JP2021044494A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】カップを洗浄できつつも、基板を安定して保持することができる技術を提供する。【解決手段】基板処理装置は、基板保持部２と、回転機構３と、カップ４と、洗浄液供給部６とを備える。基板保持部２は、基板Ｗの下面と対向する対向面２ａ、および、対向面２ａの周縁に連結された側面２ｂを有し、対向面２ａにおいて基板Ｗを保持する。基板保持部２には、側面２ｂに吐出口２１２ｂを有する第１供給流路２１２が形成される。回転機構３は、鉛直方向に沿う回転軸線Ｑ１のまわりで基板保持部２を回転させる。筒状のカップ４は、基板保持部２によって保持された基板Ｗを取り囲む。洗浄液供給部６は、洗浄液を第１供給流路２１２に供給して吐出口２１２ｂからカップ４の洗浄対象面へと吐出させる。【選択図】図２

Description

本願は、基板処理装置に関する。

従来から、基板を回転させながら基板の表面に処理液を塗布する基板処理装置が提案されている（例えば特許文献１）。特許文献１では、基板処理装置は、スピンチャックと、処理液供給ノズルと、飛散防止カップとを含む。スピンチャックは、基板を水平姿勢で吸着保持しつつ、鉛直方向に沿う回転軸線のまわりで当該基板を回転させる。スピンチャックの径は基板よりも小さい。

処理液供給ノズルは基板の上面に処理液を吐出する。この処理液は基板の回転に伴う遠心力を受けて基板の上面を広がり、基板の周縁から外側に飛散する。飛散防止カップは、スピンチャックを取り囲む筒状形状を有しており、基板の周縁から飛散した処理液を受け止める。

この飛散防止カップの内面には処理液が付着して残留し得る。この処理液が乾燥すると、飛散防止カップの内面に不規則な凹凸面が形成される。処理中に飛散した処理液が当該凹凸面にあたって、基板に跳ね返ると、塗布ムラが生じる可能性がある。また、飛散防止カップの内面に付着した処理液が乾燥して剥離すると、パーティクルとして基板に付着する可能性もある。

そこで、特許文献１の基板処理装置には、飛散防止カップを洗浄するカップ洗浄部材が設けられている。このカップ洗浄部材は、スピンチャックを取り囲む略円盤形状を有している。カップ洗浄部材は、スピンチャックによって保持された基板よりも下側において、スピンチャックと飛散防止カップとの間に配置される。カップ洗浄部材の外周側の側面には、洗浄液吐出口が形成されており、この洗浄液吐出口から飛散防止カップの内面に洗浄液が吐出される。これにより、洗浄液が飛散防止カップの内面を洗浄することができる。

特開平９−１１７７０８号公報

特許文献１の基板処理装置では、スピンチャックの径方向外側にカップ洗浄部材が設けられる。よって、スピンチャックの径は基板の径に比べて非常に小さい。例えば、スピンチャックの径は基板の径の半分程度に設定され得る。よって、スピンチャックは小さい接触面積で基板の下面に当接して吸着保持する。つまり、スピンチャックは基板の中央付近のみに吸着力を作用させる。このようなスピンチャックが回転することで基板が回転すると、基板の周縁部が鉛直方向に変動する可能性があった。

例えば、次に説明する基板に対して処理液を塗布する場合がある。即ち、周縁部が中央部よりも厚い断面凹形状を有する基板に対して、処理液を塗布する場合がある。この基板の周縁部の幅は基板の径の例えば１％程度以下である。スピンチャックがこのような基板の薄い中央付近のみを支持して当該基板を吸着保持する場合、回転中における基板の周縁部の変動はより顕著となる。

そこで、本願は、カップを洗浄できつつも、基板を安定して保持することができる技術を提供することを目的とする。

基板処理装置の第１の態様は、基板の下面と対向する対向面、および、前記対向面の周縁に連結された側面を有し、前記対向面において前記基板を保持し、かつ、前記側面に吐出口を有する第１供給流路が形成された基板保持部と、鉛直方向に沿う回転軸線のまわりで前記基板保持部を回転させる回転機構と、前記基板保持部を取り囲む筒状のカップと、洗浄液を前記第１供給流路に供給して前記吐出口から前記カップの洗浄対象面へと吐出させる洗浄液供給部とを備える。

基板処理装置の第２の態様は、第１の態様にかかる基板処理装置であって、前記基板保持部は、前記対向面および前記側面を有する板状体と、前記板状体の下面から下側に延在するシャフト体とを含み、前記第１供給流路の入口は前記シャフト体の外周面に形成されており、前記洗浄液供給部は、前記シャフト体の前記外周面を囲む筒状体と、前記第１供給流路の前記入口に対して上側および下側のそれぞれにおいて、前記シャフト体の前記外周面と前記筒状体の内周面との間を封止する第１シールおよび第２シールとを含み、前記筒状体には、第２供給流路が形成されており、前記第２供給流路は、前記筒状体の前記内周面のうち前記第１シールと前記第２シールとの間において出口を有しており、前記洗浄液供給部は前記洗浄液を前記第２供給流路に供給して、前記洗浄液を前記第２供給流路の前記出口から前記第１供給流路の前記入口へと供給する。

基板処理装置の第３の態様は、第２の態様にかかる基板処理装置であって、前記筒状体の前記内周面には、前記第２供給流路の前記出口を含む位置において全周に亘って溝が形成されており、前記第１供給流路の前記入口は、前記溝と対向する位置に形成されている。

基板処理装置の第４の態様は、第３の態様にかかる基板処理装置であって、前記溝の幅は、前記第１供給流路の前記入口の幅よりも広い。

基板処理装置の第５の態様は、第３または第４の態様にかかる基板処理装置あって、前記筒状体には、前記溝の内部の前記洗浄液を外部に排出する排出流路が形成されている。

基板処理装置の第６の態様は、第２から第５のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記第１供給流路は、前記板状体の内部において、前記吐出口から前記回転軸線側に延在する第１流路と、前記第１流路から下側に延在する第２流路と、前記シャフト体の内部において、前記第１供給流路の前記入口から延在して前記第２流路に連通する第３流路とを含み、前記シャフト体には、前記第２流路の下端から下側に延在して前記シャフト体の下面に至る孔が形成されており、前記基板保持部は、前記第２流路と前記第３流路との接続位置よりも下側において、前記孔を塞ぐ閉塞部材をさらに含む。

基板処理装置の第７の態様は、第１の態様にかかる基板処理装置であって、前記基板保持部は、前記対向面および前記側面を有する板状体と、前記板状体の周縁から下側に突設され、前記回転軸線側に湾曲したフック状の洗浄液案内部とを含み、前記第１供給流路の入口は、前記洗浄液案内部の内面に形成されており、前記洗浄液供給部は、前記洗浄液案内部の前記内面に向けて前記洗浄液を吐出するノズルを含む。

基板処理装置の第８の態様は、第１から第７のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記基板保持部の前記対向面には、前記基板を吸着するための吸引口が形成されている。

基板処理装置の第９の態様は、第８の態様にかかる基板処理装置であって、前記吸引口は前記回転軸線についての環状に形成されている。

基板処理装置の第１０の態様は、第８または第９の態様にかかる基板処理装置であって、前記基板は、中央部よりも周縁部において厚い形状を有しており、前記吸引口は、前記基板保持部の前記対向面のうち、前記周縁部と対向する位置に形成されている。

基板処理装置の第１１の態様は、第８から第１０のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記基板保持部の対向面は、前記基板の下面を支持する複数の支持ピンが設けられた中央領域と、前記中央領域よりも外周側において前記中央領域よりも前記基板側に突出し、前記吸引口が形成された円環領域とを含む。

基板処理装置の第１の態様によれば、基板保持部の側面に吐出口が形成されており、洗浄液が当該吐出口からカップの洗浄対象面へと吐出される。よって、カップの洗浄対象面を洗浄することができる。しかも、吐出口は、基板を保持する基板保持部の側面に形成されている。よって、特許文献１に比して、基板基保持部の対向面を広げることが可能であり、基板を適切に保持することができる。

基板処理装置の第２の態様によれば、筒状体の第２供給流路を介して、基板保持部の第１供給流路に洗浄液を供給できる。しかも、第１シールおよび第２シールによって、第１供給流路および第２供給流路の接続空間も封止できる。よって、洗浄液が基板処理装置内の意図しない部材に付着する可能性を低減できる。

基板処理装置の第３の態様によれば、基板保持部の回転中において、第１供給流路の入口は常に溝と対向するので、基板保持部がどの回転位置にあっても、溝の内部の洗浄液を第１供給流路に供給できる。

基板処理装置の第４の態様によれば、筒状体とシャフト体とが鉛直方向に若干ずれたとしても、溝が第１供給流路の入口と対向する。よって、適切に第２供給流路から第１供給流路に洗浄液を供給できる。言い換えれば、筒状体とシャフト体との間の取付の必要精度を低減することができる。

基板処理装置の第５の態様によれば、筒状体の溝に溜まった洗浄液を排出することができる。よって、筒状体とシャフト体とを取り外す場合に、洗浄液が他の部材に意図せず付着する可能性を低減できる。

基板処理装置の第６の態様によれば、第２流路および孔は連続しているので、これらはシャフト体を貫通する一つの貫通孔を構成する。このような貫通孔をシャフト体に形成することは製造上、容易である。例えばドリルによる穴あけ加工を採用できる。このような簡易な製造方法を採用しても、閉塞部材により不要な部分を塞ぐことで、第１供給流路をシャフト体に形成できる。

基板処理装置の第７の態様によれば、回転体である基板保持部とノズルとが接触しないので、簡易な構造でカップを洗浄できる。

基板処理装置の第８の態様によれば、吸引チャックにより基板を保持できる。

基板処理装置の第９の態様によれば、基板を全周に亘って吸着できる。

基板処理装置の第１０の態様によれば、基板保持部は、厚みの大きい基板の周縁部を吸引するので、安定して基板を保持できる。

基板処理装置の第１１の態様によれば、基板の周縁部を吸引することにより、回転中における基板の周縁部の変動をさらに抑制できる。また、複数の支持ピンにより、基板の中央部における撓みを抑制できる。しかも、支持ピンにより基板の下面との接触領域を低減できるので、基板の下面の汚染も抑制できる。また、吸着時に基板の下面に付着するパーティクルによる基板の微小変形を抑制でき、塗布ムラの防止に繋がる。

基板処理装置の構成の一例を概略的に示す図である。 処理ユニットの構成の一例を概略的に示す図である。 基板の構成の一例を概略的に示す斜視図である。 基板保持部の板状体の構成の一例を概略的に示す上面図である。 洗浄機構の構成の一例を概略的に示す上面図である。 基板保持部の軸取付部と、洗浄液供給部の筒状体との構成の一例を概略的に示す斜視図である。 カップ洗浄処理の一例を示すフローチャートである。 基板保持部の構成の他の一例を概略的に示す図である。 基板保持部の構成の他の一例を概略的に示す上面図である。 処理ユニットの構成の他の一例を概略的に示す上面図である。 基板保持部の周縁部の構成の一例を概略的に示す図である。

以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略、または、構成の簡略化がなされるものである。また、図面に示される構成の大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。

また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。

＜第１の実施形態＞
＜基板処理装置の概略構成＞
図１は、基板処理装置の構成の一例を概略的に示す平面図である。図１の基板処理装置は、基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗにレジスト膜等を形成するとともに、露光された基板Ｗを現像する装置である。

図１の例では、基板処理装置は、インデクサ部１１０と、処理部１２０と、インターフェイス部１３０と、制御部１４０とを含んでいる。制御部１４０は基板処理装置の各種構成を制御する。

制御部１４０は電子回路であって、例えばデータ処理装置および記憶媒体を有していてもよい。データ処理装置は例えばＣＰＵ（Central Processor Unit）などの演算処理装置であってもよい。記憶媒体は非一時的な記憶媒体（例えばＲＯＭ（Read Only Memory）またはハードディスク）および一時的な記憶媒体（例えばＲＡＭ（Random Access Memory））を有していてもよい。非一時的な記憶媒体には、例えば制御部１４０が実行する処理を規定するプログラムが記憶されていてもよい。処理装置がこのプログラムを実行することにより、制御部１４０が、プログラムに規定された処理を実行することができる。もちろん、制御部１４０が実行する処理の一部または全部がハードウェアによって実行されてもよい。

処理部１２０の両側にはインデクサ部１１０とインターフェイス部１３０が隣接して設けられている。インターフェイス部１３０には、さらに本装置とは別体の外部装置である露光機ＥＸＰが隣接して設けられる。

インデクサ部１１０は、複数（図では４個）のカセット載置台１１１と、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤとを含んでいる。複数のカセット載置台１１１は１列に配列されており、各カセット載置台１１１には１個のカセットＣが載置される。

ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは、カセット載置台１１１の側方をカセットＣの並び方向に水平移動可能に設けられ、各カセットＣと向かい合う位置で停止できる。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは保持アームを含み、各カセットＣおよび処理部１２０の各々と基板Ｗの受け渡しを行う。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤはカセットＣから基板Ｗを取り出して処理部１２０に搬送するとともに、処理部１２０から受け取った基板ＷをカセットＣに収納する。

処理部１２０は基板Ｗに対して処理を行う。図１の例では、処理部１２０はセル１２１、１２２に分けられている。セル１２１は主搬送機構Ｔ１を含み、セル１２２は主搬送機構Ｔ２を含む。セル１２１、１２２の各々には、複数の処理ユニットが設けられる。図１の例では、セル１２１、１２２のみが示されているが、処理部１２０には、セル１２１、１２２が鉛直方向に複数設けられてもよい。つまり、セル１２１の上には、セル１２１と同様のセルが積層されてもよく、セル１２２の上にも、セル１２２と同様のセルが積層されてもよい。要するに、処理部１２０は複数階層の構造を有していてもよい。セル１２１（およびその上層階のセル）では、基板Ｗにレジスト膜等を形成し、セル１２２（およびその上層階のセル）では基板Ｗを現像する。

セル１２１、１２２は横方向に並んで互いに連結されて、インデクサ部１１０とインターフェイス部１３０との間を結ぶ一の基板処理列を構成する。各階層においても同様である。これら各基板処理列は鉛直方向に略平行に設けられている。言い換えれば、処理部１２０は階層構造の基板処理列で構成されている。

インターフェイス部１３０は処理部１２０と露光機ＥＸＰとの間に配置されており、これらの間で基板Ｗを中継する。

以下では、説明の簡単のために、上層階のセルの説明を省略してセル１２１、１２２について述べる。セル１２１には、基板Ｗを搬送するための搬送スペースＡ１が形成される。搬送スペースＡ１はセル１２１の中央を通り、セル１２１、１２２の並び方向に平行な帯状に形成されている。セル１２１の処理ユニットは、基板Ｗに処理液を塗布する塗布処理ユニット１２３と、基板Ｗに熱処理を行う熱処理ユニット１２４とを含む。塗布処理ユニット１２３は搬送スペースＡ１に対して一方側に配置されており、他方側には熱処理ユニット１２４が配置されている。

塗布処理ユニット１２３は、それぞれ搬送スペースＡ１に面するように複数個並べて設けられている。本実施の形態では、複数の塗布処理ユニット１２３が鉛直方向にも並べて配置される。例えば２列２段で合計４つの塗布処理ユニット１２３が配置される。塗布処理ユニット１２３は、基板Ｗに反射防止膜を形成する処理を行う反射防止膜用塗布処理ユニットと、基板Ｗにレジスト膜を形成する処理を行うレジスト膜用塗布処理ユニットとを含む。例えば下段の２つの塗布処理ユニット１２３が基板Ｗに反射防止膜を形成し、上段の２つの塗布処理ユニット１２３が基板Ｗにレジスト膜を形成する。

熱処理ユニット１２４は、それぞれ搬送スペースＡ１に面するように複数個並べられて設けられている。本実施の形態では、複数の熱処理ユニット１２４が鉛直方向にも並べて配置される。例えば、横方向に３つの熱処理ユニット１２４を配置可能に、鉛直方向に５つの熱処理ユニット１２４を積層可能である。熱処理ユニット１２４はそれぞれ基板Ｗを載置するプレート１２５などを含んでいる。熱処理ユニット１２４は、基板Ｗを冷却する冷却ユニット、加熱処理と冷却処理を続けて行う加熱冷却ユニット、および、基板Ｗと被膜の密着性を向上させるためにヘキサメチルシラザン（ＨＭＤＳ）の蒸気雰囲気で熱処理するアドヒージョン処理ユニットを含む。なお、加熱冷却ユニットはプレート１２５を２つ有するとともに、２つのプレート１２５間で基板Ｗを移動させる図示省略のローカル搬送機構を含む。各種の熱処理ユニットはそれぞれ複数個であり、適宜の位置に配置される。

インデクサ部１１０とセル１２１との境界には、載置部ＰＡＳＳ１が設けられ、セル１２１、１２２の境界には、載置部ＰＡＳＳ２が設けられる。載置部ＰＡＳＳ１はインデクサ部１１０とセル１２１との間で基板Ｗを中継し、載置部ＰＡＳＳ２はセル１２１、１２２の間で基板Ｗを中継する。載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを水平姿勢で支持する複数の支持ピンを含んでいる。ここでいう水平姿勢とは、基板Ｗの厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢である。載置部ＰＡＳＳ１は、例えば２枚の基板Ｗを載置可能である。載置部ＰＡＳＳ１は例えば２段構成を有しており、各段に１枚の基板Ｗが載置される。一方の段はインデクサ部１１０からセル１２１へ搬送される基板Ｗが載置され、他方の段には、セル１２１からインデクサ部１１０へ搬送される基板Ｗが載置される。載置部ＰＡＳＳ２も同様に２段構成を有している。

搬送スペースＡ１の略中央には、主搬送機構Ｔ１が設けられている。主搬送機構Ｔ１はセル１２１の処理ユニット、載置部ＰＡＳＳ１および載置部ＰＡＳＳ２の各々と基板Ｗの受け渡しを行う。図１の例では、主搬送機構Ｔ１は２つの保持アームＨ１、Ｈ２を含んでいる。よって、主搬送機構Ｔ１は一方の保持アームＨ１を用いて対象部（例えばセル１２１の処理ユニット）から基板Ｗを取り出しつつ、別の基板Ｗを他方の保持アームＨ２を用いて当該対象部に渡すことができる。

セル１２２には、基板Ｗを搬送するための搬送スペースＡ２が形成される。搬送スペースＡ２は搬送スペースＡ１の延長上となるように形成されている。

セル１２２の処理ユニットは、基板に処理液を塗布する塗布処理ユニット１２７と、基板Ｗに熱処理を行う熱処理ユニット１２６と、基板Ｗの周縁部を露光するエッジ露光ユニット（不図示）とを含む。塗布処理ユニット１２７は搬送スペースＡ２に対して一方側に配置され、熱処理ユニット１２６およびエッジ露光ユニットは他方側に配置される。ここで、塗布処理ユニット１２７は塗布処理ユニット１２３と同じ側に配置されることが好ましい。また、熱処理ユニット１２６およびエッジ露光ユニットは熱処理ユニット１２４と同じ並びとなることが好ましい。

本実施の形態では、複数の塗布処理ユニット１２７が鉛直方向にも並べて配置される。例えば３列２段で合計６つの塗布処理ユニット１２７が配置される。塗布処理ユニット１２７は、基板Ｗを現像する現像処理ユニットと、基板Ｗにレジストカバー膜を形成する処理を行うレジストカバー膜用塗布処理ユニットとを含む。例えば下段の３つの塗布処理ユニット１２７が基板Ｗにレジストカバー膜を形成し、上段の３つの塗布処理ユニット１２７が基板Ｗを現像する。

熱処理ユニット１２６は、搬送スペースＡ２に沿う横方向に複数並べられるとともに、鉛直方向に複数積層されている。熱処理ユニット１２６は、基板Ｗを加熱する加熱ユニットと、基板Ｗを冷却する冷却ユニットとを含む。

エッジ露光ユニットは単一であり、所定の位置に設けられている。エッジ露光ユニットは、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部（不図示）と、この回転保持部に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射部（不図示）とを含む。

セル１２２とインターフェイス部１３０との境界には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦが設けられる。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦには、セル１２２からインターフェイス部１３０へ搬送される基板Ｗが載置される。

主搬送機構Ｔ２は平面視で搬送スペースＡ２の略中央に設けられている。主搬送機構Ｔ２は主搬送機構Ｔ１と同様に構成されている。そして、主搬送機構Ｔ２は、載置部ＰＡＳＳ２、塗布処理ユニット１２７、熱処理ユニット１２６、エッジ露光ユニットおよび載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦの各々と基板Ｗを受け渡す。

インターフェイス部１３０は、洗浄処理ブロック１３１と、搬出搬入ブロック１３２とを含んでいる。洗浄処理ブロック１３１と搬出搬入ブロック１３２との境界には、載置部ＰＡＳＳ３が設けられている。載置部ＰＡＳＳ３の構成の一例は載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様である。載置部ＰＡＳＳ３の上側または下側には、不図示の載置兼冷却ユニットが設けられている。載置兼冷却ユニットは基板Ｗを露光に適した温度に冷却する。

搬出搬入ブロック１３２には、ＩＦ用搬送機構ＴＩＦが設けられている。ＩＦ用搬送機構ＴＩＦは載置兼冷却ユニットから露光機ＥＸＰの搬入部ＬＰａに基板Ｗを搬送するとともに、露光機ＥＸＰの搬出部ＬＰｂからの基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ３へ搬送する。

洗浄処理ブロック１３１は２つの洗浄処理ユニット１３３ａ，１３３ｂと、２つの搬送機構Ｔ３ａ，Ｔ３ｂとを含んでいる。２つの洗浄処理ユニット１３３ａ，１３３ｂは、搬送機構Ｔ３ａ，Ｔ３ｂの一組を挟むように配置されている。洗浄処理ユニット１３３ａは露光前の基板Ｗを洗浄して乾燥する。複数の洗浄処理ユニット１３３ａが多段に積層されていてもよい。搬送機構Ｔ３ａは載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦから洗浄処理ユニット１３３ａに基板Ｗを搬送し、洗浄済みの基板Ｗを洗浄処理ユニット１３３ａから載置兼冷却ユニットに搬送する。

洗浄処理ユニット１３３ｂは露光後の基板Ｗを洗浄して乾燥する。複数の洗浄処理ユニット１３３ｂが多段に積層されていてもよい。搬送機構Ｔ３ｂは載置部ＰＡＳＳ３から洗浄乾燥処理ユニット１３３ｂに基板Ｗを搬送し、洗浄済みの基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニット１３３ｂから載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦに搬送する。

このような基板処理システムにおいて、基板Ｗは次のように処理される。即ち、カセットＣから取り出された基板Ｗは、セル１２１の冷却ユニットによって冷却される。冷却後の基板Ｗはセル１２１の反射防止膜用塗布処理ユニットによって塗布処理を受ける。これにより、基板Ｗの表面には反射防止膜が形成される。反射防止膜が形成された基板Ｗは加熱冷却ユニットによって加熱された後に冷却される。冷却された基板Ｗはレジスト膜用塗布処理ユニットによって塗布処理を受ける。これにより、基板Ｗの表面にはレジスト膜が形成される。レジスト膜が形成された基板Ｗは、再び加熱冷却ユニットで加熱された後に冷却される。レジスト膜が形成された基板Ｗはセル１２２のレジストカバー膜用塗布処理ユニットによって塗布処理を受ける。これにより、基板Ｗの表面にはレジストカバー膜が形成される。レジストカバー膜が形成された基板Ｗはセル１２２の加熱冷却ユニットで加熱された後に冷却される。

冷却された基板Ｗの周縁部は、セル１２２のエッジ露光ユニットで露光される。周縁部が露光された基板Ｗは洗浄処理ユニット１３３ａにおいて洗浄乾燥処理を受ける。洗浄された基板Ｗは載置兼冷却ユニットで冷却される。冷却された基板Ｗは外部の露光機ＥＸＰで露光される。露光された基板Ｗは洗浄乾燥処理ユニット１３３ｂで洗浄乾燥処理を受ける。洗浄された基板Ｗはセル１２２の加熱冷却ユニットで露光後ベーク処理を受ける。ベークされた基板Ｗはセル１２２の冷却ユニットで冷却される。冷却された基板Ｗは現像処理ユニットで現像処理を受ける。現像処理が施された基板Ｗは加熱冷却ユニットで加熱された後に冷却される。冷却された基板Ｗはインデクサ部１１０のカセットＣに搬送される。以上のようにして、基板処理装置は基板Ｗに対して処理を行う。

＜塗布処理ユニット＞
図２は、塗布処理ユニット１２３または塗布処理ユニット１２７の一例である処理ユニット１の概略構成の一例を示す断面図である。この処理ユニット１は、基板Ｗを回転させつつ処理液を基板Ｗの上面に塗布することにより、基板Ｗの上面に処理液の膜を形成させる装置である。

基板Ｗは例えば半導体ウエハであり、略円板形状を有する。図３は、基板Ｗの構成の一例を概略的に示す斜視図である。本実施の形態では一例として、基板Ｗは、中央部９１と、中央部９１よりも外周側の周縁部９２とを有している。基板Ｗの上面は、その中央部９１において凹む凹形状を有している。逆に言えば、基板Ｗは、その周縁部９２が中央部９１に対して上側に突出した形状を有している。中央部９１は平面視において略円形形状を有している。周縁部９２は中央部９１を囲む略円環形状を有しており、中央部９１の周縁が周縁部９２の内面に連結されている。基板Ｗの下面は略平坦である。よって、基板Ｗの周縁部９２の厚みは中央部９１よりも大きい。

基板Ｗの直径は例えば３００ｍｍ程度であり、周縁部９２の幅（径方向の幅）は例えば２ｍｍ〜３ｍｍ程度である。基板Ｗの周縁部９２の厚みは例えば８００μｍ程度であり、基板Ｗの中央部９１の厚みは例えば４５μｍ〜６０μｍ程度である。

図２を再び参照して、処理ユニット１は、基板保持部２と、回転機構３と、処理カップ４と、処理液供給部５と、洗浄液供給部６と、制御部１４０とを含んでいる。以下では、各構成の概要を説明した後に各構成を詳述する。

基板保持部２は基板Ｗを略水平姿勢で保持する。ここでいう水平姿勢とは、基板Ｗの厚み方向が鉛直方向に沿う状態をいう。回転機構３は基板保持部２を回転軸線Ｑ１のまわりで回転させる。回転軸線Ｑ１は理想的には、基板Ｗの中心を通り、かつ、鉛直方向に平行な軸である。回転機構３が基板保持部２を回転させることにより、基板保持部２によって保持された基板Ｗも回転軸線Ｑ１のまわりで回転する。以下では、回転軸線Ｑ１についての径方向および周方向をそれぞれ単に径方向および周方向と呼ぶことがある。

処理液供給部５は、基板保持部２によって保持された基板Ｗの上面に処理液を供給する。処理液は、例えばレジスト液、成膜用のコーティング液または現像液を含む。基板Ｗの上面に着液した処理液は基板Ｗの回転に伴う遠心力を受けて広がり、基板Ｗの周縁から外側に飛散する。このような処理液の供給により、基板Ｗの上面には処理液の膜が形成される。

処理カップ４は、基板保持部２によって保持された基板Ｗを囲む筒状の形状を有している。処理カップ４は、基板Ｗの周縁から飛散された処理液を受け止める。これにより、処理液が処理カップ４よりも外側に飛散することを回避できる。

この処理カップ４の表面に残留した処理液が乾燥すると、処理カップ４の内面に不規則な凹凸面が形成される。飛散した処理液がこの凹凸面にあたって、基板に跳ね返ると、塗布ムラが生じる可能性がある。また、処理カップ４の内面に付着した処理液が乾燥して剥離すると、パーティクルとして基板Ｗに付着し得る。このようなパーティクルの付着は望ましくない。そこで、洗浄液供給部６は、基板保持部２の内部に形成された第１供給流路２１２（後述）へと洗浄液を供給する。洗浄液は、処理カップ４に付着した処理液を洗い流すことができる液体であればよく、例えば、純水、または、処理液の溶剤を含む。後述のように、第１供給流路２１２の吐出口２１２ｂは、基板保持部２の側面２ｂに形成されており、この吐出口２１２ｂから処理カップ４に向かって洗浄液が吐出される。これにより、処理カップ４を洗浄する。

＜基板保持部＞
図２の例では、基板保持部２は、板状体２１と、軸取付部（シャフト体）２２とを含んでいる。図４は、板状体２１の構成の一例を概略的に示す上面図である。板状体２１は略円板形状を有している。板状体２１はその厚み方向が鉛直方向に沿うように配置されており、板状体２１の中心軸は回転軸線Ｑ１と略一致する。板状体２１の上面（以下、対向面と呼ぶ）２ａは基板Ｗの下面と鉛直方向において対向している。板状体２１の側面２ｂは対向面２ａの周縁および板状体２１の下面２１ｃの周縁を連結している。なお、対向面２ａは基板保持部２の上面でもあり、側面２ｂは基板保持部２の外周側面でもある。

板状体２１の径は例えば基板Ｗの径の１／２以上、好ましくは、３／４以上である。図２の例では、板状体２１の径は基板Ｗの径よりも小さい。板状体２１の径は例えば基板Ｗの径の９割程度（ここでは２７０ｍｍ程度）である。図２の例では、板状体２１の対向面２ａは略水平な平坦面であり、その対向面２ａには吸引口２１１ａが形成される（図４も参照）。図４の例では、板状体２１の対向面２ａには、複数の吸引口２１１ａが２次元的に分散して形成されている。具体的な一例として、複数の吸引口２１１ａは、径方向に延在する複数の仮想線の上に並んで配列される。吸引口２１１ａは平面視おいて例えば円形形状を有する。この吸引口２１１ａは、板状体２１の内部に形成された吸引流路（不図示）に連通する。

当該吸引流路は、後述のシャフト３２の中空部を貫通する配管８１（図２）の一端に接続される。この配管８１の他端には、吸引機構８３が接続されている。また、配管８１の途中にはバルブ８２が設けられている。バルブ８２は配管８１の内部流路の開閉を切り替える。バルブ８２が開放した状態で、吸引機構８３が配管８１の内部の気圧を負圧にすることにより、吸引口２１１ａから気体が吸引される。これにより、基板保持部２（板状体２１）は対向面２ａにおいて基板Ｗをその下側から吸着して保持することができる。バルブ８２および吸引機構８３は制御部１４０によって制御される。

基板保持部２の軸取付部２２は板状体２１の下面２１ｃの中央部から下側に延在している。言い換えれば、軸取付部２２の上端は板状体２１の下面２１ｃの中央部に連結されている。軸取付部２２は、後述のシャフト３２を取り付けるための部材である。

＜回転機構＞
回転機構３は、モータ３１と、シャフト３２とを含んでいる。シャフト３２は中空シャフトであり、筒状形状を有している。シャフト３２の中心軸は回転軸線Ｑ１と略一致する。シャフト３２の上端部は軸取付部２２に結合する。図２の例では、軸取付部２２にはシャフト挿入孔２２１が形成されている。シャフト挿入孔２２１は、回転軸線Ｑ１を含んだ領域に形成されており、下側に開口する。シャフト３２の上端部は軸取付部２２のシャフト挿入孔２２１に嵌合されて、シャフト３２が軸取付部２２に固定される。

モータ３１は制御部１４０によって制御されて、シャフト３２を回転軸線Ｑ１のまわりで回転させる。この回転力がシャフト３２から基板保持部２に伝達されて、基板保持部２が回転軸線Ｑ１のまわりで回転する。これにより、基板保持部２によって保持された基板Ｗも回転軸線Ｑ１のまわりで回転する。

＜リフトピン＞
ところで、処理ユニット１には、外部の主搬送機構Ｔ１または主搬送機構Ｔ２から基板Ｗが搬入される。搬入された基板Ｗは基板保持部２によって保持される。また、処理ユニット１によって処理された基板Ｗは、主搬送機構Ｔ１または主搬送機構Ｔ２によって取り出される。処理ユニット１には、このような基板Ｗの搬出入のための複数のリフトピン７１が設けられてもよい（図２参照）。複数のリフトピン７１は回転軸線Ｑ１のまわりで略等間隔に設けられる。

図４の例では、板状体２１には、リフトピン７１用のピン貫通孔２１３が形成されている。ピン貫通孔２１３は板状体２１を鉛直方向に沿って貫通する。図４の例では、このピン貫通孔２１３は板状体２１の側面２ｂにおいて径方向外側に開口している。つまり、図４の例では、ピン貫通孔２１３は側面２ｂにおいて径方向内側（回転軸線Ｑ１側）に凹んでいる。ここでは、３つのリフトピン７１が回転軸線Ｑ１のまわりで略等間隔に設けられるので、図４の例では、３つのピン貫通孔２１３が回転軸線Ｑ１のまわりで略等間隔に形成されている。

各リフトピン７１は、例えば、鉛直方向に延在する棒状の形状を有している。リフトピン７１はピン昇降機構７２よって昇降可能に設けられている。ピン昇降機構７２は、例えばエアシリンダー、または、ボールねじ構造等を有しており、制御部１４０によって制御される。ピン昇降機構７２は複数のリフトピン７１を下位置と上位置との間で一体で昇降させる。上位置とは、リフトピン７１の先端が板状体２１の対向面２ａよりも上側となる位置である。このとき、複数のリフトピン７１はそれぞれ複数のピン貫通孔２１３を貫通して上昇する。下位置とは、リフトピン７１の先端が板状体２１の下面２１ｃよりも下側となる位置である。

複数のリフトピン７１が上位置まで上昇した状態において、主搬送機構Ｔ１または主搬送機構Ｔ２から未処理の基板Ｗがリフトピン７１の上に載置される。複数のリフトピン７１は基板Ｗの下面を支持する。複数のリフトピン７１が下降することにより、基板Ｗが基板保持部２の対向面２ａの上に載置される。複数のリフトピン７１は下位置まで下降する。

処理済みの基板Ｗを搬出する場合には、複数のリフトピン７１が下位置から上昇する。リフトピン７１が、対向面２ａの上に載置された基板Ｗの下面に当接すると、そのまま基板Ｗを持ち上げて上位置まで上昇する。この状態において、基板Ｗが主搬送機構Ｔ１または主搬送機構Ｔ２によって取り出される。

＜処理液供給部＞
処理液供給部５は、基板保持部２によって保持された基板Ｗの主面（ここでは上面）に処理液を供給する。図２の例では、処理液供給部５は、ノズル５１と、配管５２と、バルブ５３と、処理液供給源５４とを含んでいる。

ノズル５１は、基板保持部２によって保持された基板Ｗの上面に向かって処理液を吐出する。ノズル５１は例えば基板Ｗの上面の中心部に向かって処理液を吐出する。図２の例では、ノズル５１はノズル移動機構５５によって処理位置と待機位置との間で移動する。処理位置は、基板Ｗの上面に処理液を供給可能な位置であり、例えば基板保持部２によって保持された基板Ｗの中心部と鉛直方向で対向する位置である。待機位置は、例えば平面視において、基板保持部２によって保持された基板Ｗよりも外側の位置である。ノズル移動機構５５は例えばボールねじ構造を有しており、制御部１４０によって制御される。

ノズル５１は配管５２を介して処理液供給源５４に接続されている。処理液供給源５４は処理液を配管５２を介してノズル５１に供給する。ノズル５１は配管５２から供給された処理液を基板Ｗの上面に向かって吐出する。バルブ５３は配管５２の途中に設けられており、配管５２の内部流路の開閉を切り替える。バルブ５３は制御部１４０によって制御される。バルブ５３は、配管５２の内部を流れる処理液の流量を調整可能なバルブであってもよい。

ノズル５１から基板Ｗの上面に供給された処理液は、基板Ｗの回転に伴って基板Ｗの上面を広がって基板Ｗの上面で膜を形成する。この回転により、処理液の一部は基板Ｗの周縁から外側に飛散する。

＜処理カップ＞
処理カップ４は、基板保持部２によって保持された基板Ｗを取り囲む筒状の形状を有しており、基板Ｗの周縁から飛散された処理液を受け止める。図２の例では、処理カップ４は、外カップ４ａと、内カップ４ｂとを含んでいる。内カップ４ｂは、外カップ４ａよりも径方向内側に配置されている。内カップ４ｂの上端部は平面視において、略円形形状であって下向きの傾斜面を有しており、基板保持部２によって保持された基板Ｗの周縁部の下面と鉛直方向において対向する。外カップ４ａは底部において内カップ４ｂの外周面に連結される。外カップ４ａの内周面には、基板Ｗの周縁から飛散した処理液が付着する。また、内カップ４ｂの外周面にも処理液が付着し得る。これらの処理液は、例えば外カップ４ａの底部に設けられた回収口（不図示）へと流れて、回収部（不図示）に回収される。

しかしながら、処理カップ４の表面（外カップ４ａの内周面、さらには内カップ４ｂの外周面）には、処理液が残留し得る。この処理液が乾燥して剥離すると、パーティクルとして基板Ｗに付着し得る。このようなパーティクルは、基板Ｗに形成されるデバイスの不良を招く。

＜洗浄機構＞
そこで、本実施の形態にかかる処理ユニット１では、処理カップ４を洗浄する洗浄機構が設けられている。この洗浄機構を、図４および図５を参照して説明する。図５は、基板保持部２および洗浄液供給部６の一例を概略的に示す断面図である。図５に例示するように、基板保持部２の板状体２１の側面２ｂには、吐出口２１２ｂが形成されている。後述するように、この吐出口２１２ｂから処理カップ４の洗浄対象面に向かって洗浄液が吐出される。吐出された洗浄液は処理カップ４の洗浄対象面にあたって処理カップ４の洗浄対象面を洗浄する。洗浄対象面は外カップ４ａの内周面および内カップ４ｂの外周面の少なくともいずれか一方を含む。

図４および図５の例では、複数（図の例では２つ）の吐出口２１２ｂが回転軸線Ｑ１のまわりで略等間隔に形成されている。つまり、２つの吐出口２１２ｂが回転軸線Ｑ１について１８０度間隔で形成されている。基板保持部２の内部には、各吐出口２１２ｂに連通する第１供給流路２１２が形成されている。ここでは、２つの吐出口２１２ｂに対して２つの第１供給流路２１２が形成されている。各第１供給流路２１２は板状体２１および軸取付部２２の内部に形成されており、軸取付部２２の外周面２２ａにおいて入口２１２ａを有している（図６も参照）。言い換えれば、軸取付部２２の外周面２２ａに第１供給流路２１２の入口２１２ａが形成されている。図５の例では、２つの第１供給流路２１２の入口２１２ａは略同じ高さ位置に形成されており、回転軸線Ｑ１のまわりで略等間隔に形成されている。つまり、２つの入口２１２ａが回転軸線Ｑ１について１８０度間隔で形成されている。第１供給流路２１２の断面は例えば略円形形状を有し、その入口２１２ａおよび吐出口２１２ｂも例えば略円形形状を有する。

なお、図４に例示するように、第１供給流路２１２はピン貫通孔２１３と干渉しないように形成される。また、第１供給流路２１２は、板状体２１の内部に形成されて吸引口２１１ａに連通する吸引流路（不図示）とも干渉しないように形成される。

このような基板保持部２は、単一の部材によって構成されてもよく、あるいは、複数の部材が組み合わされて構成されてもよい。

洗浄液供給部６は入口２１２ａを介して第１供給流路２１２に洗浄液を供給する。洗浄液は入口２１２ａから第１供給流路２１２を吐出口２１２ｂ側に流れて、吐出口２１２ｂから処理カップ４の洗浄対象面に向かって吐出される。

図５および図６の例では、洗浄液供給部６は、筒状体６１と、第１シール６２１と、第２シール６２２と、配管６３と、バルブ６４と、洗浄液供給源６５とを含む。図６は、軸取付部２２と筒状体６１の構成の一例を概略的に示す斜視図である。図６の例では、筒状体６１の周方向の一部のみが示されている。

筒状体６１は、軸取付部２２の外周面２２ａを囲む筒状形状を有している。この筒状体６１は、外周面２２ａに形成された第１供給流路２１２の入口２１２ａと対向する。つまり、筒状体６１の内周面６１ａの上端は複数（ここでは２つ）の入口２１２ａのいずれよりも上側に位置しており、筒状体６１の内周面６１ａの下端は複数の入口２１２ａのいずれよりも下側に位置している。よって、複数の入口２１２ａのいずれもが筒状体６１の内周面６１ａと径方向において対向する。

筒状体６１には洗浄液の第２供給流路６１１が形成されており、その出口６１１ｂが筒状体６１の内周面６１ａに形成されている。図５の例では、第２供給流路６１１の出口６１１ｂは基板保持部２の第１供給流路２１２の入口２１２ａと略同じ高さ位置に形成されている。また、図５および図６の例では、筒状体６１の内周面６１ａには供給溝６１４が形成されている。この供給溝６１４は、第２供給流路６１１の出口６１１ｂが形成される位置に形成される。つまり、出口６１１ｂは供給溝６１４の内部に形成される。供給溝６１４は回転軸線Ｑ１の周方向に沿って延在しており、内周面６１ａの全周に亘って形成されている。

図５および図６を参照して、供給溝６１４は、軸取付部２２の外周面２２ａ上の複数の入口２１２ａの全てと径方向において対向する。供給溝６１４は全周に亘って形成されているので、基板保持部２が回転軸線Ｑ１まわりで回転しているときにも、供給溝６１４は複数の入口２１２ａの全てと対向し続ける。つまり、基板保持部２の回転中において当該複数の入口２１２ａは回転軸線Ｑ１のまわりを供給溝６１４に沿って周回するので、供給溝６１４と対向し続ける。

図５および図６の例では、第２供給流路６１１の入口６１１ａは筒状体６１の外周面６１ｂに形成されている。ここでは、第２供給流路６１１の入口６１１ａおよび出口６１１ｂは径方向において並ぶ位置に形成されており、第２供給流路６１１は径方向に沿って延在している。第２供給流路６１１の断面は例えば略円形形状を有し、その入口６１１ａおよび出口６１１ｂも例えば略円形形状を有する。

第１シール６２１は、第２供給流路６１１の出口６１１ｂおよび第１供給流路２１２の入口２１２ａのいずれよりも上側において、筒状体６１の内周面６１ａと軸取付部２２の外周面２２ａとの間を封止する。なお、軸取付部２２の外周面２２ａは、回転軸線Ｑ１を中心とした略円柱形状を有しており、筒状体６１の内周面６１ａも、回転軸線Ｑ１を中心とした略円柱形状を有している。ただし、図５および図６の例では、内周面６１ａには、上述の供給溝６１４の他、後述の第１挿入溝６１２および第２挿入溝６１３も形成される。

第１シール６２１は、例えば、オーリングと、スリッパーシールとを含む。オーリングは、回転軸線Ｑ１を中心とした略円環形状を有している。オーリングは径方向に弾性変形可能である。スリッパーシールも、回転軸線Ｑ１を中心とした略円環形状を有している。スリッパーシールはオーリングと径方向において隣り合う位置に設けられる。例えばスリッパーシールはオーリングと軸取付部２２の外周面２２ａとの間に設けられており、これらと密着する。スリッパーシールはオーリングの表面よりも滑りやすい表面を有している。よって、軸取付部２２が筒状体６１に対して回転しやすく、また、第１シール６２１は筒状体６１と軸取付部２２との間を良好に封止することができる。

図５の例では、筒状体６１の内周面６１ａには、第１シール６２１が挿入される第１挿入溝６１２が形成される。第１挿入溝６１２は、筒状体６１の内周面６１ａの全周に亘って形成されている。第１シール６２１の径方向外側の一部は第１挿入溝６１２に挿入されて筒状体６１の内周面６１ａに密着し、第１シール６２１の径方向内側の一部は第１挿入溝６１２から突出して、軸取付部２２の外周面２２ａに密着する。

第２シール６２２は、第２供給流路６１１の出口６１１ｂおよび第１供給流路２１２の入口２１２ａのいずれよりも下側において、筒状体６１の内周面６１ａと軸取付部２２の外周面２２ａとの間を封止する。第２シール６２２は、第１シール６２１と同様の構成を有している。よって、軸取付部２２が筒状体６１に対して回転しやすく、また、第２シール６２２は筒状体６１と軸取付部２２との間を良好に封止することができる。

図５の例では、同様に、筒状体６１の内周面６１ａには、第２シール６２２が挿入される第２挿入溝６１３も形成されている。第２挿入溝６１３は、筒状体６１の内周面６１ａの全周に亘って形成される。第２シール６２２の径方向外側の一部は第２挿入溝６１３に挿入されて筒状体６１の内周面６１ａに密着し、第２シール６２２の径方向内側の一部は第２挿入溝６１３から突出して、軸取付部２２の外周面２２ａに密着する。

筒状体６１の第２供給流路６１１の入口６１１ａは配管６３を介して洗浄液供給源６５に接続されている。バルブ６４は配管６３の途中に設けられており、配管６３の内部流路の開閉を切り替える。バルブ６４の開閉は制御部１４０によって制御される。バルブ６４は、配管６３の内部を流れる洗浄液の流量を調整可能なバルブであってもよい。

バルブ６４が開放すると、洗浄液は洗浄液供給源６５から配管６３の内部および第２供給流路６１１を流れて、第２供給流路６１１の出口６１１ｂから流出する。よって、この洗浄液は、筒状体６１の内周面６１ａと軸取付部２２の外周面２２ａとの間の空間（以下、接続空間と呼ぶ）に流出する。この接続空間は第１シール６２１および第２シール６２２によって封止されているので、洗浄液は筒状体６１と軸取付部２２との間の隙間から外部にほとんど流出しない。接続空間に流入した洗浄液は、軸取付部２２の外周面２２ａに形成された各入口２１２ａから各第１供給流路２１２に流入する。洗浄液は各第１供給流路２１２を流れて各吐出口２１２ｂから処理カップ４の洗浄対象面に向かって吐出される。

また、図５の例では、筒状体６１の内周面６１ａには、上述のように供給溝６１４が形成されている。よって、接続空間において、筒状体６１の供給溝６１４以外の内周面６１ａと軸取付部２２の外周面２２ａとの間の距離を短く設定することができる。この構造によれば、第２供給流路６１１の出口６１１ｂから流出した洗浄液は主として供給溝６１４の内部を周方向に沿って流れつつ、各入口２１２ａから第１供給流路２１２へと流入する。基板保持部２の回転中も、各入口２１２ａは供給溝６１４と対向し続けるので、各入口２１２ａには、洗浄液が流入し続ける。つまり、基板保持部２がどの回転位置にあっても供給溝６１４の内部の洗浄液を第１供給流路２１２に供給できる。

以上のように、筒状体６１、第１シール６２１および第２シール６２２は、配管６３と基板保持部２内の第１供給流路２１２の入口２１２ａとの間に接続空間を形成して、基板保持部２の軸取付部２２に取り付けられる。よって、筒状体６１、第１シール６２１および第２シール６２２は、配管６３と基板保持部２の第１供給流路２１２とを接続する継手として機能する。

また、図５の例では、供給溝６１４の幅（鉛直方向に沿う幅）は基板保持部２の第１供給流路２１２の入口２１２ａの幅（鉛直方向に沿う幅）よりも大きい。これによれば、筒状体６１が軸取付部２２に対して鉛直方向に若干ずれて取り付けられたとしても、供給溝６１４を各入口２１２ａと対向させることができる。よって、洗浄液を第２供給流路６１１から第１供給流路２１２へ適切に供給することができる。言い換えれば、筒状体６１の軸取付部２２に対する取付の必要精度を低減することができる。

＜カップ洗浄処理の具体例＞
処理カップ４に対するカップ洗浄処理は、例えば、基板Ｗが基板保持部２に保持されていない状態で実施される。図７は、カップ洗浄処理の一例を示すフローチャートである。回転機構３は基板保持部２の回転を開始する（ステップＳ１）。次に、洗浄液供給部６が洗浄液の供給を開始する（ステップＳ２）。具体的には、バルブ６４が開放する。これにより、基板保持部２が回転しながら、その吐出口２１２ｂから処理カップ４の洗浄対象面に向かって洗浄液が吐出される。したがって、この洗浄液は処理カップ４の洗浄対象面を洗浄することができる。基板保持部２は回転しているので、各吐出口２１２ｂは回転軸線Ｑ１のまわりを周回しながら洗浄液を吐出する。よって、洗浄液を処理カップ４の洗浄対象面の全周に作用させることができる。

処理カップ４の洗浄が完了すると、洗浄液供給部６は洗浄液の供給を停止する（ステップＳ３）。具体的には、バルブ６４が閉じる。次に、回転機構３が基板保持部２の回転を停止させる（ステップＳ４）。

以上のように、処理ユニット１によれば、基板保持部２の内部に洗浄液の第１供給流路２１２が形成されて、その側面２ｂに吐出口２１２ｂが形成される。よって、吐出口２１２ｂから洗浄液を処理カップ４の洗浄対象面に吐出することができる。

しかも、特許文献１のように洗浄液を吐出するカップ洗浄部材を基板保持部２よりも径方向外側に設ける場合に比べて、基板保持部２の対向面２ａを径方向外側に広げることができる。よって、基板保持部２は基板Ｗをより大きい面積で保持することができる。したがって、基板保持部２は基板Ｗを安定して保持することができる。例えば図３に示すように、基板Ｗの中央部９１がその周縁部９２に対して薄い場合に、対向面２ａがその中央部９１の狭い領域のみを支持すると、基板Ｗの回転中に基板Ｗの周縁部９２が鉛直方向に大きく変動し得る。このような変動は処理不良を招き得る。

これに対して、処理ユニット１によれば、対向面２ａを広げることができるので、基板保持部２はより大きい面積で基板Ｗを保持することができる。したがって、基板Ｗを安定して保持することができ、回転中における基板Ｗの周縁部９２の変動を抑制することができる。

また、処理ユニット１によれば、洗浄液供給源６５と吐出口２１２ｂとの間の流路を密閉流路とすることができる（図５参照）。これによれば、洗浄液が意図しない部材に付着する可能性を低減することができる。

また、処理ユニット１によれば、洗浄液供給部６の配管６３と、基板保持部２の第１供給流路２１２とを接続する継手として機能する筒状体６１が、軸取付部２２に取り付けられる。つまり、筒状体６１は平面視において、回転軸線Ｑ１側（つまり、径方向内側の空間）に設けられる。よって、板状体２１の周縁部に対して下側の空間（つまり、径方向外側の空間）を空けることができる。したがって、当該空間を有効に利用することができる。例えば、当該空間に、基板Ｗの周縁部の下面に向かって処理液（例えば洗浄液）を吐出する下面処理ノズル（不図示）を設けてもよい。下面処理ノズルから基板Ｗの周縁部の下面に供給された処理液は、基板Ｗの回転に伴う遠心力を受けて基板Ｗの周縁へと移動し、基板Ｗの周縁から外側に飛散する。これにより、基板Ｗの周縁部の下面を洗浄することができる。

＜第１シールおよび第２シールの熱＞
基板保持部２の回転に伴う摩擦熱によって、第１シール６２１および第２シール６２２は昇温する。しかるに、低温の洗浄液が接続空間および第１供給流路２１２を流れるので、第１シール６２１および第２シール６２２を冷却することができる。これによれば、第１シール６２１および第２シール６２２の熱による劣化を抑制することできる。

＜洗浄液の排出＞
図５の例では、筒状体６１の内部には、洗浄液を排出するための排出流路６１５が形成されている。排出流路６１５は第２供給流路６１１に連通している。より具体的には、排出流路６１５の一端は供給溝６１４において開口している。この開口は排出流路６１５の入口として機能する。排出流路６１５は供給溝６１４から筒状体６１の内部を下側に向かって延在し、その他端が筒状体６１の下面において開口している。この開口は排出流路６１５の出口として機能する。排出流路６１５の断面は例えば略円形形状を有し、その入口および出口も例えば略円形形状を有する。供給溝６１４の径方向の幅は、第２挿入溝６１３の径方向の幅よりも広く、排出流路６１５は第２挿入溝６１３よりも径方向外側を鉛直方向に沿って延在している。

排出流路６１５の出口は配管６６を介して外部に排出される。配管６６の途中にはバルブ６７が設けられている。バルブ６７は配管６６の内部流路の開閉を切り替える。バルブ６７は制御部１４０によって制御される。

バルブ６７が開放することにより、供給溝６１４の内部に残留した処理液が排出流路６１５および配管６６を介して外部に排出される。ひいては、第２供給流路６１１、接続空間および第１供給流路２１２内に残留した洗浄液が排出される。

作業員は、例えば処理ユニット１のメンテナンス時において、ユーザインターフェース（不図示）を介して制御部１４０にバルブ６７の開放指示を入力する。制御部１４０はこの指示に応答して、バルブ６７を開放させる。これにより、第２供給流路６１１、接続空間および第１供給流路２１２内の洗浄液が配管６６を介して外部に排出される。よって、作業員が筒状体６１を基板保持部２から取り外しても、洗浄液が他の部材に付着する可能性を低減できる。

＜閉塞部材＞
図５を参照して、基板保持部２の第１供給流路２１２は、第１流路２１２１と、第２流路２１２２と、第３流路２１２３とを含む。第１流路２１２１は板状体２１の内部において、吐出口２１２ｂから回転軸線Ｑ１側に水平方向（具体的には、径方向）に沿って延在する。第２流路２１２２は、第１流路２１２１の回転軸線Ｑ１側の端部から下側に延在する。第２流路２１２２は板状体２１および軸取付部２２の内部に形成される。第３流路２１２３は軸取付部２２の内部において、入口２１２ａから水平方向に沿って延在して第２流路２１２２に連通する。

図５および図６の例では、基板保持部２の軸取付部２２には、第２流路２１２２の下端からさらに下側に延在して軸取付部２２の下面に至る孔２２２が形成されている。つまり、第２流路２１２２および孔２２２は鉛直方向に沿って連続しており、１本の貫通孔を形成している。孔２２２の断面は例えば第２流路２１２２と同形の略円形形状を有する。この貫通孔は軸取付部２２を鉛直方向に貫通しており、板状体２１の内部に形成された第１流路２１２１に連通する。

基板保持部２には、この孔２２２を閉塞する閉塞部材２５が設けられている。閉塞部材２５は例えば棒状の形状を有しており、孔２２２に挿入されて孔２２２を塞ぐ。図５および図６に例示するように、閉塞部材２５の上端は、第２流路２１２２と第３流路２１２３との接続位置よりも下側に位置している。閉塞部材２５は金属、セラミックまたは樹脂等の任意の材質によって形成される。例えば、閉塞部材２５は基板保持部２と同一の材質で構成されてもよい。

このような構造によれば、次に説明するように、基板保持部２に第１供給流路２１２を容易に形成することができる。例えば、軸取付部２２の下面から鉛直方向に沿って上記貫通孔を形成ことにより、軸取付部２２に第２流路２１２２および孔２２２を形成することができる。このような孔形成の手法としては、任意の手法を採用できるものの、例えばドリルを用いた切削加工を採用することができる。同様に、例えばドリルを用いて軸取付部２２の外周面２２ａから孔を形成することにより、第３流路２１２３を形成することができ、板状体２１の側面２ｂから孔を形成することにより、第１流路２１２１を形成することができる。このようにして基板保持部２に第１供給流路２１２を形成した後に、孔２２２を閉塞部材２５により閉塞する。

以上のように、簡単な孔あけ加工により、基板保持部２に第１供給流路２１２を形成することができる。

＜洗浄液の吐出方向＞
基板保持部２の側面２ｂに形成された吐出口２１２ｂの吐出方向は、処理カップ４の洗浄対象面を適切に洗浄できる方向に設定される。なお、吐出口２１２ｂの吐出方向は、第１供給流路２１２の延在方向によって規定される。例えば、当該第１供給流路２１２のうち吐出口２１２ｂ側の端部の延在方向が水平方向に沿っていれば、吐出口２１２ｂから水平方向に沿って洗浄液が吐出される。また、当該端部の延在方向が、径方向外側に向かうにしたがって上側に向かう上斜め方向に沿っていれば、吐出口２１２ｂから上斜め方向に沿って洗浄液が吐出される。同様に、当該端部の延在方向が、径方向外側に向かうにしたがって下側に向かう下斜め方向に沿っていれば、吐出口２１２ｂから下斜め方向に沿って洗浄液が吐出される。

さて、基板Ｗの上面は基板保持部２の吐出口２１２ｂよりも高い位置にあるので、基板Ｗの周縁から飛散した処理液は、処理カップ４に対して、吐出口２１２ｂよりも高い位置に付着し得る。よって、洗浄液が処理カップ４に付着した処理液を洗浄できるように、吐出口２１２ｂの吐出方向は上斜め方向に沿っていてもよい。これにより、吐出口２１２ｂから吐出された洗浄液は、処理カップ４をより適切に洗浄することができる。

また、上述の例では、カップ昇降機構４１が処理カップ４を昇降させることができるので、処理カップ４に対する洗浄液の着液位置を処理カップ４の昇降により調整することができる。例えば、カップ昇降機構４１が処理カップ４を下降させることで、吐出口２１２ｂから吐出された洗浄液は、処理カップ４のより上側の位置にあたる。そこで、カップ昇降機構４１はカップ洗浄処理の際に、基板Ｗに対する塗布処理時の処理カップ４の位置よりも下側の位置に処理カップ４を下降させてもよい。この場合、吐出口２１２ｂの吐出方向は必ずしも斜め上方向に沿っている必要はない。例えば、吐出口２１２ｂの吐出方向は水平方向に沿っていてもよく、あるいは、下斜め方向に沿っていてもよい。

また、複数の吐出口２１２ｂの吐出方向は互いに同じであってもよく、あるいは、互いに異なってもよい。

＜リフトピン＞
上述の例では、ピン貫通孔２１３は板状体２１の側面２ｂにおいて凹んでいる（図４参照）。しかしながら、必ずしもこれに限らない。ピン貫通孔２１３は側面２ｂから離れて形成されてもよい。この場合、ピン貫通孔２１３は平面視において例えば略円形形状を有する。

これによれば、側面２ｂを平面視において略円形形状に形成することができる。つまり、対向面２ａの周縁が略円形形状を呈する。この板状体２１の対向面２ａの周縁は基板Ｗを全周に亘って支持できるので、回転中における基板Ｗの周縁部９２の変動をさらに抑制することができる。また、板状体２１の対向面２ａの径をより大きくすることで、基板Ｗの周縁部９２の変動をさらに抑制することもできる。例えば板状体２１の径を基板Ｗの径と同程度に設定してもよい。

また、複数のリフトピン７１の径方向の位置は適宜に変更しても構わない。例えば、複数のリフトピン７１はより径方向内側の位置に設けられてもよい。この場合、複数のピン貫通孔２１３もより径方向内側の位置に形成される。もちろん、各ピン貫通孔２１３は板状体２１の内部に形成される流路（吸引流路および第１供給流路２１２）と干渉しないように形成される。これによっても、リフトピン７１は基板Ｗの下面を支持することができる。

また、基板保持部２の対向面２ａの径が基板Ｗの径よりも十分に小さく、その半径同士の差がリフトピン７１の幅以上である場合には、必ずしもピン貫通孔２１３が形成される必要はない。この場合、複数のリフトピン７１は平面視において、基板保持部２の側面２ｂと基板Ｗの周縁との間の環状領域内に配置されればよい。

＜基板保持部＞
図８は、基板保持部２の他の一例である基板保持部２Ａの構成の一例を概略的に示す断面図であり、図９は、基板保持部２Ａの構成の一例を概略的に示す平面図である。基板保持部２Ａは、対向面２ａの形状を除いて、基板保持部２と同様の構成を有している。

図８の例では、基板保持部２Ａの対向面２ａは基板Ｗの周縁部９２の下面に接触している。また、対向面２ａの吸引口２１１ａは、この基板Ｗの周縁部９２の下面に対向する位置に設けられている。これによれば、吸引口２１１ａは、基板Ｗのうちより厚みの大きい周縁部９２の下面を吸着する。よって、基板保持部２Ａはより安定して基板Ｗを保持することができ、回転中における基板Ｗの周縁部９２の変動をさらに抑制することができる。

図８の例では、基板保持部２Ａの対向面２ａは平坦ではなく、その周縁部において基板Ｗ側の突出した段差形状を有している。つまり、基板保持部２Ａの板状体２１は、円板状部材２３と、環状突起部２４とを含んでいる。円板状部材２３は略円板形状を有しており、その厚み方向が鉛直方向に沿うように配置される。円板状部材２３の中心軸は回転軸線Ｑ１に略一致する。図８の例では、円板状部材２３の径は基板Ｗの径と略等しい。

環状突起部２４は円板状部材２３の周縁に立設されており、上側に突出している。環状突起部２４は平面視において略円環形状を有しており、その中心軸は回転軸線Ｑ１の略一致する。環状突起部２４の上面は基板Ｗの周縁部９２の下面に当接する。

円板状部材２３の上面のうち環状突起部２４以外の領域、および、環状突起部２４の上面が、基板保持部２Ａの板状体２１の対向面２ａを構成する。

図８の例では、環状突起部２４の上面は略水平な平坦面であり、当該上面に吸引口２１１ａが形成されている。つまり、この吸引口２１１ａは基板Ｗの周縁部９２の下面と対向する。吸引口２１１ａから気体が吸引されることで、基板Ｗの周縁部９２の下面が対向面２ａに吸着される。図９の例では、吸引口２１１ａは環状突起部２４の上面において周方向に沿って延在しており、全周に亘って形成される。つまり、吸引口２１１ａは回転軸線Ｑ１について環状に形成される。吸引口２１１ａの中心軸は回転軸線Ｑ１に略一致する。吸引口２１１ａは板状体２１の内部に形成された吸引流路２１１に連通する。吸引流路２１１は、シャフト３２の中空部を貫通する吸引用の配管８１の一端に接続される。

図９の例では、吸引流路２１１は、円状流路２１１１と、放射状流路２１１２とを含んでいる。円状流路２１１１は平面視において略円形形状を有しており、吸引口２１１ａの下側に形成される。円状流路２１１１は吸引口２１１ａと鉛直方向において連通する。放射状流路２１１２は、回転軸線Ｑ１を中心として放射状に延在する。図９の例では、放射状流路２１１２は平面視において十字形状を有しており、その交点部が回転軸線Ｑ１と略一致する。放射状流路２１１２の各先端は円状流路２１１１に連通する。放射状流路２１１２の交点部は鉛直方向において配管８１の一端に接続される。

このような基板保持部２Ａは単一の部材によって構成されてもよく、あるいは、複数の部材が組み合わされて構成されてもよい。

この基板保持部２Ａによれば、吸引口２１１ａが基板Ｗの周縁部９２の下面と対向するので、基板保持部２Ａは、より厚い周縁部９２において基板Ｗを吸着できる。これによれば、薄い中央部９１のみにおいて基板Ｗを吸着する場合に比して、安定して基板Ｗを保持することができる。

しかも、上述の例では、吸引口２１１ａは回転軸線Ｑ１についての全周に亘って形成されている。よって、吸引口２１１ａは基板Ｗの周縁部９２の全周に亘って吸着力を作用させることができる。これによれば、回転中における基板Ｗの周縁部９２の変動を全周に亘って抑制することができる。

また、図８の例では、基板保持部２Ａの対向面２ａには、環状突起部２４よりも径方向内側（回転軸線Ｑ１側）において、複数の支持ピン２６が設けられている。支持ピン２６は円板状部材２３の上面に立設されており、上側に突出する。図９の例では、支持ピン２６は上側に向かうにつれて細くなる先細形状を有している。各支持ピン２６の高さは、各支持ピン２６の先端が環状突起部２４の上面と略同じ高さ位置となるように、設定される。複数の支持ピン２６は平面視において２次元的に分散して配置される。なお、図９では、図の煩雑を避けるために、支持ピン２６の図示が省略されている。

ここで、上記形状を対向面２ａに着目して説明すると、対向面２ａは、中央領域Ｒ１と、円環領域Ｒ２とを含んでいる。中央領域Ｒ１には、支持ピン２６が設けられる。円環領域Ｒ２は、中央領域Ｒ１よりも外周側において中央領域Ｒ１よりも上側（基板Ｗ側）に突出し、吸引口２１１ａが形成される。

支持ピン２６は、基板Ｗの中央部９１の下面を支持する。これによれば、薄くて撓みやすい基板Ｗの中央部９１を支持ピン２６によって支持することができるので、より適切に基板Ｗの撓みを抑制することができる。したがって、基板Ｗの上面により均一な膜厚の処理液の膜を形成できる。

また、支持ピン２６は略点接触で基板Ｗの下面を支持するとよい。これによれば、基板保持部２の対向面２ａと基板Ｗの下面との接触面積を低減することができる。よって、基板Ｗの下面に対する汚染を低減することができる。

なお、基板保持部２Ａとして、種々の形状を採用してもよい。例えば、図８において、支持ピン２６が省略されてもよい。さらに図８において、対向面２ａが略平坦であってもよい。

＜第２の実施の形態＞
図１０は、第２の実施の形態にかかる処理ユニット１Ａの構成の一例を示す図である。処理ユニット１Ａは、基板保持部２の構造および洗浄液供給部６の構造を除いて、処理ユニット１と同様の構成を有している。言い換えれば、洗浄機構が第１の実施の形態と相違する。図１０では、図の煩雑を避けるため、リフトピン７１およびピン昇降機構７２の図示を省略している。

処理ユニット１Ａの基板保持部２（以下、基板保持部２Ｂと呼ぶ）は、板状体２７と、軸取付部２８と、洗浄液案内部２９とを含んでいる。板状体２７は略円板形状を有しており、その厚み方向が鉛直方向に沿うように配置される。板状体２７の中心軸は回転軸線Ｑ１と略一致する。板状体２７の上面（対向面）２ａの上には基板Ｗが載置される。この対向面２ａは基板保持部２Ｂの上面でもある。対向面２ａの上には吸引口２１１ａが形成されており、当該吸引口２１１ａから気体が吸引されることにより、基板保持部２Ｂが対向面２ａにおいて基板Ｗを吸着して保持する。

対向面２ａには、複数の吸引口２１１ａが例えば２次元的に分散して形成される。板状体２７の内部には、吸引口２１１ａに連通する吸引流路２１１が形成されており、この吸引流路２１１は、中空のシャフト３２の内部に配置される配管８１の一端に接続される。吸引機構８３が配管８１の内部を負圧にすることで、吸引口２１１ａから気体が吸引されて、基板Ｗが吸着保持される。

軸取付部２８は、軸取付部２２と同様に、板状体２７の下面２７ｃの中央部から下側に延在しており、シャフト３２と結合する。軸取付部２８の外形形状は軸取付部２２と略同一である。ただし、軸取付部２８の内部に第２流路２１２２および第３流路２１２３が形成される必要はない。同様に、板状体２７の内部に第１流路２１２１が形成される必要はない。

板状体２７の下面２７ｃの周縁部には、フック状の洗浄液案内部２９が突設されている。洗浄液案内部２９は板状体２７の下面２７ｃの周縁部から下側に延在するとともに、回転軸線Ｑ１側に湾曲したフック形状を有している。洗浄液案内部２９は回転軸線Ｑ１の周方向に沿って延在しており、板状体２７の全周に亘って設けられている。

図１１は、洗浄液案内部２９の概略構成の一例を拡大して示す図である。洗浄液案内部２９の内面は、環状傾斜面２９ａと、環状凹面２９ｂとを有している。環状傾斜面２９ａは板状体２７の下面２７ｃから下側に延在する面であり、下側に向かうにしたがって径方向内側（図９において右側）に向かう斜め方向に傾斜している。環状傾斜面２９ａは回転軸線Ｑ１の周方向に延在して全周に亘って設けられる。

環状凹面２９ｂは、径方向断面においてＵ字状の形状を有しており、その径方向外側の端部が環状傾斜面２９ａの下側の端部に連結されている。環状凹面２９ｂも回転軸線Ｑ１の周方向に沿って延在して全周に亘って設けられる。つまり、環状凹面２９ｂの径方向外側の端部は全周に亘って環状傾斜面２９ａの下側の端部に連結される。

基板保持部２Ｂの側面２ｂは、板状体２７の側面および洗浄液案内部２９の径方向外側の外周面によって構成される。側面２ｂには、第１の実施の形態と同様に、吐出口２１２ｂが形成されている。図１１の例では、この吐出口２１２ｂは洗浄液案内部２９の外周面に形成されている。また、図１１の例では、洗浄液案内部２９の環状傾斜面２９ａの上側には、入口２１２ａが形成されている。図１１の例では、入口２１２ａおよび吐出口２１２ｂは径方向において並ぶ位置に形成されている。洗浄液案内部２９には、入口２１２ａから径方向外側に向かって延在して吐出口２１２ｂに至る第１供給流路２１２が形成されている。なお、第２の実施の形態では、第１供給流路２１２の長さは短いので、第１供給流路２１２は単なる孔と表現することもできる。

第１供給流路２１２は複数形成されてもよい。例えば、複数の第１供給流路２１２（孔）が周方向に沿って略等間隔で形成されてもよい。具体的な一例として、数十個の第１供給流路２１２が形成されてもよい。この場合、複数の第１供給流路２１２に対応して、側面２ｂに複数の吐出口２１２ｂが形成され、環状傾斜面２９ａに複数の入口２１２ａが形成される。

図１０を参照して、処理ユニット１Ａの洗浄液供給部６は洗浄液供給ノズル６８を含んでいる。洗浄液供給ノズル６８は、ベース板８の上に配置されている。ベース板８は、シャフト３２を囲む円環状の板状形状を有している。ベース板８は基板保持部２Ｂの板状体２７よりも下側に配置されている。よって、洗浄液供給ノズル６８も板状体２７よりも下側に配置される。このベース板８は処理ユニット１Ａの例えば底面に対して固定される。ベース板８の外径は例えば板状体２７の径よりも小さく、洗浄液供給ノズル６８は洗浄液案内部２９よりも径方向内側に配置されている。洗浄液供給ノズル６８は洗浄液を洗浄液案内部２９の内面（具体的には、環状傾斜面２９ａ）に向かって吐出する。

図１０の例では、複数（ここでは２つ）の洗浄液供給ノズル６８が設けられている。複数の洗浄液供給ノズル６８は周方向において略等間隔に設けられる。ここでは、２つの洗浄液供給ノズル６８が１８０度間隔で設けられている。

洗浄液供給ノズル６８は配管６３を介して洗浄液供給源６５に接続されている。配管６３の途中に設けられたバルブ６４が開放することにより、洗浄液供給源６５からの洗浄液が配管６３を介して洗浄液供給ノズル６８に供給される。洗浄液供給ノズル６８は洗浄液案内部６９の内面に向かって洗浄液を吐出する。

ここでは、洗浄液供給ノズル６８はベース板８に設けられており、回転軸線Ｑ１のまわりで回転しない。よって、基板保持部２Ｂの回転中に洗浄液供給ノズル６８から吐出される洗浄液は洗浄液案内部２９の内面（具体的には、環状傾斜面２９ａ）に対して全周に亘って供給される。環状傾斜面２９ａに供給された洗浄液は、基板保持部２Ｂの回転に伴う遠心力を受けて径方向外側に流れ、入口２１２ａから第１供給流路２１２を流れて吐出口２１２ｂから処理カップ４へと吐出される。

処理カップ４の洗浄処理の一例は、図７のフローチャートと同様である。つまり、基板保持部２Ｂが回転しながら、洗浄液が供給される（ステップＳ１、Ｓ２）。洗浄液供給ノズル６８から洗浄液案内部２９の内面に向かって吐出された洗浄液は、環状凹面２９ｂに貯留されつつ、基板保持部２Ｂの回転に伴う遠心力を受けて環状傾斜面２９ａに沿って上側に移動する。洗浄液は、環状傾斜面２９ａに形成された入口２１２ａから第１供給流路２１２に流入し、第１供給流路２１２の吐出口２１２ｂから処理カップ４へ向かって吐出される。

これにより、処理カップ４の洗浄対象面に洗浄液が供給され、処理カップ４の洗浄対象面が洗浄される。複数の吐出口２１２ｂは基板保持部２Ｂの回転に伴って周回するので、洗浄液は処理カップ４の洗浄対象面の全周に作用する。よって、処理カップ４の洗浄対象面を適切に洗浄することができる。

処理ユニット１Ａによれば、回転体である基板保持部２Ｂと、非回転体である洗浄液供給ノズル６８とは、空間的に互いに離れて設けられる。よって、洗浄液供給部６は、第１の実施の形態の処理ユニット１に比して、より簡易な構成で、基板保持部２Ｂの第１供給流路２１２に洗浄液を供給することができる。

以上、実施の形態が説明されたが、この基板処理装置はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。本実施の形態は、その開示の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。

例えば、第１の実施の形態では、軸取付部２２がシャフト３２の径方向外側に位置している。よって、基板保持部２の第１供給流路２１２の入口２１２ａは軸取付部２２の外周面２２ａに形成された。しかるに、軸取付部２２がシャフト３２の中空部に嵌合されて、シャフト３２が軸取付部２２の径方向外側に位置する場合もあり得る。この場合、入口２１２ａはシャフト３２（シャフト体）の外周面に形成されてもよい。筒状体６１はシャフト３２の入口２１２ａと対向するように、シャフト３２の外周面を囲めばよい。

２ 基板保持部
３ 回転機構
４ カップ（処理カップ）
６ 洗浄液供給部
２１ 板状体
２１ａ 対向面
２１ｂ 側面
２２ シャフト体（軸取付部）
２２ａ シャフト体の外周面（軸取付部の外周面）
２５ 閉塞部材
２６ 支持ピン
２７ 板状体
２９ 洗浄液案内部
６１ 筒状体
６１ａ 筒状体の内周面
６８ ノズル（洗浄液供給ノズル）
９１ 中央部
９２ 周縁部
２１１ａ 吸引口
２１２ 第１供給流路
２１２ｂ 第１供給流路の吐出口
２１２ａ 第１供給流路の入口
２２２ 孔
６１１ 第２供給流路
６１１ｂ 第２供給流路の出口
６１２ 排出流路
６１４ 溝（供給溝）
６２１ 第１シール
６２２ 第２シール
２１２１ 第１流路
２１２２ 第２流路
２１２３ 第３流路
Ｒ１ 中央領域
Ｒ２ 円環領域
Ｗ 基板

Claims (11)

1. 基板の下面と対向する対向面、および、前記対向面の周縁に連結された側面を有し、前記対向面において前記基板を保持し、かつ、前記側面に吐出口を有する第１供給流路が形成された基板保持部と、
   鉛直方向に沿う回転軸線のまわりで前記基板保持部を回転させる回転機構と、
   前記基板保持部を取り囲む筒状のカップと、
   洗浄液を前記第１供給流路に供給して前記吐出口から前記カップの洗浄対象面へと吐出させる洗浄液供給部と
   を備える、基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記基板保持部は、
   前記対向面および前記側面を有する板状体と、
   前記板状体の下面から下側に延在するシャフト体と
   を含み、
   前記第１供給流路の入口は前記シャフト体の外周面に形成されており、
   前記洗浄液供給部は、
   前記シャフト体の前記外周面を囲む筒状体と、
   前記第１供給流路の前記入口に対して上側および下側のそれぞれにおいて、前記シャフト体の前記外周面と前記筒状体の内周面との間を封止する第１シールおよび第２シールと
   を含み、
   前記筒状体には、第２供給流路が形成されており、
   前記第２供給流路は、前記筒状体の前記内周面のうち前記第１シールと前記第２シールとの間において出口を有しており、
   前記洗浄液供給部は前記洗浄液を前記第２供給流路に供給して、前記洗浄液を前記第２供給流路の前記出口から前記第１供給流路の前記入口へと供給する、基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置であって、
   前記筒状体の前記内周面には、前記第２供給流路の前記出口を含む位置において全周に亘って溝が形成されており、
   前記第１供給流路の前記入口は、前記溝と対向する位置に形成されている、基板処理装置。
4. 請求項３に記載の基板処理装置であって、
   前記溝の幅は、前記第１供給流路の前記入口の幅よりも広い、基板処理装置。
5. 請求項３または請求項４に記載の基板処理装置あって、
   前記筒状体には、前記溝の内部の前記洗浄液を外部に排出する排出流路が形成されている、基板処理装置。
6. 請求項２から請求項５のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
   前記第１供給流路は、
   前記板状体の内部において、前記吐出口から前記回転軸線側に延在する第１流路と、
   前記第１流路から下側に延在する第２流路と、
   前記シャフト体の内部において、前記第１供給流路の前記入口から延在して前記第２流路に連通する第３流路と
   を含み、
   前記シャフト体には、前記第２流路の下端から下側に延在して前記シャフト体の下面に至る孔が形成されており、
   前記基板保持部は、前記第２流路と前記第３流路との接続位置よりも下側において、前記孔を塞ぐ閉塞部材をさらに含む、基板処理装置。
7. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記基板保持部は、
   前記対向面および前記側面を有する板状体と、
   前記板状体の周縁から下側に突設され、前記回転軸線側に湾曲したフック状の洗浄液案内部と
   を含み、
   前記第１供給流路の入口は、前記洗浄液案内部の内面に形成されており、
   前記洗浄液供給部は、前記洗浄液案内部の前記内面に向けて前記洗浄液を吐出するノズルを含む、基板処理装置。
8. 請求項１から請求項７のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
   前記基板保持部の前記対向面には、前記基板を吸着するための吸引口が形成されている、基板処理装置。
9. 請求項８に記載の基板処理装置であって、
   前記吸引口は前記回転軸線についての環状に形成されている、基板処理装置。
10. 請求項８または請求項９に記載の基板処理装置であって、
    前記基板は、中央部よりも周縁部において厚い形状を有しており、
    前記吸引口は、前記基板保持部の前記対向面のうち、前記周縁部と対向する位置に形成されている、基板処理装置。
11. 請求項８から請求項１０のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
    前記基板保持部の対向面は、
    前記基板の下面を支持する複数の支持ピンが設けられた中央領域と、
    前記中央領域よりも外周側において前記中央領域よりも前記基板側に突出し、前記吸引口が形成された円環領域と
    を含む、基板処理装置。

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