JP2021069249A - 半導体装置及びモータ制御方法 - Google Patents

Abstract

【課題】二重巻線三相モータの制御回路の機能安全性能を向上させる。
【解決手段】半導体装置は、三相モータの第１の巻線を駆動するための第１のインバータと、三相モータの第２の巻線を駆動するための第２のインバータと、第１と第２のインバータ間の通信線と、を備え、第１と第２のインバータは、通信線を通して、それぞれの動作状態を通知する。
【選択図】図１

Description

本発明はモータの制御装置、特に二重巻線構造を備えたモータ制御技術に関する。

近年、電気自動車やハイブリッド自動車のように、自動車の駆動用にモータが広く使われるようになってきている。

自動車分野で使用されるモータには２つの解決すべき課題が提示される。その１つは、少ない電力で大きなトルクが得られること。もう１つは故障時の対策である。

上記２つの課題を解決するものとして、二重巻線のモータが知られている。非特許文献１には、自動車用のものではないが二重巻線のモータとその制御回路が記載されている（Ｆｉｇ．１）。Ｆｉｇ．１の構成では、２組の３相のステータが使用され、かつ、２組の位相差は０である。また、それぞれの巻線（コイル）へはインバータを介して電流が流される。

Ａｋｉｒａ Ｓａｔａｋｅ、他２名著、"Ｄｅｓｉｇｎ ｏｆ Ｃｏｕｐｌｉｎｇ Ｃａｎｃｅｌｌａｔｉｏｎ Ｃｏｎｔｒｏｌ ｆｏｒ ａ Ｄｏｕｂｌｅ−ｗｉｎｄｉｎｇ ＰＭＳＭ"、ＩＥＥＪ Ｊｏｕｒｎａｌ ＩＡ、Ｖｏｌ．６、Ｎｏ．１、２０１７

非特許文献１には２重巻線間の干渉を考慮した電流制御方法については記載があるが、具体的な制御回路についての記載はない。特に、車載用ＥＣＵ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｕｎｉｔ）では、故障時の対策（機能安全）を考慮した実装が必須となる。

その他の課題および新規な特徴は、本明細書および図面の記載から明らかになる。

一実施の形態に係る半導体装置は、モータの第１の巻線を制御する第１の（プライマリ）インバータと、モータの第２の巻線を制御する第２の（セカンダリ）インバータとを有し、プライマリインバータとセカンダリインバータとは通信線で接続され、プライマリインバータは通信線で送信されたセカンダリインバータの動作状態に基づいて、プライマリインバータとセカンダリインバータの動作設定を行う。

一実施の形態に係る半導体装置では、突入電流対策を備えた電力変換が可能となる。

図１は実施の形態１に係る半導体装置のブロック図である。 図２は実施の形態１に係るモータのイメージ図である。 図３は実施の形態１に係る半導体装置の回路図である。 図４は実施の形態１に係るモータの正弦波制御の説明図である。 図５は実施の形態１に係る制御回路の説明図である。 図６は実施の形態１に係るＰＷＭ制御の説明図である。 図７は実施の形態１に係る半導体装置の動作フローチャートである。 図８は実施の形態２に係る半導体装置のブロック図である。 図９は実施の形態２に係る半導体装置の動作フローチャートである。 図１０は実施の形態３に係るモータ制御の電流波形の説明図である。 図１１は実施の形態３に係る半導体装置の動作説明図である。

以下、一実施の形態に係る半導体装置について、図面を参照して詳細に説明する。なお、明細書および図面において、同一の構成要件または対応する構成要件には、同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また、図面では、説明の便宜上、構成を省略または簡略化している場合もある。また、各実施の形態の少なくとも一部は、互いに任意に組み合わされてもよい。

［実施の形態１］
（半導体装置の構成）
図１は、実施の形態１に係る半導体装置１０の構成を示すブロック図である。

図１に示されるように、半導体装置１０は、第１のインバータ１１（以下、プライマリインバータ１１と呼ぶ）と第２のインバータ１２（以下、セカンダリインバータ１２と呼ぶ）とを備える。図２は半導体装置１０が制御するモータ２１のイメージ図である。本実施の形態のモータ２１は、１２０度の間隔で３つのスロットがある三相モータである。ただし、１つのスロットに２つの巻線を有する構造となっている。それぞれの巻線をＵ相（Ｕ１相、Ｕ２相）、Ｖ相（Ｖ１相、Ｖ２相）、Ｗ相（Ｗ１相、Ｗ２相）とする。

図１に戻って半導体装置１０の構成をさらに説明する。プライマリインバータ１１は、モータ２１のＵ１、Ｖ１、Ｗ１相に接続され、３相の駆動電流を生成する。３相の駆動電流生成時には、Ｕ１、Ｖ１、Ｗ１相のそれぞれに流れる電流と、ＲＤＣ（Ｒｅｓｏｌｖｅｒ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）２２が出力するモータの回転角とが参照される。セカンダリインバータ１２も同様に、Ｕ２、Ｖ２、Ｗ２相に接続され、３相の駆動電流を生成する。

プライマリインバータ１１は、インバータ回路１３、ゲートドライブ回路１５、制御回路１７を有する。セカンダリインバータ１２も同様に、インバータ回路１４、ゲートドライブ回路１６、制御回路１８を有する。

制御回路１７は電流検出回路１９が検出したＵ１、Ｖ１、Ｗ１相に流れる電流と、ＲＤＣ２２が出力するモータ２１の回転角とを参照し、モータ２１が所望の回転となるように制御を行う。モータ制御方法としてはベクトル制御方法などを用いるが、ここでは詳細を省略する。制御回路１８も同様に、電流検出回路２０が検出したＵ２、Ｖ２、Ｗ２相に流れる電流と、ＲＤＣ２２が出力するモータ２１の回転角とを参照し、モータ２１が所望の回転となるように制御を行う。また、制御回路１７と制御回路１８とは通信線２３で接続され、それぞれのモータ２１の制御状態を知ることで、制御方法を変更することができるようになっている。詳細は後述する。制御回路１７、１８はマイクロコントローラでもよいし、専用回路でもよい。また、Ｕ１、Ｕ２、Ｖ１、Ｖ２、Ｗ１、Ｗ２相に流れる電流を測定するためにＡ／Ｄ変換器（不図示）が用いられる。

インバータ回路１３とインバータ回路１４は同一の回路構成である。図３はインバータ回路１３の構成を示す。図３の括弧内の記号はインバータ回路１４の構成を示す。インバータ回路１３は、図３に示すように６個のＩＧＢＴやパワーＭＯＳのパワートランジスタＵ１＋、Ｕ１−、Ｖ１＋、Ｖ１−、Ｗ１＋、Ｗ１−で構成される。パワートランジスタＵ１＋、Ｕ１−がモータ２１のＵ１相に接続される。パワートランジスタＶ１＋、Ｖ１−がモータ２１のＶ１相に接続される。パワートランジスタＷ１＋、Ｗ１−がモータ２１のＷ１相に接続される。インバータ回路１４も同様に、パワートランジスタＵ２＋、Ｕ２−がモータ２１のＵ２相に接続される。パワートランジスタＶ２＋、Ｖ２−がモータ２１のＶ２相に接続される。パワートランジスタＷ２＋、Ｗ２−がモータ２１のＷ２相に接続される。

ゲートドライブ回路１５は、制御回路１７からの制御信号に基づき、インバータ回路１３の６個のパワートランジスタそれぞれのゲート信号を生成する。ゲートドライブ回路１６も同様に、制御回路１８からの制御信号に基づき、インバータ回路１４の６個のトランジスタそれぞれのゲート信号を生成する。インバータ回路１３は、ゲートドライブ回路１５からのゲート信号に基づき、Ｕ１、Ｖ１、Ｗ１相の信号を生成する。インバータ回路１４も同様に、ゲートドライブ回路１６からのゲート信号に基づき、Ｕ２、Ｖ２、Ｗ２相の信号を生成する。

ここで、３相のモータ制御方法について図３、図４を用いて説明する。図４のＵ１（Ｕ２）、Ｖ１（Ｖ２）、Ｗ１（Ｗ２）が示しているのは、正弦波駆動による電流波形である。位相が１２０度ずれた正弦波状の３相のＵ１（Ｕ２）、Ｖ１（Ｖ２）、Ｗ１（Ｗ２）の駆動電流でモータ制御が行われる。本実施の形態１では、正弦波駆動を行うためにＰＷＭ（Ｐｕｌｓｅ Ｗｉｄｔｈ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）によるモータ制御を行う。図４の出力電圧の波形が示しているのは、ＰＷＭ制御されたＵ１（Ｕ２）相の出力電圧である。

次にＰＷＭ制御について説明する。図５は制御回路１７、１８のブロック図である。制御回路１７と制御回路１８は同一の回路構成である。制御回路１７は、キャリアタイマ２４、コンペアタイマ２６、ＰＷＭ生成回路２８、通信回路３０、ＣＰＵ３２、メモリ３４を備える。制御回路１８も同様に、キャリアタイマ２５、コンペアタイマ２７、ＰＷＭ生成回路２９、通信回路３１、ＣＰＵ３３、メモリ３５を備える。

制御回路１７、１８は、モータ制御用のソフトウェア等からの電流指示（トルク）値に基づいてＵ１、Ｕ２、Ｖ１、Ｖ２、Ｗ１、Ｗ２相の出力電流を制御する。制御回路１７は、各相の出力電流が所望の値になるように、インバータ回路１３のパワートランジスタＵ１＋、Ｕ１−、Ｖ１＋、Ｖ１−、Ｗ１＋、Ｗ１−用の制御信号（ＰＷＭ信号）を生成する。より具体的には、各制御信号は、図６で示される通り、キャリアタイマ２４とＵ１、Ｖ１、Ｗ１相それぞれのコンペアタイマ２６の値との比較動作を行いながら生成される。キャリアタイマ２４は、０値から所定値まで所定の周期（例えばクロック周期）でカウントアップし、所定値となったら０値まで所定の周期でカウントダウンするタイマである。電流指示値に基づいて、各相のコンペアタイマ値を変更することで、各制御信号を可変にできる。制御回路１８も同様の方法で、パワートランジスタＵ２＋、Ｕ２−、Ｖ２＋、Ｖ２−、Ｗ２＋、Ｗ２−用の制御信号（ＰＷＭ信号）を生成する。

ゲートドライブ回路１５は、制御回路１７が出力した各制御信号から、インバータ回路１３が有する６個のパワートランジスタ（Ｕ１＋、Ｕ１−、Ｖ１＋、Ｖ１−、Ｗ１＋、Ｗ１−）用のゲート信号を生成する。６個のトランジスタは、ＩＧＢＴやパワーＭＯＳで構成されるため、高電圧のゲート信号が必要となる。従って、ゲートドライブ回路１５はチャージポンプ（不図示）を用いて、制御信号から高電圧のゲート信号を生成する。ゲートドライブ回路１６も同様に、制御回路１８が出力した各制御信号から、インバータ回路１４が有する６個のパワートランジスタ（Ｕ２＋、Ｕ２−、Ｖ２＋、Ｖ２−、Ｗ２＋、Ｗ２−）用のゲート信号を生成する。

（半導体装置の動作）
次に本実施の形態１に係る半導体装置１０の動作について説明する。図７は半導体装置１０の動作を示すフローチャートである。

まず、初期段階では２つのインバータに対してプライマリインバータかセカンダリインバータかが設定される。この設定は２つのインバータに予め固定の値で決めておいてもよいし、別のＭＣＵ（Ｍｉｃｏｒｏ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｕｎｉｔ）が動的に決めるようにしてもよい。

プライマリインバータ１１の制御回路１７は、モータ制御用のソフトウェア等からの指示により、モータに対する指令値（トルク指令値など）を受けたとき、指令値に合うようにプライマリインバータ１１を設定するとともに、通信線２３を通してセカンダリインバータ１２にも設定を行う（ステップＳ１０ｐ、Ｓ１０ｓ、Ｓ１１ｐ、Ｓ１１ｓ）。

例えば、指令値により、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相の各相に１００Ａの電流を流す必要があるとする。プライマリインバータ１１はＵ１、Ｖ１、Ｗ１相にそれぞれ５０Ａの電流が流れるように設定される。また、セカンダリインバータ１２はＵ２、Ｖ２、Ｗ２相にそれぞれ５０Ａの電流が流れるように設定される。これは、プライマリインバータ１１とセカンダリインバータ１２とで１：１と予め設定された場合である。なお、１：１には限られない。

ここで、プライマリインバータ１１とセカンダリインバータ１２とが指令値に応じて動作中、異常が発生した場合を考える（ステップＳ１２ｐ、Ｓ１２ｓ）。例えば、セカンダリインバータ１２内やセカンダリインバータ１２とモータとの接続線で短絡などの異常が発生した場合、セカンダリインバータ１２は異常状態を、通信線２３を通してプライマリインバータ１１に通知する。ここで、セカンダリインバータ１２内の異常は、制御回路１８、ゲートドライブ回路１６に設けられるテスト回路（不図示）や、電流検出回路２０からの出力情報で知ることができる。

プライマリインバータ１１は、セカンダリインバータ１２からの異常を受信すると、外部のＭＣＵに通知するとともに、プライマリインバータ１１とセカンダリインバータ１２の設定を変更する（ステップＳ１３ｐ）。ここでは、セカンダリインバータ１２に異常が発生したため、プライマリインバータ１１はセカンダリインバータ１２の動作を停止させ、以降のモータ制御はプライマリインバータ１１のみで行うようにする。上述した１００Ａの例では、プライマリインバータ１１がＵ１、Ｖ１、Ｗ１相それぞれに１００Ａの電流が流れるように制御を行う。本実施の形態１では、１スロットにプライマリインバータ１１により制御される巻線と、セカンダリインバータ１２により制御される巻線があるため、プライマリインバータ１１のみの制御であってもモータ制御を継続することができる。

プライマリインバータ１１で異常が検出された場合も同様に、セカンダリインバータ１２のみでモータ制御を継続することができる。

プライマリインバータ１１の制御回路１７で異常が検出された場合は、セカンダリインバータ１２をプライマリインバータとして設定を変更することでモータ制御を継続する。

本実施の形態１では１つのスロットに２つの巻線がある場合で説明したが、これに限られない。１つのスロットに３つの巻線があっても構わない。この場合、プライマリインバータ１１、セカンダリインバータ１２と同一構成のターシャリインバータが追加される。

（効果）
以上のように、本実施の形態１に係る半導体装置１０では、１スロットに複数の巻線があるモータを制御するとき、それぞれの巻線にインバータ、ゲートドライブ回路、制御回路を設けた。更に、複数の制御回路間は通信線で接続し、それぞれの異常状態を通信するようにした。これにより、インバータ、ゲートドライブ回路、制御回路に異常が発生してもモータ制御を継続することが可能となる。

［実施の形態２］
（半導体装置の構成）
図８は、実施の形態２に係る半導体装置２００の構成を示すブロック図である。

半導体装置１０と比較して、半導体装置２００では、プライマリインバータ１１とセカンダリインバータ１２それぞれの６個のパワートランジスタに、温度検出素子（ダイオード）２０１、２０２が追加される。また、温度検出素子２０１、２０２の電圧から温度情報に変換するための温度検出回路２０３、２０４も追加される。温度検出回路２０３、２０４はＡ／Ｄ変換器と、電圧値から温度情報に変換する変換テーブルとで構成される。あるいは、温度検出回路２０３、２０４をＡ／Ｄ変換器とし、電圧値から温度情報に変換する部分は制御回路１７、１８で行ってもよい。

（半導体装置の動作）
次に本実施の形態２に係る半導体装置２００の動作について説明する。図９は半導体装置２００の動作を示すフローチャートである。

実施の形態２では、実施の形態１の動作フロー（図６）に、温度検証（ステップＳ２０ｐ、Ｓ２０ｓ）が追加されている。ステップＳ０、Ｓ１０ｐ、Ｓ１０ｓ、Ｓ１１ｐ、Ｓ１１ｓは実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。

プライマリインバータ１１とセカンダリインバータ１２の設定完了後、モータ制御用のソフトウェアからの指示とベクトル制御によりモータ制御を行う（ステップＳ１０ｐ、Ｓ１０ｓ、Ｓ１１ｐ、Ｓ１１ｓ）。制御動作中、プライマリインバータ１１とセカンダリインバータ１２は、温度検出素子２０１、２０２、温度検出回路２０３、２０３を用いてそれぞれのパワートランジスタの温度を観測する。また、セカンダリインバータ１２は観測結果を、通信線２３を通してプライマリインバータ１１に通知する。

プライマリインバータ１１の制御回路１７は、プライマリインバータ１１の観測温度（Ｔｐ）とセカンダリインバータ１２の観測温度（Ｔｓ）に対して温度検証を行う（ステップＳ２０ｐ、Ｓ２０ｓ）。具体的には、ＴｐとＴｓそれぞれと、予め決められた閾値温度との比較を行う。

温度検証の結果、ＴｐまたはＴｓが閾値温度を超えていた場合、プライマリインバータ１１とセカンダリインバータ１２の設定変更を行う（ステップＳ１３ｐ）。例えば、Ｔｓが閾値温度を超えていた場合で説明する。まず、実施の形態１で説明した通り、電流指令値が１００Ａであったとする。Ｔｓが閾値温度を超えるまでは、プライマリインバータ１１はＵ１、Ｖ１、Ｗ１相それぞれに５０Ａ、セカンダリインバータ１２はＵ２、Ｖ２、Ｗ２相それぞれに５０Ａの電流が流れるように制御を行う。Ｔｓが閾値温度を超えたら、プライマリインバータ１１はセカンダリインバータ１２の電流を減らし、プライマリインバータ１１の電流が増えるように設定を変更する。一例として、Ｕ１、Ｖ１、Ｗ１相それぞれに６０Ａ、Ｕ２、Ｖ２、Ｗ２相それぞれに４０Ａが流れる制御となるように変更する。

プライマリインバータ１１とセカンダリインバータ１２の設定変更内容は、例えば、プライマリインバータ１１の制御回路内１７のメモリ３４に、閾値温度と電流の関係をテーブルとして格納すればよい。検出した温度に応じて、プライマリインバータ１１とセカンダリインバータ１２で制御する電流比を、１：１、３：２、２：１といったように変更することが可能である。

ステップＳ１３ｐでの設定変更後も、プライマリインバータ１１とセカンダリインバータ１２は温度監視を継続する。セカンダリインバータ１２は設定変更により動作電流が減るため、パワートランジスタの温度は下がる。その結果、Ｔｓが閾値温度を下回った場合、プライマリインバータ１１は、プライマリインバータ１１とセカンダリインバータ１２の設定を再度変更する。すなわち、プライマリインバータ１１はＵ１、Ｖ１、Ｗ１相それぞれに５０Ａ、セカンダリインバータ１２はＵ２、Ｖ２、Ｗ２相それぞれに５０Ａの電流が流れる制御となるように設定を変更する。

（効果）
以上のように、本実施の形態２に係る半導体装置２００では、インバータに温度検出素子を設け、プライマリインバータとセカンダリインバータ間でインバータの温度情報を通知できるようにした。更に、プライマリインバータは、インバータの温度情報を考慮して、プライマリインバータとセカンダリインバータの動作設定を行えるようにした。これにより、インバータの温度異常による故障を未然に防ぎ、モータ制御を継続することが可能となる。

［実施の形態３］
（半導体装置の構成）
実施の形態３に係る半導体装置の構成は、図１の半導体装置１０と同じである。ただし、制御回路１７、１８の動作が異なる。

本実施の形態３に係る半導体装置の動作を説明する前に、３相電流に起こる現象について説明する。図１０は、３相のうちの１相の電流に生じる現象のイメージ図である。モータにはコイルが使用されるため、コイルによる逆起電力が発生する。この逆起電力による影響で、モータを駆動するための電流には電流リップルが生じる。電流リップルはモータの振動や騒音を引き起こす。

１スロットに２つの巻線があるモータの場合、２つの巻線に流れる電流が完全に同期しないと、一方の巻線の影響で他方の巻線に電流リップルを発生させる可能性がある。しかしながら、完全に同期させることは難しい。

そこで本実施の形態３では、電流リップルを極力減らすため、プライマリインバータ１１によるＵ１、Ｖ１、Ｗ１相の駆動電流発生タイミングと、セカンダリインバータ１２によるＵ２、Ｖ２、Ｗ２相の駆動電流発生タイミングとを所定量ずらす。発生タイミングをずらすことで、電流リップルが発生するタイミングが分散され、大きな電流リップルの発生を抑制することが可能となる。

図１１を用いてより具体的に説明する。図６説明した通り、プライマリインバータ１１とセカンダリインバータ１２の制御回路１７、１８は、キャリアタイマをベースにＰＷＭ制御を行う。本実施の形態３では、プライマリインバータ１１の制御回路１７は、キャリアタイマ２４がピーク値になったとき、通信線２３を通してセカンダリインバータ１２に通知を行う。セカンダリインバータ１２はプライマリインバータ１１からの通知を受けてからキャリアタイマ２５の動作を開始させる。

プライマリインバータ１１のキャリアタイマ２４と、セカンダリインバータ１２のキャリアタイマ２５の動作がずれるため、プライマリインバータ１１のＵ１、Ｖ１、Ｗ１相の駆動電流発生タイミングと、セカンダリインバータ１２のＵ２、Ｖ２、Ｗ２相の駆動電流発生タイミングとをずらすことができる。

プライマリインバータ１１とセカンダリインバータ１２間でずらす量はこれに限られない。例えば、キャリアタイマ２４のタイマ値を指定することで任意の量をずらすことが可能である。

（効果）
以上のように、本実施の形態３に係る半導体装置では、プライマリインバータとセカンダリインバータ間で３相駆動電流の発生タイミングをずらすようにした。これにより、巻線に発生する電流リップルを分散させることができ、モータの振動や騒音を抑制することが可能となる。

なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更され得る。

１０、２００ 半導体装置
１１ プライマリインバータ（第１のインバータ）
１２ セカンダリインバータ（第２のインバータ）
１３、１４ インバータ回路
１５、１６ ゲートドライブ回路
１７、１８ 制御回路
１９、２０ 電流検出回路
２１ モータ
２２ ＲＤＣ
２３ 通信線
２４、２５ キャリアタイマ
２６、２７ コンペアタイマ
２８、２９ ＰＷＭ生成回路
３０、３１ 通信回路
３２、３３ ＣＰＵ
３４、３５ メモリ
２０１、２０２ 温度検出素子
２０３、２０４ 温度検出回路

Claims (15)

1. 二重巻線の三相モータを制御する半導体装置であって、
   三相モータの第１の巻線を駆動するための第１のインバータと、
   前記三相モータの第２の巻線を駆動するための第２のインバータと、
   前記第１と第２のインバータ間の通信線と、を備え、
   前記第１と第２のインバータは、前記通信線を通して、それぞれの動作状態を通知する、半導体装置。
2. 前記第１のインバータは、第１の制御回路を更に備え、
   前記第１の制御回路は、前記通信線を通して通知された前記第２のインバータの動作状態に基づいて、前記第１の巻線の駆動電流を変更する、
   請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記第１の制御回路は、前記第２のインバータが異常状態のときは、前記第２のインバータが前記第２の巻線に流そうとしていた駆動電流を、前記第１の巻線の駆動電流に加える、
   請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記第１のインバータは、第１の温度検出回路を更に備え、
   前記第２のインバータは、第２の制御回路と第２の温度検出回路を更に備え、
   前記第１と第２の温度検出回路が示す温度に応じて、前記第１と第２の制御回路は、前記第１と第２の巻線のそれぞれの駆動電流を変更する、
   請求項２に記載の半導体装置。
5. 前記第１と第２の温度検出回路が示す温度に応じて、前記第１と第２の制御回路は、前記第１の巻線の駆動電流と前記第２の巻線の駆動電流とが、所定の比となるようにする、
   請求項４に記載の半導体装置。
6. 前記第１のインバータは、第１のＰＷＭ（Ｐｕｌｓｅ Ｗｉｄｔｈ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）生成回路と第１のパワートランジスタとを更に備え、
   前記第２のインバータは、第２のＰＷＭ生成回路と第２のパワートランジスタとを更に備え、
   前記第１のＰＷＭ生成回路が生成したＰＷＭ信号で前記第１のパワートランジスタのゲートを制御することで、前記第１の巻線の駆動電流を生成し、
   前記第２のＰＷＭ生成回路が生成したＰＷＭ信号で前記第２のパワートランジスタのゲートを制御することで、前記第２の巻線の駆動電流を生成する、
   請求項２に記載の半導体装置。
7. 前記第１のＰＷＭ生成回路がＰＷＭ信号を生成するタイミングと、前記第２のＰＷＭ生成回路がＰＷＭ信号を生成するタイミングとが、所定量ずれている、
   請求項６に記載の半導体装置。
8. 前記第１のインバータは、所定の周期でカウントアップ又はダウンする第１のキャリアタイマと、第１のコンペアタイマとを更に備え、
   前記第２のインバータは、所定の周期でカウントアップ又はダウンする第２のキャリアタイマと、第２のコンペアタイマとを更に備え、
   前記第１のＰＷＭ生成回路は、前記第１のキャリアタイマの値と前記第１のコンペアタイマの値とを比較することでＰＷＭを生成し、
   前記第２のＰＷＭ生成回路は、前記第２のキャリアタイマの値と前記第２のコンペアタイマの値とを比較することでＰＷＭを生成し、
   前記第１のキャリアタイマがカウントアップするタイミングと、前記第２のキャリアタイマがカウントアップするタイミングとが所定量ずれている、
   請求項７に記載の半導体装置。
9. 二重巻線の三相モータを、第１と第２のインバータで制御する制御方法であって、
   第１のインバータに、三相モータの第１の巻線を駆動するための第１駆動電流を流させ、
   第２のインバータに、前記三相モータの第２の巻線を駆動するための第２駆動電流を流させ、
   前記第１と第２のインバータに、それぞれの動作状態を互いに通知させる、
   モータ制御方法。
10. 通知された前記第２のインバータの動作状態に基づいて、前記第１のインバータに前記第１の巻線の駆動電流を変更させる、
    請求項９に記載のモータ制御方法。
11. 前記第２のインバータが異常状態のときは、前記第１のインバータに、前記第２のインバータが前記第２の巻線に流そうとしていた駆動電流を、前記第１の巻線の駆動電流に加えさせる、
    請求項１０に記載のモータ制御方法。
12. 前記第１と第２のインバータは、それぞれ温度検出回路を有し、
    前記温度検出回路のそれぞれが示す温度に応じて、前記第１と第２のインバータに、前記第１と第２の巻線それぞれの駆動電流を変更させる、
    請求項１０に記載のモータ制御方法。
13. 前記温度検出回路のそれぞれが示す温度に応じて、前記第１と第２のインバータに、前記第１の巻線の駆動電流と前記第２の巻線の駆動電流とが、所定の比となるようにさせる、
    請求項１２に記載のモータ制御方法。
14. 前記第１のインバータは第１のパワートランジスタを更に備え、
    前記第２のインバータは第２のパワートランジスタを更に備え、
    前記第１のインバータにＰＷＭ（Ｐｕｌｓｅ Ｗｉｄｔｈ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）信号で前記第１のパワートランジスタのゲートを制御させ、
    前記第２のインバータにＰＷＭ信号で前記第２のパワートランジスタのゲートを制御させる、
    請求項１０に記載のモータ制御方法。
15. 前記第１のインバータがＰＷＭ信号を生成するタイミングと、前記第１のインバータがＰＷＭ信号を生成するタイミングとを所定量ずれさせる、
    請求項１４に記載のモータ制御方法。

Images