JP2021058632A - 改善された熱的性能を備える磁気共鳴撮像 - Google Patents

Abstract

【課題】ＭＲ撮像装置のための新たな改善された冷却系を提供する。【解決手段】磁気共鳴（ＭＲ）撮像機器は、磁石１２及び熱発生要素を含むＭＲ撮像装置１０を有する。冷却系３０は熱発生要素を空冷冷却器２８からの冷却水を用いて冷却する。センサＴＳ，ＶＳは、熱発生要素又は冷却系の熱的パラメータを測定するように構成される。ＭＲコントローラ４０は、ＭＲ撮像装置を制御して、ＭＲ撮像検査プログラム（検査票４２）を実行すると共に、ＭＲ撮像検査プログラムの実行を１以上のセンサにより測定された冷却系が不十分な冷却能力を有することを示す熱的パラメータに応答して調整する。ＭＲコントローラは、冷却系が現在の気温において電力放散モデルにより推定される熱負荷を放散させるには不十分な冷却能力しか有さない場合に、検査票を実行前に調整することもできる。【選択図】図１

Description

以下に記載される本発明は、広くは医療撮像技術分野及び磁気共鳴撮像技術分野等に関する。

磁気共鳴（ＭＲ）撮像は大きな熱負荷を課す。冷却状態に保たれることを要する要素は、極低温（クライオ）コンプレッサ（典型的に超伝導磁石を冷却するための液体ヘリウムを維持するために使用される）、勾配磁場コイル、勾配磁場コイル増幅器及びラジオ波（ＲＦ）増幅器を含む。冷却を要する他の要素も存在し得る。

典型的な医療施設においては、ＭＲ撮像装置を冷却するための冷却水を供給するために市販の空冷冷却機が使用される。該冷却機は、専用のユニットとすることができるか、又は汎用の冷却機（例えば、様々な目的の冷却水を供給する病院用冷却機）とすることができる。液体冷却キャビネット（ＬＣＣ）は、冷却水と当該ＭＲ撮像装置の個々の冷却系との間の接続を提供する。典型的な構成においては、熱交換器が上記冷却水を個々のＭＲ要素を冷却する種々の冷却剤（冷媒）回路に熱的に結合する。該冷却剤回路は、通常、前記冷却水から隔離され、種々の冷却剤回路は水又は他の流体を冷却剤として利用することができる。当該冷却剤は、熱交換器からの“冷たい”冷却剤及び冷却される要素から冷却剤戻りライン（配管）により供給される“熱い”冷却剤を混合する混合弁を用いて、管理された温度に維持される。当該冷却剤は自然循環により又はポンプを用いて能動的に駆動される。幾つかの設計において、クライオ・コンプレッサは空冷冷却機からの冷却水により直接的に冷却されるが、隔離する熱交換器の設備も用いることができる。

ＭＲ撮像装置のための冷却系を設計する際、冷却機能力は、典型的に、当該冷却機に関する最悪の信頼可能な動作条件下での最大の信頼可能な熱負荷を満足するように選択される。該最大の信頼可能な熱負荷は以下の様に決定することができる。患者のＭＲ撮像検査は、典型的に、一連の（１つの系列の）ＭＲ撮像スキャンを含む。該系列はＭＲ撮像装置コントローラに入力するために検査カード（ここでは“検査票（エグザム・カード）”が用いられるが、該表現はＭＲ撮像装置製造者／モデル及び／又は医療施設に依存して異なる名前で参照される）の形態で表される。ＭＲ撮像装置により発生される熱負荷は、実行されているスキャンのスキャンタイプ及びそのパラメータに依存する。例えば、熱負荷の１つの通常の尺度（計測量）は、ＭＲスキャンの種々のパラメータにより影響を受ける二乗平均平方根の勾配磁場（Ｇ_rms）である。Ｇ_rmsの一層高い値は、一層高い熱負荷を課す。一般的に、スキャンのうちの殆どは低い熱負荷を有し、幾つかは中程度であり、僅かな数のスキャンだけが高熱負荷を有する。ＭＲスキャンにより発生される熱負荷の他の例示的計測量は、勾配磁場の周波数スペクトル（勾配磁場コイルのインピーダンスは周波数依存性であるからである）及びＲＦ励起により発生されるＢ_1,rmsを含む。最大の信頼可能な熱負荷は、例えば最高のＧ_rms、最高の勾配周波数成分及び最高のＲＦパルスエネルギ等の、種々のスキャンパラメータ及び計測量に関して最悪の場合の値（熱負荷の観点から）を仮定して決定することができる。検査票定義及び患者のワークフローも熱負荷に影響し得、ここでも、例えば１つの系列の連続した最大負荷スキャンを連続的に実行する等の最悪の場合の値が仮定される。

空冷冷却機に関する主要な動作条件パラメータは、周囲空気の温度、即ち、当該冷却機が屋外に設置される通常のケースの場合は屋外気温である。冷却機の冷却能力は、屋外気温及び水温の関数である。屋外気温が低いほど、冷却能力は高くなり、水温が高いほど、冷却能力は高くなる。冷却機の公称冷却能力は、通常、設計に基づく最悪の場合の屋外気温において及びデフォルトの水温（例えば、１２℃）において定義される。1年の殆どの間において、屋外気温は、冷却機の公称冷却能力が定義される設計に基づく最悪の場合の温度より大幅に低い。屋外温度の関数としての実際の冷却能力にはバラツキが存在する。

冷却機能力が過負荷状態になると、イベントの連鎖か開始され、これは最終的にＭＲＩ撮像スキャンの中止につながる。最初に、過負荷状態の冷却機が熱負荷を処理できなくなるにつれて、冷却水は温度が上昇し始める。冷却機の冷却能力は一層高い水温で一層高くなるので、このことは、この温度上昇に最初は対抗し、かくして、冷却水温度は新たな平衡状態に到達するまで上昇する。冷却チェーン（即ち、個々のＭＲ撮像装置要素に冷却を提供する冷却剤回路）には幾らかの余裕も存在する。冷却機により供給される冷却水の温度は、冷却剤回路が冷却剤の温度を保持することができなくなる前に幾らか上昇し得、更に、冷却剤は、冷却されるＭＲ撮像装置の要素が過熱し、ＭＲ撮像スキャンを中止させる温度インターロックが起動される前に幾らか温度が上昇し得る。しかしながら、最終的に、冷却機の過負荷状態が弱まらないままの場合、何らかの要素のための冷却剤温度（又は該要素自体の温度）が自身のインターロック閾値を超え、スキャン中止を起動させる。

スキャン中止は望ましくないので、設計に基づく最大負荷及び最大屋外温度値は、通常、熱暴走によるスキャン中止の可能性を実質的に除去するように大きく選定される。しかしながら、このようなスキャン中止に対する強さは高能力冷却機を採用するという代償を払って得られるもので、このことは、ＭＲ撮像装置設備の初期費用を増大させ、将来において保守及び交換費用を増加させる。高能力冷却機は動作するのに一層多くのエネルギを使用するので、ＭＲ撮像設備の運転費用も影響を受ける。

以下は、上述した問題及び他の問題に対処した新たな改善されたシステム及び方法を開示する。

開示される一態様において、磁気共鳴（ＭＲ）撮像機器は：磁石及び熱発生要素を含むＭＲ撮像装置と；前記ＭＲ撮像装置の前記熱発生要素を、冷却水を用いて冷却するように接続された冷却系と；各々が、前記ＭＲ撮像装置の前記熱発生要素の熱的パラメータ又は前記冷却系の熱的パラメータを測定するように構成された１以上のセンサと；ＭＲ撮像検査プログラムを実行すると共に該ＭＲ撮像検査プログラムの実行を前記１以上のセンサにより測定された前記冷却系が不十分な冷却能力しか有さないことを示す熱的パラメータに応答して調整するように前記ＭＲ撮像装置を制御するようプログラムされた電子プロセッサを有するＭＲコントローラと；を有する。

開示される他の態様において、ＭＲ撮像機器は、磁石及び熱発生要素を含むＭＲ撮像装置と、前記ＭＲ撮像装置の前記熱発生要素を、冷却水を用いて冷却するように接続された冷却系と、を有する。ＭＲコントローラは、ＭＲ撮像検査プログラムを実行すると共に、該ＭＲ撮像検査プログラムを実行前に分析して、前記ＭＲ撮像検査プログラムを実行することにより発生される熱負荷を推定し、且つ、前記冷却系が該推定された熱負荷を冷却するには不十分な冷却能力しか有さない場合に前記ＭＲ撮像検査プログラムを実行前に調整するように前記ＭＲ撮像装置を制御するようプログラムされた電子プロセッサを有する。

開示される他の態様では、磁石及び熱発生要素を含むＭＲ撮像装置並びに冷却水を用いて前記ＭＲ撮像装置の前記熱発生要素を冷却するように接続された冷却系により実行されるＭＲ撮像方法が開示される。該ＭＲ撮像方法は、前記ＭＲ撮像装置を用いてＭＲ撮像検査プログラムを実行するステップを有する。該実行するステップの間において、前記ＭＲ撮像装置及び前記冷却系のうちの少なくとも一方に関して熱的パラメータが監視される。前記ＭＲ撮像検査プログラムの実行は、前記冷却系が不十分な冷却能力しか有さないことを示す前記監視される熱的パラメータに応答して調整される。

開示される他の態様において、非一時的記憶媒体は、磁石、勾配磁場増幅器、該勾配磁場増幅器により駆動される勾配磁場コイル及びラジオ波（ＲＦ）コイルを駆動するように接続されたＲＦ増幅器を含む磁気共鳴（ＭＲ）撮像装置の熱放散を推定するための熱モデル化方法を実行するための電子データ処理装置により読み取り可能且つ実行可能な命令を記憶する。前記熱モデル化方法は：前記勾配磁場増幅器及び勾配磁場コイルを有する勾配磁場チェーンの熱出力を、該勾配磁場チェーンにより供給される勾配磁場に基づいて推定するステップと；前記ＲＦ増幅器の熱出力を該ＲＦ増幅器により発生されるＲＦ電力に基づいて推定するステップと；全熱放散推定値を、前記勾配磁場チェーンの推定された熱出力、前記ＲＦ増幅器の推定された熱出力、及び前記勾配磁場に依存せず且つ前記ＲＦ電力に依存しない推定される基準熱出力を一緒に加算することにより発生するステップと；を含む。

１つの利点は、一層低コストのＭＲ撮像装置の設備を提供することにある。

他の利点は、保守及び置換費用が低減されるＭＲ撮像装置の設備を提供することにある。

他の利点は、より高いエネルギ効率の、従って一層低い運転コストのＭＲ撮像装置の設備を提供することにある。

他の利点は、エネルギ効率及び環境に対する優しさを向上させるためのＭＲ撮像の適合を可能にするエネルギ消費性能の視覚化を備えたＭＲ撮像装置を提供することにある。

他の利点は、熱暴走に起因するスキャン中止に対する強さが改善されたＭＲ撮像装置を提供することにある。

他の利点は、当該ＭＲ撮像装置による熱放散を示すと共に該熱放散を現在の冷却機能力と比較する熱予算ダッシュボード又は他の表示を提供することにある。

所与の実施態様は、上述した利点の１つ、２つ、それ以上若しくは全てを提供するか又は提供しないものであり得、及び／又は本開示を精読及び理解すれば当業者により明らかとなるように他の利点を提供することができる。

本発明は、種々の構成要素及び構成要素の構成並びに種々のステップ及びステップの構成の形をとることができる。図面は、好ましい実施態様を解説する目的のためだけのものであり、本発明を限定するものと見なしてはならない。そうでないと明示しない限り、図面は図式的なものであり、実寸通りである又は異なる要素の相対寸法を図示していると見なされるべきではない。

図１は、磁気共鳴（ＭＲ）撮像装置及び要素冷却を含む支援設備の主要なフィーチャを図式的に示す。 図２は、図１のＭＲコントローラにより実行される検査票熱予算調整の例示的実施態様を図式的に示す。 図３は、図１のＭＲコントローラにより実行されるリアルタイムな熱的調整の例示的実施態様を図式的に示す。 図４は、図１のＭＲ撮像装置のための支援設備において好適に使用される例示的電力消散モデルを図式的に示す。 図５は、ＭＲ検査熱予算ダッシュボードを表示する図１のＭＲコントローラコンピュータを図式的に示す。

ここに開示される実施態様は、熱暴走により誘起されるスキャン中止に対する強度に伴う損失無しで、ＭＲ撮像装置を冷却するための低能力冷却機の使用を容易にするものである。このことは、ＭＲ撮像検査の間において温度及び／又は冷却回路内の制御弁の位置を監視することにより達成される。温度又は制御弁設定が限界値に近付いた場合（例えば、混合弁が自身の最大冷却設定値に近付く）、検査票に若しくはスキャン内に中断を挿入する又はクライオ・コンプレッサを一時的にオフする（熱慣性がヘリウムの喪失又は磁石消失のリスクがないことを保証する条件下で）等の救済的（是正）動作がとられる。このことは、熱負荷を低減し、当該温度を許容レベル内に保つと共にスキャン中止を防止する。加えて又は代わりに、検査票を、実行される前に、各スキャンの熱負荷を推定するために分析することができ、該検査票に中断を挿入することができ（例えば、スキャンがスキャン中に中断し及び／又はスキャンの間に中断する）、スキャンを検査票内で並べ直すことができ、及び／又は熱負荷を低減するようにスキャンパラメータを調整することができ、かくして、該検査票の実行が当該冷却機を過負荷状態にしないようにする。

ＭＲ撮像装置により発生される熱負荷は、スキャンのタイプ、検査票のタイプ、及び現場のタイプ（患者の負荷）に伴い変化する。非常に高い熱放散を伴う短い期間は、当該ＭＲ撮像装置の要素（勾配磁場コイル、勾配磁場増幅器、冷却系内の水等）内で緩和され得る。冷却システムを設計する場合、より長い期間（限定するものでない解説例として例えば４０分）にわたる熱負荷を考察することが一層適切である。

従来の最悪ケースシナリオ設計方法の一例は、下記の如くである。特定の勾配磁場構成に対して、４０分にわたる熱負荷の平均値は、標準偏差σ＝３.５ｋＷとして、２５ｋＷであり得る（一解説例として）。従って、該平均値＋３σは３５ｋＷより大きい。冷却機の公称冷却能力は、設計ベースの最悪ケース屋外温度及び１２℃なる設計ベースの冷却水温度から定められる。冷却能力は平均値＋３σ値（３５ｋＷ）の程度であるべきと予想する。このような冷却機は、２５ｋＷの熱放散という典型的状況を扱うことが必要とされるよりも遙かに大きな能力を有する。しかしながら、小さな冷却機（例えば、２０〜２５ｋＷ）が使用される場合、スキャンが平均より高い熱放散で実行される場合（この場合、１以上の要素（例えば、勾配磁場コイル）に対して不十分な冷却が存在することになって、熱暴走及び勾配磁場コイルの温度インターロックの動作につながり、スキャン中止となる）にスキャン中止の大きなリスクが存在する。

ここに開示される実施態様において、ＭＲ撮像装置は、冷却剤（冷媒）温度、要素の温度、及び／又は混合弁位置等の熱的パラメータを監視する。これらのパラメータの何れかが限界値に近付いた場合、熱負荷を制御すると共にスキャン中止を防止するために救済動作が行われる。該救済動作は、例えば、検査票に中断を挿入する；スキャンに中断を挿入する；検査票の未だ実行されていないスキャンのスキャンパラメータを修正する（例えば、Ｇ_rms計測量、Ｂ_1,rms計測量又は他の熱負荷計測量を低下させることにより）；クライオ・コンプレッサを一時的にオフする；又はこれらの種々の組み合わせ；を含み得る。クライオ・コンプレッサを一時的にオフにする救済動作は、ヘリウムを失う危険性及び磁石消失の危険性が存在しないと判断される場合においてのみ実行される。実際に、磁石は液体ヘリウムの相対的に大きな体積及びヘリウム低温槽の典型的な真空被覆によりもたらされる断熱により大きな熱慣性を有するので、クライオ・コンプレッサを典型的な検査票の規模での期間（例えば、幾つかの患者検査において４０分）にわたり熱負荷を低減するために一時的に停止させることは、通常、可能である。

上述したものは、ＭＲ装置の熱的パラメータがリアルタイムに監視されて、救済動作を起動するために使用されるリアルタイム的方法である。他の方法において、熱負荷は検査票を実行する前に予測され、検査票は該熱負荷に基づいて調整される。この事前分析方法は、上記リアルタイム方法に加えて又はリアルタイム方法の代わりに用いることができる。該事前分析方法において、検査票は、当該ＭＲ装置による実行の前に分析されて、冷却機の実際の冷却性能を推定する。この分析は、好ましくは、現在の屋外温度の追加の入力を用いて実行される。冷却機能力は、実際の屋外気温に依存するからである。これは、前記リアルタイム救済方法と比較して、一層積極的な制御方法である。該事前分析方法において、冷却水温度は検査票の実行時にわたる温度の関数として予測される。この予測は、検査票におけるスキャン順序を変更する、熱的に費用の嵩むスキャンを跳ばす、又はスキャンパラメータを一層低い熱放散に修正する等の対策を可能にする。

開示された事前及び／又はリアルタイム温度管理方法は、１つの可能性のある利点として、低能力冷却機を使用する能力を提供する。開示された方法によれば、冷却機の冷却能力の公称値は、当該熱管理により救済対策又は検査票調整が適用される確率の関数と見ることができる。この場合、冷却機能力を設計するための目標は、このような救済動作／調整の頻度を許容可能なレベルに制限することである。

開示された方法の更なる利点は、温度及び混合弁位置の測定を診断目的のためにも使用することができることである。例えば、当該冷却機の冷却性能が期待されるよりも大幅に低い（従って、多数の中断、他の救済動作又は検査票調整が挿入される）場合、このことは、該冷却機の問題を示し得る。また、例えばステップ関数の後の温度−時間曲線も、診断情報を提供し得る。

図１を参照すると、磁気共鳴（ＭＲ）撮像装置１０を含む磁気共鳴撮像機器が図式的に示され、該ＭＲ装置は磁石１２を含む。該磁石１２は、典型的に超伝導磁石であり、液体ヘリウム（ＬＨｅ）内に又は該超伝導磁石を超伝導状態に維持するための他のタイプの低温槽内に配置される。該例示的ＭＲ撮像装置１０は、更に、例えば患者寝椅子等の被検体サポート１４を含み、該サポートにより撮像被検体（医療撮像の場合は患者又は医療被検体；もっと一般的には、該撮像被検体は考古学的ミイラ、獣医学設備における犬又は猫等の何らかの他の被検体であり得る）は磁石１２の検査視野１６内に装荷される。ＭＲ撮像装置１０は、更に、磁石１２を超伝導状態に維持するクライオ・コンプレッサ１８、勾配磁場コイル２２を駆動する勾配磁場増幅器２０、撮像被検体内で磁気共鳴（ＭＲ）を励起するためにラジオ波コイルを駆動するラジオ波（ＲＦ）増幅器２４等の、図１に図式的に示された種々の熱発生要素を含んでいる。典型的な実施態様において、クライオ・コンプレッサ１８は、磁石１２の低温槽内のヘリウムを冷却し、該ヘリウムを約４Ｋの沸点（圧力に依存して僅かに変化する）を持つ液体状態に（即ち、液体ヘリウム（ＬＨｅ）として）維持するように動作する。このように、ＬＨｅに浸された超伝導磁石巻線は、典型的な超伝導磁石巻線材料の臨界温度（Ｔｃ）より低く維持される。勾配磁場増幅器２０及び勾配磁場コイル２２は、典型的に、独立したｘ−、ｙ−及びｚ−勾配磁場を形成するように構成されるが、他の勾配磁場コイル設計も考えられる。ＲＦ増幅器２４は、磁気共鳴を励起するために全身又は局部ＲＦコイル（図示略）を駆動する。ＭＲ撮像装置１０は、例えばＭＲ信号を受信するためのＲＦ受信器等の、ここでは重要ではなく、従って図示されていない他の要素も含む。更に、特定の熱発生ＭＲ要素１８，２０，２２，２４が例として図示されているが、種々のＭＲ撮像装置は追加の及び／又は他の熱発生要素を有し得ることが理解されるであろう。

ＭＲ撮像装置１０は空冷冷却機２８により冷却され、この目的のために（及び、例えば汎用の病院冷却機の場合、恐らくは他の関係の無いシステム又は装置を冷却するためにも）該冷却機は冷却水を供給する。更に詳細には、熱発生ＭＲ要素１８，２０，２２，２４は冷却系３０により冷却され、該冷却系は当該ＭＲ撮像装置の熱発生要素１８，２０，２２，２４を空冷冷却機２８により供給される冷却水を用いて冷却するように接続される。当該例示的冷却系３０の主要要素は液体冷却キャビネット（ＬＣＣ）内に配置されており、従って、図１では該冷却系３０の主要要素を収容した該ＬＣＣにラベルを付すために、図示の便宜上、符号３０が用いられている。該例示的冷却系３０は、一群の冷却剤（冷媒）回路３２を含み、各冷却剤回路は当該ＭＲ撮像装置の少なくとも１つの熱発生要素を当該冷却剤回路に流れる冷却剤を用いて冷却するように構成される。当該冷却剤は、水とすることができるか、又は例えば空気等の異なるタイプの冷却剤とすることができる。更に、異なる冷却剤回路は異なるタイプの冷却剤を採用することができる。冷却剤回路３２内を流れる冷却剤から空冷冷却機２８により供給される冷却水に熱を移動させるために、一群の熱交換器３４が冷却剤回路３２に接続されている。該解説例において、熱発生要素へと流れる冷却剤の温度は混合弁３６により設定され、該混合弁は熱交換器３４からの冷却剤を当該冷却剤回路３２の戻りライン３８からの冷却剤と混合し、混合された冷却剤を設定値（セットポイント）温度で出力する。（図式的な図１において、戻りライン３８は、実線として示された冷流体入力ラインから点線により区別されている）。各回路の混合弁３６は、混合冷却剤出力を設定値温度に維持するためにフィードバック制御により自動的に調整される。このことは、熱交換器３４からの“冷”冷却剤温度の何らかの有限な範囲にわたってのみ可能であることが理解されるであろう。冷却機２８からの冷却水が過度に温かくなった場合、前記“冷”冷却剤温度は過度に高くなり、混合弁３６が熱交換器３４からの“冷”冷却剤だけを通過させるように設定されたとしても、該混合弁３６の出力は前記設定値温度より高くなるであろう。

冷却剤回路３２は図１では図式的に示されており、種々の詳細な冷却剤回路トポロジが考えられることに注意すべきである。例えば、該例示的冷却剤回路は閉ループであるが、冷却剤入力部及び冷却剤排出部若しくは放出部を含む開ループ又は部分的開ループ回路も考えられる。当該冷却剤回路は、自然循環により駆動することができ、又は冷却剤ポンプにより駆動し若しくは補助することもできる。他の変形例として、図１においては各熱発生要素２０，２２，２４に対して単一の冷却剤回路が存在するが、他の実施態様では、単一の冷却剤回路が当該ＭＲ撮像装著の２以上の異なる熱発生要素を冷却することができる。例えば、一変形実施態様において、勾配磁場増幅器２０、勾配磁場コイル２２及びＲＦ増幅器２４のための図示された別個の冷却回路は、単一の冷却回路として組み合わされ、斯かる３つの熱発生要素２０，２２，２４の流量分布は一群の流量制限器（絞り機構）により制御される。オプションとして、クライオ・コンプレッサ１８も二次側冷却剤回路におけるものとすることができ、共通の冷却回路が、該クライオ・コンプレッサを単独で又は該クライオ・コンプレッサ及び同一の冷却回路上の１以上の他の熱発生要素を冷却する。他の限定するものでない例示的変形例において、前記クライオ・コンプレッサへの冷却水の温度制御は、クライオ・コンプレッサ１８を冷却する該例示的回路における例示的混合弁３６により提供されるもの等の如何なる追加の温度制御もなしで、冷却機２８により実行することができる。

図１を続けて参照すると、クライオ・コンプレッサ１８の冷却構成は他の熱発生要素２０，２２，２４の冷却構成とは、クライオ・コンプレッサ１８が、前記冷却水から流体的に分離されるが熱交換器により熱的に結合された別の冷却剤によるというより、冷却機２８からの冷却水により直接的に冷却される点で相違している。当該例示的構成において、混合弁３６は冷却機２８からの冷却された水をクライオ・コンプレッサ１８から冷却剤戻りライン３８により運ばれる一層温かい水と混合する。該混合弁３６は、クライオ・コンプレッサ１８への混合された冷却水出力を所望の設定値温度に維持するためにフィードバック制御により自動的に調整される。他の実施態様において、当該クライオ・コンプレッサは、熱交換器を用いた流体分離型冷却剤回路により冷却剤回路３２に関して既述したのと同様の態様で冷却することもできることに注意すべきである。

図１を続けて参照すると、当該開示された改善されたＭＲ撮像装置の冷却設計を実施するために１以上のセンサが設けられ、これらセンサの各々は、ＭＲ撮像装置１０における熱発生要素１８，２０，２２，２４の又は冷却系３０の熱的パラメータを測定するように構成される。例示的な図１において、これらのセンサは、各々が符号ＴＳを囲む円により示された一群の温度センサＴＳ；及び各々が混合弁３６の弁設定値を出力する一群のセンサＶＳ（これらの弁センサは、各々、符号ＶＳを囲む円により示されている）を含む。図１の例示的実施態様において、温度センサＴＳは熱発生要素１８，２０，２２，２４に冷却剤を供給する流れライン及び冷却剤回路３２の冷却剤戻りライン３８における温度を測定するように配置されると共に、１つの温度センサＴＳは熱交換器３４に流入する冷却剤の温度を測定する。もっと一般的には、温度センサは当該冷却剤回路における他の点における温度を測定するように配置することもできる。弁センサＶＳは、弁機械位置センサ、入力ラインの１つにおける流量を検出する流量センサ（例えば、当該混合弁が戻りライン３８からの冷却剤が混合されることがない限界的設定にある場合、このことは、該弁に供給する戻りライン区間上の流量センサにより検出することができる）、又は弁アクチュエータ信号を検出する電気的センサ（当該弁が該アクチュエータ信号により示される値に適切に設定されるという仮定の下で）等の種々の形を取ることができる。更に、これらのセンサＴＳ、ＶＳは解説例に過ぎず、ＭＲ撮像装置１０における熱発生要素１８，２０，２２，２４の又は冷却系３０の熱的パラメータを測定するために追加の又は他のセンサを採用することもできる。例えば、熱発生要素１８，２０，２２，２４の動作温度を測定する温度センサを用いることもできる。

上記例示的温度センサＴＳは冷却系３０の熱的パラメータを直接測定することが容易に理解され得る。冷却機２８が不十分な冷却能力を有する場合、冷却系３０は発生された熱を益々放散することができなくなるので、これらの温度は上昇し始める。弁センサＶＳは、冷却系３０の熱的パラメータである混合弁設定値を以下のように測定する。冷却機２８が十分に冷却された水を供給している場合、混合弁３６は所望の設定値温度（又は複数の温度）を維持するために戻りライン３８からの“熱い”水の相当の割合を混合するであろう。対照的に、冷却機２８が不十分な冷却能力しか有さない場合、当該冷却水の温度は上昇し始め、弁フィードバック制御は、上記所望の設定点温度を得るために戻りライン３８からの“温”水を一層少ない割合で混合し始めるであろう。当該冷却機の能力が益々不十分になるにつれて、混合弁３６は、熱交換器３４から最多の“冷たい”冷却剤を供給すると共に戻りライン３８から最少の（又はゼロの）“熱い”冷却剤を供給する限界設定値に向かって更に動くであろう。

更に、幾つかの実施態様において、空冷冷却機２８の冷却能力は、図１に符号ＡＴＳを囲む円により示された気温センサＡＴＳにより測定される屋外気温に基づいて直接監視される。

図１を続けて参照すると、ＭＲ撮像装置１０はＭＲコントローラ４０により制御され、該ＭＲコントローラは、電子プロセッサ（例えば、図示のコンピュータ４１、専用のマイクロプロセッサ又はマイクロコントローラベースのＭＲコントローラ）並びにＭＲスキャンパルスシーケンスを記憶する非一時的記憶部（例えば、ハードディスクドライブ、又は固体ドライブ若しくはＳＳＤ等）、及び該ＭＲ撮像装置１０のアナログ要素若しくは信号に接続するためのアナログ／デジタル及び／又はデジタル／アナログ回路等の補助的要素を有する。ＭＲコントローラ４０は、ＭＲ撮像装置１０を制御するためにＭＲ撮像検査プログラム４２（ここでは、検査票４２としても示される）を実行すると共に、該ＭＲ撮像検査プログラム４２の実行を１以上のセンサＴＳ，ＶＳにより測定される当該冷却系３０が不十分な冷却能力しか有さないことを示す熱的パラメータに応答して調整するようにプログラムされる。

本明細書で使用される場合、“検査票”なる用語は、ＭＲ撮像装置１０により実行されるべきＭＲ撮像検査の実行可能な表現を示すための“ＭＲ撮像検査プログラム”４２の省略表記として使用される。例えば、“ＭＲ撮像検査プログラム”４２、即ち“検査票”４２は、ＭＲコントローラ４０により読み取り可能となるようにフォーマットされた構造化データファイル又はデータコンテナであり得る。検査票４２はＭＲコントローラ４０により読み取られ、該ＭＲコントローラはＭＲ撮像装置１０に該検査票４２により表された動作を実行させる。検査票４２により定義された実行可能な表現は、例えば、１以上のＭＲスキャンを何らかの特定の順序で実行すべきことを識別することができ、その場合において、各ＭＲスキャンはＭＲ撮像装置１０によって、ＲＦパルス、勾配磁場パルス（“パルス”は時間的に拡張することができ、例えば、勾配磁場パルスは規定された時間間隔にわたり印加される一定の又は振動する勾配であり得る）及び／又は磁気共鳴読出動作等から形成されるＭＲパルスシーケンスを実行することにより実行される。ＭＲスキャンを表す該ＭＲパルスシーケンスは、検査票４２自体に記憶することができるが、より一般的には、例えば当該ＭＲ撮像装置１０のメモリ又はデータ記憶部等の他の場所に記憶され、検査票４２は当該スキャンを取り込み及び実行するための呼び出し（コール）又は他の命令のみを、ＲＦ励起パルス強度値、エコー時間（ＴＥ）及び／又は勾配磁場パラメータ（例えば、周波数）等のスキャンパラメータと一緒に記憶する。また、検査票４２は、当該ＭＲ撮像装置の操作者が磁気共鳴造影剤の投与又は局部ＲＦコイルの配置等の１以上の操作を実行することを可能にするためのＭＲスキャンの開始前の一時的休止を含む、実行されるべきＭＲ撮像検査の他のフィーチャの表現を含むこともできる。また、検査票４２は、例えば呼吸周期アーチファクトを減少させるために撮像被検者に自身の呼吸を保持することを指示することを可能にするための、ＭＲスキャン中の一時的休止を含むこともできる。既述したように、検査票４２は典型的にスキャン（又は複数のスキャン）のためのスキャンパラメータも提供する（もっとも、検査票４２が特定のスキャンパラメータに関する値を提供しない場合、何らかのデフォルトパラメータ値をオプションとして用いることができる）。

ＭＲコントローラ４０は、典型的に、ＭＲ撮像検査プログラム（即ち、検査票）４２からの条件付逸脱を可能にするように設計されることにも注意すべきである。例えば、ＭＲコントローラ４０はＭＲ撮像装置操作者が咳き込みから撮像被検者が回復するのを可能にするためにＭＲ撮像検査プログラム４２の実行を手動で一時的に中止することができるようにし、及び／又はＭＲコントローラはＭＲ要素の故障状況の検出等の種々の自動化された入力に応答してＭＲ撮像検査プログラム４２の実行を一時的に中止することができるようにすることができる。

前述したように、ＭＲコントローラ４０は、ＭＲ撮像検査プログラム４２の実行を前記１以上のセンサＴＳ，ＶＳにより測定された当該冷却系３０が不十分な冷却能力しか有さないことを示す熱的パラメータに応答して調整するようにプログラムされる。図１は、高いレベルでの適切な処理を図式的に示す。検査票４２は、ＭＲコントローラ４０により読み取られると共に、オプションとしての検査票熱予算調整プログラム又はモジュール４４により処理される。該検査票熱予算調整プログラムにより、ＭＲコントローラ４０は、検査票４２を実行することにより発生される熱負荷を推定するために該検査票を実行前に分析するようにプログラムされる。冷却系３０が前記気温センサＡＴＳにより測定された気温においては上記の推定された熱負荷を放散するために不十分な冷却能力しか有さない場合、ＭＲコントローラ４０は、例えば、検査票４２におけるＭＲスキャン内に又はＭＲスキャンの間に一時的中止（中断）を挿入し、勾配磁場計測量（例えば、Ｇ_rms）を低下させ若しくは１以上のスキャンのＲＦ電力計測量（例えば、Ｂ_1,rms）を低下させるようにスキャンパラメータを調整し、熱負荷状態を一層均一に分布させるために検査票４２のスキャンを並び替え、又はＭＲスキャン（好ましくは、高い熱負荷を持つもの）を省略する等を行うことにより、検査票４２を、熱負荷を減少させるために実行前に調整する。有利には、検査票４２は、典型的に、磁気共鳴造影剤を投与する又は局部ＲＦコイルを位置決めする等の操作を可能にするためにＭＲスキャン中又は間の中断を表す能力を含むものとする。このように、オプションとしての検査票熱予算調整プログラム又はモジュール４４は、熱的調整のための中断を挿入するために当該検査票表現言語又は構文（シンタックス）の斯かる既存のフィーチャを利用することができ、かくして、該オプションとしての検査票熱予算調整プログラム又はモジュール４４を実施化することは、当該検査票言語又は構文の大幅な（又、幾つかのケースでは一切の）修正は必要としない。

上記オプションの検査票熱予算調整プログラム又はモジュール４４により実行される検査票４２の前記オプションとしての事前分析及び（もし適切なら）調整の後、検査票実行モジュール又はプログラム４６が適用され、これにより、ＭＲコントローラ４０は検査票４２（前記オプションの検査票熱予算調整プログラム又はモジュール４４により提供された修正を伴う（斯かる修正がなされた場合））を実行するようにＭＲ撮像装置１０を動作させるようプログラムされる。（オプションとして修正された）該検査票４２の実行の間において、リアルタイム熱的調整モジュール又はプログラム４８は上記実行４６と同時的に動作して、当該検査票の実行を、前記１以上のセンサＴＳ，ＶＳにより測定された当該冷却系が不十分な冷却能力しか有さないことを示す熱的パラメータに応答して調整する。例えば、混合弁が熱交換器３４からの冷たい水のみが熱発生要素に供給されるような限界に近く、戻りライン３８からの熱い水が僅かしか又は全く混合されない場合、このことは、混合弁３６が更なる熱負荷に対応することができなくなる前に僅かな残存予備能力しか存在しないことを意味する。同様に、温度センサＴＳの温度測定値が上昇し始めた場合、これは、当該熱発生要素により発生される熱を放散させるには不十分な能力を示す。リアルタイム熱的調整モジュール又はプログラム４８は、オプションとして、気温センサＡＴＳにより測定される現在の屋外温度を考慮に入れて、調整が必要かを評価する際に空冷冷却機２８の現在の冷却能力を考慮することができる（例えば、屋外温度が高い場合、屋外温度が低い場合よりも早く調整が行われ得る）。リアルタイム熱的調整モジュール又はプログラム４８による熱的調整は、例えば、次のスキャンに中断を挿入するか若しくは次の２つのスキャンの間に中断を挿入する、熱負荷を低下させるようにＭＲスキャンパラメータを調整する、来るＭＲスキャン（好ましくは、高い熱負荷をもつもの）を省略する、又はクライオ・コンプレッサ１８を一時的に遮断する（斯様な遮断がヘリウムの喪失又は磁場消失の危険を冒さないほど当該磁石の熱慣性が十分である場合）等を含むことができる。有利には、検査票実行要素４６は、典型的に、ＭＲスキャンの実行中に又はＭＲスキャンの間に計画されていない中断（即ち、検査票４２により表されたプログラムの一部ではない中断）を挿入する能力を有し、例えば、呼吸周期アーチファクトを低減するために撮像被検者が呼吸を保持するよう指示されることを可能にし、又は撮像被検者が咳き込み若しくは他の障害から回復することを可能にする。同様に、検査票４２も典型的に当該スキャン（又は複数のスキャン）のためのスキャンパラメータを供給することができ、これらスキャンパラメータはリアルタイム熱的調整モジュール又はプログラム４８により記憶値を調整することにより修正することができる。このように、リアルタイム熱的調整モジュール又はプログラム４８は、検査票実行要素４６の大幅な（又は、幾つかのケースでは、如何なる）修正も必要としない。

上記において、検査票熱予算調整プログラム又はモジュール４４は、リアルタイム熱的調整モジュール又はプログラム４８に加えてオプションとして設けることができるオプション的要素として説明された。しかしながら、検査票熱予算調整プログラム又はモジュール４４を含める一方、リアルタイム熱的調整モジュール又はプログラム４８を省略することも考えられる。

更に、検査票熱予算調整プログラム又はモジュール４４は、ここでは、実行モジュール又はプログラム４６による実行の直前に検査票４２を読み込む際に実行するものとして説明したが、他の実施態様において、検査票熱予算調整プログラム又はモジュール４４は、もっと早期に実行することもできる。例えば、検査票熱予算調整プログラム又はモジュール４４は、ＭＲコントローラ４０による後のロード及び実行のために記憶される前に検査票４２を構成及び最終決定するための準備処理の一部として適用することもできる。このようなケースにおいて、気温センサＡＴＳは、検査票４２が実行される時点において冷却機２８の近傍の屋外気温を評価するために用いることはできない。このような実施態様においては、検査票熱予算調整プログラム又はモジュール４４が検査票の実行より遙かに長い時間前（例えば、前日の夜）に実行されるので、気温センサＡＴＳは斯かる情報を提供しないからである。従って、このような実施態様において、事前の熱的解析を実行するための“現在の”屋外気温は、検査票４２が実行されるように計画された大凡の時間における気象予報又は他の屋外温度の予測から得ることができる。幾つかの実施態様において、屋外温度は、この目的のために現在の季節に基づいて大まかに推定することができる。例えば、一定の大凡の気温は、恐らくは温度が早朝、昼間及び夕方の間で大きく変化し得る例えば米国南西部等の地域における一日における時刻を考慮に入れて、冬、春、夏及び秋に関して推定することができる。

前述したように、ＭＲコントローラ４０は、電子プロセッサ（例えば、図示のコンピュータ４１、専用のマイクロプロセッサ又はマイクロコントローラベースのＭＲコントローラ）並びにＭＲスキャンパルスシーケンスを記憶する非一時的記憶媒体、及び／又は当該ＭＲ撮像装置１０のアナログ要素若しくは信号に接続するためのアナログ／デジタル及び／又はデジタル／アナログ回路等の補助的要素を有する。開示されたモジュール又はプログラム４４，４６，４８は、加えて又は代わりに、記載されたタスク（ＭＲ撮像装置１０と適宜インターフェースすることを含む）を実行するためにＭＲコントローラ４０により読み取り可能且つ実行可能な命令を記憶する非一時的記憶媒体として具現化することもできることが更に理解されるであろう。このような非一時的記憶媒体は、例えば、ハードディスクドライブ若しくは他の磁気記憶媒体、固体ドライブ、フラッシュメモリ若しくは他の電子記憶媒体、光ディスク若しくは他の光記憶媒体又はこれらの種々の組み合わせ等を含むことができる。ＭＲコントローラ４０は、典型的に、ディスプレイ（例えば、図示したＭＲコントローラコンピュータ４１の図示したコンピュータディスプレイ４９）及び１以上のユーザ入力装置（例えば、キーボード、マウス又はディスプレイ４９のタッチ感知性オーバーレイ等）を含むユーザインターフェース要素を含む。幾つかの実施態様において、前記推定された熱予算はディスプレイ４９上に示されるエネルギ消費ダッシュボード（又はウインドウ）上に表示することができる。

次に図２及び図３を参照して、前記検査票熱予算調整プログラム又はモジュール４４により（図２）及び前記リアルタイム熱的調整モジュール又はプログラム４８により（図３）実行することができる幾つかの限定するものでない解説的方法を説明する。

ここで図２を参照すると、例示的構成の方法において、前記検査票熱予算調整プログラム又はモジュール４４は、実行前に検査票４２を、気温センサＡＴＳにより供給される（事前分析／調整が検査票４２の実行の時刻の十分に近くで実行される場合）又は気象予報、現在の季節若しくは他の情報に基づいて推定される（気温センサＡＴＳが利用可能でない、及び／又は事前分析が検査票の実行よりもセンサＡＴＳが有効な気温推定を行うことができないほど長時間前に実行される場合）気温５０を受信する。処理５２において、検査票４２の各ＭＲスキャンの熱負荷が推定される。大雑把な方法において、この推定は、当該スキャンの間に発生される最大二乗平均（二乗平均平方根）勾配磁場振幅（Ｇ_rms）及び／又は当該スキャンの間に発生される最大二乗平均Ｂ_１磁場（Ｂ_1,rms）に基づいて実行することができる。もっと正確な推定は、勾配磁場（又は複数の勾配磁場）及び／又はＲＦパルス（又は複数のパルス）が各々印加されている時間にわたるＧ_rms及び／又はＢ_1,rmsの時間積分により計算することができる。当該熱負荷推定は、オプションとして、当該スキャンの間にＲＦ増幅器２４により発生されるＲＦ励起パルスエネルギ（ここでも、ピークＲＦエネルギとして又はＲＦパルス（又は複数のパルス）の時間にわたるＲＦパルス（又は複数のパルス）のエネルギの時間積分として推定される）等の他の要因を考慮に入れることもできる。オプションとして、各ＭＲスキャンの熱負荷を推定する際に追加の又は他の熱負荷を同様に考慮に入れることができる。熱負荷推定処理５２の幾つかの他の実施態様は、本明細書において、図４を参照して説明する。

処理５４において、各ＭＲスキャンが独立して（即ち、検査票４２の他のスキャン（もし存在する場合）を考慮せずに）分析される。屋外温度５０から推定される冷却機２８の冷却能力を考慮に入れて、冷却系３０が、独立して考察される各ＭＲスキャンにより発生される熱を放散するのに十分な冷却能力を有するかが判定される。この判定は、種々の冷却系要素（例えば、冷却剤回路３２、熱交換器３４、混合弁３６の混合範囲等）の熱効率等の要因を考慮に入れることができる。処理５４においてなされた判定に基づいて、何れかのＭＲスキャン（個別に考察された）が許容不可能なほど高い熱負荷を示すことが分かった場合、このことは、当該スキャン内に中断（一時的休止）を挿入する及び／又は当該スキャンのスキャンパラメータを調整することによる等の、当該スキャン内で有効となる調整５６により対処される。

何のスキャンも、それ自体で、熱的“過負荷”を示さないように、個別に考察される各ＭＲスキャンを分析（及び、適切なら、調整）した後、検査票４２を構成するＭＲスキャンの組み合わせが、累算的に、現在の気温５０において動作する冷却系３０に対して過度に高い熱負荷を呈し得るかを分析するために更なる処理５８が適用される。この分析５８は、２つのスキャンからの熱は個別には放散され得るが、該２つのスキャンを連続して実行することが過度に多くの熱負荷を示し得るような可能性を考慮する。この分析は、例えば、各ＭＲスキャンの後に放散されるべきものとして残存する予想される熱を考慮に入れると共に、これを、次のＭＲスキャンの熱負荷分析のための開始点として使用することにより実行することができる。該処理５８が当該検査票は全体として現在の屋外気温５０における熱予算を超えると判定した場合、この累算的熱負荷の熱放散を促すために調整６０が実行される。該調整（又は複数の調整）６０は、例えば、連続するＭＲスキャンの間に中断を挿入する、及び／又はＭＲスキャンを並び替える等を含むことができる。最終的出力は、処理５６，６０においてなされた熱的調整（又は複数の調整）を伴う調整された検査票６２である。

図示の実施態様において、熱的調整（又は複数の熱的調整）は、実際に、処理５６，６０において当該ＭＲ撮像装置の操作者からの入力無しで検査票４２に対してなされる。他の実施態様において、各調整は、先ず、当該ＭＲ撮像装置の操作者に対して例えばコンピュータディスプレイ４９上に表示することができ、該操作者は当該調整が実際になされるべきかを決定し、当該調整は該操作者により承認された場合にのみ検査票４２においてなされる。

図３を参照して、リアルタイム熱的調整モジュール又はプログラム４８を実施化するための解説的構成の方法を説明する。検査票４２又は代わりに図２の方法により出力される修正された検査票６２が、入力として作用し、検査票実行モジュール又はプログラム４６（図１参照）により実行される。この実行の間において、リアルタイム熱的調整モジュール又はプログラム４８は監視処理７０を実行し、該処理の間において該リアルタイム熱的調整モジュール又はプログラム４８は温度センサＴＳ及び／又は混合弁センサＶＳにより出力されるもの等の熱的パラメータを監視する。該監視は、何れかの監視されている熱的パラメータが限界値に近付いているかについての継続的なチェック７２を実行する。全ての監視されている熱的パラメータが許容可能な各範囲内にある限り、該リアルタイム熱的調整モジュール又はプログラム４８により更なる動作は実行されない（チェック７２から監視７０へ戻る流れ矢印により示される）。しかしながら、チェック処理７２が限界値に近付いている熱的パラメータを検出した場合、救済動作がとられる。処理７２は、このような救済動作がとられるべき場合を決定するために種々の評価基準を用いることができる。例えば、１つの想定される方法において、何れかの混合弁が熱交換器３４からの全開流量のＸ％内に近付いた場合（ここで、Ｘは例えば９０％又は９５％であり得ると共に、更に、異なる冷却回路３２に対して異なることができる）、救済動作がとられる。同様に、何れかの入力ライン及び／又は戻りライン温度センサＴＳが何らかの閾値より高い温度を示す場合、救済動作が取られる。熱交換器３４への冷却剤の流入を監視する温度センサＴＳは、加えて又は代わりに、冷却の不十分さを検出するために監視することができ、このセンサは冷却機２８が冷却水を所望の温度で供給することができないかを直接検出する。想定される一層複雑な実施態様において、これらのパラメータの時間微分を考慮に入れることができ、例えば、弁設定値の一層速い変化又は一層急速な戻りライン温度の上昇は、より緩やかな変化と較べて一層迅速な応答を必要とし得る。

図示の実施態様の処理７４において、最初に考察される救済的応答は、クライオ・コンプレッサ１８を幾らかの一時的な期間にわたり安全に遮断することができるかを判定することである。これは、当該図示実施態様において最初に考察される応答である。何故なら、（１）クライオ・コンプレッサ１８を遮断すること（そうすることが安全な場合）は当該ＭＲ検査に悪影響を与えることがなく；（２）ＭＲ磁石１２の（又は、もっと正確には、例えばＬＨｅ低温槽等の冷却系の）大きな熱慣性は、クライオ・コンプレッサ１８を検査票４２，６２の実行時間の少なくとも相当の部分にわたり安全に遮断することができそうであることを保証し；（３）クライオ・コンプレッサ１８を動作させることは大きな熱負荷となるので、該クライオ・コンプレッサを一時的に遮断することは初期的な熱暴走条件を効果的に修復する高い尤度を有するからである。処理７４がクライオ・コンプレッサ１８を一時的にオフすることが適切な（最初の）応答であると判定するかは、幾つかの要因に依存する。第１に、クライオ・コンプレッサ１８は現在動作していなければならない。該クライオ・コンプレッサが既にオフされている場合（例えば、該低温槽の温度が不感帯の低い値にある故に）、このアプローチによっては熱負荷の低減を達成することはできない。クライオ・コンプレッサ１８が現在動作している場合、該クライオ・コンプレッサをヘリウムの喪失又は磁石消失の危険性を伴わないで安全に遮断することができるかが判定される。例えば、クライオ・コンプレッサ１８が、当該磁石低温槽温度が自身の制御不感帯の上部に到達したことに応答してオンしたばかりの場合、該クライオ・コンプレッサ１８をオフすることはオプションとはならない（又は、斯様な遮断は非常に短い期間にわたるものでなければならない）。一方、当該磁石低温槽が自身の不感帯の下部にある又は下部の近くにある場合、クライオ・コンプレッサ１８はヘリウム喪失又は磁石消失の危険性無しで相対的に長い期間にわたりオフすることができる。この場合、流れはクライオ・コンプレッサ１８が一時的にオフされる処理７６に移る。

クライオ・コンプレッサ１８をオフするために処理７６が実行された場合、当該磁石低温槽内の液体ヘリウムの完全さを維持すると共に磁石消失の如何なる可能性も排除するのに十分な時間内に該クライオ・コンプレッサが復帰することを保証するために何らかの準備がなされる。この目的のために、当該磁石低温槽温度は監視することができ、クライオ・コンプレッサ１８は該低温槽温度が不感帯の上部に到達したら復帰される。オプションとして、当該一時的遮断に対する厳しい時間制限も課され得る。

処理７４において、処理７２において示された不十分な冷却能力を是正するためにクライオ・コンプレッサ１８の一時的なオフを実行することはできないと判定された場合、流れは処理７８に移り、該処理において更なる（又は異なる）救済動作がとられる。該処理７８により実行される救済動作は、例えば、現在実行中のＭＲスキャンに中断を挿入する（好ましくは、熱的パラメータの限界値への急速な接近の場合においてだけ実行される）；来たるスキャンに中断を挿入する；２つの連続するスキャンの間に中断を挿入する；又は来たるスキャンのためのスキャンパラメータ値を低下させる等を含むことができる。次いで、流れは温度パラメータの継続した監視のために処理７０に戻り、熱的問題を是正するために要するなら、処理７８の更なる反復を実行することができる。

幾つかの事例において、処理７２における熱的パラメータが自身の限界値へ接近することの最初の検出は、処理７４，７６による一時的なクライオ・コンプレッサの遮断を起動し得るが、このことが、当該冷却の不十分さを軽減するには不十分であることが判明することもあり得、その時点で処理の流れは更なる救済動作をとるために処理７８へと移る。例えば、該クライオ・コンプレッサの遮断が、戻りラインの温度又は混合弁の限界値への移動を食い止めることができない場合もある。他のシナリオにおいて、クライオ・コンプレッサの遮断は限界値への上記移動を食い止めるには有効ではあり得るが、該クライオ・コンプレッサは磁石１２内のＬＨｅを維持するために後に復帰されることを必要とし得、その時点以降、当該戻りラインの温度又は混合弁の設定は再び限界値に向かって移動し得る。何れの場合においても、当該熱的過負荷状況に対処するための更なる救済動作をとるために、流れは次いで処理７８に移る。

図３には示されていないが、処理７２が、気温センサＡＴＳにより示される冷却機２８の冷却能力を更に考慮に入れることが考えられる。例えば、当該気温が高く、冷却系３０が熱的過負荷状況に余り対処することができない場合、救済動作は一層早期に取ることができる。

次に図４を参照して、一例示的実施態様が電力放散モデル８０に関して説明され、該モデルは、例えば、図２の熱負荷推定処理５２を実施するために前記ＭＲコントローラ上で構成することができる。該電力放散モデル８０は、電力放散が実行されているＭＲスキャンの細目からは殆ど独立しているＭＲ撮像装置１０の各要素により必要とされる熱放散を表した基準（基本）熱出力８２を含む。このような要素は、例えば、液体冷却キャビネット３０及びクライオ・コンプレッサ１８を含む。このように、基準熱出力８２は、ＭＲスキャンからは独立した一定の熱放散としてモデル化される。該基準熱出力８２は、例えば、ＭＲ撮像装置１０がアイドル状態にある場合の冷却機２８上の負荷として測ることができる。

当該熱モデル８０は、更に、勾配磁場増幅器２０及び勾配磁場コイル２２を含む勾配磁場チェーンにより必要とされる熱放散をモデル化した勾配磁場チェーン熱出力８４を含む。勾配磁場増幅器２０の電力放散は特定の勾配磁場増幅器構成に依存するもので、１つの典型的な構成において、該勾配磁場増幅器２０は個々の勾配磁場コイル（例えば、ｘ-及びｙ-横軸コイル並びに長軸z-コイル）のための個々の増幅器を駆動する増幅器電源を含む。この構成の場合、勾配磁場増幅器の熱放散は：

と表すことができ、ここで、Ｐ_{amp p.s.}は増幅器電源の電力放散であり、Ｉ_ｉはｉ番目の勾配磁場チャンネル（ここで、ｉ＝ｘ，ｙ又はｚ）のための駆動電流であり、ｆ_ｉはｉ番目の勾配磁場チャンネルのための駆動電流の主要周波数であり、P_i(I_i,f_i)はｉ番目の勾配磁場増幅器の電力放散である。各勾配磁場チャンネルｘ，ｙ及びｚに対する駆動電流Ｉ_ｉは、rms勾配磁場強度値及びスキャン持続時間（これらは検査票内にある）から並びに既知のコイル感度から計算される。式（１）には示されていないが、Ｐ_{amp p.s.}も、増幅器チャンネルの駆動電流及び／又は主要周波数の関数であり得る。放散モデルP_i(I_i,f_i)は、線形、二次のものであり得るか、又は増幅器の構成に依存する何らかの他の形態を有し得る。式（１）には示されていないが、Ｐ_{amp p.s.}は、増幅器チャンネルの電流計測量及び／又は主要周波数の関数でもあり得る。

ｘ−，ｙ−及びｚ−勾配磁場コイルチャンネルの電力放散は、ここでは、簡単な抵抗モデルを用いて：

のようにモデル化され、ここで、R_i(f_i)はｉ番目の勾配磁場コイルの周波数依存性抵抗である。抵抗R_i(f_i)は、チャンネル毎の抵抗測定により得ることができ、ルックアップテーブル内に設けられる。検査票４２，６２におけるＭＲスキャンの主要周波数成分が、当該スキャンのためのコイル抵抗、R_i(f_i)を決定するために使用される。

当該熱モデル８０は、更に、ＲＦ増幅器２４により必要とされる熱放散をモデル化したラジオ波周波数（ＲＦ）増幅器熱出力８６を含む。図示の電力放散モデル８０において、ＲＦ増幅器の電力放散８６は、平均ＲＦ電力及びピークＲＦ電力に依存する。コイルアレイ又は複数の励起コイルの他の組を用いるＲＦスキャンの場合、平均及びピークのＲＦ電力の両方は、各チャンネルに関し検査票４２，６２に基づいて決定される。所与の平均及びピークＲＦ電力対に関してＲＦ増幅器２４により取り込まれる主電力を計算するために、経験的ルックアップテーブルが適切に用いられる。該ＲＦ増幅器電力放散８６を含めることは、図１の図示例におけるように、ＲＦ増幅器２４が水冷されることを仮定している。

もっと一般的に言うと、熱モデル８０は冷却機２８に対する負荷を評価するために使用されるので、該熱モデル８０の要素は、冷却機２８により供給される冷却水を用いて水冷される要素に限定される。空冷される要素は、冷却機能力に影響を与えないので、含まれていない。代わりに、幾つかの実施態様では、当該ＭＲ撮像機器による全エネルギ消費の一層完全な評価を行うために空冷される要素も含めることが考えられる。このことは、ＭＲ検査室管理者が当該ＭＲ撮像機器のエネルギ効率を最適化することを更に支援することができる。

一般的に、熱モデル８０は、検査票４２，６２のＭＲスキャンに関する磁場情報及びＲＦ励起情報を入力として受信する。経験的ルックアップテーブル９０は、（平均、ピーク）ＲＦ電力対の関数としての主電力及び周波数の関数としての勾配磁場コイル抵抗等の情報を供給する。リアルタイム熱的調整４８を実施するために、例えば実際の増幅器駆動電流等のその場での測定値９２を供給することができる。冷却水の温度及び／又は流量測定値並びに環境の温度測定値（例えば、気温センサＡＴＳを用いた気温の測定値）を熱モデル８０に供給して、該モデルを一層正確にするか又は極端な環境条件について予測することができる。全電力放散（即ち、冷却需要予測９４）は、基準熱出力８２、勾配磁場チェーン熱出力８４及びＲＦ増幅器熱出力８６の総和として計算される。

開示された熱モデル８０は、図１〜図３を参照して説明したもの等の、ＭＲ撮像検査の熱的調整（例えば、検査票の熱的調整）を実行するための一層詳細な熱的情報を提供するのに有益である。しかしながら、該熱モデル８０は、加えて又は代わりに、当該ＭＲ撮像機器によるエネルギ消費を評価するための診断ツールとして使用することもできる。このような使用において、当該ＭＲ撮像機器のエネルギ消費は該熱モデル８０を用いて一層効果的に監視され、この情報は、エネルギ消費を減少させるようにＭＲ撮像機器の動作を調整して所有者の全体的費用を低減するために使用することができる。

図４を続けて参照すると共に図５を更に参照すると、幾つかの実施態様において、全電力放散９４はエネルギ使用予測モニタ９６にも供給され、該モニタは、図５に示されるように、前記例示的ＭＲコントローラ４０を構成するコンピュータ４１のディスプレイ４９上に示されるダッシュボードとして実施化することができる。図示のダッシュボードは、全電力放散９４のプロット１００を、気温センサＡＴＳにより測定された屋外気温等の他の主要な情報と共に含む。該例示的ダッシュボード表示は、最大冷却機能力の閾値を含んでいる。警報指示子１０２により、スキャン＃２の励起フェーズが、この最大冷却機能力閾値を超えていることが指摘されている。好ましくは、当該ＭＲ技術者が熱的調整を伴う検査票６２を生成するために検査票４２に調整を実施すると、これらの調整による全電力放散９４が電力放散モデル８０により再計算され、それに応じてプロット１００が更新される。図示されていないが、例えば勾配磁場チェーン熱出力８４及び／又はＲＦ増幅器熱出力８６のプロット等の、個々の電力放散要素のプロットを含めることも考えられる。このような要素のプロットは、検査票の適切な修正を決める際にＭＲ技術者を補助することができる。

図５は、ＭＲ検査熱予算ダッシュボードを、ディスプレイ４９全体を占有するように図示しているが、他の実施態様において、この情報はディスプレイ４９上に示される一層小さなウインドウ又は表示域内に表示することもできることに注意されたい。

熱モデル８０及びエネルギ使用予測モニタ９６は、加えて又は代わりに、全体のエネルギ消費を低減すると共に環境的に一層優しいＭＲ撮像を提供するために評価し且つ可能性として処理を調整する目的で当該ＭＲ撮像機器のエネルギ消費の視覚化を提供するために用いることができる。これらの用途にとり、図５に示されたプロットを、作業シフト全体にわたって又は何らかの他の選択された期間（１日、１週間、１ヶ月等）にわたって拡張することが有効であり得る。エネルギ消費を視覚化する目的で、前記熱モデル８０及びモニタ９６は、熱負荷を既述したように予測的に表示する（予測モード）ために用いることができ、又は熱負荷を回顧的に表示する（即ち、過去のエネルギ使用を集約及び視覚化する）こともできる。モニタ９６は、選択された将来の又は過去の期間にわたりモデル８０により推定された全熱放散推定値及び、オプションとして、種々の他の熱放散推定値（例えば、勾配磁場チェーン２０，２２の熱出力及び／又はＲＦ増幅器２４による熱出力等）を表示することができる。予測モードで動作される場合、種々の考えられる動作的調整のエネルギ消費への影響を評価するために、種々の“もし〜なら、どうなる”シナリオを実行することもできる。

前記図示の実施態様は、図示の空冷冷却機２８を用いて冷却される例示的磁気共鳴（ＭＲ）撮像装置１０に向けられたものである。しかしながら、開示された実施態様は空冷冷却機以外に他の冷却水源と共に使用することもできる（もっとも、気温センサＡＴＳを用いた気温の測定を用いる側面は、省略されるか、又は該冷却水源の冷却能力に影響を与える他のパラメータの適切な感知により置換されるが）。

図示の実施態様は、冷却水を用いて冷却される例示的磁気共鳴（ＭＲ）撮像装置１０に向けられたものである。開示された方法は、ＭＲ撮像装置における熱的過負荷は液体ヘリウムの喪失及び磁石消失等の重大な問題を引き起こし得る故に、ＭＲ撮像装置にとり特に価値がある。しかしながら、熱的過負荷を是正するための開示された方法は、大きな熱負荷を生じると共に冷却水により冷却される、陽電子放射断層（ＰＥＴ）撮像装置、透過型コンピュータ断層（ＣＴ）撮像装置、及びハイブリッド装置（例えば、ハイブリッドＰＥＴ／ＭＲ又はＰＥＴ／ＣＴ装置）等の、他の医療用撮像装置にも適用可能であることが理解されるであろう。

本発明は、好ましい実施態様に関して説明された。修正例及び変更例は、上記詳細な説明を精読及び理解すれば、他の者も思い付くであろう。本発明は、添付請求項又はその均等物の範囲内に入る限り、全ての斯様な修正例及び変更例を含むと見なされるものである。

Claims (28)

1. 磁石及び熱発生要素を含む磁気共鳴（ＭＲ）撮像装置と、
   前記ＭＲ撮像装置の前記熱発生要素を、冷却水を用いて冷却するように接続された冷却系と、
   各々が、前記ＭＲ撮像装置の前記熱発生要素の熱的パラメータ又は前記冷却系の熱的パラメータを測定する１以上のセンサと、
   ＭＲ撮像検査プログラムを実行すると共に該ＭＲ撮像検査プログラムの実行を前記１以上のセンサにより測定された前記冷却系が不十分な冷却能力しか有さないことを示す熱的パラメータに応答して調整するように前記ＭＲ撮像装置を制御するようプログラムされた電子プロセッサを有するＭＲコントローラと、
   を有する、ＭＲ撮像機器。
2. 前記ＭＲ撮像装置の前記熱発生要素は前記磁石を超伝導状態に維持するように接続されたクライオ・コンプレッサを含み、
   前記ＭＲコントローラが、前記ＭＲ撮像検査プログラムの実行を、該ＭＲ撮像検査プログラムの実行の間において前記クライオ・コンプレッサを前記１以上のセンサにより測定された前記冷却系が不十分な冷却能力しか有さないことを示す熱的パラメータに応答してオフすることにより調整するようプログラムされる、
   請求項１に記載のＭＲ撮像機器。
3. 前記ＭＲコントローラが、前記ＭＲ撮像検査プログラムの実行を、該ＭＲ撮像検査プログラムのＭＲスキャンの実行中に又は該ＭＲ撮像検査プログラムの連続するＭＲスキャンの実行の間に、前記１以上のセンサにより測定された前記冷却系が不十分な冷却能力しか有さないことを示す熱的パラメータに応答して中断を挿入することにより調整するようプログラムされる、請求項１又は請求項２に記載のＭＲ撮像機器。
4. 前記ＭＲコントローラは前記冷却系が不十分な冷却能力しか有さないかを熱モデルを用いて判定するようプログラムされ、
   前記熱モデルが、
   勾配磁場増幅器及び勾配磁場コイルの熱出力を前記ＭＲ撮像検査プログラムの勾配磁場コイル駆動電流及び該勾配磁場コイル駆動電流の主要周波数に基づいて計算する勾配磁場チェーン熱出力要素と、
   ラジオ波（ＲＦ）増幅器の熱出力を前記ＭＲ撮像検査プログラムの間において該ＲＦ増幅器により供給される平均及びピークＲＦ電力に基づいて計算するＲＦ増幅器熱出力要素と、
   を有する、請求項１ないし３の何れか一項に記載のＭＲ撮像機器。
5. 前記ＭＲコントローラが、前記ＭＲ撮像検査プログラムの実行を、該ＭＲ撮像検査プログラムのＭＲスキャンのＭＲスキャンパラメータを前記１以上のセンサにより測定された前記冷却系が不十分な冷却能力しか有さないことを示す熱的パラメータに応答して調整することにより調整するようプログラムされる、請求項１ないし４の何れか一項に記載のＭＲ撮像機器。
6. 前記ＭＲコントローラが、前記ＭＲ撮像検査プログラムの実行を、前記冷却系が不十分な冷却能力しか有さないことを示す熱的パラメータに応答して（ｉ）前記ＭＲ撮像検査プログラムのＭＲスキャンの実行を跳ばすこと、又は（ii）前記ＭＲ撮像検査プログラムのＭＲスキャンを並び替えることの一方又は両方により調整するようプログラムされる、請求項１ないし５の何れか一項に記載のＭＲ撮像機器。
7. 前記ＭＲ撮像装置の前記熱発生要素は勾配磁場増幅器、勾配磁場コイル及びラジオ波（ＲＦ）増幅器のうちの１以上を含み、前記１以上のセンサが、前記熱発生要素の温度を測定する温度センサ又は前記熱発生要素に流入する冷却剤入力ライン及び前記熱発生要素から流出する冷却剤戻りラインのうちの一方又は両方の温度を測定する温度センサを含む、請求項１ないし６の何れか一項に記載のＭＲ撮像機器。
8. ディスプレイを更に有し、
   前記熱発生要素は、
   勾配磁場増幅器及び該勾配磁場増幅器により駆動される勾配磁場コイルを含む勾配磁場チェーンと、
   ラジオ波（ＲＦ）コイルを駆動するように接続されたＲＦ増幅器と、
   を有し、
   前記ＭＲコントローラが、更に、前記ＭＲ撮像検査プログラムの実行の間にわたる熱放散を、前記ＭＲ撮像検査プログラムの実行の間に供給される勾配磁場電流に関数的に依存する勾配磁場チェーン熱出力要素と、前記ＭＲ撮像検査プログラムの実行の間に供給される平均及びピークＲＦ電力に関数的に依存するＲＦ増幅器熱出力要素とを含む熱モデルを用いて推定するようプログラムされる、請求項１ないし７の何れか一項に記載のＭＲ撮像機器。
9. 前記冷却系が、
   自身に流れる冷却剤を用いて前記ＭＲ撮像装置の少なくとも１つの熱発生要素を冷却する冷却剤回路と、
   前記冷却剤から前記冷却水に熱を移転させるために前記冷却剤回路に接続された熱交換器と、
   を含み、
   前記１以上のセンサが、前記冷却剤回路における測定点において前記冷却剤の温度を測定する温度センサを含む、請求項１ないし７の何れか一項に記載のＭＲ撮像機器。
10. 前記冷却系が、
    自身に流れる冷却剤を用いて前記ＭＲ撮像装置の少なくとも１つの熱発生要素を冷却する冷却剤回路と、
    前記冷却剤から前記冷却水に熱を移転させるために前記冷却剤回路に接続された熱交換器と、
    を含み、
    前記冷却剤回路は、前記熱交換器からの冷却剤を該冷却剤回路の戻りラインからの冷却剤と混合して、混合された冷却剤を設定値温度で出力する混合弁を含み、
    前記１以上のセンサが、前記冷却剤回路における前記混合弁の弁設定値を出力するセンサを有する、請求項１ないし９の何れか一項に記載のＭＲ撮像機器。
11. 気温センサを更に有し、
    前記ＭＲコントローラは、前記１以上のセンサにより測定された前記熱的パラメータが、前記冷却系が不十分な冷却能力しか有さないことを示すかを、更に前記気温センサにより測定された気温に基づいて判定するようプログラムされる、請求項１ないし１０の何れか一項に記載のＭＲ撮像機器。
12. 気温センサを更に有し、
    前記ＭＲコントローラは、更に、前記ＭＲ撮像検査プログラムを実行の前に分析して、
    前記ＭＲ撮像検査プログラムを実行することにより発生される熱負荷を推定すると共に、
    前記冷却系が前記気温センサにより測定された気温において前記推定された熱負荷を冷却するには不十分な冷却能力しか有さない場合に、前記ＭＲ撮像検査プログラムを実行前に調整する、
    ようにプログラムされる、請求項１ないし１１の何れか一項に記載のＭＲ撮像機器。
13. 前記ＭＲ撮像検査プログラムの実行前の調整が、該ＭＲ撮像検査プログラムの連続するＭＲスキャンの間に中断を挿入する；該ＭＲ撮像検査プログラムのＭＲスキャン中に中断を挿入する；該ＭＲ撮像検査プログラムのＭＲスキャンを並べ替える；及び該ＭＲ撮像検査プログラムのＭＲスキャンのスキャンパラメータを修正することのうちの１以上を含む、請求項１２に記載のＭＲ撮像機器。
14. 磁石及び熱発生要素を含む磁気共鳴（ＭＲ）撮像装置と、
    前記ＭＲ撮像装置の前記熱発生要素を、冷却水を用いて冷却するように接続された冷却系と、
    ＭＲ撮像検査プログラムを実行すると共に、該ＭＲ撮像検査プログラムを実行前に分析して、
    前記ＭＲ撮像検査プログラムを実行することにより発生される熱負荷を推定し、且つ、
    前記冷却系が該推定された熱負荷を冷却するには不十分な冷却能力しか有さない場合は、前記ＭＲ撮像検査プログラムを実行前に調整する、
    ように前記ＭＲ撮像装置を制御するようプログラムされた電子プロセッサを有するＭＲコントローラと、
    を有する、ＭＲ撮像機器。
15. 気温センサを更に有し、
    前記ＭＲコントローラが、前記冷却系が前記気温センサにより測定された気温において前記推定された熱負荷を放散させるには不十分な冷却能力しか有さない場合に、前記ＭＲ撮像検査プログラムを実行前に調整するようにプログラムされる、請求項１４に記載のＭＲ撮像機器。
16. 前記ＭＲ撮像検査プログラムの実行前の調整が、該ＭＲ撮像検査プログラムの連続するＭＲスキャンの間に中断を挿入する；該ＭＲ撮像検査プログラムのＭＲスキャン中に中断を挿入する；該ＭＲ撮像検査プログラムのＭＲスキャンを並べ替える；及び該ＭＲ撮像検査プログラムのＭＲスキャンのスキャンパラメータを修正することのうちの１以上を含む、請求項１４又は請求項１５に記載のＭＲ撮像機器。
17. 各々が前記ＭＲ撮像装置の前記熱発生要素の熱的パラメータ又は前記冷却系の熱的パラメータを測定する１以上のセンサを更に有し、
    前記ＭＲコントローラが、更に、前記ＭＲ撮像検査プログラムの実行を、前記１以上のセンサにより測定された前記冷却系が不十分な冷却能力しか有さないことを示す熱的パラメータに応答して調整するようにプログラムされる、請求項１４ないし１６の何れか一項に記載のＭＲ撮像機器。
18. 前記ＭＲ撮像装置の前記熱発生要素は前記磁石を超伝導状態に維持するように接続されたクライオ・コンプレッサを含み、
    前記ＭＲコントローラが、前記ＭＲ撮像検査プログラムの実行を、該ＭＲ撮像検査プログラムの実行の間において前記クライオ・コンプレッサを前記冷却系が不十分な冷却能力しか有さないことに応答してオフすることにより調整するようプログラムされる、
    請求項１４ないし１７の何れか一項に記載のＭＲ撮像機器。
19. （ｉ）磁石及び熱発生要素を含む磁気共鳴（ＭＲ）撮像装置並びに（ii）冷却水を用いて前記ＭＲ撮像装置の前記熱発生要素を冷却するように接続された冷却系により実行されるＭＲ撮像方法であって、
    前記ＭＲ撮像装置を用いてＭＲ撮像検査プログラムを実行するステップと、
    前記実行するステップの間において、前記ＭＲ撮像装置及び前記冷却系のうちの少なくとも一方の熱的パラメータを監視するステップと、
    前記ＭＲ撮像検査プログラムの実行を、前記冷却系が不十分な冷却能力しか有さないことを示す前記監視される熱的パラメータに応答して調整するステップと、
    を有する、ＭＲ撮像方法。
20. 前記冷却系の冷却能力を少なくとも現在の気温に基づいて判定するステップを更に有する、請求項１９に記載のＭＲ撮像方法。
21. 前記調整するステップが、
    前記ＭＲ撮像検査プログラムの連続するＭＲスキャンの間に中断を挿入するステップ、
    前記ＭＲ撮像検査プログラムのＭＲスキャン中に中断を挿入するステップ、
    前記ＭＲ撮像検査プログラムのＭＲスキャンを並べ替えるステップ、及び
    前記ＭＲ撮像検査プログラムのＭＲスキャンのスキャンパラメータを修正するステップ、
    のうちの少なくとも１つを含む、請求項１９又は請求項２０に記載のＭＲ撮像方法。
22. 前記調整するステップが、前記ＭＲ撮像検査プログラムが前記ＭＲ撮像装置により実行される期間の少なくとも一部の間において、前記磁石を超伝導状態に維持するよう動作するクライオ・コンプレッサをオフするステップを含む、請求項１９ないし２１の何れか一項に記載のＭＲ撮像方法。
23. 前記ＭＲ撮像装置を用いてＭＲ撮像検査プログラムを実行するステップの前に、
    前記ＭＲ撮像検査プログラムを実行することにより発生される熱負荷を、勾配磁場チェーンの熱出力の勾配磁場電流及び電流周波数に対する依存性を考慮すると共にラジオ波（ＲＦ）コイルの熱出力の平均及びピークＲＦ電力に対する依存性を考慮した熱モデルを用いて推定するステップ、及び
    前記推定された熱負荷を減少させるように前記ＭＲ撮像検査プログラムを調整するステップ、
    を更に有する、請求項１９ないし２２の何れか一項に記載のＭＲ撮像方法。
24. 磁石、勾配磁場増幅器、該勾配磁場増幅器により駆動される勾配磁場コイル及びラジオ波（ＲＦ）コイルを駆動するように接続されたＲＦ増幅器を含む磁気共鳴（ＭＲ）撮像装置の熱放散を推定するための熱モデル化方法を実行するために電子データ処理装置により読み取り可能且つ実行可能な命令を記憶した非一時的記憶媒体であって、前記熱モデル化方法が、
    前記勾配磁場増幅器及び勾配磁場コイルを有する勾配磁場チェーンの熱出力を、該勾配磁場チェーンにより供給される勾配磁場に基づいて推定するステップと、
    前記ＲＦ増幅器の熱出力を該ＲＦ増幅器により発生されるＲＦ電力に基づいて推定するステップと、
    全熱放散推定値を、前記勾配磁場チェーンの推定された熱出力、前記ＲＦ増幅器の推定された熱出力、及び前記勾配磁場に依存せず且つ前記ＲＦ電力に依存しない推定される基準熱出力を一緒に加算することにより発生するステップと、
    を有する、
    非一時的記憶媒体。
25. 前記勾配磁場チェーンによる熱出力が、各勾配磁場コイルによるＩ^２Ｒ熱出力（ここで、Ｉは前記勾配磁場コイルにより供給される勾配磁場を生成するために流れる勾配磁場コイル電流であり、Ｒは前記勾配磁場コイルの抵抗である）及び前記勾配磁場増幅器の付加的熱出力として推定される、請求項２４に記載の非一時的記憶媒体。
26. 前記ＲＦ増幅器による熱出力が、該ＲＦ増幅器により発生される平均ＲＦ電力及びピークＲＦ電力に基づいて推定される、請求項２４又は請求項２５に記載の非一時的記憶媒体。
27. ディスプレイ上に選択された期間にわたり前記全熱放散推定値を表示するステップを含む電力消費監視方法を実行するための前記電子データ処理装置により読み取り可能且つ実行可能な命令を更に記憶した、請求項２４ないし２６の何れか一項に記載の非一時的記憶媒体。
28. 前記電力消費監視方法が、前記ディスプレイ上に前記選択された期間にわたり前記勾配磁場チェーンの推定された熱出力及び前記ＲＦ増幅器の推定された熱出力のうちの少なくとも一方を表示するステップを更に含む、請求項２７に記載の非一時的記憶媒体。

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