JP2021048420A - 基板処理装置、および基板処理方法 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 155
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 129
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 192
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 175
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 174
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 87
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 30
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 28
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 118
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 53
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 49
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 47
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 37
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 15
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 12
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 50
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 50
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 50
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
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Abstract
Description
処理液の原料である第1リン酸と添加剤とを予め定めた混合比で混合し、混合液を調製する混合部と、
前記処理液の原料の混合比を補正する混合比補正部と、
前記処理液で基板を処理する処理部とを備え、
前記混合部は、前記混合液を溜める混合タンクと、前記混合タンクに対して前記第1リン酸を供給する第1リン酸供給部と、前記混合タンクに対して前記添加剤を供給する添加剤供給部とを含み、
前記混合比補正部は、前記混合部から前記処理部に前記混合液を送る送液ラインと、前記送液ラインの途中にて前記第2リン酸を供給する第2リン酸供給部とを備える。
2 基板
22 シリコン酸化膜
23 シリコン窒化膜
24 積層膜
25 開口部
27 パターン
3 処理液
5 混合部
51 混合タンク
52 第1リン酸供給部
53 第1添加剤供給部
54 循環ライン
6 混合比補正部
61 送液ライン
61a 上流ライン
61b 下流ライン(個別配管)
62 第2リン酸供給部
65 バッファタンク
66 循環ライン
7 処理部
9 制御部
処理液で基板を処理する処理部と
前記処理液の原料である第1リン酸と添加剤とを決定された混合比で混合し、混合液を調製する混合部と、
前記混合部から前記処理部に前記混合液を送る送液ラインと、前記送液ラインの途中にて第2リン酸を供給する第2リン酸供給部とを含み、前記処理液の原料の混合比を補正する混合比補正部と、
前記第1リン酸と前記添加剤との第1混合比と、前記混合液と前記第2リン酸との第2混合比とを制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、予め記憶した複数の混合比の中から、前記添加剤の比率が最高のものを前記第1混合比として決定する。
Claims (17)
- 処理液の原料である第1リン酸と添加剤とを予め定めた混合比で混合し、混合液を調製する混合部と、
前記処理液の原料の混合比を補正する混合比補正部と、
前記処理液で基板を処理する処理部とを備え、
前記混合部は、前記混合液を溜める混合タンクと、前記混合タンクに対して前記第1リン酸を供給する第1リン酸供給部と、前記混合タンクに対して前記添加剤を供給する添加剤供給部とを含み、
前記混合比補正部は、前記混合部から前記処理部に前記混合液を送る送液ラインと、前記送液ラインの途中にて第2リン酸を供給する第2リン酸供給部とを備える、基板処理装置。 - 前記第1リン酸と前記添加剤との第1混合比と、前記混合液と前記第2リン酸との第2混合比とを制御する制御部を備える、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記基板の処理条件に基づき、前記第1混合比および前記第2混合比のうちの少なくとも1つを変更する、請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記基板の処理条件は、前記基板の前記処理液で処理されるパターンである、請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記混合部は、前記混合タンクを複数有する、請求項2〜4のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、一の前記混合タンクから調製済みの前記混合液を取り出し、前記処理部に向けて送る間に、他の一の前記混合タンクにて前記混合液を調製する、請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、複数の前記混合タンクの中で、前記処理部に向けて調製済みの前記混合液を送り出すものを、予め定めた順番で切り替える、請求項5または6に記載の基板処理装置。
- 前記処理部は、複数設けられ、
前記送液ラインは、複数の前記処理部に対して個別に前記混合液を送液する個別配管を含む、請求項1〜7のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記混合比補正部は、前記送液ラインの途中に、前記混合液と前記第2リン酸とを一時的に溜めるバッファタンクを含む、請求項1〜8のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記混合比補正部は、前記バッファタンクから取り出した前記処理液を、前記バッファタンクに戻す循環ラインを備える、請求項9に記載の基板処理装置。
- 処理液の原料である第1リン酸と添加剤とを予め定めた第1混合比で混合し、混合液を調製することと、
前記混合液と第2リン酸とを予め定めた第2混合比で混合し、前記処理液の原料の混合比を補正することと、
前記処理液で基板を処理することとを含む、基板処理方法。 - 前記基板の処理条件に基づき、前記第1混合比と、前記第2混合比とのうちの少なくとも1つを変更する、請求項11に記載の基板処理方法。
- 前記基板の処理条件は、前記基板の前記処理液で処理されるパターンである、請求項12に記載の基板処理方法。
- 一の混合タンクから調製済みの前記混合液を取り出し、前記基板を処理する処理部に向けて送る間に、他の一の混合タンクにて前記混合液を調製することを含む、請求項11〜13のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 複数の混合タンクの中で、前記基板を処理する処理部に向けて、調製済みの前記混合液を送り出すものを、予め定めた順番で切り替えることを含む、請求項11〜14のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記基板は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とを交互に含む積層膜を含み、
前記積層膜は、前記積層膜を厚さ方向に貫通する開口部を有し、
前記処理液は、前記シリコン酸化膜と前記シリコン窒化膜のうちの、前記シリコン窒化膜を選択的にエッチングする、請求項11〜15のいずれか1項に記載の基板処理方法。 - 前記添加剤は、シリカの析出を抑制するシリカ析出抑制剤である、請求項16に記載の基板処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020213751A JP6952860B2 (ja) | 2019-03-29 | 2020-12-23 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019067889A JP6843173B2 (ja) | 2019-03-29 | 2019-03-29 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
JP2020213751A JP6952860B2 (ja) | 2019-03-29 | 2020-12-23 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019067889A Division JP6843173B2 (ja) | 2019-03-29 | 2019-03-29 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021048420A true JP2021048420A (ja) | 2021-03-25 |
JP6952860B2 JP6952860B2 (ja) | 2021-10-27 |
Family
ID=74876708
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020213751A Active JP6952860B2 (ja) | 2019-03-29 | 2020-12-23 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6952860B2 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009130032A (ja) * | 2007-11-21 | 2009-06-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
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JP2019091815A (ja) * | 2017-11-15 | 2019-06-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
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