JP2021036507A - 基体構造体、基体構造体を用いた対象物載置装置及び基体構造体の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】耐久性のある、基体構造体、対象物載置装置及び基体構造体の製造方法を提供すること。【解決手段】基体構造体２０は、対象物Ｏｂが載置される第１面３１と、第１面３１に沿って延びる空洞部４０と、を有する絶縁性の基体３０と、基体３０に埋設された導電体５０と、を有している。空洞部４０は、その内面の少なくとも一部が導電体５０から離れている。導電体５０は、空洞部４０の内部に位置する導電体本体部５１と、導電体本体部５１から空洞部４０の外部に突出し、基体３０の中実部３４に埋め込まれている埋め込み部５２と、を有している。【選択図】図３

Description

本開示は、対象物が載置される、基体構造体、対象物載置装置及び基体構造体の製造方法に関する。

例えば、半導体を製造する半導体製造装置において、ウエハ等の対象物を載置する基体構造体が知られている。基体構造体としては、例えば、特許文献１（電極内蔵型セラミックス焼結体）、特許文献２（半導体処理装置）及び特許文献３（セラミックスヒータ）が知られている。

特開２０１４−９３４６７号公報 特開２００３−１００５８０号公報 特開２００１−３３２５２５号公報

耐久性のある、基体構造体、対象物載置装置及び基体構造体の製造方法の提供が待たれている。

本開示の一態様にかかる基体構造体は、対象物が載置される第１面と、前記第１面に沿って延びる空洞部と、を有する絶縁性の基体と、
前記基体に埋設された導電体と、
を有し、
前記空洞部は、その内面の少なくとも一部が前記導電体から離れており、
前記導電体は、
前記空洞部の内部に位置する導電体本体部と、
前記導電体本体部から前記空洞部の外部に突出し、前記基体の中実部に埋め込まれている埋め込み部と、
を有している。

本開示の一態様にかかる対象物載置装置は、上記基体構造体と、
前記導電体に給電可能な電力供給部と、
前記電力供給部における前記導電体への給電を制御する制御部と、
を有している。

本開示の一態様にかかる基体構造体の製造方法は、第１セラミックグリーンシートにあけられた貫通穴の内部に第１導体を設ける工程と、
前記第１セラミックグリーンシートの厚み方向において第２セラミックグリーンシートにあけられたスリットが前記第１導体に対し重なるよう、前記第１セラミックグリーンシートに前記第２セラミックグリーンシートを重ねる工程と、
前記第１導体に前記第２導体を重ねる工程と、
前記第１導体に前記第２導体が重なった状態で、前記第１セラミックグリーンシート及び前記第２セラミックグリーンシートを一体的に焼成し基体を得る工程と、
を有している。

上記構造よれば、耐久性のある基体構造体及び対象物載置装置を提供することができる。また、上記手順によれば、耐久性のある基体構造体及び対象物載置装置を製造することができる。

第１実施形態における対象物載置装置の斜視図である。 図１に示されたII−II線断面図である。 図２に示されたIII拡大図である。 図１に示す基体の製造方法を示す図である。 図４に示した製造方法とは異なる基体の製造方法を示す図である。 第２実施形態における対象物載置装置の空洞部周辺の拡大図である。 第３実施形態における対象物載置装置の空洞部周辺の拡大図である。

本開示の実施形態を添付図を用いて以下説明する。尚、説明中、上下とは対象物が基体構造体に載置される状態を基準として上下をいう。また、図中、Ｕｐは上、Ｄｎは下を示している。尚、参照する各図面は模式的に示したものであり、細部が省略されていることもある。

尚、本開示を説明するにあたり、上方や下方等といった方向をあらわす表現が所々に用いられる。これらの表現は、参照される図面との関係において便宜的に用いられるものであり、本開示を限定する意図を有しない。このため、例えば、上方を一方側と読み替えたり、下方を他方側と読み替えたりすることもできる。

［第１実施形態］
図１を参照する。１つの態様として、対象物載置装置１０は、半導体を製造する半導体製造装置に用いられる。半導体を製造する作業者は、例えば、ウエハ等の対象物Ｏｂを対象物載置装置１０に載置させ、載置された状態の対象物Ｏｂを加工する。尚、作業者は、人間であってもよいし、機械であってもよい。

図１に示す対象物載置装置１０は、対象物Ｏｂが載置される基体構造体２０と、この基体構造体２０に電力を供給する電力供給部１１と、この電力供給部１１を制御する制御部１２と、を有している。以下、対象物載置装置１０を構成する各要素を順に説明する。

（基体構造体）
図２を参照する。図２には、対象物Ｏｂが載置された状態の基体構造体２０が示されている。図２に示す基体構造体２０は、絶縁性の基体３０と、この基体３０の下面３２から下方に向かって延びるシャフト部材２１と、基体３０の内部に位置する導電体５０と、基体３０の内部に位置し導電体５０に接続されたビア導体２２と、このビア導体２２に一端が接続され電力供給部１１に他端が接続された接続部２３と、を有している。

（基体）
図１を参照する。図１に示す基体３０は、平板形状を呈している。図１に示す基体３０は、平面視において円形状を呈している。但し、基体３０は、平面視において、三角形状を呈していてもよいし、楕円形状を呈していてもよいし、矩形状を呈していてもよい。更に、基体３０は、例えば、上下方向に所定の高さを有する円柱体であってもよいし、上下方向に所定の高さを有する立方体であってもよい。基体３０は、任意の形状に設定することができる。

基体３０の寸法は、任意に設定することができる。例えば、基体３０が円形の平板形状を呈している場合、基体３０の直径は、１０ｃｍ以上８０ｃｍ以下であってもよいし、２０ｃｍ以上４０ｃｍ以下であってもよい。更に、基体３０の厚さは、３ｍｍ以上５０ｍｍ以下であってもよいし、５ｍｍ以上３５ｍｍ以下であってもよい。

基体３０の材料は、任意に設定することができる。１つの態様として、基体３０は、セラミックからなる。セラミックとしては、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３、アルミナ）、炭化珪素（ＳｉＣ）及び窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）、又はこれらを主成分とした焼結体等を挙げることができる。ここでいう主成分とは、例えば、基体３０を構成する全成分１００質量％のうち、５０質量％以上又は８０質量％以上を占める成分をいう。

図２を参照する。図２に示す例において、基体３０は、対象物Ｏｂが載置される第１面３１と、この第１面３１の反対側に位置する第２面３２と、これら第１面３１及び第２面３２を繋ぐ第３面３３と、第１面３１、第２面３２及び第３面３３に囲われた領域内における基体３０の中実部分を構成している中実部３４と、この中実部３４にあけられた空洞部４０と、第２面３２に開口すると共に第２面３２から上方に向かって延び内部にビア導体２２が充填されたビアホール３５と、を有している。

図１及び図２を参照する。第１面３１は、基体３０の上面を構成し、鉛直方向に延びる中心線Ｌ１から水平方向に沿って広がっている。別の観点では、第１面３１は、その全体が鉛直方向に臨んでいる面である、ということができる。但し、その他の態様において、第１面３１は、中心線Ｌ１から水平成分及び鉛直成分を含んで広がっており、水平方向に対し所定の角度だけ傾いていてもよい。

第１面３１は、その全体が平滑であってもよいし、所々で突起した部位や窪んだ部位を有していてもよい。第１面３１が突起した部位や窪んだ部位を有していると、対象物Ｏｂと第１面３１との接触面積が減り、載置された対象物Ｏｂを第１面３１から取り外し易くなり、例えば、半導体製造における作業者の作業負担を軽減させることができる。

第２面３２は、基体３０の下面を構成し、中心線Ｌ１から水平方向に沿って広がっている。別の観点では、第２面３２は、第１面３１に対し平行であり、その全体が下方に臨んでいる面である、ということができる。但し、その他の態様において、第２面３２は、中心線Ｌ１から水平成分及び鉛直成分を含んで広がっており、水平方向に対し所定の角度だけ傾いていてもよい。

図２を参照する。図２に示す例において、中実部３４は、第１面３１、第２面３２及び第３面３３によって囲われた領域のうち、基体３０の材料（例えば、セラミック）で満たされた部位であって、基体３０の大部分を占めている。図２に示す例においては、中実部３４は、第１面３１、第２面３２及び第３面３３に囲われた領域内において空洞部４０及びビアホール３５（ビア導体２２を含む）を除いた部位であり、その質量が基体３０の質量（基体３０における絶縁性の材料で満たされた部分の質量）と同一である。尚、詳細は後述するが、中実部３４には、導電体５０の一部（図中では導電体５０の上部）が埋め込まれている。

（空洞部）
図２及び図３を参照する。空洞部４０は、基体３０にあけられた空洞であり、第１面３１に沿って延びている。第１面３１に沿って延びる空洞部４０は、例えば、その全体が渦巻き形状を呈していてもよいし、その全体がミアンダ形状を呈していてもよい。

空洞部４０は、空洞部４０が延びる方向に垂直な基体３０の断面において（空洞部４０が延びる方向に見て）、例えば、略矩形状を呈していてもよいし、略台形状を呈していてもよいし、略三角形状を呈していてもよい。空洞部４０が延びる方向に見た空洞部４０が矩形状を呈している場合、例えば、空洞部４０のアスペクト比は、任意に設定することができる。例えば、空洞部４０の幅は、空洞部４０の高さに対し、１．５倍以上の大きさであってもよいし、３倍以上の大きさであってもよいし、４．５倍以上の大きさであってもよいし、１．０倍〜１．５倍の範囲内の大きさであってもよい。例えば、空洞部４０の幅は、空洞部４０の高さに対し、１．０倍未満であってもよい。

空洞部４０の内部は、気体（例えば、二酸化炭素や不活性ガス）によって満たされていてもよいし、真空状態であってもよい。空洞部４０が延びる方向に見た空洞部４０の面積は、空洞部４０が延びる方向に見た導電体５０の断面積よりも大きい。このため、空洞部４０の内面は、少なくとも導電体５０から離れた部位を有している。別の観点では、空洞部４０の内面と導電体５０との間には、少なくとも空隙４５が位置している、ということができる。

図３を参照する。図３に示す空洞部４０は、導電体５０に当接すると共に空洞部４０の天井を構成している当接面４１と、この当接面４１に対向すると共に導電体５０から離れている対向面４２と、これら当接面４１及び対向面４２を繋いでいる内壁４３、４４と、を有している。

図３に示す当接面４１は、空洞部４０が延びる方向に見て、一部（空洞部４０における幅方向の中央部付近の部位）が導電体５０に当接し、残部（内壁４３、４４付近の部位）が導電体５０に当接していない。空洞部４０が延びる方向に見た、導電体５０における、導電体５０に当接する部位及び導電体５０に当接していない部位の割合は、任意である。

ところで、第１面３１に沿って延びている空洞部４０は、所定の長さを有している。空洞部４０が延びる方向に沿って当接面４１を辿って見た場合における、当接面４１と導電体５０との関係について説明する。空洞部４０が延びる方向に沿って当接面４１を辿った場合、当接面４１は、その全体が導電体５０に当接していてもよいし、その８０％以上が導電体５０に当接していてもよいし、その６０％以上が導電体５０に当接していてもよいし、その４０％以上が導電体５０に当接していてもよいし、導電体５０に当接している割合が４０％以下であってもよい。

尚、当接面４１は、その全体が平滑であってもよいし、所々に突起する部位や窪んだ部位を有していてもよい。更には、当接面４１は、第２面３２に向かって傾斜する部位、及び／又は、第１面３１に向かって傾斜する部位を有していてもよい。

図３に示す対向面４２は、空洞部４０が延びる方向に見て、その全体が導電体５０から離れている。但し、対向面４２は、空洞部４０が延びる方向に見て、一部が導電体５０に当接し、残部が導電体５０から離れていてもよい。例えば、対向面４２は、空洞部４０が延びる方向に見て、その８０％以上が導電体５０から離れていてもよいし、その６０％以上が導電体５０から離れていてもよし、その４０％以上が導電体５０から離れていてもよいし、導電体５０から離れている割合が４０％以下であってもよい。対向面４２は、空洞部４０の底面を構成している。

ところで、第１面３１に沿って延びている空洞部４０は、所定の長さを有している。空洞部４０が延びる方向に沿って対向面４２を辿った場合における、対向面４２と導電体５０との関係について説明する。空洞部４０が延びる方向に沿って対向面４２を辿った場合、その全体が導電体５０から離れていてもよいし、その８０％以上が導電体５０から離れていてもよいし、その６０％以上が導電体５０から離れていてもよいし、その４０％以上が導電体５０から離れていてもよいし、導電体５０から離れている割合が４０％以下であってもよい。

図３に示す例において、対向面４２と導電体５０との間には、対向面４２が導電体５０から離れた第１空隙４５ａが位置している。第１空隙４５ａは、任意の大きさであってよい。例えば、第１空隙４５ａの高さは、空洞部４０の高さに対し、１／２以上の大きさであってもよいし、１／５以上の大きさであってもよいし、１／１０以上の大きさであってもよいし、１／２０以上の大きさであってもよいし、１／５０以上の大きさであってもよいし、１／１００以上の大きさであってもよいし、１／２００以上の大きさであってもよいし、１／５００以上の大きさであってもよいし、１／５００以下の大きさであってもよい。例えば、第１空隙４５ａの高さは、１ｍｍ以上の大きさであってもよいし、１０μｍ以上の大きさであってもよいし、１．０μｍ以上の大きさであってもよいし、１．０μｍ以下の大きさであってもよい。

対向面４２は、その全体が平滑であってもよいし、所々に突起する部位や窪んだ部位を有していてもよい。更には、対向面４２は、第２面３２に向かって傾斜する部位、及び／又は、第１面３１に向かって傾斜する部位を有していてもよい。

図３に示す内壁４３、４４は、空洞部４０が延びる方向に見て、その全体が導電体５０から離れている。但し、内壁４３、４４は、空洞部４０が延びる方向に見て、一部が導電体５０から離れ、残部が導電体５０に当接していてもよい。例えば、内壁４３、４４は、空洞部４０が延びる方向に見て、その８０％以上が導電体５０から離れていてもよいし、その６０％以上が導電体５０から離れていてもよいし、その４０％以上が導電体５０から離れていてもよいし、導電体５０から離れている割合が４０％以下であってもよい。尚、内壁４３は、空洞部４０の左側面を構成し、内壁４４は、空洞部４０の右側面を構成している。

空洞部４０が延びる方向に沿って内壁４３、４４を辿った場合、内壁４３、４４は、その全体が導電体５０から離れていてもよいし、その８０％以上が導電体５０から離れていてもよいし、その６０％以上が導電体５０から離れていてもよいし、その４０％以上が導電体５０から離れていてもよいし、導電体５０から離れている割合が４０％以下であってもよい。

図３に示す例において、内壁４３、４４と導電体５０との間には、内壁４３、４４が導電体５０から離れた第２空隙４５ｂ、４５ｃが位置している。第２空隙４５ｂ、４５ｃは、任意の大きさであってよい。例えば、第２空隙４５ｂ、４５ｃの幅（水平方向の長さ）は、空洞部４０の幅に対し、１／２以上の大きさであってもよいし、１／５以上の大きさであってもよいし、１／１０以上の大きさであってもよいし、１／２０以上の大きさであってもよいし、１／５０以上の大きさであってもよいし、１／１００以上の大きさであってもよいし、１／２００以上の大きさであってもよいし、１／５００以上の大きさであってもよいし、１／５００以下の大きさであってもよい。例えば、第２空隙４５ｂ、４５ｃの幅は、１μｍ以上の大きさであってもよいし、１０μｍ以上の大きさであってもよいし、１μｍ以下の大きさであってもよい。尚、第２空隙４５ｂの大きさは、第２空隙４５ｃの大きさと異なっていてもよい。

内壁４３、４４は、その全体が平滑であってもよいし、所々に突起する部位や窪んだ部位を有していてもよい。更には、内壁４３、４４は、第１面３１に対し垂直であってもよいし、第１面３１に対し垂直でなくてもよい。

図２を参照する。ビアホール３５は、基体３０の厚み方向に沿って延び、空洞部４０の内面及び第２面３２に開口している。図２においては、基体３０は、ビアホール３５が２つ有している。しかしながら、基体３０は、ビアホール３５を１つのみ有していてもよいし、ビアホール３５を３つ以上有していてもよい。基体３０が有するビアホール３５の数は任意である。

ビアホール３５の長さは、任意に設定することができる。ビアホール３５の長さは、１ｍｍ以上であってもよいし、２ｍｍ以上であってもよいし、４ｍｍ以上であってもよいし、１０ｍｍ以上であってもよいし、１ｍｍより短くてもよい。

ビアホール３５の形状は、任意である。例えば、ビアホール３５は、ビアホール３５が延びる方向に垂直な断面において、円形状を呈していてもよいし、楕円形状を呈していてもよいし、矩形状を呈していてもよいし、三角形状を呈していてもよい。更に、ビアホール３５の内径についても、任意の大きさに設定することができる。ビアホール３５の内径は、例えば、６０μｍ以上であってもよいし、１００μｍ以上であってもよいし、１５０μｍ以上であってもよいし、３００μｍ以上であってもよいし、６０μｍ以下であってもよい。

（シャフト部材）
図１及び図２を参照する。図１に示すシャフト部材２１は、筒形状を呈し、上端が第２面３２に接合されている。筒形状を呈するシャフト部材２１は、鉛直方向に沿って延びている。シャフト部材２１の形状は、任意に設定することができる。例えば、水平方向におけるシャフト部材２１の断面は、円形の枠形状を呈していてもよいし、楕円の枠形状を呈していてもよいし、矩形の枠形状を呈していてもよい。

シャフト部材２１の材料は、任意に設定することができる。シャフト部材２１は、例えば、絶縁性の材料によって構成されていてもよいし、導電性の材料によって構成されていてもよい。例えば、絶縁性の材料としては、セラミックを挙げることができ、導電性の材料としては、金属を挙げることができる。シャフト部材２１及び基体３０の材料が共にセラミックである場合、シャフト部材２１を構成するセラミックの主成分を、基体３０を構成するセラミックの主成分と同一にすることもできる。

シャフト部材２１の大きさは、任意に設定することができる。例えば、上下方向における、シャフト部材２１の長さは、例えば、１０ｃｍ以上８０ｃｍ以下であってもよいし、２０ｃｍ以上４０ｃｍ以下であってもよい。シャフト部材２１の内径は、例えば、０．５ｃｍ以上１０ｃｍ以下であってもよい。シャフト部材２１の外径は、例えば、１．０ｃｍ以上１５ｃｍ以下であってもよい。尚、シャフト部材２１の内径、及び、シャフト部材２１の外径は、シャフト部材２１の上端から下端に亘って同一であってもよいし、シャフト部材２１の上端から下端に亘って同一でなくてもよい。

シャフト部材２１の基体３０への接合は、任意の方法で行うことができる。１つの態様として、シャフト部材２１は、接着材によって基体３０に接合される。１つの態様として、シャフト部材２１は、固相接合によって基体３０に接合される。１つの態様として、セラミックからなるシャフト部材２１は、製造時において未焼結の基体３０と共に焼成し、接着材等を介さず、セラミックからなる基体３０に対し直接接合される。

図２を参照する。シャフト部材２１は、第２面３２に繋がっている上面部２１ａと、この上面部２１ａとは反対に位置する下面部２１ｂと、これら上面部２１ａ及び下面部２１ｂを繋ぐと共にシャフト部材２１の内側を構成している内面部２１ｃと、上面部２１ａ及び下面部２１ｂを繋ぐと共にシャフト部材２１の外側を構成している外面部２１ｄと、を有している。

内面部２１ｃは、筒形状を呈するシャフト部材２１の内側を通る接続部２３を囲っている。シャフト部材２１は、接続部２３が外気に直接晒されることを抑制している。

（導電体）
導電体５０は、基体３０の内部に位置し、第１面３１に沿って延びている。第１面３１に沿って延びる導電体５０は、例えば、その全体が渦巻き形状又はミアンダ形状を呈している。導電体５０は、例えば、鉛直方向に延びる中心線Ｌ１（図１参照）から水平方向に沿って、基体３０の全体に広がっている。これにより、第１面３１の全体を効率よく加熱することができる。

導電体５０は、例えば、Ｎｉ、Ｗ、ＭｏまたはＰｔなどからなる金属、又は、これらの少なくとも一部を含む合金である。図２に示す導電体５０は、１層のみからなる導電層である。

図２に示す導電体５０は、導電体５０が延びる方向に見て、略矩形状を呈している。但し、例えば、導電体５０は、導電体５０が延びる方向に見て、略円形状（楕円形状も含む）を呈していてもよいし、略三角形状を呈していてもよい。

導電体５０は、電力供給部１１からの電力によって発熱する抵抗発熱体を含んでいる。抵抗発熱体が発熱することによって、第１面３１に載置された対象物Ｏｂを加熱することができる。基体構造体２０は、抵抗発熱体を含むヒータである、ということができる。

図３を参照する。図３に示す導電体５０は、その全体が空洞部４０の内部に位置する導電体本体部５１と、この導電体本体部５１に繋がっておりその全体が基体３０の中実部３４に埋め込まれている埋め込み部５２と、を有している。図３に示す導電体５０は、空洞部４０が延びる方向に見て、中実部３４に埋め込まれた埋め込み部５２を１つだけ有している。

図３に示す導電体本体部５１は、当接面４１に当接している第１外表面５１ａと、この第１外表面５１ａの反対側に位置し対向面４２から離れている第２外表面５１ｂと、これら第１外表面５１ａ及び第２外表面５１ｂを繋いでいる第３外表面５１ｃ、５１ｄと、を有している。導電体本体部５１は、導電体５０の大部分を構成し、第１面３１に沿って延びている。導電体本体部５１は、所定の長さを有している。

図３に示す例において、第１外表面５１ａは、その全体が当接面４１に当接している。但し、第１外表面５１ａは、その一部に当接面４１から離れている部位を有していてもよい。図３に示す例において、第２外表面５１ｂ及び第３外表面５１ｃ、５１ｄは、その全体が空洞部４０の内面から離れている。但し、第２外表面５１ｂ及び／又は第３外表面５１ｃ、５１ｄは、その一部に空洞部４０の内面に当接している部位を有していてもよい。尚、第２外表面５１ｂ、第１外表面５１ａ及び第３外表面５１ｃ、５１ｄは、それぞれが平滑な面であってもよいし、所々に窪んだ部位や突起した部位を有していてもよい。

埋め込み部５２は、導電体本体部５１の第１外表面５１ａから上方に向かって突出し、中実部３４における空洞部４０と第１面３１との間の部位に埋め込まれている。

埋め込み部５２は、導電性を有している。埋め込み部５２は、その大きさや形状等からして他の導体と区別できる。図２を併せて参照する。埋め込み部５２は、ビア導体２２を介して（ビア導体２２及び導電体本体部５１を介す場合も含む）接続部２３と電気的に接続されている。埋め込み部５２は、空洞部４０が延びる方向に沿っており、導電体本体部５１が所定の位置から移動することを抑制している。埋め込み部５２は、例えば、その外表面の全体が中実部３４によって覆われている。

埋め込み部５２の形状は、任意に設定することができる。導電体５０が延びる方向に沿って埋め込み部５２を辿った場合、埋め込み部５２は、その全体が一直線に延び導電体５０が延びる方向に沿って連続していてもよいし、所々において途切れていてもよい。埋め込み部５２が所々において途切れている場合の１つの態様として、埋め込み部５２は、導電体本体部５１の外表面から空洞部４０の外部に突出する複数の突出部によって構成されている態様がある。

図３に示す埋め込み部５２は、空洞部４０が延びる方向に見て、導電体本体部５１から離れるほど幅が大きくなる逆テーパ形状を呈している。別の観点では、埋め込み部５２においては、空洞部４０が延びる方向に見て、導電体本体部５１との境界近傍（以下、第１部位５２ａとも呼ぶ）の幅よりも導電体本体部５１から離れた箇所（以下、第２部位５２ｂとも呼ぶ）の幅が大きくなっている、ということができる。この時、第２部位５２ｂは、第１部位５２ａよりも空洞部４０から離れて位置し、第１部位５２ａと共に中実部３４に埋め込まれている。

尚、空洞部４０が延びる方向に沿って埋め込み部５２を辿った場合、導電体本体部５１から離れた箇所の幅が導電体本体部５１との境界箇所の幅より大きくなる部位は、埋め込み部５２の全体における９０％以上に亘っていてもよいし、埋め込み部５２の全体における７０％以上に亘っていてもよいし、埋め込み部５２の全体における５０％以上に亘っていてもよいし、埋め込み部５２の全体における５０％以下に亘っていてもよい。

尚、埋め込み部５２の幅は、任意の長さに設定することができる。例えば、導電体本体部５１近傍（導電体本体部５１と埋め込み部５２との境界部分）における埋め込み部５２の幅は、導電体本体部５１の幅に対し、１．０倍以下の大きさであってもよいし、０．８倍以下の大きさであってもよいし、０．６倍以下の大きさであってもよいし、０．４倍以下の大きさであってもよいし、０．２倍以下の大きさであってもよい。導電体本体部５１近傍における埋め込み部５２の幅は、導電体本体部５１の幅と同一であってもよい。

埋め込み部５２が埋め込まれた方向における埋め込み部５２の長さは、任意に設定することができる。埋め込み部５２が埋め込まれた方向における埋め込み部５２の長さは、同方向における導電体本体部５１の高さ（導電体本体部５１の厚さ）に対し、１以下の大きさであってもよいし、１／２以下の大きさであってもよいし、１／５以下の大きさであってもよいし、１／１０以下の大きさであってもよいし、１／２０以下の大きさであってもよいし、１／５０以下の大きさであってもよい。

尚、埋め込み部５２の材料は、任意に設定することができる。例えば、埋め込み部５２の材料は、その主成分が導電体本体部５１の主成分と同一（導電体本体部５１の材料と同一の場合も含む）であってもよいし、その主成分が導電体本体部５１の主成分と異なっていてもよい。

図３に示す例において、埋め込み部５２は、空洞部４０が延びる方向に見て、空洞部４０における幅方向の中央部を上下に通る直線Ｌ２（以下、中央線Ｌ２と呼ぶ）上に位置している。但し、その他の態様において、埋め込み部５２は、空洞部４０が延びる方向に見て、中央線Ｌ２を基準として左側に偏って位置していてもよいし、中央線Ｌ２を基準として右側に偏って位置していてもよい。更に、空洞部４０が延びる方向に沿って埋め込み部５２を辿ると、埋め込み部５２は、中央線Ｌ２を基準として左右方向に蛇行していてもよい。

（ビア導体）
図２を参照する。ビア導体２２は、ビアホール３５の内部に充填された導体（金属）である。ビア導体２２は、例えば、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ又はＰｔなどの金属、又は、これらの少なくとも一部を含む合金によって構成される。ビア導体２２の外径は、例えば、６０μｍ以上であってもよいし、１００μｍ以上であってもよいし、１５０μｍ以上であってもよいし、３００μｍ以上であってもよいし、６０μｍ以下であってもよい。

（接続部）
接続部２３は、導体（例えば、金属）を含んでおり、導電体５０と電力供給部１１とを通電可能に接続している。接続部２３の上端は、ビア導体２２に接続され、接続部２３の下端は、電力供給部１１に接続されている。尚、接続部２３は、上下に延びる導体の外表面が絶縁性の材料（例えば、ゴム）によって囲われた構造をしていてもよい。

（電力供給部）
電力供給部１１は、基体３０の外部に位置し、接続部２３及びビア導体２２を介して導電体５０に電力を供給する。電力供給部１１は、例えば、電源から給電された電力を適切な電圧に変換しこれを導電体５０に供給する電源回路を含んでいる。

（制御部）
制御部１２は、電力供給部１１における導電体５０への電力の供給を制御する。１つの態様として、制御部１２は、抵抗発熱体を含む導電体５０が所望の温度まで発熱するよう、電力供給部１１から出力される電力の供給量を制御する。このような制御部１２を含む対象物載置装置１０に対象物Ｏｂを載置し、抵抗発熱体を加熱させることにより、対象物Ｏｂを加熱することができる。

次に基体構造体の製造方法について説明する。

図１を参照する。基体構造体２０は、基体３０にシャフト部材２１が接合された構造をしている。基体３０へのシャフト部材２１の接合は、任意の方法で行うことができる。１つの態様として、接着材によって、基体３０とシャフト部材２１とを接合することができる。１つの態様として、焼結すると基体３０になる未焼結の積層体（後述する、積層された複数のグリーンシートからなるシート積層体１００（図４参照））、及び、焼結するとシャフト部材２１になる未焼結の積層体を一体的に焼成することによって、基体３０とシャフト部材２１とを接合させることができる。

図４を参照する。図４には、基体３０（図２参照）を作成する方法が示されている。図２を併せて参照する。基体３０は、複数のセラミックグリーンシート１０１、１０２、１０３、１０６を積層することによって得られたシート積層体１００を焼成することによって作成することができる。尚、シート積層体１００の内部には、焼成によって導電体５０（導電体本体部５１及び埋め込み部５２）となる導体１０４、１０５が設けられている。

基体３０の作成においては、穴があけられていないセラミックグリーンシートを用意し、このセラミックグリーンシートにパンチング又はレーザ等により貫通穴１０２ａをあけることによって、貫通穴１０２ａがあけられた第１セラミックグリーンシート１０２を作成する。貫通穴１０２ａは、例えば、その内面がテーパ状に傾斜するよう先端が先細ったパンチングドリル等によって作成される。尚、貫通穴１０２ａは、平面視において、略円形状を呈する穴であってもよいし、所定の長さを有するスリット状の穴であってもよい。セラミックグリーンシートに貫通穴１０２ａがあけられることにより、第１セラミックグリーンシート１０２を作成する工程（ステップ）が終わる。

次に、第１セラミックグリーンシート１０２を作成したら、第１セラミックグリーンシート１０２の貫通穴１０２ａの内部に第１導体１０４（例えば、金属を含むペースト又は金属）を設ける。これにより、貫通穴１０２ａの内部に第１導体１０４を設ける工程（ステップ）が終わる。貫通穴１０２ａの内部に第１導体１０４を設ける工程を終えたら、第１セラミックグリーンシート１０２をセラミックグリーンシート１０１（貫通穴１０２ａがあけられていないセラミックグリーンシート１０１）に重ねる。尚、シート積層体１００の作成においては、セラミックグリーンシート１０１に第１セラミックグリーンシート１０２を重ねた後、貫通穴１０２ａの内部に第１導体１０４を設けるという順番にすることもできる。

次に、新たなセラミックグリーンシートを用意し、このセラミックグリーンシートにパンチング又はレーザ等によりスリット１０３ａをあける。これにより、スリット１０３ａがあけられた第２セラミックグリーンシート１０３が作成される。第２セラミックグリーンシート１０３を作成したら、第１セラミックグリーンシート１０２の厚み方向において第２セラミックグリーンシート１０３にあけられたスリット１０３ａが第１導体１０４に重なるよう、第１セラミックグリーンシート１０２に第２セラミックグリーンシート１０３を複数（例えば、５０枚）重ねる。第１セラミックグリーンシート１０２に第２セラミックグリーンシート１０３が複数重ねられたら、第１セラミックグリーンシート１０２に第２セラミックグリーンシート１０３を重ねる工程（ステップ）が終わる。この時、複数の第２セラミックグリーンシート１０３が重ねられることにより、複数のスリット１０３ａによって構成される溝部１０３ｂが形成されている。

次に、複数の第２セラミックグリーンシート１０３が重ねられることによって形成された溝部１０３ｂに第２導体１０５（例えば、金属を含むペースト又は金属）を設ける。この時、第２導体１０５は、貫通穴１０２ａに設けられた第１導体１０４と重なるよう（接触するよう）溝部１０３ｂに設けられる。これにより、第１導体１０４に第２導体１０５を重ねる工程（ステップ）が終わる。

次に、スリット１０３ａ（溝部１０３ｂ）に第２導体１０５が設けられた第２セラミックグリーンシート１０３にセラミックグリーンシート１０６（貫通穴があけられていないセラミックグリーンシート１０６）を重ねることによってシート積層体１００を作成する。これにより、シート積層体１００を作成する工程（ステップ）が終わる。

次に、シート積層体１００を焼成し、シート積層体１００を焼結させる。シート積層体１００が焼結すると、シート積層体１００が基体３０になる。これにより、シート積層体１００を焼結させる工程（ステップ）が終わり、基体３０が完成する。尚、図４には、シート積層体１００のみを焼成する図が示されている。しかしながら、焼成は、シート積層体１００と焼成するとシャフト部材２１（図２参照）になる積層体とを一体化させた状態で行ってもよい。

図２を参照する。次に、例えば、ろう付けやはんだ付けによって、基体３０に充填されたビア導体２２に接続部２３を接続させる。更に、基体３０とシャフト部材２１とが接合されていないのであれば、これらを接合させる。これらの工程（ステップ）を終えることにより、基体構造体２０を製造することができる。

図２及び図３を参照する。導電体５０は、導電体本体部５１から空洞部４０の外部に突出し、基体３０の中実部３４に埋め込まれている埋め込み部５２を有している。導電体５０の一部が中実部３４に埋め込まれていることにより、導電体５０が基体３０の内部において固定される。これにより、空洞部４０の内面が導電体５０（導電体本体部５１）から離れ、空洞部４０の内面と導電体５０との間に空隙４５が位置している場合においても、導電体５０を位置決めすることができる。結果、外部から基体構造体２０に衝撃等が加わっても、導電体５０が所定の位置から移動することを抑制することができる。これにより、耐久性のある基体構造体２０を提供することができる。

加えて、導電体本体部５１から空洞部４０の外部に突出し埋め込み部５２が中実部３４に埋め込まれていることにより、基体３０に対し導電体５０の当接する面積を増やすことができる。これにより、導電体５０が抵抗発熱体を含む基体構造体２０においては、抵抗発熱体と基体３０との熱交換の効率を向上させることができる。

埋め込み部５２は、導電体本体部５１の外表面から第１面３１に向かって突出し、中実部３４における空洞部４０と第１面３１との間の部位に埋め込まれている。これにより、導電体５０においては、対象物Ｏｂが載置される第１面３１側の外表面における基体３０に対する接触面積が増える。結果、導電体５０が抵抗発熱体を含む基体構造体２０において、導電体５０と基体３０との熱交換により、基体３０における第１面３１側の部位を効率よく加熱することができる。

空洞部４０は、導電体本体部５１が当接する当接面４１と、当接面に対向する対向面４２と、を有している。更に、導電体本体部５１と対向面４２との間には、両者が離れた第１空隙４５ａが位置している。これらから、導電体本体部５１は、当接面４１に当接すると共に対向面４２から離れた箇所に位置している、ということができる。抵抗発熱体を含む導電体５０においては、導電体５０の当接面４１に対向する外表面と基体３０との熱交換の効率を向上させ、導電体５０の対向面４２に対向する外表面と基体３０との熱交換の効率を低下させることができる。結果、基体構造体２０においては、当接面４１に対向する導電体５０の外表面５１ａ（第１外表面５１ａ）から基体３０内部へより効率的に熱を伝えることができる。１つの態様として、当接面４１を空洞部４０の天井とすることによって、対象物Ｏｂが載置される第１面３１をより効率的に加熱することができる。

空洞部４０は、当接面４１及び対向面４２を繋ぐ内壁４３、４４を有している。更に、導電体本体部５１と内壁４３、４４との間には、両者が離れた第２空隙４５ｂ、４５ｃが位置している。これらから、導電体本体部５１は、空洞部４０の内壁４３、４４から離れた箇所に位置している、ということができる。これにより、内壁４３、４４を介する基体３０と導電体本体部５１との熱交換の効率を低下させることができる。結果、導電体５０における当接面４１に当接する外表面５１ａを介する、基体３０と導電体本体部５１との熱交換の効率をより向上させることができる。

埋め込み部５２は、中実部３４に埋め込まれた第１部位５２ａを有している。更に、埋め込み部５２は、第１部位５２ａよりも空洞部４０から離れて位置し、その幅が第１部位５２ａの幅よりも大きい第２部位５２ｂを有している。言い換えると、埋め込み部５２は、空洞部４０が延びる方向に見て、導電体本体部５１との境界箇所の幅よりも導電体本体部５１から離れた箇所の幅の方が大きい部位を含んでいる、ということができる。これにより、導電体５０が基体３０に対しより強く固定される。即ち、外部から基体構造体２０に衝撃等が加わっても、導電体５０が所定の位置から移動することを抑制できる。結果、より耐久性のある基体構造体２０を提供することができる。

埋め込み部５２の材料は、導電体本体部５１の材料と主成分が同一である。これにより、基体構造体２０の製造において、導電体本体部５１と埋め込み部５２とを一体的に作成することができる。結果、生産効率の高い基体構造体２０を提供することができる。

埋め込み部５２は、空洞部４０が延びる方向に沿っている。これにより、導電体５０の一部が空洞部４０が延びる方向に沿って中実部３４に埋め込まれることになり、導電体５０の全体が基体 の内部において固定される。結果、空洞部４０の内面が導電体５０（導電体本体部５１）から離れ、空洞部４０の内面と導電体５０との間に空隙４５が位置している場合においても、導電体５０を確実に位置決めすることができる。よって、より耐久性のある基体構造体２０を提供することができる。

加えて、埋め込み部５２が空洞部４０が延びる方向に沿って中実部３４に埋め込まれているため、基体３０に対し導電体５０の当接する面積がより増える。これにより、導電体５０が抵抗発熱体を含む基体構造体２０においては、抵抗発熱体と基体３０との熱交換の効率をより向上させることができる。

埋め込み部５２は、その全体が連続している。これにより、埋め込み部５２は、空洞部４０が延びる方向に沿って途切れることなく一直線上に延びることになる。この時、空洞部４０が延びる方向に沿って導電体５０を辿ると、導電体本体部５１は連続する埋め込み部５２によって位置決めされていることが分かる。結果、導電体５０は、基体 内においてより確実に位置決めされる。よって、より耐久性のある基体構造体２０を提供することができる。

基体構造体２０は、導電体５０が抵抗発熱体を含んでいるヒータである。これにより、基体構造体２０は、基体３０に対象物Ｏｂを載置させた状態で、対象物を直接加熱できる。加えて、抵抗発熱体が基体３０の内部に埋設される（位置する）ことになり、抵抗発熱体が酸素に触れることが抑制される。結果、より効率的に加熱することができ、且つ耐久性のある基体構造体２０を提供することができる。

次に、上記製造方法とは異なる、基体構造体の製造方法について説明をする。

図５を参照する。図５には、図４とは異なる方法により基体３０（図２参照）を作成する方法が示されている。尚、これから説明する基体構造体２０の製造方法については、図４による製造方法と共通する部分は符号を流用すると共に詳細な説明を省略する。

第１セラミックグリーンシート１０２の貫通穴１０２ａの内部に第１導体１０４を設ける工程が終わったら、例えば、スクリーン印刷によって第１セラミックグリーンシート１０２の外表面に第２導体１０５Ａを設ける。第２導体１０５Ａは、複数回のスクリーン印刷によって第１セラミックグリーンシート１０２に設けられてもよい。尚、第２導体１０５Ａは、貫通穴１０２ａに設けられた第１導体１０４と重なるよう（接触するよう）第１セラミックグリーンシート１０２に設ける。これにより、第１導体１０４に第２導体１０５Ａを重ねる工程（ステップ）が終わる。

次に、新たなセラミックグリーンシートを用意し、このセラミックグリーンシートにパンチング又はレーザ等によりスリット１０３Ａａをあけることによって、スリット１０３Ａａがあけられた第２セラミックグリーンシート１０３Ａを作成する。第２セラミックグリーンシート１０３Ａを作成したら、第１セラミックグリーンシート１０２の厚み方向において第２セラミックグリーンシート１０３Ａにあけらたスリット１０３Ａａが第１導体１０４に重なるよう（スリット１０３Ａａの内側に第２導体１０５Ａが位置するよう）、第１セラミックグリーンシート１０２に第２セラミックグリーンシート１０３Ａを複数（例えば、５０枚）重ねる。第１セラミックグリーンシート１０２に第２セラミックグリーンシート１０３Ａが複数重ねられたら、第１セラミックグリーンシート１０２に第２セラミックグリーンシート１０３Ａを重ねる工程（ステップ）が終わる。この時、第２導体１０５Ａは、複数の第２セラミックグリーンシート１０３Ａが重ねられ形成された溝部１０３Ａｂの内面に囲われている。

次に、スリット１０３Ａａ（溝部１０３Ａｂ）に第２導体１０５Ａが設けられた第２セラミックグリーンシート１０３Ａにセラミックグリーンシート１０６（貫通穴があけられていないセラミックグリーンシート１０６）を重ねることによってシート積層体１００Ａを作成する。これにより、シート積層体１００Ａを作成する工程（ステップ）が終わる。尚、シート積層体１００Ａを焼成する工程以降については、図４を参照して説明した基体構造体２０の製造方法と共通する部分が多いため省略する。

［第２実施形態］
図６を参照する。図６には、第２実施形態における基体構造体２０Ａの空洞部４０Ａ周辺の図が示されている。尚、図６は、第１実施形態における空洞部４０周辺の図を示している図３に対応している。第１実施形態による基体構造体２０と共通する部分については、符号を流用すると共に詳細な説明を省略する。

（埋め込み部）
図６に示す埋め込み部５２Ａは、導電体５０Ａが延びる方向に見て略楕円形状を呈している。更に、埋め込み部５２Ａは、導電体５０Ａが延びる方向に見て、導電体本体部５１との境界箇所から第１面３１に向かって幅が大きくなる部位と、導電体本体部５１から最も離れた箇所から導電体本体部５１に向かって幅が大きくなる部位と、を有している。尚、埋め込み部５２Ａは、例えば、導電体５０Ａが延びる方向に見て略円形状を呈していてもよい。

［第３実施形態］
図７を参照する。図７には、第３実施形態における基体構造体２０Ｂの空洞部４０Ｂ周辺の図が示されている。尚、図７は、第１実施形態における空洞部４０周辺の図を示している図３に対応している。第１実施形態による基体構造体２０と共通する部分については、符号を流用すると共に詳細な説明を省略する。

（導電体）
図７に示す導電体５０Ｂは、その全体が空洞部４０の内部に位置する導電体本体部５１と、この導電体本体部５１に繋がっておりその全体が基体３０の中実部３４に埋め込まれている埋め込み部５２と、導電体５０Ｂが延びる方向にみて埋め込み部５２から離れていると共にその全体が基体３０の中実部３４に埋め込まれている第２埋め込み部５３Ｂと、を有している。第２埋め込み部５３Ｂは、導電体本体部５１が延びる方向に沿っている。

図７に示す埋め込み部５２は、導電体５０Ｂが延びる方向に見て、導電体本体部５１における幅方向の中央部よりも左側に位置している。一方、第２埋め込み部５３Ｂは、導電体５０Ｂが延びる方向に見て、導電体本体部５１における幅方向の中央部よりも右側に位置している。但し、その他の態様において、埋め込み部５２及び第２埋め込み部５３Ｂは、導電体５０Ｂが延びる方向に見て、それぞれが導電体本体部５１における幅方向の中央部よりも右側に位置していてもよいし、それぞれが導電体本体部５１における幅方向の中央部よりも左側に位置していてもよい。

埋め込み部５２及び第２埋め込み部５３Ｂの形状は、任意に設定できる。例えば、導電体５０Ｂが延びる方向に見た第２埋め込み部５３Ｂの形状は、同方向に見た埋め込み部５２の形状と同一であってもよいし、同方向に見た埋め込み部５２の形状と異なっていてもよい。

更に、導電体５０Ｂの延びる方向に沿って埋め込み部５２及び第２埋め込み部５３Ｂを辿った場合、埋め込み部５２及び第２埋め込み部５３Ｂにおいては、それぞれ共に一直線に延びると共にその全体が連続していてもよいし、埋め込み部５２及び第２埋め込み部５３Ｂのそれぞれが所々において途切れていてもよいし、埋め込み部５２のみが一直線に延びると共にその全体が連続していてもよいし、第２埋め込み部５３Ｂのみが一直線に延びると共にその全体が連続していてもよい。

第２埋め込み部５３Ｂは、空洞部４０が延びる方向に見て導電体本体部５１から離れるほど幅が大きくなる逆テーパ形状を呈している。別の観点では、埋め込み部５２においては、空洞部４０が延びる方向に見て、導電体本体部５１との境界近傍（以下、第３部位５３Ｂａとも呼ぶ）の幅よりも、導電体本体部５１から離れた箇所（以下、第４部位５３Ｂｂとも呼ぶ）の幅の方が大きくなっている、ということもできる。この時、第４部位５３Ｂｂは、第３部位５３Ｂａよりも空洞部４０から離れて位置し、第３部位５３Ｂａと共に中実部３４に埋め込まれている。

尚、導電体本体部５１から離れた箇所の幅が導電体本体部５１との境界箇所の幅より大きくなる部位は、空洞部４０が延びる方向に沿って、第２埋め込み部５３Ｂの全体に位置していなくてもよい。

第２埋め込み部５３Ｂの幅は、任意の長さに設定することができる。例えば、第２埋め込み部５３Ｂにおける導電体本体部５１近傍の部位（導電体本体部５１と第２埋め込み部５３Ｂとの境界部分）において、埋め込み部５２の幅の長さは、導電体本体部５１の幅の長さに対し、１．０倍以下の大きさであってもよいし、０．８倍以下の大きさであってもよいし、０．６倍以下の大きさであってもよいし、０．４倍以下の大きさであってもよいし、０．２倍以下の大きさであってもよい。尚、埋め込み部５２の幅（導電体本体部５１との境界箇所の幅）と第２埋め込み部５３Ｂの幅（導電体本体部５１との境界箇所の幅）との和は、導電体本体部５１の幅よりも小さい。

第２埋め込み部５３Ｂが埋め込まれた方向における第２埋め込み部５３Ｂの長さは、任意に設定することができる。第２埋め込み部５３Ｂが埋め込まれた方向における第２埋め込み部５３Ｂの長さは、同方向における導電体本体部５１の高さ（導電体本体部５１の厚さ）に対し、１以下の大きさであってもよいし、１／２以下の大きさであってもよいし、１／５以下の大きさであってもよいし、１／１０以下の大きさであってもよいし、１／２０以下の大きさであってもよいし、１／５０以下の大きさであってもよい。尚、第２埋め込み部５３Ｂが埋め込まれた方向における第２埋め込み部５３Ｂの長さは、埋め込み部５２が埋め込まれた方向における埋め込み部５２の長さと同一であってもよいし、同方向における埋め込み部５２の長さと異なっていてもよい。

第２埋め込み部５３Ｂの材料は、任意に設定することができる。例えば、第２埋め込み部５３Ｂの材料は、その主成分が導電体本体部５１の主成分と同一（導電体本体部５１の材料と同一の場合も含む）であってもよいし、その主成分が導電体本体部５１の主成分と異なっていてもよい。更に、第２埋め込み部５３Ｂの材料は、その主成分が埋め込み部５２の主成分と同一であってもよいし、その主成分が埋め込み部５２の主成分と異なっていてもよい。

導電体５０Ｂは、導電体５０Ｂが延びる方向に見て埋め込み部５２から離れて位置し、導電体本体部５１が延びる方向に沿うと共に中実部３４に埋め込まれている第２埋め込み部５３Ｂを有している。埋め込み部５２と共に第２埋め込み部５３Ｂが中実部３４に埋め込まれていることにより、導電体５０Ｂの全体が基体３０の内部においてより強く固定される。これにより、空洞部４０の内面が導電体５０Ｂ（導電体本体部５１）から離れ、空洞部４０の内面と導電体５０Ｂとの間に空隙４５が位置している場合においても、導電体５０Ｂをより確実に位置決めすることができる。結果、外部から基体構造体２０Ｂに衝撃等が加わっても、導電体５０Ｂが所定の位置から移動することをより確実に抑制できる。これにより、より耐久性のある基体構造体２０Ｂを提供することができる。

加えて、第２埋め込み部５３Ｂが中実部３４に埋め込まれていることにより、基体３０に対し導電体５０Ｂが当接する面積を増やすことができる。これにより、導電体５０Ｂが抵抗発熱体を含む基体構造体２０Ｂにおいて、抵抗発熱体と基体３０との熱交換の効率を向上させることができる。

尚、本開示における基体構造体及び対象物載置装置は、上記に記載した実施形態及び変形例に限定されず、様々な形態で実施されてよい。以下、基体構造体及び対象物載置装置の形態が変形された例を幾つか紹介する。

実施形態において、導電体が抵抗発熱体を含んでいる例について説明した。しかしながら、導電体は、例えば、第１面にウエハを吸着させる静電チャック用電極であってもよいし、プラズマを発生させる際に用いられる高周波電極であってもよい。更には、導電体は、静電チャック用電極を含んでいてもよいし、高周波電極を含んでいてもよい。

更に、実施形態においては、導電体が１層のみからなる例について説明した。しかしながら、例えば、導電体は、基体の厚み方向において２層以上の導電層によって構成されていてもよい。この場合、２層以上からなるそれぞれの導電層の一部が中実部に埋め込まれていてもよい。更に、例えば、これら２層以上からなる導電層の１つのみに抵抗発熱体が含まれていてもよいし、これら２層以上からなる導電層の複数（全て）に抵抗発熱体が含まれていてもよい。尚、静電チャック用電極及び高周波電極についても同様である。

実施形態においては、中実部における第１面と空洞部との間の部位に埋め込み部が埋め込まれている例について説明した。しかしながら、埋め込み部は、例えば、導電体本体部の第２外表面から下方に向かって突出し、中実部における第２面と空洞部との間の部位に埋め込まれていてもよい。この場合、空洞部の底面が、導電体本体部に当接する当接面を構成し、空洞部の天井が、導電体本体部から離れている対向面を構成してもよい。更に、埋め込み部は、例えば、導電体本体部の第３外表面から側方（左側方）に向かって突出し、中実部における第３面と空洞部との間の部位に埋め込まれていてもよい。この場合、空洞部の左側面（内面の左側）が、導電体本体部に当接する当接面を構成し、空洞部の右側面（内面の右側）が、導電体本体部から離れた対向面を構成してもよい。

更に、第２実施形態において、第２埋め込み部は、埋め込み部と共に中実部における第１面と空洞部との間の部位に埋め込まれている例について説明した。しかしながら、例えば、埋め込み部が、中実部における第１面と空洞部との間の部位に埋め込まれ、第２埋め込み部が、中実部における第３面と空洞部との間の部位に埋め込まれていてもよい。更には、例えば、第２埋め込み部は、埋め込み部と共に中実部における第３面と空洞部との間の部位に埋め込まれていてもよいし、埋め込み部と共に中実部における第２面と空洞部との間の部位に埋め込まれていてもよい。

実施形態においては、導電体が中実部に埋め込まれた埋め込み部を１つのみ有している場合、及び、導電体が中実部に埋め込まれた埋め込み部が２つ有している場合について説明した。しかしながら、導電体は、中実部に埋め込まれた埋め込み部を３つ以上有していてもよい。この場合、これら３つ以上の埋め込み部は、空洞部が延びる方向に見てそれぞれが互いに離れている。

実施形態においては、基体に載置される対象物がウエハである例をもって基体構造体の説明をした。このウエハは、半導体に限定されず、例えば、水晶ウエハも含んでいる。

基体構造体、対象物載置装置及び基体構造体の製造方法については、作用及び効果を奏する限りにおいて本開示で示された実施形態に限定されない。

１０…対象物載置装置
１１…電力供給部
１２…制御部
２０、２０Ａ、２０Ｂ…基体構造体
３０…基体
３１…第１面
３２…第２面
４０…空洞部
４１…当接面
４２…対向面
４３…内壁
４４…内壁
４５ａ…第１空隙
４５ｂ…第２空隙
５０、５０Ａ、５０Ｂ…導電体
５１…導電体本体部
５２、５２Ａ…埋め込み部
５２ａ…第１部位
５２ｂ…第２部位
５３Ｂ…第２埋め込み部
１００、１００Ａ…シート積層体
１０１…セラミックグリーンシート
１０２…第１セラミックグリーンシート
１０２ａ…貫通穴
１０３、１０３Ａ…第２セラミックグリーンシート
１０３ａ、１０３Ａａ…スリット
１０４…第１導体
１０５、１０５Ａ…第２導体
Ｏｂ…対象物

Claims (13)

1. 対象物が載置される第１面と、前記第１面に沿って延びる空洞部と、を有する絶縁性の基体と、
   前記基体に埋設された導電体と、
   を有し、
   前記空洞部は、その内面の少なくとも一部が前記導電体から離れており、
   前記導電体は、
   前記空洞部の内部に位置する導電体本体部と、
   前記導電体本体部から前記空洞部の外部に突出し、前記基体の中実部に埋め込まれている埋め込み部と、
   を有している
   基体構造体。
2. 前記埋め込み部は、前記導電体本体部の外表面から前記第１面に向かって突出し、前記中実部における前記空洞部と前記第１面との間の部位に埋め込まれている
   請求項１記載の基体構造体。
3. 前記空洞部は、前記導電体本体部が当接する当接面と、前記当接面に対向する対向面と、を有し、
   前記導電体本体部と前記対向面との間には、両者が離れた第１空隙が位置している
   請求項１又は請求項２記載の基体構造体。
4. 前記空洞部は、前記当接面及び前記対向面を繋ぐ内壁を有し、
   前記導電体本体部と前記内壁との間には、両者が離れた第２空隙が位置している
   請求項３記載の基体構造体。
5. 前記埋め込み部は、
   前記中実部に埋め込まれた第１部位と、
   前記第１部位よりも前記空洞部から離れて位置し、その幅が前記第１部位の幅よりも大きい第２部位と、
   を有している
   請求項１〜請求項４記載の基体構造体。
6. 前記埋め込み部の材料は、前記導電体本体部の材料と主成分が同一である
   請求項１〜請求項５のいずれか１項記載の基体構造体。
7. 前記埋め込み部は、前記空洞部が延びる方向に沿っている
   請求項１〜請求項６のいずれか１項記載の記載構造体。
8. 前記埋め込み部は、その全体が連続している
   請求項７記載の基体構造体。
9. 前記埋め込み部は、前記空洞部が延びる方向に前記埋め込み部を辿ると、前記埋め込み部が途切れている部位を複数有している
   請求項７記載の基体構造体。
10. 前記導電体は、前記空洞部が延びる方向に見て前記埋め込み部から離れて位置し、前記中実部に埋め込まれている第２埋め込み部を有している
    請求項１〜請求項９のいずれか１項記載の基体構造体。
11. 前記基体構造体は、前記導電体が抵抗発熱体を含んでいるヒータである
    請求項１〜請求項１０のいずれか１項記載の基体構造体。
12. 請求項１〜請求項１１のいずれか１項記載の基体構造体と、
    前記導電体に給電可能な電力供給部と、
    前記電力供給部における前記導電体への給電を制御する制御部と、
    を有している
    対象物載置装置。
13. 第１セラミックグリーンシートにあけられた貫通穴の内部に第１導体を設けるステップと、
    前記第１セラミックグリーンシートの厚み方向において第２セラミックグリーンシートにあけらたスリットが前記第１導体に対し重なるよう、前記第１セラミックグリーンシートに前記第２セラミックグリーンシートを重ねるステップと、
    前記第１導体に前記第２導体を重ねるステップと、
    前記第１導体に前記第２導体が重なった状態で、前記第１セラミックグリーンシート及び前記第２セラミックグリーンシートを一体的に焼成し基体を得るステップと、
    を有している
    基体構造体の製造方法。

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