JP2021021134A - 溶融塩電解槽、溶融塩固化層の形成方法、金属の製造方法 - Google Patents
溶融塩電解槽、溶融塩固化層の形成方法、金属の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
Description
一般的に、電解工程において、溶融塩浴には電気分解される塩化マグネシウム(MgCl2)以外に、支持塩として塩化ナトリウム(NaCl)、塩化カルシウム(CaCl2)、塩化カリウム(KCl)及び/又は、フッ化カルシウム(CaF2)等が含まれている。電解室とメタル回収室とを備える溶融塩電解槽を用いて該溶融塩浴で電気分解を行った場合、マグネシウム(Mg)は、メタル回収室のメタル貯留部に貯留される。
以下、各実施形態について、図面を用いて説明する。
本発明に係る溶融塩電解槽1Aの一実施形態においては、図1Aに示すように、第1の壁10と、上蓋20と、電解室30と、メタル回収室40とを備える。図1Aの溶融塩電解槽1Aでは、電解室30、メタル回収室40が、図の横方向にそれぞれ並んで位置し、互いに連通している。
溶融塩電解槽1Aにおける第1の壁10は、上側に上面開口部が形成された容器形状であり、例えば酸化アルミニウムを含む耐火レンガその他の適切な材料からなる。この第1の壁10からなる容器には、金属塩化物を含む溶融塩からなる溶融塩浴Mが貯留されている。また、電解室30の内部には、溶融塩浴の深さ方向(図1A及び図1Bでは上下方向)と平行な電解面を有する陽極31及び陰極32を含む電極が配置されている。
以下、溶融塩浴Mに塩化マグネシウムが含まれる場合を例として説明する。この場合、溶融塩浴Mに含まれる塩化マグネシウムの電気分解により、図1Aに示すように、溶融金属として金属マグネシウム(Mg)が生成されるとともに、ガスとして塩素ガス(Cl2)が発生する。溶融塩浴Mには、上記の塩化マグネシウムの他、支持塩として、塩化ナトリウム、塩化カルシウム、塩化カリウム及び/又は、フッ化カルシウム等を含ませる場合がある。支持塩として使用される成分は、塩化マグネシウムより電気分解される電圧が高いものを使用することが好ましい。金属マグネシウムは、金属チタンを製造するクロール法における四塩化チタンの還元に、また塩素ガスは、チタン鉱石の塩化にそれぞれ用いることができる。この電気分解の原料とする塩化マグネシウムとしては、クロール法で副次的に生成されるものを使用可能である。
本明細書において、第1の壁10の見かけ気孔率については幾つかの求め方があるが、第1の壁10がレンガで形成されている場合、下記式(1)により求めることができる。ここで、レンガの嵩密度は、重量気孔率法により求める。
(見かけ気孔率)=100−{(レンガの嵩密度/レンガの真密度)×100}(%)・・・式(1)
また、本明細書において、第1の壁10の見かけ気孔率は、第1の壁10中に形成されている隙間の存在割合を示す指標であるが、後述する冷媒流路10aを隙間として考慮するものではない。
第1の壁10がレンガで構成され、レンガがX質量%のAl2O3とY(=100−X)質量%のSiO2とで構成されている場合、真密度については下記式(2)により求める。
(レンガの真密度)=(Al2O3の理論密度(g/cm3)×X+SiO2の理論密度(g/cm3)×Y)/100(g/cm3)・・・式(2)
Al2O3の理論密度:3.95g/cm3
SiO2の理論密度:2.65g/cm3
電解室30は、溶融塩浴M中の金属塩化物を電気分解して、該電気分解により溶融金属を生成する機能を持つ。例えば、塩化マグネシウムの電気分解では、溶融マグネシウムの他、塩素ガスが生成する。電解室30は、電極とガス回収口21とを有する。
電極は、少なくとも、電源に接続された陽極31及び陰極32を有する。これらの陽極31及び陰極32では、陽極31の溶融塩浴M中に浸漬した表面で酸化反応により塩素等のガスが生じるとともに、陰極32の溶融塩浴M中に浸漬した表面で還元反応により金属マグネシウム等の溶融金属が生成される。
メタル回収室40は、電解室30において電気分解により生成した溶融金属を回収する機能を持つ。メタル回収室40は、電解室30と連通しており、溶融金属貯留部41と溶融塩及び溶融金属の給排口22とを有する。そして、メタル回収室40と、電解室30とを区画するため、メタル回収室40と電解室30との間には第1の隔壁45が設けられている。図1Aに示す実施形態では、該第1の隔壁45も溶融金属貯留部41を区画する。よって、該第1の隔壁45は先述した第1の壁10としてよい。
溶融金属貯留部41は、電解室30で金属塩化物を電気分解して得られた溶融金属で形成された金属層42を貯留する機能を持つ。金属層42はメタル回収室40の浴面MS側に形成されるので、メタル回収室40において浴面MSは、電気分解で生成した溶融金属によって形成されうる。本発明の一実施形態においては、溶融金属貯留部41における第1の壁10の内表面11上に、溶融塩固化層43を有する。溶融金属貯留部41は、少なくともその一部に第1の壁10を備えてよいし、その全周が第1の壁10からなるものとしてよい。
溶融塩固化層43は、溶融金属と第1の壁10とを物理的に遮蔽するという機能を持つ。本発明の一実施形態では、メタル回収室40の溶融金属貯留部41は、周囲を囲む側壁としての第1の壁10のうち、該第1の壁10の内表面11上の少なくとも一部に溶融塩固化層43を形成されていれば、溶融金属に混入する不純物量を低減できる。溶融塩固化層43の平均厚さは、当該溶融塩固化層が安定的に形成され溶融金属を物理的に遮蔽するという観点から、下限側としては10mm以上であることが好ましく、20mm以上であることがより好ましい。ただし、溶融塩固化層43の平均厚さは、上限側としては、メタル回収室の容積を確保する観点と溶融塩固化層43の厚さを制御する観点等から、典型的に100mm以下であり、より典型的に50mm以下である。本明細書において、溶融塩固化層43の平均厚さは、所定の間隔で選択した9点の厚さの平均値を意味する。すなわち、溶融金属貯留部41の上面視(上蓋20側からの視野)により確認される溶融塩固化層43の全長を把握し、該全長を5等分してその内側3点を測定対象とする。さらに、各測定対象について溶融塩固化層43を正面視により高さ方向に全長を5等分し、その内側3点を測定対象とする。このようにして9点について溶融塩固化層43の厚さを測定し、その数値の平均値を溶融塩固化層43の平均厚さとする。
電解室30は、溶融塩循環路50を介してメタル回収室40と連通されている。溶融塩循環路50は、溶融塩電解槽1Aの底部側に設けられ、第2の隔壁55により形成されている。第2の隔壁55は第1の隔壁45より溶融塩電解槽1Aの底部側に設けられる。溶融塩電解槽1Aでは、第2の隔壁55は、溶融塩循環路50のみならず、電気分解により生成した溶融金属のメタル回収室40への流入路をも区画している。
第2の壁15の見かけ気孔率の下限側としては、30%超であることが好ましい。ただし、第2の壁15の見かけ気孔率は、上限側としては、典型的に80%以下であり、より典型的に75%以下である。当該第2の壁15が溶融塩電解槽1Bの外側と内側とで異なる材質の壁として構成されている場合、当該第2の壁15の外側の壁の見かけ気孔率が上記範囲内であればよい。
なお、本明細書において、第2の壁15の見かけ気孔率は、第2の壁15中に形成されている隙間の存在割合を示す指標である。
第2の壁15を形成するレンガの材質は、上記見かけ気孔率に調整するという観点から、例えばAl2O3が10〜30質量%であり、SiO2が70〜90質量%であってよい。
本発明に係る溶融塩固化層43の形成方法の一実施形態においては、溶融塩浴Mで溶融塩の電気分解を行う電解室30と、該電解室30と連通するメタル回収室40とを備えた溶融塩電解槽1A〜1Eを使用する。そして、本発明の一実施形態においては、溶融塩固化層43を形成する形成工程を含む。なお、上述した溶融塩電解槽と重複する説明は割愛する。
形成工程では、溶融金属貯留部41の第1の壁10少なくとも一部を冷却することで、該第1の壁10の内表面11上の少なくとも一部に溶融塩を含有する溶融塩固化層43を形成する。溶融塩固化層43は高温にさらされると溶融塩浴Mに溶解することがあるため、溶融塩固化層の安定的な形成のため連続的な冷却を要求されることもある。
該溶融塩浴は、CaCl2を15.0質量%以上含有すればよく、20.0質量%以上含有すればよりよい。
該溶融塩浴は、MgCl2を10.0質量%以上含有すればよく、13.0質量%以上含有すればよりよい。一方、該溶融塩浴は、MgCl2を30.0質量%以下含有すればよく、25.0質量%以下含有すればよりよい。
該溶融塩浴は、MgF2を0.3質量%以上含有すればよく、1.0質量%以上含有すればよりよい。
本発明に係る金属の製造方法の一実施形態においては、先述した溶融塩固化層43の形成方法により溶融塩固化層43を形成する形成工程と、電解工程とを含む。そうすることで、本発明の一実施形態においては、金属塩化物の電気分解で得られた溶融金属にメタル回収室40を形成するレンガ成分に由来する不純物が混入する量を低減することができる。
電解工程では、該形成工程後、溶融金属貯留部41の第1の壁10の少なくとも一部を冷却しつつ、溶融塩を電気分解する。このとき、本発明の一実施形態では、溶融金属貯留部41の第1の壁10の溶融塩固化層43を形成する部位のレンガ内表面11付近の溶融塩の温度を600℃以下に調整することで、電解中であったとしても、形成された溶融塩固化層43を維持することができる。本発明の一実施形態では、例えば、連続的な冷却の実施により溶融塩固化層43を持続的に維持し、電気分解で得られた金属マグネシウムとレンガとの接触を抑制することができ、その結果、金属マグネシウムにレンガ由来の不純物であるAlの混入量を低減することができる。
実施例1では、図6Aに示すように、第1の壁10と、第2の壁15と、上蓋20と、電解室30と、溶融金属貯留部41を有するメタル回収室40と、第1の隔壁45と、溶融塩循環路50と、第2の隔壁55とを備えた溶融塩電解槽100を組み立てた。なお、第1の壁10は見かけ気孔率2%、Al2O3含有量93質量%以上のレンガで構成した。また、第2の壁15は外側を見かけ気孔率55〜75%、Al2O3含有量13〜30質量%である断熱レンガと内側を見かけ気孔率2%、Al2O3含有量93質量%以上のレンガとする複数種のレンガからなるものとした。第1の隔壁45と、溶融塩循環路50と、第2の隔壁55とは前記断熱レンガでいずれも構成した。上蓋20の材質は蓋裏にキャスタブル耐火物の層を施工した炭素鋼を使用した。この溶融塩電解槽100は、メタル回収室40が1m3であるものを用いた。また、図6Bに示すように、電解室30においては、単位電気分解セルを2つ作製するため、陽極31と陰極32とバイポーラ電極33a、33bをそれぞれ配置した。陽極31の材質は黒鉛とし、陰極32の材質は鉄(炭素鋼)とした。バイポーラ電極の材質は黒鉛とした。陽極31と陰極32間のバイポーラ電極の枚数を2枚とした。なお、本明細書において、単位電気分解セルは、破線DLに示すように、1つの陽極31と、その陽極31の両主表面(電解面)に対向して存在する陰極32と、その陽極31と陰極32との間の2枚のバイポーラ電極33a、33bとで構成する電極群を意味する。風冷は第1の壁10の外側より行った。即ち溶融金属貯留部41の上面視において3方向から冷却を実施した。
<試験条件>
溶融塩組成:MgCl220質量%、CaCl230質量%、NaCl49質量%、MgF21質量%
溶融塩浴温度:平均700℃
第1の壁の溶融塩固化層43を形成する部位の内表面付近の溶融塩浴温度:平均580℃
冷風:1m2当たり20m3/min(常時冷却)
第1の壁の厚さ:400mm
比較例1では、溶融金属貯留部41の第1の壁10を冷却しなかった点以外、実施例1と同様に電解を実施した。そのため、溶融金属貯留部41の第1の壁10の内表面11上には、溶融塩固化層43が形成されていなかった。
電解停止後溶融塩電解槽100から速やかに溶融塩浴を抜き出し、溶融塩電解槽100内に残った溶融塩固化層43から分析サンプルを取り出し、化学分析により溶融塩固化層43の組成を求めた。その結果、溶融塩固化層43を形成する部位内表面の温度によりNaCl含有量が変わるものの溶融塩浴に含まれる溶融塩が固化して形成されたものであることを確認した。なお、NaCl量は80質量%以上であった。
実施例1については、上述の方法により溶融塩固化層43の厚さを9点計測し、その平均値を求めた。その結果、溶融塩固化層43の厚さは25mmであった。一方、比較例1では、溶融塩固化層43は形成されていなかった。
比較例1では、図7に示すように、第1の壁10の断面において、第1の壁10の外表面12の線と平行であって第1の壁10の内表面11の接線Tから、第1の壁10の厚さ方向に沿って浸食面11aまでの深さDを10か所測定した。その複数の深さDの中で、深さDの最大値を浸食深さとした。実施例1の深さDも、比較例1と同様に求めた。そして、比較例1の浸食深さを基準値である1.0として、実施例1について相対的に浸食度合いを求めた結果、実施例1の浸食深さは0.1であった。
実施例1では、比較例1と比べ、浸食度合いが非常に低かった。この理由としては、実施例1では、溶融金属貯留部41の第1の壁10の内表面11上に溶融塩固化層43が形成されていたために、溶融マグネシウムが第1の壁10と接触していなかったことが挙げられる。実施例1ではレンガの浸食度合いが小さいため、金属マグネシウムへのアルミニウム移行量の抑制を実現できる。
10 第1の壁
10a、44a、45a 冷媒流路
11 内表面
11a 浸食面
12 外表面
15 第2の壁
20 上蓋
21 ガス回収口
22 給排口
30 電解室
31 陽極
32 陰極
33a、33b バイポーラ電極
40 メタル回収室
41 溶融金属貯留部
42 金属層
43 溶融塩固化層
44 冷却部
45 第1の隔壁
46 主表面
50 溶融塩循環路
55 第2の隔壁
D 深さ
M 溶融塩浴
MS 浴面
T 接線
Claims (13)
- 溶融塩浴で溶融塩の電気分解を行う電解室と、該電解室と連通するメタル回収室とを備える溶融塩電解槽であって、
前記メタル回収室の金属を貯留する溶融金属貯留部は少なくともその一部に第1の壁を備え、
前記第1の壁の内表面上の少なくとも一部に溶融塩固化層を有する、溶融塩電解槽。 - 前記第1の壁の見かけ気孔率は、30%以下である、請求項1に記載の溶融塩電解槽。
- 前記メタル回収室の前記溶融金属貯留部の第1の壁以外の部分は、第2の壁を備え、
前記第1の壁の見かけ気孔率は、前記第2の壁の見かけ気孔率より低い、請求項1又は2に記載の溶融塩電解槽。 - 前記第1の壁の見かけ気孔率は、18%以下であり、
前記第2の壁の見かけ気孔率は、30%超である、請求項3に記載の溶融塩電解槽。 - 前記溶融金属貯留部の第1の壁の内部又は外表面上の一部に冷媒流路を有する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の溶融塩電解槽。
- 前記溶融塩固化層の平均厚さは、10mm以上である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の溶融塩電解槽。
- 前記溶融塩固化層は、NaClを含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の溶融塩電解槽。
- 溶融塩浴で溶融塩の電気分解を行う電解室と、該電解室と連通するメタル回収室とを備えた溶融塩電解槽を使用する溶融塩固化層の形成方法であって、
前記メタル回収室の金属を貯留する溶融金属貯留部の第1の壁の少なくとも一部を冷却することで、該第1の壁の内表面上の少なくとも一部に前記溶融塩を含有する溶融塩固化層を形成する形成工程を含む、溶融塩固化層の形成方法。 - 前記第1の壁の見かけ気孔率は、30%以下である、請求項8に記載の溶融塩固化層の形成方法。
- 前記メタル回収室の前記溶融金属貯留部の第1の壁以外の部分は、第2の壁を備え、
前記第1の壁の見かけ気孔率は、前記第2の壁の見かけ気孔率より低い、請求項8又は9に記載の溶融塩固化層の形成方法。 - 前記第1の壁の見かけ気孔率は、18%以下であり、
前記第2の壁の見かけ気孔率は、30%超である、請求項10に記載の溶融塩固化層の形成方法。 - 前記溶融塩浴は、NaClを40.0質量%以上含有し、
前記溶融塩固化層は、NaClを含む、請求項8〜11のいずれか一項に記載の溶融塩固化層の形成方法。 - 請求項8〜12のいずれか一項に記載の溶融塩固化層の形成方法により前記溶融塩固化層を形成する形成工程と、
前記形成工程後、前記溶融金属貯留部の第1の壁の少なくとも一部を冷却しつつ、前記溶融塩を電気分解する電解工程とを含む、金属の製造方法。
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