JP2021044329A - 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付すものとし、適宜重複した説明は省略する。図1は、第1実施形態に係る半導体発光素子10を示す模式図である。
次に、本発明の第2実施形態について図3を用いて説明する。第1実施形態と重複する内容は説明を省略する。図3は、第2実施形態に係る半導体発光素子30の柱状半導体層部分の構造を拡大して示す模式図である。本実施形態では、除去領域19において活性層15の一部まで除去する点が第1実施形態と異なっている。
次に、本発明の第3実施形態について図4を用いて説明する。第1実施形態と重複する内容は説明を省略する。図4は、第3実施形態に係る半導体発光素子40の柱状半導体層部分の構造を拡大して示す模式図である。本実施形態では、アノード電極22,23を形成する領域に柱状半導体層を形成していない点が第1実施形態と異なっている。
次に、本発明の第4実施形態について図6を用いて説明する。第1実施形態と重複する内容は説明を省略する。図6は、第4実施形態に係る半導体発光素子50の柱状半導体層部分の構造を拡大して示す模式図である。本実施形態では、除去領域19において柱状半導体層の上部に絶縁膜26が形成されており、絶縁膜26と埋込半導体層18を覆って透明電極25が形成されている点が第1実施形態と異なっている。
次に、本発明の第5実施形態について図7を用いて説明する。第1実施形態と重複する内容は説明を省略する。図7は、第5実施形態に係る半導体発光素子60の柱状半導体層部分の構造を拡大して示す模式図である。本実施形態では、n型ナノワイヤ層14の最上部に高抵抗層27が形成されている点が第1実施形態と異なっている。
11…成長基板
12…下地層
13…マスク
14…n型ナノワイヤ層
15…活性層
16…p型半導体層
17…トンネル接合層
18…埋込半導体層
19…除去領域
20…カソード電極
22…アノード電極
24…延伸部
25…透明電極
26…絶縁膜
27…高抵抗層
Claims (8)
- 成長基板と、前記成長基板上に形成された柱状半導体層と、前記柱状半導体層を覆う埋込半導体層とを備える半導体発光素子であって、
前記柱状半導体層は、中心にn型ナノワイヤ層が形成され、前記n型ナノワイヤ層よりも外周に活性層が形成され、前記活性層よりも外周にp型半導体層が形成され、前記p型半導体層よりも外周にトンネル接合層が形成されており、
前記柱状半導体層の少なくとも一部に、前記埋込半導体層から前記トンネル接合層の一部まで除去された除去領域が設けられていることを特徴とする半導体発光素子。 - 請求項1に記載の半導体発光素子であって、
前記柱状半導体層を複数備え、前記除去領域が複数の前記柱状半導体層にわたって設けられていることを特徴とする半導体発光素子。 - 請求項1または2に記載の半導体発光素子であって、
前記除去領域は、前記p型半導体層の一部まで除去されていることを特徴とする半導体発光素子。 - 請求項1または2に記載の半導体発光素子であって、
前記除去領域は、前記活性層の一部まで除去されていることを特徴とする半導体発光素子。 - 請求項1または2に記載の半導体発光素子であって、
前記除去領域は、前記n型ナノワイヤ層の一部まで除去されていることを特徴とする半導体発光素子。 - 請求項1から5の何れか一つに記載の半導体発光素子であって、
前記除去領域上に絶縁膜が形成され、前記埋込半導体層の少なくとも一部および前記除去領域を覆って透明電極が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。 - 請求項1から6の何れか一つに記載の半導体発光素子であって、
前記n型ナノワイヤ層の最上部に高抵抗層が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。 - 成長基板上に開口部を有するマスク層を形成するマスク工程と、選択成長を用いて前記開口部に柱状半導体層を形成する成長工程と、前記柱状半導体層を覆うように前記成長基板上に埋込半導体層を成長させる埋込工程とを有し、
前記成長工程は、n型ナノワイヤ層を形成する工程と、前記n型ナノワイヤ層よりも外側に活性層を形成する工程と、前記活性層よりも外側にp型半導体層を形成する工程と、前記p型半導体層よりも外側にトンネル接合層を形成する工程を含み、
前記埋込工程後に、前記柱状半導体層の少なくとも一部に前記埋込半導体層から前記トンネル接合層の一部まで除去して除去領域を形成する除去工程と、
前記除去工程後に、前記p型半導体層をアニールする活性化工程を有することを特徴とする半導体発光素子の成長方法。
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