JP2021070795A - 樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

【課題】デスミア耐性及び磁性層と導体層との間の密着性が向上し、リフロー処理後の導体層の膨れが抑制された硬化物を得ることができる樹脂組成物等の提供。【解決手段】（Ａ）磁性粉体、（Ｂ−１）固形樹脂、（Ｂ−２）液状樹脂、及び（Ｃ）融点が１２０℃以上２４５℃以下の硬化促進剤、を含み、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ｂ−１）成分の含有量をｂ１とし、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ｂ−２）成分の含有量をｂ２としたとき、ｂ１／ｂ２が０．１５以上０．４５以下である、樹脂組成物。【選択図】なし

Description

本発明は、樹脂組成物、及び樹脂組成物を用いて得られる磁性シート、回路基板、及びインダクタ基板に関する。

近年の電子機器の小型化、薄型化の要求により、プリント配線板やプリント配線板に搭載されるインダクタ部品（コイル）も、小型化、薄型化の要求が高まっている。チップ部品としてインダクタ部品を搭載した場合、プリント配線板の薄型化に限界が生じる。よって、磁性材料を樹脂組成物層に含有する接着フィルムを用いて、プリント基板に磁性層を形成することで、プリント配線板内層にインダクタを形成することが考えられる（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１５−１８７２６０号公報

本発明者らは、樹脂組成物層に磁性材料を含有する磁性シート、又はペースト状の樹脂組成物を用いて、磁性層上に導体層を形成する際に湿式デスミア処理を行ったところ、酸化剤溶液による磁性材料の脱落、溶解に起因して、磁性層表面の粗化形状が悪化すること（即ちデスミア耐性が劣る）を知見した。それに起因して磁性層とめっき等の導体層との間の密着性が低下する傾向にある。また、本発明者らは、リフロー処理を行うと磁性層上に形成される導体層に膨れが生じることも知見した。

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、デスミア耐性及び磁性層と導体層との間の密着性が向上し、リフロー処理後の導体層の膨れが抑制された硬化物を得ることができる樹脂組成物、及び当該樹脂組成物を用いて得られる磁性シート、回路基板、及びインダクタ基板を提供することを目的とする。

本発明者らが鋭意検討したところ、固形樹脂及び液状樹脂が所定の含有比率となるように樹脂組成物に含有させ、さらに融点が１２０℃以上２４５℃以下の硬化促進剤を樹脂組成物に含有させることで、デスミア耐性及び磁性層と導体層との間の密着性が向上し、さらにリフロー処理後の導体層の膨れが抑制されることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は以下の内容を含む。
［１］ （Ａ）磁性粉体、
（Ｂ−１）固形樹脂、
（Ｂ−２）液状樹脂、及び
（Ｃ）融点が１２０℃以上２４５℃以下の硬化促進剤、を含み、
樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ｂ−１）成分の含有量をｂ１とし、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ｂ−２）成分の含有量をｂ２としたとき、ｂ１／ｂ２が０．１５以上０．４５以下である、樹脂組成物。
［２］ （Ｂ−１）成分が、固形エポキシ樹脂を含む、［１］に記載の樹脂組成物。
［３］ （Ｂ−２）成分が、液状エポキシ樹脂を含む、［１］又は［２］に記載の樹脂組成物。
［４］ （Ｃ）成分が、トリアジン骨格を有する、［１］〜［３］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［５］ （Ａ）成分が、軟磁性粉体である、［１］〜［４］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［６］ （Ａ）成分が、酸化鉄粉である、［１］〜［５］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［７］ 酸化鉄粉が、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、及びＺｎから選ばれる少なくとも１種を含むフェライトである、［６］に記載の樹脂組成物。
［８］ （Ａ）成分が、Ｆｅ−Ｍｎ系フェライト、及びＦｅ−Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトから選ばれる少なくとも１種である、［１］〜［７］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［９］ （Ａ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、６０質量％以上である、［１］〜［８］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１０］ インダクタ素子形成用である、［１］〜［９］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１１］ ペースト状である、［１］〜［１０］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１２］ スルーホール充填用である、［１］〜［１１］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１３］ 支持体と、該支持体上に設けられた、［１］〜［１２］のいずれかに記載の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層とを含む、磁性シート。
［１４］ スルーホールを有する基板と、前記スルーホールに充填した、［１］〜［１２］のいずれかに記載の樹脂組成物の硬化物と、を有する回路基板。
［１５］ ［１］〜［１２］のいずれかに記載の樹脂組成物の硬化物である磁性層を含む、回路基板。
［１６］ ［１４］又は［１５］に記載の回路基板を含む、インダクタ基板。

本発明によれば、デスミア耐性及び磁性層と導体層との間の密着性が向上し、リフロー処理後の導体層の膨れが抑制された硬化物を得ることができる樹脂組成物、及び当該樹脂組成物を用いて得られる磁性シート、回路基板、及びインダクタ基板を提供することができる。

図１は、第１実施形態の回路基板の製造方法の一例としてのコア基板の模式的な断面図である。 図２は、第１実施形態の回路基板の製造方法の一例としてのスルーホールを形成したコア基板の模式的な断面図である。 図３は、第１実施形態の回路基板の製造方法の一例としてのスルーホール内にめっき層を形成したコア基板の様子を示す模式的な断面図である。 図４は、第１実施形態の回路基板の製造方法の一例としてのスルーホール内に磁性ペーストを充填させたコア基板の様子を示す模式的な断面図である。 図５は、第１実施形態の回路基板の製造方法の一例としての充填させた磁性ペーストを熱硬化させたコア基板の様子を示す模式的な断面図である。 図６は、第１実施形態の回路基板の製造方法の一例としての硬化物を研磨した後のコア基板の様子を示す模式的な断面図である。 図７は、第１実施形態の回路基板の製造方法の一例としての研磨した面上に導体層を形成したコア基板の様子を示す模式的な断面図である。 図８は、第１実施形態の回路基板の製造方法の一例としてのパターン導体層を形成したコア基板の様子を示す模式的な断面図である。 図９は、第２実施形態の回路基板の製造方法の一例に含まれる（Ａ）工程を説明するための模式的な断面図である。 図１０は、第２実施形態の回路基板の製造方法の一例に含まれる（Ａ）工程を説明するための模式的な断面図である。 図１１は、第２実施形態の回路基板の製造方法の一例に含まれる（Ｂ）工程を説明するための模式的な断面図である。 図１２は、第２実施形態の回路基板の製造方法の一例に含まれる（Ｄ）工程を説明するための模式的な断面図である。 図１３は、一例としての第２実施形態の回路基板の製造方法により得た回路基板を含むインダクタ部品をその厚さ方向の一方からみた模式的な平面図である。 図１４は、一例としてのＩＩ−ＩＩ一点鎖線で示した位置で切断した第２実施形態の回路基板の製造方法により得た回路基板を含むインダクタ部品の切断端面を示す模式的な図である。 図１５は、一例としての第２実施形態の回路基板の製造方法により得た回路基板を含むインダクタ部品のうちの第１導体層の構成を説明するための模式的な平面図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、各図面は、発明が理解できる程度に、構成要素の形状、大きさ及び配置が概略的に示されているに過ぎない。本発明は以下の実施形態によって限定されるものではなく、各構成要素は適宜変更可能である。また、本発明の実施形態にかかる構成は、必ずしも図示例の配置により、製造されたり、使用されたりするとは限らない。

［樹脂組成物］
本発明の樹脂組成物は、（Ａ）磁性粉体、（Ｂ−１）固形樹脂、（Ｂ−２）液状樹脂、及び（Ｃ）融点が１２０℃以上２４５℃以下の硬化促進剤、を含み、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ｂ−１）成分の含有量をｂ１とし、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ｂ−２）成分の含有量をｂ２としたとき、ｂ１／ｂ２が０．１５以上０．４５以下である。

本発明では、固形樹脂及び液状樹脂が所定の含有比率となるように樹脂組成物に含有させ、さらに融点が１２０℃以上２４５℃以下の硬化促進剤を樹脂組成物に含有させることで、デスミア耐性が向上し、リフロー処理後の導体層の膨れが抑制されることが可能となる。磁性層のデスミア耐性が向上するので、通常は磁性層と導体層との間の密着性を向上させることができる。また、本発明では、通常、樹脂組成物の保存安定性に優れ、さらには、この樹脂組成物の硬化物は、周波数が１０〜２００ＭＨｚで比透磁率の向上が可能である。

樹脂組成物は、必要に応じて、さらに（Ｄ）その他の添加剤を含み得る。以下、本発明の樹脂組成物に含まれる各成分について詳細に説明する。ここで、（Ｂ−１）固形樹脂、及び（Ｂ−２）液状樹脂をまとめて「（Ｂ）樹脂」ということがある。

＜（Ａ）磁性粉体＞
樹脂組成物は、（Ａ）成分として（Ａ）磁性粉体を含有する。（Ａ）磁性粉体を樹脂組成物に含有させることでその硬化物の比透磁率を向上させることが可能となる。（Ａ）磁性粉体は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。

（Ａ）磁性粉体としては、軟磁性粉体、硬磁性粉体のいずれであってもよいが、本発明の効果を顕著に得る観点から、軟磁性粉体であることが好ましい。

（Ａ）磁性粉体としては、例えば、Ｆｅ−Ｍｎ系フェライト、Ｆｅ−Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｇ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ−Ｍｇ系フェライト、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｇ−Ｍｎ−Ｓｒ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｂａ−Ｚｎ系フェライト、Ｂａ−Ｍｇ系フェライト、Ｂａ−Ｎｉ系フェライト、Ｂａ−Ｃｏ系フェライト、Ｂａ−Ｎｉ−Ｃｏ系フェライト、Ｙ系フェライト、酸化鉄粉（ＩＩＩ）、四酸化三鉄などの酸化鉄粉；純鉄粉末；Ｆｅ−Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ−Ｃｕ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｏ系合金粉末、あるいはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金粉末などの鉄合金系金属粉；Ｃｏ基アモルファスなどのアモルファス合金類等が挙げられる。

中でも、（Ａ）磁性粉体としては、酸化鉄粉及び鉄合金系金属粉から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。酸化鉄粉としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、及びＺｎから選ばれる少なくとも１種を含むフェライトを含むことが好ましく、Ｆｅ−Ｍｎ系フェライト、及びＦｅ−Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトから選ばれる少なくとも１種であることがより好ましい。また、鉄合金系金属粉としては、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｉ、及びＣｏから選ばれる少なくとも１種を含む鉄合金系金属粉を含むことが好ましい。

（Ａ）磁性粉体としては、市販品を用いることができ、２種以上を併用してもよい。用いられ得る市販の磁性粉体の具体例としては、パウダーテック社製「Ｍ０５Ｓ」等のＭシリーズ；パウダーテック社製「ＭＺ０５」；山陽特殊製鋼社製「ＰＳＴ−Ｓ」；エプソンアトミックス社製「ＡＷ２−０８」、「ＡＷ２−０８ＰＦ２０Ｆ」、「ＡＷ２−０８ＰＦ１０Ｆ」、「ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ」、「Ｆｅ−３．５Ｓｉ−４．５ＣｒＰＦ２０Ｆ」、「Ｆｅ−５０ＮｉＰＦ２０Ｆ」、「Ｆｅ−８０Ｎｉ−４ＭｏＰＦ２０Ｆ」；ＪＦＥケミカル社製「ＬＤ−Ｍ」、「ＬＤ−ＭＨ」、「ＫＮＩ−１０６」、「ＫＮＩ−１０６ＧＳＭ」、「ＫＮＩ−１０６ＧＳ」、「ＫＮＩ−１０９」、「ＫＮＩ−１０９ＧＳＭ」、「ＫＮＩ−１０９ＧＳ」；戸田工業社製「ＫＮＳ−４１５」、「ＢＳＦ−５４７」、「ＢＳＦ−０２９」、「ＢＳＮ−１２５」、「ＢＳＮ−１２５」、「ＢＳＮ−７１４」、「ＢＳＮ−８２８」、「Ｓ−１２８１」、「Ｓ−１６４１」、「Ｓ−１６５１」、「Ｓ−１４７０」、「Ｓ−１５１１」、「Ｓ−２４３０」；日本重化学工業社製「ＪＲ０９Ｐ２」；ＣＩＫナノテック社製「Ｎａｎｏｔｅｋ」；キンセイマテック社製「ＪＥＭＫ−Ｓ」、「ＪＥＭＫ−Ｈ」：ＡＬＤＲＩＣＨ社製「Ｙｔｔｒｉｕｍ ｉｒｏｎ ｏｘｉｄｅ」等が挙げられる。

（Ａ）磁性粉体は、球状であることが好ましい。磁性粉体の長軸の長さを短軸の長さで除した値（アスペクト比）としては、好ましくは２以下、より好ましくは１．５以下、さらに好ましくは１．２以下である。一般に、磁性粉体は球状ではない扁平な形状であるほうが、比透磁率を向上させやすい。しかし、特に球状の磁性粉体を用いる方が、通常、磁気損失を低くでき、また好ましい粘度を有する樹脂組成物を得る観点から好ましい。

（Ａ）磁性粉体の平均粒径は、比透磁率を向上させる観点から、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上、さらに好ましくは１μｍ以上である。また、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは９μｍ以下、さらに好ましくは８μｍ以下である。

（Ａ）磁性粉体の平均粒径はミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒径分布測定装置により、磁性粉体の粒径分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、磁性粉体を超音波により水に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒径分布測定装置としては、堀場製作所社製「ＬＡ−５００」、島津製作所社製「ＳＡＬＤ−２２００」等を使用することができる。

（Ａ）磁性粉体の比表面積は、比透磁率を向上させる観点から、好ましくは０．０５ｍ^２／ｇ以上、より好ましくは０．１ｍ^２／ｇ以上、さらに好ましくは０．３ｍ^２／ｇ以上である。また、好ましくは１０ｍ^２／ｇ以下、より好ましくは８ｍ^２／ｇ以下、さらに好ましくは５ｍ^２／ｇ以下である。（Ａ）磁性粉体の比表面積は、ＢＥＴ法によって測定できる。

（Ａ）磁性粉体は、樹脂組成物の粘度を調整し、さらに耐湿性及び分散性を高める観点から、表面処理剤で処理されていてもよい。表面処理剤としては、例えば、ビニルシラン系カップリング剤、（メタ）アクリル系カップリング剤、フッ素含有シランカップリング剤、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、アルコキシシラン、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤等が挙げられる。表面処理剤は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を任意に組み合わせて用いてもよい。

表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業社製「ＫＢＭ１００３」（ビニルトリエトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ５０３」（３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ４０３」（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ８０３」（３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＥ９０３」（３−アミノプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＳＺ−３１」（ヘキサメチルジシラザン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ１０３」（フェニルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ−４８０３」（長鎖エポキシ型シランカップリング剤）、信越化学工業社製「ＫＢＭ−７１０３」（３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン）等が挙げられる。

表面処理剤による表面処理の程度は、（Ａ）磁性粉体の分散性向上の観点から、所定の範囲に収まることが好ましい。具体的には、（Ａ）磁性粉体１００質量部は、０．０１質量部〜５質量部の表面処理剤で表面処理されていることが好ましく、０．０５質量部〜３質量部で表面処理されていることが好ましく、０．１質量部〜２質量部で表面処理されていることが好ましい。

（Ａ）磁性粉体の含有量（体積％）は、比透磁率を向上させ及び損失係数を低減させる観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００体積％とした場合、好ましくは４０体積％以上、より好ましくは５０体積％以上、さらに好ましくは６０体積％以上である。また、好ましくは８５体積％以下、より好ましくは８０体積％以下、さらに好ましくは７０体積％以下である。

（Ａ）磁性粉体の含有量（質量％）は、比透磁率を向上させ及び損失係数を低減させる観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは６０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上、さらに好ましくは７５質量％以上である。また、好ましくは９８質量％以下、より好ましくは９５質量％以下、さらに好ましくは９０質量％以下である。
なお、本発明において、樹脂組成物中の各成分の含有量は、別途明示のない限り、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたときの値である。一般に、樹脂組成物中の（Ａ）磁性粉体の含有量が高くなるほど、本発明の課題である、デスミア耐性の低下、磁性層と導体層との密着性の低下、及びリフロー処理後の導体層の膨れの発生が顕著になるが、本発明の樹脂組成物においては、上記のように（Ａ）磁性粉体の含有量が多くても、デスミア耐性及び磁性層と導体層との間の密着性が向上し、さらにはリフロー処理後の導体層の膨れが抑制された硬化物を得ることが可能である。

＜（Ｂ−１）固形樹脂、及び（Ｂ−２）液状樹脂＞
樹脂組成物は、（Ｂ−１）成分として（Ｂ−１）固形樹脂、及び（Ｂ−２）成分として（Ｂ−２）液状樹脂を含有する。（Ｂ−１）固形樹脂及び（Ｂ−２）液状樹脂を所定の含有比率となるように併用することで、デスミア耐性及び密着性が向上し、リフロー処理後の導体層に膨れが抑制されることが可能となる。さらには保存安定性に優れるようになる。

（Ｂ−１）固形樹脂とは、温度２０℃で固形状の樹脂をいい、（Ｂ−２）液状樹脂とは、温度２０℃で液状の樹脂をいう。（Ｂ−１）成分及び（Ｂ−２）成分は、それぞれ１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。

樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ｂ−１）成分の含有量をｂ１とし、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ｂ−２）成分の含有量をｂ２としたとき、ｂ１／ｂ２が０．１５以上であり、好ましくは０．１７以上、より好ましくは０．２以上、さらに好ましくは０．２３以上である。上限は０．４５以下であり、好ましくは０．４以下、より好ましくは０．３５以下、さらに好ましくは０．３以下である。ｂ１／ｂ２を斯かる範囲内にすることにより、リフロー処理後の導体層に膨れが抑制され、さらには保存安定性に優れるようになる。

（Ｂ）樹脂としては、通常熱可塑性樹脂を用い、熱可塑性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール系樹脂、ナフタレン系樹脂、ベンゾオキサジン系樹脂、活性エステル系樹脂、シアネートエステル系樹脂、カルボジイミド系樹脂、アミン系樹脂、酸無水物系樹脂等が挙げられる。これら例示した樹脂を含めて、温度２０℃で固形状の樹脂は（Ｂ−１）固形樹脂として、温度２０℃で液状の樹脂は（Ｂ−２）液状樹脂として区別される。（Ｂ−１）成分としては、配線板の絶縁層を形成する際に使用される固形熱硬化性樹脂を用いることが好ましく、中でも固形エポキシ樹脂、固形フェノール系樹脂が好ましく、固形エポキシ樹脂がより好ましい。また、（Ｂ−２）成分としては、配線板の絶縁層を形成する際に使用される液状熱硬化性樹脂を用いることが好ましく、中でも液状エポキシ樹脂が好ましい。以下、各樹脂について説明する。

ここで、フェノール系樹脂、ナフタレン系樹脂、ベンゾオキサジン系樹脂、活性エステル系樹脂、シアネートエステル系樹脂、カルボジイミド系樹脂、アミン系樹脂、及び酸無水物系樹脂のように、エポキシ樹脂と反応して樹脂組成物を硬化させられる成分をまとめて「硬化剤」ということがある。

エポキシ樹脂は、例えば、グリシロール型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；トリスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂；ｔｅｒｔ−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂；ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂等の縮合環構造を有するエポキシ樹脂；グリシジルアミン型エポキシ樹脂；グリシジルエステル型エポキシ樹脂；クレゾールノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；線状脂肪族エポキシ樹脂；ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂；脂環式エポキシ樹脂；複素環式エポキシ樹脂；スピロ環含有エポキシ樹脂；シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂；トリメチロール型エポキシ樹脂；テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂；グリシジルエーテル型脂肪族エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。（Ｂ−１）成分としての固形エポキシ樹脂は、ビフェニル型エポキシ樹脂であることが好ましい。また、（Ｂ−２）成分としての液状エポキシ樹脂は、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂から選ばれる１種以上であることが好ましい。

（Ｂ−１）成分としての固形エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する固形エポキシ樹脂を含むことが好ましい。また、固形エポキシ樹脂は、芳香族構造を有することが好ましく、２種以上の固形エポキシ樹脂を用いる場合は少なくとも１種が芳香族構造を有することがより好ましい。芳香族構造とは、一般に芳香族と定義される化学構造であり、多環芳香族及び芳香族複素環をも含む。固形エポキシ樹脂の不揮発成分１００質量％に対して、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂の割合は、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、特に好ましくは７０質量％以上である。

（Ｂ−１）成分としての固形エポキシ樹脂としては、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましく、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、及びビフェニル型エポキシ樹脂がより好ましく、及びビフェニル型エポキシ樹脂がさらに好ましい。固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−４７００」、「ＨＰ−４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−７２００」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−７２００ＨＨ」、「ＨＰ−７２００Ｈ」、「ＥＸＡ−７３１１」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ３」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ４」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＥＰＰＮ−５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）、「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）；日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）、「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）；大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ−１００」、「ＣＧ−５００」、三菱ケミカル社製の「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）、「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

（Ｂ−２）成分としての液状エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂を含むことが好ましい。また、液状エポキシ樹脂は、芳香族構造を有することが好ましく、２種以上の液状エポキシ樹脂を用いる場合は少なくとも１種が芳香族構造を有することがより好ましい。液状エポキシ樹脂の不揮発成分１００質量％に対して、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂の割合は、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、特に好ましくは７０質量％以上である。

（Ｂ−２）成分としての液状エポキシ樹脂としては、グリシロール型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、グリシロール型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂がより好ましい。液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０７」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＪＥＲ−６３０」、「ＪＥＲ−６３０ＬＳＤ」、ＡＤＥＫＡ社製の「ＥＤ−５２３Ｔ」（グリシロール型エポキシ樹脂（アデカグリシロール））、「ＥＰ−３９８０Ｓ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）、「ＥＰ−４０８８Ｓ」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）；ナガセケムテックス社製の「ＥＸ−７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）；ダイセル社製の「セロキサイド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）、「ＰＢ−３６００」（ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂）；新日鉄化学社製の「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４−グリシジルシクロヘキサン）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０ｇ／ｅｑ．〜５０００ｇ／ｅｑ．、より好ましくは５０ｇ／ｅｑ．〜３０００ｇ／ｅｑ．、さらに好ましくは８０ｇ／ｅｑ．〜２０００ｇ／ｅｑ．、さらにより好ましくは１１０ｇ／ｅｑ．〜１０００ｇ／ｅｑ．である。この範囲となることで、硬化物の架橋密度が十分となり表面粗さの小さい磁性層をもたらすことができる。なお、エポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６に従って測定することができ、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。

エポキシ樹脂の重量平均分子量は、好ましくは１００〜５０００、より好ましくは２５０〜３０００、さらに好ましくは４００〜１５００である。ここで、エポキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。

フェノール系樹脂及びナフタレン系樹脂としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するものが好ましい。また、導体層との密着性の観点から、含窒素フェノール系樹脂、ナフトール系樹脂、ナフトールアラルキル型、トリアジン骨格含有固形フェノール系樹脂が好ましく、ナフトールアラルキル型がより好ましい。

フェノール系樹脂及びナフタレン系樹脂の具体例としては、例えば、明和化成社製の「ＭＥＨ−７７００」、「ＭＥＨ−７８１０」、「ＭＥＨ−７８５１」、日本化薬社製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５」、「ＳＮ３７５」、「ＳＮ３９５」、ＤＩＣ社製の「ＬＡ−７０５２」、「ＬＡ−７０５４」、「ＬＡ−１３５６」、「ＬＡ−３０１８」、「ＥＸＢ−６０００」等が挙げられる。

活性エステル系樹脂としては、１分子中に１個以上の活性エステル基を有する樹脂を用いることができる。中でも、活性エステル系樹脂としては、フェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の、反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する樹脂が好ましい。当該活性エステル系樹脂は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に、耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系樹脂が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系樹脂がより好ましい。

カルボン酸化合物としては、例えば、安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。

フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。

活性エステル系樹脂の好ましい具体例としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系樹脂、ナフタレン構造を含む活性エステル系樹脂、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル系樹脂、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル系樹脂が挙げられる。中でも、ナフタレン構造を含む活性エステル系樹脂、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系樹脂がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン−ジシクロペンチレン−フェニレンからなる２価の構造単位を表す。

活性エステル系樹脂の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系樹脂として、「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、「ＨＰＣ−８０００Ｈ−６５ＴＭ」、「ＥＸＢ−８０００Ｌ−６５ＴＭ」（ＤＩＣ社製）；ナフタレン構造を含む活性エステル系樹脂として「ＥＸＢ９４１６−７０ＢＫ」、「ＥＸＢ−８１５０−６５Ｔ」（ＤＩＣ社製）；フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル系樹脂として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル系樹脂として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系樹脂として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系樹脂として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０３０」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０４８」（三菱ケミカル社製）；等が挙げられる。

フェノール系樹脂及びナフトール系樹脂としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するものが好ましい。また、導体層との密着性の観点から、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系樹脂がより好ましい。

フェノール系樹脂及びナフトール系樹脂の具体例としては、例えば、明和化成社製の「ＭＥＨ−７７００」、「ＭＥＨ−７８１０」、「ＭＥＨ−７８５１」、日本化薬社製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、新日鉄住金化学社製の「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５」、「ＳＮ−４９５Ｖ」、「ＳＮ３７５」、「ＳＮ３９５」、ＤＩＣ社製の「ＴＤ−２０９０」、「ＬＡ−７０５２」、「ＬＡ−７０５４」、「ＬＡ−１３５６」、「ＬＡ−３０１８−５０Ｐ」、「ＥＸＢ−９５００」等が挙げられる。

ベンゾオキサジン系樹脂の具体例としては、ＪＦＥケミカル社製の「ＪＢＺ−ＯＤ１００」（ベンゾオキサジン環当量２１８）、「ＪＢＺ−ＯＰ１００Ｄ」（ベンゾオキサジン環当量２１８）、「ＯＤＡ−ＢＯＺ」（ベンゾオキサジン環当量２１８）；四国化成工業社製の「Ｐ−ｄ」（ベンゾオキサジン環当量２１７）、「Ｆ−ａ」（ベンゾオキサジン環当量２１７）；昭和高分子社製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」（ベンゾオキサジン環当量４３２）等が挙げられる。

シアネートエステル系樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４−シアネートフェニル）エーテル、等の２官能シアネート樹脂；フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂；これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマー；などが挙げられる。シアネートエステル系樹脂の具体例としては、ロンザジャパン社製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（フェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＵＬＬ−９５０Ｓ」（多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等が挙げられる。

カルボジイミド系樹脂の具体例としては、日清紡ケミカル社製のカルボジライト（登録商標）Ｖ−０３（カルボジイミド基当量：２１６、Ｖ−０５（カルボジイミド基当量：２６２）、Ｖ−０７（カルボジイミド基当量：２００）；Ｖ−０９（カルボジイミド基当量：２００）；ラインケミー社製のスタバクゾール（登録商標）Ｐ（カルボジイミド基当量：３０２）が挙げられる。

アミン系樹脂としては、１分子内中に１個以上のアミノ基を有する樹脂が挙げられ、例えば、脂肪族アミン類、ポリエーテルアミン類、脂環式アミン類、芳香族アミン類等が挙げられ、中でも、本発明の所望の効果を奏する観点から、芳香族アミン類が好ましい。アミン系樹脂は、第１級アミン又は第２級アミンが好ましく、第１級アミンがより好ましい。アミン系硬化剤の具体例としては、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルアニリン）、ジフェニルジアミノスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、ｍ−フェニレンジアミン、ｍ−キシリレンジアミン、ジエチルトルエンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジヒドロキシベンジジン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、３，３−ジメチル−５，５−ジエチル−４，４−ジフェニルメタンジアミン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、等が挙げられる。アミン系樹脂は市販品を用いてもよく、例えば、日本化薬社製の「ＫＡＹＡＢＯＮＤ Ｃ−２００Ｓ」、「ＫＡＹＡＢＯＮＤ Ｃ−１００」、「カヤハードＡ−Ａ」、「カヤハードＡ−Ｂ」、「カヤハードＡ−Ｓ」、三菱ケミカル社製の「エピキュアＷ」等が挙げられる。

酸無水物系樹脂としては、１分子内中に１個以上の酸無水物基を有する樹脂が挙げられる。酸無水物系樹脂の具体例としては、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、水素化メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロ−３−フラニル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンソフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物、３，３’−４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１，３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘキサヒドロ−５−（テトラヒドロ−２，５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１，２−Ｃ］フラン−１，３−ジオン、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、スチレンとマレイン酸とが共重合したスチレン・マレイン酸樹脂などのポリマー型の酸無水物などが挙げられる。

（Ｂ）成分としてエポキシ樹脂及び硬化剤を含有する場合、エポキシ樹脂とすべての硬化剤との量比は、［エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数］：［硬化剤の反応基の合計数］の比率で、１：０．０１〜１：５の範囲が好ましく、１：０．５〜１：３がより好ましく、１：１〜１：２がさらに好ましい。ここで、「エポキシ樹脂のエポキシ基数」とは、樹脂組成物中に存在する固形エポキシ樹脂及び液状エポキシ樹脂の不揮発成分の質量をエポキシ当量で除した値を全て合計した値である。また、「硬化剤の活性基数」とは、樹脂組成物中に存在する硬化剤の不揮発成分の質量を活性基当量で除した値を全て合計した値である。

（Ｂ−１）固形樹脂の含有量は、本発明の効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．５質量％以上、より好ましくは１質量％以上、さらに好ましくは１．５質量％以上である。上限は、本発明の効果が奏される限りにおいて特に限定されないが、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは８質量％以下、さらに好ましくは５質量％以下である。

（Ｂ−２）液状樹脂の含有量は、本発明の効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは１質量％以上、より好ましくは５質量％以上、さらに好ましくは１０質量％以上である。上限は、本発明の効果が奏される限りにおいて特に限定されないが、好ましくは２５質量％以下、より好ましくは２０質量％以下、さらに好ましくは１５質量％以下である。

（Ｂ）樹脂の含有量は、本発明の効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは１質量％以上、より好ましくは５質量％以上、さらに好ましくは１０質量％以上である。上限は、本発明の効果が奏される限りにおいて特に限定されないが、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２５質量％以下、さらに好ましくは２０質量％以下である。

＜（Ｃ）融点が１２０℃以上２４５℃以下の硬化促進剤＞
樹脂組成物は、（Ｃ）成分として融点が１２０℃以上２４５℃以下の硬化促進剤を含む。一般に、硬化促進剤は（Ｂ）樹脂とは反応しないが、（Ｂ）樹脂の硬化を促進させる。（Ｃ）融点が１２０℃以上２４５℃以下の硬化促進剤を樹脂組成物に含有させることで、（Ｂ）樹脂の硬化を効果的に進行させるとともに、デスミア耐性及び保存安定性に優れ、リフロー後の膨れの発生を抑制することが可能となる。

（Ｃ）成分の融点としては、保存安定性を向上させる観点から、１２０℃以上であり、好ましくは１４０℃以上、より好ましくは１６０℃以上であり、さらに好ましくは１８０℃以上である。上限は、デスミア耐性及び密着性を向上させ、リフロー後の膨れの発生を抑制する観点から、２４５℃以下であり、好ましくは２２０℃以下、より好ましくは２１０℃、さらに好ましくは２００℃以下である。本明細書における融点は、示差走査熱量計を用い、室温（２５℃）から５００℃まで２０℃／ｍｉｎにて昇温を行い測定した値である。

（Ｃ）成分は、融点が１２０℃以上２４５℃以下の硬化促進剤を用いることができる。このような硬化促進剤としては、環状構造を有することが好ましい。環状構造としては、脂環式構造を含む環状基、芳香環構造を含む環状基が挙げられる。中でも、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、芳香環構造を含む環状基であることが好ましい。

環状構造は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは３員環以上、より好ましくは４員環以上、さらに好ましくは５員環以上であり、好ましくは２０員環以下、より好ましくは１５員環以下、さらに好ましくは１０員環以下である。また、環状構造しては、単環構造であってもよく、多環構造であってもよい。

環状構造における環は、炭素原子以外にヘテロ原子により環の骨格が構成されていてもよい。ヘテロ原子としては、例えば、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられ、窒素原子が好ましい。ヘテロ原子は環状構造を構成する環に１つ有していてもよく、２つ以上を有していてもよい。

脂環式構造としては、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環等が挙げられる。

芳香環構造を構成する芳香環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、トリアジン環等の芳香族複素環等が挙げられ、ベンゼン環、ピリジン環、イミダゾール環、トリアジン環が好ましく、トリアジン環がより好ましい。トリアジン環としては、１，３，５−トリアジン環、１，２，３−トリアジン環、１，２，４−トリアジン環、１，３，５−トリアジン環等が挙げられ、１，３，５−トリアジン環が好ましい。

環状構造における環は、置換基を有していてもよい。このような置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールアルキル基、シリル基、アシル基、アシルオキシ基、カルボキシ基、スルホ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、オキソ基等が挙げられる。

（Ｃ）成分は、市販品を用いることができ、２種以上を併用してもよい。用いられ得る市販の（Ｃ）成分の具体例としては、四国化成社製の「Ｃ１１Ｚ−Ａ」（融点１８７〜１９５℃）、「２Ｅ４ＭＺ−Ａ」（融点２１５〜２２５℃）、「Ｃ１１Ｚ−ＣＮＳ」（融点１２３〜１２９℃）、「２ＰＺＣＮＳ−ＰＷ」（融点１７５〜１８３℃）、「ＶＴ」（融点２３９〜２４１℃）、「ＭＡＶＴ」（融点１７０℃以上）等が挙げられる。（Ｃ）成分は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

（Ｃ）成分の含有量は、デスミア耐性及び保存安定性を向上させ、リフロー後の膨れの発生を抑制する観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上、さらに好ましくは１質量％以上であり、上限は、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは５質量％以下、さらに好ましくは３質量％以下である。

樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ｃ）成分の含有量をｃ１としたとき、ｂ１／ｃ１としては、本発明の効果を顕著に得る観点から、好ましくは０．１以上、より好ましくは０．３以上、さらに好ましくは０．５以上であり、好ましくは５以下、より好ましくは４以下、さらに好ましくは３以下である。

ｂ２／ｃ１としては、本発明の効果を顕著に得る観点から、好ましくは１以上、より好ましくは３以上、さらに好ましくは５以上であり、好ましくは２０以下、より好ましくは１５以下、さらに好ましくは１０以下である。

樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ｂ）成分の含有量をｂ３としたとき、ｂ３／ｃ１としては、本発明の効果を顕著に得る観点から、好ましくは１以上、より好ましくは３以上、さらに好ましくは５以上であり、好ましくは２０以下、より好ましくは１５以下、さらに好ましくは１０以下である。

＜（Ｄ）その他の添加剤＞
樹脂組成物は、さらに必要に応じて、（Ｄ）その他の添加剤を含んでいてもよく、斯かる他の添加剤としては、例えば、熱可塑性樹脂、保存安定性向上のためのホウ酸トリエチル等の硬化遅延剤、分散剤、無機充填材（但し、磁性粉体に該当するものは除く）、硬化促進剤（但し（Ｃ）成分に該当するものは除く）、難燃剤、有機充填材、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、及び着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。

上述した樹脂組成物中に含まれる溶剤の含有量は、樹脂組成物の全質量に対して、好ましくは１．０質量％未満、より好ましくは０．８質量％以下、さらに好ましくは０．５質量％以下、特に好ましくは０．１質量％以下である。下限は、特に制限はないが０．００１質量％以上、又は含有しないことである。有機溶剤の含有量を斯かる範囲内とすることによりボイドの発生を抑制することができ、また取扱い性、作業性にも優れたものとすることができる。

＜樹脂組成物の製造方法＞
樹脂組成物は、例えば、配合成分を、３本ロール、回転ミキサーなどの撹拌装置を用いて撹拌する方法によって製造できる。

＜樹脂組成物の物性等＞
樹脂組成物は、（Ｂ−１）成分及び（Ｂ−２）成分が所定の比率となるように含有し、さらに（Ｃ）成分を組み合わせて含有するので、通常は保存安定性に優れるという特性を示す。樹脂組成物の作製直後の２５±２℃における粘度Ａを、Ｅ型粘度計を用いて測定する。次に樹脂組成物を３日間静置した後の２５±２℃における粘度Ｂを、Ｅ型粘度計を用いて測定し、粘度Ａ／粘度Ｂを求める。粘度Ａ／粘度Ｂは、好ましくは１．０以上であり、好ましくは１．５以下である。保存安定性の評価は、後述する実施例に記載の方法に従って測定することができる。

本発明の樹脂組成物の硬化物は、粗面変化率が低いという特性を示す。即ち、デスミア耐性及び導体層との間の密着性に優れる磁性層をもたらす。粗面変化率は、好ましくは１．７以下、より好ましくは１．６以下、さらに好ましくは１．５以下である。下限は特に限定されないが、１．０以上等とし得る。粗面変化率は、後述する実施例に記載の方法に従って測定することができる。

本発明の樹脂組成物の硬化物は、リフロー後の膨れが抑制されるという特性を示す。即ち、リフロー耐性に優れる磁性層をもたらす。リフロー後の膨れの有無の評価は、後述する実施例に記載の方法に従って測定することができる。

樹脂組成物は、粘度が低いという特性を示す。よって、樹脂組成物は、ペースト状（ペースト状の樹脂組成物）であるという特性をもたらし、スルーホール充填用の樹脂組成物として好適に使用することができる。

［磁性シート］
磁性シートは、支持体と、該支持体上に設けられた、本発明の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層とを含む。

樹脂組成物層の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは２５０μｍ以下、より好ましくは２００μｍ以下である。樹脂組成物層の厚さの下限は、特に限定されないが、通常、５μｍ以上、１０μｍ以上等とし得る。

支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。

支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル、ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミド等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。

支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との合金からなる箔を用いてもよい。

支持体は、樹脂組成物層と接合する面にマット処理、コロナ処理を施してあってもよい。

また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持体は、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムである、リンテック社製の「ＰＥＴ５０１０１０」、「ＳＫ−１」、「ＡＬ−５」、「ＡＬ−７」；東レ社製の「ルミラーＴ６０」；帝人社製の「ピューレックス」；ユニチカ社製の「ユニピール」等が挙げられる。

支持体の厚みとしては、特に限定されないが、５μｍ〜７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ〜６０μｍの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。

磁性シートにおいて、樹脂組成物層の支持体と接合していない面（即ち、支持体とは反対側の面）には、支持体に準じた保護フィルムをさらに積層することができる。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、１μｍ〜４０μｍである。保護フィルムを積層することにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを抑制することができる。磁性シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。磁性シートが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。

磁性シートは、例えば、樹脂組成物を、ダイコーター等を用いて支持体上に塗布し、樹脂組成物層を形成させることにより製造することができる。必要に応じて有機溶剤に溶解した樹脂ワニスを調整し、この樹脂ワニスを支持体上に塗布してもよい。有機溶剤を用いる場合、必要に応じて塗布後に乾燥を行ってもよい。

乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の方法により実施してよい。乾燥条件は特に限定されないが、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように乾燥させる。樹脂組成物中に含まれる成分によっても異なるが、５０℃〜１５０℃で３分間〜１０分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。

磁性シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。磁性シートが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。

［回路基板及びその製造方法］
第１実施形態の回路基板は、スルーホールを有する基板と、前記スルーホールに充填した、本発明の樹脂組成物の硬化物とを含む。また、第２実施形態の回路基板は、磁性シートの樹脂組成物層の硬化物により形成された磁性層を含む。以下、回路基板の製造方法の第１実施形態及び第２実施形態について説明する。但し、本発明に係る回路基板の製造方法は、以下に例示する第１及び第２実施形態に限定されない。

＜第１実施形態＞
第１実施形態の回路基板は、例えば、下記の工程（１）〜（５）を含む製造方法によって製造する。第１実施形態では、樹脂組成物を用いて磁性層を形成することが好ましく、ペースト状の樹脂組成物を用いて磁性層を形成することがより好ましい。
（１）スルーホールを有する基板のスルーホールに樹脂組成物を充填する工程、
（２）該樹脂組成物を熱硬化させ、硬化物を得る工程、
（３）硬化物又は樹脂組成物の表面を研磨する工程
（４）硬化物を粗化処理する工程、及び
（５）硬化物を粗化処理した面に導体層を形成する工程、を含む。
本発明の回路基板の製造方法は、工程（１）〜（５）の順で行ってもよく、工程（３）の後に工程（２）を行ってもよい。

＜工程（１）＞
工程（１）を行うにあたって、樹脂組成物を準備する工程を含んでいてもよい。樹脂組成物は、上記において説明したとおりである。

また、工程（１）を行うにあたって、図１に一例を示すように、支持基板１１、並びに該支持基板１１の両表面に設けられた銅箔等の金属からなる第１金属層１２、及び第２金属層１３を備えるコア基板１０を準備する工程を含んでいてもよい。支持基板１１の材料の例としては、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の絶縁性基材が挙げられる。第１及び第２金属層の材料の例としては、キャリア付銅箔、後述する導体層の材料等が挙げられる。

また、図２に一例を示すように、コア基板１０にスルーホール１４を形成する工程を含んでいてもよい。スルーホール１４は、例えば、ドリル、レーザー照射、プラズマ照射等により形成することができる。具体的には、ドリル等を用いてコア基板１０に貫通穴を形成することにより、スルーホール１４を形成することができる。

スルーホール１４の形成は、市販されているドリル装置を用いて実施することができる。市販されているドリル装置としては、例えば、日立ビアメカニクス社製「ＮＤ−１Ｓ２１１」等が挙げられる。

コア基板１０にスルーホール１４を形成した後、図３に一例を示すように、コア基板１０の粗化処理を行い、スルーホール１４内、第１金属層１２の表面上、及び第２金属層１３の表面上にめっき層２０を形成する工程を含んでいてもよい。

前記の粗化処理としては、乾式及び湿式のいずれの粗化処理を行ってもよい。乾式の粗化処理の例としては、プラズマ処理等が挙げられる。また、湿式の粗化処理の例としては、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、及び、中和液による中和処理をこの順に行う方法が挙げられる。

めっき層２０は、めっき法により形成され、めっき法によりめっき層２０が形成される手順は、後述する工程（５）における導体層の形成と同様である。

コア基板１０を用意した後で、図４に一例を示すように、樹脂組成物３０ａをスルーホール１４へ充填する。充填は、例えば印刷法で行い得る。印刷法としては、例えば、スキージを介してスルーホール１４へ樹脂組成物３０ａを印刷する方法、カートリッジを介して樹脂組成物３０ａを印刷する方法、マスク印刷して樹脂組成物３０ａを印刷する方法、ロールコート法、インクジェット法等が挙げられる。

＜工程（２）＞
工程（２）では、スルーホール１４内に樹脂組成物３０ａを充填後、樹脂組成物３０ａを熱硬化して、図５に一例を示すように、スルーホール１４内に硬化物層（磁性層）３０を形成する。樹脂組成物３０ａの熱硬化条件は、樹脂組成物３０ａの組成や種類によっても異なるが、硬化温度は好ましくは１２０℃以上、より好ましくは１３０℃以上、さらに好ましくは１５０℃以上であり、好ましくは２４５℃以下、より好ましくは２２０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。樹脂組成物３０ａの硬化時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは１５分以上であり、好ましくは１２０分以下、より好ましくは１００分以下、さらに好ましくは９０分以下である。

工程（２）における磁性層３０の硬化度としては、好ましくは８０％以上、より好ましくは８５％以上、さらに好ましくは９０％以上である。硬化度は、例えば示差走査熱量測定装置を用いて測定することができる。

樹脂組成物３０ａを熱硬化させる前に、樹脂組成物３０ａに対して、硬化温度よりも低い温度で加熱する予備加熱処理を施してもよい。例えば、樹脂組成物３０ａを熱硬化させるのに先立ち、通常５０℃以上１２０℃未満（好ましくは６０℃以上１１０℃以下、より好ましくは７０℃以上１００℃以下）の温度にて、樹脂組成物３０ａを、通常５分間以上（好ましくは５分間〜１５０分間、より好ましくは１５分間〜１２０分間）、予備加熱してもよい。

工程（２）の後に工程（３）を行う場合、工程（２）後工程（３）前に、磁性層の硬化度をさらに高める等の目的で、必要により熱処理を施してもよい。前記熱処理における温度は上記した硬化温度に準じて行えばよく、好ましくは１２０℃以上、より好ましくは１３０℃以上、さらに好ましくは１５０℃以上であり、好ましくは２４５℃以下、より好ましくは２２０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。熱処理時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは１５分以上であり、好ましくは９０分以下、より好ましくは７０分以下、さらに好ましくは６０分以下である。

また、工程（２）の前に工程（３）を行う場合、工程（３）の前に、樹脂組成物の硬化温度よりも低い温度で加熱する予備加熱処理を施してもよい。前記予備加熱処理における温度は、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１１０℃以上、さらに好ましくは１２０℃以上であり、好ましくは２４５℃以下、より好ましくは２２０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。熱処理時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは１５分以上であり、好ましくは９０分以下、より好ましくは７０分以下、さらに好ましくは６０分以下である。

＜工程（３）＞
工程（３）では、図６に一例を示すように、コア基板１０から突出又は付着している余剰の磁性層３０を研磨することにより除去し、平坦化する。研磨方法としては、コア基板１０から突出又は付着している余剰の磁性層３０を研磨することができる方法を用いることができる。このような研磨方法としては、例えば、バフ研磨、ベルト研磨等が挙げられる。市販されているバフ研磨装置としては石井表記社製「ＮＴ−７００ＩＭ」等が挙げられる。

磁性層の研磨面（磁性層の熱硬化後）の算術平均粗さ（Ｒａ）としては、めっきとの間の密着性を向上させる観点から、好ましくは３００ｎｍ以上、より好ましくは３５０ｎｍ以上、さらに好ましくは４００ｎｍ以上である。上限は、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは９００ｎｍ以下、さらに好ましくは８００ｎｍ以下である。表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。

工程（２）の後に工程（３）を行う場合、工程（２）後工程（３）前に、磁性層の硬化度をさらに高める等の目的で、必要により熱処理を施してもよい。前記熱処理における温度は上記した硬化温度に準じて行えばよく、好ましくは１２０℃以上、より好ましくは１３０℃以上、さらに好ましくは１５０℃以上であり、好ましくは２４５℃以下、より好ましくは２２０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。熱処理時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは１５分以上であり、好ましくは９０分以下、より好ましくは７０分以下、さらに好ましくは６０分以下である。

また、工程（２）の前に工程（３）を行う場合、工程（３）の前に、樹脂組成物の硬化温度よりも低い温度で加熱する予備加熱処理を施してもよい。前記予備加熱処理における温度は、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１１０℃以上、さらに好ましくは１２０℃以上であり、好ましくは２４５℃以下、より好ましくは２２０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。熱処理時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは１５分以上であり、好ましくは９０分以下、より好ましくは７０分以下、さらに好ましくは６０分以下である。

＜工程（４）＞
工程（４）では、工程（３）にて研磨した面を粗化処理（デスミア処理）する。粗化工程の手順、条件は特に限定されず、多層プリント配線板の製造方法に際して通常使用される公知の手順、条件を採用することができる。粗化工程として、例えば、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、中和液による中和処理をこの順に実施することにより第１磁性層３２を粗化処理することができる。

粗化工程に用いられ得る膨潤液としては特に限定されないが、アルカリ溶液、界面活性剤溶液等が挙げられ、好ましくはアルカリ溶液である。膨潤液であるアルカリ溶液としては、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液がより好ましい。市販されている膨潤液としては、例えば、アトテックジャパン社製「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＰ」、「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＳＢＵ」等が挙げられる。

膨潤液による膨潤処理は、特に限定されないが、例えば、３０℃〜９０℃の膨潤液に第１磁性層３２が設けられたコア基材２０を１分間〜２０分間浸漬することにより行うことができる。第１磁性層３２を構成する樹脂の膨潤を適度なレベルに抑える観点から、４０℃〜８０℃の膨潤液に第１磁性層３２を５分間〜１５分間浸漬させることが好ましい。

酸化剤による粗化処理に用いられ得る酸化剤としては、特に限定されないが、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウムを溶解したアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。アルカリ性過マンガン酸溶液等の酸化剤による粗化処理は、６０℃〜８０℃に加熱した酸化剤の溶液に第１磁性層３２を１０分間〜３０分間浸漬させることにより行うことが好ましい。また、アルカリ性過マンガン酸溶液における過マンガン酸塩の濃度は５質量％〜１０質量％とすることが好ましい。市販されている酸化剤としては、例えば、アトテックジャパン社製「コンセントレート・コンパクトＰ」、「ドージングソリューション・セキュリガンスＰ」等のアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。

中和処理に用いられ得る中和液としては、酸性の水溶液が好ましく、市販品としては、例えば、アトテックジャパン社製「リダクションソリューション・セキュリガンスＰ」が挙げられる。中和液による中和処理は、酸化剤溶液による粗化処理がなされた処理面を３０℃〜８０℃の中和液に５分間〜３０分間浸漬させることにより行うことができる。作業性等の点から、酸化剤溶液による粗化処理がなされた第１磁性層３２を、４０℃〜７０℃の中和液に５分間〜２０分間浸漬する方法が好ましい。

磁性層の粗化処理後の算術平均粗さ（Ｒａ）としては、めっきとの間の密着性を向上させる観点から、好ましくは３００ｎｍ以上、より好ましくは３５０ｎｍ以上、さらに好ましくは４００ｎｍ以上である。上限は、好ましくは１５００ｎｍ以下、より好ましくは１２００ｎｍ以下、さらに好ましくは１０００ｎｍ以下である。表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。

＜工程（５）＞
工程（５）では、図７に一例を示すように、磁性層３０の研磨面、及びコア基板上に導体層４０を形成する。さらに、導体層４０を形成後、図８に一例を示すように、エッチング等の処理により導体層４０、第１金属層１２、第２金属層１３、及びめっき層２０の一部を除去してパターン導体層４１を形成してもよい。図７では、導体層４０はコア基板１０の両面に形成されているが、導体層４０は、コア基板１０の一方の面のみに形成してもよい。

導体層の形成方法は、例えば、めっき法、スパッタ法、蒸着法などが挙げられ、中でもめっき法が好ましい。好適な実施形態では、セミアディティブ法、フルアディティブ法等の適切な方法によって硬化物の表面にめっきして、所望の配線パターンを有するパターン導体層を形成する。導体層の材料としては、例えば、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ、インジウム等の単金属；金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムの群から選択される２種以上の金属の合金が挙げられる。中でも、汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅、又はニッケルクロム合金、銅ニッケル合金、銅チタン合金を用いることが好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅、又はニッケルクロム合金を用いることがより好ましく、銅を用いることがさらに好ましい。

ここで、硬化物を研磨した面上にパターン導体層を形成する実施形態の例を、詳細に説明する。硬化物を研磨した面に、無電解めっきにより、めっきシード層を形成する。次いで、形成されためっきシード層上に、電解めっきにより電解めっき層を形成し、必要に応じて、不要なめっきシード層をエッチング等の処理により除去して、所望の配線パターンを有する導体層を形成できる。導体層形成後、導体層のピール強度を向上させる等の目的で、必要によりアニール処理を行ってもよい。アニール処理は、例えば、回路基板を１５０〜２００℃で２０〜９０分間加熱することにより行うことができる。

パターン導体層の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは７０μｍ以下であり、より好ましくは６０μｍ以下であり、さらに好ましくは５０μｍ以下、さらにより好ましくは４０μｍ以下、特に好ましくは３０μｍ以下、２０μｍ以下、１５μｍ以下又は１０μｍ以下である。下限は好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上である。

＜第２実施形態＞
第２実施形態の回路基板は、樹脂組成物の硬化物により形成された磁性層を含む。第２実施形態では、磁性シートを用いて磁性層を形成することが好ましい。以下、製品基板の製造方法の第２実施形態について説明する。第１実施形態と説明が重複する箇所は適宜説明を省略する。

第２実施形態の回路基板は、例えば、下記の工程（Ａ）〜（Ｄ）を含む製造方法によって製造する。
（Ａ）磁性シートを、樹脂組成物層が内層基板と接合するように内層基板に積層し、磁性層を形成する工程、
（Ｂ）磁性層に穴あけ加工を行う工程、
（Ｃ）磁性層の表面を粗化処理する工程、及び
（Ｄ）磁性層の研磨した面に導体層を形成する工程、を含む。

以下、回路基板を製造するにあたっての上記の工程（Ａ）〜（Ｄ）について詳細に説明する。

＜工程（Ａ）＞
工程（Ａ）は、磁性シートを、樹脂組成物層が内層基板と接合するように内層基板に積層し、磁性層を形成する工程である。工程（Ａ）の一実施形態として、磁性シートを、樹脂組成物層が内層基板と接合するように内層基板に積層し、樹脂組成物層を熱硬化して磁性層を形成する。

工程（Ａ）において、図９に一例を示すように、支持体３３０と、該支持体３３０上に設けられた樹脂組成物層３２０ａとを含む磁性シート３１０を、樹脂組成物層３２０ａが内層基板２００と接合するように、内層基板２００に積層させる。

内層基板２００は、絶縁性の基板である。内層基板２００の材料としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の絶縁性基材が挙げられる。内層基板２００は、その厚さ内に配線等が作り込まれた内層回路基板であってもよい。

図９に一例を示すように、内層基板２００は、第１主表面２００ａ上に設けられる第１導体層４２０と、第２主表面２００ｂ上に設けられる外部端子２４０とを有している。第１導体層４２０は、複数の配線を含んでいてもよい。図示例ではインダクタ素子のコイル状導電性構造体４００を構成する配線のみが示されている。外部端子２４０は図示されていない外部の装置等と電気的に接続するための端子である。外部端子２４０は、第２主表面２００ｂに設けられる導体層の一部として構成することができる。

第１導体層４２０、及び外部端子２４０を構成し得る導体材料としては、第１実施形態の「＜工程（５）＞」欄において説明した導体層の材料と同様である。

第１導体層４２０、及び外部端子２４０は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよい。また、第１導体層４２０、外部端子２４０の厚さは、後述する第２導体層４４０と同様である。

第１導体層４２０及び外部端子２４０のライン（Ｌ）／スペース（Ｓ）比は特に制限されないが、表面の凹凸を減少させて平滑性に優れる磁性層を得る観点から、通常、９００／９００μｍ以下、好ましくは７００／７００μｍ以下、より好ましくは５００／５００μｍ以下、さらに好ましくは３００／３００μｍ以下、さらにより好ましくは２００／２００μｍ以下である。ライン／スペース比の下限は特に制限されないが、スペースへの樹脂組成物層の埋め込みを良好にする観点から、好ましくは１／１μｍ以上である。

内層基板２００は第１主表面２００ａから第２主表面２００ｂに至るように内層基板２００を貫通する複数のスルーホール２２０を有していてもよい。スルーホール２２０にはスルーホール内配線２２０ａが設けられている。スルーホール内配線２２０ａは、第１導体層４２０と外部端子２４０とを電気的に接続している。

樹脂組成物層３２０ａと内層基板２００との接合は、例えば、支持体３３０側から、磁性シート３１０を内層基板２００に加熱圧着することにより行うことができる。磁性シート３１０を内層基板２００に加熱圧着する部材（以下、「加熱圧着部材」ともいう。）としては、例えば、加熱された金属板（ステンレス（ＳＵＳ）鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を磁性シート３１０に直接的に接触させてプレスするのではなく、内層基板２００の表面の凹凸に磁性シート３１０が十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材からなるシート等を介してプレスするのが好ましい。

加熱圧着する際の温度は、好ましくは８０℃〜１６０℃、より好ましくは９０℃〜１４０℃、さらに好ましくは１００℃〜１２０℃の範囲であり、加熱圧着する際の圧力は、好ましくは０．０９８ＭＰａ〜１．７７ＭＰａ、より好ましくは０．２９ＭＰａ〜１．４７ＭＰａの範囲であり、加熱圧着する際の時間は、好ましくは２０秒間〜４００秒間、より好ましくは３０秒間〜３００秒間の範囲である。磁性シートと内層基板との接合は、圧力２６．７ｈＰａ以下の減圧条件下で実施することが好ましい。

磁性シート３１０の樹脂組成物層３２０ａと内層基板２００との接合は、市販の真空ラミネーターによって行うことができる。市販の真空ラミネーターとしては、例えば、名機製作所社製の真空加圧式ラミネーター、ニッコー・マテリアルズ社製のバキュームアプリケーター等が挙げられる。

磁性シート３１０と内層基板２００との接合の後に、常圧下（大気圧下）、例えば、加熱圧着部材を支持体側からプレスすることにより、積層された磁性シート３１０の平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。平滑化処理は、市販のラミネーターによって行うことができる。なお、積層と平滑化処理とは、上記の市販の真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。

磁性シートを内層基板に積層した後、樹脂組成物層を熱硬化して磁性層を形成する。図１０に一例を示すように、内層基板２００に接合させた樹脂組成物層３２０ａを熱硬化し第１磁性層３２０を形成する。

樹脂組成物層３２０ａの熱硬化条件は、樹脂組成物の組成や種類によっても異なるが、硬化温度は好ましくは１２０℃以上、より好ましくは１３０℃以上、さらに好ましくは１５０℃以上であり、好ましくは２４５℃以下、より好ましくは２２０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。樹脂組成物層３２０ａの硬化時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは１５分以上であり、好ましくは１２０分以下、より好ましくは１００分以下、さらに好ましくは９０分以下である。

支持体３３０は、工程（Ａ）の熱硬化後と工程（Ｂ）との間に除去してもよく、工程（Ｂ）の後に剥離してもよい。

磁性層の粗化処理前の算術平均粗さ（Ｒａ）としては、めっきとの間の密着性を向上させる観点から、好ましくは３００ｎｍ以上、より好ましくは３５０ｎｍ以上、さらに好ましくは４００ｎｍ以上である。上限は、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは９００ｎｍ以下、さらに好ましくは８００ｎｍ以下である。表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。

工程（Ａ）は、磁性シートの代わりに樹脂組成物を、ダイコーター等を用いて内層基板上に塗布し、熱硬化させることで磁性層を形成してもよい。

＜工程（Ｂ）＞
工程（Ｂ）において、図１１に一例を示すように、第１磁性層３２０に穴あけ加工をし、ビアホール３６０を形成する。ビアホール３６０は、第１導体層４２０と、後述する第２導体層４４０とを電気的に接続するための経路となる。ビアホール３６０の形成は、磁性層の形成に使用した樹脂組成物の組成等に応じて、例えば、ドリル、レーザー、プラズマ等を使用して実施してよい。ホールの寸法や形状は、プリント配線板のデザインに応じて適宜決定してよい。

＜工程（Ｃ）＞
工程（Ｃ）において、ビアホールを形成した磁性層の表面を粗化処理する。工程（Ｃ）における粗化処理としては、第１実施形態の「＜工程（４）＞」欄において説明したとおりである。

磁性層の粗化処理後の算術平均粗さ（Ｒａ）としては、めっきとの間の密着性を向上させる観点から、好ましくは３００ｎｍ以上、より好ましくは３５０ｎｍ以上、さらに好ましくは４００ｎｍ以上である。上限は、好ましくは１５００ｎｍ以下、より好ましくは１２００ｎｍ以下、さらに好ましくは１０００ｎｍ以下である。表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。

工程（Ｃ）では、粗化処理の代わりに研磨を行い、コア基板１０から突出又は付着している余剰の磁性層を除去し、平坦化してもよい。研磨方法としては上記したとおりである。

＜工程（Ｄ）＞
工程（Ｄ）では、図１２に一例を示すように、第１磁性層３２０上に、第２導体層４４０を形成する。

第２導体層４４０を構成し得る導体材料としては、第１実施形態の「＜工程（５）＞」欄において説明した導体層の材料と同様である。

第２導体層４４０の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは７０μｍ以下であり、より好ましくは６０μｍ以下であり、さらに好ましくは５０μｍ以下、さらにより好ましくは４０μｍ以下、特に好ましくは３０μｍ以下、２０μｍ以下、１５μｍ以下又は１０μｍ以下である。下限は好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上である。

第２導体層４４０は、めっきにより形成することができる。第２導体層４４０は、例えば、無電解めっき工程、マスクパターン形成工程、電解めっき工程、フラッシュエッチング工程を含むセミアディティブ法、フルアディティブ法等の湿式めっき法により形成されることが好ましい。湿式めっき法を用いて第２導体層４４０を形成することにより、所望の配線パターンを含む第２導体層４４０として形成することができる。なお、この工程により、ビアホール３６０内にビアホール内配線３６０ａが併せて形成される。

第１導体層４２０及び第２導体層４４０は、例えば後述する図１３〜１５に一例を示すように、渦巻状に設けられていてもよい。一例において、第２導体層４４０の渦巻状の配線部のうちの中心側の一端はビアホール内配線３６０ａにより第１導体層４２０の渦巻状の配線部のうちの中心側の一端に電気的に接続されている。第２導体層４４０の渦巻状の配線部のうちの外周側の他端はビアホール内配線３６０ａにより第１導体層４２のランド４２０ａに電気的に接続されている。よって第２導体層４４０の渦巻状の配線部のうちの外周側の他端はビアホール内配線３６０ａ、ランド４２０ａ、スルーホール内配線２２０ａを経て外部端子２４０に電気的に接続される。

コイル状導電性構造体４００は、第１導体層４２０の一部分である渦巻状の配線部、第２導体層４４０の一部分である渦巻状の配線部、第１導体層４２０の渦巻状の配線部と第２導体層４４０の渦巻状の配線部とを電気的に接続しているビアホール内配線３６０ａにより構成されている。

工程（Ｄ）後、さらに導体層上に磁性層を形成する工程を行ってもよい。詳細は、図１４に一例を示すように、第２導体層４４０及びビアホール内配線３６０ａが形成された第１磁性層３２０上に第２磁性層３４０を形成する。第２磁性層は既に説明した工程と同様の工程により形成してもよい。

［インダクタ基板］
インダクタ基板は、本発明の回路基板を含む。このようなインダクタ基板は、第１実施形態の回路基板の製造方法により得られた回路基板を含む場合、前記の樹脂組成物の硬化物の周囲の少なくとも一部に導体によって形成されたインダクタパターンを有する。このようなインダクタ基板は、例えば特開２０１６−１９７６２４号公報に記載のものを適用できる。

また、第２実施形態の回路基板の製造方法により得られた回路基板を含む場合、インダクタ基板は、磁性層と、この磁性層に少なくとも一部分が埋め込まれた導電性構造体とを有しており、この導電性構造体と、磁性層の厚さ方向に延在し、かつ導電性構造体に囲まれた磁性層のうちの一部分によって構成されるインダクタ素子を含んでいる。ここで図１３は、インダクタ素子を内蔵するインダクタ基板をその厚さ方向の一方からみた模式的な平面図である。図１４は、図１３に示すＩＩ−ＩＩ一点鎖線で示した位置で切断したインダクタ基板の切断端面を示す模式的な図である。図１５は、インダクタ基板のうちの第１導体層の構成を説明するための模式的な平面図である。

回路基板１００は、図１３及び図１４に一例として示されるように、複数の磁性層（第１磁性層３２０、第２磁性層３４０）及び複数の導体層（第１導体層４２０、第２導体層４４０）を有する、即ちビルドアップ磁性層及びビルドアップ導体層を有するビルドアップ配線板である。また、インダクタ基板１００は、内層基板２００を備えている。

図１４より、第１磁性層３２０及び第２磁性層３４０は一体的な磁性層としてみることができる磁性部３００を構成している。よってコイル状導電性構造体４００は、磁性部３００に少なくとも一部分が埋め込まれるように設けられている。すなわち、本実施形態のインダクタ基板１００において、インダクタ素子はコイル状導電性構造体４００と、磁性部３００の厚さ方向に延在し、かつコイル状導電性構造体４００に囲まれた磁性部３００のうちの一部分である芯部によって構成されている。

図１５に一例として示されるように、第１導体層４２０はコイル状導電性構造体４００を構成するための渦巻状の配線部と、スルーホール内配線２２０ａと電気的に接続される矩形状のランド４２０ａとを含んでいる。図示例では渦巻状の配線部は直線状部と直角に屈曲する屈曲部とランド４２０ａを迂回する迂回部を含んでいる。図示例では第１導体層４２０の渦巻状の配線部は全体の輪郭が略矩形状であって、中心側からその外側に向かうにあたり反時計回りに巻いている形状を有している。

同様に、第１磁性層３２０上には第２導体層４４０が設けられている。第２導体層４４０はコイル状導電性構造体４００を構成するための渦巻状の配線部を含んでいる。図１３又は図１４では渦巻状の配線部は直線状部と直角に屈曲する屈曲部とを含んでいる。図１３又は図１４では第２導体層４４の渦巻状の配線部は全体の輪郭が略矩形状であって、中心側からその外側に向かうにあたり時計回りに巻いている形状を有している。

このようなインダクタ基板は、半導体チップ等の電子部品を搭載するための配線板として用いることができ、かかる配線板を内層基板として使用した（多層）プリント配線板として用いることもできる。また、かかる配線板を個片化したチップインダクタ部品として用いることもでき、該チップインダクタ部品を表面実装したプリント配線板として用いることもできる。

またかかる配線板を用いて、種々の態様の半導体装置を製造することができる。かかる配線板を含む半導体装置は、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラおよびテレビ等）および乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶および航空機等）等に好適に用いることができる。

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載において、量を表す「部」及び「％」は、別途明示のない限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を意味する。なお、融点は、示差走査熱量計（ＤＳＣ７０００Ｘ、日立ハイテク社製）を用い、室温（２５℃）から５００℃まで２０℃／ｍｉｎにて昇温を行い測定した。

＜実施例１＞
軟磁性粉体ａ（「Ｍ０５Ｓ」、Ｆｅ−Ｍｎ系フェライト、パウダーテック社製）を８０質量部に対して、液状樹脂ａ（「ＺＸ−１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品、新日鉄住金化学社製）を５質量部、液状樹脂ｂ（「ＥＰ−４０８８Ｓ」、ジシクロペンタジエン型脂肪族エポキシ樹脂、ＡＤＥＫＡ社製）を５質量部、液状樹脂ｃ（「ＪＥＲ−６３０」、多官能エポキシ樹脂、三菱ケミカル社製）を２質量部、固形樹脂ａ（「ＮＣ−３０００−Ｌ」、ビフェニル型芳香族エポキシ樹脂、日本化薬社製）を３質量部、硬化促進剤ａ（「Ｃ１１Ｚ−Ａ」、融点１９２℃、トリアジン骨格を有する硬化促進剤、四国化成社製）を２質量部加え、高速回転ミキサーで均一に分散し樹脂組成物１を得た。

＜実施例２＞
実施例１において、固形樹脂ａ（「ＮＣ−３０００−Ｌ」、ビフェニル型芳香族エポキシ樹脂、日本化薬社製）の量を３質量部から２質量部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物２を得た。

＜実施例３＞
実施例１において、固形樹脂ａ（「ＮＣ−３０００−Ｌ」、ビフェニル型芳香族エポキシ樹脂、日本化薬社製）の量を３質量部から５質量部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物３を得た。

＜実施例４＞
実施例１において、固形樹脂ａ（「ＮＣ−３０００−Ｌ」、ビフェニル型芳香族エポキシ樹脂、日本化薬社製）３質量部を、固形樹脂ｂ（「ＮＣ−３１００」、ビフェニル型エポキシ樹脂、日本化薬社製）３質量部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物４を得た。

＜実施例５＞
実施例１において、固形樹脂ａ（「ＮＣ−３０００−Ｌ」、ビフェニル型芳香族エポキシ樹脂、日本化薬社製）３質量部を、固形樹脂ｃ（「ＳＮ−４８５」、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、日鉄ケミカル＆マテリアル社製）３質量部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物５を得た。

＜実施例６＞
実施例１において、
固形樹脂ａ（「ＮＣ−３０００−Ｌ」、ビフェニル型芳香族エポキシ樹脂、日本化薬社製）の量を３質量部から１．５質量部に変え、
さらに固形樹脂ｃ（「ＳＮ−４８５」、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、日鉄ケミカル＆マテリアル社製）１．５質量部を用いた。
以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物６を得た。

＜実施例７＞
実施例１において、軟磁性粉体ａ（「Ｍ０５Ｓ」、Ｆｅ−Ｍｎ系フェライト、パウダーテック社製）８０質量部を、軟磁性粉体ｂ（「ＭＺ０５」、Ｆｅ−Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、パウダーテック社製）８０質量部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物７を得た。

＜実施例８＞
実施例１において、軟磁性粉体ａ（「Ｍ０５Ｓ」Ｆｅ−Ｍｎ系フェライト、パウダーテック社製）８０質量部を、軟磁性粉体ｃ（「ＡＷ２−０８」、Ｆｅ−Ｓｉ系フェライト、エプソンアトミックス社製）８０質量部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物８を得た。

＜実施例９＞
実施例５において、硬化促進剤ａ（「Ｃ１１Ｚ−Ａ」、融点１９２℃、トリアジン骨格を有する硬化促進剤、四国化成社製）２質量部を、硬化促進剤ｂ（「２Ｅ４ＭＺ−Ａ」、融点２１０℃、トリアジン骨格を有する硬化促進剤、四国化成社製）２質量部に変えた。以上の事項以外は実施例５と同様にして樹脂組成物９を得た。

＜実施例１０＞
実施例５において、硬化促進剤ａ（「Ｃ１１Ｚ−Ａ」、融点１９２℃、トリアジン骨格を有する硬化促進剤、四国化成社製）２質量部を、硬化促進剤ｃ（「ＶＴ」、融点２４０℃、トリアジン骨格を有する硬化促進剤、四国化成社製）２質量部に変えた。以上の事項以外は実施例５と同様にして樹脂組成物１０を得た。

＜実施例１１＞
実施例５において、硬化促進剤ａ（「Ｃ１１Ｚ−Ａ」、融点１９２℃、トリアジン骨格を有する硬化促進剤、四国化成社製）２質量部を、硬化促進剤ｄ（「Ｃ１１Ｚ−ＣＮＳ」、融点１２９℃、トリアジン骨格を有する硬化促進剤、四国化成社製）２質量部に変えた。以上の事項以外は実施例５と同様にして樹脂組成物１１を得た。

＜比較例１＞
実施例１において、
液状樹脂ａ（「ＺＸ−１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品、新日鉄住金化学社製）の量を５質量部から７質量部に変え、
固形樹脂ａ（「ＮＣ−３０００−Ｌ」、ビフェニル型芳香族エポキシ樹脂、日本化薬社製）の量を５質量部から１質量部に変えた。
以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物１２を得た。

＜比較例２＞
実施例１において、
液状樹脂ａ（「ＺＸ−１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品、新日鉄住金化学社製）の量を５質量部から３質量部に変え、
固形樹脂ａ（「ＮＣ−３０００−Ｌ」、ビフェニル型芳香族エポキシ樹脂、日本化薬社製）の量を３質量部から５質量部に変えた。
以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物１３を得た。

＜比較例３＞
実施例１において、
液状樹脂ａ（「ＺＸ−１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品、新日鉄住金化学社製）の量を５質量部から８質量部に変え、
固形樹脂ａ（「ＮＣ−３０００−Ｌ」、ビフェニル型芳香族エポキシ樹脂、日本化薬社製）３質量部を用いなかった。
以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物１４を得た。

＜比較例４＞
実施例１において、硬化促進剤ａ（「Ｃ１１Ｚ−Ａ」、融点１９２℃、トリアジン骨格を有する硬化促進剤、四国化成社製）２質量部を、硬化促進剤ｅ（「２ＭＺＡ−ＰＷ」、融点２５０℃、トリアジン骨格を有する硬化促進剤、四国化成社製）２質量に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物１５を得た。

＜比較例５＞
実施例１において、硬化促進剤ａ（「Ｃ１１Ｚ−Ａ」、融点１９２℃、トリアジン骨格を有する硬化促進剤、四国化成社製）２質量部を、硬化促進剤ｆ（「１Ｂ２ＰＺ」、融点４０℃、硬化促進剤、四国化成社製）２質量に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物１６を得た。

＜保存安定性の評価＞
作製直後の各樹脂組成物の温度を２５±２℃に保ち、Ｅ型粘度計（東機産業社製「ＲＥ−８０Ｕ」、３°×Ｒ９．７コーンロータ）を用いて、回転数が５ｒｐｍの条件にて粘度Ａを測定した。

次に室温（２５℃）にて３日間静置した後の各樹脂組成物の温度を２５±２℃に保ち、Ｅ型粘度計（東機産業社製「ＲＥ−８０Ｕ」、３°×Ｒ９．７コーンロータ）を用いて、回転数が５ｒｐｍの条件にて粘度Ｂを測定した。粘度Ａ／粘度Ｂの比率を求め、以下の基準で評価した。
○：粘度Ａ／粘度Ｂが１．０以上１．５以下。
×：粘度Ａ／粘度Ｂが１．５を超える。

＜デスミア後の粗面変化率の測定、及びリフロー後の膨れの有無の評価＞
−評価基板の作製−
支持体として、表面に銅箔を有するガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（銅箔の厚さ１８μｍ、基板の厚さ０．８ｍｍ、パナソニック社製「Ｒ１５１５Ａ」）を用意した。この内層基板の表面の銅箔を、すべてエッチングして除去した。その後、１９０℃にて３０分乾燥を行った。各樹脂組成物を上記支持体上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが１００μｍとなるよう、ドクターブレードにて均一に塗布し、磁性シートを得た。得られた磁性シートを１９０℃で９０分間加熱することにより樹脂組成物層を熱硬化し、シート状硬化物を得た。

（樹脂組成物の熱硬化後（デスミア処理前）のＲａの測定）
シート状硬化物の熱硬化された磁性層を、非接触型表面粗さ計（ビーコインスツルメンツ社製、ＷＹＫＯＮＴ３３００）を用いて、Ｒａ（１０点平均粗さ）を求めた。

なお、Ｒａは、全測定領域に渡って計算された高さの平均値であり、具体的には測定領域内で変化する高さの絶対値を平均ラインである表面から測定して算術平均したものであり、下式（１）で表すことができる。ここで、式（１）中のＭとＮはアレイのそれぞれの方向にあるデータ個数を表す。

（デスミア処理）
シート状硬化物を、膨潤液（アトテックジャパン社製、スエリングディップ・セキュリガントＰ）に６０℃で５分間浸漬し膨潤処理を行い、次に、アルカリ性酸化剤溶液（アトテックジャパン社製、コンセントレート・コンパクトＰ（ＫＭｎＯ_４：６０ｇ／Ｌ、ＮａＯＨ：４０ｇ／Ｌの水溶液）に８０℃で５分間浸漬し、磁性層表面の粗化処理を行い、最後に中和液（アトテックジャパン社製、リダクションショリューシン・セキュリガントＰ）に４０℃で５分間浸漬し、中和処理を行った。その後、内層回路基板を水洗浄し、乾燥させることで、評価基板を得た。

（デスミア処理後のＲａの測定）
デスミア処理後の磁性層を、非接触型表面粗さ計（ビーコインスツルメンツ社製、ＷＹＫＯＮＴ３３００）を用いて、Ｒａ（１０点平均粗さ）を求めた。

（粗面変化率の測定）
デスミア処理前のＲａと、デスミア処理後のＲａとの比（デスミア処理前のＲａ／デスミア処理後のＲａ）を粗面変化率として算出した。

（リフロー後の膨れの有無の評価）
評価基板の粗化処理された磁性層表面に無電解銅めっき薬液（アトテックジャパン社製）を使用し、無電解銅めっきプロセスを行った。無電解銅めっき層の厚さは１μｍであった。その後、無電解銅めっき層上に電解銅めっきを行い、計３０μｍ厚の導体層（銅層）を形成し、多層配線基板を得た。

得られた多層配線基板を、リフロー装置（ＡＮＴＯＭ社製、ＨＡＳ−６１１６）を用い、２６０℃以上で１分以上の熱履歴の条件下にてリフロー工程を行った。リフロー工程後の導体層を観察し、膨れの有無を確認し、以下の基準で評価した。
○：膨れなし
△：端面でふくれあり
×：全面でふくれあり

実施例１〜１１は、保存安定性に優れ、導体層の形成後にリフロー処理を行っても膨れ等の不具合が生じていないことがわかった。また、実施例１〜１１はデスミア処理前のＲａとデスミア処理後のＲａとの比（粗面変化率）が低いことからデスミア耐性に優れ、その結果、磁性層とめっき導体層との間の密着性に優れることもわかった。また、実施例１〜１１はデスミア耐性に優れることから、デスミア処理後においても非常に平滑な磁性層となるため、非常に平滑な磁性層表面に無電解めっきによるめっきシード層（無電解めっき層）が形成できる。よって、セミアディティブ法での回路形成後に、エッチングによって不要なめっきシード層を容易に除去することが可能となることもわかった。

１０ コア基板
１１ 支持基板
１２ 第１金属層
１３ 第２金属層
１４ スルーホール
２０ めっき層
３０ａ 樹脂組成物
３０ 磁性層
４０ 導体層
４１ パターン導体層
１００ 回路基板
２００ 内層基板
２００ａ 第１主表面
２００ｂ 第２主表面
２２０ スルーホール
２２０ａ スルーホール内配線
２４０ 外部端子
３００ 磁性部
３１０ 磁性シート
３２０ａ 樹脂組成物層
３２０ 第１絶縁層
３３０ 支持体
３４０ 第２絶縁層
３６０ ビアホール
３６０ａ ビアホール内配線
４００ コイル状導電性構造体
４２０ 第１導体層
４２０ａ ランド
４４０ 第２導体層

Claims (16)

1. （Ａ）磁性粉体、
   （Ｂ−１）固形樹脂、
   （Ｂ−２）液状樹脂、及び
   （Ｃ）融点が１２０℃以上２４５℃以下の硬化促進剤、を含み、
   樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ｂ−１）成分の含有量をｂ１とし、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ｂ−２）成分の含有量をｂ２としたとき、ｂ１／ｂ２が０．１５以上０．４５以下である、樹脂組成物。
2. （Ｂ−１）成分が、固形エポキシ樹脂を含む、請求項１に記載の樹脂組成物。
3. （Ｂ−２）成分が、液状エポキシ樹脂を含む、請求項１又は２に記載の樹脂組成物。
4. （Ｃ）成分が、トリアジン骨格を有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
5. （Ａ）成分が、軟磁性粉体である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
6. （Ａ）成分が、酸化鉄粉である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
7. 酸化鉄粉が、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、及びＺｎから選ばれる少なくとも１種を含むフェライトである、請求項６に記載の樹脂組成物。
8. （Ａ）成分が、Ｆｅ−Ｍｎ系フェライト、及びＦｅ−Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトから選ばれる少なくとも１種である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
9. （Ａ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、６０質量％以上である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
10. インダクタ素子形成用である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
11. ペースト状である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
12. スルーホール充填用である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
13. 支持体と、該支持体上に設けられた、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層とを含む、磁性シート。
14. スルーホールを有する基板と、前記スルーホールに充填した、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の樹脂組成物の硬化物と、を有する回路基板。
15. 請求項１〜１２のいずれか１項に記載の樹脂組成物の硬化物である磁性層を含む、回路基板。
16. 請求項１４又は１５に記載の回路基板を含む、インダクタ基板。

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