JP2020072241A - 成形装置および物品製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】分離工程における基板および／またはモールドの破損を防止するために有利な技術を提供する。【解決手段】成形装置は、基板の上の硬化性組成物とモールドとを接触させる接触工程と、前記硬化性組成物と前記モールドとが接触した状態で前記硬化性組成物を硬化させる硬化工程と、硬化後の前記硬化性組成物と前記モールドとを分離する分離工程とを含む成形処理を行う。成形装置は、前記基板を保持する基板保持部と、前記モールドを保持するモールド保持部と、前記接触工程および前記分離工程が行われるように前記基板保持部と前記モールド保持部との相対位置を変更する駆動機構と、前記分離工程において前記基板が前記基板保持部によって保持され前記モールドが前記モールド保持部によって保持された状態で発生する異常を検出し前記異常の検出に応答して前記分離工程を中止させるように前記駆動機構を制御する制御部と、を備える。【選択図】図８

Description

本発明は、成形装置および物品製造方法に関する。

基板の上に配置された硬化性組成物を成形処理によって成形する成形装置がある。成形処理は、基板の上の硬化性組成物とモールド（型）とを接触させる接触工程と、硬化性組成物とモールドとが接触した状態で硬化性組成物を硬化させる硬化工程と、硬化後の硬化性組成物とモールドとを分離する分離工程とを含みうる。モールドは、テンプレートとも呼ばれうる。特許文献１には、第１の表面上に重合性化合物を配置し、該重合性化合物にテンプレートを接触させた後に該重合性化合物を固化させることが記載されている。該テンプレートは、平坦なパターニング表面を有しうる。

特表２０１１−５２９６２６号公報 特開２０１５−１１５３７０号公報

硬化性組成物とモールドとの結合力が予定されている結合力よりも強いと、分離工程において、硬化性組成物からモールドを分離することができない。このような現象は、例えば、モールドに対して離型剤が十分に提供されていない場合に起こりうる。特許文献２には、離型（分離工程）のために基板保持部および型保持部のうち少なくとも一方を駆動する駆動部と、該駆動部による離型の完了を検出する検出部とを有する装置が記載されている。該装置では、該検出部によって離型の完了が検出されていない場合に、該基板保持部による基板の保持力を大きくした上で離型のための再度の駆動が該駆動部によって行われる。

硬化性組成物とモールドとの結合力が予定されている結合力よりも強い場合に、その結合力を越える力で硬化性組成物からモールドを分離しようとすると、基板および／またはモールドを破損させうる。基板および／またはモールドが破損すると、その破損にともなってパーティクルが発生しうるので、装置の保守に相当な時間を要することになる。また、基板および／またはモールドの破損は、半導体デバイス等の物品の製造コストを上昇させうる。

本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、分離工程における基板および／またはモールドの破損を防止するために有利な技術を提供することを目的とする。

本発明の１つの側面は、基板の上の硬化性組成物とモールドとを接触させる接触工程と、前記硬化性組成物と前記モールドとが接触した状態で前記硬化性組成物を硬化させる硬化工程と、硬化後の前記硬化性組成物と前記モールドとを分離する分離工程とを含む成形処理を行う成形装置であって、前記基板を保持する基板保持部と、前記モールドを保持するモールド保持部と、前記接触工程および前記分離工程が行われるように前記基板保持部と前記モールド保持部との相対位置を変更する駆動機構と、前記分離工程において前記基板が前記基板保持部によって保持され前記モールドが前記モールド保持部によって保持された状態で発生する異常を検出し前記異常の検出に応答して前記分離工程を中止させるように前記駆動機構を制御する制御部と、を備える。

本発明によれば、分離工程における基板および／またはモールドの破損を防止するために有利な技術が提供される。

本発明の一実施形態の成形装置の構成を示す図。 成形処理の一例としての平坦化処理を例示する図。 基板保持部の構成を例示する図。 モールド保持部の構成を例示する図。 基板保持部、モールド保持部１、基板およびモールドの状態を例示する図。 分離工程異常の一例としての保持異常（基板保持部２による基板１の保持に関する異常）を例示する図。 成形装置の動作を示すフローチャート。 図７における工程Ｓ６０５（分離工程）の詳細手順の一例を示す図。 基板収納棚の構成を例示する図。 図７における工程Ｓ６０５（分離工程）の詳細手順の他の例を示す図。 モールド収納棚の構成を例示する図。 モールド搬送部のモールド搬送ハンドを例示する図。 物品製造方法を例示する図。

以下、添付図面を参照しながら本発明をその例示的な実施形態を通して説明する。

図１には、本発明の一実施形態の成形装置１００の構成が記載されている。成形装置１００は、基板１の上に硬化性生成物を成形する成形処理を行うように構成されうる。成形処理は、基板１の上の硬化性組成物とモールド１１とを接触させる接触工程と、硬化性組成物とモールド１１とが接触した状態で硬化性組成物を硬化させる硬化工程と、硬化後の硬化性組成物とモールド１１とを分離する分離工程とを含みうる。

本明細書および添付図面では、基板１の表面に平行な方向をＸＹ平面とするＸＹＺ座標系において方向を示す。ＸＹＺ座標系におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸にそれぞれ平行な方向をＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向とし、Ｘ軸周りの回転、Ｙ軸周りの回転、Ｚ軸周りの回転をそれぞれθＸ、θＹ、θＺとする。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な方向、Ｙ軸に平行な方向、Ｚ軸に平行な方向に関する制御または駆動を意味する。また、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な軸の周りの回転、Ｙ軸に平行な軸の周りの回転、Ｚ軸に平行な軸の周りの回転に関する制御または駆動を意味する。また、位置は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の座標に基づいて特定されうる情報であり、姿勢は、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の値で特定されうる情報である。アライメントは、位置および／または姿勢を制御することを意味する。アライメントは、基板１およびモールド１１の少なくとも一方の位置および／または姿勢の制御を含みうる。また、アライメントは、基板１およびモールド１１の少なくとも一方の形状を補正あるいは変更するための制御を含みうる。

硬化性組成物には、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。

硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。硬化性組成物は、スピンコーターやスリットコーターにより基板上に膜状に付与される。あるいは、硬化性組成物は、液体噴射ヘッドにより、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に付与されてもよい。硬化性生物の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下である。

成形装置１００は、平坦面１１ａを有するモールドを使用し、基板１の上に硬化性組成物によって平坦化膜を形成する平坦化装置として構成されうる。この場合、平坦面１１ａが硬化性組成物に接触した状態で硬化性組成物が硬化される。平坦化装置では、例えば、基板１の複数のショット領域に対して平坦化膜が一括して形成されうる。

あるいは、成形装置１００は、パターンを有するモールド１１を使用し、基板１の上の硬化性組成物にモールド１１のパターンを転写するインプリント装置として構成されうる。この場合、モールド１１のパターンが硬化性組成物に接触した状態で硬化性組成物が硬化される。インプリント装置では、例えば、基板１の複数のショット領域の各々に対して個別にパターンが形成されてもよいし、２以上のショット領域に対して一括してパターンが形成されてもよいし、複数のショット領域に対して一括してパターンが形成されてもよい。

以下では、代表的に成形装置１００が平坦化装置として構成された例を説明するが、成形装置１００は、インプリント装置として構成される場合も、平坦化装置として構成される場合と同様の構成を有しうる。

基板１は、例えば、シリコンウエハでありうるが、これに限定されるものではない。基板１は、例えば、アルミニウム、チタン−タングステン合金、アルミニウム−ケイ素合金、アルミニウム−銅−ケイ素合金、酸化ケイ素、チッ化ケイ素等の半導体デバイス用基板として知られている基板の中からも任意に選択されうる。基板１は、ベア基板であってもよいし、ウエハ等の母材基板の上に１又は複数の層を有していてもよい。基板１には、シランカップリング処理、シラザン処理、有機薄膜の成膜、等の表面処理によって密着層が形成され、硬化性組成物との密着性が向上された基板を用いてもよい。基板１は、例えば、直径３００ｍｍの円形であるが、これに限定されるものではない。

硬化性組成物を硬化させるためのエネルギーとしては、例えば、光が使用されうる。この場合、モールド１１は、その光を透過する材料で構成されうる。モールド１１は、例えば、ガラス、石英、ＰＭＭＡ（Ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリカーボネート樹脂等の光透明性樹脂、透明金属蒸着膜、ポリジメチルシロキサン等の柔軟膜、光硬化膜、および、金属膜の少なくとも１つで構成されうる。モールド１１は、一例では、３００ｍｍよりも大きく５００ｍｍよりも小さい直径の円形でありうるが、これに限られない。また、モールド１１は、一例では、０．２５ｍｍ以上２ｍｍ未満でありうるが、これに限られない。硬化性組成物としては、硬化用のエネルギーとしてＵＶ光が使用される場合、ＵＶ硬化性液体でありうる。硬化性組成物は、例えば、アクリレートまたはメタクリレートのようなモノマーでありうる。

成形装置１００は、基板保持部２と、基板ステージ３と、ベース定盤４と、支柱５と、天板６と、ガイドバープレート７と、ガイドバー８と、ヘッド駆動部９と、支柱１０と、モールド保持部１２と、ヘッド１３と、アライメント棚１４とを備えうる。また、成形装置１００は、ディスペンサ２０と、オフアクシスアライメント（ＯＡ）スコープ２１と、基板搬送処理部２２０と、基板搬送部２２と、アライメントスコープ２３とを備えうる。また、成形装置１００は、硬化部２４と、ステージ駆動部３１と、モールド搬送処理部３２０と、モールド搬送部３２と、洗浄部３３と、入力部３４と、制御部２００とを備えうる。

基板保持部２は、真空チャックまたは静電チャック等のチャックを含み、該チャックによって基板１を保持しうる。基板ステージ３は、基板保持部２を保持する。基板ステージ３には、基板保持部２をθＺ軸に関して駆動するアクチュエータが搭載されうる。ステージ駆動部３１は、基板ステージ３を駆動し、これによって基板１を駆動する。ステージ駆動部３１は、例えば、リニアモータを含みうる。基板保持部２、基板ステージ３およびステージ駆動部３１は、基板１を駆動あるいは位置決めする基板位置決め機構ＳＡを構成しうる。基板位置決め機構ＳＡは、基板１を複数の軸（例えば、Ｘ軸、Ｙ軸、θＺ軸の３軸、好ましくは、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の６軸）について駆動するように構成されうる。

モールド保持部１２は、真空チャックまたは静電チャック等のチャックを含み、該チャックによってモールド１１を保持しうる。ヘッド１３は、モールド保持部１２を保持しうる。ヘッド駆動部９は、ヘッド１３を駆動することによってモールド保持部１２を駆動し、これによってモールド１１を駆動する。ヘッド駆動部９は、モールド１１を複数の軸（例えば、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸の３軸、好ましくは、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の６軸）について駆動するように構成されてもよい。

ベース定盤４には、天板６を支持する支柱５が配置されうる。ガイドバー８は、天板６を貫通するように配置され、ガイドバー８の一端は、ガイドバープレート７に固定され、他端はヘッド１３に固定されうる。ヘッド駆動部９は、ガイドバー８を駆動することによってヘッド１３をＺ軸方向に駆動する。これにより、モールド保持部１２によって保持されたモールド１１を基板１の上の硬化性組成物に接触させたり、基板１の上の硬化性組成物からモールド１１を分離させたりすることができる。ヘッド駆動部９は、ヘッド１３をＺ軸以外の軸に関して駆動する機構を含んでもよい。あるいは、ヘッド駆動部９は、ヘッド１３を複数の軸（例えば、θＸ軸、θＹ軸の３軸、好ましくは、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸）に関して駆動する機構を含みうる。

モールド保持部１２、ヘッド１３、ヘッド駆動部９、ガイドバー８およびガイドバープレート７は、モールド１１を駆動あるいは位置決めするモールド位置決め機構ＭＡを構成しうる。この例では、モールド位置決め機構ＭＡは、接触工程および分離工程が行われるように基板保持部２とモールド保持部１２との相対位置を変更あるいは調整する駆動機構ＤＭを構成する。しかしながら、駆動機構ＤＭは、基板位置決め機構ＳＡによって構成されてもよいし、基板位置決め機構ＳＡおよびモールド位置決め機構ＭＡによって構成されてもよい。

モールド１１は、搬送ハンドなどを含むモールド搬送部３２によって、成形装置１００の外部から搬入され、モールド搬送処理部３２０を経由して、モールド保持部１２に搬送され、モールド保持部１２によって保持されうる。モールド搬送処理部３２０は、モールド１１を収納可能なモールド収納棚３２１を含みうる。モールド収納棚３２１に代えて、可搬型のモールド収納部が設けられてもよい。モールド１１は、例えば、円形または四角形の外形を有しうる。モールド１１は、基板１の上の硬化性組成物に接触して基板１の表面形状に倣う平坦面１１ａを含みうる。平坦面１１ａは、例えば、基板１と同じサイズ、または、基板１よりも大きいサイズを有しうる。モールド保持部１２は、ヘッド１３によって支持され、一例において、ヘッド１３によってθＺ軸に関して駆動されうる。

モールド保持部１２およびヘッド１３は、硬化部２４から提供される硬化用のエネルギー（例えば、ＵＶ光等の光）を通過させる窓部を含みうる。また、モールド保持部１２またはヘッド１３には、接触工程および分離工程において、基板１およびモールド１１に対して駆動機構ＤＭによって加えられる力を計測するロードセル等のセンサＬＣが組み込まれうる。ここで、接触工程においては、基板１およびモールド１１に対してＺ軸方向の押圧力が加えられ、分離工程においては、基板１およびモールド１１に対してＺ軸方向の引張力が加えられる。

アライメント棚１４は、支柱１０を介して天板６によって懸架されうる。アライメント棚１４には、ガイドバー８が貫通している。また、アライメント棚１４には、例えば、基板保持部２に保持された基板１の高さ（平坦度）を計測するための高さ計測系（不図示）が配置されうる。該高さ計測系は、例えば、斜入射像ずれ方式で基板１の高さ（平坦度）を計測しうる。

アライメントスコープ２３は、基板ステージ３に設けられた基準マーク、モールド１１に設けられたアライメントマーク、および、基板１に設けられたアライメントマークを観察するための光学系および撮像系を含みうる。基板ステージ３とモールド１１とのアライメントを行わない場合には、アライメントスコープ２３は設けられなくてもよい。
アライメントスコープ２３は、基板ステージ３に設けられた基準マークと、モールド１１に設けられたアライメントマークとの相対的な位置を計測し、その位置ずれを補正するアライメントに用いられうる。

ディスペンサ２０（供給部）は、基板１の上に未硬化（液状）の硬化性組成物を配置あるいは供給する。ディスペンサ２０は、例えば、硬化性組成物を吐出する吐出口（ノズル）を含みうる。ディスペンサ２０は、例えば、ピエゾジェット方式またはマイクロソレノイド方式などの方式によって基板１の上に微小体積（例えば、１ピコリットル）の硬化性組成物を供給しうる。ディスペンサ２０に設けられる吐出口の数は、特定数に限定されるものではなく、１つであってもよいし、複数でもよい。一例において、ディスペンサ２０は、１００以上の吐出口を有しうる。そのような複数の吐出口の配置は、例えば、１又は複数のリニアノズルアレイで構成されうる。

ＯＡスコープ２１は、アライメント棚１４によって支持されうる。ＯＡスコープ２１は、基板１の複数のショット領域に設けられたアライメントマークを検出し、複数のショット領域のそれぞれの位置を決定するグローバルアライメント処理に用いられうる。アライメントスコープ２３によってモールド１１と基板ステージ３との位置関係を求め、ＯＡスコープ２１によって基板ステージ３と基板１との位置関係を求めることでモールド１１と基板１との相対的なアライメントを行うことができる。

洗浄部３３は、モールド保持部１２によってモールド１１が保持された状態で、モールド１１を洗浄しうる。洗浄部３３は、例えば、基板１の上の硬化した硬化性組成物からモールド１１を分離することによって、モールド１１、特に、その平坦面１１ａに残留する硬化性組成物を除去しうる。洗浄部３３は、例えば、モールド１１に付着した硬化性組成物を拭き取ってもよいし、ＵＶ照射、ウェット洗浄、プラズマ洗浄などを用いてモールド１１に付着した硬化性組成物を除去してもよい。

制御部２００は、例えば、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙの略。）などのＰＬＤ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅの略。）、又は、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔの略。）、又は、プログラムが組み込まれた汎用又は専用のコンピュータ、又は、これらの全部または一部の組み合わせによって構成されうる。制御部２００は、成形装置１００を構成する上記の各構成要素を制御しうる。

制御部２００は、平坦化処理等の成形処理の実行を制御しうる。平坦化処理は、基板１の上の硬化性組成物を成形する成形処理の一例であり、硬化性組成物の硬化物によって、平坦化された表面を有する膜を形成する処理である。より具体的には、平坦化処理では、基板１の上の硬化性組成物にモールド１１の平坦面１１ａを接触させて基板１の表面形状に倣わせることで硬化性組成物を平坦化する処理である。平坦化処理は、一般的には、ロット単位で、即ち、同一のロットに含まれる複数の基板のそれぞれに対して行われうる。

制御部２００は、分離工程において基板１が基板保持部２によって保持されモールド１１がモールド保持部１２によって保持された状態で発生する異常（以下、分離工程異常）を検出する検出部３００を含みうる。検出部３００は、制御部２００とは別個の構成要素として成形装置１００に備えられてもよい。検出部３００は、例えば、プログラムモジュールとして制御部２００に組み込まれてもよいし、その機能を実現するＡＳＩＣ等のハードウェア要素として制御部２００に組み込まれてもよい。検出部３００は、分離工程において検出される情報が異常を示すこと、例えば、分離工程において検出される情報が予め設定されている基準範囲を逸脱することに応じて分離工程異常の発生を検出しうる。分離工程異常の検出は、分離工程を継続した場合に、基板１および／またはモールド１１が破損する可能性があることを示唆する。

検出部３００は、例えば、分離工程において、基板１が基板保持部２によって保持されモールド１１がモールド保持部１２によって保持された状態で、分離工程異常として、保持異常を検出しうる。保持異常は、基板保持部２による基板１の保持およびモールド保持部１２によるモールド１１の保持の少なくとも一方の異常でありうる。検出部３００は、基板保持部２によって保持された基板１の保持状態を示す情報、および／または、モールド保持部１２によって保持されたモールド１１の保持状態を示す情報を取得し、該情報に基づいて分離工程異常（保持異常）を検出しうる。ここで、保持異常が発生することは、基板１、硬化性組成物およびモールド１１からなる構造体（以下、単に「構造体」とも記載する）に対して、通常時の力（正常な分離工程における力）よりも大きい力（引張力）が加わっていることを示唆する。したがって、保持異常が発生している状態で分離工程を継続すると、基板１、硬化性組成物およびモールド１１からなる構造体に対して通常時の力より大きい力が加えられ続け、または、更に強い力が加わって、基板１および／またはモールド１１が破損しうる。

図２を参照しながら、成形処理の一例としての平坦化処理について例示的に説明する。まず、図２（ａ）に示されるように、下地パターン１ａを有する基板１に対して、ディスペンサ２０によって硬化性組成物ＩＭが供給あるいは配置される。図２（ａ）は、基板１の上に硬化性組成物ＩＭを供給し、硬化性組成物ＩＭにモールド１１（の平坦面１１ａ）を接触させる前の状態を示している。次いで、図２（ｂ）に示されるように、基板１の上の硬化性組成物ＩＭとモールド１１（の平坦面１１ａ）とが接触するように基板１とモールド１１との距離が駆動機構ＤＭによって調整されうる（接触工程）。図２（ｂ）は、モールド１１の平坦面１１ａが基板１の上の硬化性組成物ＩＭに完全に接触し、モールド１１の平坦面１１ａが基板１の表面形状に倣った状態を示している。そして、図２（ｂ）に示す状態で、硬化部２４から、モールド１１を介して、基板上の硬化性組成物ＩＭに硬化用のエネルギーが照射され、これによって硬化性組成物ＩＭが硬化される（硬化工程）。次に、図２（ｃ）に示されるように、基板１の上の硬化した硬化性組成物ＩＭからモールド１１が分離されるように基板１とモールド１１との距離が駆動機構ＤＭによって調整されうる（分離工程）。これにより、基板１の全域において、均一な厚さを有する硬化性組成物ＩＭの層（平坦化層）を形成することができる。図２（ｃ）は、基板１の上に硬化性組成物ＩＭの硬化物からなる平坦化層が形成された状態を示している。

図３には、基板保持部２の構成が例示されている。基板保持部２には、基板１を保持するためのチャックとして真空チャックが組み込まれうる。該真空チャックは、基板保持部２の表面に設けられた溝２ａ〜２ｅを含みうる。溝２ａ〜２ｅには、それぞれ真空ラインＬａ〜Ｌｅが接続されうる。成形装置１００は、例えば、真空ラインＬａ〜Ｌｅのそれぞれの圧力を個別に検出する圧力センサ２ｇを備えうる。圧力センサ２ｇは、検出された圧力を示す情報を制御部２００（あるいは検出部３００）に提供する。該情報は、基板保持部２によって保持された基板１の保持状態を示す情報の一例である。また、成形装置１００は、真空ラインＬａ〜Ｌｅのそれぞれの圧力を個別に調整する圧力調整器２ｈを備えうる。検出部３００は、圧力センサ２ｇから提供される情報、即ち、基板保持部２によって保持された基板１の保持状態を示す情報に基づいて、基板保持部２による基板１の保持の異常を検出しうる。

図４には、モールド保持部１２の構成が例示されている。モールド保持部１２には、モールド１１を保持するためのチャックとして真空チャックが組み込まれうる。該真空チャックは、モールド保持部１２の表面に設けられた溝１２ａを含みうる。溝１２ａには、真空ラインＬｍが接続されうる。成形装置１００は、例えば、真空ラインＬｍの圧力を検出する圧力センサ１２ｇを備えうる。圧力センサ１２ｇは、検出された圧力を示す情報を制御部２００（あるいは検出部３００）に提供する。該情報は、モールド保持部１２によって保持されたモールド１１の保持状態を示す情報の一例である。また、成形装置１００は、真空ラインＬｍの圧力を調整する圧力調整器１２ｈを備えうる。検出部３００は、圧力センサ１２ｇから提供される情報、即ち、モールド保持部１２によって保持されたモールド１１の保持状態を示す情報に基づいて、モールド保持部１２によるモールド１１の保持の異常を検出しうる。なお、モールド保持部１２に組み込まれる真空チャックは、複数の溝を有し、それらに対して個別の真空ラインが接続され、各真空ラインの圧力が個別に検出され調整されてもよい。

検出部３００は、図３、図４に例示された構成において、基板保持部２によって保持された基板１の保持状態を示す情報および／またはモールド保持部１２によって保持されたモールド１１の保持状態を示す情報を取得し、該情報に基づいて保持異常を検出しうる。制御部２００は、圧力センサ２ｇ、１２ｇから提供される情報に基づいて、基板保持部２のための真空ラインＬａ〜Ｌｅの圧力、および、モールド保持部１２のための真空ラインＬｍの圧力を調整するように圧力調整器２ｈ、１２ｈを制御してもよい。

図５（ａ）には、硬化工程が終了した時点における基板保持部２、モールド保持部１２、基板１およびモールド１１などの状態が模式的に示されている。なお、硬化性組成物は、図示されていない。基板１、硬化性組成物（不図示）およびモールド１１からなる構造体ＳＴは、その下面が基板保持部２によって保持されるとともに、その上面がモールド保持部１２によって保持されている。検出部３００は、基板保持部２によって保持された基板１の保持状態を示す情報および／またはモールド保持部１２によって保持されたモールド１１の保持状態を示す情報に基づく分離工程異常（保持異常）の検出を開始する。また、制御部２００は、分離工程において、真空ラインＬａ〜Ｌｅ、Ｌｍが目標圧力になるように圧力調整器２ｈ、１２ｈを制御しうる。

図５（ｂ）には、分離工程の実行中における基板保持部２、モールド保持部１２、基板１およびモールド１１などの状態が模式的に示されている。図５（ｂ）に示された状態では、モールド１１の平坦面１１ａの一部のみが基板１の上の硬化した硬化性組成物から分離されている。検出部３００は、基板保持部２によって保持された基板１の保持状態を示す情報および／またはモールド保持部１２によって保持されたモールド１１の保持状態を示す情報に基づく分離工程異常（保持異常）の検出を継続する。

図５（ｃ）には、分離工程の終了後における基板保持部２、モールド保持部１２、基板１およびモールド１１などの状態が模式的に示されている。図５（ｃ）に示された状態では、モールド１１の平坦面１１ａの全体が基板１の上の硬化した硬化性組成物から分離されている。検出部３００は、基板保持部２によって保持された基板１の保持状態を示す情報および／またはモールド保持部１２によって保持されたモールド１１の保持状態を示す情報に基づく分離工程異常（保持異常）の検出を継続する。

分離工程が正常に進行する場合は、分離工程の開始時点から分離工程の終了時点までの期間において、圧力センサ２ｇ、１２ｇから提供される情報（圧力を示す情報）は、基準範囲（目標圧力±許容値）内の圧力を示しうる。一方、基板１の上の硬化した硬化性組成物からモールド１１を分離するために要する力（以下、所要分離力）が基板保持部２による基板１の保持力および／またはモールド保持部１２によるモールド１１の保持部より大きいと、保持異常が発生しうる。保持異常は、例えば、構造体ＳＴが基板保持部２の保持面から離れることであり、所要分離力が基板保持部２による基板１の保持力より大きい場合に発生しうる。あるいは、保持異常は、構造体ＳＴがモールド保持部１２の保持面から離れることであり、所要分離力がモールド保持部１２によるモールド１１の保持力より大きい場合に発生しうる。前述のように、保持異常は、検出部３００によって検出される。

図６（ａ）、（ｂ）には、分離工程異常の一例としての保持異常（基板保持部２による基板１の保持に関する異常）が例示されている。図６（ａ）に示された分離工程異常（保持異常）の例では、分離工程の実行中に構造体ＳＴ（の下面）の一部が基板保持部２の保持面から離れている。このような分離工程異常は、分離工程の実行中に基板１（の下面）の一部が基板保持部２の保持面から離れている現象として理解することもできる。このような分離工程異常は、真空ラインＬａ〜Ｌｅのいずれかの圧力の上昇（真空圧の低下）を圧力検出器２ｇからの情報に基づいて検出部３００が検出することによって検出されうる。例えば、図６（ａ）に例示されるように基板１の外周部が基板保持部２から離された場合、検出部３００は、圧力検出器２ｇから提供される情報に基づいて、真空ラインＬａの圧力の上昇（真空圧の低下）を検出し、これにより分離工程異常を検出しうる。

図６（ｂ）に示された分離工程異常（保持異常）の例では、分離工程の実行中に構造体ＳＴ（の下面）の一部が基板保持部２の保持面から離れている。例えば、図６（ｂ）に例示されるように基板１の中央部以外の全ての部分が基板保持部２から離された場合、検出部３００は、圧力検出器２ｇから提供される情報に基づいて、真空ラインＬａ〜Ｌｄの圧力の上昇を検出し、これにより保持異常を検出しうる。

モールド保持部１２によるモールド１１の保持異常が発生した場合は、検出部３００は、圧力検出器１２ｇから提供される情報に基づいて、真空ラインＬｍの圧力の上昇（真空圧の低下）を検出し、これにより分離工程異常を検出しうる。制御部２００は、検出部３００によって分離工程異常の発生が検出されると、その検出に応答して分離工程を中止させるように駆動機構ＤＭを制御しうる。これにより、基板１および／またはモールド１１の破損が防止され、更には、当該破損によるパーティクルの飛散が防止されうる。

図７には、成形装置１００の動作を示すフローチャートが例示されている。このフローチャートに示される処理は、制御部２００によって制御される。工程Ｓ６０１では、モールド搬送部３２によってモールド１１がモールド保持部１２に搬送され、モールド１１がモールド保持部１２によって保持される。工程Ｓ６０２では、基板搬送部２２によって基板１が基板保持部２に搬送され、基板１が基板保持部２によって保持される。工程Ｓ６０３では、ディスペンサ２０によって基板１の上に硬化性組成物が配置される。ここで、外部装置によって基板１の上に硬化性組成物が塗布される場合には、工程Ｓ６０３は省略されうる。

工程Ｓ６０４では、基板位置決め機構ＳＡ（ステージ駆動部３１）によって基板１がモールド１１の下に位置決めされ、接触工程が実行される。接触工程では、駆動機構ＤＭによって基板１の上の硬化性組成物とモールド１１（の平坦面１１ａ）とが接触するように基板１とモールド１１との相対位置が調整あるいは変更される。工程Ｓ６０５では、硬化工程が実行される。硬化工程では、硬化部２４によって基板１とモールド１１との間の硬化性組成物に硬化用のエネルギーが照射され、これによって硬化性組成物が硬化する。

工程Ｓ６０６では、分離工程が実行される。分離工程では、駆動機構ＤＭによって基板１の上の硬化した硬化性組成物とモールド１１（の平坦面１１ａ）とが分離されるように基板１とモールド１１との相対位置が調整あるいは変更される。工程Ｓ６０７では、基板保持部２によって保持されていた基板１が基板搬送部２２によって基板収納棚２２１に搬送され、基板収納棚２２１に収納される。工程Ｓ６０８では、次に処理を実行すべき基板１があるかどうかが判断され、次に処理をすべき基板１がある場合には、その基板１について工程Ｓ６０２〜Ｓ６０７が実行される。一方、全ての基板１の処理が終了した場合には、モールド保持部１２によって保持されていたモールド１１がモールド搬送部３２によってモールド収納棚３２１に搬送され、これにより一連の動作が終了する。

図８には、工程Ｓ６０６（分離工程）の詳細手順の一例が示されている。また、図８には、分離工程において分離工程異常が検出された場合の動作の例も示されている。工程Ｓ７０１では、制御部２００は、検出部３００に、基板保持部２によって保持された基板１の保持状態を示す情報、および／または、モールド保持部１２によって保持されたモールド１１の保持状態を示す情報を取得させる。基板保持部２によって保持された基板１の保持状態を示す情報は、例えば、圧力センサ２ｇから提供される情報である。モールド保持部１２によって保持されたモールド１１の保持状態を示す情報は、例えば、圧力センサ１２ｇから提供される情報である。

工程Ｓ７０２では、制御部２００は、検出部３００に、工程Ｓ７０１において取得した情報に基づいて分離工程異常の発生を検出する処理を実行させる。検出部３００は、例えば、工程Ｓ７０１で取得した情報が予め設定されている基準範囲を逸脱することに応じて分離工程異常の発生を検出しうる。工程Ｓ７０２では、制御部２００は、検出部３００によって分離工程異常の発生が検出されない場合には工程Ｓ７０３に処理を進め、検出部３００によって分離工程異常の発生が検出された場合には工程Ｓ７０４に処理を進める。工程Ｓ７０３では、制御部２００は、分離工程が終了したかどうかを判断し、終了した場合には、図８に示された処理を終了して図７の工程Ｓ６０７に処理を進め、終了していない場合には工程Ｓ７０１に処理を戻す。

以下、工程Ｓ７０２において分離工程異常の発生が検出された場合に実行される工程Ｓ７０４〜Ｓ７０８について説明する。工程Ｓ７０４では、制御部２００は、分離工程を中止する。分離工程を中止することは、例えば、基板１とモールド１１との相対位置を駆動機構ＤＭが変更することを停止させることを含みうる。あるいは、分離工程を中止することは、例えば、基板１、硬化性組成物およびモールド１１からなる構造体に対して駆動機構ＤＭが力（引張力）を加えることを停止させることを含みうる。

次いで、工程Ｓ７０５では、制御部２００は、モールド保持部１２（に設けられた真空チャック）によるモールド１１の保持を解除させる。次いで、工程Ｓ７０６では、制御部２００は、基板保持部２とモールド保持部１２とが離隔されるように、駆動機構ＤＭに基板保持部２とモールド保持部１２との相対位置を調整あるいは変更させる。制御部２００は、例えば、分離工程の開始前における基板保持部２とモールド保持部１２との相対位置となるように駆動機構ＤＭを制御しうる。工程Ｓ７０６において基板保持部２とモールド保持部１２とを離隔させるのは、工程Ｓ７０７において、基板保持部２を移動させるためである。

次いで、工程Ｓ７０７では、制御部２００は、基板保持部２が所定位置（受け渡し位置）まで移動するように基板位置決め機構ＳＡ（ステージ駆動部３１）を制御する。次いで、工程Ｓ７０８では、制御部２００は、基板保持部２から基板搬送部２２（搬送機構）に対して、基板１、硬化性組成物およびモールド１１からなる構造体が渡されるように、基板保持部２および基板搬送部２２を制御する。また、工程Ｓ７０８では、制御部２００は、構造体が基板収納棚２２１に搬送され、基板収納棚２２１に収納されるように基板搬送部２２を制御する。工程Ｓ７０８において基板搬送部２２が搬送する物体は、基板１、硬化性組成物およびモールド１１からなる構造体であり、工程Ｓ６０７において搬送する物体である基板１よりも重量が大きい。そこで、該構造体の落下および位置ずれを防止するために、工程Ｓ７０８における構造体の最大搬送速度を工程Ｓ６０７における基板１の最大搬送速度より小さくすることが望ましい。工程Ｓ７０８において、構造体を成形装置１００の外部に搬出する準備が終了していれば、基板収納棚２２１に構造体を搬送することなく、成形装置１００の外部に搬送してもよい。

基板１のサイズよりもモールド１１のサイズが大きい場合、基板１を成形装置１００の外部に搬送する際に使用されるＦＯＵＰに、基板１、硬化性組成物およびモールド１１からなる構造体が入らない可能性がある。そこで、基板収納棚２２１に収納された構造体をモールド搬送処理部３２０の側からモールド搬送部３２を使用して搬送できるように基板収納棚２２１が配置および構成されることが望ましい。

ここまでの説明では、分離工程異常として保持異常を検出する例が説明したが、検出部３００は、分離工程異常として、分離工程において基板１およびモールド１１に対して駆動機構ＤＭによって加えられている力の異常を検出してもよい。このような力は、例えば、前述のロードセル等のセンサＬＣによって検出することができる。具体的には、検出部３００は、分離工程においてセンサＬＣによって検出される情報（力を示す情報）が予め設定されている基準範囲を逸脱することに応じて分離工程異常の発生を検出しうる。工程Ｓ７０１では、検出部３００は、圧力センサ２ｇ、１２ｇから提供される情報に代えて、あるいは、該情報に加えて、センサＬＣから提供される情報を取得し、取得した情報に基づいて分離工程異常を検出しうる。センサＬＣは、ロードセルに限られず、例えば、基板保持部２および／またはモールド保持部１２の歪みを計測する歪センサ、または、基板１および／またはモールド１１の変形量を計測する光センサであってもよい。

図９（ａ）、（ｂ）には、基板収納棚２２１の構成例が示されている。図９（ａ）は、基板収納棚２２１の平面図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）のＡ−Ａ線の断面図である。基板収納棚２２１は、複数の基板１を収納可能である。また、基板収納棚２２１は、基板１、硬化性組成物およびモールド１１からなる構造体ＳＴを収納可能である。基板収納棚２２１は、例えば、基板支持部２２２、支持体２２３およびベース２２４を含みうる。基板収納棚２２１は、コストの低減および成形装置の大型化の抑制を考慮して、基板１の外径に応じた最小のサイズで構成されることが望ましい。そこで、基板収納棚２２１は、複数の基板支持部のうち最上段の基板支持部２２５のみが構造体ＳＴを収納可能に構成されうる。最上段の基板支持部２２５は、基板１を支持する支持面２２５ａと、基板１の位置ずれを抑制するガイド壁２２５ｂと、モールド１１の位置ずれを抑制するガイド壁２２５ｃと、ガイド壁２２５ｂとガイド壁２２５ｃとを接続する接続面２２５ｄとを有しうる。支持面２２５ａと接続面２２５ｄとで構成される段差は、基板１の厚さよりも小さいことが好ましい。上記の基板収納棚２２１は、一例に過ぎず、基板収納棚２２１は、複数の構造体ＳＴを収納可能に構成されてもよい。あるいは、基板収納棚２２１とは別に、構造体ＳＴを収納する専用の棚を設けてもよい。

図１０には、工程Ｓ６０６（分離工程）の詳細手順の他の例が示されている。また、図１０には、分離工程において分離工程異常が検出された場合の動作の例も示されている。図１０に示された例は、図８に示された例における工程Ｓ７０５、Ｓ７０７、Ｓ７０８が工程Ｓ８０５、Ｓ８０７、Ｓ８０８で置き換えられている。

以下、工程Ｓ７０２において分離工程異常の発生が検出された場合に実行される工程Ｓ７０４、Ｓ８０５、Ｓ７０６、Ｓ８０７、Ｓ８０８について説明する。工程Ｓ７０４では、制御部２００は、分離工程を中止する。分離工程を中止することは、例えば、基板１とモールド１１との相対位置を駆動機構ＤＭが変更することを停止させることを含みうる。あるいは、分離工程を中止することは、例えば、基板１、硬化性組成物およびモールド１１からなる構造体に対して駆動機構ＤＭが力（引張力）を加えることを停止させることを含みうる。

次いで、工程Ｓ８０５では、制御部２００は、基板保持部２（に設けられた真空チャック）による基板１の保持を解除させる。図８、図１０に示された例において、工程Ｓ７０５、Ｓ８０５の動作は、制御部２００が、分離工程を中止させた後に、基板保持部２による基板１の保持およびモールド保持部１２によるモールド１１の保持の一方を解除させる動作を例示するものである。

次いで、工程Ｓ７０６では、制御部２００は、基板保持部２とモールド保持部１２とが離隔されるように、駆動機構ＤＭに基板保持部２とモールド保持部１２との相対位置を調整あるいは変更させる。制御部２００は、例えば、分離工程の開始前における基板保持部２とモールド保持部１２との相対位置となるように駆動機構ＤＭを制御しうる。工程Ｓ７０６において基板保持部２とモールド保持部１２とを離隔させるのは、工程Ｓ８０７において、基板保持部２を移動させるためである。

次いで、工程Ｓ８０７では、制御部２００は、基板保持部２が退避位置まで移動するように基板位置決め機構ＳＡ（ステージ駆動部３１）を制御する。次いで、工程Ｓ８０８では、制御部２００は、モールド保持部１２からモールド搬送部３２（搬送機構）に対して、基板１、硬化性組成物およびモールド１１からなる構造体が渡されるように、モールド保持部１２およびモールド搬送部３２を制御する。また、工程Ｓ８０８では、制御部２００は、構造体がモールド収納棚３２１に搬送され、モールド収納棚３２１に収納されるようにモールド搬送部３２を制御する。工程Ｓ８０８においてモールド搬送部３２が搬送する物体は、基板１、硬化性組成物およびモールド１１からなる構造体であり、工程Ｓ６０９において搬送する物体であるモールド１１よりも重量が大きい。そこで、該構造体の落下および位置ずれを防止するために、工程Ｓ８０８における構造体の最大搬送速度を工程Ｓ６０９におけるモールド１１の最大搬送速度より小さくすることが望ましい。工程Ｓ８０８において、構造体を成形装置１００の外部に搬出する準備が終了していれば、モールド収納棚３２１に構造体を搬送することなく、成形装置１００の外部に搬送してもよい。

図１１には、モールド収納棚３２１の構成例が示されている。モールド収納棚３２１は、複数のモールド１１を収納可能である。また、基板収納棚２２１は、基板１、硬化性組成物およびモールド１１からなる構造体ＳＴを収納可能である。モールド１１が収納される位置あるいは空間と構造体ＳＴが収納される位置あるいは空間とは同一でありうる。換言すると、モールド収納棚３２１は、複数の収納位置（収納部）を有し、各収納位置においてモールド１１または構造体ＳＴを収納することができる。モールド収納棚３２１は、例えば、モールド支持部３２２、支持体３２３およびベース３２４を含みうる。モールド収納棚３２１は、複数のモールドが配置されるそれぞれ空間を相互に仕切る仕切り板３２５を含みうる。

モールド収納棚３２１に収納された構造体ＳＴでは、振動や基板１の自重などの要因によって、モールド１１から基板１が脱落する可能性がある。仕切り板３２５は、モールド１１から脱落した基板１がその下方のモールド１１に衝突することを防止するために有利である。あるいは、仕切り板３２５は、構造体ＳＴが発生しうるパーティクルが他のモールド１１に付着することを防止するために有利である。仕切り板３２５を設けない構成においては、モールド搬送部３２は、モールド収納棚３２１の複数の収納部（収納位置）のうち最下段の収納部に構造体ＳＴを収納させることが望ましい。

図１２には、モールド搬送部３２のモールド搬送ハンド３２６が例示されている。図１２は、平面図であり、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＡ−Ａ線の断面図である。モールド搬送ハンド３２６は、成形処理においてモールド１１と基板１とが接触する領域以外の領域、即ちモールド１１の外周部分を保持する支持部３２７を含みうる。このような構成は、モールド搬送ハンド３２６とモールド１１とが接触する部分から発生するパーティクルが成形処理において基板１とモールド１１とによって挟まれることによってモールド１１の平坦面１１ａの平坦性が低下することを防止するために有利である。

上記のような構成においては、構造体ＳＴの一部を構成する基板１は、支持部３２７によっては支持されない。そこで、モールド搬送ハンド３２６は、構造体ＳＴを構成するモールド１１から脱落しうる基板１の落下を防止する落下防止部３２８を含むことが望ましい。落下防止部３２８は、軽量化のために基板１のサイズより小さい穴を有しうるが、該穴はなくてもよい。

平坦化装置として構成された成形装置１００は、物品を製造する物品製造方法において使用されうる。該物品製造方法は、平坦化装置として構成された成形装置１００によって基板１の上に硬化性組成物の膜を形成する膜形成工程と、該膜を処理する処理工程と、を含み、該膜形成工程および該処理工程を経て基板１から物品を製造しうる。該膜形成工程では、例えば、１又は複数の層を有する基板１の上に硬化性組成物の膜が平坦化膜として形成されうる。該処理工程は、該平坦化膜の上にフォトレジスト膜を形成する工程と、該フォトレジスト膜に露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程と、該潜像パターンを現像することによってレジストパターンを形成する工程とを含みうる。また、該処理工程は、該レジストパターンを利用して基板１を処理（例えば、基板１が有する層のパターニング）する工程を含みうる。

成形装置１００は、パターンを有するモールド１１を使用し、基板１の上の硬化性組成物にそのパターンを転写するインプリント装置として構成されてもよい。以下、インプリント装置を使って物品を製造する物品製造方法を説明する。該物品製造方法は、インプリント装置として構成された成形装置１００によってモールド１１のパターンが転写された硬化光組成物の膜を基板１の上に形成する膜形成工程と、該膜を処理する処理工程とを含みうる。該物品製造方法では、該膜形成工程および該処理工程を経て基板１から物品が製造されうる。

以下、図１３を参照しながら、インプリント装置として構成された成形装置１００を使って物品を製造する物品製造方法のより具体的な例を説明する。図１３（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。

図１３（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図１３（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１と型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを介して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。

図１３（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。

図１３（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図１３（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。

インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。

１００：成形装置、１：基板、２：基板保持部、ＤＭ：駆動機構、２００：制御部

Claims (20)

1. 基板の上の硬化性組成物とモールドとを接触させる接触工程と、前記硬化性組成物と前記モールドとが接触した状態で前記硬化性組成物を硬化させる硬化工程と、硬化後の前記硬化性組成物と前記モールドとを分離する分離工程とを含む成形処理を行う成形装置であって、
   前記基板を保持する基板保持部と、
   前記モールドを保持するモールド保持部と、
   前記接触工程および前記分離工程が行われるように前記基板保持部と前記モールド保持部との相対位置を変更する駆動機構と、
   前記分離工程において前記基板が前記基板保持部によって保持され前記モールドが前記モールド保持部によって保持された状態で発生する異常を検出し前記異常の検出に応答して前記分離工程を中止させるように前記駆動機構を制御する制御部と、
   を備えることを特徴とする成形装置。
2. 前記分離工程を中止させることは、前記駆動機構による前記基板と前記モールドとの相対位置の変更を停止させることを含む、
   ことを特徴とする請求項１に記載の成形装置。
3. 前記分離工程を中止させることは、前記硬化性組成物と前記モールドとを離隔させるように前記基板、前記硬化性組成物および前記モールドからなる構造体に対して前記駆動機構が力を加えることを停止させることを含む、
   ことを特徴とする請求項１に記載の成形装置。
4. 前記制御部は、前記分離工程を中止させた後に、前記基板保持部による前記基板の保持および前記モールド保持部による前記モールドの保持の一方を解除させる、
   ことを特徴とする請求項２又は３に記載の成形装置。
5. 前記制御部は、前記基板保持部による前記基板の保持および前記モールド保持部による前記モールドの保持の一方を解除させた後に、前記基板保持部と前記モールド保持部とを離隔させるように前記駆動機構を制御する、
   ことを特徴とする請求項４に記載の成形装置。
6. 前記制御部は、前記基板保持部と前記モールド保持部とを離隔させた後に、前記基板、前記硬化性組成物および前記モールドからなる構造体を搬送するように搬送機構を制御する、
   ことを特徴とする請求項５に記載の成形装置。
7. 前記制御部は、前記分離工程を中止させた後に、前記基板保持部による前記基板の保持および前記モールド保持部による前記モールドの保持の一方の解除として、前記モールド保持部による前記モールドの保持を解除させ、
   前記制御部は、前記基板保持部から前記搬送機構に前記構造体が渡されるように前記基板保持部および前記搬送機構を制御する、
   ことを特徴とする請求項６に記載の成形装置。
8. 前記制御部は、前記モールド保持部による前記モールドの保持の解除の後に、前記基板保持部を所定位置まで移動させ、前記所定位置において前記基板保持部から前記搬送機構に前記構造体が渡されるように前記基板保持部および前記搬送機構を制御する、
   ことを特徴とする請求項７に記載の成形装置。
9. 前記搬送機構は、基板収納棚に前記構造体を搬送し、前記基板収納棚は、複数の基板と前記構造体とを収納可能である、
   ことを特徴とする請求項７又は８に記載の成形装置。
10. 前記制御部は、前記分離工程を中止させた後に、前記基板保持部による前記基板の保持および前記モールド保持部による前記モールドの保持の一方の解除として、前記基板保持部による前記基板の保持を解除させ、
    前記制御部は、前記モールド保持部から前記搬送機構に前記構造体が渡されるように前記モールド保持部および前記搬送機構を制御する、
    ことを特徴とする請求項７に記載の成形装置。
11. 前記搬送機構は、モールド収納棚に前記構造体を搬送し、前記モールド収納棚は、複数のモールドと前記構造体とを収納可能であり、前記複数のモールドが配置されるそれぞれ空間を相互に仕切る仕切り板を含む、
    ことを特徴とする請求項１０に記載の成形装置。
12. 前記搬送機構は、前記モールドの搬送および前記構造体の搬送が可能である、
    ことを特徴とする請求項１０又は１１に記載の成形装置。
13. 前記制御部は、前記異常として、前記基板保持部による前記基板の保持および前記モールド保持部による前記モールドの保持の少なくとも一方の異常を検出する、
    ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の成形装置。
14. 前記基板保持部は、前記基板を保持する真空チャックを含み、前記制御部は、前記真空チャックに接続された真空ラインの圧力に基づいて前記異常を検出する、
    ことを特徴とする請求項１３に記載の成形装置。
15. 前記モールド保持部は、前記モールドを保持する真空チャックを含み、前記制御部は、前記真空チャックに接続された真空ラインの圧力に基づいて前記異常を検出する、
    ことを特徴とする請求項１３に記載の成形装置。
16. 前記基板保持部は、前記基板を保持する真空チャックを含み、前記モールド保持部は、前記モールドを保持する真空チャックを含み、前記制御部は、前記基板保持部の前記真空チャックに接続された真空ラインの圧力および前記モールド保持部の前記真空チャックに接続された真空ラインの圧力に基づいて前記異常を検出する、
    ことを特徴とする請求項１３に記載の成形装置。
17. 前記制御部は、前記異常として、前記分離工程において前記基板および前記モールドに対して前記駆動機構によって加えられている力の異常を検出する、
    ことを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の成形装置。
18. 前記モールドは、平坦面を有し、前記基板の上に前記硬化性組成物によって平坦化膜が形成される、
    ことを特徴とする請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の成形装置。
19. 前記モールドは、パターンを有し、前記パターンが前記基板の上に前記硬化性組成物に転写される、
    ことを特徴とする請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の成形装置。
20. 請求項１乃至１９のいずれか１項に記載の成形装置によって基板の上に硬化性組成物の膜を形成する膜形成工程と、
    前記膜を処理する処理工程と、を含み、
    前記膜形成工程および前記処理工程を経て前記基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。

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