JP2021057336A - 発光素子、自発光パネル、および、発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
発光素子の光取り出し効率を向上するための手段として、光共振器構造が知られている。具体的には、図2(b)の模式断面図に示すように、例えば、発光中心から直接的に放出される経路C1を経由する光と、発光中心から光半透過性電極、光反射性電極の順に反射されて放出される経路C2を経由する光が互いに強め合うように光学距離を調整した構造である。このとき、経路C2と経路C1との光路長差はL0の光路長(屈折率を経路長で積分した値)とL1の光路長との和に依存する。このとき、光が強め合う条件は光路長差と波長との関係に依存し、放出される光の波長が短いほどL0+L1の光路長を短くする必要がある。一方で、発光層や発光層以外の機能層(正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層)にはそれぞれ最適な膜厚があり、発光層や正孔輸送層等の機能層の膜厚が十分でない場合、機能を十分に発揮することができず発光効率が低下する場合がある。特に、青色発光素子等の発光波長の短い素子では、共振器構造を最適化すると機能層の膜厚が十分でなく発光効率が十分に向上しない一方で、機能層の膜厚が十分となる設計では共振器構造においてL0+L1の光路長が所望の取り出し波長に対して長くなるため取り出される光のピーク波長が長波長側にシフトし色ずれが生じる課題がある。
本開示の一態様に係る発光素子は、光反射性の第1電極と、前記第1電極の上方に配される発光層と、前記発光層の上方に配される光半透過性の第2電極と、前記第2電極の上に接して配される第1透光層と、前記第1透光層の上に接して配される第2透光層とを備え、前記第1電極の前記発光層側の面と、前記第2電極の前記発光層側の面との間で、前記発光層から出射される光のピーク波長より長波長である第1の波長をピーク波長とする第1の光共振器構造を形成し、前記第1電極の前記発光層側の面と、前記第1透光層と前記第2透光層との界面との間で、前記第1の波長より短波長である第2の波長をピーク波長とする第2の光共振器構造を形成し、前記第2透光層の屈折率と、前記第1透光層の屈折率との差は0.3以上であることを特徴とする。
以下、本開示に係る発光素子を備えた自発光パネルの実施の形態について説明する。なお、以下の説明は、本発明の一態様に係る構成及び作用・効果を説明するための例示であって、本発明の本質的部分以外は以下の形態に限定されない。また、以下の説明を含め本明細書、特許請求の範囲における上下とは光の出射方向を基準として相対的な位置関係を示すものであり、必ずしも絶対的な(鉛直方向における)上下の位置関係とは一致しない。
図1は、実施の形態1に係る自発光パネルとしての有機EL表示パネル100(図11参照)の部分断面図である。有機EL表示パネル100は、3つの色(赤色、緑色、青色)を発光する有機EL素子1(R)、1(G)、1(B)で構成される画素を複数備えている。すなわち、有機EL素子1(R)、1(G)、1(B)のそれぞれがサブ画素を構成し、発光色の異なる複数のサブ画素の集合が画素となる。図1では、その1つの画素の断面を示している。
基板11は、絶縁材料である基材111と、TFT(Thin Film Transistor)層112とを含む。TFT層112には、サブ画素ごとに駆動回路が形成されている。基材111は、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等を採用することができる。プラスチック材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリイミド(PI)、ポリエーテルイミド(PEI)、ポリサルホン(PSu)、ポリカーボネート(PC)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリブチレンテレフタレート、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリウレタン系、等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられる。これらよりプロセス温度に対して耐久性を有するように選択し、1種、または2種以上を積層した積層体を用いることができる。
層間絶縁層12は、基板11上に形成されている。層間絶縁層12は、樹脂材料からなり、TFT層112の上面の段差を平坦化するためのものである。樹脂材料としては、例えば、ポジ型の感光性材料が挙げられる。また、このような感光性材料として、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。また、図1の断面図には示されていないが、層間絶縁層12には、サブ画素ごとにコンタクトホールが形成されている。
画素電極13は層間絶縁層12上に形成されている。画素電極13は、画素ごとに設けられ、層間絶縁層12に設けられたコンタクトホールを通じてTFT層112と電気的に接続されている。
隔壁14は、画素電極13の上面の一部の領域を露出させ、その周辺の領域を被覆した状態で画素電極13上に形成されている。画素電極13上面において隔壁14で被覆されていない領域(以下、「開口部」という)は、サブピクセルに対応している。すなわち、隔壁14は、サブピクセルごとに設けられた開口部14aを有する。
正孔注入層15は、画素電極13から発光層17への正孔(ホール)の注入を促進させる目的で、画素電極13上に設けられている。正孔注入層15の材料の具体例としては、例えば、PEDOT/PSS(ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物)などの導電性ポリマー材料が挙げられる。
正孔輸送層16は、正孔注入層15から注入された正孔を発光層17へ輸送する機能を有し、正孔を正孔注入層15から発光層17へと効率よく輸送するため、正孔移動度の高い有機材料で形成されている。正孔輸送層16の形成は、有機材料溶液の塗布および乾燥により行われる。正孔輸送層16を形成する有機材料としては、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体等の高分子化合物を用いることができる。
発光層17は、開口部14a内に形成されている。発光層17は、正孔と電子の再結合によりR、G、Bの各色の光を出射する機能を有する。発光層17の材料としては、公知の材料を利用することができる。
中間層18は、発光層17上に形成されており、電子注入性を有する金属材料のフッ化物またはキノリニウム錯体を含む。金属材料としては、アルカリ金属、または、アルカリ土類金属から選択される。アルカリ金属は、具体的には、Li(リチウム)、Na(ナトリウム)、K(カリウム)、Rb(ルビジウム)、Cs(セシウム)、Fr(フランシウム)である。また、アルカリ土類金属は、具体的には、Ca(カルシウム)、Sr(ストロンチウム)、Ba(バリウム)、Ra(ラジウム)である。本実施の形態では、NaF(フッ化ナトリウム)を含む。
電子注入輸送層19は、中間層18上に形成されており、電子輸送性を有する有機材料に、電子注入性を向上させる金属材料がドープされてなる。ここで、ドープとは、金属材料の金属原子または金属イオンを有機材料中に略均等に分散させることを指し、具体的には、有機材料と微量の金属材料を含む単一の相を形成することを指す。なお、それ以外の相、特に、金属片や金属膜など、金属材料のみからなる相、または、金属材料を主成分とする相は、存在していないことが好ましい。また、有機材料と微量の金属材料を含む単一の相において、金属原子または金属イオンの濃度は均一であることが好ましく、金属原子または金属イオンは凝集していないことが好ましい。金属材料としては、希土類金属から選択されることが好ましく、Yb(イッテルビウム)がより好ましい。本実施の形態では、Ybが選択される。また、電子注入輸送層19における金属材料のドープ量は3〜60wt%が好ましい。本実施の形態では、20wt%である。
対向電極20は、光半透過性の導電性材料からなり、電子注入輸送層19上に形成されている。本実施の形態においては、対向電極20は、陰極として機能する。
第1光学調整層211は、透光性の材料からなり、対向電極20上に形成されている。
第2光学調整層212は、透光性の材料からなり、第1光学調整層211上に形成されている。
第3光学調整層213は、透光性の材料からなり、第2光学調整層212上に形成されている。
なお図1には示されないが、第3光学調整層213の上に、封止樹脂を介してカラーフィルターや上部基板を貼り合せてもよい。上部基板を貼り合せることによって、正孔輸送層16、発光層17、中間層18、電子注入輸送層19を水分および空気などから保護できる。
(2.1)光共振器構造の詳細
図2は、本実施の形態に係る有機EL素子1の光共振器構造における光の干渉を説明する図である。第1の光共振器構造は、画素電極13の正孔注入層15側の面と、対向電極20の電子注入輸送層19側の面との間に構成される。また、第2の光共振器構造は、画素電極13の正孔注入層15側の面と、第2光学調整層212の第1光学調整層211側の面との間に構成される。発光層17は、第1の共振器構造の内側、かつ、第2の共振器構造の内側に存在することとなる。
ここで、φ0は画素電極13の正孔注入層15側の面で反射されるときの光の位相変化であり、φ1は対向電極20の電子注入輸送層19側の面で反射されるときの光の位相変化である。また、m1は、任意の自然数である。
λ2<λs<λ1 …(式3)
式3を満たすことにより、第1の共振器構造のピーク波長λ1が発光素子1から取り出される光のピーク波長λsより長波長であっても、所望の波長をピーク波長とする光を発光素子1から取り出すことができる。
λ−15[nm] <λs<λ+15[nm] …(式4)
λs−20[nm]<λ1 …(式5)
λ2<λs+20[nm] …(式6)
式4を満たすことにより、発光層から取り出される光の多くを発光素子1から取り出される光とすることができるため、発光素子1の発光効率を向上させることができる。また、式5、式6を満たすことにより、第1の共振器構造、第2の共振器構造が発光層から取り出される光を効率よく取り出すことができ、発光素子1の発光効率の向上と光取り出し効率の向上に有効である。
図4(a)、図3は、それぞれ、本実施の形態、または、比較例による光共振器構造による効果を示す模式図である。
以上説明したように、実施の形態に係る発光素子によれば、画素電極と対向電極の間に形成される第1の共振器構造と、画素電極と第2光学調整層との間に形成される第2の共振器構造とで取り出される光のピーク波長が異なる。したがって、第1の共振器構造のピーク波長を発光素子から取り出したい光のピーク波長より長く、かつ、第2の共振器構造のピーク波長を発光素子から取り出したい光のピーク波長より短く設計することにより、発光素子から取り出す光のピーク波長を所望の波長から長波長化することなく、機能層の膜厚を大きくすることができる。したがって、機能層の膜厚の最適化による発光効率の向上や駆動電圧の低下による発光素子の高効率化、長寿命化を図るとともに、所望の波長における発光素子からの光取り出し効率を向上させることができる。
発光素子を含む自発光パネルの製造方法について、図面を用いて説明する。図5は、発光素子を含む自発光パネルの製造工程を示すフローチャートである。図6(a)〜(e)、図7(a)〜(d)、図8(a)〜(d)、図9(a)〜(b)は、自発光パネルの製造における各過程での状態を示す模式断面図である。
次に、図6(b)に示すように、基板11上に層間絶縁層12を形成する(ステップS20)。層間絶縁層12は、例えば、プラズマCVD法、スパッタリング法などを用いて積層形成することができる。
次に、図6(c)に示すように、層間絶縁層12上に画素電極材料層130を形成する。画素電極材料層130は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法などを用いて形成することができる。
次に、図6(e)に示すように、画素電極13および層間絶縁層12上に、隔壁14の材料である隔壁層用樹脂を塗布し、隔壁材料層140を形成する。隔壁材料層140は、隔壁層用樹脂であるフェノール樹脂を溶媒(例えば、乳酸エチルとGBLの混合溶媒)に溶解させた溶液を画素電極13上および層間絶縁層12上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。そして、隔壁材料層140にパターン露光と現像を行うことで隔壁14を形成し(図7(a))、隔壁14を焼成する(ステップS40)。これにより、発光層17の形成領域となる開口部14aが規定される。隔壁14の焼成は、例えば、150℃以上210℃以下の温度で60分間行う。
次に、図7(b)に示すように、隔壁14が規定する開口部14aに対し、正孔注入層15の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド410のノズル401から吐出して開口部14a内の画素電極13上に塗布し、焼成(乾燥)を行って、正孔注入層15を形成する(ステップS50)。
次に、図7(c)に示すように、隔壁14が規定する開口部14aに対し、正孔輸送層16の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド420のノズル402から吐出して開口部14a内の正孔注入層15上に塗布し、焼成(乾燥)を行って、正孔輸送層16を形成する(ステップS60)。
次に、図7(d)に示すように、発光層17の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド430Rのノズル403R、インクジェットヘッド430Gのノズル403G、インクジェットヘッド430Bのノズル403Bのそれぞれから吐出して開口部14a内の正孔輸送層16上に塗布し、焼成(乾燥)を行って発光層17を形成する(ステップS70)。
次に、図8(a)に示すように、発光層17および隔壁14上に、中間層18を形成する(ステップS80)。中間層18は、例えば、アルカリ金属のフッ化物であるNaFを真空蒸着法により各サブピクセルに共通して成膜することにより形成される。
次に、図8(b)に示すように、中間層18上に、電子注入輸送層19を形成する(ステップS90)。電子注入輸送層19は、例えば、電子輸送性の有機材料とドープ金属であるイッテルビウムとを共蒸着法により各サブピクセルに共通して成膜することにより形成される。
次に、図8(c)に示すように、電子注入輸送層19上に、対向電極20を形成する(ステップS100)。対向電極20は、例えば、Ag、Al等の金属材料を、スパッタリング法、真空蒸着法により成膜することにより形成される。
次に、図8(d)に示すように、第1光学調整層211を形成する(ステップS110)。第1光学調整層211は、例えば、NbOを、スパッタリング法により製膜することにより形成される。
次に、図9(a)に示すように、第2光学調整層212を形成する(ステップS120)。第2光学調整層212は、例えば、SiONを用いて、スパッタリング法、CVD法により形成することができる。
次に、図9(b)に示すように、第3光学調整層213を形成する(ステップS130)。第3光学調整層213は、例えば、SiNを用いて、スパッタリング法、CVD法により形成することができる。
図10は、自発光パネル100を備えた表示装置1000の構成を示す模式ブロック図である。図10に示すように、表示装置1000は、自発光パネル100と、これに接続された駆動制御部200とを含む構成である。駆動制御部200は、4つの駆動回路210〜240と、制御回路250とから構成されている。
実施の形態に係る自発光素子としての有機EL素子1では、共振器構造が第1の共振器構造、第2の共振器構造の2つであるとした。しかしながら、自発光素子は上述した第1の共振器構造、第2の共振器構造を備えていれば、それ以外の共振器構造を備えてもよい。
図10(a)は、本変形例に係る自発光素子の模式断面図である。本変形例に係る自発光素子は、光学調整層21が第1光学調整層211、第2光学調整層212、…、第n光学調整層21−n(nは4以上の整数)からなる点で実施の形態と異なる。
4以上の層からなる光学調整層21は、透光性の材料からなり、対向電極20上に形成されている。
本変形例においても、第1の共振器構造と第2の共振器構造は、実施の形態と同一である。また、本変形例では、第3の共振器構造を備えている。第(k−1)光学調整層と第k光学調整層(kは3以上n以下の整数)との界面が画素電極13の正孔注入層15との界面の光反射面と対となって第3の共振器構造を構成しているとしたとき、第3の共振器構造により得られる出射光のピーク波長をλ3、第(k−1)光学調整層と第k光学調整層との界面から発光中心までの光学距離をLk、第3の共振器構造の2つの界面間の光学距離Lkt(=L0+Lk)としたとき、以下の関係が成立する。
λ2<λ3<λ1 …(式8)
以上の構成により、第3の共振器構造によっても所望の波長の光の強度が増加するように光を取り出すことができるため、発光素子1の発光効率の向上と光取り出し効率の向上に有効である。
光共振器構造の第1の形態では、第3の共振器構造によって所望の波長の光の強度が増加するように光を取り出すとしたが、これに替えて、第3の共振器構造を以下のように構成してもよい。すなわち、ある波長λ4に対し、以下の関係を満たすように、第(k−1)光学調整層と第k光学調整層(kは3以上n以下の整数)との界面が画素電極13の正孔注入層15との界面の光反射面と対となって第3の共振器構造を構成する。
λ2<λ4<λ1 …(式10)
以上の構成により、第3の共振器構造では、波長λ4について経路C1や第1の共振器構造に対して光を弱めるように構成される。光共振器構造は光の取り出し効率を向上する一方で、光学距離には視野角依存性があるため指向性も強める効果があり、それによって視野角を狭める作用も存在する。上記構成によれば、第3の共振器構造によって、第1の共振器構造による視野角の狭小化を弱めることができるため、発光素子1の視野角拡大に有効である。
実施の形態に係る発光素子を備える自発光パネルでは、画素電極が光反射性電極、対向電極が光半透過性電極のトップエミッション型パネルであるとした。しかしながら、自発光パネルは、ボトムエミッション型パネルであってもよい。
図10(b)は、本変形例に係る自発光パネルの模式断面図である。本変形例に係る自発光パネルは、基板11上に、第2光学調整層212、第1光学調整層211、光半透過性画素電極131、…、発光層17、…、光反射性対向電極201の順に積層された発光素子1を備える点で実施の形態と異なる。なお、光の出射方向を上方とした場合、すなわち、発光素子において光反射性電極を下側、光半透過性電極や光学調整層を上側とした場合、本変形例は、上方に光を出射する発光素子の下側に基板がなく、上側に基板が存在する構成であると言うこともできる。
(1)上記実施の形態及び変形例においては、発光素子である有機EL素子1が正孔注入層15、正孔輸送層16、中間層18、電子注入輸送層19は必ずしも上記実施の形態の構成である必要はない。いずれか1以上を備えないとしてもよいし、さらにほかの機能層を備えていてもよい。例えば、中間層18を備えないとしてもよいし、中間層18に替えて、あるいは、中間層18と発光層17との間に、電子輸送層を備える、としてもよい。
11 基板
12 層間絶縁層
13 画素電極
14 隔壁
14a 開口部
15 正孔注入層
16 正孔輸送層
17 発光層
18 中間層
19 電子注入輸送層
20 対向電極
21 光学調整層
100 自発光パネル(有機EL表示パネル)
200 駆動制御部
210〜240 駆動回路
250 制御回路
Claims (15)
- 光反射性の第1電極と、
前記第1電極の上方に配される発光層と、
前記発光層の上方に配される光半透過性の第2電極と、
前記第2電極の上に接して配される第1透光層と、
前記第1透光層の上に接して配される第2透光層と
を備え、
前記第1電極の前記発光層側の面と、前記第2電極の前記発光層側の面との間で、前記発光層から出射される光のピーク波長より長波長である第1の波長をピーク波長とする第1の光共振器構造を形成し、
前記第1電極の前記発光層側の面と、前記第1透光層と前記第2透光層との界面との間で、前記第1の波長より短波長である第2の波長をピーク波長とする第2の光共振器構造を形成し、
前記第2透光層の屈折率と、前記第1透光層の屈折率との差は0.3以上である
ことを特徴とする発光素子。 - 前記発光層から出射される光のピーク波長と、前記第1の共振器構造の出射光と前記第2の共振器構造の出射光とが合成されてなる前記発光素子外部に取り出される光のピーク波長との差は15nm以下である
ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 - 前記第2透光層に接して配され、1以上の層を含む第3透光層をさらに備え、
前記第1電極の前記発光層側の面と、前記第3透光層に含まれるいずれかの層の前記発光層側の面との間で、第3の光共振器構造を形成し、
前記第2電極の前記発光層側の面と、前記第3透光層の上面との間の光学距離は、1μm以下である
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の発光素子。 - 前記第3の光共振器構造は、前記第1の光共振器構造のピーク波長に対して弱めあうよう構成されている
ことを特徴とする請求項5に記載の発光素子。 - 前記第3の光共振器構造は、前記第1の波長と前記第2の波長との間の第3の波長をピーク波長とする
ことを特徴とする請求項5に記載の発光素子。 - 光反射性の第1電極と、
前記第1電極の上方に配される発光層と、
前記発光層の上方に配される光半透過性の第2電極と、
前記第2電極の上に接して配される第1透光層と、
前記第1透光層の上に接して配される第2透光層と
を備え、
前記第1電極の前記発光層側の面と、前記第2電極の前記発光層側の面との間で、前記発光層から出射される光のピーク波長より長波長である第1の波長をピーク波長とする第1の光共振器構造を形成し、
前記第1電極の前記発光層側の面と、前記第1透光層と前記第2透光層との界面との間で、前記第1の波長より短波長である第2の波長をピーク波長とする第2の光共振器構造を形成し、
前記第1透光層は、IZOまたはNbOを含み、
前記第2透光層は、酸窒化シリコンを含む
ことを特徴とする発光素子。 - 基板上に、請求項1から8のいずれか1項に記載の発光素子が複数形成されている自発光パネル。
- 少なくとも一部が光透過性を有する基板と、
前記基板の光透過性を有する部分の上方に配される第2透光層と、
前記第2透光層に接して配される第1透光層と、
前記第1発光層の上方に配される光半透過性の第2電極と、
前記第2電極の上方に配される発光層と、
前記発光層の上方に配される光反射性の第1電極と
を備え、
前記第1電極の前記発光層側の面と、前記第2電極の前記発光層側の面との間で、前記発光層から出射される光のピーク波長より長波長である第1の波長をピーク波長とする第1の光共振器構造を形成し、
前記第1電極の前記発光層側の面と、前記第1透光層と前記第2透光層との界面との間で、前記第1の波長より短波長である第2の波長をピーク波長とする第2の光共振器構造を形成し、
前記第2透光層の屈折率と、前記第1透光層の屈折率との差は0.3以上である
ことを特徴とする自発光パネル。 - 少なくとも一部が光透過性を有する基板と、
前記基板の光透過性を有する部分の上方に配される第2透光層と、
前記第2透光層に接して配される第1透光層と、
前記第1発光層の上方に配される光半透過性の第2電極と、
前記第2電極の上方に配される発光層と、
前記発光層の上方に配される光反射性の第1電極と
を備え、
前記第1電極の前記発光層側の面と、前記第2電極の前記発光層側の面との間で、前記発光層から出射される光のピーク波長より長波長である第1の波長をピーク波長とする第1の光共振器構造を形成し、
前記第1電極の前記発光層側の面と、前記第1透光層と前記第2透光層との界面との間で、前記第1の波長より短波長である第2の波長をピーク波長とする第2の光共振器構造を形成し、
前記第1透光層は、IZOまたはNbOを含み、
前記第2透光層は、酸窒化シリコンを含む
ことを特徴とする自発光パネル。 - 基板上に光反射性の第1電極を形成し、
前記第1電極の上方に発光層を形成し、
前記発光層の上方に光半透過性の第2電極を形成し、
前記第2電極の上に接して第1透光層を形成し、
前記第1透光層の上に接して、前記第1透光層との屈折率差が0.3以上である第2透光層を形成し、
前記第2電極の形成において、前記第1電極の前記発光層側の面と、前記第2電極の前記発光層側の面との間で、前記発光層から出射される光のピーク波長より長波長である第1の波長をピーク波長とする第1の光共振器構造を形成し、
前記第2透光層の形成において、前記第1電極の前記発光層側の面と、前記第1透光層と前記第2透光層との界面との間で、前記第1の波長より短波長である第2の波長をピーク波長とする第2の光共振器構造を形成し、
前記第2透光層の屈折率と、前記第1透光層の屈折率との差は0.3以上である
ことを特徴とする発光素子の製造方法。 - 基板上に光反射性の第1電極を形成し、
前記第1電極の上方に発光層を形成し、
前記発光層の上方に光半透過性の第2電極を形成し、
前記第2電極の上に接して第1透光層を形成し、
前記第1透光層の上に接して、前記第1透光層との屈折率差が0.3以上である第2透光層を形成し、
前記第2電極の形成において、前記第1電極の前記発光層側の面と、前記第2電極の前記発光層側の面との間で、前記発光層から出射される光のピーク波長より長波長である第1の波長をピーク波長とする第1の光共振器構造を形成し、
前記第2透光層の形成において、前記第1電極の前記発光層側の面と、前記第1透光層と前記第2透光層との界面との間で、前記第1の波長より短波長である第2の波長をピーク波長とする第2の光共振器構造を形成し、
前記第1透光層は、IZOまたはNbOを含み、
前記第2透光層は、酸窒化シリコンを含む
ことを特徴とする発光素子の製造方法。 - 基板上に第2透光層を形成し、
前記第2透光層上に接して第1透光層を形成し、
前記第1透光層上に接して光半透過性の第2電極を形成し、
前記第2電極の上方に発光層を形成し、
前記発光層の上方に光反射性の第1電極を形成し、
前記第2電極の形成において、前記第1電極の前記発光層側の面と、前記第2電極の前記発光層側の面との間で、前記発光層から出射される光のピーク波長より長波長である第1の波長をピーク波長とする第1の光共振器構造を形成し、
前記第2透光層の形成において、前記第1電極の前記発光層側の面と、前記第1透光層と前記第2透光層との界面との間で、前記第1の波長より短波長である第2の波長をピーク波長とする第2の光共振器構造を形成し、
前記第2透光層の屈折率と、前記第1透光層の屈折率との差は0.3以上である
ことを特徴とする発光素子の製造方法。 - 基板上に第2透光層を形成し、
前記第2透光層上に接して第1透光層を形成し、
前記第1透光層上に接して光半透過性の第2電極を形成し、
前記第2電極の上方に発光層を形成し、
前記発光層の上方に光反射性の第1電極を形成し、
前記第2電極の形成において、前記第1電極の前記発光層側の面と、前記第2電極の前記発光層側の面との間で、前記発光層から出射される光のピーク波長より長波長である第1の波長をピーク波長とする第1の光共振器構造を形成し、
前記第2透光層の形成において、前記第1電極の前記発光層側の面と、前記第1透光層と前記第2透光層との界面との間で、前記第1の波長より短波長である第2の波長をピーク波長とする第2の光共振器構造を形成し、
前記第1透光層は、IZOまたはNbOを含み、
前記第2透光層は、酸窒化シリコンを含む
ことを特徴とする発光素子の製造方法。
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