JP2021052142A - 半導体モジュールおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】放熱板の接合を容易とすること。【解決手段】本発明は、半導体素子１０の上面に放熱板１６を接合する工程と、前記放熱板１６を接合した後、前記半導体素子１０の下面を、樹脂絶縁層２２上に接合する工程と、を含む半導体モジュールの製造方法である。【選択図】図５

Description

本発明は半導体モジュールおよびその製造方法に関し、例えば放熱板を有する半導体モジュールおよびその製造方法に関する。

動作中に発熱する半導体素子の裏面に放熱板を接合させることにより、半導体素子において発生した熱を外部に放熱することが知られている（例えば特許文献１、２）。

特開２０１８−１８２２２５号公報 特開２００９−２８３８７０号公報

半導体素子を絶縁層に搭載した後に半導体素子に放熱板を接合する場合、樹脂からなる絶縁層は可撓性を有するため、絶縁層が湾曲することがある。絶縁層が湾曲した状態で放熱板を接合しようとすると、放熱板と半導体素子との間に空隙が生じる。また、放熱板と半導体素子との位置合わせの制度が低下することがある。このように、半導体素子への放熱板の接合が難しくなることがある。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、放熱板の接合を容易とすることを目的とする。

本発明は、半導体素子の上面に放熱板を接合する工程と、前記放熱板を接合した後、前記半導体素子の下面を、樹脂絶縁層上に接合する工程と、を含む半導体モジュールの製造方法である。

上記構成において、前記樹脂絶縁層を貫通する貫通孔を介し前記半導体素子に電気的に接続する金属層を前記樹脂絶縁層の下面に形成する工程を含む構成とすることができる。

上記構成において、前記半導体素子の下面を前記樹脂絶縁層上に接合する工程の前に、前記半導体素子と前記放熱板とを封止する第１封止樹脂を形成する工程を含む構成とすることができる。

上記構成において、前記半導体素子の下面を前記樹脂絶縁層上に接合する工程の後に、前記樹脂絶縁層上に前記半導体素子および前記放熱板を封止する第２封止樹脂を形成する工程を含む構成とすることができる。

上記構成において、前記放熱板を接合する工程は、少なくとも１つの半導体素子の上面に１つの放熱板が各々接合されるように、複数の半導体素子の上面に複数の放熱板を接合する工程を含み、前記第１封止樹脂を形成する工程は、前記複数の半導体素子および前記複数の放熱板が封止されるように第３封止樹脂を形成する工程と、１つの第１封止樹脂に前記少なくとも１つの半導体素子および前記１つの放熱板が封止されるように、前記第３封止樹脂を切断する工程と、を含む構成とすることができる。

上記構成において、複数の半導体素子の上面に複数の放熱板を接合する工程において、前記複数の放熱板は互いに接続部により接続され、前記第３封止樹脂を切断する工程において、前記第３封止樹脂と前記接続部とを同時に切断する構成とすることができる。

上記構成において、前記金属層は前記樹脂絶縁層より厚い構成とすることができる。

本発明は、樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層の上面に接合された半導体素子と、前記半導体素子上に接合された放熱板と、前記半導体素子と前記放熱板とを囲み封止する第１封止樹脂と、前記第１封止樹脂を囲み封止する第２封止樹脂と、を備え、前記第1封止樹脂は前記第２封止樹脂から露出し、前記放熱板は前記第１封止樹脂から露出する半導体モジュールである。

上記構成において、前記樹脂絶縁層の上面に接合された電子部品を備え、前記第１封止樹脂は前記電子部品を封止せず、前記第２封止樹脂は前記電子部品を封止する構成とすることができる。

上記構成において、前記放熱板の側面に接続し前記第１封止樹脂を横方向に貫通し前記第２封止樹脂内には連通せず前記放熱板の材料と略同じ材料からなる突起部を備える構成とすることができる。

上記構成において、前記第１封止樹脂の線膨張係数は前記半導体素子の線膨張係数より大きく、前記第２封止樹脂の線膨張係数は第１封止樹脂の線膨張係数より大きい構成とすることができる。

本発明は、ポリイミドからなる可撓性を有する絶縁層と、前記絶縁層にフェイスダウンで接合された２つの半導体素子と、前記２つの半導体素子の上面に接合された単一の放熱板と、前記単一の放熱板および前記２つの半導体素子を封止し、上面が前記単一の放熱板の上面を囲みかつ同一面を形成する第１封止樹脂と、前記第１封止樹脂を封止し、上面が前記第１封止樹脂の上面を囲みかつ同一面を形成する第２封止樹脂と、前記絶縁層に設けられた貫通孔を介し前記半導体素子に接続する金属層と、を備え、前記第１封止樹脂の線膨張係数は前記半導体素子の線膨張係数より大きく、前記第２封止樹脂の線膨張係数は前記第１封止樹脂の線膨張係数より大きい半導体モジュールである。

本発明によれば、放熱板の接合を容易とするができる。

図１（ａ）から図１（ｄ）は、実施例１に係る半導体モジュールの製造方法を示す断面図（その１）である。 図２（ａ）および図２（ｂ）は、実施例１に係る半導体モジュールの製造方法を示す平面図（その１）である。 図３（ａ）および図３（ｂ）は、実施例１に係る半導体モジュールの製造方法を示す平面図（その２）である。 図４（ａ）から図４（ｃ）は、実施例１に係る半導体モジュールの製造方法を示す断面図（その２）である。 図５（ａ）および図５（ｂ）は、実施例１に係る半導体モジュールの製造方法を示す断面図（その３）、図５（ｃ）は、実施例１に係る半導体モジュールの製造方法を示す平面図（その３）である。 図６（ａ）は、実施例１の変形例１の半導体モジュールの製造方法を示す平面図、図６（ｂ）は、実施例１の変形例１に係る部品モジュールの側面図、図６（ｃ）は、実施例１の変形例１に係る半導体モジュールの平面図である。 図７（ａ）および図７（ｂ）は、実施例１の変形例２に係る半導体モジュールの製造方法を示す断面図である。 図８（ａ）および図８（ｂ）はそれぞれ、実施例１の変形例３および４に係る半導体モジュールの製造方法を示す平面図である。 図９（ａ）から図９（ｃ）は、部品モジュールの製造方法のを示す断面図である。 図１０は、比較例１に係る半導体モジュールの製造方法を示す断面図である。

以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。

図１（ａ）から図１（ｄ）、図４（ａ）から図４（ｃ）、図５（ａ）および図５（ｂ）は、実施例１に係る半導体モジュールの製造方法を示す断面図である。図２（ａ）から図３（ｂ）および図５（ｃ）は、実施例１に係る半導体モジュールの製造方法を示す平面図である。

図１（ａ）および図２（ａ）に示すように、粘着性シート４０の粘着面に複数の半導体素子１０を接着させる。実施例１では、半導体素子１０は、ベアチップ（トランジスタチップ）であり、フェイスダウンにより実装される。なお、半導体素子１０は、例えばＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、バイポーラトランジスタまたはＦＥＴ（Field Effect Transistor）等のトランジスタまたはダイオードである。トランジスタまたはダイオードには、Ｓｉ、ＧａＮまたはＳｉＣ等を材料とする半導体材料が用いられる。半導体素子１０は、半導体ベアチップでもよいし、ベアチップが封止されて実装されたパッケージでもよい。パッケージは、例えばＷＬＰ（Wafer Level Package）またはＳＩＰ（Single Inline Package）等のパッケージである。半導体素子１０の下面に電極１２が設けられている。電極１２は、例えば、金、アルミニウムまたは銅等を主材料とする金属層である。電極１２は粘着性シート４０により保護される。粘着性シート４０は半導体素子１０が最低限保持できる程度の粘着力を有し、紫外線を照射することで粘着性を低下できるシートであることが好ましい。半導体素子１０の厚さは例えば５０μｍから５００μｍである。

図１（ｂ）および図２（ｂ）に示すように、半導体素子１０の上面（裏面）に接合層１４を形成する。接合層１４は、例えば銀ペーストまたは銅ペースト等の導電性ペースト、半田等のロウ材、またはダイアタッチフィルム等の絶縁性の接着剤であり、熱伝導性の高い材料である。接合層１４の厚さは例えば５μｍから１００μｍである。接合層１４上に放熱板１６を搭載し、加熱することで、半導体素子１０の上面に放熱板１６を接合する。２つの半導体素子１０に対し１つの放熱板１６を接合させる。放熱板１６は例えば銅板等の熱伝導率の高い金属板またはサファイア板等の熱伝導率の高い絶縁板である放熱板１６は、ＤＢＡ（Direct Bonded Aluminum）またはＤＢＣ（Direct Bonded Cupper）のように、絶縁基板に金属層が接合された熱伝導率の高い基板でもよい。放熱板１６の厚さは例えば３００μｍから１５００μｍである。これにより、半導体素子１０と放熱板１６を有する部品モジュール２０ａが形成される。

図１（ｃ）および図３（ａ）に示すように、複数の部品モジュール２０ａを封止部１８により封止する。部品モジュール２０ａのうち半導体素子１０と放熱板１６で囲まれた空間５２には、樹脂が導入しにくい。よって、図３（ａ）の矢印５０のように、空間５２が開放された開口方向から樹脂を流動させることが好ましい。これにより、空間５２内にボイド等が形成されることを抑制できる。封止部１８は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂であり、フィラー等が含まれていてもよい。封止部１８は、例えばトランスファモールド法、インジェクション法またはコンプレッション法を用い形成する。

図１（ｄ）および図３（ｂ）に示すように、粘着性シート４０を剥離する。例えば、粘着性シート４０に紫外線を照射することで粘着性シート４０の粘着力を低下させ、半導体素子１０および封止部１８から粘着性シート４０を剥離する。電極１２は封止部１８から露出している。ダイシング法等を用い封止部１８を切断する。これにより、封止部１８に樹脂封止された部品モジュール２０が形成される。

図４（ａ）に示すように、絶縁層２２上に接着剤２４を塗布する。絶縁層２２は例えばポリイミドからなるポリイミド層等の樹脂からなり、可撓性を有する。絶縁層２２の厚さは例えば１０μｍから１００μｍである。接着剤２４は例えばエポキシ樹脂等からなる絶縁性樹脂接着剤である。接着剤２４の厚さは例えば５μｍから５０μｍである。接着剤２４上に部品モジュール２０および電子部品２１を配置する。半導体素子１０の電極１２が接着剤２４に接する。電子部品２１は、例えばチップ抵抗、チップコンデンサおよびチップインダクタ等のディスクリート部品、集積回路等の半導体素子である。電極２１ａは、例えばディスクリート部品の外部電極である。熱処理することにより接着剤２４を硬化させ、部品モジュール２０および電子部品２１を絶縁層２２に接着する。熱処理は例えば１００℃から３００℃の温度で実施する。接着剤２４は部品モジュール２０および電子部品２１が搭載される領域のみに設けられていてもよい。

図４（ｂ）に示すように、絶縁層２２および接着剤２４を貫通する貫通孔２６を形成する。貫通孔２６は、例えばレーザ光を照射することにより形成する。貫通孔２６により、電極１２および２１ａの下面が露出する。貫通孔２６の大きさは、例えば３０μｍから５００μｍである。

図４（ｃ）に示すように、絶縁層２２の下面、貫通孔２６の内面に金属層２８を形成する。絶縁層２２の下面、貫通孔２６の内面にシード層を形成する。シード層は、例えばスパッタリング法または無電解めっき法を用い形成する。シード層の下面に電解めっき法を用いめっき層を形成する。めっき層は例えば銅を主材料とした金属層である。シード層およびめっき層により金属層２８が形成される。金属層２８の厚さは例えば１０μｍから１２５μｍであり、絶縁層２２より厚く示されているが、金属層２８は絶縁層２２より薄くてもよい。金属層２８は、貫通孔２６が埋め込まれる程度の厚さがあればよい。

図５（ａ）に示すように、絶縁層２２上に部品モジュール２０および電子部品２１を封止するように封止部３０を形成する。封止部３０は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂であり、フィラー等が含まれていてもよい。封止部３０、例えばトランスファモールド法、インジェクション法またはコンプレッション法を用い形成する。

図５（ｂ）および図５（ｃ）に示すように、封止部３０および１８の上面を研磨する。これにより、封止部３０の上面から封止部１８および放熱板１６が露出する。図５（ｃ）のように、上方から見ると、放熱板１６は封止部１８に囲まれ、封止部１８は封止部３０に囲まれている。これにより、半導体モジュールが製造される。

［実施例１の変形例１］
図６（ａ）は、実施例１の変形例１の半導体モジュールの製造方法を示す平面図である。図６（ａ）に示すように、半導体素子１０上に複数の放熱板１６を接合するときに、複数の放熱板１６は接続部１６ａにより互いに接続されている。接続部１６ａの材料は放熱板１６の材料と略同じである。放熱板１６が複数の層を有するとき、接続部１６ａは複数の層の少なくとも１つの層から形成されていればよい。接続部１６ａは、封止部１８を切断するときに切断される。その他の工程は実施例１と同じであり説明を省略する。なお、実施例１では、放熱板１６と接続部１６ａは、一体で同一材料からなり、銅を主材料とする金属からなる。

図６（ｂ）は、実施例１の変形例１に係る部品モジュールの側面図である。図６（ｂ）に示すように、部品モジュール２０では、接続部１６ａの切断面が封止部１８の側面から露出する。接続部１６ａの側面と封止部１８の側面はほぼ同一平面である。接続部１６ａの厚さは放熱板１６の厚さと同じまたは放熱板１６の厚さより薄い。

図６（ｃ）は、実施例１の変形例１に係る半導体モジュールの平面図である。図６（ｃ）に示すように、実施例１の変形例１に係る半導体モジュールを上から見ると、接続部１６ａは、放熱板１６の側面に接続し、封止部１８の側面まで延在する。接続部１６ａを設けることで、図６（ａ）において、複数の放熱板１６を同時に複数の半導体素子１０上に接合することができる。その他の工程は実施例１と同じであり説明を省略する。

［実施例１の変形例２］
図７（ａ）および図７（ｂ）は、実施例１の変形例２に係る半導体モジュールの製造方法を示す断面図である。図７（ａ）に示すように、実施例１の図１（ｂ）の状態の封止部１８を形成していない部品モジュール２０ａを絶縁層２２上に接合する。図７（ｂ）のように、その後封止部３０を形成し、封止部３０の上面を研磨する。実施例１の変形例２のように、封止部１８が形成されていない部品モジュール２０ａを絶縁層２２上に接合してもよい。その他の工程は実施例１と同じであり説明を省略する。

［実施例１の変形例３］
図８（ａ）は実施例１の変形例３に係る半導体モジュールの製造方法を示す平面図である。図８（ａ）に示すように、絶縁層２２上に複数の部品モジュール２０ａが接合されている。部品モジュール２０ａの半導体素子１０と放熱板１６との間の空間５２ａおよび５２ｂの開口方向は異なっている。空間５２ａの開口方向は矢印５０の方向である。空間５２ｂの開口方向は矢印５０の方向と異なり例えば直交する。封止部３０を形成するために矢印５０の方向から樹脂を導入すると、空間５２ａには樹脂が導入されやすいが、空間５２ｂには樹脂が導入されずボイドが形成されることがある。

［実施例１の変形例４］
図８（ｂ）は実施例１の変形例４に係る半導体モジュールの製造方法を示す平面図である。図８（ｂ）に示すように、絶縁層２２上に複数の部品モジュール２０が接合されている。部品モジュール２０の半導体素子１０と放熱板１６との間の空間５２の開口方向は異なっている。しかし、図３（ａ）のように、予め空間５２の開口方向を揃えて樹脂を導入し封止部１８を形成している。部品モジュール２０では、空間５２に封止部１８が充填された状態である。よって、すでに空間５２には、樹脂が充填されているので、ボイドが形成されることを抑制できる。

図９（ａ）から図９（ｃ）は、部品モジュールの形成方法の例を示す断面図である。実施例１の図１（ａ）に相当する断面図である。図９（ａ）に示すように、１つの半導体素子１０上に１つの放熱板１６を接合してもよい。実施例１およびその変形例において、１つの放熱板１６を接合する半導体素子１０の個数は１個でもよいし複数でもよい。

図９（ｂ）に示すように、半導体素子１０に比べ放熱板１６が小さくてもよい。放熱板１６の大きさは適宜設定できる。

図９（ｃ）に示すように、粘着性シート４０に放熱板１６を接着させ、放熱板１６上に半導体素子１０を接合してもよい。図１（ｃ）のように封止部１８を形成すると、電極１２の上面が封止部１８で覆われてしまう。よって、実施例１の変形例２のように、封止部１８を形成しない部品モジュール２０ａの状態で絶縁層２２上に接合することが好ましい。

［比較例１］
図１０は、比較例１に係る半導体モジュールの製造方法を示す断面図である。図１０に示すように、絶縁層２２上に半導体素子１０および電子部品２１を搭載する。ポリイミド層のような樹脂からなる絶縁層２２は可撓性を有する。このため、絶縁層２２に半導体素子１０および電子部品２１を接着するときの熱処理工程および／または金属層２８の形成工程等により絶縁層２２が湾曲する（例えばうねるまたは反る）。このため、半導体素子１０上に放熱板１６を接合しようとすると、破線５４のように、放熱板１６と半導体素子１０の間には、その隙間の長さが異なり、接着剤の量が少なかったりすると、空隙ができ、放熱板１６と半導体素子１０との接合性が低下する。また、半導体素子１０と放熱板１６との位置合わせ精度が低下する。このように、半導体素子１０に放熱板１６を精度高く接合することが難しくなる。

実施例１およびその変形例によれば、図１（ｂ）および図２（ｂ）のように、半導体素子１０の上面に放熱板１６を接合する。その後、図４（ａ）のように、半導体素子１０の下面を絶縁層２２（樹脂絶縁層）上に接合する。このとき、接着剤２４は硬化のための熱処理を経ていない。このため、絶縁層２２は比較的平坦である。よって、比較例１のような放熱板１６と半導体素子１０の間に空隙ができ放熱板１６と半導体素子１０との接合性が低下すること、半導体素子１０と放熱板１６との位置合わせ精度が低下すること、を抑制できる。これにより、半導体素子１０上に放熱板１６を容易に接合させることができる。

図４（ｂ）のように、絶縁層２２を貫通する貫通孔２６を介し半導体素子１０に電気的に接続する金属層２８を絶縁層２２の下面に形成する工程において、絶縁層２２が湾曲しやすい。よって、半導体素子１０に放熱板１６を位置精度高く配置し接合した後に金属層２８を形成することが好ましい。

金属層２８は絶縁層２２より薄くてもよいが、金属層２８が絶縁層２２より厚いと、絶縁層２２が湾曲しやすい。よって、半導体素子１０の上面に放熱板１６を接合した後、半導体素子１０の下面を絶縁層２２上に接合することが好ましい。金属層２８の厚さは絶縁層２２の厚さの例えば１．２倍以上が好ましく、１．５倍以上がより好ましい。

半導体素子１０の下面を絶縁層２２上に接合する前に、半導体素子１０と放熱板１６とを封止する封止部１８（第１封止樹脂）を形成する工程を含む。これにより、封止部１８が半導体素子１０を保護した状態で、その後の工程を行うことができる。

半導体素子１０の下面を絶縁層２２上に接合した後、図５（ａ）のように、絶縁層２２上に半導体素子１０および放熱板１６を封止する封止部３０（第２封止樹脂）を形成する。これにより、絶縁層２２の上面を封止できる。また、絶縁層２２の上面に搭載された電子部品２１を封止できる。また、実施例１の変形例４のように、空間５２にボイド等が形成されることを抑制できる。

実施例１の工程で半導体モジュールを製造すると、半導体モジュールは、絶縁層２２の上面に接合された半導体素子１０と、半導体素子１０上に接合された放熱板１６と、半導体素子１０と放熱板１６とを囲み封止する封止部１８（第１封止樹脂）と、封止部１８を囲み封止する封止部３０（第２封止樹脂）と、備える。そして、図５（ｂ）のように、封止部１８は封止部３０から露出し、放熱板１６は封止部３０から露出する構造となる。また、絶縁層２２の上面に接合された電子部品２１に放熱板１６が接合されていないとき、封止部１８は電子部品２１を封止せず、封止部３０は電子部品２１を封止する構造となる。

封止部１８と３０の材料は同じ材料でもよいし、異なる材料でもよい。半導体素子１０がシリコンの場合、シリコンの線膨張係数は２．５〜４×１０^−６／Ｋである。封止部３０として樹脂を用いると樹脂の線膨張係数は２０〜５０×１０^−６／Ｋである。そこで、封止部１８の線膨張係数を半導体素子１０の線膨張係数より大きくし、封止部１８の線膨張係数を封止部３０の線膨張係数より小さくする。これにより、半導体素子１０、封止部１８および３０と線膨張係数が段階的に大きくなり、熱応力の集中を緩和できる。

なお、放熱板１６に関し着目すると、その線膨張係数はおおよそ１７×１０^−６／Ｋである。図５（ｂ）および図５（ｃ）のように、封止部１８および３０からこの放熱板１６を露出させるとなると、封止部１８の線膨張係数は半導体素子１０および放熱板１６よりも大きく、封止部３０よりも小さいほうが好ましい。放熱板１６が線膨張係数の大きい封止部３０により直接被覆されるよりも、間に封止部３０と放熱板１６の間に位置する線膨張係数の材料を用いたほうが、経年変化も少なく、放熱板１６と封止部１８との界面が乖離しづらく、信頼性の向上につながる。

また、図５（ｂ）および図５（ｃ）のように、絶縁層２２に２つの半導体素子１０がフェイスダウンで接合されており、２つの半導体素子１０の上面に単一の放熱板１６が接合されている。封止部１８は、放熱板１６および２つの半導体素子１０を封止し、封止部１８の上面は放熱板１６の上面を囲みかつ放熱板１６の上面と同一面（略同一平面）を形成する。封止部３０は、封止部１８を封止し、封止部３０の上面は封止部１８の上面を囲みかつ封止部１８の上面と同一面（略同一平面）を形成する。これにより、封止部３０を形成するときに、半導体素子１０間の空間５２にボイド等が形成されることを抑制できる。

図１（ｂ）、図２（ｂ）、図８（ａ）および図８（ｂ）のように、少なくとも１つの半導体素子１０の上面に１つの放熱板１６が各々接合されるように、複数の半導体素子１０の上面に複数の放熱板１６を接合する。図１（ｃ）および図３（ａ）の工程のように、複数の半導体素子１０および複数の放熱板１６が封止されるように封止部１８（第３封止樹脂）を形成する。図１（ｄ）および図３（ｂ）のように、封止部１８を、１つの封止部１８に、少なくとも１つの半導体素子１０および１つの放熱板１６は封止されるように切断する。これにより、複数の部品モジュール２０を形成できる。複数の部品モジュールに含まれる半導体素子１０は１個でもよいし複数でもよい。

実施例１の変形例１の図６（ａ）のように、複数の放熱板１６は互いに接続部１６ａにより接続されている。図１（ｄ）および図３（ｂ）において、封止部１８と接続部１６ａとを同時に切断する。これにより、放熱板１６を一度に複数の半導体素子１０上に接合することができ、製造工程を削減できる。

実施例１の変形例１のように半導体モジュールを製造すると、図６（ｂ）および図６（ｃ）のように、接続部１６ａ（突起部）は、放熱板１６の側面に接続し封止部１８の側面まで延び（すなわち封止部１８を横方向に貫通する）、封止部３０内には延びない（すなわち封止部３０には連通しない）。接続部１６ａの材料は放熱板１６の材料と製造誤差程度に略同じ材料からなる。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０ 半導体素子
１２ 電極
１４ 接合層
１６ 放熱板
１６ａ 接続部
１８、３０ 封止部
２０、２０ａ 部品モジュール
２１ 電子部品
２２ 絶縁層
２４ 接着剤
２６ 貫通孔
２８ 金属層

Claims (12)

1. 半導体素子の上面に放熱板を接合する工程と、
   前記放熱板を接合した後、前記半導体素子の下面を、樹脂絶縁層上に接合する工程と、
   を含む半導体モジュールの製造方法。
2. 前記樹脂絶縁層を貫通する貫通孔を介し前記半導体素子に電気的に接続する金属層を前記樹脂絶縁層の下面に形成する工程を含む請求項１に記載の半導体モジュールの製造方法。
3. 前記半導体素子の下面を前記樹脂絶縁層上に接合する工程の前に、前記半導体素子と前記放熱板とを封止する第１封止樹脂を形成する工程を含む請求項１または２に記載の半導体モジュールの製造方法。
4. 前記半導体素子の下面を前記樹脂絶縁層上に接合する工程の後に、前記樹脂絶縁層上に前記半導体素子および前記放熱板を封止する第２封止樹脂を形成する工程を含む請求項１から３のいずれか一項に半導体モジュールの製造方法。
5. 前記放熱板を接合する工程は、少なくとも１つの半導体素子の上面に１つの放熱板が各々接合されるように、複数の半導体素子の上面に複数の放熱板を接合する工程を含み、
   前記第１封止樹脂を形成する工程は、前記複数の半導体素子および前記複数の放熱板が封止されるように第３封止樹脂を形成する工程と、１つの第１封止樹脂に前記少なくとも１つの半導体素子および前記１つの放熱板が封止されるように、前記第３封止樹脂を切断する工程と、を含む請求項３に記載の半導体モジュールの製造方法。
6. 複数の半導体素子の上面に複数の放熱板を接合する工程において、前記複数の放熱板は互いに接続部により接続され、
   前記第３封止樹脂を切断する工程において、前記第３封止樹脂と前記接続部とを同時に切断する請求項５に記載の半導体モジュールの製造方法。
7. 前記金属層は前記樹脂絶縁層より厚い請求項２に記載の半導体モジュールの製造方法。
8. 樹脂絶縁層と、
   前記樹脂絶縁層の上面に接合された半導体素子と、
   前記半導体素子上に接合された放熱板と、
   前記半導体素子と前記放熱板とを囲み封止する第１封止樹脂と、
   前記第１封止樹脂を囲み封止する第２封止樹脂と、
   を備え、
   前記第1封止樹脂は前記第２封止樹脂から露出し、前記放熱板は前記第１封止樹脂から露出する半導体モジュール。
9. 前記樹脂絶縁層の上面に接合された電子部品を備え、
   前記第１封止樹脂は前記電子部品を封止せず、前記第２封止樹脂は前記電子部品を封止する請求項８に記載の半導体モジュール。
10. 前記放熱板の側面に接続し前記第１封止樹脂を横方向に貫通し前記第２封止樹脂内には連通せず前記放熱板の材料と略同じ材料からなる突起部を備える請求項８または９に記載の半導体モジュール。
11. 前記第１封止樹脂の線膨張係数は前記半導体素子の線膨張係数より大きく、前記第２封止樹脂の線膨張係数は第１封止樹脂の線膨張係数より大きい請求項８から１０のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
12. ポリイミドからなる可撓性を有する絶縁層と、
    前記絶縁層にフェイスダウンで接合された２つの半導体素子と、
    前記２つの半導体素子の上面に接合された単一の放熱板と、
    前記単一の放熱板および前記２つの半導体素子を封止し、上面が前記単一の放熱板の上面を囲みかつ同一面を形成する第１封止樹脂と、
    前記第１封止樹脂を封止し、上面が前記第１封止樹脂の上面を囲みかつ同一面を形成する第２封止樹脂と、
    前記絶縁層に設けられた貫通孔を介し前記半導体素子に接続する金属層と、を備え、
    前記第１封止樹脂の線膨張係数は前記半導体素子の線膨張係数より大きく、前記第２封止樹脂の線膨張係数は前記第１封止樹脂の線膨張係数より大きい半導体モジュール。

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