光性」とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。また、図１に示す電気光学装置１００は平面視で四角形状をなすが、電気光学装置１００の平面視での形状は、これに限定されず、例えば円形等であってもよい。

図２に示すように、素子基板２は、第１基材２１と積層体２２と画素電極群２８０と第１配向膜２９とを有する。積層体２２の厚さ方向は、Ｚ１方向またはＺ２方向と同一である。また、図２では図示はしないが、積層体２２と画素電極群２８０との間には、後述するレンズ層２５が設けられる。第１基材２１は、透光性および絶縁性を有する平板で構成される。第１基材２１は、例えば、ガラスまたは石英等で構成される。積層体２２は、透光性および絶縁性を有する。なお、図２では図示しないが、積層体２２には、複数の配線等が配置される。また、画素電極群２８０は、複数の画素電極２８を有する。各画素電極２８は、透光性を有しており、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電材料で構成される。第１配向膜２９は、素子基板２において最も液晶層９側に位置しており、液晶層９の液晶分子を配向させる。第１配向膜２９の構成材料としては、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等が挙げられる。なお、素子基板２については、後で説明する。

図２に示すように、対向基板４は、第２基材４１と絶縁膜４２と共通電極４５と第２配向膜４６とを有する。第２基材４１、絶縁膜４２、共通電極４５および第２配向膜４６は、この順に並ぶ。第２配向膜４６が最も液晶層９側に位置する。第２基材４１は、透光性および絶縁性を有する平板で構成される。第２基材４１は、例えば、ガラスまたは石英等で構成される。絶縁膜４２は、例えば酸化ケイ素等の透光性および絶縁性を有するケイ素系の無機材料で形成される。共通電極４５は、例えばＩＴＯまたはＩＺＯ等の透明導電材料で構成される。第２配向膜４６は、液晶層９の液晶分子を配向させる。第２配向膜４６の構成材料としては、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等が挙げられる。

シール部材８は、例えばエポキシ樹脂等の各種硬化性樹脂を含む接着剤等を用いて形成される。シール部材８は、素子基板２および対向基板４のそれぞれに対して固着される。シール部材８の周方向での一部には、液晶分子を含む液晶材をシール部材８の内側に注入するための注入口８９が形成される。注入口８９は、各種樹脂材料を用いて形成される封止材８０により封止される。

液晶層９は、正または負の誘電異方性を有する液晶分子を含む。液晶層９は、液晶分子が第１配向膜２９および第２配向膜４６の双方に接するように素子基板２および対向基板４によって挟持される。液晶層９は、複数の画素電極２８と共通電極４５との間に配置され、電界による光学的特性が変化する。具体的には、液晶層９が有する液晶分子の配向は、液晶層９に印加される電圧に応じて変化する。

図１に示すように、素子基板２における対向基板４側の面には、複数の走査線駆動回路１１とデータ線駆動回路１２と、複数の外部端子１４と、複数の引回配線１５とが配置される。複数の引回配線１５のそれぞれは、複数の外部端子１４のうちのいずれかに接続される。また、複数の引回配線１５のそれぞれは、走査線駆動回路１１またはデータ線駆動回路１２に接続される。

以上の構成の電気光学装置１００は、画像を表示する表示領域Ａ１０と、表示領域Ａ１０を平面視で囲む周辺領域Ａ２０とを有する。表示領域Ａ１０は、行列状に配列される複数の画素Ｐを有する。複数の画素Ｐには、複数の画素電極２８が１対１で配置される。周辺領域Ａ２０には、走査線駆動回路１１およびデータ線駆動回路１２等が配置される。

１Ｂ．電気的な構成
図３は、素子基板２の電気的な構成を示す等価回路図である。図３に示すように、素子基板２は、ｎ本の走査線２４４と、ｍ本のデータ線２４６と、ｎ本の容量線２４５と、複数のトランジスター２３と、複数の蓄積容量２４０とを有する。これらは、図２の積層体２２が配置される。なお、ｎおよびｍのそれぞれは２以上の整数である。複数の画素電極２８は、複数のトランジスター２３に１対１で配置される。各トランジスター２３は、例えばスイッチング素子として機能するＴＦＴである。各トランジスター２３は、ゲート、ソースおよびドレインを含む。

ｎ本の走査線２４４のそれぞれはＹ軸に沿って延在し、ｎ本の走査線２４４はＸ軸に沿って等間隔で並ぶ。ｎ本の走査線２４４のそれぞれは、全てのトランジスター２３のうちの幾つかのトランジスター２３のそれぞれのゲートに電気的に接続される。また、ｎ本の走査線２４４は、図１に示す走査線駆動回路１１に電気的に接続される。１〜ｎ本の走査線２４４には、走査線駆動回路１１から走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが線順次で供給される。

図３に示すｍ本のデータ線２４６のそれぞれはＸ軸に沿って延在し、ｍ本のデータ線２４６はＹ軸に沿って等間隔で並ぶ。ｍ本のデータ線２４６のそれぞれは、全てのトランジスター２３のうちの幾つかのトランジスター２３のそれぞれのソースに電気的に接続される。また、ｍ本のデータ線２４６は、図１に示すデータ線駆動回路１２に電気的に接続される。１〜ｍ本のデータ線２４６には、データ線駆動回路１２から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが並行に供給される。

図３に示すｎ本の走査線２４４とｍ本のデータ線２４６とは、互いに絶縁され、平面視で格子状をなす。隣り合う２個の走査線２４４と隣り合う２個のデータ線２４６とで囲まれる領域が画素Ｐに対応する。各画素電極２８には、対応するトランジスター２３のドレインが電気的に接続される。

ｎ本の容量線２４５のそれぞれはＹ軸に沿って延在し、ｎ本の容量線２４５はＸ軸に沿って等間隔で並ぶ。また、ｎ本の容量線２４５は、ｍ本のデータ線２４６およびｎ本の走査線２４４と絶縁され、これらに対して離間して形成される。各容量線２４５には、例えばグランド電位等の固定電位が印加される。また、ｎ本の容量線２４５のそれぞれは、全ての蓄積容量２４０のうちの幾つかの蓄積容量２４０に電気的に接続される。複数の蓄積容量２４０は、複数の画素電極２８に１対１で電気的に接続される。また、複数の蓄積容量２４０は、複数のトランジスター２３のドレインに１対１で電気的に接続される。各蓄積容量２４０は、画素電極２８の電位を保持するための容量素子である。

走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが順次アクティブとなり、ｎ本の走査線２４４が順次選択されると、選択される走査線２４４に接続されるトランジスター２３がオン状態となる。すると、ｍ本のデータ線２４６を介して表示すべき階調に応じた大きさの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが、選択される走査線２４４に対応する画素Ｐに取り込まれ、画素電極２８に印加される。これにより、各画素電極２８と図２に示す対向基板４が有する共通電極４５との間に形成される液晶容量に、表示すべき階調に応じた電圧が印加され、印加される電圧に応じて液晶分子の配向が変化する。また、蓄積容量２４０によって、印加される電圧が保持される。このような液晶分子の配向の変化によって光が変調され、階調表示が可能となる。

１Ｃ．素子基板２の構成
以下の説明では、Ｚ１方向を上方とし、Ｚ２方向を下方として説明する。図４は、素子基板２を示す断面図である。図４に示すように、素子基板２は、第１基材２１と積層体２２とレンズ層２５と画素電極群２８０と第１配向膜２９とを有する。積層体２２とレンズ層２５と透光層２６と画素電極群２８０とは、第１基材２１から第１配向膜２９に向かってこの順に配置される。ここで、画素電極群２８０が有する複数の画素電極２８のうちの任意の画素電極２８が「第１画素電極２８ａ」であり、他の任意の画素電極２８が「第２画素電極２８ｂ」である。また、素子基板２は、複数のコンタクト３と、複数の無機材料膜３２と、複数の保護部３３とを有する。また、素子基板２は、２個の透光部２６２を有する。以下、各要素について説明する。

図４に示すように、第１基材２１上には、積層体２２が配置される。積層体２２は、複数の絶縁層２２１、２２２、２２３、２２４および２２５を有する。絶縁層２２１、２２２、２２３、２２４および２２５は、この順に第１基材２１から画素電極群２８０に向かって積層される。なお、積層体２２が有する層数は、５個に限定されず任意である。例えば、当該層数は、各種の配線の配置等に応じて適宜設定される。

積層体２２には、複数の遮光膜２４１、複数のトランジスター２３、および複数の中継電極２４９が配置される。また、図４では図示しないが、積層体２２には、図３に示す配線等が配置される。具体的には、積層体２２には、前述の複数の走査線２４４、複数の容量線２４５、複数の蓄積容量２４０および複数のデータ線２４６が配置される。

図４に示すように、絶縁層２２１と絶縁層２２２との間には、複数の遮光膜２４１が配置される。複数の遮光膜２４１は、複数のトランジスター２３に１対１で配置される。各遮光膜２４１は、対応するトランジスター２３への光の入射を遮断する。各遮光膜２４１の材料としては、特に限定されないが、例えばタングステン等の金属が挙げられる。

絶縁層２２２と絶縁層２２３との間には、複数のトランジスター２３が配置される。第１画素電極２８ａに対応するトランジスター２３が「第１トランジスター２３ａ」であり、第２画素電極２８ｂに対応するトランジスター２３が「第２トランジスター２３ｂ」である。各トランジスター２３は、図示はしないが、半導体層、ゲート電極およびゲート絶縁層を有する。当該半導体層は、ソース領域、ドレイン領域およびチャネル領域を有する。半導体層は、例えば、ポリシリコンで形成される。半導体層のうちのチャネル領域を除く領域には、導電性を高める不純物がドープされる。また、当該ゲート電極は、例えば、ポリシリコンに導電性を高める不純物がドープされることにより形成される。なお、当該ゲート電極は、金属、金属シリサイドおよび金属化合物の導電性を有する材料で形成されてもよい。

絶縁層２２３と絶縁層２２４との間には、複数の中継電極２４９が配置される。複数の中継電極２４９は、複数のトランジスター２３に１対１で配置される。各中継電極２４９は、対応するトランジスター２３のドレインに電気的に接続される。第１トランジスター２３ａに電気的に接続される中継電極２４９が「第１中継電極２４９ａ」であり、第２トランジスター２３ｂに電気的に接続される中継電極２４９が「第２中継電極２４９ｂ」である。

各中継電極２４９の材料、および図４で図示していない各配線の材料は、例えば、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）およびアルミニウム（Ａｌ）等の金属、金属窒化物、ならびに金属シリサイド等である。なお、図示しないが、積層体２２に配置される各配線の配置は、任意である。例えば、トランジスター２３よりも上方に各配線が配置されてもよいし、トランジスター２３の下方に各配線が配置されてもよい。ここで、素子基板２は、光が透過する複数の透光領域Ａ１１と、光を遮断する配線領域Ａ１２とを有する。複数の透光領域Ａ１１には、複数の画素電極２８が１対１で配置される。図示しないが、配線領域Ａ１２は、平面視で格子状をなし、透光領域Ａ１１を囲む。配線領域Ａ１２には、複数のトランジスター２３、および各種の配線が配置される。

絶縁層２２４上には、絶縁層２２５が配置される。絶縁層２２５は、凹部２２５１を有する。凹部２２５１は、絶縁層２２５の絶縁層２２４と反対の面に形成される窪みである。かかる絶縁層２２５は、後述のレンズ層２５とともに空間Ｓを形成する空間形成用の透光性部材である。

また、積層体２２は、複数のコンタクトホールＨ１を有する。各コンタクトホールＨ１は、絶縁層２２４および絶縁層２２５を貫通する孔であり、積層体２２の厚さ方向に沿って形成される。複数のコンタクトホールＨ１は、複数のトランジスター２３に１対１で配置される。第１トランジスター２３ａに対応する１個のコンタクトホールＨ１が「第１コンタクトホールＨ１ａ」であり、第２トランジスター２３ｂに対応する１個のコンタクトホールＨ１が「第２コンタクトホールＨ１ｂ」である。

絶縁層２２１〜２２５の各材料は、例えば、酸化ケイ素等のケイ素を含む無機材料である。無機材料であることで、樹脂材料である場合に比べ、光学特性に優れるとともに充分に薄い層が形成され易い。また、絶縁層２２１〜２２５は、互いに同一材料で構成されてもよいし、異なる材料で構成されてもよい。ただし、同一材料であることで、積層体２２の形成が容易であり、かつ、界面反射が抑制される。

絶縁層２２５上には、凹部２２５１を覆うようにレンズ層２５が配置される。凹部２２５１が存在することにより、絶縁層２２５とレンズ層２５との間には空間Ｓが存在する。ここで、絶縁層２２５と空間Ｓとレンズ層２５とで、導光部２００が構成される。

レンズ層２５は、透光性および絶縁性を有する。レンズ層２５は、基部２５１と、レンズ群２５０と、を有する。レンズ群２５０は、複数のレンズ２５２を有する。複数のレンズ２５２は、複数のトランジスター２３と１対１で配置される。第１トランジスター２３ａに対応する１個のレンズ２５２が「第１レンズ２５２ａ」であり、第２トランジスター２３ｂに対応する１個のレンズ２５２が「第２レンズ２５２ｂ」である。

基部２５１は、レンズ層２５のうち、Ｘ−Ｙ平面に広がる平板状の部分である。基部２５１は、絶縁層２２５に接触する。具体的には、図示はしないが、基部２５１のうち平面視でレンズ群２５０よりも外側の部分が、絶縁層２２５に接触している。また、基部２５１のレンズ群２５０とは反対の面には画素電極群２８０が配置される。

各レンズ２５２は、基部２５１から凹部２２５１の底面に向かって突出する凸レンズである。各レンズ２５２は、レンズ面である凸曲面を有する。例えば、第１基材２１から画素電極群２８０に向かって光が透過する場合、各レンズ２５２のレンズ面は、空間Ｓからレンズ２５２内に向かって光を入射させる入射面として機能する。なお、各レンズ２５２の形状は、半球状であるがこれに限定されず任意である。

各レンズ２５２は、凹部２２５１の底面に接触しておらず、凹部２２５１の底面と離間する。したがって、各レンズ２５２と積層体２２とは、空間Ｓを介して配置される。そのため、第１レンズ２５２ａおよび第２レンズ２５２ｂのそれぞれと、絶縁層２２５を有する積層体２２とは、空間Ｓを介して配置される。各レンズ２５２と積層体２２との間に空間Ｓが介在することで、各レンズ２５２が積層体２２に接触する場合に比べて、レンズ性能を向上させることができる。これは、各レンズ２５２と空間Ｓとの屈折率の差が、各レンズ２５２と積層体２２との屈折率の差よりも大きいためである。したがって、導光部２００が存在することで、光の利用効率を高めることができる。また、空間Ｓが存在することで、各レンズ２５２の屈折率を過度に高くしなくても、各レンズ２５２と空間Ｓとの屈折率の差を充分に大きくすることができる。そのため、レンズ層２５の材料の選択性を高めることができる。

また、図５に示すように、レンズ群２５０は、平面視で凹部２２５１と重なる。レンズ群２５０は、平面視で凹部２２５１に包含される。なお、凹部２２５１の平面視での形状は、四角形であるが、それ以外の形状であってもよい。また、複数のレンズ２５２は、平面視において、Ｘ１方向およびＹ１方向に行列状に配列される。なお、複数のレンズ２５２の配列は行列状に限定されない。また、レンズ２５２の数は、複数であればよく、図示の数に限定されない。また、図示はしないが、複数のレンズ２５２は、平面視で、複数の画素電極２８に１対１で重なる。したがって、第１レンズ２５２ａは平面視で第１画素電極２８ａと重なり、第２レンズ２５２ｂは平面視で第２画素電極２８ｂと重なる。

図４に示すように、レンズ層２５は、複数のコンタクトホールＨ２と、２個の貫通孔２５３とを有する。各コンタクトホールＨ２は、レンズ層２５を貫通する孔であり、レンズ層２５の厚さ方向に沿って形成される。複数のコンタクトホールＨ２は、複数のコンタクトホールＨ１に１対１で配置される。図示はしないが、各コンタクトホールＨ２は、平面視で、対応するコンタクトホールＨ１と重なる。平面視で第１コンタクトホールＨ１ａと重なるコンタクトホールＨ２が「第３コンタクトホールＨ２ａ」であり、平面視で第２コンタクトホールＨ１ｂと重なるコンタクトホールＨ２が「第４コンタクトホールＨ２ｂ」である。

２個の貫通孔２５３のそれぞれは、レンズ層２５を貫通する孔であり、レンズ層２５の厚さ方向に沿って形成される。当該厚さ方向は、Ｚ１方向またはＺ２方向と同一である。図５に示すように、各貫通孔２５３は、平面視で凹部２２５１と重なる。２個の貫通孔２５３のそれぞれは、平面視で、複数のコンタクトホールＨ２とは異なる位置に配置される。各貫通孔２５３は、空間Ｓの形成に用いられる孔である。したがって、各貫通孔２５３がレンズ層２５に設けられることで、後述する製造方法において空間Ｓを簡単に形成することができる。また、各貫通孔２５３の開口面積は、各コンタクトホールＨ２の開口面積よりも大きい。そのため、各コンタクトホールＨ２の開口面積が各貫通孔２５３の開口面積よりも小さい場合に比べ、空間Ｓを簡単に形成することができる。また、図５に示すように、２個の貫通孔２５３は、平面視で、レンズ群２５０の両側に位置する。すなわち、レンズ群２５０は、平面視で、２個の貫通孔２５３の間に位置する。そのため、貫通孔２５３が１個である場合に比べ、空間Ｓを簡単に形成することができる。また、２個の貫通孔２５３がレンズ群２５０を平面視で挟んでいない場合に比べ、空間Ｓを簡単に形成することができる。

なお、貫通孔２５３の数、形状および配置は、図示の例に限定されない。例えば、貫通孔２５３の数は、１個でも３個以上でもよい。例えば、複数の貫通孔２５３が平面視でレンズ群２５０を囲むよう配置されてもよい。また、レンズ層２５は、製造方法等に応じて２個の貫通孔２５３を有していなくてもよい。

かかるレンズ層２５の材料は、特に限定されないが、酸化ケイ素および酸窒化ケイ素等のケイ素を含む無機材料で構成される。中でも、レンズ層２５は、酸化ケイ素を主として構成されることが好ましい。なお、レンズ層２５は、樹脂材料で構成されてもよい。

図４に示すように、レンズ層２５には、２個の透光部２６２が配置される。２個の透光部２６２は、２個の貫通孔２５３に１対１で配置される。各透光部２６２は、対応する貫通孔２５３内に通じて凹部２２５１の底面に向かって延びる。各透光部２６２は、凹部２２５１の底面に接触している。かかる各透光部２６２は、対応する貫通孔２５３内を埋めている。したがって、各透光部２６２は、対応する貫通孔２５３を塞いでいる。そのため、空間Ｓへの異物の侵入を防ぐことができる。その結果、各レンズ２５２を透過する光の進行が当該異物で阻害されることを防止することができる。また、各貫通孔２５３が平面視で図１のシール部材８の内側に位置していても、液晶材が各貫通孔２５３から空間Ｓへ侵入することを防ぐことができる。

本実施形態では、各貫通孔２５３が塞がれているため、前述の空間Ｓは、気密空間となっている。空間Ｓ内は、空気等の気体、または真空で構成される。なお、空間Ｓは気密空間でなくてもよい。また、各透光部２６２は、対応する貫通孔２５３内を埋めていなくてもよい。例えば、透光部２６２は、対応する貫通孔２５３を覆うように配置されることにより、当該貫通孔２５３を塞いでいてもよい。また、各貫通孔２５３は塞がれていなくてもよい。例えば、各貫通孔２５３が平面視で図１に示すシール部材８の外側に位置する場合、液晶材の侵入のおそれが無いため、各貫通孔２５３は塞がれていなくてもよい。

各透光部２６２の材料は、特に限定されないが、酸化ケイ素および酸窒化ケイ素等のケイ素を含む無機材料で構成される。中でも、各透光部２６２の材料は、酸化ケイ素を主として構成されることが好ましい。なお、各透光部２６２は、樹脂材料で構成されてもよい。また、各透光部２６２は、レンズ層２５の材料と同じ材料で構成されることが好ましい。同材料であることで、レンズ層２５と各透光部２６２との間での界面反射が抑制される。

図４に示すように、各コンタクト３は、Ｚ１方向に延びる柱状である。各コンタクト３は、積層体２２およびレンズ層２５を貫通する。また、各コンタクト３は、空間Ｓに配置される部分を有する。

複数のコンタクト３は、複数の中継電極２４９に１対１で配置される。各コンタクト３は、対応する中継電極２４９に接触する。各コンタクト３は、トランジスター２３と画素電極２８とを電気的に接続する。第１トランジスター２３ａと第１画素電極２８ａとを電気的に接続するコンタクト３が「第１コンタクト３ａ」である。第２トランジスター２３ｂと第２画素電極２８ｂとを電気的に接続するコンタクト３が「第２コンタクト３ｂ」である。また、第１コンタクト３ａの一端は、第１中継電極２４９ａに接触し、他端は第１画素電極２８ａに接触する。第２コンタクト３ｂの一端は、第２中継電極２４９ｂに接触し、他端は第２画素電極２８ｂに接触する。

前述のように、レンズ層２５が複数のコンタクトホールＨ２を有する。そのため、複数のコンタクト３をレンズ層２５に貫通させることができる。各コンタクト３がレンズ層２５を貫通するため、各コンタクト３は空間Ｓに位置する部分を有する。よって、各コンタクト３は、レンズ層２５を貫通する部分と、空間Ｓに位置する部分を有する。すなわち、各コンタクト３は、レンズ層２５および空間Ｓを通る。各コンタクト３がレンズ層２５および空間Ｓを通るよう配置されるので、各コンタクト３をレンズ群２５０の外側に引き回す必要がない。よって、各コンタクト３の配置を複雑化させることなく、複数のトランジスター２３と画素電極群２８０との間に導光部２００を配置することができる。複数のトランジスター２３と複数の画素電極２８との間に、レンズ性能に優れるレンズ層２５を備える素子基板２を実現することができる。

また、複数のコンタクト３は、複数のレンズ２５２に１対１で配置される。図５に示すように、各コンタクト３は、対応するレンズ２５２と平面視で異なる位置に配置される。したがって、第１コンタクト３ａと第１レンズ２５２ａとは、平面視で異なる位置に配置される。第２コンタクト３ｂと第２レンズ２５２ｂとは、平面視で異なる位置に配置される。このように、各コンタクト３は、平面視で、対応するレンズ２５２と重ならないよう配置される。そのため、各レンズ２５２を透過する光が、対応するコンタクト３に阻害されることを抑制することができる。また、各コンタクト３は、全てのレンズ２５２と平面視で重ならないよう配置される。そのため、光が複数のコンタクト３に阻害されることを抑制することができる。したがって、光の利用効率の低下を抑制することができる。

なお、コンタクト３の一部とレンズ２５２の一部とは、平面視で重なっていてもよい。また、図示はしないが、各コンタクト３は、平面視で、対応する中継電極２４９と重なる。したがって、第１コンタクト３ａは第１中継電極２４９ａと重なり、第２コンタクト３ｂは第２中継電極２４９ｂと重なる。

また、前述のように各コンタクト３は、積層体２２およびレンズ層２５を貫通する。すなわち、各コンタクト３は、コンタクトホールＨ１に配置される部分と、コンタクトホールＨ２に配置される部分とを有する。よって、第１コンタクト３ａは、第１コンタクトホールＨ１ａに配置される部分と第３コンタクトホールＨ２ａに配置される部分とを有する。第２コンタクト３ｂは、第２コンタクトホールＨ１ｂに配置される部分と第４コンタクトホールＨ２ｂに配置される部分とを有する。各コンタクト３が積層体２２のコンタクトホールＨ１に配置される部分を有するので、前述のように各中継電極２４９が積層体２２の内部に配置されていても、各コンタクト３をレンズ層２５の外部に引き回す必要がない。そのため、空間Ｓを形成する絶縁層２２５を、複数のトランジスター２３と画素電極群２８０との間に好適に配置することができる。

なお、各中継電極２４９は、積層体２２上に配置されてもよい。その場合、積層体２２は、各コンタクトホールＨ１を有さなくてもよい。

各コンタクト３の構成材料としては、例えば、タングステン、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）等の金属、金属窒化物ならびに金属シリサイド等の金属材料が挙げられる。これらの中でも、各コンタクト３は、タングステンを主として含むことが好ましい。具体的には、各コンタクト３は、タングステンプラグを有することが好ましい。よって、第１コンタクト３ａおよび第２コンタクト３ｂのそれぞれは、タングステンプラグを有することが好ましい。タングステンを用いることで高精細な柱状のコンタクト３を容易に形成することができる。また、各コンタクト３がタングステンプラグを有することで、各コンタクト３が所謂トレンチを有する場合に比べ、各コンタクト３の配置スペースを小さくすることができる。それゆえ、各コンタクト３を配置するためにレンズ２５２の平面視での形状を小さくすることが抑制される。したがって、開口率の低下を抑制することができる。

なお、タングステンプラグは、タングステンのみで構成されるプラグのみならず、タングステン主成分とするプラグを含む。よって、タングステンプラグは、例えば、複数層で構成されてもよい。例えば、タングステンプラグは、タングステンを主とする層と、タングステンナイトライドを含む層との積層構造であってもよい。

図４に示すように、複数の無機材料膜３２は、複数のコンタクト３に１対１で配置される。各無機材料膜３２は、対応するコンタクト３の外周面に接触する。本実施形態では、図５に示すように、各無機材料膜３２は、当該外周面のうちの側面を囲む。また、図４に示すように、各無機材料膜３２は、絶縁層２２５およびレンズ層２５を貫通する。また、各無機材料膜３２は、ケイ素を含む無機材料で構成される。

ここで、第１コンタクト３ａの外周面に接触する１個の無機材料膜３２が「第１無機材料膜３２ａ」であり、第２コンタクト３ｂの外周面に接触する１個の無機材料膜３２が「第２無機材料膜３２ｂ」である。第１無機材料膜３２ａおよび第２無機材料膜３２ｂのそれぞれは、ケイ素を含む無機材料で構成される。当該無機材料としては、例えば、二酸化ケイ素等の酸化ケイ素等が挙げられる。かかる各無機材料膜３２がそれに対応するコンタクト３の外周面に配置されることで、複数のコンタクト３を素子基板２の製造時に保護することができる。そのため、複数のコンタクト３を確実かつ容易に形成することができる。その結果、各トランジスター２３とそれに対応する画素電極２８との電気的な接続不良が発生するおそれを抑制することができる。

図４に示すように、複数の保護部３３は、複数のコンタクト３に１対１で配置される。各保護部３３とそれに対応するコンタクト３との間に、無機材料膜３２が配置される。したがって、各コンタクト３は、無機材料膜３２および保護部３３の２層によって保護される。複数の保護部３３のうち第１コンタクト３ａに対応する保護部３３が「第１保護部３３ａ」であり、複数の保護部３３のうち第２コンタクト３ｂに対応する保護部３３が「第２保護部３３ｂ」である。

各保護部３３は、保護膜３３１および保護膜３３２を有する。複数の保護膜３３１のうち第１コンタクト３ａに対応する保護膜３３１が「第１膜３３１ａ」であり、複数の保護膜３３１のうち第２コンタクト３ｂに対応する保護膜３３１が「第２膜３３１ｂ」である。また、複数の保護膜３３２のうち第１コンタクト３ａに対応する保護膜３３２が「第３膜３３２ａ」であり、複数の保護膜３３２のうち第２コンタクト３ｂに対応する保護膜３３２が「第４膜３３２ｂ」である。

各保護部３３は、レンズ層２５の材料および積層体２２の材料のそれぞれと異なる無機材料で構成される。具体的には、例えば、各保護部３３の材料としては、シリコンおよび金属窒化物等が挙げられる。金属窒化物は、例えば、チタンナイトライドおよびタングステンナイトライド等である。なお、複数の保護膜３３１と、複数の保護膜３３２とは、同一材料である。

各保護膜３３１は、対応するコンタクトホールＨ１の壁面に接触する。したがって、第１膜３３１ａは第１コンタクトホールＨ１ａの壁面に接触し、第２膜３３１ｂは第２コンタクトホールＨ１ｂの壁面に接触する。各保護膜３３１がそれに対応するコンタクト３の外側に位置することで、素子基板２の製造時に複数のコンタクト３を保護することができる。そのため、絶縁層２２５を貫通する複数のコンタクト３を確実かつ容易に形成することができる。また、各コンタクトホールＨ１は、保護膜３３１を貫通し、中継電極２４９に接触している。よって、第１コンタクト３ａは第１膜３３１ａを貫通し、第１中継電極２４９ａに接触する。同様に、第２コンタクト３ｂは第２膜３３１ｂを貫通し、第２中継電極２４９ｂに接触する。そのため、各コンタクト３とそれに対応する中継電極２４９との導通を確実にかつ安定的に確保することができる。

また、各保護膜３３２は、対応するコンタクトホールＨ２に接触する。よって、第３膜３３２ａは第３コンタクトホールＨ２ａに接触し、第４膜３３２ｂは第４コンタクトホールＨ２ｂに接触する。各保護膜３３２がそれに対応するコンタクト３の外側に位置することで、素子基板２の製造時に複数のコンタクト３を保護することができる。

なお、各保護部３３とそれに対応するコンタクト３との間には、無機材料膜３２以外の他の膜が介在していてもよい。

以上、素子基板２の構成について説明した。
図２５は、第１実施形態の係る電気光学装置１００の図１中のＡ−Ａ線断面図である。図２５に示すように、本実施形態では、素子基板２の複数のトランジスター２３と画素電極群２８０との間に複数のレンズ２５２を有する導光部２００を有するが、前述の対向基板４は、光を収束または発散させる光学部材を備えていない。しかし、素子基板２が前述の複数のレンズ２５２を備えるため、対向基板４が光学部材を備えずとも、光の利用効率を充分に高めることができる。したがって、明るい電気光学装置１００を実現することができる。

さらには、対向基板４は、表示領域Ａ１０に遮光膜を有していない。すなわち、対向基板４は、平面視で素子基板２の画素電極２８と画素電極２８の間に対応する位置に、遮光膜であるブラックマトリクスを有していない。このように構成することで、対向基板４から出射する光は、対向基板４を透過する際に、ブラックマトリクスによる回析により位相差が生じて、偏光状態に乱れを生じさせることがない。したがって、コントラストの低下を抑制することができる。また、対向基板４と素子基板２とを組み合わせた際に、対向基板４のブラックマトリクスと素子基板２の遮光膜２４１との位置がずれる、所謂、組ずれが生じないため、画素Ｐの開口率が低下して、明るさが低下することがない。

このように第１実施形態１の対向基板４と素子基板２とを組み合わせることで、高コントラストで、且つ、明るい電気光学装置１００を実現することができる。特に、光を素子基板２側から入射させ、対向基板４側から出射させるように電気光学装置１００を配置した場合、液晶層９により変調された光は、対向基板４を透過した際に、ブラックマトリクスにより偏光状態が乱されることがないため、電気光学装置１００のコントラスト性能をより高めることができる。

また、図２６および図２７に示すように、第１実施形態にかかる電気光学装置１００の素子基板２は、例えば、積層体２２と第１基材２１との間に複数のレンズを有する導光部をさらに有してもよい。このように、複数のトランジスター２３の光入射側と光出射側に導光部を配置することで、光の利用効率をさらに高めることができるため、より明るい電気光学装置１００を実現することができる。

図２６は、第１実施形態の変形例１に係る電気光学装置１００の断面図であり、図１中のＡ−Ａ線断面を示している。変形例１は、積層体２２のレンズ層２５とは反対に、導光部６００を有する点で、図４の例と異なるが、その他の点では、図４の例と同じ構成を有する。また、導光部６００は、コンタクト３とそれに関係する構成を有さない点で、導光部２００と異なるが、その他の点では、導光部２００と同様の構成を有する。第１基材２１は、凹部２１１を有し、凹部２１１を覆うようにレンズ層６２が配置される。レンズ層６２は、複数のレンズ６２２を有する。凹部２１１が存在することにより、第１基材２１とレンズ層６２との間には空間Ｓ０２が存在する。空間Ｓ０２は、空間Ｓと同じように気密空間となっており、空間Ｓ０２内は、空気等の気体、または真空で構成される。なお、空間Ｓ０２は気密空間でなくてもよい。ここで、第１基材２１と空間Ｓ０２とレンズ層６２と透光部６３とで導光部６００が構成される。透光部６３は、透光性を有する。透光部６３は、レンズ層６２上と、レンズ層６２に設けられた２個の貫通孔６２３内とに配置される。透光部６３は、貫通孔６２３内に通じて凹部２１１の底面に向かって延びる２個の部分を有する。透光部６３の当該２個の部分のそれぞれは、凹部２１１の底面に接触している。かかる透光部６３の当該部分２個の部分のそれぞれは、対応する貫通孔６２３内を埋めている。したがって、透光部６３は、貫通孔６２３を塞いでいる。また、絶縁層２２１には、周辺領域Ａ２０に配置された周辺遮光膜９５が配置される。周辺遮光膜９５は、例えば四角形の枠状をなす。

図２７は、第１実施形態の変形例２に係る電気光学装置１００の断面図であり、図１中のＡ−Ａ線断面を示している。変形例２は、積層体２２のレンズ層２５とは反対に、導光部７００および導光部８００を有する点で、図４の例と異なるが、その他の点では、図４の例と同じ構成を有する。導光部７００は、複数の凹部２１２が設けられた第１基材２１と、複数の凹部２１２を埋めるように形成されたレンズ層７２とから構成される。レンズ層７２は、透光性を有し、第１基材２１とは異なる屈折率を有する無機材料からなる。導光部８００は、複数の凹部８１２が設けられた絶縁層８１と、複数の凹部８１２を埋めるように形成されたレンズ層８２とから構成される。絶縁層８１は、光透過性を有し、レンズ層７２とほぼ同じ屈折率を有する無機材料からなる。レンズ層８２は、透光性を有し、絶縁層８１とは異なる屈折率を有する無機材料からなる。導光部７００と導光部８００との間には、透光層９０が配置されている。透光層９０は、透光性を有し、レンズ層７２と絶縁層８１とほぼ同じ屈折率を有する無機材料からなる。

なお、対向基板４は、光を収束または発散させる光学部材を備える構成としてもよい。

１Ｄ．電気光学装置１００の製造方法
図６は、第１実施形態に係る電気光学装置１００の製造方法の流れを示す図である。図６では、電気光学装置１００の製造工程のうち、主に、素子基板２が有する導光部２００および複数の画素電極２８の製造工程が示される。なお、電気光学装置１００のうち導光部２００および複数の画素電極２８以外の構造は、例えば公知の方法により製造される。

図６に示すように、電気光学装置１００の製造方法は、積層体形成工程Ｓ１１と、犠牲層形成工程Ｓ１２と、レンズ層形成工程Ｓ１３と、コンタクトホール形成工程Ｓ１４と、保護膜形成工程Ｓ１５と、コンタクト形成工程Ｓ１６と、貫通孔形成工程Ｓ１７と、空間形成工程Ｓ１８と、透光部形成工程Ｓ１９と、画素電極形成工程Ｓ２０とを有する。以下、各工程を順次説明する。

図７は、積層体形成工程Ｓ１１を説明するための断面図である。図７に示すように、積層体形成工程Ｓ１１では、複数の絶縁層２２１〜２２５を有する積層体２２が形成される。なお、図７では、絶縁層２２１〜２２３の図示は省略される。絶縁層２２１〜２２５のそれぞれは、例えば、熱酸化またはＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等で形成される。また、絶縁層２２５には、凹部２２５１が形成される。凹部２２５１は、例えば、ドライエッチングまたはウェットエッチングにより形成される。凹部２２５１の深さが後述の工程で形成される各レンズ２５２の厚さよりも大きくなるよう、凹部２２５１は形成される。

また、積層体形成工程Ｓ１１では、積層体２２の形成とともに、複数の中継電極２４９が形成される。また、図示はしないが、積層体形成工程Ｓ１１では、複数の遮光膜２４１、複数のトランジスター２３、および各種の配線等が形成される。したがって、積層体形成工程Ｓ１１では、積層体２２とともに、前述の第１トランジスター２３ａ、第２トランジスター２３ｂが形成される。なお、各種の配線および複数のトランジスター２３のそれぞれは、例えば、スパッタリング法または蒸着法により金属膜が形成された後、当該金属膜に対してレジストマスクを用いたエッチングが行なわれることにより形成される。

図８、図９および図１０のそれぞれは、犠牲層形成工程Ｓ１２を説明するための断面図である。犠牲層形成工程Ｓ１２では、まず、図８に示すように、絶縁層２２５上に第１犠牲層５１が形成される。第１犠牲層５１は、凹部２２５１の表面を覆うように形成される。第１犠牲層５１は、例えばＣＶＤ法等の蒸着法により形成される。第１犠牲層５１は、例えばシリコン等の無機材料を含む。また、第１犠牲層５１は、例えば、窒化チタン等の金属窒化物等のシリコン以外の無機材料を含んでもよい。

次に、図９に示すように、第１犠牲層５１上に第２犠牲層５２が形成され、その後、第１犠牲層５１および第２犠牲層５２に対して平坦化処理が行われる。また、第２犠牲層５２は、例えばＣＶＤ法等の蒸着法により形成される。平坦化処理としては、例えばＣＭＰ（chemical mechanical polishing）法等の研磨処理が挙げられる。第２犠牲層５２は、例えば酸化ケイ素等のケイ素系の無機材料を含む。第２犠牲層５２は、第１犠牲層５１とは異なる材料であることが好ましい。

次に、図１０に示すように、第２犠牲層５２の表面に、複数のレンズ用凹部５１１を含む凹部群５１０が形成される。その後、第２犠牲層５２上に第３犠牲層５３が形成される。複数のレンズ用凹部５１１の形成は、例えばエッチングにより行われる。複数のレンズ用凹部５１１は、後述の複数のレンズ２５２を形成するために、第２犠牲層５２に形成された窪みである。各レンズ用凹部５１１の曲面は、湾曲状をなす。図示はしないが、複数のレンズ用凹部５１１は、平面視において、Ｘ１方向およびＹ１方向に沿って行列状に配列される。また、図示はしないが、凹部群５１０は、平面視において凹部２２５１と重なる。また、第３犠牲層５３は、凹部群５１０を覆うように形成される。したがって、第３犠牲層５３の表面の形状は、各レンズ用凹部５１１の表面に沿った形状を有する。第３犠牲層５３は、例えばＣＶＤ法等の蒸着法により形成される。第３犠牲層５３は、例えばシリコン等の無機材料を含む。また、第３犠牲層５３は、例えば、窒化チタン等の金属窒化物等のシリコン以外の無機材料を含んでもよい。また、第３犠牲層５３は、第１犠牲層５１と同一材料であることが好ましい。

図１１は、レンズ層形成工程Ｓ１３を説明するための断面図である。レンズ層形成工程Ｓ１３では、図１１に示すように、第３犠牲層５３上にレンズ層２５が形成される。レンズ層２５は、例えば酸化ケイ素等を含む。レンズ層２５は、例えばＣＶＤ法等の蒸着法により形成される。レンズ層２５は、第３犠牲層５３の表面の凹みを埋めるよう形成される。前述のように、第３犠牲層５３の表面の形状は、各レンズ用凹部５１１の表面に沿った形状を有する。そのため、レンズ層２５が第３犠牲層５３上に形成されることで、レンズ層２５には、複数のレンズ２５２を有するレンズ群２５０が形成される。よって、レンズ層形成工程Ｓ１３では、第１レンズ２５２ａおよび第２レンズ２５２ｂを含むレンズ層２５が形成される。

図１２は、コンタクトホール形成工程Ｓ１４を説明するための断面図である。コンタクトホール形成工程Ｓ１４では、図１２に示すように、積層体２２、レンズ層２５、第１犠牲層５１、第２犠牲層５２および第３犠牲層５３を貫通する複数のコンタクトホールＨ０が形成される。各コンタクトホールＨ０は、エッチングにより形成される。複数のコンタクトホールＨ０は、複数のレンズ２５２に１対１で形成される。図示はしないが、各コンタクトホールＨ０は、平面視で、対応するレンズ２５２と異なる位置に形成される。また、複数のコンタクトホールＨ０は、複数の中継電極２４９に１対１で形成される。図示はしないが、各コンタクトホールＨ０は、平面視で、対応する中継電極２４９と重なる。また、各コンタクトホールＨ０は、対応する中継電極２４９を露出させるよう形成される。

ここで、第１レンズ２５２ａに対応する１個のコンタクトホールＨ０が「第１孔Ｈ０ａ」であり、第２レンズ２５２ｂに対応する１個のコンタクトホールＨ０が「第２孔Ｈ０ｂ」である。したがって、コンタクトホール形成工程Ｓ１４では、レンズ層２５、第１犠牲層５１、第２犠牲層５２および第３犠牲層５３を貫通する第１孔Ｈ０ａと、レンズ層２５、第１犠牲層５１、第２犠牲層５２および第３犠牲層５３を貫通する第２孔Ｈ０ｂとが形成される。

図１３および図１４は、保護膜形成工程Ｓ１５を説明するための断面図である。保護膜形成工程Ｓ１５では、まず、図１３に示すように、レンズ層２５上に第１材料膜３３ｘが形成され、第１材料膜３３ｘ上に第２材料膜３２ｘが形成される。第１材料膜３３ｘは、後の工程を経て複数の保護部３３となる。第２材料膜３２ｘは、後の工程を経て複数の無機材料膜３２となる。第１材料膜３３ｘは、レンズ層２５の材料および積層体２２の材料のそれぞれとは異なる材料で構成される。具体的には、第１材料膜３３ｘの材料としては、シリコンおよび金属窒化物等が挙げられる。第２材料膜３２ｘは、酸化ケイ素等のケイ素を含む無機材料で構成される。また、複数の第１材料膜３３ｘおよび複数の第２材料膜３２ｘのそれぞれは、複数のコンタクトホールＨ０内に位置する部分を有する。第１材料膜３３ｘは、複数のコンタクトホールＨ０の壁面に接触する。そのため、複数の中継電極２４９の表面には、第１材料膜３３ｘが配置される。また、第２材料膜３２ｘは、第１材料膜３３ｘに接触する。

第１材料膜３３ｘは、例えばＣＶＤ法等により形成される。第２材料膜３２ｘは、例えば、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法で形成される。第１材料膜３３ｘおよび第２材料膜３２ｘの各形成では、熱ＣＶＤ法を用いずに形成されることが好ましい。熱ＣＶＤ法を用いないことで、積層体２２に配置される各種の配線等にダメージが生じることを抑制することができる。

次に、第１材料膜３３ｘの一部が除去されることにより、図１４に示すように、複数の第１材料膜３３ｙが形成される。また、第２材料膜３２ｘの一部が除去されることにより、図１４に示すように、複数の無機材料膜３２が形成される。したがって、第２材料膜３２ｘの一部が除去されることで、第１無機材料膜３２ａおよび第２無機材料膜３２ｂが形成される。また、第１材料膜３３ｘの一部および第２材料膜３２ｘの一部は、例えば、異方性プラズマエッチング（ＲＩＥ）によるエッチバックで除去される。また、第１材料膜３３ｘの一部および第２材料膜３２ｘの一部が除去されることにより、複数の中継電極２４９の表面が露出する。

図１５は、コンタクト形成工程Ｓ１６を説明するための断面図である。コンタクト形成工程Ｓ１６では、図１５に示すように、複数のコンタクト３が形成される。複数のコンタクト３は、複数のコンタクトホールＨ０に１対１で形成される。第１コンタクト３ａは第１孔Ｈ０ａに配置され、第２コンタクト３ｂは第２孔Ｈ０ｂに配置される。また、各コンタクトホールＨ０は、対応するコンタクト３によって埋められる。そのため、各コンタクト３は、対応する中継電極２４９に接続される。その結果、各コンタクト３は、対応するトランジスター２３に電気的に接続される。また、各コンタクト３は、対応する無機材料膜３２に接触する。各コンタクト３は、例えば、プラズマＣＶＤまたはＰＶＤ（physical vapor deposition）等により形成される。

図１６は、貫通孔形成工程Ｓ１７を説明するための断面図である。貫通孔形成工程Ｓ１７では、まず、図１６に示すように、例えばエッチングによりレンズ層２５の一部が除去されることにより、レンズ層２５に２個の貫通孔２５３が形成される。

レンズ層２５の一部の除去には、第３犠牲層５３に対して高い選択比を持つエッチングガス等が用いられる。第３犠牲層５３は、エッチングストッパー層として機能する。レンズ層２５が例えば酸化ケイ素で構成される場合、フッ化水素（ＨＦ）等のフッ素系のエッチングガスを用いたガスエッチング、または、フッ化水素（ＨＦ）等のフッ素系のエッチング液を用いたウェットエッチングが行われることが好ましい。なお、複数のコンタクト３が当該エッチングによるダメージを受けないよう、図１６に示すように、レンズ層２５の材料と同一の材料の膜がレンズ層２５上に形成されてもよい。

図１７、図１８および図１９のそれぞれは、空間形成工程Ｓ１８を説明するための断面図である。空間形成工程Ｓ１８では、まず、図１７に示すように、レンズ層２５上に第４犠牲層５４が形成される。その後、第３犠牲層５３の一部および第４犠牲層５４の一部を除去することにより、２個の第２貫通孔５３１が形成される。なお、前述の各貫通孔２５３は第１貫通孔であると捉えられる。

第４犠牲層５４は、各貫通孔２５３の壁面に沿って形成される。第４犠牲層５４は、例えばシリコン等の無機材料を含む。また、第４犠牲層５４は、例えば、窒化チタン等の金属窒化物等のシリコン以外の無機材料を含んでもよい。また、第４犠牲層５４は、第３犠牲層５３と同一材料であることが好ましい。また、第４犠牲層５４は、例えばＣＶＤ法等の蒸着法により形成される。また、第３犠牲層５３の一部および第４犠牲層５４の一部の除去には、エッチバック等が用いられる。２個の第２貫通孔５３１は、２個の貫通孔２５３に１対１で対応する。図示はしないが、各第２貫通孔５３１は、平面視で対応する貫通孔２５３に重なる。また、各第２貫通孔５３１の平面視での形状は、対応する貫通孔２５３の平面視での形状と相似である。

次に、図１８に示すように、２個の貫通孔２５３および２個の第２貫通孔５３１を用いて、エッチングにより第２犠牲層５２が除去される。第２犠牲層５２の除去には、第１犠牲層５１、第３犠牲層５３および第４犠牲層５４に対して高い選択比を持つガス等が用いられる。例えば、第２犠牲層５２が酸化ケイ素で構成される場合、フッ化水素（ＨＦ）等のフッ素系のエッチングガスを用いたガスエッチング、または、フッ化水素（ＨＦ）等のフッ素系のエッチング液を用いたウェットエッチングが行われることが好ましい。

また、第２犠牲層５２の除去の際、第１犠牲層５１は、絶縁層２２５を保護する保護層として機能する。そのため、第１犠牲層５１の材料は、絶縁層２２５の材料と異なり、かつ第２犠牲層５２の除去に用いられるエッチングガス等に対する耐性が高い材料であることが好ましい。同様に、第２犠牲層５２の除去の際、第３犠牲層５３は、レンズ層２５を保護する保護層として機能する。そのため、第３犠牲層５３の材料は、レンズ層２５の材料と異なり、かつ第２犠牲層５２の除去に用いられるエッチングガス等に対する耐性が高い材料であることが好ましい。また、第２犠牲層５２の除去の際、第４犠牲層５４は、レンズ層２５を保護する保護層として機能する。そのため、第４犠牲層５４の材料は、レンズ層２５の材料と異なり、かつ第２犠牲層５２の除去に用いられるエッチングガス等に対する耐性が高い材料であることが好ましい。

また、第２犠牲層５２の除去の際、各第１材料膜３３ｙは、対応するコンタクト３を保護する。そのため、第１材料膜３３ｙの材料は、第２犠牲層５２の除去に用いられるエッチングガス等に対する耐性が高い材料であることが好ましい。

次に、図１９に示すように、第１犠牲層５１、第３犠牲層５３および第４犠牲層５４のそれぞれがエッチングにより除去される。これにより、レンズ群２５０と絶縁層２２５との間に空間Ｓが形成される。つまり、導光部２００が形成される。

例えば、第１犠牲層５１、第３犠牲層５３および第４犠牲層５４のそれぞれがシリコンで構成される場合、六フッ化硫黄（ＳＦ６）等のフッ素系ガスを用いたドライエッチング、フッ硝酸等を用いたウェットエッチング、または三フッ化塩素（ＣｌＦ３）等のフッ素系ガスを用いたガスエッチングが行われることが好ましい。また、第１犠牲層５１、第３犠牲層５３および第４犠牲層５４の材料を同一とすることで、第１犠牲層５１、第３犠牲層５３および第４犠牲層５４を一括して除去することができる。なお、ガスエッチングとは、単にガスを供給することによるエッチングである。また、ドライエッチングとは、プラズマエッチングおよびイオンビームエッチング等を含み、ガスエッチングを含まない。

また、第１材料膜３３ｘが、第１犠牲層５１、第３犠牲層５３および第４犠牲層５４のそれぞれと同一の材料である場合、第１犠牲層５１、第３犠牲層５３および第４犠牲層５４の除去の際、各第１材料膜３３ｙの一部は除去される。そのため、各第１材料膜３３ｙから、保護膜３３１および保護膜３３２を有する保護部３３が形成される。したがって、第１膜３３１ａおよび第２膜３３１ｂを有する第１保護部３３ａと、第３膜３３２ａおよび第４膜３３２ｂを有する第２保護部３３ｂとが形成される。また、第１犠牲層５１、第３犠牲層５３および第４犠牲層５４の除去の際、各無機材料膜３２は、対応するコンタクト３を保護する。そのため、無機材料膜３２の材料は、コンタクト３の材料と異なり、かつ当該除去に用いられるエッチングガス等に対する耐性が高い材料であることが好ましい。

このように、各コンタクト３が無機材料膜３２および第１材料膜３３ｙの２層で囲まれるため、空間Ｓの形成の際にコンタクト３が除去されることを効果的に防ぐことができる。

図２０および図２１のそれぞれは、透光部形成工程Ｓ１９を説明するための断面図である。透光部形成工程Ｓ１９では、図２０に示すように、レンズ層２５上に透光層２６が形成される。透光層２６は、２個の貫通孔２５３を埋めるよう形成される。透光層２６は、Ｘ−Ｙ平面に広がる平板状の透光性基部２６１と、２個の透光部２６２とを有する。透光層２６は、透光性および絶縁性を有する。透光層２６は、例えば酸化ケイ素等のケイ素系の無機材料を含む。透光層２６は、例えばＣＶＤ法等の蒸着法により形成される。

次に、図２１に示すように、透光層２６にＣＭＰ法等の研磨処理による平坦化処理が施される。これにより、透光層２６のうち主に透光性基部２６１が除去される。その結果、各貫通孔２５３には透光部２６２が残る。よって、各貫通孔２５３は、対応する透光部２６２によって埋められる。また、透光層２６に平坦化処理に伴って、レンズ層２５の上面が平坦化処理される。これにより、レンズ層２５から複数のコンタクト３の上部が露出する。なお、透光性基部２６１がレンズ層２５上に残っていてもよい。

なお、透光部形成工程Ｓ１９は省略されてもよい。つまり、２個の透光部２６２は形成されず、２個の貫通孔２５３は開口した状態であってもよい。

次に、画素電極形成工程Ｓ２０では、図示はしないが、レンズ層２５上に、複数の画素電極２８を含む画素電極群２８０が形成される。具体的には、例えば、透明電極材料からなる層がＣＶＤ法等の蒸着法により形成された後、当該層がマスクを用いてパターニングされることにより複数の画素電極２８が形成される。この際、複数の画素電極２８は、平面視で複数のレンズ２５２に１対１で重なるよう配置される。また、複数の画素電極２８は、複数のコンタクト３にそれぞれ接続される。したがって、第１画素電極２８ａは、平面視で第１レンズ２５２ａと重なり、第１コンタクト３ａに接続される。同様に、第２画素電極２８ｂは、平面視で第２レンズ２５２ｂと重なり、第２コンタクト３ｂに接続される。

また、画素電極群２８０上に、第１配向膜２９が形成される。例えば、酸化ケイ素等からなる層がＣＶＤ法等の蒸着法により形成され、その後にラビング処理が施されることにより第１配向膜２９が形成される。以上により、図４に示す素子基板２が形成される。

なお、図１に示す走査線駆動回路１１等の各種回路等は、前述の工程または工程間で適宜形成される。また、例えば公知の技術を適宜用いて対向基板４が形成され、素子基板２と対向基板４とがシール部材８を介して貼り合わされる。その後、素子基板２、対向基板４およびシール部材８との間に液晶材が注入されて液晶層９が形成され、その後、封止される。このようにして、図１および図２に示す電気光学装置１００が製造される。

以上説明のように、電気光学装置１００の製造方法は、積層体形成工程Ｓ１１と、犠牲層形成工程Ｓ１２と、レンズ層形成工程Ｓ１３と、コンタクトホール形成工程Ｓ１４と、コンタクト形成工程Ｓ１６と、貫通孔形成工程Ｓ１７と、空間形成工程Ｓ１８と、画素電極形成工程Ｓ２０と、を有する。かかる方法によれば、絶縁層２２５とレンズ層２５との間に空間Ｓを簡単に形成することができる。また、各コンタクト３をレンズ群２５０の外側に引き回す必要がない。したがって、素子基板２によれば、各コンタクト３の配置を複雑化させることなく、複数のトランジスター２３と画素電極群２８０との間に導光部２００を設けることができる。また、複数のレンズ２５２と、複数のコンタクト３と、複数の中継電極２４９との配置精度を高めることができる。

１Ｅ．変形例
以上に例示した形態は多様に変形され得る。前述の形態に適用され得る具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の態様は、相互に矛盾しない範囲で適宜に併合され得る。

前述の実施形態では、複数のレンズ２５２が平面視で複数の画素電極２８に１対１で配置されるが、全ての画素電極２８のそれぞれに対してレンズ２５２が配置されていなくてもよい。

前述の実施形態では、全てのコンタクト３がレンズ層２５および空間Ｓを通るが、レンズ層２５または空間Ｓを通らないコンタクト３が存在していてもよい。

前述した実施形態では、素子基板２は、例えば、レンズ層２５と第１配向膜２９との間に配置された遮光膜を有してもよい。当該遮光膜は、平面視でレンズ群２５０を囲むよう配置される。当該遮光膜によって、レンズ群２５０を透過しない光の迷光が抑制される。

前述の実施形態では、素子基板２は複数の無機材料膜３２および複数の保護部３３を有するが、例えばコンタクト３の材料によっては、複数の無機材料膜３２および複数の保護部３３は省略されてもよい。

前述の実施形態では、第２犠牲層５２は、無機材料で形成したが、ＰＩ（polyimide）有機成分を主体とする塗布材料でもよい。第２犠牲層５２は、トランジスター２３、中継電極２４９および図示していない配線等の形成後に成膜する。そのため、第２犠牲層５２の材料を、有機成分を主体とする塗布材料とすることで、第２犠牲層５２を低温で形成することができ、高温で成膜することによって、配線等にダメージを与えてしまうことを回避することができる。

前述の実施形態では、トランジスターとしてＴＦＴを用いる場合を例に説明したが、トランジスターはＴＦＴに限定されず、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）等であってもよい。

前述の実施形態では、アクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置１００が例示されるが、これに限定されず、電気光学装置の駆動方式は、例えば、パッシブマトリクス駆動方式等でもよい。

２．電子機器
電気光学装置１００は、各種電子機器に用いることができる。

図２２は、電子機器の一例であるパーソナルコンピューター２０００を示す斜視図である。パーソナルコンピューター２０００は、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設置される本体部２０１０と、制御部２００３と、を有する。制御部２００３は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

図２３は、電子機器の一例であるスマートフォン３０００を示す斜視図である。スマートフォン３０００は、操作ボタン３００１と、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、制御部３００２と、を有する。操作ボタン３００１の操作に応じて電気光学装置１００に表示される画面内容が変更される。制御部３００２は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

図２４は、電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。投射型表示装置４０００は、例えば、３板式のプロジェクターである。電気光学装置１ｒは、赤色の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｇは、緑の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｂは、青色の表示色に対応する電気光学装置１００である。すなわち、投射型表示装置４０００は、赤、緑および青の表示色に各々対応する３個の電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂを有する。制御部４００５は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

照明光学系４００１は、光源である照明装置４００２からの出射光のうち赤色成分ｒを電気光学装置１ｒに供給し、緑色成分ｇを電気光学装置１ｇに供給し、青色成分ｂを電気光学装置１ｂに供給する。各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂは、照明光学系４００１から供給される各単色光を表示画像に応じて変調するライトバルブ等の光変調器として機能する。投射光学系４００３は、各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂからの出射光を合成して投射面４００４に投射する。

以上の電子機器は、前述の電気光学装置１００と、制御部２００３、３００２または４００５と、を備える。電気光学装置１００は、レンズ性能の向上を図ることができる。そのため、パーソナルコンピューター２０００、スマートフォン３０００および投射型表示装置４０００のそれぞれの小型化または表示品質の向上を図ることができる。

なお、本発明の電気光学装置が適用される電子機器としては、例示した機器に限定されず、例えば、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、車載用の表示器、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、およびＰＯＳ（Point of sale）端末等が挙げられる。さらに、本発明が適用される電子機器としては、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、またはタッチパネルを備えた機器等が挙げられる。

以上、好適な実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は前述の各実施形態に限定されない。また、本発明の各部の構成は、前述の実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成に置換でき、また、任意の構成を付加できる。

また、前述した説明では、本発明の電気光学装置の一例として液晶装置について説明したが、本発明の電気光学装置はこれに限定されない。例えば、本発明の電気光学装置は、イメージセンサー等にも適用することができる。また、例えば、有機ＥＬ（electro luminescence）、無機ＥＬまたは発光ポリマー等の発光素子を用いた表示パネルに対しても前述の実施形態と同様に本発明が適用され得る。また、着色された液体と当該液体に分散された白色の粒子とを含むマイクロカプセルを用いた電気泳動表示パネルに対しても前述の実施形態と同様に本発明が適用され得る。

２…素子基板、３…コンタクト、３ａ…第１コンタクト、３ｂ…第２コンタクト、４…対向基板、８…シール部材、９…液晶層、１１…走査線駆動回路、１２…データ線駆動回路、１４…外部端子、１５…引回配線、２１…第１基材、２２…積層体、２３…トランジスター、２３ａ…第１トランジスター、２３ｂ…第２トランジスター、２５…レンズ層、２６…透光層、２８…画素電極、２８ａ…第１画素電極、２８ｂ…第２画素電極、２９…第１配向膜、３２…無機材料膜、３２ａ…第１無機材料膜、３２ｂ…第２無機材料膜、３２ｘ…第２材料膜、３３…保護部、３３ａ…第１保護部、３３ｂ…第２保護部、３３ｘ…第１材料膜、３３ｙ…第１材料膜、４１…第２基材、４２…絶縁膜、４５…共通電極、４６…第２配向膜、５１…第１犠牲層、５２…第２犠牲層、５３…第３犠牲層、５４…第４犠牲層、８０…封止材、８９…注入口、１００…電気光学装置、２００…導光部、２２１…絶縁層、２２２…絶縁層、２２３…絶縁層、２２４…絶縁層、２２５…絶縁層、２４０…蓄積容量、２４１…遮光膜、２４４…走査線、２４５…容量線、２４６…データ線、２４９…中継電極、２４９ａ…第１中継電極、２４９ｂ…第２中継電極、２５０…レンズ群、２５１…基部、２５２…レンズ、２５２ａ…第１レンズ、２５２ｂ…第２レンズ、２５３…貫通孔、２６１…透光性基部、２６２…透光部、２８０…画素電極群、３３１…保護膜、３３１ａ…第１膜、３３１ｂ…第２膜、３３２…保護膜、３３２ａ…第３膜、３３２ｂ…第４膜、５１０…凹部群、５１１…レンズ用凹部、５３１…第２貫通孔、Ｈ０…コンタクトホール、Ｈ０ａ…第１孔、Ｈ０ｂ…第２孔、Ｈ１…コンタクトホール、Ｈ１ａ…第１コンタクトホール、Ｈ１ｂ…第２コンタクトホール、Ｈ２…コンタクトホール、Ｈ２ａ…第３コンタクトホール、Ｈ２ｂ…第４コンタクトホール、Ｓ…空間、６００…導光部、６２２…レンズ、６２３…貫通孔、７００…導光部、８００…導光部、８１２…凹部、Ｓ０２…空間。

Claims (11)

1. 第１画素電極および第２画素電極を含む画素電極群と、
   複数の絶縁層を含む積層体と、
   前記積層体に配置される第１トランジスターと、
   前記積層体に配置される第２トランジスターと、
   前記積層体の厚さ方向からみて前記第１画素電極と重なる第１レンズ、および、前記厚さ方向からみて前記第２画素電極と重なる第２レンズ、を有するレンズ層と、
   前記第１トランジスターと前記第１画素電極とを電気的に接続する第１コンタクトと、
   前記第２トランジスターと前記第２画素電極とを電気的に接続する第２コンタクトと、
   を備え、
   前記積層体と、前記レンズ層と、前記画素電極群とは、順に配置され、
   前記第１レンズおよび前記第２レンズのそれぞれと、前記積層体とは、空間を介して配置され、
   前記第１コンタクトおよび前記第２コンタクトのそれぞれは、前記レンズ層および前記空間を通ることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記第１コンタクトと前記第１レンズとは、前記厚さ方向からみて異なる位置に配置され、
   前記第２コンタクトと前記第２レンズとは、前記厚さ方向からみて異なる位置に配置される請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記第１コンタクトおよび前記第２コンタクトのそれぞれは、タングステンプラグを有する請求項１または２に記載の電気光学装置。
4. 前記第１コンタクトの外周面に接触し、ケイ素を含む無機材料で構成される第１無機材料膜と、
   前記第２コンタクトの外周面に接触し、ケイ素を含む無機材料で構成される第２無機材料膜と、をさらに備える請求項１から３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
5. 前記積層体は、第１コンタクトホールと、第２コンタクトホールと、をさらに有し、
   前記レンズ層は、前記厚さ方向からみて前記第１コンタクトホールと重なる第３コンタクトホールと、前記厚さ方向からみて前記第２コンタクトホールと重なる第４コンタクトホールと、をさらに有し、
   前記第１コンタクトは、前記第１コンタクトホールに配置される部分と、前記第２コンタクトホールに配置される部分と、を有し、
   前記第２コンタクトは、前記第３コンタクトホールに配置される部分と、前記第４コンタクトホールに配置される部分と、を有する請求項１から４のいずれか１項に記載の電気光学装置。
6. 前記積層体に配置され、前記第１トランジスターに電気的に接続される第１中継電極と、
   前記積層体に配置され、前記第２トランジスターに電気的に接続される第２中継電極と、
   前記積層体の材料と異なる無機材料で構成され、前記第１コンタクトホールの壁面に接触する第１膜と、
   前記積層体の材料と異なる無機材料で構成され、前記第２コンタクトホールの壁面に接触する第２膜と、をさらに備え、
   前記第１コンタクトは、前記第１膜を貫通し、前記第１中継電極に接触し、
   前記第２コンタクトは、前記第２膜を貫通し、前記第２中継電極に接触する請求項５に記載の電気光学装置。
7. 前記レンズ層の材料と異なる無機材料で構成され、前記第３コンタクトホールの壁面に接触する第３膜と、
   前記レンズ層の材料と異なる無機材料で構成され、前記第４コンタクトホールの壁面に接触する第４膜と、をさらに備える請求項５または６に記載の電気光学装置。
8. 前記レンズ層は、前記厚さ方向からみて前記第１コンタクトおよび前記第２コンタクトと異なる位置に配置される貫通孔を有する請求項１から７のいずれか１項に記載の電気光学装置。
9. 前記貫通孔を塞ぐ透光性および絶縁性の透光部を、さらに備える請求項８に記載の電気光学装置。
10. 複数の絶縁層の積層される積層体、前記積層体に配置される第１トランジスター、およびを前記積層体に配置される第２トランジスターを形成する工程と、
    前記積層体上に無機材料で構成される犠牲層を形成する工程と、
    前記犠牲層上に、第１レンズおよび第２レンズを含むレンズ層を形成する工程と、
    前記犠牲層および前記レンズ層を貫通する第１孔と、前記犠牲層および前記レンズ層を貫通する第２孔と、を形成する工程と、
    前記第１トランジスターと電気的に接続される第１コンタクトを前記第１孔内に形成するとともに、前記第２トランジスターと電気的に接続される第２コンタクトを前記第２孔内に形成する工程と、
    前記レンズ層に貫通孔を形成する工程と、
    前記貫通孔を用いて前記犠牲層を除去することにより、前記レンズ層と前記積層体との間に空間を形成する工程と、
    前記レンズ層の厚さ方向からみて前記第１レンズと重なり、前記第１コンタクトに接続される第１画素電極と、前記厚さ方向からみて前記第２レンズと重なり、前記第２コンタクトに接続される第２画素電極と、を形成する工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
11. 請求項１から９のいずれか１項に記載の電気光学装置と、
    前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有することを特徴とする電子機器。

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