JP2021019162A - 光デバイスの移設方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の実施形態に係る移設方法を図面に基づいて説明する。まず、実施形態に係る光デバイス7の移設方法の移設対象を含む光デバイスウエーハ1の構成について説明する。図1は、実施形態に係る光デバイス7の移設方法の移設対象を含む光デバイスウエーハ1の斜視図である。図2は、図1の光デバイスウエーハ1の断面図である。なお、図1および図2は、本実施形態の説明のため、実際よりも光デバイスウエーハ1に対して光デバイス層5などを大きく模式的に示しており、以降の図面についても同様である。光デバイスウエーハ1は、図2に示すように、エピタキシー基板2と、エピタキシー基板2の表面3側にバッファ層4を介して積層された光デバイス層5と、を含む。
本発明の実施形態の第1変形例に係る移設方法を説明する。図9は、第1変形例に係る光デバイス7の移設方法を示すフローチャートである。光デバイス7の移設方法は、図9に示すように、マイクロLED形成ステップST10と、移設基板接合ステップST11と、バッファ層破壊ステップST12と、光デバイス層移設ステップST13と、バッファ層除去ステップST14と、を含む。変形例に係る移設方法は、マイクロLED形成ステップST10をさらに含むこと以外、実施形態と同じである。
本発明の実施形態の第2変形例に係る移設方法を説明する。図12は、第2変形例に係る光デバイス7の移設方法を示すフローチャートである。光デバイス7の移設方法は、図12に示すように、移設基板接合ステップST11と、バッファ層破壊ステップST12と、光デバイス層移設ステップST13と、バッファ層除去ステップST14と、実装ステップST15と、を含む。変形例に係る移設方法は、実装ステップST15をさらに含むこと以外、実施形態と同じである。
2 エピタキシー基板
3 表面
4 バッファ層
5 光デバイス層
7 光デバイス
8 裏面
10 複合基板
11 移設基板
12 接合層
34 パルスレーザービーム
Claims (3)
- エピタキシー基板の表面にバッファ層を介して光デバイス層が積層された光デバイスウエーハの光デバイスを移設基板に移し替える光デバイスの移設方法であって、
該光デバイスウエーハの光デバイス層の表面に接合層を介して移設基板を接合して複合基板を形成する移設基板接合ステップと、
該移設基板接合ステップの後、該複合基板を構成する光デバイスウエーハのエピタキシー基板の裏面側からエピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファ層に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザービームを照射し、バッファ層を破壊するバッファ層破壊ステップと、
該バッファ層破壊ステップの後、エピタキシー基板を光デバイス層から剥離して光デバイス層を移設基板に移設する光デバイス層移設ステップと、を含み、
該光デバイス層移設ステップの後、該光デバイス層に残存したバッファ層に対して吸収性を有する波長の該パルスレーザービームを照射し、残存したバッファ層を除去するバッファ層除去ステップを実施することを特徴とする、光デバイスの移設方法。 - 該移設基板接合ステップの前に、該光デバイス層をチップサイズに分割してマイクロLEDを形成するマイクロLED形成ステップを含むことを特徴とする、請求項1に記載の光デバイスの移設方法。
- 該バッファ層除去ステップの後、該光デバイス層を移設基板からピックアップして実装基板に実装する実装ステップを含むことを特徴とする、請求項1または2に記載の光デバイスの移設方法。
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