JP2021055123A - 蒸発源装置、成膜装置、成膜方法および電子デバイスの製造方法 - Google Patents
蒸発源装置、成膜装置、成膜方法および電子デバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021055123A JP2021055123A JP2019176783A JP2019176783A JP2021055123A JP 2021055123 A JP2021055123 A JP 2021055123A JP 2019176783 A JP2019176783 A JP 2019176783A JP 2019176783 A JP2019176783 A JP 2019176783A JP 2021055123 A JP2021055123 A JP 2021055123A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater
- support member
- container
- evaporation source
- heater wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 83
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 83
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 14
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 44
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 42
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 28
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 28
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 6
- 230000004323 axial length Effects 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 5
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007630 basic procedure Methods 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B1/00—Details of electric heating devices
- H05B1/02—Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
- H05B1/0202—Switches
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B1/00—Details of electric heating devices
- H05B1/02—Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
- H05B1/0227—Applications
- H05B1/023—Industrial applications
- H05B1/0233—Industrial applications for semiconductors manufacturing
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/02—Details
- H05B3/06—Heater elements structurally combined with coupling elements or holders
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/40—Heating elements having the shape of rods or tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
蒸着材料が収容される容器と、
前記容器の周囲に多重に設けられた複数のヒータと、を備えた蒸発源装置において、
前記複数のヒータは、ヒータ線が螺旋状に構成されており、
前記複数のヒータのうち、互いに隣り合う第1のヒータと、第2のヒータと、の間に配置される第1の支持部材を備え、
前記第1の支持部材は、前記第1のヒータと、前記第2のヒータと、のうち一方のヒータのヒータ線を支持する第1のヒータ線支持部を有することを特徴とする。
また、他の発明の蒸発源装置は、
蒸着材料が収容される容器と、
前記容器の周囲に多重に設けられた複数のヒータと、を備えている蒸発源装置において、
前記複数のヒータは、ヒータ線が螺旋状に構成されており、
前記複数のヒータのうち、互いに隣り合う第1のヒータと、第2のヒータと、の間に配
置される第3の支持部材を備え、
前記第3の支持部材は、前記第1のヒータのヒータ線を支持する第3のヒータ線支持部と、前記第2のヒータのヒータ線を支持する第4のヒータ線支持部とを有することを特徴とする。
さらに、他の発明の蒸発源装置は、
蒸着材料が収容される容器と、
前記容器の周囲に多重に設けられた複数のヒータと、を備えた蒸発源装置において、
前記複数のヒータは、ヒータ線が螺旋状に構成されており、
前記複数のヒータのうち、互いに隣り合う第1のヒータを支持する第4の支持部材と、第2のヒータを支持する第5の支持部材と、を有し、
前記第4の支持部材は第1のヒータに対して第2のヒータと反対側に配置され、前記第5の支持部材は第2のヒータに対して第1のヒータと反対側に配置され、
前記第4の支持部材は、前記第1のヒータのヒータ線を支持する第5のヒータ線支持部を有し、前記第5の支持部材は、前記第2のヒータのヒータ線を支持する第6のヒータ線支持部を有し、
前記第4の支持部材と前記第5の支持部材が、一つの支持部材組として互いに固定されていることを特徴とする。
蒸着材料が収容される容器と、
前記容器の周囲に多重に設けられた複数のヒータと、を備えた蒸発源装置において、
前記複数のヒータは、ヒータ線が螺旋状に構成されており、
前記複数のヒータのうち、互いに隣り合う第1のヒータと、第2のヒータと、の間に配置される第1の支持部材を備え、
前記第1の支持部材は、前記第1のヒータと、前記第2のヒータと、のうち一方のヒータのヒータ線を支持する第1のヒータ線支持部を有する蒸発源装置と、
前記蒸発源装置が配置され、前記蒸着材料の蒸着が行われる真空チャンバと、を備えることを特徴とする。
また、本発明の他の成膜装置は、
蒸着材料が収容される容器と、
前記容器の周囲に多重に設けられた複数のヒータと、を備えている蒸発源装置において、
前記複数のヒータは、ヒータ線が螺旋状に構成されており、
前記複数のヒータのうち、互いに隣り合う第1のヒータと、第2のヒータと、の間に配置される第3の支持部材を備え、
前記第3の支持部材は、前記第1のヒータのヒータ線を支持する第3のヒータ線支持部と、前記第2のヒータのヒータ線を支持する第4のヒータ線支持部とを有する蒸発源装置と、
前記蒸発源装置が配置され、前記蒸着材料の蒸着が行われる真空チャンバと、を備えることを特徴とする。
さらに、本発明の他の成膜装置は、
蒸着材料が収容される容器と、
前記容器の周囲に多重に設けられた複数のヒータと、を備えた蒸発源装置において、
前記複数のヒータは、ヒータ線が螺旋状に構成されており、
前記複数のヒータのうち、互いに隣り合う第1のヒータを支持する第4の支持部材と、第2のヒータを支持する第5の支持部材と、を有し、
第4の支持部材は第1のヒータに対して第2のヒータと反対側に配置され、前記第5の支持部材は第2のヒータに対して第1のヒータと反対側に配置され、
前記第4の支持部材は、前記第1のヒータのヒータ線を支持する第5のヒータ線支持部を有し、前記第5の支持部材は、前記第2のヒータのヒータ線を支持する第6のヒータ線
支持部を有し、
前記第4の支持部材と前記第5の支持部材が、一つの支持部材組として互いに固定されていることを特徴とする。
蒸着材料を収容した容器を、該容器の周囲に設けられる複数の螺旋状のヒータによって加熱して、被蒸着体に前記蒸着材料の蒸着を行う成膜方法であって、
前記複数のヒータを前記容器の周囲に多重に配置し、互いに隣り合うヒータの間に配置される支持部材によってヒータ間の間隔を維持した状態で、前記複数のヒータによって容器を加熱することを特徴とする。
蒸着材料を収容した容器を、該容器の周囲に設けられる螺旋状のヒータによって加熱して、被蒸着体に前記蒸着材料の蒸着を行う成膜方法であって、前記ヒータを前記容器の周囲に多重に配置し、互いに隣り合うヒータの間に配置される支持部材によってヒータ間の間隔を維持した状態で、前記複数のヒータによって容器を加熱する成膜方法によって、電子デバイスの被蒸着体に蒸着材料を蒸着させて成膜することを特徴とする。
図1は、本発明の実施形態に係る成膜装置の構成を模式的に示す断面図である。成膜装置は、真空チャンバ200を有する。真空チャンバ200の内部は、真空雰囲気か、窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に維持されている。なお、ここでいう真空とは、通常の大気圧(典型的には1013hPa)より低い圧力の気体で満たされた状態をいう。真空チャンバ200の内部には、概略、基板保持ユニット(不図示)によって保持された被蒸着体である基板201と、マスク202と、蒸発源装置100が設けられる。基板保持ユニットは、基板201を載置するための受け爪などの支持具や、基板を押圧保持するためのクランプなどの押圧具によって基板を保持する。
制御部207の構成は、例えば、プロセッサ、メモリ、ストレージ、I/O、UIなどを有するコンピュータにより構成可能である。この場合、制御部207の機能は、メモリ
又はストレージに記憶されたプログラムをプロセッサが実行することにより実現される。コンピュータとしては、汎用のコンピュータを用いてもよいし、組込型のコンピュータ又はPLC(programmable logic controller)を用いてもよい。あるいは、制御部207の機能の一部又は全部をASICやFPGAのような回路で構成してもよい。なお、成膜装置ごとに制御部207が設けられていてもよいし、1つの制御部207が複数の成膜装置を制御してもよい。
次に、図2乃至図5を参照して、本実施形態の蒸発源装置について説明する。
まず、図2を参照して、蒸発源装置100の全体構成について説明する。
蒸発源装置100は、蒸着材料6が収容される容器4と、容器4を取り囲むように配置される螺旋状の第1のヒータ1と、第1のヒータ1よりも大径で第1のヒータ1を取り囲むように配置される螺旋状の第2のヒータ2が、同心状に容器4を二重に取り囲んでいる。また、この第2のヒータ2を取り囲むように、円筒状のリフレクタ102が同心状に配置され、さらに、リフレクタ102を取り囲むように冷却ジャケット104が同心状に配置されている。リフレクタ102及び冷却ジャケット104の下端は基台106に固定され、容器4の底部は、基台106の中央に立設される支柱101に支持されている。
って支持される2重のヒータと容器の関係を示す図、(D),(E)は支持部材組の位置決め部材を示す斜視図である。また、図5(A)は第1のヒータと第2のヒータを分解して示す図、(B)は組立状態を示す図である。
図3に示すように、第1のヒータ1および第2のヒータ2は抵抗加熱式の発熱方式であり、タングステン、タンタル、モリブデン等の高融点金属線、あるいは金属パイプ状のシーズヒータを含むヒータ線5を、所定ピッチのつる巻き線に沿って円筒コイル状に成形したものある。第1のヒータ1および第2のヒータ2は、容器4の中心軸線Nと平行方向(以下、軸方向という)の高さが同一で、第1のヒータ1の外径よりも容器4と反対側の第2のヒータ2の内径が所定寸法だけ大きく設定されている。第1のヒータ1の中心軸と第2のヒータ2の中心軸は、容器4の中心軸線Nと同心的に配置され、第1のヒータ1と第2のヒータ2の間は、所定間隔だけ離間している。第1のヒータ1および第2のヒータ2は、図3(A),(B)に示すように、それぞれ異なる2本のヒータ線5,5で構成され、その上下両端にリード線が接続される端子7、7が設けられ、それぞれ別々に制御されるタイプとすることができる。また、図3(C)に示すように、一本のヒータ線5を折り返し、同じヒータ線5で第1のヒータ1と第2のヒータ2を構成し、同一に制御されるタイプとすることでもできる。図3(C)の場合には、第1のヒータ1と第2のヒータ2の上端に、U字状の折り返し部5aが位置しており、端子7,7はヒータ線5の両端の2か所で、第1のヒータ1と第2のヒータ2は直列接続となる。いずれの場合にも、端子間に電圧をかけることによって、ジュール熱によって発熱する。容器4は、発熱したヒータ線5から容器4外面への熱輻射によって加熱される。
支持部材組40を構成する第1の支持部材10及び第2の支持部材20は、ステアタイト、アルミナ等の耐熱性の絶縁部材によって構成される。第1の支持部材10は、図4(C)に示すように、容器4の中心軸線Nと平行方向(以下、軸方向と称す)に延びる長尺の板状部材で、軸方向の長さは、第1のヒータ1の軸方向長さよりも長く、上下両端部が第1のヒータ1の上下両端よりも所定寸法だけ突出している。また、第1の支持部材10の板面は、容器4の中心軸線Nと直交する放射方向に沿って配置されている。第1の支持部材10の容器側の側辺10aは、図4(A)に示すように、軸方向に直線状に延び、第1のヒータ1の巻きピッチと同一ピッチで、ヒータ線5が係合する第1のヒータ線支持部としての係合溝12が巻き数分だけ軸方向に設けられており、螺旋状に成形された各ヒータ線5が、一巻き毎に係合溝12に係合する。
25と第1の支持部材10とが重なる部分を、図4(B)に示すように、ボルト、ナット等によって構成される固定部材30によって結合することで、支持部材組40が構成される。固定片25と第1の支持部材10の重なる部分には、ボルトが挿通される挿通孔33が設けられている。固定部材30としては、ねじ結合に限らず、たとえば、リベット結合でもよいし、凹凸係合するような結合構造であってもよい。この例では、第1の支持部材10と第2の支持部材20の軸方向長さは同一で、上下端の位置を合わせて固定されるようになっている。第1の支持部材10と第2の支持部材20の係合溝12,22は、軸方向に同一位置に設定されている。
位置決め部材50は円板状で、その中心に、容器4を支持する支柱101が嵌合する嵌合穴51が設けられ、外周には中心に向かって半径線方向に沿って、所定幅で直線状に切り込まれた位置決め溝52が、支持部材組40に対応して周方向に複数、この例では6箇所に設けられている。位置決め溝52に支持部材組40の下端部が軸方向下方、かつ径方向内方に向けて差し込まれ、下端部が基台に当接し、内側面が位置決め溝52の内径端に突き当てられることで、第1のヒータ1及び第2のヒータ2が、容器4に対して同心的に位置決めされる。
位置決め部材としては、外周側から位置決め溝を設けるものに限定されず、たとえば、図4(E)に示すように、リング状の位置決め部材250を用いることもできる。すなわち、位置決め部材250の内周面に、半径方向外方に向かって、所定幅で直線状に切り込まれた位置決め溝252を備えた構成とする。位置決め部材250の外周面はリフレクタに嵌り込む構成とする。このようなリング状の位置決め部材250を用いれば、支持部材組40の上端部、あるいは中途部において位置決めすることも可能である。
また、位置決め部材の他の例として、蒸発源装置100の基台106自体に位置決め溝を設け、基台106を位置決め部材として用いることもできる。
・第1のヒータ1と第2のヒータ2が、独立構成の場合(図3(A),図3(B)の場合)
まず、第1のヒータ1の外周側に、第1の支持部材10を容器側の側辺10aを合わせ、櫛歯状の係合溝12に第1のヒータ1の所定巻き数のヒータ線5を一巻き毎に係合させ、第1の支持部材10を組み付ける。この第1の支持部材10を、第1のヒータ1の周方向6箇所に組み付けた後、図5(A)に示すように、第2のヒータ2を第1の支持部材10の容器4と反対側の側辺10bに沿って装着する。上端側から装着すると、第2のヒータ2の下端は、第1の支持部材10の側辺10bに沿って滑って第1の支持部材10の突片15に当接する。
このように第1のヒータ1と第2のヒータ2が容器4に対して同心的に位置決めされるので、容器を均一に効率的に加熱することができる。
・第1のヒータ1と第2のヒータ2が、繋がっている場合(図3(C)の場合)
この場合には、図5(A)の状態はなく、図5(B)に示す状態を参照して説明すると、第1のヒータ1と第2のヒータ2の間に、第1の支持部材10を挿入し、第1の支持部材10の係合溝12に、第1のヒータ1のヒータ線5を一巻き毎に係合させる。また、第2の支持部材1020の係合溝22に第2のヒータ2のヒータ線5を係合し、第1の支持部材10と第2の支持部材20を重ねて固定部材30によって固定して支持部材組40を構成する。この支持部材組40を6箇所で作成し、各支持部材組40の下端部を、位置決め部材50の位置決め溝52に差し込み固定する。これにより、支持部材組40の軸方向位置、径方向位置、および周方向位置が正確に定まり、第1のヒータ1と第2のヒータ2が、容器に対して同心的に組付けられることになる。
次に、上記ヒータの支持構造の変形例について説明する。以下の説明では、主として上記実施形態で示した支持形態と異なる点についてのみ説明するものとし、同一の構成部分については同一の符号を付して、その説明は省略するものとする。
図6(A)乃至(C)は、ヒータの支持構造の変形例1を示している。(A)は一つの支持部材組を構成する部材の分解図、(B)は一つの支持部材組を示す図、(C)は支持部材組によって支持される2重のヒータと容器の関係を示す図である。
この変形例1は、基本的には、上記実施形態と同様に、第1のヒータ1と第2のヒータ2の間に配置される第1の支持部材10によって、容器側の第1のヒータ1を支持し、容器の反対側の第2のヒータ2を、第2のヒータ2の容器4と反対側に配置される第2の支持部材20によって支持するものであるが、加えて補助的に第1のヒータ1の巻き部内周を支持する補助支持部材45が設けられている。この補助支持部材45は、軸方向に延びる長尺の板状部材で、その容器側の側辺及び容器と反対側の側辺は直線状に延びており、両端部が第1の支持部材10に固定部材に30よって結合されている。この例では、第1の支持部材10の上下両端部に容器側に延びる固定片16,17が設けられ、この固定片16,17が補助支持部材45の両端部に重ね合わされて固定部材30によって固定されている。
図6(D)〜(F)は、ヒータの支持構造の変形例2を示している。(D)は一つの支持部材組を構成する部材の分解図、(E)は一つの支持部材組を示す図、(F)は支持部材組によって支持される2重のヒータと容器の関係を示す図である。
図7(A)〜(C)は、ヒータの支持構造の変形例3を示している。(A)は一つの支持部材組を構成する部材の分解図、(B)は一つの支持部材組を示す図、(C)は支持部材組によって支持される2重のヒータと容器の関係を示す図である。
図7(D)〜(F)は、ヒータの支持構造の変形例4を示している。(D)は一つの支持部材組を構成する部材の分解図、(E)は一つの支持部材組を示す図、(F)は支持部材組によって支持される2重のヒータと容器の関係を示す図である。
第2のヒータ2のヒータ線5を支持する第6のヒータ線支持部である第6の係合溝422が設けられている。このように第1のヒータ1と第2のヒータ2の間に支持部材が無くても、第1のヒータ1と第2のヒータ2を、所定間隔を保った状態で支持することができる。
図8(A)〜(C)は、ヒータの支持構造の変形例5を示している。(A)は一つの支持部材組を構成する部材の分解図、(B)は一つの支持部材組を示す図、(C)は支持部材組によって支持される2重のヒータと容器の関係を示す図である。
る。この第1の支持部材510と第2の支持部材520の両端部が、固定部材30によって結合されて、一つの支持部材組540を構成している。
次に、この変形例5の支持部材組540の組付け手順について説明する。
・第1のヒータ1と第2のヒータ2が、独立構成の場合(図3(A),図3(B)の場合)
第1の支持部材510の係合孔512への第1のヒータ1のヒータ線5の支持は、第1のヒータ1のヒータ線5の端から、第1の支持部材510の上端あるいは下端に位置する係合孔から順番に通していき、ヒータ線を全ての係合孔512に挿通する。複数の第1の支持部材510に第1のヒータ1を支持する場合には、複数枚の第1の支持部材510を重ね、重ねた状態で、第1の支持部材510の上端あるいは下端に位置する係合孔から順番に通し、ヒータ線5を重ねた第1の支持部材510の全ての係合孔係に挿通する。その後、重ねた第1の支持部材510を周方向に離間するように移動させればよい。
・第1のヒータ1と第2のヒータ2が繋がっている場合(図3(C)の場合)
図3(C)の第1のヒータ1と第2のヒータ2がつながっていて、同じ制御で加熱されているものの場合は、ヒータ線5をらせん状に加工すると同時に支持部材を組み立てる手順となる。たとえば、第1の支持部材と第2の支持部材を予め固定部材30で固定して支持部材組540を構成しておき、2本のヒータ線5を螺旋状に加工しながら、各係合孔522に通すことによって、組み付けることができる。
図9(A),(B)は、ヒータの支持構造の変形例6を示している。(A)は第3の支持部材670を示す図、(B)は第3の支持部材670によって支持される2重のヒータと容器の関係を示す図である。
図9(C),(D)は、ヒータの支持構造の変形例7を示している。(A)は第3の支持部材770を示す図、(B)は第3の支持部材770によって支持される2重のヒータと容器の関係を示す図である。
第3の支持部材770の組付け手順については、変形例5の場合と同様である。
・第1のヒータ1と第2のヒータ2が、独立構成の場合(図3(A),図3(B)の場合)
螺旋状の第1のヒータ1のヒータ線5を、端から第3の支持部材770の第3の係合孔772aに係合し、第2のヒータ2のヒータ線5を、端から第3の支持部材772の第4の係合孔772bに係合することができる。
・第1のヒータ1と第2のヒータ2が繋がっている場合(図3(C)の場合)
図3(C)の第1のヒータ1と第2のヒータ2がつながっていて、同じ制御で加熱されているものの場合は、ヒータ線5を螺旋状に加工すると同時に、第3の支持部材770の第3の係合孔772a及び第4の係合孔772bを組み付ける手順となる。
図9(E),(F)は、ヒータの支持構造の変形例8を示している。(E)は第3の支持部材870を示す図、(F)は第3の支持部材870によって支持される2重のヒータと容器の関係を示す図である。
この第3の支持部材870の組付け手順についても、変形例5の場合と同様である。
・第1のヒータ1と第2のヒータ2が、独立構成の場合(図3(A),図3(B)の場合)
螺旋状の第1のヒータ1のヒータ線5を、端から第3の支持部材870の第3の係合孔872aに係合し、第2のヒータ2のヒータ線5を、端から第3の支持部材870の第4の係合溝872bに係合することができる。
・第1のヒータ1と第2のヒータ2が繋がっている場合(図3(C)の場合)
図3(C)の第1のヒータ1と第2のヒータ2がつながっていて、同じ制御で加熱され
ているものの場合は、ヒータ線5を螺旋状に加工すると同時に、第3の支持部材870の第3の係合孔872a及び第4の係合溝872bに組み付ける手順となる。
図10(A)〜(C)は、ヒータの支持構造の変形例9を示している。(A)は支持部材組の分解図、(B)は支持部材組を示す図、(C)は支持部材組によって支持される3重のヒータと容器の関係を示す図である。
上記各変形例では、第1のヒータと第2のヒータで容器を二重に取り囲む構成となっているが、3つ以上の複数の欄施状のヒータを多重配置とする場合にも適用可能である。この変形例9は、容器4を、第1のヒータ1と第2のヒータ2に加えて、第2のヒータ2の容器4と反対側に配置された第3のヒータ3を備え、容器を3つのヒータで取り囲む構成となっている。
この場合、複数のヒータの、互いに隣り合う第1のヒータ1と第2のヒータ2の間、および第2のヒータ2と第3のヒータ3の間に、それぞれ第1の支持部材910A、910Bが配置されている。一方の第1の支持部材910Aは、その容器側の側辺に、第1のヒータ1のヒータ線を支持する係合溝12が設けられている。また、他方の第1の支持部材910Bの容器側の側辺に、第2のヒータ2のヒータ線を支持する係合溝12が設けられている。
そして、複数のヒータのうち、容器4に面した第1のヒータ1と容器4と最も離れた側に位置する第3のヒータ3のうち、互いに隣り合うヒータの間に配置される、前記第1の支持部材910A,910Bによって支持されていない側のヒータ、この例では第3のヒータ3のヒータ線を支持する係合溝22を有する第2の支持部材920を、さらに備えている。この例では、第2の支持部材920は、第3のヒータ3の容器と反対側に配置されている。
なお、この3重配置の場合も、第1の支持部材910Aについて、二重配置の場合の変形例1のように、補助支持部材を設けることができる。また、変形例2のように、第1の支持部材910Aによる支持を容器と反対側の第2のヒータ、第1の支持部材910Bによる支持を容器と反対側の第3のヒータとし、第2の支持部材920を第1のヒータの容器側に配置して第1のヒータを支持するように構成することができる。また、第1のヒータと第2のヒータ間、あるいは第2のヒータと第3のヒータの間に、変形例3、変形例4あるいは変形例5のような構成例を適用することができる。さらに、変形例6〜変形例8のように、第1のヒータと第2のヒータの間、あるいは第2のヒータと第3のヒータの間に、第3の支持部材を適用することも可能である。
次に、図11を参照して、上記蒸発源装置を備える成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。電子デバイスの例として、有機電子デバイスである有機EL表示装置の構成及び製造方法を例示している。図11(A)は有機EL表示装置60の全体図、図11(B)は1画素の断面構造を表している。
まず、有機EL表示装置を駆動するための回路(不図示)および第1電極64が形成された基板63を準備する。
5 ヒータ線
10、210、310、510、910A、910B 第1の支持部材
20、220、320、520、920 第2の支持部材
12 係合溝(第1のヒータ線支持部)、22 係合溝(第2のヒータ線支持部)
670、770、870 第3の支持部材
672a、772a、872a 第3の係合溝、第3の係合孔(第3のヒータ線支持部)
672b、772b、872b 第4の係合溝、第4の係合孔、(第4のヒータ線支持部)
410 第4の支持部材、420 第5の支持部材
411 第5の係合溝(第5のヒータ線支持部)
422 第6の係合溝(第6のヒータ線支持部)
40、240、340、440、540,940 支持部材組
50 位置決め部材
4 容器、6 蒸着材料
蒸着材料が収容される容器と、
前記容器の周囲に配されヒータ線が螺旋状に設けられた第1のヒータと、
前記第1のヒータの外側に配されヒータ線が螺旋状に設けられた第2のヒータと、
を備える蒸発源装置において、
前記第1のヒータと前記第2のヒータとの間に配置され、前記第1のヒータと第2のヒータのいずれか一方のヒータ線を支持する第1の支持部材を備えることを特徴とする。
また、他の発明の蒸発源装置は、
蒸着材料が収容される容器と、
前記容器の周囲に配されヒータ線が螺旋状に設けられた第1のヒータと、
前記第1のヒータの外側に配されヒータ線が螺旋状に設けられた第2のヒータと、
を備える蒸発源装置において、
前記第1のヒータと、前記第2のヒータとの間に配置され、前記第1のヒータのヒータ線および前記第2のヒータのヒータ線を支持する第3の支持部材を備えることを特徴とする。
さらに、他の発明の蒸発源装置は、
蒸着材料が収容される容器と、
前記容器の周囲に配されヒータ線が螺旋状に設けられた第1のヒータと、
前記第1のヒータの外側に配されヒータ線が螺旋状に設けられた第2のヒータと、を備える蒸発源装置において
前記容器と前記第1のヒータとの間に配され前記第1のヒータのヒータ線を支持する第4の支持部材と、
前記第2のヒータの外側に配され前記第2のヒータのヒータ線を支持する第5の支持部材と、を備え、
前記第5の支持部材が、前記第4の支持部材に支持部材組として固定されていることを特徴とする。
蒸着材料が収容される容器と、
前記容器の周囲に配されヒータ線が螺旋状に設けられた第1のヒータと、
前記第1のヒータの外側に配されヒータ線が螺旋状に設けられた第2のヒータと、
を備える蒸発源装置において、
前記第1のヒータと前記第2のヒータとの間に配置され、前記第1のヒータと第2のヒータのいずれか一方のヒータ線を支持する第1の支持部材を備える蒸発源装置と、
前記蒸発源装置が配置され、前記蒸着材料の蒸着が行われる真空チャンバと、を備えることを特徴とする。
また、本発明の他の成膜装置は、
蒸着材料が収容される容器と、
前記容器の周囲に配されヒータ線が螺旋状に設けられた第1のヒータと、
前記第1のヒータの外側に配されヒータ線が螺旋状に設けられた第2のヒータと、
を備える蒸発源装置において、
前記第1のヒータと、前記第2のヒータとの間に配置され、前記第1のヒータのヒータ線および前記第2のヒータのヒータ線を支持する第3の支持部材を備える蒸発源装置と、
前記蒸発源装置が配置され、前記蒸着材料の蒸着が行われる真空チャンバと、を備えることを特徴とする。
さらに、本発明の他の成膜装置は、
蒸着材料が収容される容器と、
前記容器の周囲に配されヒータ線が螺旋状に設けられた第1のヒータと、
前記第1のヒータの外側に配されヒータ線が螺旋状に設けられた第2のヒータと、を備える蒸発源装置において
前記容器と前記第1のヒータとの間に配され前記第1のヒータのヒータ線を支持する第4の支持部材と、
前記第2のヒータの外側に配され前記第2のヒータのヒータ線を支持する第5の支持部材と、を備え、
前記第5の支持部材が、前記第4の支持部材に支持部材組として固定されている蒸発源装置と、
前記蒸発源装置が配置され、前記蒸着材料の蒸着が行われる真空チャンバと、を備えることを特徴とする。
Claims (21)
- 蒸着材料が収容される容器と、
前記容器の周囲に多重に設けられた複数のヒータと、を備えた蒸発源装置において、
前記複数のヒータは、ヒータ線が螺旋状に構成されており、
前記複数のヒータのうち、互いに隣り合う第1のヒータと、第2のヒータと、の間に配置される第1の支持部材を備え、
前記第1の支持部材は、前記第1のヒータと、前記第2のヒータと、のうち、一方のヒータのヒータ線を支持する第1のヒータ線支持部を有することを特徴とする蒸発源装置。 - 前記第1のヒータと、前記第2のヒータと、のうち他方のヒータのヒータ線を支持する第2のヒータ線支持部を有する第2の支持部材を、さらに備えている請求項1に記載の蒸発源装置。
- 前記第1の支持部材と前記第2の支持部材は、一つの支持部材組として互いに固定されている請求項2に記載の蒸発源装置。
- 前記支持部材組が、前記容器の周方向に複数組配置され、
前記複数組の支持部材組が、位置決め部材によって位置決め固定されている請求項3に記載の蒸発源装置。 - 蒸着材料が収容される容器と、
前記容器の周囲に多重に設けられた複数のヒータと、を備えている蒸発源装置において、
前記複数のヒータは、ヒータ線が螺旋状に構成されており、
前記複数のヒータのうち、互いに隣り合う第1のヒータと、第2のヒータと、の間に配置される第3の支持部材を備え、
前記第3の支持部材は、前記第1のヒータのヒータ線を支持する第3のヒータ線支持部と、前記第2のヒータのヒータ線を支持する第4のヒータ線支持部とを有することを特徴とする蒸発源装置。 - 前記第3の支持部材は、前記容器の周方向に複数配置され、
前記複数の第3の支持部材が、位置決め部材によって位置決め固定されている請求項5に記載の蒸発源装置。 - 蒸着材料が収容される容器と、
前記容器の周囲に多重に設けられた複数のヒータと、を備えた蒸発源装置において、
前記複数のヒータは、ヒータ線が螺旋状に構成されており、
前記複数のヒータのうち、互いに隣り合う第1のヒータを支持する第4の支持部材と、第2のヒータを支持する第5の支持部材と、を有し、
前記第4の支持部材は第1のヒータに対して第2のヒータと反対側に配置され、前記第5の支持部材は第2のヒータに対して第1のヒータと反対側に配置され、
前記第4の支持部材は、前記第1のヒータのヒータ線を支持する第5のヒータ線支持部を有し、前記第5の支持部材は、前記第2のヒータのヒータ線を支持する第6のヒータ線支持部を有し、
前記第4の支持部材と前記第5の支持部材が、一つの支持部材組として互いに固定されていることを特徴とする蒸発源装置。 - 前記支持部材組が、前記容器の周方向に複数組配置され、
前記複数組の支持部材組が、位置決め部材によって位置決め固定されている請求項7に
記載の蒸発源装置。 - 前記第1の支持部材は絶縁部材である請求項1から4のいずれか1項に記載の蒸発源装置。
- 前記第2の支持部材は絶縁部材である請求項2から4のいずれか1項に記載の蒸発源装置。
- 前記第3の支持部材は絶縁部材である請求項5または6に記載の蒸発源装置。
- 前記4の支持部材と前記第5の支持部材は絶縁部材である請求項7または8に記載の蒸発源装置。
- 前記第1のヒータ線支持部は、前記ヒータ線が係合する係合溝、または前記ヒータ線が差し通される係合孔である請求項1、2、3、4または9に記載の蒸発源装置。
- 前記第2のヒータ線支持部は、前記ヒータ線が係合する係合溝、または前記ヒータ線が差し通される係合孔である請求項2、3、4または10に記載の蒸発源装置。
- 前記第3のヒータ線支持部と前記第4のヒータ線支持部は、それぞれ、前記ヒータ線が係合する係合溝、または前記ヒータ線が差し通される係合孔である請求項5、6または11に記載の蒸発源装置。
- 前記第5のヒータ線支持部と前記第6のヒータ線支持部は、それぞれ、前記ヒータ線が係合する係合溝である請求項7、8または12に記載の蒸発源装置。
- 前記第1のヒータと前記第2のヒータが、それぞれ異なる2本のヒータ線で構成され、それぞれ別々に制御される構成となっている請求項1から16のいずれか1項に記載の蒸発源装置。
- 前記第1のヒータと前記第2のヒータが一本のヒータ線で構成され、同一に制御される構成となっている請求項1から16のいずれか1項に記載の蒸発源装置。
- 請求項1から18のいずれか1項に記載の蒸発源装置と、
該蒸発源装置が配置され、被蒸着体に前記蒸着材料の蒸着が行われる真空チャンバと、を備えることを特徴とする成膜装置。 - 蒸着材料を収容した容器を、該容器の周囲に設けられる複数の螺旋状のヒータによって加熱して、被蒸着体に前記蒸着材料の蒸着を行う成膜方法であって、
前記複数のヒータを前記容器の周囲に多重に配置し、互いに隣り合うヒータの間に配置される支持部材によってヒータ間の間隔を維持した状態で、前記複数のヒータによって容器を加熱することを特徴とする成膜方法。 - 請求項20に記載の成膜方法によって、電子デバイスの被蒸着体に蒸着材料を蒸着させて成膜することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019176783A JP6987822B2 (ja) | 2019-09-27 | 2019-09-27 | 蒸発源装置、成膜装置、成膜方法および電子デバイスの製造方法 |
KR1020200045920A KR20210037507A (ko) | 2019-09-27 | 2020-04-16 | 증발원 장치, 성막 장치, 성막 방법 및 전자 디바이스의 제조방법 |
CN202011023409.7A CN112575295B (zh) | 2019-09-27 | 2020-09-25 | 蒸发源装置、成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019176783A JP6987822B2 (ja) | 2019-09-27 | 2019-09-27 | 蒸発源装置、成膜装置、成膜方法および電子デバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021055123A true JP2021055123A (ja) | 2021-04-08 |
JP6987822B2 JP6987822B2 (ja) | 2022-01-05 |
Family
ID=75119620
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019176783A Active JP6987822B2 (ja) | 2019-09-27 | 2019-09-27 | 蒸発源装置、成膜装置、成膜方法および電子デバイスの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6987822B2 (ja) |
KR (1) | KR20210037507A (ja) |
CN (1) | CN112575295B (ja) |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5164657A (ja) * | 1974-12-03 | 1976-06-04 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | Herikaruchuubugatanetsukokankino dennetsukanshijitai |
JPS5399554A (en) * | 1977-02-14 | 1978-08-31 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | Heat conducting pipe supporting system for helical coil type heat exchanger |
JPS5447350U (ja) * | 1977-09-08 | 1979-04-02 | ||
JPS602190U (ja) * | 1983-06-17 | 1985-01-09 | 三菱重工業株式会社 | 熱交換器 |
JPS62169321A (ja) * | 1986-01-21 | 1987-07-25 | Hitachi Ltd | 真空蒸着用蒸発源 |
JPH01226795A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-11 | Fujitsu Ltd | 分子線源セル |
JPH07253276A (ja) * | 1994-03-16 | 1995-10-03 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理炉及びその製造方法 |
JP2007224393A (ja) * | 2006-02-25 | 2007-09-06 | Seiko Instruments Inc | 蒸着源セル、薄膜の製造方法、絞り部材、及び蒸着源加熱ヒータ |
JP2012009442A (ja) * | 2010-06-25 | 2012-01-12 | Sandvik Thermal Process Inc | 加熱エレメント・コイルの支持構造 |
JP2013035710A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Fujitsu Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
KR20180098428A (ko) * | 2017-02-24 | 2018-09-04 | 주식회사 야스 | 고온 증발원용 히터 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57201522A (en) * | 1981-06-01 | 1982-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | Cell for vacuum deposition |
JP3623587B2 (ja) * | 1996-02-20 | 2005-02-23 | 出光興産株式会社 | 真空蒸着装置およびその真空蒸着装置を用いた真空蒸着方法 |
KR20130035710A (ko) | 2011-09-30 | 2013-04-09 | 삼성전기주식회사 | 릴레이 펀칭 금형 및 릴레이 펀칭 금형을 이용한 펀칭 방법 |
KR20140085092A (ko) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | 주식회사 선익시스템 | 증발원 가열 장치 |
KR101390413B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2014-04-30 | 주식회사 선익시스템 | 증발원 가열 장치 |
CN206916211U (zh) * | 2017-06-08 | 2018-01-23 | 费勉仪器科技(上海)有限公司 | 一种超高温蒸发源 |
CN107190237A (zh) * | 2017-06-26 | 2017-09-22 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 蒸发源加热系统 |
CN107686968A (zh) * | 2017-08-14 | 2018-02-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 蒸镀坩埚及蒸镀系统 |
JP6595568B2 (ja) * | 2017-12-12 | 2019-10-23 | キヤノントッキ株式会社 | 蒸発源装置及び蒸着装置 |
CN108728801B (zh) * | 2018-05-28 | 2019-11-12 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 蒸镀装置及蒸镀方法 |
-
2019
- 2019-09-27 JP JP2019176783A patent/JP6987822B2/ja active Active
-
2020
- 2020-04-16 KR KR1020200045920A patent/KR20210037507A/ko unknown
- 2020-09-25 CN CN202011023409.7A patent/CN112575295B/zh active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5164657A (ja) * | 1974-12-03 | 1976-06-04 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | Herikaruchuubugatanetsukokankino dennetsukanshijitai |
JPS5399554A (en) * | 1977-02-14 | 1978-08-31 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | Heat conducting pipe supporting system for helical coil type heat exchanger |
JPS5447350U (ja) * | 1977-09-08 | 1979-04-02 | ||
JPS602190U (ja) * | 1983-06-17 | 1985-01-09 | 三菱重工業株式会社 | 熱交換器 |
JPS62169321A (ja) * | 1986-01-21 | 1987-07-25 | Hitachi Ltd | 真空蒸着用蒸発源 |
JPH01226795A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-11 | Fujitsu Ltd | 分子線源セル |
JPH07253276A (ja) * | 1994-03-16 | 1995-10-03 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理炉及びその製造方法 |
JP2007224393A (ja) * | 2006-02-25 | 2007-09-06 | Seiko Instruments Inc | 蒸着源セル、薄膜の製造方法、絞り部材、及び蒸着源加熱ヒータ |
JP2012009442A (ja) * | 2010-06-25 | 2012-01-12 | Sandvik Thermal Process Inc | 加熱エレメント・コイルの支持構造 |
JP2013035710A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Fujitsu Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
KR20180098428A (ko) * | 2017-02-24 | 2018-09-04 | 주식회사 야스 | 고온 증발원용 히터 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6987822B2 (ja) | 2022-01-05 |
CN112575295B (zh) | 2023-04-07 |
CN112575295A (zh) | 2021-03-30 |
KR20210037507A (ko) | 2021-04-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109722635B (zh) | 蒸发源装置、成膜装置、成膜方法以及电子设备的制造方法 | |
JP4444579B2 (ja) | 熱物理蒸着装置 | |
KR101965102B1 (ko) | 성막장치, 성막방법 및 전자 디바이스 제조방법 | |
KR102638573B1 (ko) | 증발원 장치 및 증착 장치 | |
KR20190015993A (ko) | 증발원 장치 및 그 제어 방법 | |
CN110541146B (zh) | 蒸发源装置、蒸镀装置及蒸镀系统 | |
JP4495951B2 (ja) | 有機材料薄膜の形成方法及びその装置 | |
JP6987822B2 (ja) | 蒸発源装置、成膜装置、成膜方法および電子デバイスの製造方法 | |
JP7241604B2 (ja) | 加熱装置、蒸発源装置、成膜装置、成膜方法および電子デバイスの製造方法 | |
JP7088891B2 (ja) | 蒸発源装置及び蒸着装置 | |
JP7162639B2 (ja) | 蒸発源装置、蒸着装置、及び蒸発源装置の制御方法 | |
JP7241603B2 (ja) | 加熱装置、蒸発源装置、成膜装置、成膜方法および電子デバイスの製造方法 | |
JP7202971B2 (ja) | 蒸発源装置、成膜装置、成膜方法および電子デバイスの製造方法 | |
KR102150453B1 (ko) | 증착 장치용 증발원 | |
JP4945920B2 (ja) | 蒸着方法 | |
KR20190123599A (ko) | 증착 장치용 증발원 | |
KR101864216B1 (ko) | 리볼버 셀 분리용 지그 장치 | |
KR20210120321A (ko) | 박스형 선형 증발원 | |
KR20020028622A (ko) | 유기 el소자의 박막 증착방법 및 그 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200928 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200928 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210721 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210803 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210924 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211116 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211201 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6987822 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |