JP2021027249A

JP2021027249A - 半導体発光装置

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Publication number: JP2021027249A
Application number: JP2019145535A
Authority: JP
Inventors: 裕輝田沼; Hiroteru Tanuma
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2019-08-07
Filing date: 2019-08-07
Publication date: 2021-02-22
Anticipated expiration: 2039-08-07
Also published as: JP7305909B2

Abstract

【課題】より低背化が可能な半導体発光装置を提供する。【解決手段】半導体発光装置Ａ１０は、発光領域を有する素子主面１ａとｚ方向において素子主面１ａとは反対側を向く素子裏面１ｂとを有する半導体発光素子１と、半導体発光素子１から離間して配置され、かつ、半導体発光素子１に導通する第１リード２と、半導体発光素子１および第１リード２を覆い、かつ、ｚ方向において素子裏面１ｂと同じ側を向く裏面５２を有する補強部材５とを備えている。第１リード２は、ｚ方向において素子裏面１ｂと同じ側を向く裏面２２を備えている。素子主面１ａおよび素子裏面１ｂは、補強部材５から露出し、第１リード２の裏面２２は、補強部材５の裏面５２と面一である。【選択図】図５

Description

本開示は、半導体発光装置に関する。

半導体発光素子の一つとして、垂直共振器面発光レーザ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser：ＶＣＳＥＬ）素子が知られている。特許文献１には、ＶＣＳＥＬ素子などの半導体レーザチップをパッケージ化した半導体発光装置の一例が開示されている。本開示の半導体発光装置は、半導体レーザチップ、ダイパッド、電極端子、ボンディングワイヤ、および絶縁材を備えている。半導体レーザチップは、ダイパッドに搭載され、ボンディングワイヤで電極端子に接続されている。半導体レーザチップ、ダイパッド、ボンディングワイヤ、および電極端子は、透明樹脂からなる絶縁材で機密封止されている。

近年、半導体発光装置が適用される電子機器の薄型化に伴い、当該半導体発光装置についても、より一層の低背化が要求されている。

特開平９−１０２６５０号公報

本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、より低背化が可能な半導体発光装置を提供することをその課題とする。

本開示によって提供される半導体発光装置は、発光領域を有する素子主面と、厚さ方向において前記素子主面とは反対側を向く素子裏面とを有する半導体発光素子と、前記半導体発光素子から離間して配置され、かつ、前記半導体発光素子に導通する第１リードと、前記半導体発光素子および前記第１リードを覆い、かつ、前記厚さ方向において前記素子裏面と同じ側を向く補強部材裏面を有する補強部材とを備え、前記第１リードは、前記厚さ方向において前記素子裏面と同じ側を向く第１リード裏面を備え、前記素子主面および前記素子裏面は、前記補強部材から露出し、前記第１リード裏面は、前記補強部材裏面と面一である。

本開示によれば、補強部材は、素子主面、素子裏面、および第１リード裏面を露出させた状態で、半導体発光素子および第１リードを覆っている。発光領域を補強部材から露出させたまま半導体発光素子を第１リードに固定することができるので、半導体発光素子をリードや基板に搭載する必要がない。したがって、本開示の半導体発光装置は、半導体発光素子をリードや基板に搭載する従来の半導体発光装置と比較して、低背化が可能である。

本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図である。図１の半導体発光装置を示す底面図である。図１の半導体発光装置を示す正面図である。図１の半導体発光装置を示す右側面図である。図１のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。図１のＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図である。図１の半導体発光装置の半導体発光素子を示す要部拡大断面図である。図１の半導体発光装置の製造方法の一例を示す要部拡大断面図である。図１の半導体発光装置の製造方法の一例を示す要部拡大断面図である。図１の半導体発光装置の製造方法の一例を示す要部拡大平面図である。図１の半導体発光装置の製造方法の一例を示す要部拡大断面図である。図１の半導体発光装置の製造方法の一例を示す要部拡大断面図である。図１の半導体発光装置の製造方法の一例を示す要部拡大断面図である。図１の半導体発光装置の製造方法の一例を示す要部拡大平面図である。図１の半導体発光装置の製造方法の一例を示す要部拡大断面図である。図１の半導体発光装置の製造方法の一例を示す要部拡大断面図である。図１の半導体発光装置の製造方法の一例を示す要部拡大平面図である。図１の半導体発光装置の製造方法の一例を示す要部拡大断面図である。図１の半導体発光装置の製造方法の一例を示す要部拡大断面図である。本開示の第２実施形態に係る半導体発光装置を示す断面図である。本開示の第３実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図である。本開示の第４実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図である。本開示の第５実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図である。図２３の半導体発光装置を示す断面図である。本開示の第６実施形態に係る半導体発光装置を示す底面図である。図２５の半導体発光装置を示す断面図である。本開示の第７実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図である。図２７の半導体発光装置を示す断面図である。本開示の第８実施形態に係る半導体発光装置を示す断面図である。本開示の第９実施形態に係る半導体発光装置を示す断面図である。図３０の半導体発光装置の半導体発光素子を示す要部拡大断面図である。本開示の第１０実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図である。図３２の半導体発光装置を示す断面図である。

以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。

＜第１実施形態＞
図１〜図７に基づき、本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置Ａ１０について説明する。半導体発光装置Ａ１０は、半導体発光素子１、第１リード２、第２リード３、外壁部材４、補強部材５、透光樹脂６、第１ボンディングワイヤ７１、および第２ボンディングワイヤ７２を備えている。

図１は、半導体発光装置Ａ１０を示す平面図である。図２は、半導体発光装置Ａ１０を示す底面図である。図３は、半導体発光装置Ａ１０を示す正面図である。図４は、半導体発光装置Ａ１０を示す右側面図である。図５は、図１のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。図６は、図１のＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図である。図７は、半導体発光装置Ａ１０の半導体発光素子１を示す要部拡大断面図である。なお、図１においては、理解の便宜上、透光樹脂６を透過している。

これらの図に示す半導体発光装置Ａ１０は、スマートフォンなどの様々な電子機器の配線基板に表面実装される装置である。半導体発光装置Ａ１０の厚さ方向視の形状は長矩形状である。説明の便宜上、半導体発光装置Ａ１０の厚さ方向をｚ方向とし、ｚ方向に直交する半導体発光装置Ａ１０の短手方向（図１における左右方向）をｘ方向、ｚ方向およびｘ方向に直交する方向（図１における上下方向）をｙ方向とする。半導体発光装置Ａ１０の大きさは特に限定されないが、本実施形態においては、ｚ方向寸法がたとえば０.１ｍｍ以上０.２ｍｍ以下である。

半導体発光素子１は、半導体発光装置Ａ１０における光源であり、所定の波長帯の光を発する。本実施形態では、半導体発光素子１は、ＶＣＳＥＬ素子である。なお、半導体発光素子１はＶＣＳＥＬ素子に限定されず、ＬＥＤ素子などであってもよい。半導体発光素子１は、ｚ方向視において、半導体発光装置Ａ１０の中央に、長辺がｙ方向に平行に、短辺がｘ方向に平行になるように配置されている。半導体発光装置Ａ１０からの光は、おおむねｚ方向一方側に出射される。図１および図２に示すように、本実施形態においては、半導体発光素子１は、ｚ方向視矩形状である。

半導体発光素子１は、素子本体１０、第１電極１１、第２電極１２、および複数の発光領域１４を備えている。半導体発光素子１は、第１電極１１と第２電極１２との間に電圧が印加されて通電されることにより光を発し、当該光を内部で共振させて、発光領域１４からレーザ光として出射する。

素子本体１０は、素子主面１ａ、素子裏面１ｂ、および素子側面１ｃを備えている。素子主面１ａおよび素子裏面１ｂは、ｚ方向において互いに反対側を向いている。素子主面１ａは、図４〜図６の上方を向く面である。素子裏面１ｂは、図４〜図６の下方を向く面である。素子側面１ｃは、素子主面１ａと素子裏面１ｂとに繋がり、ｘ方向またはｙ方向を向く面である。素子主面１ａには、第１電極１１および第２電極１２が配置されており、複数の発光領域１４が形成されている。図１に示すように、複数の発光領域１４は、素子主面１ａのうち、第１電極１１および第２電極１２が配置される領域を除いて、全面に離散配置されている。

また、素子本体１０は、図７に示すように、半導体基板１０１、第１半導体層１０２、活性層１０３、第２半導体層１０４、絶縁層１０５、電流狭窄層１０６、導電層１０７を備えており、素子主面１ａに発光領域１４が形成されている。なお、これらの図に示す構成例は、半導体発光素子１としてのＶＣＳＥＬ素子の一例であり、本構成に限定されるものではない。図７は、１つの発光領域１４を含む部分を拡大して示している。

半導体基板１０１は、半導体よりなる。半導体基板１０１を構成する半導体は、たとえば、アンドープのＧａＡｓである。半導体基板１０１を構成する半導体は、ＧａＡｓ以外であってもよい。

活性層１０３は、自然放出および誘導放出によって、たとえば、９８０ｎｍ帯（以下、「λａ」とする）の波長の光を放出する化合物半導体により構成されている。活性層１０３は、第１半導体層１０２と第２半導体層１０４との間に位置している。本実施形態においては、アンドープのＧａＡｓ井戸層とアンドープのＡｌＧａＡｓ障壁層（バリア層）とを交互に積層した多重量子井戸構造により構成されている。たとえば、アンドープＡｌ_0.35Ｇａ_0.65Ａｓ障壁層とアンドープＧａＡｓ井戸層とが交互に繰り返し２〜６周期形成されている。

第１半導体層１０２は、典型的にはＤＢＲ（ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄＢｒａｇｇＲｅｆｌｅｃｔｏｒ）層であり、半導体基板１０１に形成されている。第１半導体層１０２は第１導電型を有する半導体よりなる。本例では第１導電型はｎ型である。第１半導体層１０２は、活性層１０３から発せられる光を効率よく反射させるためのＤＢＲとして構成されている。第１半導体層１０２は、厚さλａ／４のＡｌＧａＡｓ層であってそれぞれ反射率が異なる２層からなるペアを、複数段重ね合わせることにより構成されている。より具体的には、第１半導体層１０２は、たとえば６００Åの厚さを有する相対的にＡｌ組成が低いｎ型Ａｌ_0.16Ｇａ_0.84Ａｓ層（低Ａｌ組成層）と、たとえば７００Åの厚さを有する相対的にＡｌ組成が高いｎ型Ａｌ_0.92Ｇａ_0.16Ａｓ層（高Ａｌ組成層）とを交互に複数周期（たとえば、２０周期）繰り返し積層して構成されている。ｎ型Ａｌ_0.16Ｇａ_0.84Ａｓ層およびｎ型Ａｌ_0.92Ｇａ_0.16Ａｓ層には、それぞれ、たとえば２×１０¹⁷ｃｍ^-3〜３×１０¹⁸ｃｍ^-3および２×１０¹⁷ｃｍ^-3〜３×１０¹⁸ｃｍ^-3の濃度で、ｎ型不純物（たとえば、Ｓｉ）がドープされている。

第２半導体層１０４は、典型的にはＤＢＲ層であり、第２導電型を有する半導体よりなる。本例では第２導電型はｐ型である。本実施形態とは異なり、第１導電型がｐ型であり、第２導電型がｎ型であってもよい。第２半導体層１０４および半導体基板１０１の間に、第１半導体層１０２が位置している。第２半導体層１０４は、活性層１０３から発せられる光を効率よく反射させるためのＤＢＲとして構成されている。より具体的には、第２半導体層１０４は、厚さλａ／４のＡｌＧａＡｓ層であってそれぞれ反射率が異なる２層からなるペアを、複数段重ね合わせることにより構成されている。第２半導体層１０４は、たとえば、相対的にＡｌ組成が低いｐ型Ａｌ_0.16Ｇａ_0.84Ａｓ層（低Ａｌ組成層）と、相対的にＡｌ組成が高いｐ型Ａｌ_0.92Ｇａ_0.16Ａｓ層（高Ａｌ組成層）とが交互に複数周期（たとえば、２０周期）繰り返し積層して構成されている。

電流狭窄層１０６は、第２半導体層１０４内に位置している。電流狭窄層１０６はたとえばＡｌを多く含み、酸化しやすい層からなる。電流狭窄層１０６は、この酸化しやすい層を酸化することにより形成される。電流狭窄層１０６は、酸化によって形成される必要は必ずしもなく、その他の方法（たとえばイオン注入）によって形成されてもよい。電流狭窄層１０６には開口１０６ａが形成されている。開口１０６ａを電流が流れる。

絶縁層１０５は第２半導体層１０４に形成されている。絶縁層１０５は、たとえば、ＳｉＯ₂よりなる。絶縁層１０５には、開口１０５ａが形成されている。

導電層１０７は、絶縁層１０５に形成されている。導電層１０７は導電材料（たとえば金属）よりなる。導電層１０７は、絶縁層１０５の開口１０５ａを通じて第２半導体層１０４に導通している。導電層１０７は、開口１０７ａを有する。

発光領域１４は、活性層１０３からの光が直接または反射の後に出射される領域である。本例においては、発光領域１４は、平面視円環形状であるが、その形状は特に限定されない。発光領域１４は、上述した第２半導体層１０４、電流狭窄層１０６、絶縁層１０５および導電層１０７が積層され、電流狭窄層１０６の開口１０６ａ、絶縁層１０５の開口１０５ａおよび導電層１０７の開口１０７ａ等が形成されることにより設けられている。発光領域１４においては、活性層１０３からの光が、導電層１０７の開口１０７ａを通じて出射される。

第１電極１１は、たとえば金属からなり、導電層１０７に接して、第２半導体層１０４に導通している。第１電極１１は、アノード電極になる。第２電極１２は、たとえば金属からなり、半導体基板１０１の表面（第１半導体層１０２が形成されている面）に形成され、第１半導体層１０２に導通している。第２電極１２は、カソード電極になる。

半導体発光素子１の素子裏面１ｂ側には、素子裏面１ｂに接する絶縁層７５が形成されている。絶縁層７５は、たとえば、絶縁性の樹脂からなる絶縁性ペーストを乾燥および硬化させたものである。絶縁層７５は、素子裏面１ｂの全面および素子側面１ｃの一部に接して形成されている。図１および図２に示すように、ｚ方向視において、絶縁層７５の周縁は、半導体発光素子１の周縁よりも外側に位置する。図２、図５、および図６に示すように、絶縁層７５は、ｚ方向において、半導体発光素子１の素子裏面１ｂと同じ側を向く裏面７５ｂを備えている。裏面７５ｂは、補強部材５から露出して、補強部材５の裏面５２（後述）と互いに面一になっている。

第１リード２および第２リード３は、金属からなり、好ましくはＣｕおよびＮｉのいずれか、またはこれらの合金や４２アロイなどからなる。本実施形態においては、第１リード２および第２リード３が、Ｃｕからなる場合を例に説明する。第１リード２および第２リード３の厚さは、たとえば０．０５以上０．１５ｍｍ以下であり、本実施形態においては０．１ｍｍである。第１リード２および第２リード３は、たとえば、金属板にエッチング加工を施すことで形成されている。なお、第１リード２および第２リード３は、金属板に打ち抜き加工や折り曲げ加工等を施すことにより形成されてもよい。

第１リード２は、図１に示すように、半導体発光素子１のｙ方向一方側（図１においては上側）に、半導体発光素子１から離間して配置され、半導体発光装置Ａ１０のｘ方向両端部まで広がっている。第１リード２は、ｚ方向視略長矩形状である。ｚ方向視において、第１リード２の各辺は、ｘ方向またはｙ方向に平行である。第１リード２は、複数の第１ボンディングワイヤ７１によって、半導体発光素子１の第１電極１１（アノード電極）に電気的に接続されている。これにより、第１リード２は、半導体発光装置Ａ１０を外部の配線基板に搭載する際のアノード端子として機能する。第１リード２は、主面２１、裏面２２、側面２３、凹部２４、および複数の突出部２５を備えている。

主面２１および裏面２２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。主面２１は、図３〜図６の上方を向く面である。主面２１は、第１ボンディングワイヤ７１が接続される面である。主面２１には、図示しないＡｇめっき層が形成されている。裏面２２は、図３〜図６の下方を向く面である。裏面２２は、外壁部材４および補強部材５から露出して、裏面端子になる。裏面２２には、図示しないＳｎを主成分とする合金めっき層が形成されている。本実施形態では、主面２１は、裏面２２より大きい。これにより、第１リード２が裏面２２側から抜け落ちることを防止できる。なお、主面２１と裏面２２とが同じ大きさであってもよい。

側面２３は、主面２１に繋がり、主面２１および裏面２２に直交する面である。側面２３は、ｘ方向を向く一対の領域と、ｙ方向を向く一対の領域とを備えている。凹部２４は、裏面２２からｚ方向に凹む部分であり、たとえばハーフエッチング処理により形成される。凹部２４は、ｚ方向視において、側面２３に沿って、裏面２２の周りを囲むように形成されている。突出部２５は、側面２３から外側に突出する部分であり、製造時のリードフレームにおいて、他の第１リード２、第２リード３、またはフレームとの間を繋いでいた支持部材を切断して残った部分である。本実施形態では、側面２３のｙ方向の一方（図１においては上方）を向く領域のｘ方向における中央に１個の突出部２５が配置されている。また、側面２３のｘ方向を向く各領域のそれぞれに、突出部２５が１個ずつ、それぞれｙ方向における中央に配置されている。つまり、第１リード２は３個の突出部２５を備えている。なお、突出部２５の数および配置は限定されない。図４および図５に示すように、各突出部２５の外側を向く端面２５ａは、外壁部材４から露出している。

第２リード３は、図１に示すように、半導体発光素子１のｙ方向他方側（図１においては下側）に、半導体発光素子１から離間して配置され、半導体発光装置Ａ１０のｘ方向両端部まで広がっている。つまり、第１リード２および第２リード３は、半導体発光素子１をｙ方向の両側から挟むようにして配置されている。第２リード３は、ｚ方向視略長矩形状である。ｚ方向視において、第２リード３の各辺は、ｘ方向またはｙ方向に平行である。第２リード３は、複数の第２ボンディングワイヤ７２によって、半導体発光素子１の第２電極１２（カソード電極）に電気的に接続されている。これにより、第２リード３は、半導体発光装置Ａ１０を外部の配線基板に搭載する際のカソード端子として機能する。第２リード３は、主面３１、裏面３２、側面３３、凹部３４、および複数の突出部３５を備えている。

主面３１および裏面３２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。主面３１は、図３〜図６の上方を向く面である。主面３１は、第２ボンディングワイヤ７２が接続される面である。主面３１には、図示しないＡｇめっき層が形成されている。裏面３２は、図３〜図６の下方を向く面である。裏面３２は、外壁部材４および補強部材５から露出して、裏面端子になる。裏面３２には、図示しないＳｎを主成分とする合金めっき層が形成されている。本実施形態では、主面３１は、裏面３２より大きい。これにより、第２リード３が裏面３２側から抜け落ちることを防止できる。なお、主面３１と裏面３２とが同じ大きさであってもよい。

側面３３は、主面３１に繋がり、主面３１および裏面３２に直交する面である。側面３３は、ｘ方向を向く一対の領域と、ｙ方向を向く一対の領域とを備えている。凹部３４は、裏面３２からｚ方向に凹む部分であり、たとえばハーフエッチング処理により形成される。凹部３４は、ｚ方向視において、側面３３に沿って、裏面３２の周りを囲むように形成されている。突出部３５は、側面３３から外側に突出する部分であり、製造時のリードフレームにおいて、他の第２リード３、第１リード２、またはフレームとの間を繋いでいた支持部材を切断して残った部分である。本実施形態では、側面３３のｙ方向の一方（図１においては下方）を向く領域のｘ方向における中央に１個の突出部３５が配置されている。また、側面３３のｘ方向を向く各領域のそれぞれに、突出部３５が１個ずつ、それぞれｙ方向における中央に配置されている。つまり、第２リード３は３個の突出部３５を備えている。なお、突出部３５の数および配置は限定されない。図３〜図５に示すように、各突出部３５の外側を向く端面３５ａは、外壁部材４から露出している。

第１ボンディングワイヤ７１および第２ボンディングワイヤ７２は、金属からなり、好ましくはＡｕ、Ｃｕ、Ａｇなどからなる。本実施形態においては、第１ボンディングワイヤ７１および第２ボンディングワイヤ７２は、たとえばＡｕからなる。第１ボンディングワイヤ７１は、半導体発光素子１の第１電極１１と第１リード２の主面２１とに接続されている。第２ボンディングワイヤ７２は、半導体発光素子１の第２電極１２と第２リード３の主面３１とに接続されている。第１ボンディングワイヤ７１および第２ボンディングワイヤ７２は、全体が補強部材５から露出しており、透光樹脂６によって覆われている。なお、第１ボンディングワイヤ７１および第２ボンディングワイヤ７２の数は限定されない。

外壁部材４は、ｚ方向視において、半導体発光素子１の周囲を囲んでいる。外壁部材４は、絶縁性材料からなり、たとえばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂等が適宜用いられる。本実施形態では、黒色のエポキシ樹脂を主成分とした熱硬化性樹脂が用いられている。第１リード２および第２リード３は、外壁部材４によって支持されている。外壁部材４は、ｚ方向視において、長矩形の環形状であり、頂面４１、底面４２、外周面４３、および内周面４４を備えている。

頂面４１および底面４２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。頂面４１は、図３〜図６の上方を向く面であり、底面４２は、図３〜図６の下方を向く面である。頂面４１および底面４２は、ｚ方向視長矩形の環形状である。

外周面４３は、頂面４１および底面４２を繋ぐ面であり、外側を向く面である。外周面４３は、ｘ方向の互いに反対側を向く一対の領域と、ｙ方向の互いに反対側を向く一対の領域とを有する。外周面４３の各領域は、それぞれ頂面４１および底面４２に直交しており、ｚ方向に平行である。

内周面４４は、頂面４１および底面４２を繋ぐ面であり、内側を向く面である。内周面４４は、ｘ方向において互いに向かい合う一対の領域と、ｙ方向において互いに向かい合う一対の領域とを有する。内周面４４の各領域は、ｚ方向に対して傾斜している。内周面４４に囲まれる空間のｚ方向に直交する断面積は、頂面４１に近づくほど大きくなっている。

本実施形態においては、第１リード２の主面２１、側面２３、凹部２４、および突出部２５のそれぞれ一部ずつと、裏面２２の全部とが外壁部材４から露出している。裏面２２と底面４２とは互いに面一になっている。また、突出部２５の各端面２５ａと、外周面４３とは互いに面一になっている。第２リード３の主面３１、側面３３、凹部３４、および突出部３５のそれぞれ一部ずつと、側面３３の全部とが外壁部材４から露出している。裏面３２と底面４２とは互いに面一になっている。また、突出部３５の各端面３５ａと外周面４３とは互いに面一になっている。

また、外壁部材４は、一対の第１側部４６、一対の第２側部４７、および開口部４５を備えている。図５に示すように、一対の第１側部４６は、ｘ方向に延び、ｙ方向において互いに離間している。また、図６に示すように、一対の第２側部４７は、ｙ方向に延び、ｘ方向において互いに離間している。一対の第１側部４６および一対の第２側部４７は、ｚ方向視において、半導体発光素子１を取り囲み、第１リード２および第２リード３を支持している。開口部４５は、一対の第１側部４６および一対の第２側部４７によって囲まれた中空領域であり、ｚ方向に貫通している。また、開口部４５は、内周面４４の４つの領域に囲まれている。開口部４５は、ｚ方向視における外縁が長矩形状である。開口部４５のｚ方向に直交する断面積は、頂面４１と面一の位置で最大であり、底面４２側に近づくほど小さくなっている。

補強部材５は、ｚ方向視において、半導体発光素子１の周囲を囲んでいる。補強部材５は、絶縁性材料からなり、たとえばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂等が適宜用いられる。補強部材５の材料は、外壁部材４と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。本実施形態では、補強部材５は、外壁部材４より強度の高い、黒色のエポキシ樹脂を主成分とした熱硬化性樹脂が用いられている。補強部材５は、第１リード２、第２リード３、および外壁部材４と、半導体発光素子１との間に介在しており、半導体発光素子１を第１リード２、第２リード３、および外壁部材４に固定している。また、補強部材５は、外壁部材４の開口部４５の底面４２側に形成されることで、半導体発光装置Ａ１０の強度を確保している。図５および図６に示すように、補強部材５は、半導体発光素子１の素子側面１ｃに接している。一方、半導体発光素子１の素子主面１ａおよび素子裏面１ｂは、補強部材５から露出している。また、第１リード２の主面２１および裏面２２と、第２リード３の主面３１および裏面３２とは、補強部材５から露出している。補強部材５は、主面５１および裏面５２を備えている。主面５１および裏面５２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。主面５１は、図３〜図６の上方を向く面であり、裏面５２は、図３〜図６の下方を向く面である。本実施形態において、補強部材５の裏面５２は、絶縁層７５の裏面７５ｂ、第１リード２の裏面２２、第２リード３の裏面３２、および外壁部材４の底面４２と面一である。

透光樹脂６は、外壁部材４の開口部４５に形成され、半導体発光素子１の素子主面１ａ、第１ボンディングワイヤ７１、第２ボンディングワイヤ７２、第１リード２、第２リード３、および補強部材５の主面５１を覆っている。透光樹脂６は、透光性かつ電気絶縁性を有する。透光樹脂６は、波長が８００ｎｍ以上の光を透過させる。透光樹脂６の弾性係数は、外壁部材４および補強部材５の弾性係数より低い。本実施形態において、透光樹脂６の構成材料は、たとえばシリコーン樹脂である。なお、弾性係数の低いエポキシ樹脂などの他の材料であってもよい。透光樹脂６は、補強部材５が形成された後の外壁部材４の開口部４５に、液体状態の構成材料を注入し、その後硬化させることで形成される。半導体発光素子１の素子主面１ａから出射されたレーザ光は、透光樹脂６を通過して、外部に出射される。

次に、半導体発光装置Ａ１０の製造方法の一例について、図８〜図１９を参照しつつ以下に説明する。図８、図９、図１１〜図１３、図１５、図１６、図１８、図１９は、半導体発光装置Ａ１０の製造方法に係る工程を示す要部拡大断面図であり、図５に対応する断面図である。図１０、図１４、図１７は、半導体発光装置Ａ１０の製造方法に係る工程を示す要部拡大平面図である。

まず、図８に示すように、ｚ方向において互いに反対側を向く主面９１１および裏面９１２を有する金属板９１を準備する。金属板９１から、半導体発光装置Ａ１０の第１リード２および第２リード３が形成される。金属板９１は、たとえばＣｕからなる薄板である。金属板９１の厚さは、たとえば０．１ｍｍである。主面９１１および裏面９１２は、ともに一様な平坦面である。主面９１１には、図示しないＡｇめっき層が形成されている。

次いで、図９および図１０に示すように、ウェットエッチングにより金属板９１の一部を除去する。具体的には、まず、裏面９１２にフォトリソグラフィによりマスクを形成した後、裏面９１２からハーフエッチングにより金属板９１の一部を除去する。エッチング液は、たとえば、硫酸（Ｈ₂ＳＯ₄）および過酸化水素（Ｈ₂Ｏ₂）の混合溶液である。次に、主面９１１にフォトリソグラフィによりマスクを形成した後、主面９１１からエッチングを行い、ｚ方向において金属板９１の一部を貫通させる。本工程によって、金属板９１に、裏面９１２から主面９１１側に凹む凹部９１３、および、裏面９１２から主面９１１に貫通した貫通部９１４が形成される。

次いで、図１１に示すように、金属板９１の裏面９１２に基材９２を貼り付ける。基材９２は、電気絶縁性を有する部材であり、たとえばポリイミドテープである。

次いで、外壁部材９３を形成する。まず、図１２に示すように、基材９２の金属板９１が貼り付けられている側の面である主面９２１に、金型９４を配置する。そして、外壁部材９３の液体状態の構成材料が、金型９４と基材９２の主面９２１との間に形成されている空間９４１に充填され熱硬化される。なお、金型９４と基材９２の主面９２１との間に形成されている空間のうち、金型９４、基材９２、および金属板９１で囲まれて、空間９４１に繋がっていない空間９４２には、構成材料が充填されない。熱硬化後、金型９４を離型することで、図１３および図１４に示すように、外壁部材９３が形成される。また、外壁部材９３には、ｚ方向に貫通して基材９２および金属板９１を露出させる開口９３１が形成されている。

次いで、図１５に示すように、外壁部材９３の開口９３１から露出する基材９２の主面９２１に、半導体発光素子１を搭載した後、半導体発光素子１と金属板９１の主面９１１とを導通させる複数の第１ボンディングワイヤ７１および第２ボンディングワイヤ７２を形成する。半導体発光素子１の搭載にあたっては、まず、基材９２の主面９２１に接合材を塗布する。接合材は、たとえば絶縁性ペーストである。次いで、コレットなどで吸着した半導体発光素子１を基材９２の上に移送して、接合材に接着する。最後に、接合材をキュア炉などで熱硬化させる。熱硬化した接合材が、半導体発光装置Ａ１０の絶縁層７５になる。

次いで、図１６および図１７に示すように、補強部材５を形成する。補強部材５は、外壁部材９３の開口９３１から、金属板９１の貫通部９１４と半導体発光素子１の素子側面１ｃとの間の空間に、補強部材５の液体状態の構成材料を注入し、その後熱硬化させることで形成される。液体状態の構成材料は、半導体発光素子１の素子主面１ａを露出させるように注入される。

次いで、図１８に示すように、透光樹脂６を形成する。透光樹脂６は、外壁部材９３の開口９３１から、半導体発光素子１、第１ボンディングワイヤ７１、第２ボンディングワイヤ７２、および金属板９１を覆うように、透光樹脂６の液体状態の構成材料を注入し、その後硬化させることで形成される。

次いで、図１９に示すように、金属板９１から基材９２を剥離する。金属板９１の裏面９１２、絶縁層７５の裏面７５ｂ、補強部材５の裏面５２、および外壁部材９３の裏面９３２は、互いに面一になっている。次いで、金属板９１の裏面９１２に、図示しない合金めっき層を形成する。次いで、金属板９１および外壁部材９３を、ｘ方向およびｙ方向に沿って切断する。切断にあたっては、たとえばダイシングソーを用いて金属板９１の裏面９１２が向く方から切断する。たとえば、ｘ方向に沿って切断する際は、図１９に示す切断線ＣＬに沿って切断する。本工程において分割された個片が半導体発光装置Ａ１０となる。このとき、金属板９１には端面２５ａおよび端面３５ａが形成され、金属板９１が第１リード２および第２リード３となる。また、外壁部材９３には外周面４３が形成され、外壁部材９３が外壁部材４となる。以上の工程を経ることにより、上述した半導体発光装置Ａ１０が得られる。

次に、半導体発光装置Ａ１０の作用について説明する。

本実施形態によれば、半導体発光素子１はリードまたは基板に搭載されていない。したがって、半導体発光装置Ａ１０は、半導体発光素子１がリードまたは基板に搭載されている従来の半導体発光装置と比較して、厚さ（ｚ方向の寸法）を薄くすることができ、低背化が可能である。また、補強部材５は、強度の高い構成材料により形成されており、半導体発光素子１の素子主面１ａを露出させた状態で、半導体発光素子１、第１リード２、および第２リード３を覆っている。半導体発光素子１は、補強部材５によって、第１リード２および第２リード３に固定されるので、リードまたは基板に搭載されていなくても、安定して配置可能である。また、半導体発光素子１は、各発光領域１４が補強部材５から露出しているので、レーザ光の出射を妨げられない。

また、本実施形態によれば、半導体発光素子１の素子主面１ａは、透光性を有し、かつ、弾性係数が低い透光樹脂６によって覆われている。透光樹脂６は、半導体発光素子１が出射したレーザ光を透過し、かつ、メサ構造をなす発光領域１４にかかる応力を抑制することができる。

図２０〜図３３は、本開示の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。

＜第２実施形態＞
図２０は、本開示の第２実施形態に係る半導体発光装置Ａ２０を示す断面図であり、図５に対応する図である。本実施形態の半導体発光装置Ａ２０は、補強部材５が第１リード２の主面２１および第２リード３の主面３１と、第１ボンディングワイヤ７１および第２ボンディングワイヤ７２の一部ずつを覆っている点で、第１実施形態と異なっている。

本実施形態においては、第１リード２および第２リード３の厚さ（ｚ方向の寸法）が、第１実施形態に係る第１リード２および第２リード３より薄くなっている。そして、補強部材５は、第１リード２の主面２１および第２リード３の主面３１を覆っている。また、補強部材５は、第１ボンディングワイヤ７１のうち、第１リード２の主面２１に接合している部分、および、第２ボンディングワイヤ７２のうち、第２リード３の主面３１に接合している部分も、覆っている。

本実施形態によっても、半導体発光素子１はリードまたは基板に搭載されていないので、半導体発光装置Ａ２０は、低背化が可能である。また、補強部材５は、半導体発光素子１の素子主面１ａを露出させた状態で、半導体発光素子１、第１リード２、および第２リード３を覆っている。したがって、半導体発光素子１は、安定して配置可能であり、また、レーザ光の出射も妨げられない。また、本実施形態によっても、半導体発光素子１の素子主面１ａが透光樹脂６によって覆われているので、半導体発光装置Ａ２０は、レーザ光を出射可能であり、かつ、発光領域１４にかかる応力を抑制可能である。

＜第３実施形態＞
図２１は、本開示の第３実施形態に係る半導体発光装置Ａ３０を示す平面図であり、図１に対応する図である。なお、図２１においては、理解の便宜上、透光樹脂６を透過している。本実施形態の半導体発光装置Ａ３０は、外壁部材４が第２側部４７を備えていない点で、第１実施形態と異なっている。

本実施形態によっても、半導体発光素子１はリードまたは基板に搭載されていないので、半導体発光装置Ａ３０は、低背化が可能である。また、補強部材５は、半導体発光素子１の素子主面１ａを露出させた状態で、半導体発光素子１、第１リード２、および第２リード３を覆っている。したがって、半導体発光素子１は、安定して配置可能であり、また、レーザ光の出射も妨げられない。また、本実施形態によっても、半導体発光素子１の素子主面１ａが透光樹脂６によって覆われているので、半導体発光装置Ａ３０は、レーザ光を出射可能であり、かつ、発光領域１４にかかる応力を抑制可能である。

＜第４実施形態＞
図２２は、本開示の第４実施形態に係る半導体発光装置Ａ４０を示す平面図であり、図１に対応する図である。なお、図２２においては、理解の便宜上、透光樹脂６を透過している。本実施形態の半導体発光装置Ａ４０は、外壁部材４が第１側部４６を備えていない点で、第１実施形態と異なっている。

＜第５実施形態＞
図２３および図２４は、本開示の第５実施形態に係る半導体発光装置Ａ５０を説明するための図である。図２３は、半導体発光装置Ａ５０を示す平面図であり、図１に対応する図である。図２４は、半導体発光装置Ａ５０を示す断面図であり、図５に対応する図である。なお、図２３においては、理解の便宜上、透光樹脂６を透過している。本実施形態の半導体発光装置Ａ５０は、外壁部材４を備えていない点で、第１実施形態と異なっている。

＜第６実施形態＞
図２５および図２６は、本開示の第６実施形態に係る半導体発光装置Ａ６０を説明するための図である。図２５は、半導体発光装置Ａ６０を示す底面図であり、図２に対応する図である。図２６は、半導体発光装置Ａ６０を示す断面図であり、図５に対応する図である。本実施形態の半導体発光装置Ａ６０は、絶縁層７５を備えていない点で、第１実施形態と異なっている。

本実施形態においては、半導体発光装置Ａ６０は、絶縁層７５を備えておらず、半導体発光素子１の素子裏面１ｂが補強部材５から露出している。半導体発光素子１の素子裏面１ｂは、補強部材５の裏面５２と面一である。

本実施形態によっても、半導体発光素子１はリードまたは基板に搭載されていないので、半導体発光装置Ａ６０は、低背化が可能である。さらに、本実施形態によると、半導体発光素子１の素子裏面１ｂに絶縁層７５が配置されていないので、さらなる低背化が可能である。また、補強部材５は、半導体発光素子１の素子主面１ａを露出させた状態で、半導体発光素子１、第１リード２、および第２リード３を覆っている。したがって、半導体発光素子１は、安定して配置可能であり、また、レーザ光の出射も妨げられない。また、本実施形態によっても、半導体発光素子１の素子主面１ａが透光樹脂６によって覆われているので、半導体発光装置Ａ６０は、レーザ光を出射可能であり、かつ、発光領域１４にかかる応力を抑制可能である。

＜第７実施形態＞
図２７および図２８は、本開示の第７実施形態に係る半導体発光装置Ａ７０を説明するための図である。図２７は、半導体発光装置Ａ７０を示す平面図であり、図１に対応する図である。図２８は、半導体発光装置Ａ７０を示す断面図であり、図５に対応する図である。なお、図２７においては、理解の便宜上、透光樹脂６を透過している。本実施形態の半導体発光装置Ａ７０は、第１リード２および第２リード３の形状が、第１実施形態と異なっている。

本実施形態に係る第１リード２は、ｙ方向の一方（図２７においては上方）側に、突出部２５を備えておらず、凹部２４は、ｙ方向の一方（図２７においては上方）を向く領域を備えていない。代わりに、第１リード２は、端面２６を備えている、端面２６は、主面２１および裏面２２に直交し、ｙ方向の一方（図２７においては上方）側、すなわち、半導体発光素子１とは反対側を向く面である。端面２６は、外壁部材４の外周面４３から露出しており、外壁部材４の底面４２から露出する裏面２２と繋がっている。また、本実施形態では、端面２６は、外壁部材４の外周面４３と面一である。

本実施形態に係る第２リード３は、ｙ方向の他方（図２７においては下方）側に、突出部３５を備えておらず、凹部３４は、ｙ方向の他方（図２７においては下方）を向く領域を備えていない。代わりに、第２リード３は、端面３６を備えている、端面３６は、主面３１および裏面３２に直交し、ｙ方向の他方（図２７においては下方）側、すなわち、半導体発光素子１とは反対側を向く面である。端面３６は、外壁部材４の外周面４３から露出しており、外壁部材４の底面４２から露出する裏面３２と繋がっている。また、本実施形態では、端面３６は、外壁部材４の外周面４３と面一である。

本実施形態によっても、半導体発光素子１はリードまたは基板に搭載されていないので、半導体発光装置Ａ７０は、低背化が可能である。また、補強部材５は、半導体発光素子１の素子主面１ａを露出させた状態で、半導体発光素子１、第１リード２、および第２リード３を覆っている。したがって、半導体発光素子１は、安定して配置可能であり、また、レーザ光の出射も妨げられない。また、本実施形態によっても、半導体発光素子１の素子主面１ａが透光樹脂６によって覆われているので、半導体発光装置Ａ７０は、レーザ光を出射可能であり、かつ、発光領域１４にかかる応力を抑制可能である。さらに、第１リード２の端面２６および第２リード３の端面３６は、外壁部材４から露出している。したがって、半導体発光装置Ａ７０は、配線基板に実装されたときに、端面２６および端面３６にはんだフィレットが形成されるので、実装後の接合状態を外観検査により容易に判断できる。

＜第８実施形態＞
図２９は、本開示の第８実施形態に係る半導体発光装置Ａ８０を示す断面図であり、図５に対応する図である。本実施形態の半導体発光装置Ａ８０は、透光樹脂６を備えておらず、蓋６５を備えている点で、第１実施形態と異なっている。

半導体発光装置Ａ８０は、外壁部材４の開口部４５に、透光樹脂６が形成されていない。代わりに、半導体発光装置Ａ８０は、外壁部材４の開口部４５を塞ぐ蓋６５を備えている。蓋６５は、ｚ方向視長矩形状の板状であり、図示しない接合材によって外壁部材４の頂面４１に接合され、開口部４５を塞いでいる。また、蓋６５は、半導体発光素子１が出射するレーザ光を透過させる。本実施形態においては、蓋６５の材料は、ガラスである。なお、蓋６５の形状および材料は限定されない。

本実施形態によっても、半導体発光素子１はリードまたは基板に搭載されていないので、半導体発光装置Ａ８０は、低背化が可能である。また、補強部材５は、半導体発光素子１の素子主面１ａを露出させた状態で、半導体発光素子１、第１リード２、および第２リード３を覆っている。したがって、半導体発光素子１は、安定して配置可能であり、また、レーザ光の出射も妨げられない。また、本実施形態によると、半導体発光素子１の素子主面１ａは樹脂に接していないので、発光領域１４に応力がかからない。また、素子主面１ａに対向する位置にレーザ光を透過させる蓋６５が配置されているので、半導体発光装置Ａ８０は、素子主面１ａを保護しつつ、レーザ光を出射可能である。

＜第９実施形態＞
図３０および図３１は、本開示の第９実施形態に係る半導体発光装置Ａ９０を説明するための図である。図３０は、半導体発光装置Ａ９０を示す断面図であり、図５に対応する図である。図３１は、半導体発光装置Ａ９０の半導体発光素子１を示す要部拡大断面図であり、図７に対応する図である。本実施形態の半導体発光装置Ａ９０は、第１リード２および第２リード３がアノード端子として機能し、半導体発光素子１の素子裏面１ｂに接する導電層７６がカソード端子として機能する点で、第１実施形態と異なっている。

本実施形態においては、半導体発光素子１の素子本体１０が備える半導体基板１０１を構成する半導体は、たとえば、Ｓｉがドーピングされたｎ型のＧａＡｓである。なお、半導体基板１０１を構成する半導体は、ＧａＡｓ以外であってもよい。また、図３１に示すように、素子本体１０の素子裏面１ｂには、裏面電極１３が配置されている。裏面電極１３は、半導体基板１０１の裏面（表面とは反対側を向く面）に形成されており、たとえば金属からなる。裏面電極１３は、半導体基板１０１を介して、第１半導体層１０２に導通している。裏面電極１３は、カソード電極になる。

また、半導体発光装置Ａ９０は、絶縁層７５に代えて導電層７６を備えている。導電層７６は、たとえば、銀（Ａｇ）などの金属粒子が含有されたダイアタッチペーストを乾燥および硬化させたものである。このように、導電層７６には金属粒子が含有されているため、導電層７６は、導電性を有する。また、導電層７６の熱伝導率は比較的大である。図３０に示すように、導電層７６は、ｚ方向において、半導体発光素子１の素子裏面１ｂと同じ側を向く裏面７６ｂを備えている。裏面７６ｂは、補強部材５から露出して、補強部材５の裏面５２（後述）と互いに面一になっており、裏面端子として機能する。導電層７６は、半導体発光素子１の素子裏面１ｂに配置されている裏面電極１３（カソード電極）に接して導通しているので、カソード端子として機能する。

また、本実施形態においては、図３１に示すように、半導体発光素子１の第２電極１２は、第１電極１１と同様、導電層１０７に接して、第２半導体層１０４に導通している。したがって、第２電極１２も、アノード電極になる。また、第２リード３は、第２ボンディングワイヤ７２を介して第２電極１２に電気的に接続されているので、第１リード２と同様に、アノード端子として機能する。

本実施形態によっても、半導体発光素子１はリードまたは基板に搭載されていないので、半導体発光装置Ａ９０は、低背化が可能である。また、補強部材５は、半導体発光素子１の素子主面１ａを露出させた状態で、半導体発光素子１、第１リード２、および第２リード３を覆っている。したがって、半導体発光素子１は、安定して配置可能であり、また、レーザ光の出射も妨げられない。また、本実施形態によっても、半導体発光素子１の素子主面１ａが透光樹脂６によって覆われているので、半導体発光装置Ａ９０は、レーザ光を出射可能であり、かつ、発光領域１４にかかる応力を抑制可能である。

なお、半導体発光装置Ａ９０は、第６実施形態と同様に、導電層７６を備えなくてもよい。この場合、半導体発光素子１の素子裏面１ｂに形成された裏面電極１３が補強部材５から露出し、カソード端子として機能する。

＜第１０実施形態＞
図３２および図３３は、本開示の第１０実施形態に係る半導体発光装置Ａ１００を説明するための図である。図３２は、半導体発光装置Ａ１００を示す平面図であり、図１に対応する図である。図３３は、半導体発光装置Ａ１００を示す断面図であり、図５に対応する図である。なお、図３２においては、理解の便宜上、透光樹脂６を透過している。本実施形態の半導体発光装置Ａ１００は、第２リード３を備えておらず、半導体発光素子１の素子裏面１ｂに接する導電層７６がカソード端子として機能する点で、第１実施形態と異なっている。

本実施形態に係る半導体発光素子１は、第９実施形態に係る半導体発光素子１（図３１参照）と同様である。本実施形態において、半導体発光装置Ａ１００は、半導体発光装置Ａ９０と同様、絶縁層７５に代えて導電層７６を備えている。導電層７６は、半導体発光素子１の素子裏面１ｂに配置されている裏面電極１３に電気的に接続されているので、導電層７６は、カソード端子として機能する。また、半導体発光装置Ａ１００は、第２リード３を備えていない。つまり、半導体発光装置Ａ１００は、半導体発光装置Ａ９０において、第２リード３を備えていないものである。

本実施形態によっても、半導体発光素子１はリードまたは基板に搭載されていないので、半導体発光装置Ａ１００は、低背化が可能である。また、補強部材５は、半導体発光素子１の素子主面１ａを露出させた状態で、半導体発光素子１および第１リード２を覆っている。したがって、半導体発光素子１は、安定して配置可能であり、また、レーザ光の出射も妨げられない。また、本実施形態によっても、半導体発光素子１の素子主面１ａが透光樹脂６によって覆われているので、半導体発光装置Ａ１００は、レーザ光を出射可能であり、かつ、発光領域１４にかかる応力を抑制可能である。さらに、半導体発光装置Ａ１００は、第２リード３を備えていないので、ｙ方向の寸法を小さくすることができる。

本開示に係る半導体発光装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る半導体発光装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

〔付記１〕
発光領域を有する素子主面と、厚さ方向において前記素子主面とは反対側を向く素子裏面と、を有する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子から離間して配置され、かつ、前記半導体発光素子に導通する第１リードと、
前記半導体発光素子および前記第１リードを覆い、かつ、前記厚さ方向において前記素子裏面と同じ側を向く補強部材裏面を有する補強部材と、
を備え、
前記第１リードは、前記厚さ方向において前記素子裏面と同じ側を向く第１リード裏面を備え、
前記素子主面および前記素子裏面は、前記補強部材から露出し、
前記第１リード裏面は、前記補強部材裏面と面一である、
半導体発光装置。
〔付記２〕
前記素子裏面は、前記補強部材裏面と面一である、
付記１に記載の半導体発光装置。
〔付記３〕
前記素子裏面に接して設けられ、前記厚さ方向において前記素子裏面と同じ側を向く絶縁層裏面を有し、かつ、絶縁性の樹脂からなる絶縁層をさらに備え、
前記絶縁層裏面は、前記補強部材裏面と面一である、
付記１に記載の半導体発光装置。
〔付記４〕
前記素子裏面に接して設けられ、前記厚さ方向において前記素子裏面と同じ側を向く導電層裏面を有し、かつ、金属粒子が含有された導電層をさらに備え、
前記半導体発光素子は、前記素子裏面に配置された裏面電極をさらに備え、
前記導電層裏面は、前記補強部材裏面と面一である、
付記１に記載の半導体発光装置。
〔付記５〕
前記半導体発光素子と前記第１リードとを導通させる第１ボンディングワイヤをさらに備え、
前記半導体発光素子は、前記素子主面に配置された第１電極をさらに備え、
前記第１ボンディングワイヤは、前記第１電極と前記第１リードとに接続されている、
付記１ないし４のいずれかに記載の半導体発光装置。
〔付記６〕
前記第１ボンディングワイヤは、全体が前記補強部材から露出している、
付記５に記載の半導体発光装置。
〔付記７〕
前記半導体発光素子および前記第１リードから離間して配置され、かつ、前記半導体発光素子に導通する第２リードと、
前記半導体発光素子と前記第２リードとを導通させる第２ボンディングワイヤと、
をさらに備え、
前記半導体発光素子は、前記素子主面に配置された第２電極をさらに備え、
前記第２ボンディングワイヤは、前記第２電極と前記第２リードとに接続されている、
付記１ないし６のいずれかに記載の半導体発光装置。
〔付記８〕
前記厚さ方向視において前記半導体発光素子を囲み、かつ、前記厚さ方向に貫通する開口部を有する外壁部材をさらに備える、
付記１ないし７のいずれかに記載の半導体発光装置。
〔付記９〕
前記外壁部材は、前記厚さ方向に直交する第１方向において互いに離間して配置される一対の第１側部を備える、
付記８に記載の半導体発光装置。
〔付記１０〕
前記外壁部材は、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向において互いに離間して配置される一対の第２側部をさらに備える、
付記９に記載の半導体発光装置。
〔付記１１〕
前記第１リードは、前記厚さ方向において前記第１リード裏面とは反対側を向く第１リード主面をさらに備え、
前記第１リード主面の少なくとも一部は、前記外壁部材から露出している、
付記８ないし１０のいずれかに記載の半導体発光装置。
〔付記１２〕
前記第１リードは、前記第１リード主面および前記第１リード裏面に繋がり、かつ、前記半導体発光素子とは反対側を向く第１リード端面をさらに備え、
前記第１リード端面は、前記外壁部材から露出している、
付記１１に記載の半導体発光装置。
〔付記１３〕
前記補強部材の構成材料は、前記外壁部材より強度の高いエポキシ樹脂である、
付記８ないし１２のいずれかに記載の半導体発光装置。
〔付記１４〕
前記開口部を塞ぎ、かつ、前記半導体発光素子が出射するレーザ光を透過させる蓋をさらに備える、
付記８ないし１３のいずれかに記載の半導体発光装置。
〔付記１５〕
前記蓋は、ガラス板である、
付記１４に記載の半導体発光装置。
〔付記１６〕
前記素子主面を覆い、かつ、前記半導体発光素子が出射するレーザ光を透過させる透光樹脂をさらに備える、
付記１ないし１３のいずれかに記載の半導体発光装置。
〔付記１７〕
前記透光樹脂は、前記補強部材より弾性係数が低い、
付記１６に記載の半導体発光装置。
〔付記１８〕
前記透光樹脂の構成材料は、シリコーンである、
付記１６または１７に記載の半導体発光装置。

Ａ１０〜Ａ１００：半導体発光装置
１：半導体発光素子
１ａ：素子主面
１ｂ：素子裏面
１ｃ：素子側面
１０：素子本体
１０１：半導体基板
１０２：第１半導体層
１０３：活性層
１０４：第２半導体層
１０５：絶縁層
１０５ａ：開口
１０６：電流狭窄層
１０６ａ：開口
１０７：導電層
１０７ａ：開口
１１：第１電極
１２：第２電極
１３：裏面電極
１４：発光領域
２：第１リード
２１：主面
２２：裏面
２３：側面
２４：凹部
２５：突出部
２５ａ：端面
２６：端面
３：第２リード
３１：主面
３２：裏面
３３：側面
３４：凹部
３５：突出部
３５ａ：端面
３６：端面
４：外壁部材
４１：頂面
４２：底面
４３：外周面
４４：内周面
４５：開口部
４６：第１側部
４７：第２側部
５：補強部材
５１：主面
５２：裏面
６：透光樹脂
６５：蓋
７１：第１ボンディングワイヤ
７２：第２ボンディングワイヤ
７５：絶縁層
７５ｂ：裏面
７６：導電層
７６ｂ：裏面
９１：金属板
９１１：主面
９１２：裏面
９１３：凹部
９１４：貫通部
９２：基材
９２１：主面
９３：外壁部材
９３１：開口
９３２：裏面
９４：金型
９４１，９４２：空間

Claims

発光領域を有する素子主面と、厚さ方向において前記素子主面とは反対側を向く素子裏面と、を有する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子から離間して配置され、かつ、前記半導体発光素子に導通する第１リードと、
前記半導体発光素子および前記第１リードを覆い、かつ、前記厚さ方向において前記素子裏面と同じ側を向く補強部材裏面を有する補強部材と、
を備え、
前記第１リードは、前記厚さ方向において前記素子裏面と同じ側を向く第１リード裏面を備え、
前記素子主面および前記素子裏面は、前記補強部材から露出し、
前記第１リード裏面は、前記補強部材裏面と面一である、
半導体発光装置。
前記素子裏面は、前記補強部材裏面と面一である、
請求項１に記載の半導体発光装置。
前記素子裏面に接して設けられ、前記厚さ方向において前記素子裏面と同じ側を向く絶縁層裏面を有し、かつ、絶縁性の樹脂からなる絶縁層をさらに備え、
前記絶縁層裏面は、前記補強部材裏面と面一である、
請求項１に記載の半導体発光装置。
前記素子裏面に接して設けられ、前記厚さ方向において前記素子裏面と同じ側を向く導電層裏面を有し、かつ、金属粒子が含有された導電層をさらに備え、
前記半導体発光素子は、前記素子裏面に配置された裏面電極をさらに備え、
前記導電層裏面は、前記補強部材裏面と面一である、
請求項１に記載の半導体発光装置。
前記半導体発光素子と前記第１リードとを導通させる第１ボンディングワイヤをさらに備え、
前記半導体発光素子は、前記素子主面に配置された第１電極をさらに備え、
前記第１ボンディングワイヤは、前記第１電極と前記第１リードとに接続されている、
請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体発光装置。
前記第１ボンディングワイヤは、全体が前記補強部材から露出している、
請求項５に記載の半導体発光装置。
前記半導体発光素子および前記第１リードから離間して配置され、かつ、前記半導体発光素子に導通する第２リードと、
前記半導体発光素子と前記第２リードとを導通させる第２ボンディングワイヤと、
をさらに備え、
前記半導体発光素子は、前記素子主面に配置された第２電極をさらに備え、
前記第２ボンディングワイヤは、前記第２電極と前記第２リードとに接続されている、
請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体発光装置。
前記厚さ方向視において前記半導体発光素子を囲み、かつ、前記厚さ方向に貫通する開口部を有する外壁部材をさらに備える、
請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体発光装置。
前記外壁部材は、前記厚さ方向に直交する第１方向において互いに離間して配置される一対の第１側部を備える、
請求項８に記載の半導体発光装置。
前記外壁部材は、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向において互いに離間して配置される一対の第２側部をさらに備える、
請求項９に記載の半導体発光装置。
前記第１リードは、前記厚さ方向において前記第１リード裏面とは反対側を向く第１リード主面をさらに備え、
前記第１リード主面の少なくとも一部は、前記外壁部材から露出している、
請求項８ないし１０のいずれかに記載の半導体発光装置。
前記第１リードは、前記第１リード主面および前記第１リード裏面に繋がり、かつ、前記半導体発光素子とは反対側を向く第１リード端面をさらに備え、
前記第１リード端面は、前記外壁部材から露出している、
請求項１１に記載の半導体発光装置。
前記補強部材の構成材料は、前記外壁部材より強度の高いエポキシ樹脂である、
請求項８ないし１２のいずれかに記載の半導体発光装置。
前記開口部を塞ぎ、かつ、前記半導体発光素子が出射するレーザ光を透過させる蓋をさらに備える、
請求項８ないし１３のいずれかに記載の半導体発光装置。
前記蓋は、ガラス板である、
請求項１４に記載の半導体発光装置。
前記素子主面を覆い、かつ、前記半導体発光素子が出射するレーザ光を透過させる透光樹脂をさらに備える、
請求項１ないし１３のいずれかに記載の半導体発光装置。
前記透光樹脂は、前記補強部材より弾性係数が低い、
請求項１６に記載の半導体発光装置。
前記透光樹脂の構成材料は、シリコーンである、
請求項１６または１７に記載の半導体発光装置。