JP2021040075A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板を薄化するにあたり、薄化後の基板を支持する基板と重合させたうえで、基板の周縁部を適切に除去する。【解決手段】基板を処理する基板処理装置１であって、内部に周縁部と中央部との境界に沿って周縁改質層が形成された重合基板を保持する複数のチャック８３と、複数のチャックを同時に移動させる回転テーブル８１と、チャックに保持された基板Ｔの外側面を、基板の面方向に切削する切削部９０と、チャックに保持された基板の研削面を研削する粗研削ユニット１１０、仕上研削ユニット１２０と、を有する。【選択図】図２

Description

本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。

特許文献１には、２枚のウェハを接合した２層構造において一方のウェハの外周部を除去する方法が開示されている。この方法は、ウェハの一方の面側から外周縁より所定量内側の位置で外周縁に沿ってレーザ光線を照射し、ウェハの外周部を除去する。

特開２００６−１０８５３２号公報

本開示にかかる技術は、基板を薄化するにあたり、当該基板の周縁部を適切に除去する。

本開示の一態様は、基板を処理する基板処理装置であって、内部に周縁部と中央部との境界に沿って周縁改質層が形成された基板を保持する複数の保持部と、前記複数の保持部を備え、当該複数の保持部を同時に移動させるテーブルと、前記保持部に保持された基板の外側面を、当該基板の面方向に切削する切削部と、前記保持部に保持された基板の研削面を研削する研削部と、を有する。

本開示によれば、基板を薄化するにあたり、当該基板の周縁部を適切に除去することができる。

本実施形態にかかる重合ウェハの構成の概略を示す側面図である。 第１の実施形態にかかるウェハ処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。 切削ユニットの構成の概略を示す側面図である。 第１の実施形態にかかるウェハ処理の主な工程を示すフロー図である。 ウェハ処理の主な工程の説明図である。 第１のウェハに周縁改質層と分割改質層を形成する様子を示す説明図である。 第１のウェハに周縁改質層と分割改質層を形成した様子を示す説明図である。 第１の実施形態にかかる加工装置の動作を示す説明図である。 切削ユニットを用いて未接合領域を形成する様子を示す説明図である。 第２の実施形態にかかるウェハ処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。 第２の実施形態にかかるウェハ処理の主な工程を示すフロー図である。 第２の実施形態にかかる加工装置の動作を示す説明図である。 第３の実施形態にかかるウェハ処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。 第３の実施形態にかかるウェハ処理の主な工程を示すフロー図である。 第３の実施形態にかかる加工装置の動作を示す説明図である。 第４の実施形態にかかるウェハ処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。 第４の実施形態にかかるウェハ処理の主な工程を示すフロー図である。 第４の実施形態にかかる加工装置の動作を示す説明図である。 他の実施形態において第１のウェハに周縁改質層と分割改質層を形成する様子を示す説明図である。 他の実施形態において第１のウェハに周縁改質層と分割改質層を形成した様子を示す説明図である。 他の実施形態において第１のウェハに周縁改質層と分割改質層を形成した様子を示す説明図である。

半導体デバイスの製造工程においては、表面に複数のデバイスが形成された半導体ウェハ（以下、ウェハという）に対し、当該ウェハの裏面を研削加工して、ウェハを薄化することが行われている。

通常、ウェハの周縁部は面取り加工がされているが、上述したようにウェハに研削処理を行うと、ウェハの周縁部が鋭く尖った形状（いわゆるナイフエッジ形状）になる。そうすると、ウェハの周縁部でチッピングが発生し、ウェハが損傷を被るおそれがある。そこで、研削処理前に予めウェハの周縁部を除去する、いわゆるエッジトリムが行われている。

上述した特許文献１に記載の方法では、エッジトリムを行うにあたり、ウェハの一方の面側から外周縁より所定量内側の位置で外周縁に沿ってレーザ光線を照射して、ウェハの周縁部を除去している。しかしながら、ウェハの周縁部が支持基板に接合されているため、上記方法のように単にレーザ光線を照射しただけでは、周縁部が除去されない場合がある。したがって、従来のウェハの薄化処理（特に、エッジトリム）には改善の余地がある。

本開示にかかる技術は、基板を薄化するにあたり、当該基板の周縁部を適切に除去する。以下、本実施形態にかかる基板処理装置としての加工装置を備えたウェハ処理システム、及び基板処理方法としてのウェハ処理方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

本実施形態では、図１に示すように第１のウェハＷと第２のウェハＳとが接合された、基板としての重合ウェハＴに対して処理を行う。そして、第１のウェハＷの周縁部Ｗｅを除去しつつ、当該第１のウェハＷを薄化する。以下、第１のウェハＷにおいて、第２のウェハＳに接合された面を表面Ｗａといい、表面Ｗａと反対側の面を裏面Ｗｂという。同様に、第２のウェハＳにおいて、第１のウェハＷに接合された面を表面Ｓａといい、表面Ｓａと反対側の面を裏面Ｓｂという。

第１のウェハＷは、例えばシリコン基板などの半導体ウェハであって、表面Ｗａに複数のデバイスを含むデバイス層Ｄが形成されている。また、デバイス層Ｄにはさらに酸化膜Ｆｗ、例えばＳｉＯ_２膜（ＴＥＯＳ膜）が形成されている。なお、第１のウェハＷの周縁部Ｗｅは面取り加工がされており、周縁部Ｗｅの断面はその先端に向かって厚みが小さくなっている。また、周縁部Ｗｅはエッジトリムにおいて除去される部分であり、例えば第１のウェハＷの外端部から径方向に１ｍｍ〜５ｍｍの範囲である。

第２のウェハＳは、第１のウェハＷを支持するウェハであって、例えばシリコンウェハである。第２のウェハＳの表面Ｓａには酸化膜Ｆｓ、例えばＳｉＯ_２膜（ＴＥＯＳ膜）が形成されている。なお、第２のウェハＳの表面Ｓａの複数のデバイスが形成されている場合には、第１のウェハＷと同様に表面Ｓａにデバイス層（図示せず）が形成される。

先ず、第１の実施形態にかかるウェハ処理システム１及びウェハ処理方法について説明する。

図２に示すようにウェハ処理システム１は、搬入出ステーション２と処理ステーション３を一体に接続した構成を有している。搬入出ステーション２と処理ステーション３は、Ｘ軸負方向側から正方向側に向けて並べて配置されている。搬入出ステーション２は、例えば外部との間で複数の重合ウェハＴを収容可能なカセットＣｔが搬入出される。処理ステーション３は、重合ウェハＴに対して所望の処理を施す各種処理装置を備えている。

搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。図示の例では、カセット載置台１０には、複数、例えば３つのカセットＣｔをＹ軸方向に一列に載置自在になっている。なお、カセット載置台１０に載置されるカセットＣｔの個数は、本実施形態に限定されず、任意に決定することができる。

搬入出ステーション２には、カセット載置台１０のＸ軸正方向側において、当該カセット載置台１０に隣接してウェハ搬送領域２０が設けられている。ウェハ搬送領域２０には、Ｙ軸方向に延伸する搬送路２１上を移動自在なウェハ搬送装置２２が設けられている。ウェハ搬送装置２２は、重合ウェハＴを保持して搬送する、２つの搬送アーム２３、２３を有している。各搬送アーム２３は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。なお、搬送アーム２３の構成は本実施形態に限定されず、任意の構成を取り得る。そして、ウェハ搬送装置２２は、カセット載置台１０のカセットＣｔ、及び後述するトランジション装置３０に対して、重合ウェハＴを搬送可能に構成されている。

搬入出ステーション２には、ウェハ搬送領域２０のＸ軸正方向側において、当該ウェハ搬送領域２０に隣接して、重合ウェハＴを受け渡すためのトランジション装置３０が設けられている。

処理ステーション３には、例えば３つの処理ブロックＧ１〜Ｇ３が設けられている。第１の処理ブロックＧ１、第２の処理ブロックＧ２、及び第３の処理ブロックＧ３は、Ｘ軸負方向側（搬入出ステーション２側）から正方向側にこの順で並べて配置されている。

第１の処理ブロックＧ１には、エッチング装置４０、洗浄装置４１、及びウェハ搬送装置５０が設けられている。エッチング装置４０は、第１の処理ブロックＧ１の搬入出ステーション２側において、Ｘ軸方向に２列且つ鉛直方向に３段に設けられている。すなわち、本実施形態では、エッチング装置４０は６つ設けられている。洗浄装置４１は、エッチング装置４０のＸ軸正方向側において、鉛直方向に３段に積層されて設けられている。ウェハ搬送装置５０は、エッチング装置４０及び洗浄装置４１のＹ軸正方向側に配置されている。なお、エッチング装置４０、洗浄装置４１、及びウェハ搬送装置５０の数や配置はこれに限定されない。

エッチング装置４０は、後述する加工装置８０で研削された第１のウェハＷの裏面Ｗｂをエッチング処理する。例えば、裏面Ｗｂに対してエッチング（薬液）を供給し、当該裏面Ｗｂをウェットエッチングする。エッチング液には、例えばＨＦ、ＨＮＯ_３、Ｈ_３ＰＯ_４、ＴＭＡＨ、Ｃｈｏｌｉｎｅ、ＫＯＨなどが用いられる。

洗浄装置４１は、後述する加工装置８０で研削された第１のウェハＷの裏面Ｗｂを洗浄する。例えば裏面Ｗｂにブラシを当接させて、当該裏面Ｗｂをスクラブ洗浄する。なお、裏面Ｗｂの洗浄には、加圧された洗浄液を用いてもよい。また、洗浄装置４１は、第１のウェハＷの裏面Ｗｂと共に、第２のウェハＳの裏面Ｓｂを洗浄する構成を有していてもよい。

ウェハ搬送装置５０は、重合ウェハＴを保持して搬送する、２つの搬送アーム５１、５１を有している。各搬送アーム５１は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。なお、搬送アーム５１の構成は本実施形態に限定されず、任意の構成を取り得る。ウェハ搬送装置５０は、Ｘ軸方向に延伸する搬送路５２上を移動自在である。そして、ウェハ搬送装置５０は、トランジション装置３０、第１の処理ブロックＧ１及び第２の処理ブロックＧ２の各処理装置に対して、重合ウェハＴを搬送可能に構成されている。

第２の処理ブロックＧ２には、改質装置６０及びウェハ搬送装置７０が設けられている。ウェハ搬送装置７０は、改質装置６０のＹ軸負方向側に配置されている。なお、改質装置６０の数や配置は本実施形態に限定されず、複数の改質装置６０が積層して配置されていてもよい。

改質装置６０は、第１のウェハＷの内部にレーザ光を照射し、周縁改質層と分割改質層を形成する。レーザ光には、第１のウェハＷに対して透過性を有する波長のレーザ光（例えば、ＹＡＧレーザ）が用いられる。なお、周縁改質層は、周縁部Ｗｅを除去する際の基点となる。分割改質層は、除去される周縁部Ｗｅを分割して小片化する際の基点となる。

ウェハ搬送装置７０は、重合ウェハＴを保持して搬送する、２つの搬送アーム７１、７１を有している。各搬送アーム７１は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。なお、搬送アーム７１の構成は本実施形態に限定されず、任意の構成を取り得る。また、ウェハ搬送装置７０における搬送アーム７１の数も本実施形態に限定されず、任意の数の搬送アーム７１を設けることができ、例えば１つでもよい。そして、第１の処理ブロックＧ１〜第３の処理ブロックＧ３の各処理装置に対して、重合ウェハＴを搬送可能に構成されている。

第３の処理ブロックＧ３には、加工装置８０が設けられている。なお、加工装置８０の数や配置は本実施形態に限定されず、複数の加工装置８０が任意に配置されていてもよい。

加工装置８０は、回転テーブル８１を有している。回転テーブル８１は、回転機構（図示せず）によって、鉛直な回転中心線８２を中心に回転自在に構成されている。回転テーブル８１上には、重合ウェハＴを吸着保持する、保持部としてのチャック８３が４つ設けられている。チャック８３は、回転テーブル８１の回転中心線８２を中心とする同一円周上に等間隔、すなわち９０度毎に配置されている。４つのチャック８３は、回転テーブル８１が回転することにより、受渡位置Ａ０及び加工位置Ａ１〜Ａ３に同時に移動可能になっている。また、４つのチャック８３はそれぞれ、回転機構（図示せず）によって鉛直軸回りに同時に回転可能に構成されている。

受渡位置Ａ０は回転テーブル８１のＸ軸負方向側且つＹ軸負方向側の位置であり、第１のウェハＷの受け渡しが行われる。受渡位置Ａ０には、切削部としての切削ユニット９０と、保持面洗浄部としてのチャック洗浄ユニット１００が配置される。第１の加工位置Ａ１は回転テーブル８１のＸ軸正方向側且つＹ軸負方向側の位置であり、研削部としての粗研削ユニット１１０が配置される。第２の加工位置Ａ２は回転テーブル８１のＸ軸正方向側且つＹ軸正方向側の位置であり、研削部としての仕上研削ユニット１２０が配置される。第３の加工位置Ａ３は回転テーブル８１のＸ軸負方向側且つＹ軸正方向側の位置であり、基板洗浄部としてのウェハ洗浄ユニット１３０が配置される。

切削ユニット９０では、重合ウェハＴの外側面、より詳細には第１のウェハＷと第２のウェハＳの接合部の外側面を、重合ウェハＴの面方向（水平方向）に切削する。図３に示すように切削ユニット９０は、重合ウェハＴの外側面を切削するブレード９１を有している。ブレード９１は略円板形状を有し、表面に砥粒が設けられている。ブレード９１は、シャフト９２を介してアーム９３の先端部に支持され、回転機構（図示せず）によりシャフト９２を中心軸として回転自在に構成されている。アーム９３の基端部には駆動機構（図示せず）が設けられ、この駆動機構により、アーム９３（ブレード９１）は水平方向に移動自在に構成され、また鉛直方向に昇降自在に構成されている。

図２に示すようにチャック洗浄ユニット１００では、チャック８３のウェハ保持面を洗浄する。チャック洗浄ユニット１００は、チャック８３のウェハ保持面に洗浄液を供給するチャック洗浄ノズル１０１を有している。チャック洗浄ノズル１０１には、例えば洗浄液とガスを噴射する２流体ノズルが用いられる。チャック洗浄ノズル１０１は、アーム１０２の先端部に支持されている。アーム１０２の基端部には駆動機構（図示せず）が設けられ、この駆動機構により、アーム１０２（チャック洗浄ノズル１０１）は水平方向に移動自在に構成され、また鉛直方向に昇降自在に構成されている。

粗研削ユニット１１０では、第１のウェハＷの裏面Ｗｂ（研削面）を粗研削する。粗研削ユニット１１０は、環状形状で回転自在な粗研削砥石（図示せず）を備えた第１の研削機構１１１を有している。また、第１の研削機構１１１は、支柱１１２に沿って鉛直方向に移動可能に構成されている。そして、チャック８３に保持された第１のウェハＷの裏面Ｗｂを研削砥石に当接させた状態で、チャック８３と研削砥石をそれぞれ回転させ、裏面Ｗｂを粗研削する。

仕上研削ユニット１２０では、第１のウェハＷの裏面Ｗｂを仕上研削する。仕上研削ユニット１２０は、環状形状で回転自在な仕上研削砥石（図示せず）を備えた第２の研削機構１２１を有している。また、第２の研削機構１２１は、支柱１２２に沿って鉛直方向に移動可能に構成されている。なお、仕上研削砥石の砥粒の粒度は、粗研削砥石の砥粒の粒度より小さい。そして、チャック８３に保持された第１のウェハＷの裏面Ｗｂを研削砥石に当接させた状態で、チャック８３と研削砥石をそれぞれ回転させ、裏面Ｗｂを仕上研削する。

ウェハ洗浄ユニット１３０では、研削後の第１のウェハＷの裏面Ｗｂを洗浄する。ウェハ洗浄ユニット１３０は、裏面Ｗｂに洗浄液を供給するウェハ洗浄ノズル１３１を有している。ウェハ洗浄ノズル１３１には、例えば洗浄液とガスを噴射する２流体ノズルが用いられる。ウェハ洗浄ノズル１３１は、アーム１３２の先端部に支持されている。アーム１３２の基端部には駆動機構（図示せず）が設けられ、この駆動機構により、アーム１３２（ウェハ洗浄ノズル１３１）は水平方向に移動自在に構成され、また鉛直方向に昇降自在に構成されている。

また、ウェハ洗浄ユニット１３０は、第１のウェハＷの厚みを測定する厚み測定部１３３を有している。厚み測定部１３３は、例えばアーム１３２に取り付けられている。厚み測定部１３３は、研削後の第１のウェハＷの厚みの面内分布を測定する。測定された厚みの面内分布は後述の制御装置１４０に出力され、後に処理が行われる他の重合ウェハの研削条件（例えばステージの傾きなど）にフィードバック制御される。

以上のウェハ処理システム１には、制御装置１４０が設けられている。制御装置１４０は、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、ウェハ処理システム１における重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、ウェハ処理システム１における後述のウェハ処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御装置１４０にインストールされたものであってもよい。

次に、以上のように構成されたウェハ処理システム１を用いて行われるウェハ処理について説明する。なお、本実施形態では、ウェハ処理システム１の外部の接合装置（図示せず）において、第１のウェハＷと第２のウェハＳが接合され、予め重合ウェハＴが形成されている。

先ず、図５（ａ）に示す重合ウェハＴを複数収納したカセットＣｔが、搬入出ステーション２のカセット載置台１０に載置される。なお、図５においては、図示の煩雑さを回避するため、デバイス層Ｄと酸化膜Ｆｗ、Ｆｓの図示を省略している。

次に、ウェハ搬送装置２２によりカセットＣｔ内の重合ウェハＴが取り出され、トランジション装置３０に搬送される。続けて、ウェハ搬送装置５０により、トランジション装置３０の重合ウェハＴが取り出され、改質装置６０に搬送される。改質装置６０では、図５（ｂ）に示すように第１のウェハＷの内部に周縁改質層Ｍ１が形成され（図４のステップＡ１）、さらに分割改質層Ｍ２が形成される（図４のステップＡ２）。周縁改質層Ｍ１は、周縁改質層Ｍ１は、エッジトリムにおいて周縁部Ｗｅを除去の際の基点となるものである。分割改質層Ｍ２は、周縁部Ｗｅを除去するにあたり、当該周縁部Ｗｅを分割して小片化する際の基点となるものである。

改質装置６０では先ず、図６及び図７に示すようにレーザヘッド（図示せず）からレーザ光Ｌ１（周縁用レーザ光Ｌ１）を照射して、第１のウェハＷの周縁部Ｗｅと中央部Ｗｃの境界に周縁改質層Ｍ１を形成する（図４のステップＡ１）。具体的には例えば、第１のウェハＷを回転させながらレーザ光Ｌ１を照射することで、環状の周縁改質層Ｍ１を形成する。なお、第１のウェハＷの内部には、周縁改質層Ｍ１からクラックＣ１が進展し、表面Ｗａと裏面Ｗｂに到達している。

次に、レーザヘッド（図示せず）からレーザ光Ｌ２（分割用レーザ光Ｌ２）を照射して、周縁改質層Ｍ１の径方向外側に分割改質層Ｍ２を形成する（図４のステップＡ２）。具体的には例えば、レーザヘッドを径方向に移動させながら複数点にレーザ光Ｌ２を照射することで、周縁改質層Ｍ１から径方向外側に延伸して分割改質層Ｍ２を形成する。図示の例においては、径方向に延伸するラインの分割改質層Ｍ２は８箇所に形成されているが、この分割改質層Ｍ２の数は任意である。なお、第１のウェハＷの内部には、分割改質層Ｍ２からクラックＣ２が進展し、表面Ｗａと裏面Ｗｂに到達している。また、改質装置６０において、レーザ光Ｌ１とレーザ光Ｌ２は、同じレーザヘッドから照射されてもよい。

次に、重合ウェハＴはウェハ搬送装置７０により加工装置８０に搬送される。

加工装置８０では先ず、図８（ａ）に示すように搬送アーム７１から受渡位置Ａ０のチャック８３に重合ウェハＴが受け渡される（図４のステップＡ３）。

次に、受渡位置Ａ０において、図８（ｂ）及び図９（ａ）に示すように切削ユニット９０のブレード９１を重合ウェハＴの外側面に移動させる。そして、チャック８３を回転させると共にブレード９１を回転させながら、当該ブレード９１を進入させて、重合ウェハＴの外側面を面方向（水平方向）に切削する（図４のステップＡ４）。図９の例においては、ブレード９１の上端は、研削後の第１のウェハＷの目標裏面（図９（ａ）の一点鎖線）と略一致して位置し、またブレード９１の下端は、酸化膜Ｆｗに位置しているが、ブレード９１の上端と下端の位置はこれに限定されるものではない。ブレード９１の先端は、周縁部Ｗｅの内側端部（周縁改質層Ｍ１）のより径方向外側に位置している。そして、図５（ｃ）及び図９（ｂ）に示すように第１のウェハＷと第２のウェハＳの接合界面には、酸化膜Ｆｗと酸化膜Ｆｓが接合された接合領域Ａａと、接合領域Ａａの径方向外側の領域である未接合領域Ａｂとが形成される。

なお、本実施形態では、未接合領域Ａｂの内側端部は周縁改質層Ｍ１の径方向外側に形成されている。この点、本発明者らが鋭意検討したところ、未接合領域Ａｂの内側端部と周縁改質層Ｍ１の距離が十分に小さいと、後続のステップＡ５において周縁部Ｗｅを適切に除去できることを確認している。

また、ステップＡ４において未接合領域Ａｂを形成すると、図５（ｄ）に示すように、周縁改質層Ｍ１を基点に第１のウェハＷの周縁部Ｗｅが剥離して除去される。また、除去された周縁部Ｗｅは、分割改質層Ｍ２を基点に分割されて小片化され、より容易に除去することができる。

次に、図８（ｃ）に示すように回転テーブル８１を反時計回りに回動させて、チャック８３を第１の加工位置Ａ１に移動させる。そして、粗研削ユニット１１０によって第１のウェハＷの裏面Ｗｂを粗研削する（図４のステップＡ５）。

次に、図８（ｄ）に示すように回転テーブル８１を反時計回りに回動させて、チャック８３を第２の加工位置Ａ２に移動させる。そして、仕上研削ユニット１２０によって第１のウェハＷの裏面Ｗｂを仕上研削する（図４のステップＡ６）。そうすると、図５（ｅ）に示すように第１のウェハＷが所望の厚みに薄化される。

次に、図８（ｅ）に示すように回転テーブル８１を反時計回りに回動させて、チャック８３を第３の加工位置Ａ３に移動させる。そして、ウェハ洗浄ユニット１３０によって、研削後の第１のウェハＷの裏面Ｗｂを洗浄する（図４のステップＡ７）。

次に、第３の加工位置Ａ３において、チャック８３から搬送アーム７１に重合ウェハＴを受け渡し、ウェハ搬送装置７０によって重合ウェハＴを搬出する（図４のステップＡ８）。

なお、ステップＡ８において重合ウェハＴが加工装置８０から搬出されると、時計回りに回動させて、チャック８３を受渡位置Ａ０に移動させる。そして、チャック洗浄ユニット１００によって、チャック８３のウェハ保持面を洗浄する。

次に、重合ウェハＴはウェハ搬送装置７０により洗浄装置４１に搬送される。洗浄装置４１では、第１のウェハＷの裏面Ｗｂがスクラブ洗浄される（図４のステップＡ９）。

次に、重合ウェハＴはウェハ搬送装置５０によりエッチング装置４０に搬送される。エッチング装置４０では、第１のウェハＷの裏面Ｗｂがエッチング液によりウェットエッチングされる（図４のステップＡ１０）。

その後、すべての処理が施された重合ウェハＴは、ウェハ搬送装置５０によりトランジション装置３０に搬送され、さらにウェハ搬送装置２２によりカセット載置台１０のカセットＣｔに搬送される。こうして、ウェハ処理システム１における一連のウェハ処理が終了する。

以上の第１の実施形態によれば、加工装置８０が切削ユニット９０を有し、ステップＡ４において切削ユニット９０のブレード９１で重合ウェハＴの外側面（接合部）を面方向に切削し、未接合領域Ａｂを形成する。そして、この未接合領域Ａｂを形成することで、周縁改質層Ｍ１を基点に周縁部Ｗｅを適切に除去することができる。

しかも、加工装置８０において未接合領域Ａｂの形成、周縁部Ｗｅの除去、裏面Ｗｂの研削を連続して行うことができ、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。また、切削ユニット９０は加工装置８０の内部に設けられているので、装置構成を簡略化することも可能となる。

また仮に、ウェハ処理システム１の外部において第１のウェハＷと第２のウェハＳを接合する際に、周縁部Ｗｅにボイド（エッジボイド）が残存したとしても、本実施形態のように切削ユニット９０を用いて未接合領域Ａｂを形成することで、かかるボイドを除去することも可能となる。

なお、本実施形態では、ステップＡ４において重合ウェハＴの外側面を切削して未接合領域Ａｂを形成した際に周縁部Ｗｅが除去されたが、ここで周縁部Ｗｅが除去されない場合には、ステップＡ５において裏面Ｗｂを粗研削した際に、周縁部Ｗｅを除去してもよい。

次に、第２の実施形態にかかるウェハ処理システム２００及びウェハ処理方法について説明する。

図１０に示すようにウェハ処理システム２００は、第１の実施形態にかかるウェハ処理システム１の加工装置８０に代えて、他の構成を備えた加工装置２１０を有している。なお、ウェハ処理システム２００の他の装置構成は、ウェハ処理システム１の装置構成と同様であるので説明を省略する。

加工装置２１０は、回転テーブル２１１、回転中心線２１２、及び４つのチャック２１３を有している。これら回転テーブル２１１、回転中心線２１２、及び４つのチャック２１３の構成はそれぞれ、第１の実施形態の回転テーブル８１、回転中心線８２、及び４つのチャック８３の構成と同様である。

受渡位置Ａ０には、洗浄ユニット２２０が配置される。洗浄ユニット２２０は、第１の実施形態のチャック洗浄ユニット１００とウェハ洗浄ユニット１３０を兼用し、すなわちチャック２１３のウェハ保持面を洗浄すると共に、研削後の第１のウェハＷの裏面Ｗｂを洗浄する。洗浄ユニット２２０は、第１の実施形態のチャック洗浄ユニット１００及びウェハ洗浄ユニット１３０と同様の構成であり、洗浄ノズル２２１、アーム２２２、及び厚み測定部２２３を有している。

第１の加工位置Ａ１には、仕上研削ユニット２３０が配置される。仕上研削ユニット２３０は、第１の実施形態の仕上研削ユニット１２０と同様の構成であり、第２の研削機構２３１と支柱２３２を有している。

第２の加工位置Ａ２には、粗研削ユニット２４０が配置される。粗研削ユニット２４０は、第１の実施形態の粗研削ユニット１１０と同様の構成であり、第１の研削機構２４１と支柱２４２を有している。

第３の加工位置Ａ３には、切削ユニット２５０が配置される。切削ユニット２５０は、第１の実施形態の切削ユニット９０と同様の構成であり、ブレード２５１、シャフト２５２、及びアーム２５３を有している。

次に、以上のように構成されたウェハ処理システム２００を用いて行われるウェハ処理について説明する。

先ず、改質装置６０において、周縁改質層Ｍ１の形成（図１１のステップＢ１）、分割改質層Ｍ２の形成（図１１のステップＢ２）が順次行われる。これらステップＢ１、Ｂ２はそれぞれ、第１の実施形態のステップＡ１、Ａ２と同様である。

次に、加工装置２１０において、図１２（ａ）に示すように搬送アーム７１から受渡位置Ａ０のチャック２１３に重合ウェハＴが受け渡される（図１１のステップＢ３）。

次に、図１２（ｂ）に示すように回転テーブル２１１を時計回りに回動させて、チャック２１３を第３の加工位置Ａ３に移動させる。そして、切削ユニット２５０によって重合ウェハＴの外側面を面方向に切削し、第１のウェハＷと第２のウェハＳの接合界面に未接合領域Ａｂを形成する（図１１のステップＢ４）。この際、周縁改質層Ｍ１を基点に第１のウェハＷの周縁部Ｗｅが剥離して除去される。このステップＢ４は、第１の実施形態のステップＡ４と同様である。

なお、本実施形態においても第１の実施形態と同様に、このステップＢ４で周縁部Ｗｅが除去されない場合には、後述のステップＡ５において裏面Ｗｂを粗研削した際に、周縁部Ｗｅを除去してもよい。

次に、図１２（ｃ）に示すように回転テーブル２１１を時計回りに回動させて、チャック２１３を第２の加工位置Ａ２に移動させる。そして、粗研削ユニット２４０によって第１のウェハＷの裏面Ｗｂを粗研削する（図１１のステップＢ５）。このステップＢ５は、第１の実施形態のステップＡ５と同様である。

次に、図１２（ｄ）に示すように回転テーブル２１１を時計回りに回動させて、チャック２１３を第１の加工位置Ａ１に移動させる。そして、仕上研削ユニット２３０によって第１のウェハＷの裏面Ｗｂを仕上研削する（図１１のステップＢ６）。このステップＢ６は、第１の実施形態のステップＡ６と同様である。

次に、図１２（ｅ）に示すように回転テーブル２１１を反時計回りに回動させて、チャック２１３を受渡位置Ａ０に移動させる。そして、洗浄ユニット２２０によって、研削後の第１のウェハＷの裏面Ｗｂを洗浄する（図１１のステップＢ７）。このステップＢ７は、第１の実施形態のステップＡ７と同様である。

次に、受渡位置Ａ０において、チャック２１３から搬送アーム７１に重合ウェハＴを受け渡し、ウェハ搬送装置７０によって重合ウェハＴを搬出する（図１１のステップＢ８）。

なお、ステップＢ８において重合ウェハＴが加工装置８０から搬出されると、洗浄ユニット２２０によって、チャック２１３のウェハ保持面を洗浄する。

次に、洗浄装置４１において第１のウェハＷの裏面Ｗｂがスクラブ洗浄され（図１１のステップＢ９）、その後、エッチング装置４０において第１のウェハＷの裏面Ｗｂがウェットエッチングされる（図１１のステップＢ１０）。これらステップＢ９、Ｂ１０はそれぞれ、第１の実施形態のステップＡ９、Ａ１０と同様である。

以上の第２の実施形態においても、上記実施形態と同様の効果を享受できる。すなわち、ステップＢ４において未接合領域Ａｂが形成されるので、周縁改質層Ｍ１を基点に周縁部Ｗｅを適切に除去することができる。

次に、第３の実施形態にかかるウェハ処理システム３００及びウェハ処理方法について説明する。

第１〜第２の実施形態では、周縁改質層Ｍ１と分割改質層Ｍ２の形成は改質装置６０で行われたが、第３の実施形態では加工装置で行われる。すなわち、図１３に示すようにウェハ処理システム３００は、第１の実施形態にかかるウェハ処理システム１の改質装置６０に代えて、アライメント装置３１０を有し、またウェハ処理システム１の加工装置８０に代えて、他の構成を備えた加工装置３２０を有している。なお、ウェハ処理システム３００の他の装置構成は、ウェハ処理システム１の装置構成と同様であるので説明を省略する。

アライメント装置３１０は、レーザ処理前の第１のウェハＷの水平方向の向き及び中心位置を調節する。例えばスピンチャック（図示せず）に保持された第１のウェハＷを回転させながら、検出部（図示せず）で第１のウェハＷの外周部及びノッチ部を検出することで、水平方向の向き及び中心位置を調節する。すなわち、このアライメント装置３１０は、第１の実施形態の改質装置６０が備えていたアライメント機能を奏するものである。

加工装置３２０は、回転テーブル３２１、回転中心線３２２、及び４つのチャック３２３を有している。これら回転テーブル３２１、回転中心線３２２、及び４つのチャック３２３の構成はそれぞれ、第１の実施形態の回転テーブル８１、回転中心線８２、及び４つのチャック８３の構成と同様である。

受渡位置Ａ０には、切削ユニット３３０と洗浄ユニット３４０が配置される。切削ユニット３３０は、第１の実施形態の切削ユニット９０と同様の構成であり、ブレード３３１、シャフト３３２、及びアーム３３３を有している。洗浄ユニット３４０は、第１の実施形態のチャック洗浄ユニット１００とウェハ洗浄ユニット１３０を兼用し、すなわちチャック３２３のウェハ保持面を洗浄すると共に、研削後の第１のウェハＷの裏面Ｗｂを洗浄する。洗浄ユニット３４０は、第１の実施形態のチャック洗浄ユニット１００及びウェハ洗浄ユニット１３０と同様の構成であり、洗浄ノズル３４１、アーム３４２、及び厚み測定部３４３を有している。

第１の加工位置Ａ１には、仕上研削ユニット３５０が配置される。仕上研削ユニット３５０は、第１の実施形態の仕上研削ユニット１２０と同様の構成であり、第２の研削機構３５１と支柱３５２を有している。

第２の加工位置Ａ２には、粗研削ユニット３６０が配置される。粗研削ユニット３６０は、第１の実施形態の粗研削ユニット１１０と同様の構成であり、第１の研削機構３６１と支柱３６２を有している。

第３の加工位置Ａ３には、改質部としての改質ユニット３７０が配置される。改質ユニット３７０は、レーザ光を照射するレーザヘッド３７１と、レーザヘッド３７１を水平方向に移動させる移動機構３７２を有している。レーザ光には、第１の実施形態の改質装置６０と同様に、第１のウェハＷに対して透過性を有する波長のレーザ光（例えば、ＹＡＧレーザ）が用いられる。

次に、以上のように構成されたウェハ処理システム３００を用いて行われるウェハ処理について説明する。

先ず、アライメント装置３１０において、重合ウェハＴにおける第１のウェハＷの水平方向の向き及び中心位置が調節される（図１４のステップＣ１）。

次に、加工装置３２０において、図１５（ａ）に示すように搬送アーム７１から受渡位置Ａ０のチャック３２３に重合ウェハＴが受け渡される（図１４のステップＣ２）。

次に、受渡位置Ａ０において、図１５（ｂ）に示すように切削ユニット３３０によって重合ウェハＴの外側面を面方向に切削し、第１のウェハＷと第２のウェハＳの接合界面に未接合領域Ａｂを形成する（図１４のステップＣ３）。このステップＣ３は、第１の実施形態のステップＡ４と同様である。

次に、図１５（ｃ）に示すように回転テーブル３２１を時計回りに回動させて、チャック３２３を第３の加工位置Ａ３に移動させる。そして、改質ユニット３７０によって第１のウェハＷの内部に周縁改質層Ｍ１が形成され（図１４のステップＣ４）、さらに分割改質層Ｍ２が形成される（図１４のステップＣ５）。

ステップＣ４では、チャック３２３（第１のウェハＷ）を回転させながら、レーザヘッド３７１からレーザ光Ｌ１を照射することで、環状の周縁改質層Ｍ１を形成する。その後、ステップＣ５では、レーザヘッド３７１を移動させながら、当該レーザヘッド３７１からレーザ光Ｌ２を照射することで、周縁改質層Ｍ１から径方向外側に延伸して分割改質層Ｍ２を形成する。

次に、図１５（ｄ）に示すように回転テーブル３２１を時計回りに回動させて、チャック３２３を第２の加工位置Ａ２に移動させる。そして、粗研削ユニット３６０によって第１のウェハＷの裏面Ｗｂを粗研削する（図１４のステップＣ６）。この際、周縁改質層Ｍ１を基点に第１のウェハＷの周縁部Ｗｅが剥離して除去される。また、除去された周縁部Ｗｅは、分割改質層Ｍ２を基点に分割されて小片化される。なお、このステップＣ６は、第１の実施形態のステップＡ５と同様である。

なお、本実施形態では、ステップＣ５で周縁改質層Ｍ１と分割改質層Ｍ２を形成すると、周縁部Ｗｅが除去される場合がある。

次に、図１５（ｅ）に示すように回転テーブル３２１を時計回りに回動させて、チャック３２３を第１の加工位置Ａ１に移動させる。そして、仕上研削ユニット３５０によって第１のウェハＷの裏面Ｗｂを仕上研削する（図１４のステップＣ７）。このステップＣ７は、第１の実施形態のステップＡ６と同様である。

次に、図１５（ｆ）に示すように回転テーブル３２１を反時計回りに回動させて、チャック３２３を受渡位置Ａ０に移動させる。そして、洗浄ユニット３４０によって、研削後の第１のウェハＷの裏面Ｗｂを洗浄する（図１４のステップＣ８）。このステップＣ８は、第１の実施形態のステップＡ７と同様である。

次に、受渡位置Ａ０において、チャック３２３から搬送アーム７１に重合ウェハＴを受け渡し、ウェハ搬送装置７０によって重合ウェハＴを搬出する（図１４のステップＣ９）。

なお、ステップＣ９において重合ウェハＴが加工装置８０から搬出されると、洗浄ユニット３４０によって、チャック３２３のウェハ保持面を洗浄する。

次に、洗浄装置４１において第１のウェハＷの裏面Ｗｂがスクラブ洗浄され（図１４のステップＣ１０）、その後、エッチング装置４０において第１のウェハＷの裏面Ｗｂがウェットエッチングされる（図１４のステップＣ１１）。これらステップＣ１０、Ｃ１１はそれぞれ、第１の実施形態のステップＡ９、Ａ１０と同様である。

以上の第３の実施形態においても、上記実施形態と同様の効果を享受できる。すなわち、ステップＣ３において未接合領域Ａｂが形成されるので、周縁改質層Ｍ１を基点に周縁部Ｗｅを適切に除去することができる。

次に、第４の実施形態にかかるウェハ処理システム４００及びウェハ処理方法について説明する。

図１６に示すようにウェハ処理システム４００は、第３の実施形態にかかるウェハ処理システム３００の加工装置３２０に代えて、他の構成を備えた加工装置４１０を有している。なお、ウェハ処理システム４００の他の装置構成は、ウェハ処理システム３００の装置構成と同様であるので説明を省略する。

加工装置４１０は、回転テーブル４１１、回転中心線４１２、及び４つのチャック４１３を有している。これら回転テーブル４１１、回転中心線４１２、及び４つのチャック４１３の構成はそれぞれ、第３の実施形態の回転テーブル３２１、回転中心線３２２、及び４つのチャック３２３の構成と同様である。

受渡位置Ａ０には、改質ユニット４２０が配置される。改質ユニット４２０は、第３の実施形態の改質ユニット３７０と同様の構成であり、レーザヘッド４２１と移動機構４２２を有している。

第１の加工位置Ａ１には、切削ユニット４３０が配置される。切削ユニット４３０は、第３の実施形態の切削ユニット３３０と同様の構成であり、ブレード４３１、シャフト４３２、及びアーム４３３を有している。

第２の加工位置Ａ２には、研削ユニット４４０が配置される。研削ユニット４４０は、第３の実施形態の粗研削ユニット３６０と仕上研削ユニット３５０を兼用し、第１のウェハＷの裏面を研削する。研削ユニット４４０は、第３の実施形態の粗研削ユニット３６０（と仕上研削ユニット３５０）と同様の構成であり、研削機構４４１と支柱４４２を有している。

第３の加工位置Ａ３には、洗浄ユニット４５０が配置される。洗浄ユニット４５０は、第３の実施形態の洗浄ユニット３４０と同様の構成であり、洗浄ノズル４５１、アーム４５２、及び厚み測定部４５３を有している。

次に、以上のように構成されたウェハ処理システム４００を用いて行われるウェハ処理について説明する。

先ず、アライメント装置３１０において、重合ウェハＴにおける第１のウェハＷの水平方向の向き及び中心位置が調節される（図１７のステップＤ１）。このステップＤ１は、第３の実施形態のステップＣ１と同様である。

次に、加工装置４１０において、図１８（ａ）に示すように搬送アーム７１から受渡位置Ａ０のチャック４１３に重合ウェハＴが受け渡される（図１７のステップＤ２）。

次に、受渡位置Ａ０において、図１８（ｂ）に示すように改質ユニット４２０によって第１のウェハＷの内部に周縁改質層Ｍ１が形成され（図１７のステップＤ３）、さらに分割改質層Ｍ２が形成される（図１７のステップＤ４）。これらステップＤ３、Ｄ４は、第３の実施形態のステップＣ４、Ｃ５と同様である。

次に、図１８（ｃ）に示すように回転テーブル４１１を反時計回りに回動させて、チャック４１３を第１の加工位置Ａ１に移動させる。そして、切削ユニット４３０によって重合ウェハＴの外側面を面方向に切削し、第１のウェハＷと第２のウェハＳの接合界面に未接合領域Ａｂを形成する（図１７のステップＤ５）。この際、周縁改質層Ｍ１を基点に第１のウェハＷの周縁部Ｗｅが剥離して除去される。また、除去された周縁部Ｗｅは、分割改質層Ｍ２を基点に分割されて小片化される。なお、このステップＤ５は、第３の実施形態のステップＣ６と同様である。

次に、図１８（ｄ）に示すように回転テーブル４１１を反時計回りに回動させて、チャック４１３を第２の加工位置Ａ２に移動させる。そして、研削ユニット４４０によって第１のウェハＷの裏面Ｗｂを研削する（図１７のステップＤ６）。このステップＤ６は、第３の実施形態のステップＣ６、Ｃ７と同様である。

次に、図１８（ｅ）に示すように回転テーブル４１１を反時計回りに回動させて、チャック４１３を第３の加工位置Ａ３に移動させる。そして、洗浄ユニット４５０によって、研削後の第１のウェハＷの裏面Ｗｂを洗浄する（図１７のステップＤ７）。このステップＤ７は、第３の実施形態のステップＣ８と同様である。

次に、第３の加工位置Ａ３において、チャック４１３から搬送アーム７１に重合ウェハＴを受け渡し、ウェハ搬送装置７０によって重合ウェハＴを搬出する（図１７のステップＤ８）。

なお、ステップＤ８において重合ウェハＴが加工装置８０から搬出されると、洗浄ユニット４５０によって、チャック４１３のウェハ保持面を洗浄する。

次に、洗浄装置４１において第１のウェハＷの裏面Ｗｂがスクラブ洗浄され（図１７のステップＤ９）、その後、エッチング装置４０において第１のウェハＷの裏面Ｗｂがウェットエッチングされる（図１７のステップＤ１０）。これらステップＤ９、Ｄ１０はそれぞれ、第３の実施形態のステップＣ１０、Ｃ１１と同様である。

以上の第４の実施形態においても、上記実施形態と同様の効果を享受できる。すなわち、ステップＤ３において未接合領域Ａｂが形成されるので、周縁改質層Ｍ１を基点に周縁部Ｗｅを適切に除去することができる。

以上の実施形態では、回転テーブル８１、２１１、３２１、４１１において、チャック８３、２１３、３２３、４１３は４つ設けられていたが、この個数は上記実施形態に限定されない。またこれに伴い、研削ユニットの個数も上記実施形態に限定されず、任意に決定することができる。

以上の実施形態では、第１のウェハＷの内部に周縁改質層Ｍ１を形成する際、当該周縁改質層Ｍ１から進展するクラックＣ１は表面Ｗａと裏面Ｗｂに到達したが、図１９に示すように裏面Ｗｂに到達しないようにしてもよい。以下の説明においては、第１の実施形態のウェハ処理システム１を用いた場合について説明するが、第２〜第４の実施形態のウェハ処理システム２００、３００、４００を用いた場合も同様である。

ステップＡ１では、改質装置６０においてレーザヘッド（図示せず）からレーザ光Ｌ１を照射して、第１のウェハＷの周縁部Ｗｅと中央部Ｗｃの境界に周縁改質層Ｍ１を形成する。この際、図１９に示すように周縁改質層Ｍ１から進展するクラックＣ１は、表面Ｗａには到達するが、裏面Ｗｂには到達しないようにする。

ステップＡ２では、改質装置６０においてレーザヘッド（図示せず）からレーザ光Ｌ２を照射して、周縁改質層Ｍ１の径方向外側に分割改質層Ｍ２を形成する。この際、図１９に示すように分割改質層Ｍ２から進展するクラックＣ２は、表面Ｗａと裏面Ｗｂに到達している。

かかる場合、ステップＡ４（受渡位置Ａ０）において、加工装置８０の切削ユニット９０によって重合ウェハＴの外側面を面方向に切削し、第１のウェハＷと第２のウェハＳの接合界面に未接合領域Ａｂを形成する際、周縁部Ｗｅは第１のウェハＷから剥離しない。そして、その後のステップＡ５（第１の加工位置Ａ１）において、粗研削ユニット１１０によって第１のウェハＷの裏面Ｗｂを粗研削する際、周縁部Ｗｅは剥離して除去される。

本実施形態では、ステップＡ４で周縁部Ｗｅが除去されないので、受渡位置Ａ０において、除去された周縁部Ｗｅを廃棄する処理する必要がなくなる。そして、第１の加工位置Ａ１において、周縁部Ｗｅは、第１のウェハＷの研削くずと共に廃棄処理される。

なお、本実施形態では、第１の加工位置Ａ１で周縁部Ｗｅが研削くずと共に廃棄されるため、周縁部Ｗｅはできるだけ細かく小片化されるのが好ましい。例えばステップＡ２において、図２０に示すように周縁改質層Ｍ１から径方向外側に延伸する分割改質層Ｍ２の数を増加させると共に、周縁改質層Ｍ１の外側に環状の分割改質層Ｍ２１を形成してもよい。また、図２１に示すように周縁改質層Ｍ１の外側に、螺旋状の複数の分割改質層Ｍ２２を形成してもよい。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

８０ 加工装置
８１ 回転テーブル
８３ チャック
９０ 切削ユニット
１１０ 粗研削ユニット
１２０ 仕上研削ユニット
Ｓ 第２のウェハ
Ｔ 重合ウェハ
Ｗ 第１のウェハ

Claims (18)

1. 基板を処理する基板処理装置であって、
   内部に周縁部と中央部との境界に沿って周縁改質層が形成された基板を保持する複数の保持部と、
   前記複数の保持部を備え、当該複数の保持部を同時に移動させるテーブルと、
   前記保持部に保持された基板の外側面を、当該基板の面方向に切削する切削部と、
   前記保持部に保持された基板の研削面を研削する研削部と、を有する、基板処理装置。
2. 前記保持部に保持された基板の内部にレーザ光を照射し、前記周縁改質層を形成する改質部を有する、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記改質部は、基板の内部において前記周縁改質層より径方向外側にレーザ光を照射し、分割改質層を形成する、請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記保持部に保持された基板の前記研削面を洗浄する基板洗浄部を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
5. 前記切削部は、前記テーブルにおいて外部から基板が受け渡される位置に配置され、
   前記テーブルにおいて、外部から基板が受け渡される位置と、外部に基板を搬出する位置とは異なる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 前記テーブルにおいて、外部から基板が受け渡される位置と、外部に基板を搬出する位置とは同じであり、
   前記切削部は、前記テーブルにおいて、前記基板が受け渡される位置であって基板を搬出する位置と異なる位置に配置されている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
7. 前記テーブルにおいて、外部から基板が受け渡される位置と、外部に基板を搬出する位置と、前記切削部が配置される位置とはそれぞれ同じである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
8. 前記テーブルにおいて、外部から基板が受け渡される位置と、外部に基板を搬出する位置と、前記切削部が配置される位置とはそれぞれ異なる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
9. 前記テーブルは回転自在に構成され、
   前記複数の保持部は、前記テーブルの回転中心軸を中心とする同一円周上に等間隔に配置されている、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
10. 基板を処理する基板処理方法であって、
    内部に周縁部と中央部との境界に沿って周縁改質層が形成された基板を保持する複数の保持部を同時に移動させるテーブルにおいて、当該保持部に保持された基板の外側面を、切削部によって基板の面方向に切削することと、
    前記保持部に保持された基板の研削面を研削部によって研削することと、を有する、基板処理方法。
11. 前記テーブルは、当該テーブルの回転軸周りに沿って順に配置された受渡位置、第１の加工位置、第２の加工位置、及び第３の加工位置に前記保持部を移動させ、
    前記基板処理方法は、
    前記受渡位置において、前記周縁改質層が形成された基板を前記保持部に受け渡すことと、
    前記受渡位置において、前記切削部により基板の外側面を面方向に切削することと、
    前記第１の加工位置において、前記外側面が切削された基板の前記研削面を粗研削部により粗研削することと、
    前記第２の加工位置において、前記粗研削された基板の前記研削面を仕上研削部により仕上研削することと、
    前記第３の加工位置において、前記仕上研削された基板の前記研削面を洗浄部により洗浄することと、を有する、請求項１０に記載の基板処理方法。
12. 前記切削部により基板の外側面を面方向に切削する際に、前記周縁部を除去する、請求項１１に記載の基板処理方法。
13. 前記粗研削部により基板の前記研削面を粗研削する際に、前記周縁部を除去する、請求項１１に記載の基板処理方法。
14. 前記テーブルは、当該テーブルの回転軸周りに沿って順に配置された受渡位置、第１の加工位置、第２の加工位置、及び第３の加工位置に前記保持部を移動させ、
    前記基板処理方法は、
    前記受渡位置において、前記周縁改質層が形成された基板を前記保持部に受け渡すことと、
    前記第３の加工位置において、前記切削部により基板の外側面を面方向に切削することと、
    前記第２の加工位置において、前記外側面が切削された基板の前記研削面を粗研削部により粗研削することと、
    前記第１の加工位置において、前記粗研削された基板の前記研削面を仕上研削部により仕上研削することと、
    前記受渡位置において、前記仕上研削された基板の前記研削面を洗浄部により洗浄することと、を有する、請求項１０に記載の基板処理方法。
15. 前記テーブルは、当該テーブルの回転軸周りに沿って順に配置された受渡位置、第１の加工位置、第２の加工位置、及び第３の加工位置に前記保持部を移動させ、
    前記基板処理方法は、
    前記受渡位置において、基板を前記保持部に受け渡すことと、
    前記受渡位置において、前記切削部により基板の外側面を面方向に切削することと、
    前記第３の加工位置において、改質部から基板の内部にレーザ光を照射し、前記周縁改質層を形成することと、
    前記第２の加工位置において、前記外側面が切削された基板の前記研削面を粗研削部により粗研削することと、
    前記第１の加工位置において、前記粗研削された基板の前記研削面を仕上研削部により仕上研削することと、
    前記受渡位置において、前記仕上研削された基板の前記研削面を洗浄部により洗浄することと、を有する、請求項１０に記載の基板処理方法。
16. 前記テーブルは、当該テーブルの回転軸周りに沿って順に配置された受渡位置、第１の加工位置、第２の加工位置、及び第３の加工位置に前記保持部を移動させ、
    前記基板処理方法は、
    前記受渡位置において、基板を前記保持部に受け渡すことと、
    前記受渡位置において、改質部から基板の内部にレーザ光を照射し、前記周縁改質層を形成することと、
    前記第１の加工位置において、前記切削部により基板の外側面を面方向に切削することと、
    前記第２の加工位置において、前記外側面が切削された基板の前記研削面を研削部により研削することと、
    前記第３の加工位置において、前記研削された基板の前記研削面を洗浄部により洗浄することと、を有する、請求項１０に記載の基板処理方法。
17. 前記周縁改質層は、基板の前記研削面まで到達して形成される、請求項１０〜１６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
18. 前記周縁改質層は、基板の前記研削面まで到達しないように形成される、請求項１０〜１６のいずれか一項に記載の基板処理方法。

Images