JP2021084154A - 被覆切削工具 - Google Patents
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Abstract
Description
前記B層は、金属(半金属を含む)元素の総量でTi(チタン)の含有比率が70原子%以上90原子%以下、シリコン(Si)の含有比率が5原子%以上20原子%以下、クロム(Cr)の含有比率が1原子%以上10原子%以下の窒化物又は炭窒化物であり、面心立方格子構造である。
Alは耐熱性を付与する元素である。硬質皮膜に対して、より優れた耐熱性を付与するために、A層は、金属(半金属を含む、以下同様。)元素の含有比率(原子%、以下同様。)でAlを50%以上にする。更には、A層のAlの含有比率を55%以上とすることが好ましい。一方、A層のAlの含有比率が大きくなり過ぎると、六方最密充填構造(hcp構造、以下同様。)が主体となり、被覆切削工具の耐久性が低下する傾向にある。そのため、A層のAlの含有比率を70%以下とすることが好ましい。
A層は、耐熱性および耐摩耗性を高いレベルで両立させるため、AlとCrの合計の含有比率を85%以上とする。更には、A層のAlとCrの合計の含有比率を90%以上とすることが好ましい。A層のAlとCrの合計の含有比率は、96%以下であることが好ましく、95%以下であることがより好ましい。
但し、A層がAlとCrとSi以外の金属元素を多く含有すると、AlとCrを主体とする窒化物又は炭窒化物の基礎特性が損なわれ被覆切削工具の耐久性が低下する恐れがある。そのため、A層はAlとCrとSi以外の金属元素を含有する場合でも、それらの合計の含有比率を10%以下とすることが好ましい。更には、A層はAlとCrとSi以外の金属元素を含有する場合でも、それらの合計の含有比率を5%以下とすることが好ましい。
Is=fcc構造の、AlNの(111)面、CrNの(111)面、AlNの(2
00)面、CrNの(200)面、AlNの(220)面、およびCrNの(220)面
に起因するピーク強度と、hcp構造の、AlNの(010)面、AlNの(011)面
、およびAlNの(110)面に起因するピーク強度と、の合計
度が確認されない硬質皮膜において、ミクロレベルで含まれるhcp構造のAlNを定量
的に評価することができる。
A層は、ミクロ組織に存在するhcp構造のAlNをより少なくして、Ih×100/Is≦25の関係を満たしていることが好ましい。Ih×100/Is≦25の関係を満たすことで、被覆切削工具の耐久性がより優れたものとなる。更には、A層は、Ih×100/Is≦20の関係を満たしていることが好ましい。
B層はA層の上に配置される硬質皮膜である。B層は、耐摩耗性と耐熱性に優れる膜種であるTiSiの窒化物又は炭窒化物をベースとする。B層には、更に微量のCrが添加されている。本発明者はTiSiNの耐摩耗性を更に高めるために、第三元素の添加を検討した。そして、Si含有比率を抑制したTiSiNに対して、微量のCrを添加することで硬度が高まり、被覆切削工具の耐摩耗性が向上することを確認した。耐摩耗性が向上したメカニズムの詳細は不明であるが、CrがTiNのTiの一部に置換することで、TiとCrの原子半径差により格子に歪が生じて硬化したためと推察される。
B層のSiの含有比率が少なすぎると、皮膜組織の微細化が不十分となり硬質皮膜の耐摩耗性が低下する。また、B層のSiの含有比率が多すぎると、皮膜組織が微細になり過ぎて非晶質に近くなるために、硬質皮膜の耐摩耗性が低下する。そのため、B層は金属(半金属を含む)元素の総量でSi(シリコン)の含有比率が5%以上20%以下とする。
硬質皮膜の平均結晶粒径は、X線回折の半価幅から測定することができる。
A層およびB層のいずれについても、膜厚を大きくしすぎると剥離が生じやすくなり、被覆切削工具の耐久性が低下する。A層およびB層の膜厚の上限は、中間層および表面層を含む硬質皮膜の構成によって異なる。一例を挙げるならば、A層の膜厚の上限は4μm未満、B層の膜厚の上限は3.5μm未満、A層とB層の合計膜厚の上限は5μm以下とすることが好ましい。
<成膜装置>
硬質皮膜の成膜には、アークイオンプレーティング方式の成膜装置を用いた。本装置は、複数のカソード(アーク蒸発源)、真空容器および基材回転機構を含む。
本装置は、3基のカソードC1、C2、C3を備える。C1は、ターゲット外周にコイル磁石を配備したカソードである。C2およびC3は、ターゲット背面および外周に永久磁石を配備したカソードである。C2およびC3は、ターゲットの垂直方向の磁束密度がターゲット中央付近で14mT以上である。C2とC3に装着されるターゲットは、試料によって組成を変化させた。
真空容器内は、内部を真空ポンプにより排気される。成膜ガスは供給ポートより真空容器内に導入される。真空容器内に設置した各基材にはバイアス電源が接続される。バイアス電源は、各基材に負圧のDCバイアス電圧を印加する。
基材回転機構は、プラネタリーとプラネタリー上のプレート状治具、プレート状治具上のパイプ状治具を有する。プラネタリーは毎分3回転の速さで回転する。プレート状治具、パイプ状治具は夫々自公転する。
物性評価および切削試験用の基材として、組成がWC(bal.)−Co(8質量%)−Cr(0.5質量%)−VC(0.3質量%)、WC平均粒度0.6μm、硬度93.9HRA、からなる超硬合金製の2枚刃ボールエンドミルを準備した。なお、WCは炭化タングステンを、Coはコバルトを、Crはクロムを、VCは炭化バナジウムを、それぞれ表す。
各基材をそれぞれ真空容器内のパイプ状冶具に固定し、成膜前プロセスを以下のように実施した。まず、真空容器内を8×10−3Pa以下に真空排気した。その後、真空容器内に設置したヒーターにより、基材温度が500℃になるまで加熱し、真空排気を行った。これにより、基材温度を500℃、真空容器内の圧力を8×10−3Pa以下とした。
その後、真空容器内にArガスを導入し、容器内圧を0.67Paとした。その後、フィラメント電極に35Aの電流を供給し、基材に−200Vの負圧のバイアス電圧を印加し、Arボンバードを4分間実施した。
その後、真空容器内の圧力が8×10−3Pa以下になるように真空排気した。続いて、基材にバイアス電圧を印加して、Tiターゲットが装着されたC1に150Aのアーク電流を供給してTiボンバード処理を実施した。Tiボンバード処理により、基材の表面に、WとTiを含有する炭化物を1nm以上10nm以下で形成した。Tiボンバード処理により形成される炭化物の組成は、金属元素の含有比率でWが60原子%以上90原子%以下、Tiが10原子%以上40原子%以下であった。
Tiボンバード後、直ちにC1への電力供給を中断した。そして、真空容器内のガスを窒素に置き換え、真空容器内の圧力を5Pa、基材設定温度を520℃とした。AlCrSiターゲットが装着されたC2に150Aの電力を供給し、基材に印加する負圧のバイアス電圧を120V、カソード電圧を30VとしてA層を被覆した。
A層の被覆後、B層を被覆した。B層の被覆では、C3のターゲットして、TiSiCrターゲット、TiSiWターゲット、TiSiTaターゲット、またはTiSiターゲットを試料に応じて用いた。上記ターゲットが装着されたC3に150Aの電力を供給し、基材に印加する負圧のバイアス電圧を50V、カソード電圧を25VとしてB層を被覆した。その後、略250℃以下に基材を冷却して真空容器から取り出した。そして、被覆後の各試料はブラスト処理による刃先の研磨処理を行った。
(条件)
・工具:2枚刃超硬ボールエンドミル
・型番:EPDBEH2003−0.5−TH3 ボール半径0.15mm
・切削方法:ポケット加工(1mm×3mm×深さ0.4mm)
・被削材:ASP23(64HRC)
・切り込み:軸方向、0.013mm、径方向、0.013mm
・切削速度:37.7m/min
・一刃送り量:0.0045mm/刃
・切削油:ミストブロー(油性)
・加工個数:7ポケット
・評価方法:母材露出面積は、切削加工後、走査型電子顕微鏡を用いて倍率600倍で観察し、工具の超硬基材が露出した面積を算出した。母材露出面積の算出には市販の画像解析ソフトを用いた。評価結果を表1に纏める。
Siを一定量含有して皮膜組織を微細化したA層の上層にB層に微量のCrを添加した本発明例1〜3はいずれも母材の露出面積が小さく優れた耐久性を示した。特に、A層とB層の総膜厚が厚い本発明例3は母材露出面積が小さくなり、より優れた耐久性を示した。
一方、比較例1のB層は微量のCrを添加しているがSiの含有量が多いため、本発明例に比べて母材露出面積が大きくなった。
比較例2、3はCrに変えてW(タングステン)とTa(タンタル)を微量添加したが、B層の硬化が十分でなく、本発明例に比べて母材露出面積が大きくなった。
比較例4は、B層にCrを微量添加していないため、本発明例に比べて母材露出面積が大きくなった。
比較例5は、A層のSi含有比率が小さいため皮膜組織の柱状粒子が大きく、本発明例1と同じB層を設けても母材露出面積が大きくなった。
比較例6は、B層のCrの含有比率が大きいためCrの濃化相が粗大となり、母材露出面積が大きくなった。
Claims (2)
- 基材の表面に、金属(半金属を含む)元素の総量でアルミニウム(Al)の含有比率が50原子%以上、クロム(Cr)の含有比率が20原子%以上、アルミニウム(Al)とクロム(Cr)の合計の含有比率が85原子%以上、ケイ素(Si)の含有比率が4原子%以上15原子%以下の窒化物又は炭窒化物である面心立方格子構造のA層と、前記A層の上に設けられるB層と、を有する被覆切削工具において、
前記B層は、金属(半金属を含む)元素の総量でTi(チタン)の含有比率が70原子%以上90原子%以下、シリコン(Si)の含有比率が5原子%以上20原子%以下、クロム(Cr)の含有比率が1原子%以上10原子%以下の窒化物又は炭窒化物であり面心立方格子構造であることを特徴とする被覆切削工具。 - 前記A層の膜厚は1.0μmよりも大きく、前記B層の膜厚は0.5μmよりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の被覆切削工具。
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