JP2021040901A - 粒子線治療装置および粒子線治療装置の補正方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ガントリと共に回転するビーム発生装置内の粒子ビームの軌道を補正することができるようにした技術を提供すること。【解決手段】粒子線治療装置１は、粒子ビームを発生させるビーム発生装置１１と該ビーム発生装置で発生した粒子ビームを標的へ照射する照射装置１３とを含み、標的３に対して回転するガントリ１４と、ガントリを制御する制御装置とを備え、制御装置は、ガントリの回転角に応じて、ビーム発生装置内の粒子ビームの軌道を補正する。【選択図】図１

Description

本発明は、粒子線治療装置および粒子線治療装置の補正方法に関する。

がん治療法の一つである粒子線治療は、陽子や炭素イオンなどの荷電粒子ビームを患部へ照射する。粒子線治療に用いる粒子線治療装置では、荷電粒子ビームのエネルギおよび空間的な広がりを調整し、患部の形状に合わせた線量分布を形成する。粒子線治療装置は、加速器とビーム輸送系と照射装置を含む。加速器は、治療に用いるエネルギまで荷電粒子ビームを加速する装置である。粒子線治療に用いられる加速器としては、シンクロトロン、サイクロトロン、シンクロサイクロトロンなどがある。

加速器としてシンクロトロンを用いる場合、加速器を構成する電磁石の設置誤差などにより、周回するビーム軌道が設計に対してずれたり、閉軌道に歪みが生じたりする。閉軌道の歪みは、ビーム損失を引き起こすため、予め補正する必要がある。その補正方法として、特許文献１の方法が知られている。

ところで、粒子線治療装置は、回転ガントリと呼ばれるビーム輸送系を備える。回転ガントリは、患部の周りを回転し、任意の方向から患部へビームを照射する。特許文献２には、回転ガントリと加速器とが同時に回転する技術が記載されている。

特開昭６３−３０７７００号公報 特開２０１４−２２３５５５号公報

粒子ビームを加速する加速器が回転ガントリと一体的に回転する粒子線治療装置では、ガントリの回転に伴って、加速器内の電磁石の位置がずれる可能性がある。加速器を構成する電磁石の位置がずれると、加速器内を周回する粒子ビームの閉軌道に歪みが発生し、粒子ビームにロスが生じる懸念がある。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、その目的は、ガントリと共に回転するビーム発生装置内の粒子ビームの軌道を補正することができるようにした粒子線治療装置および粒子線治療装置の補正方法を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明の一つの観点にしたがう粒子線治療装置は、粒子ビームを発生させるビーム発生装置と該ビーム発生装置で発生した粒子ビームを標的へ照射する照射装置とを含み、標的に対して回転するガントリと、ガントリを制御する制御装置とを備え、制御装置は、ガントリの回転角に応じて、ビーム発生装置内の粒子ビームの軌道を補正する。

本発明によれば、ガントリとともに回転するビーム発生装置内の粒子ビームの軌道を、ガントリの回転角に応じて補正することができる。

粒子線治療装置の全体構成図である。 ビーム発生装置の構成図である。 粒子ビームの閉軌道歪みを補正する装置の構成図である。 電磁石への通電を制御する補正テーブルである。 第２実施例に係り、粒子線治療装置の構成図である。 閉軌道歪みを補正する処理を示すフローチャートである。 第３実施例に係り、粒子線治療装置の構成図である。 第４実施例に係り、電磁石の位置を調整する概要を示す説明図である。 第５実施例に係り、補正量を算出する処理を示すフローチャートである。 第６実施例に係り、複数の粒子線治療装置間で電磁石の補正量を共有する全体概要図である。

以下、図面に基づいて、本発明の実施の形態を説明する。本実施形態では、ガントリと共に加速器が回転することにより発生する粒子ビームの閉軌道歪みを補正可能な技術を開示する。本実施形態の粒子線治療装置では、ガントリの回転角に応じて、ビーム発生装置である加速器中の軌道を補正する。以下の説明では、荷電粒子ビームを粒子ビームまたはビームと略記する場合がある。

図１〜図４を用いて、第１実施例を説明する。図１は、粒子線治療装置１の全体構成図である。粒子線治療装置１は、それぞれ後述するように、例えば、ビーム発生装置１１と、高エネルギビーム輸送系１２と、照射野形成装置１３と、回転ガントリ（以下、ガントリとも呼ぶ）１４と、全体制御装置２１と、加速器制御装置２２と、回転ガントリ制御装置２３と、高エネルギビーム輸送系制御装置２４と、表示装置２５とを備える。

ビーム発生装置１１は、荷電粒子ビームを発生させて加速する装置である。ビーム発生装置１１は、加速器とも呼ぶ。高エネルギビーム輸送系１２は、ビーム発生装置１１から取り出されたビームを輸送する。照射野形成装置１３は、高エネルギビーム輸送系１２に接続されており、高エネルギビーム輸送系１２からの荷電粒子ビームを照射対象の患者３の任意の範囲に照射する。回転ガントリ１４は、ビーム発生装置１１と高エネルギビーム輸送系１２と照射野形成装置１３とを搭載しており、回転軸２を中心に回転する。回転ガントリ１４は、荷電粒子ビームを複数の方向から患者３へ照射する。

全体制御装置２１は、粒子線治療装置１の動作を制御する。全体制御装置２１は、例えば、ビーム発生装置１１を制御する加速器制御装置２２と、回転ガントリ１４を制御する回転ガントリ制御装置２３と、高エネルギビーム輸送系１２を制御する高エネルギビーム輸送系制御装置２４とに接続されており、これら制御装置２２，２３，２４の運転を制御する。

全体制御装置２１は、後述の補正量テーブルＴ１および制御プログラム（不図示）などを記憶する記憶装置２１１を有する。さらに、全体制御装置２１は、例えば、マイクロプロセッサ、メモリ、入出力インターフェース、通信インターフェースなどのコンピュータ資源を有するコンピュータシステムとして構成される。

表示装置２５は、全体制御装置２１に接続されている。表示装置２５は、技師や医師などのユーザへ情報を提供したり、ユーザからの指示を受け取ったりする装置である。例えば、ユーザは、表示装置２５に表示される画面を通じて、各制御装置２２，２３，２４の運転情報を入力する。さらにユーザは、表示装置２５を介して、粒子線治療装置１の各部１１，１２，１３，１４の運転状態を確認することができる。

図２は、ビーム発生装置１１をシンクロトロンとして構成する場合の例を示す。シンクロトロンとして構成されるビーム発生装置１１は、例えば、入射器１１１と、低エネルギビーム輸送系１１２とを備え、入射器１１１及び低エネルギビーム輸送系１１２を通過させることにより荷電粒子ビームを加速する。

入射器１１１からビーム発生装置１１へ入射された荷電粒子ビームは、所定の運動エネルギまで加速されて、高エネルギビーム輸送系１２へ取り出される。入射器１１１には、例えば、ライナックが用いられる。ライナックは、図示せぬイオン源で生成させた粒子ビームをビーム発生装置１１への入射に適したエネルギになるまで加速する。

入射器１１１から取り出された荷電粒子ビームは、低エネルギビーム輸送系１１２及び入射用インフレクタ１１３を経由して、シンクロトロン（ビーム発生装置１１）へ入射される。ビーム発生装置１１は、入射用インフレクタ１１３と、偏向電磁石１１４と、四極電磁石１１５と、ステアリング電磁石１１６と、ビームモニタ１１７と、六極電磁石１１８と、高周波加速空胴１２０と、取り出し用高周波電圧印加装置１２１と、出射用デフレクタ１２２とを備える。

「二極電磁石」の一例としての偏向電磁石１１４は、ビーム発生装置１１中を周回するビームを偏向させることにより、所定の周回軌道を形成する。ここで、周回ビームの進行方向に沿った方向を進行方向（ビームが進む方向を正）、進行方向に垂直で偏向電磁石１１４の動径方向に沿った方向を水平方向（シンクロトロン外側方向を正）、進行方向及び水平方向の両方に垂直な方向を垂直方向と呼ぶ（図面手前方向を正）。

ビーム発生装置１１の設計上の周回ビーム軌道を、中心軌道と呼ぶ。周回ビーム粒子は中心軌道の周りを水平及び垂直方向に振動する。この振動をベータトロン振動という。また、シンクロトロン一周あたりのベータトロン振動の振動数をチューンという。四極電磁石１１５は、周回ビームに対して収束あるいは発散の力を加えることにより、周回ビームのチューンを周回ビームが安定となる値に保つ。

高周波加速空胴１２０は、周回ビームに進行方向の高周波電圧を印加することにより、周回ビームを進行方向の所定の位相に捕獲して、所定のエネルギまで加速させる。高周波電圧により捕獲された周回ビーム粒子の運動量は、設計上の運動量（以下、中心運動量）を中心として振動する。この振動をシンクロトロン振動という。周回ビームを加速させる間、偏向電磁石１１４の励磁量と四極電磁石１１５の励磁量とを周回ビームの運動量に比例して増加させるとともに、加速電圧の周波数を適切な値に制御することにより、周回ビーム軌道及び周回ビームのチューンを一定に保つ。

周回ビームの加速が完了した後、ビーム発生装置１１は、四極電磁石１１５の励磁量を変更して、周回ビームの水平チューンを周回ビームが不安定となる値（以下、共鳴線）に接近させる。これとともに、ビーム発生装置１１は、六極電磁石１１８を励磁することにより、中心軌道からの距離の二乗に比例する強度の磁場（以下、六極磁場）を周回ビームへ印加し、周回ビームの粒子の水平方向の位置と傾きとにより定義される位相空間上に、水平ベータトロン振動の安定限界（以下、セパラトリクス）を形成する。

取り出し用高周波電圧印加装置１２１は、水平チューンと同期する周波数の水平方向の高周波電圧を周回ビームに印加し、周回ビームの粒子の水平ベータトロン振動の振幅を増大させる。

水平ベータトロン振動の振幅が増大してセパラトリクスを越えた周回ビーム粒子は、水平ベータトロン振動の振幅を急激に増大させて、出射用デフレクタ１２２へ入射する。出射用デフレクタ１２２は、入射した周回ビーム粒子を水平方向に偏向し、ビーム発生装置１１の外へ取り出す。

図３に、閉軌道の歪みを補正する制御装置２２の構成を示す。本実施例の閉軌道歪み補正の制御装置２２は、例えば、ビーム位置計測装置２２１と、ステアリング電磁石制御装置２２２と、偏向電磁石制御装置２２３と、演算装置２２４とを備える。

ビーム位置計測装置２２１は、ビームモニタ１１７からの信号を処理することにより、周回ビームの水平方向及び垂直方向のビーム位置を測定する。ステアリング電磁石制御装置２２２は、ステアリング電磁石１１６のコイルへ流す電流値を制御する。ステアリング電磁石１１６は、「二極電磁石」の他の一例である。偏向電磁石制御装置２２３は、偏向電磁石１１４のコイルへ流す電流値を制御する。演算装置２２４は、ビーム位置計測装置２２１の計測値に基づいて演算することにより、ステアリング電磁石制御装置２２２及び偏向電磁石１１４へ電流指令値を与える。

ビームを複数の方向から患者３へ照射するため、回転ガントリ１４は、回転軸２の周りを回転する。ビーム発生装置１１を構成する偏向電磁石１１４及び四極電磁石１１５は、それぞれにかかる重力と支持体（不図示）からの抗力とによって、進行方向軸と水平方向周りと垂直方向周りとに微小に回転移動したり平行移動したりして、力が釣り合ったところで静止する。

ビーム発生装置１１が回転ガントリ１４と共に回転した場合、電磁石にかかる力が釣り合うための回転量及び平行移動量は、回転軸２の回転角に応じて変動する。したがって、ビーム発生装置１１を構成する偏向電磁石１１４及び四極電磁石１１５の設置位置は、回転ガントリ１４の回転に伴って変動する。これら電磁石１１４，１１５の設置位置の変動によって、周回ビームには回転角に依存した閉軌道歪みが発生する。

閉軌道歪みは、周回ビームの水平方向位置及び垂直方向位置を、ビームモニタ１１７とビーム位置計測装置２２１とを用いて計測することにより確認する。演算装置２２４は、ビーム位置計測装置２２１のビーム位置計測値に基づいて演算し、閉軌道歪みを補正するために必要な、ステアリング電磁石制御装置２２２の電流指令値及び偏向電磁石制御装置２２３の電流指令値を算出する。

算出された電流指令値に応じた二極磁場が、偏向電磁石１１４のギャップ間とステアリング電磁石１１６のギャップ間とにそれぞれ発生する。この二極電場により、水平方向のキック量及び垂直方向のキック量が周回ビームに与えられる。二極磁場によるキック量は、閉軌道歪みを補正するように与えられるため、閉軌道歪みが補正される。

図４は、ガントリ１４の回転角に応じて各偏向電磁石１１４と各ステアリング電磁石１１６へ与える補正量としての電流指令値を記憶する補正テーブルＴ１の例である。テーブルＴ１には、ガントリ１４の回転角ごとに、各電磁石を制御する制御装置への電流指令値が記憶されている。

なお、補正量としての電流指令値をガントリの回転角ごとに予め算出してテーブルＴ１に記憶させる方法に代えて、予め用意された演算式にガントリの回転角を入れることにより、適切な電流指令値を得る方法を採用してもよい。

このように構成される本実施例によれば、ガントリ１４の回転角に応じて、閉軌道歪みを補正することができる。その他照射に用いる角度についても、同様の手続きにより閉軌道歪みが補正される。これにより、粒子ビームのロスが生じるのを防止することができ、信頼性を向上させることができる。

なお、閉軌道歪みがガントリ１４の回転角による再現性がある場合、すなわちガントリ１４の回転角ごとに決まった閉軌道歪みが発生する場合、閉軌道歪みの補正が完了したステアリング電磁石制御装置２２２の電流指令値及び偏向電磁石制御装置２２３の電流指令値を、ガントリ１４の回転角ごとに記憶装置２１１に予め記憶しておき、照射時の回転角に応じて電流指令値を参照してもよい。この例を図４のテーブルＴ１に示した。

図５および図６を用いて第２実施例を説明する。本実施例を含む以下の各実施例では、第１実施例との相違を中心に述べる。

図５は、本実施例の粒子線治療装置１Ａの要部を示す構成図である。本実施例の粒子線治療装置１Ａは、第１実施例で述べた粒子線治療装置１の構成に加えて、非接触型変位計４１と機器変位測定装置２２５とを備える。

非接触型変位計４１は、回転ガントリ１４の回転とは独立に設置されており、ビーム発生装置１１を構成する機器の設計位置に対する変位を、音波もしくは電磁波を用いて非接触で計測する。非接触型変位計４１が変位を計測する対象は、例えばビームモニタ１１７である。この場合、非接触型変位計４１は、回転ガントリ１４の回転に伴って発生するビームモニタ１１７の微少な位置ずれを計測する。すなわち、非接触型変位計４１は、ビームモニタ１１７が回転ガントリ１４の回転に伴って設計位置から微小に回転及び平行移動することにより生じる変位を計測する。

本実施例では、ビームモニタ１１７で計測したビーム位置に加えて、非接触型変位計４１により検出されるビームモニタ１１７の変位量も用いて、閉軌道歪み補正を行う。

図６は、粒子線治療装置１Ａの閉軌道歪み補正制御のフローチャートを示す。閉軌道歪み補正制御処理は、例えば、ビーム位置を測定するステップＳ１１と、ビームモニタの変位を測定するステップＳ１２と、補正が完了したか判定するステップＳ１３と、電磁石への励磁電流を補正するステップＳ１４と、を備える。

加速器制御装置２２は、補正制御を開始すると、ビームモニタ１１７によりビーム位置を計測する（Ｓ１１）。そして、加速器制御装置２２は、非接触型変位計４１を用いて、ビームモニタ１１７の設計位置からの変位を計測する（Ｓ１２）。ステップＳ１２での変位計測は、非接触型変位計４１に対する絶対座標系における変位の計測でもよいし、回転ガントリ１４中のある基準点に対する相対的な変位の計測でもよい。

加速器制御装置２２は、ステップＳ１１の測定結果とステップＳ１３の測定結果とから、ビームモニタ１１７の変位を考慮したビーム位置を算出する（Ｓ１３）。さらに、加速器制御装置２２は、算出されたビーム位置が閉軌道歪み補正制御の終了条件の範囲内にあれば（Ｓ１３：ＹＥＳ）、補正制御を終了する。

これに対し、加速器制御装置２２は、前記終了条件を満たさない場合（Ｓ１３：ＮＯ）、偏向電磁石１１４の励磁電流とステアリング電磁石１１６の励磁電流とを制御し（Ｓ１４）、ステップＳ１３へ戻る。

このように構成される本実施例も第１実施例と同様の作用効果を奏する。さらに、本実施例では、ビームモニタ１１７の設計位置からの変位を非接触型変位計４１により計測し、ビームモニタ１１７の変位を考慮したビーム位置を算出するため、より正確にガントリの回転角に応じた閉軌道歪みを補正することができる。

図７を用いて第３実施例を説明する。本実施例では、非接触型変位計４１に代えて、接触型変位計４２を用いる。

接触型変位計４２は、例えば歪みセンサである。機器変位測定装置２２５は、歪みセンサからの出力信号を処理することにより、ビームモニタ１１７の設置面の歪みを算出し、算出された歪みと変位との相関に基づいてビームモニタ１１７の変位を算出する。

このように構成される本実施例も第２実施例と同様の作用効果を奏する。

図８を用いて第４実施例を説明する。本実施例では、偏向電磁石１１４および／またはステアリング電磁石１１６へ通電する励磁電流を調整するのではなく、偏向電磁石１１４および／またはステアリング電磁石１１６の位置（姿勢を含む。）のずれをアクチュエータ５２により元に戻す。

図８は、電磁石１１４，１１６のガントリ１４の回転に伴う位置ずれを元に戻すための機構を示す説明図である。加速器制御装置２２は、調整用アクチュエータを制御する装置５１を備える。調整用アクチュエータ制御装置５１は、電磁石１１４，１１６の周囲に適宜配置された一つまたは複数のアクチュエータ５２の動作を制御する。

アクチュエータ５２は、例えばソレノイド、電動モータ、超音波モータ、圧電アクチュエータなどから構成される。調整用アクチュエータ制御装置５１は、アクチュエータ５１の動作を制御することにより、電磁石１１４，１１６の設計位置からのずれが解消するように、電磁石１１４，１１６の位置を変化させる。このように構成される本実施例も第１実施例と同様の作用効果を奏する。

図９を用いて第５実施例を説明する。本実施例では、補正テーブルＴ１に代えて、所定の関数から補正量（励磁電流値）を算出する。

図９は、偏向電磁石１１４および／またはステアリング電磁石１１６の補正量を算出する補正処理を示すフローチャートである。

加速器制御装置２２は、現在のガントリの回転角を取得し（Ｓ１４１）、取得した回転角を所定の関数へ入れることにより、補正量を算出する（Ｓ１４２）。そして、加速器制御装置２２は、算出された補正量に応じた制御信号（励磁電流値）を偏向電磁石制御装置２２３および／またはステアリング電磁石制御装置２２２へ出力する（Ｓ１４３）。

所定の関数は、実験またはシミュレーションにより事前に求めることができる。ビームの閉軌道歪みは、回転ガントリ１４の回転角によって周期的に変化すると考えられるため、この周期性を示す関数を事前に設定することにより、回転ガントリ１４の回転角に応じた補正量を算出できる。

このように構成される本実施例も第１実施例と同様の作用効果を奏する。さらに本実施例によれば、補正量を関数から導出するため、テーブルＴ１を用いる場合に比べて図示せぬメモリの消費量を低減できる。

図１０を用いて第６実施例を説明する。本実施例では、複数の粒子線治療装置１（１）〜１（ｎ）間でガントリの回転角に応じた電磁石１１４，１１６の補正量を共有できるようにした。

管理装置６は、通信ネットワークＣＮを介して、複数の粒子線治療装置１（１）〜１（ｎ）と双方向通信可能に接続されている。管理装置６は、管理下の粒子線治療装置から補正量の設定に関する情報を取得する取得機能６１１と、取得された情報を記憶する記憶機能６１２と、記憶された情報を他の粒子線治療装置へ通知して設定させる通知機能６１３とを備える。

例えば、管理装置６は、粒子線治療装置１（１）に設定されている補正量に関する情報（テーブルＴ１または所定関数）を通信ネットワークＣＮを介して取得機能６１１により取得し、記憶機能によりメモリ（不図示）に記憶させる。そして、管理装置６は、記憶された補正量に関する情報を通知機能６１３から通信ネットワークＣＮを介して他の粒子線治療装置１（ｎ）へ送信する。他の粒子線治療装置１（ｎ）は、管理装置６から受領した情報に基づいて、ガントリの回転角に応じた補正量を決定する。

このように構成される本実施例も第１実施例と同様の作用効果を奏する。さらに、本実施例では、或る粒子線治療装置１（１）で使用されている情報（ガントリの回転角に応じて電磁石への励磁電流を補正する情報）を他の粒子線治療装置１（ｎ）でも利用することができる。

なお、本発明は、上述した実施形態に限定されない。当業者であれば、本発明の範囲内で、種々の追加や変更等を行うことができる。上述の実施形態において、添付図面に図示した構成例に限定されない。本発明の目的を達成する範囲内で、実施形態の構成や処理方法は適宜変更することが可能である。

また、本発明の各構成要素は、任意に取捨選択することができ、取捨選択した構成を具備する発明も本発明に含まれる。さらに特許請求の範囲に記載された構成は、特許請求の範囲で明示している組合せ以外にも組み合わせることができる。

１：粒子線治療装置、２：回転軸、３：患者、６：管理装置、１１：ビーム発生装置、１２：高エネルギビーム輸送系、１３：照射野形成装置、１４：回転ガントリ、２１：全体制御装置、２２：加速器制御装置、２３：回転ガントリ制御装置、２４：回転ガントリ制御装置、２５：表示装置、４１，４２：変位計、５１：調整用アクチュエータ制御装置、５２：調整用アクチュエータ、６１：補正量設定装置、１１１：入射器、１１２：低エネルギビーム輸送系、１１３：入射用インフレクタ１１３、１１４：偏向電磁石、１１５：四極電磁石、１１６：ステアリング電磁石、１１７：ビームモニタ、１１８：六極電磁石、１２０：高周波加速空胴、１２１：取り出し用高周波電圧印加装置、１２２：出射用デフレクタ、２１１：記憶装置、２２１：ビーム位置計測装置、２２２：ステアリング電磁石制御装置、２２３：偏向電磁石制御装置、２２４：演算装置、２２５：機器変位測定装置

Claims (14)

1. 粒子線治療装置であって、
   粒子ビームを発生させるビーム発生装置と該ビーム発生装置で発生した粒子ビームを標的へ照射する照射装置とを含み、前記標的に対して回転するガントリと、
   前記ガントリを制御する制御装置とを備え、
   前記制御装置は、前記ガントリの回転角に応じて、前記ビーム発生装置内の粒子ビームの軌道を補正する、
   粒子線治療装置。
2. 前記ビーム発生装置は、加速器を構成する二極電磁石を有し、
   前記制御装置は、前記ガントリの回転角に応じて、前記二極電磁石を用いて前記粒子ビームの軌道を補正する、
   請求項１に記載の粒子線治療装置。
3. 前記ビーム発生装置は、さらに粒子ビームを計測するビームモニタを備えており、
   前記制御装置は、前記ビームモニタの計測結果と前記ガントリの回転角とに応じて、前記二極電磁石により粒子ビームの軌道を補正する、
   請求項２に記載の粒子線治療装置。
4. 前記ビームモニタの変位を計測する変位計測装置をさらに備え、
   前記制御装置は、前記ビームモニタの計測結果と前記ガントリの回転角と前記変位計測装置の計測結果とに応じて、前記二極電磁石により粒子ビームの軌道を補正する、
   請求項３に記載の粒子線治療装置。
5. 前記変位計測装置は、前記ビームモニタの変位を非接触で計測する、
   請求項４に記載の粒子線治療装置。
6. 前記変位計測装置は、前記ビームモニタの変位を接触して計測する、
   請求項５に記載の粒子線治療装置。
7. 前記二極電磁石は、粒子ビームを偏向させることにより所定の周回軌道を形成する偏向電磁石である、
   請求項２に記載の粒子線治療装置。
8. 前記二極電磁石は、粒子ビームの所定の周回軌道からのずれを補正するステアリング電磁石である、
   請求項２に記載の粒子線治療装置。
9. 前記制御装置は、前記ガントリの回転角に応じて、前記二極電磁石の位置または姿勢を調整することにより、前記ビーム発生装置内の粒子ビームの軌道を補正する、
   請求項２に記載の粒子線治療装置。
10. ビーム発生装置と照射装置を含んで回転するガントリを備える粒子線治療装置を補正する方法であって、
    前記粒子線治療装置の制御装置は、
    前記ガントリの回転角を取得し、
    前記取得したガントリの回転角に応じて前記ビーム発生装置内の粒子ビームの軌道を補正する、
    粒子線治療装置の補正方法。
11. 前記ビーム発生装置は、加速器を構成する二極電磁石を有し、
    前記制御装置は、前記ガントリの回転角に応じて、前記二極電磁石を用いて前記粒子ビームの軌道を補正する、
    請求項１０に記載の粒子線治療装置の補正方法。
12. 前記ビーム発生装置は、さらに粒子ビームを計測するビームモニタを備えており、
    前記制御装置は、前記ビームモニタの計測結果と前記ガントリの回転角とに応じて、前記二極電磁石により粒子ビームの軌道を補正する、
    請求項１１に記載の粒子線治療装置の補正方法。
13. 前記粒子線治療装置は、前記ビームモニタの変位を計測する変位計測装置をさらに備えており、
    前記制御装置は、前記ビームモニタの計測結果と前記ガントリの回転角と前記変位計測装置の計測結果とに応じて、前記二極電磁石により粒子ビームの軌道を補正する、
    請求項１２に記載の粒子線治療装置の補正方法。
14. 前記二極電磁石は、粒子ビームを偏向させることにより所定の周回軌道を形成する偏向電磁石、または、粒子ビームの前記所定の周回軌道からのずれを補正するステアリング電磁石のいずれか一方または両方である、
    請求項１１に記載の粒子線治療装置の補正方法。

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