JP2021057565A - R−t−b系焼結磁石 - Google Patents
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Abstract
Description
本開示のR−T−B系焼結磁石は、主相結晶粒及び粒界相を含み、
R:27.0mass%以上35.0mass%以下(Rは、RL及びRHからなり、RLは軽希土類元素の少なくとも2種でありNd及びPrを必ず含み、RHは重希土類元素の少なくとも1種でありTb及びDyの少なくとも一方を必ず含む)、
B:0.80mass%以上1.20mass%以下、
Ga:0.20mass%以上0.80mass%以下、
T:61.5mass%以上(TはFeとCoであり、Tの90mass%以上がFeである)を含有する。
磁石表面から300μmの深さに位置する前記主相結晶粒の中央部におけるNdに対するPrのmol比(([Pr]/Prの原子量)/([Nd]/Ndの原子量))は0以上0.45以下であり、
磁石表面から300μmの深さに位置する二粒子粒界内におけるNdに対するPrのmol比(([Pr]/Prの原子量)/([Nd]/Ndの原子量))は2.0以上5.0以下であり、
磁石表面から磁石内部にむかってRH濃度が漸減する部分を含み、
磁石表面から磁石内部にむかってGa濃度が漸減する部分を含む。
本開示によるR−T−B系焼結磁石の製造方法は、ある実施形態において、図2に示すように、R−T−B系焼結磁石素材を準備する工程S10とRL1−RH−M1系合金を準備する工程S20とを含む。R−T−B系焼結磁石素材を準備する工程S10とRL1−RH−M1合金を準備する工程S20との順序は任意であり、それぞれ、異なる場所で製造されたR−T−B系焼結磁石素材およびRL1−RH−M1合金を用いてもよい。
本開示によるR−T−B系焼結磁石の製造方法は、図2に示すように、更に、R−T−B系焼結磁石素材表面の少なくとも一部にRL1−RH−M1系合金の少なくとも一部を付着させ、真空又は不活性ガス雰囲気中、700℃以上1100℃以下の温度で加熱する拡散工程S30を含む。前記拡散工程S30における前記R−T−B系焼結磁石素材への前記RL1−RH−M1系合金の付着量は4mass%以上15mass%以下が好ましい。
R−T−B系焼結磁石素材は例えば、以下の組成範囲を有する。
R:27.0〜35.0mass%、
B:0.80〜1.20mass%、
Ga:0〜0.80mass%、
T:61.5mass%以上を含有する。
前記RL1−RH−M1系合金において、例えば、RL1は、軽希土類元素の少なくとも1種でありPrを必ず含み、RL1全体に対するPrの含有量は55mass%以上である。RL1全体に対するPrの含有量は70mass%以上がさらに好ましい。RL1の含有量は、RL1−RH−M1系合金全体の60mass%以上97mass%以下である。RH(RHは重希土類元素の少なくとも1種でありTb及びDyの少なくとも一方を必ず含む)の含有量は、RL1−RH−M1系合金全体の1mass%以上8mass%以下である。M1は、Ga、Cu、Fe、Co、Ni、およびAlからなる群から選択された少なくとも1つであり、M1は、Gaを必ず含み、M1全体に対するGaの含有量は50mass%以上である。M1の含有量は、RL1−RH−M1系合金全体の2mass%以上39mass%以下である。RL1−RH−M1系合金の典型例は、TbNdPrCu合金、DyNdCePrCu合金、TbNdPrGaCu合金などである。また、RL1―M1合金と共にRHのフッ化物、酸化物、酸フッ化物等を準備してもよい。RHのフッ化物、酸化物、酸フッ化物としては、例えば、TbF3、DyF3、Tb2O3、Dy2O3、Tb4OF、Dy4OFが挙げられる。RL1−RH−M1系合金は、RL1、RHおよびM1それぞれの含有量を調整することにより、上述した元素以外の元素(例えばSi、Mn等)を少量(例えば合計で2mass%程度)含有してもよい。
前記によって準備したR−T−B系焼結磁石素材の表面の少なくとも一部に、前記によって準備したRL1−RH−M1系合金の少なくとも一部を付着させ、真空又は不活性ガス雰囲気中、700℃以上1100℃以下の温度で加熱する拡散工程を行う。これにより、RL1−RH−M1合金からRL1、RHおよびM1を含む液相が生成し、その液相がR−T−B系焼結磁石素材中の粒界を経由して焼結素材表面から内部に拡散導入される。拡散工程における前記R−T−B系焼結磁石素材への前記RL1−RH−M1系合金の付着量を4mass%以上15mass%以下で、かつ、前記RL1−RH−M1系合金による前記R−T−B系焼結磁石素材へのRHの付着量を0.1mass%以上0.6mass%以下とすることが好ましい。これにより、本開示のR−T−B系焼結磁石を得ることができ、高いBrと高いHcJが得られる。R−T−B系焼結磁石素材へのRL1−RH−M1系合金の付着量が4mass%未満であると、磁石素材内部へのRHおよびRL1(特にPr)およびM1(特にGa)の導入量が少なすぎて高いHcJを得ることができない可能性があり、15mass%を超えると、RHおよびRL1およびM1の導入量が多すぎてBrが大幅に低下したり、重希土類元素の使用量が増加し過ぎてしまうだけでなく、磁石内部まで拡散しきれないRL−RH−M系合金が磁石表面に残存し、耐食性や加工性など別の問題が発生する可能性がある。好ましくは、前記R−T−B系焼結磁石素材への前記RL1−RH−M1系合金の付着量は5mass%以上10mass%以下である。より高いHcJを得ることができる。また、前記RL1−RH−M1系合金による前記R−T−B系焼結磁石素材へのRHの付着量が0.1mass%未満であると、RHによるHcJ向上効果が得られない可能性があり、0.6mass%を超えると重希土類元素の使用量を低減しつつ、高いHcJを有するR−T−B系焼結磁石を得ることができない。好ましくは、前記RL1−RH−M1系合金による前記R−T−B系焼結磁石素材へのRHの付着量が0.1mass%以上0.5mass%以下である。ここで、RHの付着量は、R−T−B系焼結磁石素材に付着しているRL1−RH−M1系合金が含有するRHの量であり、R−T−B系焼結磁石素材のmassを100mass%としたときのmass比率によって規定される。
好ましくは、拡散工程が実施されたR−T−B系焼結磁石に対して、真空又は不活性ガス雰囲気中、400℃以上750℃以下で、かつ、前記拡散工程で実施した温度よりも低い温度で熱処理を行う。熱処理を行うことにより、より高いHcJを得ることができる。
R−T−B系焼結磁石素材は例えば、以下の組成範囲を有する。
R:27.0〜35.0mass%、
B:0.80〜1.20mass%、
Ga:0〜0.80mass%、
T:61.5mass%以上
RL1−RH−M1系合金において、例えば、RL1は、軽希土類元素の少なくとも1種でありPrを必ず含み、RL1全体に対するPrの含有量は55mass%以上である。RL1全体に対するPrの含有量は70mass%以上がさらに好ましい。RL1の含有量は、RL1−RH−M1系合金全体の60mass%以上97mass%以下である。RH(RHは重希土類元素の少なくとも1種でありTb及びDyの少なくとも一方を必ず含む)の含有量は、RL1−RH−M1系合金全体の1mass%以上8mass%以下である。M1は、Ga、Cu、Fe、Co、Ni、およびAlからなる群から選択された少なくとも1つであり、M1は、Gaを必ず含み、M1全体に対するGaの含有量は50mass%以上である。M1の含有量は、RL1−RH−M1合金全体の2mass%以上39mass%以下である。RL1−RH−M1系合金の典型例は、TbNdPrCu合金、TbNdCePrCu合金、TbNdPrGaCu合金などである。また、RL1―M1合金と共にRHのフッ化物、酸化物、酸フッ化物等を準備してもよい。RHのフッ化物、酸化物、酸フッ化物としては、例えば、TbF3、DyF3、Tb2O3、Dy2O3、Tb4OF、Dy4OFが挙げられる。
RL2−M2系合金において、例えば、RL2は、軽希土類元素の少なくとも1種でありPrを必ず含み、RL2全体に対するPrの含有量は55mass%以上である。RL2全体に対するPrの含有量は70mass%以上がさらに好ましい。RL2の含有量は、RL2−M2系合金全体の60mass%以上97mass%以下であり、M2は、Ga、Cu、Fe、Co、Ni、およびAlからなる群から選択された少なくとも1つであり、M2は、Gaを必ず含み、M2全体に対するGaの含有量は50mass%以上である。M2の含有量は、RL2−M2系合金全体の3mass%以上40mass%以下である。RL2−M2系合金の典型例は、NdPrCu合金、NdCePrCu合金、NdPrGaCu合金などである。
前記によって準備したR−T−B系焼結磁石素材の表面の少なくとも一部に、前記によって準備したRL1−RH−M1系合金の少なくとも一部を付着させ、真空又は不活性ガス雰囲気中、700℃以上1100℃以下の温度で加熱する第一拡散工程を行う。これにより、RL1−RH−M1合金からRL1、RHおよびM1を含む液相が生成し、その液相がR−T−B系焼結磁石素材中の粒界を経由して焼結素材表面から内部に拡散導入される。第一拡散工程における前記R−T−B系焼結磁石素材への前記RL1−RH−M1系合金の付着量を4mass%以上15mass%以下で、かつ、前記RL1−RH−M1系合金による前記R−T−B系焼結磁石素材へのRHの付着量を0.1mass%以上0.6mass%以下とする。好ましくは、前記R−T−B系焼結磁石素材への前記RL1−RH−M1系合金の付着量は5mass%以上10mass%以下であり、前記RL1−RH−M1系合金による前記R−T−B系焼結磁石素材へのRHの付着量は0.1mass%以上0.5mass%以下である。より高いHcJを得ることができる。
前記第一拡散工程が実施されたR−T−B系焼結磁石素材の表面の少なくとも一部に、前記RL2−M2系合金の少なくとも一部を付着させ、真空又は不活性ガス雰囲気中、400℃以上600℃以下の温度で加熱する第二拡散工程を行う。これにより、RL2−M2合金からRL2およびM2を含む液相が生成し、その液相がR−T−B系焼結磁石素材中の粒界を経由して焼結素材表面から内部に拡散導入される。第二拡散工程における前記R−T−B系焼結磁石素材への前記RL2−M2系合金の付着量を1mass%以上15mass%以下とする。これにより、より確実に本開示のR−T−B系焼結磁石を得ることができ、高いBrと高いHcJが得られる。付着量が1mass%未満であると、磁石素材内部へのRL2およびM2の導入量が少なすぎて高いHcJを得ることができない可能性がある。一方、付着量が15mass%を超えるとRL2およびM2の導入量が多すぎてBrが大幅に低下したり、磁石内部まで拡散しきれないRL2−M2系合金が磁石表面に残存し、耐食性や加工性など別の問題が発生する可能性がある。好ましくは、前記R−T−B系焼結磁石素材への前記RL2−M2系合金の付着量は2mass%以上10mass%以下である。より高いHcJを得ることができる。
[R−T−B系焼結磁石素材(磁石素材)を準備する工程]
各元素を秤量しストリップキャスト法により鋳造し、厚み0.2〜0.4mmのフレーク状の原料合金を得た。得られたフレーク状の原料合金を水素粉砕した後、550℃まで真空中で加熱後冷却する脱水素処理を施し粗粉砕粉を得た。次に、得られた粗粉砕粉に、潤滑剤としてステアリン酸亜鉛を粗粉砕粉100mass%に対して0.04mass%添加、混合した後、気流式粉砕機(ジェットミル装置)を用いて、窒素気流中で乾式粉砕し、粒径D50が4μmの微粉砕粉(合金粉末)を得た。なお、粒径D50は、気流分散法によるレーザー回折法で得られた体積中心値(体積基準メジアン径)である。
表2の符号1−a1に示すRL1−RH−M1系合金の組成となるように、各元素を秤量しそれらの原料を溶解して、単ロール超急冷法(メルトスピニング法)によりリボンまたはフレーク状の合金を得た。得られた合金を乳鉢を用いてアルゴン雰囲気中で粉砕した後、目開き38〜1000μmの数種類の篩を通過させ、R−T−B系焼結磁石素材への付着量を変化させるため、5種類の粒径のRL1−RH−M1系合金を準備した。得られたRL1−RH−M1系合金の組成を表2に示す。尚、表2における各成分は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法(ICP−OES)を使用して測定した。
表1の符号1−AのR−T−B系焼結磁石素材を切断、切削加工し、7.2mm×7.2mm×7.2mmの立方体とした。次に、R−T−B系焼結磁石素材にディッピング法により粘着剤としてPVAをR−T−B系焼結磁石素材の全面に塗布した。粘着剤を塗布したR−T−B系焼結磁石素材に5種類の粒径のRL1−RH−M1系合金粉末をそれぞれ付着させた。処理容器にRL1−RH−M1系合金粉末を広げ、粘着剤を塗布したR−T−B系焼結磁石素材の全面に付着させた。次に、真空熱処理炉を用いて、200Paに制御した減圧アルゴン中で、900℃で10時間の条件で前記RL1−RH−M1系合金及び前記R−T−B系焼結磁石素材を加熱して拡散工程を実施した後、冷却した。
表3の符号1−a2に示すRL2−M2系合金の組成となるように、各元素を秤量しそれらの原料を溶解して、単ロール超急冷法(メルトスピニング法)によりリボンまたはフレーク状の合金を得た。得られた合金を乳鉢を用いてアルゴン雰囲気中で粉砕した後、目開き38〜1000μmの数種類の篩を通過させ、RL2−M2系合金を準備した。得られたRL2−M2系合金の組成を表3に示す。尚、表3における各成分は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法(ICP−OES)を使用して測定した。
第一拡散工程をおこなった後のサンプルに再度、ディッピング法により粘着剤としてPVAを全面に塗布した。その後、処理容器にRL2−M2系合金粉末を広げ、粘着剤を塗布したサンプルの全面に付着させた。次に、真空熱処理炉を用いて200Paに制御した減圧アルゴン中にて、500℃で3時間の条件で前記RL2−M2系合金及び前記R−T−B系焼結磁石素材を加熱して拡散工程を実施した後、冷却した。熱処理後の各サンプルに対し表面研削盤を用いて各サンプルの全面を切削加工し、7.0mm×7.0mm×7.0mmの立方体状のサンプル(R−T−B系焼結磁石)を得た。尚、第一拡散工程を実施する工程におけるRL1−RH−M1系合金及びR−T−B系焼結磁石素材の加熱温度、並びに第二拡散工程を実施する工程におけるRL2−M2系合金及びR−T−B系焼結磁石素材の加熱温度は、それぞれ熱電対を取り付けることにより測定した。
得られたサンプルを、B−Hトレーサによって各試料のBr及びHcJを測定した。測定結果を表4に示す。また、サンプルの成分を高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法(ICP−OES)を使用して測定した結果を表5に示す。なお、いずれのR−T−B系焼結磁石も[T]はmass%で示すTの含有量であり、[B]はmass%で示すBの含有量とするとき、[T]/55.85>14×[B]/10.8が成立していることを確認した。また、「磁石表面から300μmの深さに位置する前記主相結晶粒の中央部におけるNdに対するPrのmol比(([Pr]/Prの原子量)/([Nd]/Ndの原子量))」及び「磁石表面から300μmの深さに位置する二粒子粒界内におけるNdに対するPrのmol比(([Pr]/Prの原子量)/([Nd]/Ndの原子量))」を求めた。さらに、磁石表面から磁石内部に向かってRH及びGa濃度が漸減する部分を含むかどうかについても確認した。具体的には次の様にして行った。No.1−1〜1−5の磁石表面(ここでは磁化方向に対して垂直な面)から300μmにおける結晶粒(主相結晶粒)及び二粒子粒界を透過電子顕微鏡(TEM)を用いて観察し、分散型X線分光法(EDX)を用いて主相結晶粒の中央部及び二粒子粒界(二粒子粒界の任意の場所)が含有するNd及びPrの濃度(mass%)を測定した。測定したPrの濃度(mass%)にPrの原子量を除したもの(a)と、測定したNdの濃度(mass%)にNdの原子量で除したもの(b)との比(a/b)をそれぞれ求めた。測定結果及び計算結果を表4に示す。なお、表4は、主相結晶粒の中央部におけるNdに対するPrのmol比(([Pr]/Prの原子量)/([Nd]/Ndの原子量))の結果を「主相結晶粒中央部[Pr]/[Nd]」と、二粒子粒界内におけるNdに対するPrのmol比(([Pr]/Prの原子量)/([Nd]/Ndの原子量))の結果を「二粒子粒界内[Pr]/[Nd]」とそれぞれ記載している。以後の表も同様である。さらに、No.1−1〜1−5の磁石断面における磁石表面から磁石中央付近までを前記EDXにより線分析(ライン分析)を行い、RH及びGa濃度が磁石表面から磁石中央部にかけて漸減しているか(徐々に濃度が低くなっているか)確認した。RH及びGa濃度が漸減している場合は○とし漸減していない場合は×として表4に示す。
[R−T−B系焼結磁石素材(磁石素材)を準備する工程]
表6の符号2−Aに示す磁石素材の組成となるように、各元素を秤量しストリップキャスト法により鋳造し、厚み0.2〜0.4mmのフレーク状の原料合金を得た。得られたフレーク状の原料合金を水素粉砕した後、550℃まで真空中で加熱後冷却する脱水素処理を施し粗粉砕粉を得た。次に、得られた粗粉砕粉に、潤滑剤としてステアリン酸亜鉛を粗粉砕粉100mass%に対して0.04mass%添加、混合した後、気流式粉砕機(ジェットミル装置)を用いて、窒素気流中で乾式粉砕し、粒径D50が4μmの微粉砕粉(合金粉末)を得た。なお、粒径D50は、気流分散法によるレーザー回折法で得られた体積中心値(体積基準メジアン径)である。
表7の符号2−a1に示すRL1−RH−M1系合金の組成となるように、各元素を秤量しそれらの原料を溶解して、単ロール超急冷法(メルトスピニング法)によりリボンまたはフレーク状の合金を得た。得られた合金を乳鉢を用いてアルゴン雰囲気中で粉砕した後、目開き38〜1000μmの数種類の篩を通過させ、R−T−B系焼結磁石素材への付着量を変化させるため、3種類の粒径のRL1−RH−M1系合金を準備した。得られたRL1−RH−M1系合金の組成を表7に示す。尚、表7における各成分は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法(ICP−OES)を使用して測定した。
表6の符号2−AのR−T−B系焼結磁石素材を切断、切削加工し、7.2mm×7.2mm×7.2mmの立方体とした。次に、R−T−B系焼結磁石素材にディッピング法により粘着剤としてPVAをR−T−B系焼結磁石素材の全面に塗布した。粘着剤を塗布したR−T−B系焼結磁石素材に3種類の粒径のRL1−RH−M1系合金粉末をそれぞれ付着させた。処理容器にRL1−RH−M1系合金粉末を広げ、粘着剤を塗布したR−T−B系焼結磁石素材の全面に付着させた。次に、真空熱処理炉を用いて、200Paに制御した減圧アルゴン中で、900℃で10時間の条件で前記RL1−RH−M1系合金及び前記R−T−B系焼結磁石素材を加熱して拡散工程を実施した後、冷却した。次に、真空熱処理炉を用いて200Paに制御した減圧アルゴン中にて、500℃で3時間の条件で拡散工程後のR−T−B系焼結磁石素材を加熱した後、冷却した。尚、拡散工程およびその後の熱処理を実施する工程におけるRL1−RH−M1系合金及びR−T−B系焼結磁石素材の加熱温度は、それぞれ熱電対を取り付けることにより測定した。
得られたサンプルを、B−Hトレーサによって各試料のBr及びHcJを測定した。測定結果を表8に示す。また、サンプルの成分を高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法(ICP−OES)を使用して測定した結果を表9に示す。なお、いずれのR−T−B系焼結磁石も[T]はmass%で示すTの含有量であり、[B]はmass%で示すBの含有量とするとき、[T]/55.85>14×[B]/10.8が成立していることを確認した。さらに実施例1と同様にして主相結晶粒の中央部及び二粒子粒界(二粒子粒界の任意の場所)が含有するNd及びPrの濃度を測定し、主相結晶粒の中央部及び二粒子粒界における[Pr]/[Nd]を求めた。さらに、磁石表面から磁石内部に向かってRH及びGa濃度が漸減する部分を含むかどうかについても実施例1と同様にして確認した。測定結果及び計算結果を表8に示す。表8に示す通り、サンプルNo.2−1〜2−3の本発明例はいずれも1.35T以上の高いBr及び1900kA/m以上の高いHcJが得られていることがわかる。
[R−T−B系焼結磁石素材(磁石素材)を準備する工程]
各元素を秤量しストリップキャスト法により鋳造し、厚み0.2〜0.4mmのフレーク状の原料合金を得た。得られたフレーク状の原料合金を水素粉砕した後、550℃まで真空中で加熱後冷却する脱水素処理を施し粗粉砕粉を得た。次に、得られた粗粉砕粉に、潤滑剤としてステアリン酸亜鉛を粗粉砕粉100mass%に対して0.04mass%添加、混合した後、気流式粉砕機(ジェットミル装置)を用いて、窒素気流中で乾式粉砕し、粒径D50が4μmの微粉砕粉(合金粉末)を得た。なお、粒径D50は、気流分散法によるレーザー回折法で得られた体積中心値(体積基準メジアン径)である。
表11の符号3−a1〜3−c1に示すRL1−RH−M1系合金の組成となるように、各元素を秤量しそれらの原料を溶解して、単ロール超急冷法(メルトスピニング法)によりリボンまたはフレーク状の合金を得た。得られた合金を乳鉢を用いてアルゴン雰囲気中で粉砕した後、目開き38〜1000μmの数種類の篩を通過させ、R−T−B系焼結磁石素材への付着量を変化させるため、3種類の粒径のRL1−RH−M1系合金を準備した。得られたRL1−RH−M1系合金の組成を表7に示す。尚、表7における各成分は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法(ICP−OES)を使用して測定した。
表10の符号3−A〜3−MのR−T−B系焼結磁石素材を切断、切削加工し、7.2mm×7.2mm×7.2mmの立方体とした。次に、R−T−B系焼結磁石素材にディッピング法により粘着剤としてPVAをR−T−B系焼結磁石素材の全面に塗布した。粘着剤を塗布したR−T−B系焼結磁石素材に3種類の粒径のRL1−RH−M1系合金粉末をそれぞれ付着させた。処理容器にRL1−RH−M1系合金粉末を広げ、粘着剤を塗布したR−T−B系焼結磁石素材の全面に付着させた。次に、真空熱処理炉を用いて、200Paに制御した減圧アルゴン中で、900℃で10時間の条件で前記RL1−RH−M1系合金及び前記R−T−B系焼結磁石素材を加熱して拡散工程を実施した後、冷却した。次に、真空熱処理炉を用いて200Paに制御した減圧アルゴン中にて、500℃で3時間の条件で拡散工程後のR−T−B系焼結磁石素材を加熱した後、冷却した。尚、拡散工程およびその後の熱処理を実施する工程におけるRL1−RH−M1系合金及びR−T−B系焼結磁石素材の加熱温度は、それぞれ熱電対を取り付けることにより測定した。
得られたサンプルを、B−Hトレーサによって各試料のBr及びHcJを測定した。測定結果を表12に示す。また、サンプルの成分を高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法(ICP−OES)を使用して測定した結果を表13に示す。なお、いずれのR−T−B系焼結磁石も[T]はmass%で示すTの含有量であり、[B]はmass%で示すBの含有量とするとき、[T]/55.85>14×[B]/10.8が成立していることを確認した。さらに実施例1と同様にして主相結晶粒の中央部及び二粒子粒界(二粒子粒界の任意の場所)が含有するNd及びPrの濃度を測定し、主相結晶粒の中央部及び二粒子粒界における[Pr]/[Nd]を求めた。さらに、磁石表面から磁石内部に向かってRH及びGa濃度が漸減する部分を含むかどうかについても実施例1と同様にして確認した。測定結果及び計算結果を表12に示す。表12に示す通り、サンプルNo.3−1〜3−14の本発明例はいずれも1.36T以上の高いBr及び1900kA/m以上の高いHcJが得られていることがわかる。
Claims (5)
- 主相結晶粒及び粒界相を含むR−T−B系焼結磁石であって、
R:27.0mass%以上35.0mass%以下(Rは、RL及びRHからなり、RLは軽希土類元素の少なくとも2種でありNd及びPrを必ず含み、RHは重希土類元素の少なくとも1種でありTb及びDyの少なくとも一方を必ず含む)、
B:0.80mass%以上1.20mass%以下、
Ga:0.20mass%以上0.80mass%以下、
T:61.5mass%以上(TはFeとCoであり、Tの90mass%以上がFeである)を含有し、
磁石表面から300μmの深さに位置する前記主相結晶粒の中央部におけるNdに対するPrのmol比(([Pr]/Prの原子量)/([Nd]/Ndの原子量))は0以上0.45以下であり([Pr]はmasss%で示すPrの含有量であり、[Nd]はmass%で示すNdの含有量である)、
磁石表面から300μmの深さに位置する二粒子粒界内におけるNdに対するPrのmol比(([Pr]/Prの原子量)/([Nd]/Ndの原子量))は2.0以上5.0以下であり、
磁石表面から磁石内部にむかってRH濃度が漸減する部分を含み、
磁石表面から磁石内部にむかってGa濃度が漸減する部分を含む、
R−T−B系焼結磁石。 - [T]はmass%で示すTの含有量であり、[B]はmass%で示すBの含有量とするとき、[T]/55.85>14×[B]/10.8が成立する、請求項1に記載のR−T−B系焼結磁石。
- 前記磁石表面から300μmの深さに位置する二粒子粒界内におけるNdに対するPrのmol比(([Pr]/Prの原子量)/([Nd]/Ndの原子量))は2.0以上4.0以下である、請求項1又は2に記載のR−T−B系焼結磁石。
- 前記R−T−B系焼結磁石はCuを含有し、Cuの含有量は、0.05mass%以上0.80mass%以下である、請求項1から3のいずれか一項に記載のR−T−B系焼結磁石。
- Gaの含有量はCuの含有量よりも多い、請求項4に記載のR−T−B系焼結磁石。
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