JP2021061265A - 型、平坦化装置、平坦化方法及び物品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 これまでの平坦化装置では、光硬化に用いる光を照射する照明光学系と、接触状態を確認するための高速・高分解能なカメラの結像光学系とを両立させるために複雑な光学系が必要であった。【解決手段】 型の平面部を基板の上の組成物に接触させた状態で組成物を硬化させる平坦化装置に用いられる型に、平面部が設けられた面に対象物が接触したことを検知する接触検知センサを設ける。これにより、接触状態を確認するためのカメラを設けなくとも、基板と型の接触状態を簡便に確認することができる。【選択図】 図５

Description

本発明は、型、平坦化装置、平坦化方法及び物品の製造方法に関する。

半導体デバイスの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィ技術に加えて、基板上の未硬化の組成物を型で成形して硬化させ、基板上に組成物のパターンを形成する微細加工技術が注目されている。かかる技術は、インプリント技術と呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細なパターンを形成することができる。

インプリント技術の１つとして、例えば、光硬化法がある。光硬化法を採用したインプリント装置は、基板上のショット領域に供給された光硬化性の組成物を型で成形し、光を照射して組成物を硬化させ、硬化した組成物から型を引き離すことで、基板上にパターンを形成する。

また、近年では、基板上の組成物を平坦化する技術が提案されている（特許文献１参照）。特許文献１に開示された技術は、基板の段差に基づいて組成物を滴下し、滴下した組成物に型の平面を接触させた状態で組成物を硬化することで平坦化の精度向上を図るものである。

このような平坦化装置においては、基板と型との間に気泡や異物等が挟まってしまうと所望の平坦化処理が行えないため、型の上側にカメラを設け、型を介して基板上の組成物と型との接触状態をカメラからの画像を用いて確認することが行われている。

特表２０１１−５２９６２６号公報

従来の平坦化装置では、光硬化に用いる光を型を介して組成物に対して照射する必要があり、光硬化に用いる光を照射する照明光学系と、接触状態を確認するための高速・高分解能なカメラの結像光学系とを両立させるために複雑な光学系が必要であった。

そこで本発明は、型と組成物との接触状態を確認するためのカメラを設けなくとも、基板と型との接触状態を簡便に確認することができる構成を提供することを目的としている。

上記目的を達成するために、本発明は、平面部を有する型を保持する型保持部と、基板を保持する基板保持部と、前記基板の上に設けられた組成物を硬化させる硬化部と、を有し、前記型の平面部を前記基板の上の組成物に接触させた状態で前記組成物を前記硬化部で硬化させる平坦化装置に用いられる前記型であって、前記平面部が設けられ、前記組成物が設けられた基板に接する側の面と、前記面に対象物が接触したことを検知する接触検知センサと、を有することを特徴としている。

本発明によれば、カメラを設けなくとも基板と型との接触状態を簡便に確認することができ、基板上の組成物を平坦化するのに有利な技術を提供することができる。

平坦化装置における平坦化処理を説明する図である。 平坦化装置を含む平坦化システムの構成を示す図である。 平坦化装置の構成を説明する図である。 平坦化装置の型及び型保持部の構成を説明する図である。 型に設けられた電極構成を説明する図である。 第１の実施形態に係る平坦化装置の型の断面構造を説明する図である。 （ａ）Ｙ軸側透明電極の静電容量の変化を示す信号波形の一例である。（ｂ）Ｘ軸側透明電極の静電容量の変化を示す信号波形の一例である。（ｃ）図７（ａ）（ｂ）の信号波形を受信する際の接触状態を説明する図である。 平坦化装置の平坦化処理の流れを示すフローチャートである。 第２の実施形態に係る平坦化装置の型の断面構造を説明する図である。 物品の製造方法を例示する図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

（第１の実施形態）
図１には、平坦化処理が模式的に示されている。本実施形態において説明する平坦化処理は、基板全面上に組成物を滴下して、その組成物と型を接触させて、組成物を平坦化させる処理について説明するが、基板の一部の領域上の組成物と型を接触させて、組成物を平坦化させてもよい。

まず、図１（ａ）に示すように、下地パターンＷが形成されている基板１に対して、組成物ＭＬを配置する（組成物配置工程）。具体的には後述する基板保持部３４０によって保持された基板１上にディスペンサなどの液滴供給部ＤＰによって平坦材料として用いられる組成物ＭＬが滴下される。ここで、基板１の表面に形成された下地パターンＷの形状に応じて、液滴供給部ＤＰによって配置される組成物ＭＬの分布を調整してもよい。

次に、図１（ｂ）に示すように、基板１上に基板１と同一または基板１よりも大きい寸法を有する平面部を備えた型ＳＳ（スーパーストレートとも称される）を、基板１の組成物ＭＬと接触させる（接触工程）。これにより、組成物ＭＬが広がって膜状になる。

次に、図１（ｃ）に示すように、型ＳＳを基板１の上の組成物ＭＬと接触させた状態で、組成物ＭＬを硬化させるためのエネルギーを硬化部ＩＬから組成物ＭＬに与え、組成物ＭＬを硬化させる（硬化工程）。なお、硬化工程の際には、型ＳＳの平面部が基板上の組成物ＭＬにすべて接触し、型ＳＳの平面部が基板１の表面形状に倣った状態であることが必要である。硬化工程で用いられる硬化用のエネルギーとしては、光源ＩＬ（光照射部）から放射される紫外線等の光を用いることができる。

詳細は後述するが、硬化用エネルギーとして光を用いる場合には、組成物ＭＬに光硬化性を有する材料を用い、かつ、型ＳＳは光源からの光を透過する材料で設け、光源ＩＬ（硬化部）からの光を型ＳＳを介して組成物ＭＬに照射し、組成物ＭＬを硬化させる。

次に、図１（ｄ）に示すように、基板１上の硬化した組成物ＭＬから型ＳＳを分離させる（分離工程）。これにより、基板１上には、硬化した組成物ＭＬからなる平坦化膜が残る。つまり型ＳＳを用いることで、局所的に平坦化された表面を有する平坦化層（平坦化膜）を組成物ＭＬの硬化物によって形成することができる。以上のような平坦化方法では、基板１の複数のショット領域の全域をカバーする面積を有する型ＳＳを用いることで、基板１の全域に平坦化層を一括で形成することができる。

なお、以下の説明では、基板１上の下地パターンＷについては説明を省略するが、基板１と組成物ＭＬとの間には製造工程に応じた下地パターンＷが設けられているものとする。

図２には、本発明に係る平坦化システム１００の全体構成が示されている。本明細書および図面では、鉛直方向をＺ軸とするＸＹＺ座標系において方向が示される。平坦化システム１００は、１又は複数の平坦化装置（膜形成装置）Ｒを備えている。平坦化装置Ｒでは、図１を用いて説明した基板１の上の組成部ＭＬと型ＳＳとを接触させる接触工程、組成物ＭＬを硬化させる硬化工程、および、組成物ＭＬの硬化物と型ＳＳとを分離する分離工程を含む平坦化処理が実行される。

図２の平坦化システム１００には、基板搬送機構２０４と、準備ステーション２２０と、熱処理部２０９と、制御部２１０とが設けられている。基板搬送機構２０４は、例えば、ＥＦＥＭ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｆｒｏｎｔ Ｅｎｄ Ｍｏｄｕｌｅ）を用いることができる。この基板搬送機構２０４によって、基板搬送容器２０３、熱処理部２０９、準備ステーション２２０の間で基板１を移動（搬送）させることができる。基板搬送容器２０３は、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ−Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）を用いることができる。基板搬送容器２０３に格納された基板１は、基板搬送機構２０４によって、準備ステーション２２０に搬送される。

準備ステーション２２０は、アライメント機構２０５と、液滴供給部（ディスペンサ）ＤＰが設けられている。液滴供給部ＤＰは、アライメント機構２０５の情報に配置されている。

アライメント機構２０５は、基板搬送機構２０４によって基板搬送容器２０３から搬送されてくる基板１のＺ軸周りの回転を計測し、その結果に基づいて基板ＷのＺ軸周りの回転を目標角度に調整する。基板１のＺ軸周りの回転は、例えば、基板１のノッチを検出することに計測することができる。また、アライメント機構２０５は、基板１の位置を計測できる。そしてアライメント機構２０５は、計測された基板１の位置の計測結果に基づいて、基板１の位置を調整することができる。なお、アライメント機構２０５から基板搬送機構２０４の搬送ハンド２０２に基板１を引き渡すときの搬送ハンド２０２の位置を、基板１の位置の計測結果に基づいて調整するようにしてもよい。また、準備ステーション２２０には、基板１の温度を調整する機能を設けてもよい。

液滴供給部ＤＰは、基板１の上に組成物ＭＬを配置する。液滴供給部ＤＰは、組成物ＭＬを循環させる循環部２１１と接続されている。循環部２１１は、組成物ＭＬの温度調整等を行って物性を維持し、また、液滴供給部ＤＰの吐出面の濡れ性の維持や液滴供給部ＤＰの内部圧力を一定に維持するために組成物ＭＬを循環させる。組成物ＭＬの循環経路は、循環部２１１に設けられた貯蔵タンクから液滴供給部ＤＰの吐出面を通って該貯蔵タンクに戻る経路とすることができる。また、液滴供給部ＤＰは、スピンコーターまたはスリットコーターとして構成されてもよい。

基板１は、基板搬送機構２０４によって基板搬送容器２０３から準備ステーション２２０に搬送される。準備ステーション２２０では、基板１のＺ軸周りの回転および位置の調整のための処理の他、基板１の上に組成物ＭＬを配置する処理が実行される。一つの例では、アライメント機構２０５によって保持された基板１の位置が固定された状態で、液滴供給部ＤＰがＸＹ平面に沿って移動しながら組成物ＭＬを吐出し、これによって基板１の上に組成物ＭＬを配置することができる。他の例では、アライメント機構２０５が基板搬送部を有し、該基板搬送部によって基板１をＸＹ平面に沿って搬送しながら液滴供給部ＤＰから組成物ＭＬを吐出することによって基板１の上に組成物ＭＬを配置することができる。あるいは、該基板搬送部によって基板１をＸＹ平面に沿って搬送するとともに液滴供給部ＤＰもＸＹ平面に沿って移動させながら基板１の上に組成物ＭＬを配置してもよい。あるいは、アライメント機構２０５によって基板１のＺ軸周りの回転および位置が計測された後、基板搬送機構２０４の搬送ハンド２０２が基板１を保持した状態で基板１の上に液滴供給部ＤＰによって組成物ＭＬを配置してもよい。

熱処理部２０９は、基板１のベーキング処理（加熱処理）を行ったり、クーリング処理するために用いられる。なお、熱処理部２０９は、平坦化処理Ｒの一部として構成してもよいし、平坦化装置Ｒとは異なる装置として構成してもよい。

制御部２１０は、平坦化装置Ｒ、基板搬送機構２０４、準備ステーション２２０および熱処理部２０９を制御することができ、すなわち平坦化システム１００の全体を制御しうる。制御部２１０は、例えば、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙの略。）などのＰＬＤ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅの略。）、又は、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔの略。）、又は、プログラムが組み込まれた汎用又は専用のコンピュータ、又は、これらの全部または一部の組み合わせによって構成される。また、制御部２１０は、平坦化装置Ｒを含む平坦化システム１００の各部を統括的に制御して平坦化処理を行う処理部として機能する。なお、平坦化システム１００を構成する各平坦化装置Ｒに制御部を設け、当該平坦化装置Ｒ内の制御部を平坦化処理を行う処理部として機能させてもよい。

平坦化装置Ｒは、図１（ｂ）〜図１（ｄ）で説明した平坦化処理を実行する。なお、図１（ａ）に示された組成物配置工程も平坦化装置Ｒ内に液滴供給部ＤＰを設けて実行してもよい。なお、平坦化システム１００内に複数の平坦化装置Ｒが配置される場合には、それらはＸＹ平面に沿って配置されてもよいし、Ｚ軸に沿って積み重ねて配置されてもよい。また、平坦化システム１００に複数の平坦化装置Ｒが配置される場合、それらはＸＹ平面に沿って配置されてもよいし、Ｚ軸に沿って積み重ねて配置されてもよい。また本実施形態では、平坦化装置Ｒで、接触工程、硬化工程、分離工程を連続して行う例を用いて説明するが、接触工程を実行する装置、硬化工程を実行する装置、および、分離工程を実行する装置に分けて構成してもよい。

組成物ＭＬとしては、硬化用のエネルギーが与えられることによって硬化する硬化性組成物を用いることができる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱などを用いることができる。電磁波としては、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光を用いることができる。硬化性組成物は、光の照射によって、或いは、加熱によって硬化する組成物である。光の照射によって硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて、非重合性化合物又は溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。組成物ＭＬは、液滴供給部ＤＰ（液体噴射ヘッド）によって、液滴状、或いは、複数の液滴が繋がって形成された島状又は膜状の形態で基板１の上に配置されてもよい。このような組成物ＭＬの粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下のものを用いることができる。また、硬化用のエネルギーとして熱を用いる方法では、熱可塑性樹脂をガラス転移温度以上の温度に加熱し、該樹脂の流動性を高めた状態で該樹脂を介して基板に型を押し付け、冷却した後に該樹脂から型を分離することで平坦化膜を形成することができる。

以下の本実施形態では、硬化用エネルギーとして紫外線光を用い、組成物ＭＬとして光硬化性の材料が用いられる例を用いて説明する。

基板１は、シリコンウエハが代表的な基材であるが、これに限定されるものではない。基板１は、アルミニウム、チタン−タングステン合金、アルミニウム−ケイ素合金、アルミニウム−銅−ケイ素合金、酸化ケイ素、チッ化ケイ素等の半導体デバイス用基板、石英ガラス、セラミックス、金属、樹脂等の中からも任意に選択することができる。なお、基板１には、シランカップリング処理、シラザン処理、有機薄膜の成膜、等の表面処理により密着層を形成し、硬化性組成物との密着性を向上させた基板を用いてもよい。なお、基板１は、典型的には、直径３００ｍｍの円形であるが、これに限定されるものではない。

型ＳＳとしては、光照射工程を考慮して光透過性の材料で構成された型を用いる。型ＳＳを構成する材料の材質としては、具体的には、ガラス、石英、ＰＭＭＡ（Ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリカーボネート樹脂等の光透明性樹脂、透明金属蒸着膜、ポリジメチルシロキサン等の柔軟膜、光硬化膜、金属膜等が好ましい。なお、型ＳＳは、３００ｍｍよりも大きく、５００ｍｍよりも小さい直径の円形が好ましいが、これに限られない。また、型ＳＳの厚さは、好適には、０．２５ｍｍ以上２ｍｍ未満であるが、これに限られない。また、上述の基板搬送機構２０４は、平坦化装置Ｒへ型ＳＳを搬送する型搬送機構としても機能させることができ、基板搬送機構２０４の搬送ハンド２０２が型搬送容器（不図示）から型ＳＳを取り出し、当該型ＳＳは平坦化装置Ｒへと搬送される。

半導体形成工程においては、１枚の基板１に対して、図１（ａ）〜図１（ｄ）に示された平坦化層形成（膜形成）工程が複数回にわたって実施されてもよい。半導体デバイスの製造工程は、プラズマエッチング、コーティング、洗浄、イオン注入等において基板１に高熱が加わるプロセスが多い。基板１を一旦平坦化した後も組成物ＭＬが後工程で加えられた熱によって収縮したり歪が解放されたりして、再び基板１の平坦度が低下する可能性がある。基板１の平坦度が低下する度に、基板１を平坦化処理するのは効率がよくない。そこで、平坦化膜の形成の直後にヒートサイクルを行って予め基板１の組成物ＭＬを収縮させ、歪を開放してから速やかに後の工程へ送ることが有利な場合がある。前述の熱処理部２０９は、このような用途に有用である。また熱処理部２０９は、複数の基板を一度に処理可能に構成することもできる。例えば、熱処理部２０９は、基板１を一定間隔で鉛直方向に積み上げ、一定数量を単位としてバッチ方式でベーキングおよびクーリングを実行しうる。例えば、基板搬送機構２０４に戻ってきた基板１を熱処理部２０９に送り、複数の基板１に対して約２５０度から４００度のベーキングと急速クーリングを行うことができる。

次に、図３及び４を用いて本実施形態に係る平坦化装置Ｒおよび型ＳＳの構成を詳細に説明する。図３は、平坦化装置Ｒを側面側（Ｘ軸側）からみた図である。図４は、本実施形態に係る、接触検知センサ（タッチセンサとも称する）を構成する電極を有する型ＳＳと型ＳＳを保持する型保持部３０２、ヘッド３０１等の構成を説明する図であり、ヘッド３０１を下側（基板上の組成物に接する側）から見た図である。

平坦化装置Ｒは、光源３０４、基板チャック３４０（基板保持部）、基板ステージ３０５、基板駆動機構３３０、ヘッド３０１、ヘッド３０１に支持される複数の型駆動機構３０８、型駆動機構３０８によって駆動される型保持部３０２を有する。さらに、平坦化装置Ｒには、型ＳＳと電気的に接続し、電気信号を伝送させるためのフレキシブルプリント基板等の配線基板３０３、配線基板３０３を介して伝送される型ＳＳの接触検知センサからの電気信号を処理する信号処理部３０７が設けられている。さらに、型と型保持部３０２との間に設けられた空間領域３００の圧力を調整する圧力制御部３０６も設けられている。

型ＳＳは、搬送ハンド２０２により搬入され、型保持部３０２に保持される。型保持部３０２は、例えば真空吸引力または静電吸引力により型ＳＳを保持することができる。型保持部３０２は、例えば、ガラス、セラミックス、金属または樹脂で設けることができ、より具体的には、石英ガラス、サファイア、ＳｉＣセラミックス、アルミナセラミックス、アルミニウム合金またはコージライトで構成することができる。型ＳＳは、円形または四角形の外形で設けることができ、基板１に接する側の面に平面部が設けられている。平面部は、基板１上の組成物ＭＬに接触して基板１の表面形状に倣うような剛性を有する。また、型保持部３０２も、光照射工程を考慮して光源からの光の光路に配置される部分がある場合には、当該部分は光透過性の材料で構成する。なお、当該部分は、照射される光に対して６０％以上の透過率を有する材料であることが好ましい。

また、型保持部３０２は、型ＳＳを保持した状態で、型保持部３０２と型ＳＳとの間に密閉された空間領域３００が形成されるように構成されている。空間領域３００の圧力を圧力制御部３０６によって制御することで、型ＳＳの形状を制御することができる。具体的には、型ＳＳが基板１の組成物ＭＬに接触開始する際に、空間領域３００を加圧することによって、型ＳＳを基板１に向かって凸形状となるように変形させる。これにより型ＳＳの中央部から組成物ＭＬに接触を開始させることができ、その後型保持部３０２による吸着が解除されて型ＳＳの平面部が組成物ＭＬの表面上に倣うことで、型ＳＳの平面部を撓みなく組成物に接触させることができる。すなわち、型ＳＳの中央部分から均等に型ＳＳと基板１との接触領域が放射線状に広がっていく状態が、接触工程の正常な状態であるといえる。

図４に示すように、型保持部３０２の寸法は、型ＳＳよりも大きくなるように設けられており、型保持部３０２の外周部分がヘッド３０１に結合されて設けられている。ヘッド３０１には、型ＳＳのＺ軸周りの傾きを補正するための複数の型駆動機構３０８が設けられている。図４に示す例では、３つの型駆動機構３０８がヘッド３０１の３か所に１２０度の均等配置されており、型保持部３０２をＺ軸方向およびチルト方向へ駆動することによって、型ＳＳのＺ軸方向の移動および傾き補正を行うことができる。また、型ＳＳからの電気信号伝送用の配線基板３０３は、ヘッド３０１に実装されており、ヘッド３０１を介して外部の信号処理部３０７へと接続されている。型ＳＳが型保持部３０２から開放されて基板１上に接触している際にも電気的に接続できているように、配線基板３０３を構成するフレキシブル配線基板の長さは適宜調整することが好ましい。なお、型ＳＳが解放されている間に電気的に接続されている必要は必ずしもなく、接触検知センサによる接触状態を知らなくてもよいタイミングにおいては、型ＳＳとの電気的接続は解除されていてもよい。

光硬化エネルギーとして用いられる紫外線は、ヘッド３０１内部に設けた光源３０４から発せられ、紫外線が透過する材料で設けられた型保持部３０２および型ＳＳを透過し、基板１上の組成物ＭＬに照射される。詳細は後述するが、本実施形態においては、接触検知センサを型ＳＳに設けることで、従来のような型ＳＳと基板１との接触状態を確認するための高速・高分解能なカメラの結像光学系を設ける必要がない。つまり結像光学系と両立させるために、基板から離れて配置された光源からの光を基板へ導く照明光学系を設ける必要がないため、光源３０４を基板１の対向する位置（基板の近傍）に設けることができる。これにより、光源３０４として紫外線を発光するＬＥＤ素子を複数配列して設けたＬＥＤ光源を用いることができる。図３の例では、ヘッド３０１の内部に光源３０４を配置することで、基板１の近傍に光源３０４を配置している。

基板駆動機構３３０は、基板ステージ３０５を駆動させることにより基板１の位置を調整することができるように設けられており、具体的には基板ステージ３０５を、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、およびＺ軸方向に駆動させることができるように構成されている。すなわち、基板駆動機構３３０とヘッド３０１とが、基板１と型ＳＳとの相対位置が調整する相対駆動機構を構成する。つまり、基板駆動機構３３０およびヘッド３０１の少なくとも一方でＺ軸方向に関しての相対位置が変更できるように構成されている。これにより接触工程において基板１上の組成物ＭＬと型ＳＳとを接触させ、分離工程において基板１上の硬化された組成物ＭＬと型ＳＳとを分離するように、基板１と型ＳＳとのＺ軸方向に関する相対位置を変更させることができる。

また、基板駆動機構３３０は、基板搬送機構２０４の搬送ハンド２０２との間で基板１を受け渡しする受け渡し位置に基板ステージ３０５を駆動するように構成されていてもよい。また、搬送ハンド２０２が平坦化装置Ｒに型ＳＳを搬送する際には、基板駆動機構３３０は、型ＳＳを保持した状態で基板ステージ３０５を駆動することで、型保持部３０２に型ＳＳを吸着させるようにしてもよい。

次に、図５及び図６を用いて、本実施形態に係る接触検知センサ（タッチセンサとも称する）を構成する電極を有する型ＳＳの詳細について説明する。

本実施形態の型ＳＳには、静電容量方式のタッチセンサを構成する電気回路技術が適用されている。タッチセンサの静電容量方式としては、表面型静電容量方式や投影型静電容量方式があり、投影型静電容量方式には主に駆動方法の違いから、自己容量方式や相互容量方式などが知られており、これらを採用することができる。本実施形態において、接触開始点のみがわかればよい場合には、自己容量方式を採用することもできるが、接触状態を判別するための接触境界線を確認したい場合には、同時に複数の接点の検出が行える相互容量方式のタッチセンサを採用することが好ましい。以下の実施形態の説明では、投影型静電容量方式のタッチセンサを型ＳＳに採用した例を用いて説明する。

図５は、型ＳＳに設けられた電極構成を説明する図であり、型ＳＳの組成物ＭＬと接触する面とは反対側の面側からみた図である。型ＳＳのタッチセンサ部は、複数のＸ電極５２０Ｘ１〜Ｘｎ（ｎ＝２以上）と複数のＹ電極５１０Ｙ１〜Ｙｎ（ｎ＝２以上）が、互いに交差（直交）するように配置されている。

各Ｘ電極は、複数の矩形形状の透明導電材料からなる透明電極５０２ａとこれらを接続する透明導電材料からなる配線５０２とで構成されており、それぞれ配線基板３０３に配線５０４で電気的に接続されている。同様に各Ｙ電極も、複数の矩形形状の透明材料からなる透明電極５０１ａとこれらを接続する透明導電材料からなる配線５０１とで構成されており、それぞれ配線基板３０３に配線５０３で電気的に接続されている。そして各Ｘ電極の透明電極５０２ａと各Ｙ電極の透明電極５０１ａとは、Ｚ軸方向視において重ならないように配置されている。透明電極５０１ａ、５０２ａ及び配線５０１、５０２はこれらの間にできるだけ隙間が生じない形状として配置することが好ましい。また、これらの隙間に透明電極または透明配線と同一の導電膜を含むダミー電極を設けてもよい。

なお、本実施形態でいうところの透明導電材料とは、光源３０４から発せられた紫外線が透過する導電性材料のことである。具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物またはグラフェンを用いることができる。また、これらの配線５０１、５０２、透明電極５０１ａ、５０２ａは、上述の透光性を有する導電性材料を型ＳＳの上にスパッタリング法等により成膜した後、フォトリソグラフィ法等の様々なパターニング技術により、不要な部分を除去して形成することができる。

図６は、型の断面構造を説明する模式図であり、３つの透明電極が設けられた場合の例を示している。型ＳＳを構成する薄板状の透明基板６００を最下層として、絶縁層６０１が積層されている。さらにその上に透明電極５０１ａおよび配線５０１とこれらの上に絶縁層を形成した第１のパターニング層６０２と、透明電極５０２ａおよび配線５０２の上に絶縁層を形成した第２のパターニング層６０３と、が積層されることで接触検知センサが構成されている。配線５０３及び配線５０４は型ＳＳの外周部においてその表面が露出するように設けられ、配線基板３０３と電気的に接続されている。配線５０３および配線５０４は透明電極５０１ａ等と同じ透明導電材料で設けることもできる。しかし紫外線を透過させなくてもよい場合には、配線５０３および５０４は、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いてもよい。

型ＳＳの組成物と接触する側の面に基板１上の組成物ＭＬ等の静電容量を変化させうる対象物が接触すると、静電容量に変化が生じる。そして、その変化量を接触信号として信号処理部３０７において検知することで型ＳＳの電極Ｘ１〜Ｘｎと電極Ｙ１〜Ｙｎのどの部分で接触が生じたかを検知することができる。このとき静電容量の変化する領域は、組成物ＭＬの接触面積と対応しており、静電容量の変化が所定値以上生じている領域は、組成物ＭＬと型ＳＳの表面とが接触している領域であると判断することができる。

図７を用いて型ＳＳの表面に基板１上の組成物ＭＬが接触した際の検知状況について説明する。図７（ａ）は、Ｙ電極の静電容量の変化を示す信号波形の一例である。図７（ｂ）Ｘ電極の静電容量の変化を示す信号波形の一例である。図７（ａ）（ｂ）ではＸ電極、Ｙ電極それぞれｎ＝１番〜１５番まで設けられている場合の波形を示している。横軸は、各電極の番号ｎであり、縦軸は各電極の静電容量の変化を示している。それぞれの静電容量の変化は信号処理部３０７へと伝送される。信号処理部３０７では、Ｘ電極の中で静電容量の変化が最大となる電極番号と、Ｙ電極の最大となる電極番号とを抽出し、その交差する部分に対応する位置が接触中心７０１であると判定することができる。

図７（ｃ）は、図７（ａ）（ｂ）の信号波形を受信する際の接触状態を説明する図であり、接触中心７０１から接触開始され、接触境界７０２まで型ＳＳと基板１とが接触した場合の波形例を示している。接触中心７０１に対応するＹ電極ｎ＝８番とＸ電極ｎ＝８番の部分が静電容量の変化量が最も大きくなるため、最も変化している。

また、初期値から所定値以上変化している領域が接触領域であるといえるため、隣接する電極間で初期値から所定値以上の変化が生じた境界電極番号の箇所が接触境界７０２であると判断することができる。図７の例では、Ｘ電極ｎ＝３番、Ｘ電極ｎ＝１３番、Ｙ電極ｎ＝３番、Ｙ電極ｎ＝１３番が接触境界７０２を検知しているといえる。そして、型ＳＳの接触工程中に接触境界７０２が接触中心７０１から放射線状に広がっている場合には、型ＳＳと基板１との接触工程が正常に進行していると判断することができる。

なお、本実施形態では図７に示すように型ＳＳの接触面のほぼ全面にわたってＸ電極とＹ電極が設けられている例を用いて説明したが、接触中心を判断できる領域と当該領域から放射線状に広がる状態が判別できる程度の電極を設けるだけでもよい。すなわち、型ＳＳの中心部分から放射線状に広がる複数のライン上に、中心部分からの距離が互いに異なる複数の電極を設け、少なくとも中心部分の位置と複数の電極の位置で接触検知ができればよい。

次に、図８を参照して、本実施形態における平坦化装置Ｒにおける平坦化処理について説明する。図８は、平坦化装置の平坦化処理の流れを示すフローチャートである。平坦化処理は、上述したように、制御部２１０が平坦化装置Ｒの各部を統括的に制御することで行われる。

ステップＳ１での処理が開始される前に、制御部２１０は、図１（ａ）に示すような組成物配置工程を行う。具体的には、準備ステーション２２０において、アライメント機構２０５の基板支持テーブルＷＴによって支持された基板１の上に液滴供給部ＤＰによって平坦化材料としての組成物ＭＬが配置させる。

その後、ステップＳ１において、制御部２１０は、基板搬送機構２０４によって組成物が設けられた基板１を平坦化装置Ｒ内に搬入し、基板保持部３４０の上に載置する。

ステップＳ２においては、制御部２１０は、図１（ｂ）に示す接触工程を開始する処理として、型接触処理を開始する。具体的には、制御部２１０は、型保持部３０２によって保持された型ＳＳが下降するようにヘッド３０１を下降させ、基板１の上の組成物ＭＬと型ＳＳの平面部との接触を開始する。その際に型ＳＳは、その自重および圧力制御部３０６による空間領域３００の圧力制御によって下方に凸形状になるように撓ませてある。そのため、型ＳＳの中央部が最初に基板Ｗの上の組成物ＭＬに接触する。したがって、正常に接触開始された場合には、図７（ｃ）に示すような型の点７０１が接触開始点となるため、Ｘ電極ｎ＝８番、Ｙ電極ｎ＝８番の静電容量の変化として信号処理部３０７へと伝送される。

次に、ステップＳ２において、制御部２１０は、接触開始点の位置が正常かを判定する。具体的には、制御部２１０は、信号処理部３０７で検知された接触開始点がＸ電極ｎ＝８番、Ｙ電極ｎ＝８番となっているかを判定する。ステップＳ２で正しい位置であると判定された場合には、ステップＳ６に進み、正しい位置ではないと判定された場合には、ステップＳ４に進み調整処理を行う。

ステップＳ４において、制御部２１０は、図４に示すヘッド３０１の３つの型駆動機構３０８を駆動させることで、接触開始点の位置が正しい位置となるように型保持部３０２のチルト調整を行う。そしてステップＳ５では、制御部２１０は信号処理部３０７で検知結果をもとに接触開始点の位置が正常かどうかを判定する。ステップＳ５で正常であると判定された場合には、ステップＳ６に進む。一方、ステップＳ４で再度正常でないと判定されるような場合には、基板１と型ＳＳとの間に気泡や異物などが発生している可能性があるため、ステップＳ１２に進みあらかじめ定められた所定のエラー処理を行い、処理を終了する。エラー処理の具体例としては、当該搬送された基板の処理は終了して次の基板の平坦化処理に移行する処理であったり、型ＳＳを洗浄する洗浄処理を採用することができる。なお、このような洗浄処理を行う洗浄手段は、平坦化装置Ｒ内に設けてもよいし、平坦化装置Ｒ外に設けてもよい。

ステップＳ６では、制御部２１０は、圧力制御部３０６に空間領域３００の圧力を制御させ、型の接触処理を継続する。このとき正常であれば組成物ＭＬと型ＳＳの接触開始後、接触領域とその外側の非接触領域の境界における型ＳＳの（ＸＹ平面に平行な面に対する型ＳＳの角度）が一定に維持されながら接触領域が拡大する。このように型ＳＳの中央部から放射線状に接触領域を拡大させることによって、組成物ＭＬの厚さを一定に維持しながら組成物ＭＬを膜状に広げることができる。

ステップＳ７では、制御部２１０は、ステップＳ６で開始された接触処理において接触領域が正常に進行しているかを判定する。具体的には、制御部２１０は、信号処理部３０７において各電極の静電容量の時間変化をリアルタイムで検知することで、接触境界が中央部から外縁に向かって放射線状に移動する状況をモニタリングすることができる。そしてステップＳ７で接触領域が正常に進行していると判定されている場合にはステップＳ８に進み、モニタリング中に、放射線状に広がっていないなどの異常が発生したと検知された場合には、ステップＳ１２に進みあらかじめ定められた所定のエラー処理を行う。

ステップＳ８では、制御部２１０は、ステップＳ６で開始された接触処理が進行し接触境界が基板１の外縁付近まで到達し、型保持部３０２による型ＳＳの保持が解除され、型ＳＳが基板１の組成物ＭＬ上に載置されたかを判定する。接触処理が完了するまで、ステップＳ６に戻り処理を続け、一方接触処理が完了したと判定された場合には、ステップＳ９に進む。型接触処理が完了状態とは、型ＳＳが基板１の組成物ＭＬ上に載置された状態であり、型ＳＳは、基板１のグローバルな凹凸にならい密着し、組成物ＭＬからなる膜は、基板１の全域において均一になり平坦化膜を形成する。

次に、ステップＳ９では、制御部２１０は、図１（ｃ）に示す光源３０４からの光（紫外線）を型保持部及び型ＳＳを介して組成物ＭＬに照射させ、光硬化性の組成物ＭＬを硬化させる硬化工程（露光工程）を行う。硬化用のエネルギーとなる紫外線の照射時間は、数十秒である。一般的に組成物ＭＬに用いられる材料は高い揮発性を有しているが、接触工程において組成物ＭＬからの揮発は、膜の平坦性に影響を及ぼす可能性がある。そのため、基板１の上に組成物ＭＬを供給した後、平坦化装置Ｒにおいて未処理のままで基板１を待機させる状況、は組成物ＭＬの揮発が大きくなるため望ましくない。そのため、接触工程から速やかに硬化工程へ移行することが望ましく、接触工程において接触領域が型ＳＳの中央部から外縁に向かって拡大する動作に合わせて、硬化用のエネルギーを照射する領域を該中央部から外周に向かって拡大または移動させてもよい。

次に、ステップＳ１０では、制御部２１０は、ヘッド３０１の３つの型駆動機構３０８をおよび圧力制御部３０６を制御し、型保持部３０２によって型ＳＳを再び吸着保持させ、図１（ｄ）に示すように、基板１上の硬化した組成物ＭＬから型ＳＳを分離させる。このとき、単にヘッド３０１を鉛直方向（Ｚ軸方向）に上昇させて組成物ＭＬから型ＳＳを分離しようとすると、数百Ｎ（ニュートン）もの大きな力が必要となる。このような大きな力が型ＳＳや基板１に加わると、基板１が有するパターンの破損や組成物ＭＬの剥離や型ＳＳの破損等が引き起こされる可能性がある。そのため、まず組成物ＭＬと型ＳＳとの界面に対して局所的に数Ｎ程度の力を加えて組成物ＭＬと型ＳＳとの分離開始点を形成し、さらにヘッド３０１を上昇あるいは傾斜させて、分離開始点を起点として分離領域を拡大させ、分離を完了させることが好ましい。これにより、分離に必要な力を低減することができ、基板１が有するパターンの破損や組成物ＭＬの剥離や型ＳＳの破損当を防止することができる。なお、この分離動作中にも制御部２１０は、信号処理部３０７において各電極の静電容量の時間変化をリアルタイムで検知することで、分離時の接触状況をモニタリングすることができる。

ステップＳ１１では、制御部２１０は、平坦化装置Ｒによる平坦化処理が完了したものとして、基板搬送機構２０４によって基板保持部３４０の上基板１を平坦化装置Ｒ内から搬出し、基板搬送容器２０３などに戻し処理を完了する。なお、基板搬送容器２０３内に処理予定の基板が残っているような場合には、再度Ｓ１からの処理を開始する。

なお、図８のフローチャートに示す例では、接触開始点の位置が正常であるかと型接触処理を継続している間の接触状態が正常であるかをいずれも判定する例を用いて説明したが、両方行う必要はなく、適宜いずれか一方が行われるようにしてもよい。

また、本実施形態の接触処理の例では、型ＳＳが型保持部３０２から分離される場合を用いて説明したが、型ＳＳが型保持部３０２に保持された状態で接触処理を行ってもよい。

以上のように、本実施形態においては型ＳＳに接触検知センサを設けたことにより、型ＳＳと組成物ＭＬとの接触状態を確認するための高速・高分解能なカメラの結像光学系を設ける必要がなくなる。これにより、光硬化に用いる光を照射する照明光学系と、接触状態を確認するための高速・高分解能なカメラの結像光学系とを両立させる複雑な光学系を設ける必要がないため、上述したように照明光学系の構成を簡便な構成とすることができる。さらに、本実施形態の接触検知センサによれば、基板と型との接触状態を簡便に確認することができるため、基板上の組成物を平坦化するのに有利な技術を提供することができる。

（第２の実施形態）
本実施形態では、第１の実施形態とは異なる型の断面構造の例について説明する。それ以外の構成については、第１の実施形態と同様であるため、説明を省略する。

図９は、型の断面構造を説明する模式図であり、図６と同様に３つの透明電極が設けた場合の例を示している。型ＳＳを構成する薄板状の透明基板６００を最下層として、第一絶縁層６０１ａと導電層８０１と第二絶縁層６０１ｂとが積層されている。導電層８０１は、不図示の配線により、配線基板３０３等を介して電圧を印可することができるように設けられている。導電層８０１に用いることができる透明導電材料としては、光源３０４から発せられた紫外線が透過する導電性材料のことである。具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物またはグラフェンを用いることができる。さらにその上に透明電極５０１ａおよび配線５０１とこれらの上に絶縁層を形成した第１のパターニング層６０２と、透明電極５０２ａおよび配線５０２の上に絶縁層を形成した第２のパターニング層６０３と、が積層されることで接触検知センサが構成されている。配線５０３及び配線５０４は型ＳＳの外周部においてその表面が露出するように設けられ、配線基板３０３と電気的に接続されている。配線５０３および配線５０４は透明電極５０１ａ等と同じ透明導電材料で設けることもできる。しかし紫外線を透過させなくてもよい場合には、配線５０３および５０４は、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いてもよい。

型ＳＳが図１（ｂ）の接触工程及び図１（ｄ）の分離工程を経ると、透明基板６００の組成物ＭＬと型ＳＳとの接触面が帯電し、周囲のパーティクルを引きつけて平坦化膜に欠陥が生じる怖れがある。そのため、接触工程および分離工程を行う際に、型ＳＳ内部の導電層８０１を設けておくことで、導電層８０１に電圧をかけて透明基板６００面を除電し、周囲のパーティクルを引き付けないように制御することができる。

このような断面構造を有する型ＳＳを用いた場合にも、第１の実施形態と同様に、型ＳＳに接触検知センサを設けたことにより、型ＳＳと組成物ＭＬとの接触状態を確認するための高速・高分解能なカメラの結像光学系を設ける必要がなくなる。これにより、光硬化に用いる光を照射する照明光学系と、接触状態を確認するための高速・高分解能なカメラの結像光学系とを両立させる複雑な光学系を設ける必要がないため、上述したように照明光学系の構成を簡便な構成とすることができる。さらに、本実施形態の接触検知センサによれば、基板と型との接触状態を簡便に確認することができるため、基板上の組成物を平坦化するのに有利な技術を提供することができる。

（平坦化装置による物品の製造）
以上本実施形態で説明したような平坦化装置Ｒを用いて、物品の製造を行うことができる。そのような物品製造方法は、平坦化装置Ｒを使って基板の上に組成物の硬化物からなる膜（平坦化膜）を形成する膜形成工程と、該膜形成工程を経た該基板を他の周知の加工処理を行う処理工程とを含み、該処理工程を経た該基板から物品を製造することができる。他の周知の加工工程には、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等が含まれる。

上記の平坦化装置Ｒは、基板１（例えば、基板１の１領域又は複数のショット領域あるいは基板１の全ショット領域）に組成物ＭＬの硬化物からなるパターンを形成するインプリント装置として構成されてもよい。インプリント装置において使用される型ＳＳは、基板Ｗに転写されるパターンが配置されたパターン領域、および、アライメントマークを有する。

さらに平坦化装置Ｒによって図１（ｄ）に示すように表面が平坦化された基板Ｗの上にインプリント装置を用いて組成物の硬化物のパターンを形成してもよい。以下、インプリント装置を用いて基板上に硬化物のパターンを形成する方法について説明する。

インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッ
チング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。

図１０に、インプリント装置によって基板にパターンを形成し、該パターンが形成された基板を処理し、該処理が行われた基板から物品を製造する物品製造方法について説明する。まず図１０（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。

図１０（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図１０（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１ｚと型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを介して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。

図１０（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。

図１０（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図１０（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

１ 基板
ＳＳ 型
２１０ 制御部
３０４ 光源
３０７ 信号処理部
５１０ Ｘ電極
５２０ Ｙ電極

Claims (13)

1. 平面部を有する型を保持する型保持部と、基板を保持する基板保持部と、前記基板の上に設けられた組成物を硬化させる硬化部と、を有し、前記型の平面部を前記基板の上の組成物に接触させた状態で前記組成物を前記硬化部で硬化させる平坦化装置に用いられる前記型であって、
   前記平面部が設けられ、前記組成物が設けられた基板に接する側の面と、
   前記面に対象物が接触したことを検知する接触検知センサと、
   を有することを特徴とする型。
2. 前記組成物は光硬化性の材料からなり、
   前記平坦化装置の硬化部は、前記型を介して光を照射することで、前記組成物を硬化させる光照射部であり、
   前記接触検知センサは、前記光照射部から照射される光が透過する材料からなる透明電極で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の型。
3. 前記接触検知センサは、対象物が接触すると静電容量が変化することにより、前記面への対象物の接触を検知することを特徴とする請求項１または２に記載の型。
4. 前記接触検知センサは、対象物との複数の接点を検知できることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の型。
5. 前記接触検知センサは、少なくとも型の中心部分の位置と、当該中心部分の位置から放射線状に広がるライン上の、前記中心部分からの距離が互いに異なる複数の位置において、検知できることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の型。
6. 平面部が設けられ、組成物が設けられた基板に接する側の面と、前記面に対象物が接触したことを検知する接触検知センサとを有する型を保持する型保持部と、
   基板を保持する基板保持部と、
   前記基板の上に設けられた組成物を硬化させる硬化部と、
   前記型の平面部を前記基板の上の組成物に接触させた状態で前記組成物を前記硬化部で硬化させるように制御する制御部と、を有し、
   前記制御部は、前記接触検知センサからの信号に応じて、前記型の平面部と前記組成物との接触を検知することを特徴とする平坦化装置。
7. 前記制御部は、前記接触検知センサからの信号に応じて、前記型の平面部と前記組成物との接触開始点および接触状態の少なくとも一方が正しいかを判定することを特徴とする請求項６に記載の平坦化装置。
8. 前記制御部は、前記接触開始点および前記接触状態の少なくとも一方に異常がある場合には、前記硬化部による組成物の硬化を行わないように制御することを特徴とする請求項７に記載の平坦化装置。
9. 前記組成物は光硬化性の材料からなり、
   前記硬化部は、前記型を介して光を照射することで、前記組成物を硬化させる光照射部であることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の平坦化装置。
10. 前記型の接触検知センサは、前記光照射部からの光が透過する導電性材料からなる透明電極で構成されており、
    前記光照射部は、前記型を介して前記基板の組成物に対して露光することを特徴とする請求項９に記載の平坦化装置。
11. 請求項６乃至１０のいずれか１項に記載の平坦化装置を用いて、基板を平坦にする工程と、前記工程で平坦にされた前記基板を加工する工程と、を含み、
    前記加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
12. 平面部が設けられ、組成物が設けられた基板に接する側の面と、前記面に対象物が接触したことを検知する接触検知センサとを有する型を保持する型保持部と、基板を保持する基板保持部と、前記基板の上に設けられた組成物を硬化させる硬化部と、を有することを特徴とする平坦化装置の平坦化方法であって、
    前記接触検知センサからの信号に応じて、前記型の平面部と前記組成物との接触を検知する検知工程と、
    検知工程の結果に応じて、前記組成物を硬化させる前記硬化部を制御する制御工程と、
    を行うことを特徴とする平坦化方法。
13. 前記制御工程では、前記接触検知センサからの信号に応じて、前記型の平面部と前記組成物との接触開始点および接触状態の少なくとも一方が正しいかを判定し、
    前記接触開始点および前記接触状態の少なくとも一方が正しくないと判定された場合には、前記組成物の硬化を行わないように制御することを特徴とする請求項１２に記載の平坦化方法。

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