JP2021015299A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018135467A1 (ja) 2017-01-17 2018-07-26 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
SG10201911903XA (en) * 2017-02-27 2020-02-27 Hoya Corp Mask blank, method for manufacturing transfer mask, and method for manufacturing semiconductor device
JP6729508B2 (ja) * 2017-06-29 2020-07-22 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク
JP6863169B2 (ja) * 2017-08-15 2021-04-21 Agc株式会社 反射型マスクブランク、および反射型マスク
US10996553B2 (en) 2017-11-14 2021-05-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Extreme ultraviolet mask with reduced wafer neighboring effect and method of manufacturing the same
JP2019191209A (ja) * 2018-04-18 2019-10-31 Hoya株式会社 導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法
WO2020036694A1 (en) 2018-08-16 2020-02-20 Applied Materials, Inc. Photomask laser etch
US11275301B2 (en) 2018-08-31 2022-03-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Extreme ultraviolet mask and method of manufacturing the same
US11119398B2 (en) * 2018-09-28 2021-09-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. EUV photo masks
JP7250511B2 (ja) 2018-12-27 2023-04-03 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法
WO2020256062A1 (ja) * 2019-06-20 2020-12-24 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク、並びに反射型マスク及び半導体装置の製造方法
US11249245B2 (en) * 2019-09-05 2022-02-15 Himax Technologies Limited Patterned light guide structure and method to form the same
WO2021085382A1 (ja) * 2019-10-29 2021-05-06 Agc株式会社 反射型マスクブランクおよび反射型マスク
KR102285099B1 (ko) * 2020-01-08 2021-08-04 주식회사 에스앤에스텍 극자외선용 반사형 블랭크 마스크 및 포토마스크
KR20210089406A (ko) * 2020-01-08 2021-07-16 주식회사 에스앤에스텍 극자외선용 반사형 블랭크 마스크 및 포토마스크
US11221554B2 (en) 2020-01-17 2022-01-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. EUV masks to prevent carbon contamination
US11111176B1 (en) * 2020-02-27 2021-09-07 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus of processing transparent substrates
KR20220161261A (ko) * 2020-03-30 2022-12-06 호야 가부시키가이샤 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크, 및 반도체 장치의 제조 방법
JP7421411B2 (ja) * 2020-04-30 2024-01-24 株式会社トッパンフォトマスク 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク
KR20210156461A (ko) * 2020-06-18 2021-12-27 삼성전자주식회사 극자외선 노광 장치의 노광 마스크
KR102849980B1 (ko) * 2020-08-06 2025-08-27 삼성전자주식회사 에러 패턴에 대응하여 마스크 레이아웃을 설계하는 방법 및 그 방법을 이용한 마스크 형성 방법
JP7535662B2 (ja) * 2020-11-20 2024-08-16 インテグリス・インコーポレーテッド フォトリソグラフィで使用するための位相シフトレチクル
TW202246879A (zh) * 2021-02-09 2022-12-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩毛胚結構
US12210279B2 (en) 2021-05-27 2025-01-28 AGC Inc. Electroconductive-film-coated substrate and reflective mask blank
JP7676291B2 (ja) * 2021-10-29 2025-05-14 Hoya株式会社 マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体デバイスの製造方法
JP7669321B2 (ja) * 2022-09-01 2025-04-28 信越化学工業株式会社 反射型マスクブランクおよび反射型マスクの製造方法
JP2025117967A (ja) * 2024-01-31 2025-08-13 信越化学工業株式会社 パターン形成方法、及び積層体

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63204259A (ja) 1987-02-20 1988-08-23 Hitachi Ltd マスク
JP2001100393A (ja) 1999-09-28 2001-04-13 Toshiba Corp フォトマスク
WO2001035125A1 (en) 1999-11-05 2001-05-17 Asahi Glass Company, Limited Antireflection base for ultraviolet and vacuum ultraviolet regions
JP2001194506A (ja) * 1999-11-05 2001-07-19 Asahi Glass Co Ltd 紫外および真空紫外領域の反射防止基体
JP4212025B2 (ja) 2002-07-04 2009-01-21 Hoya株式会社 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに反射型マスクの製造方法
JP4602430B2 (ja) 2008-03-03 2010-12-22 株式会社東芝 反射型マスク及びその作製方法
JP5282507B2 (ja) 2008-09-25 2013-09-04 凸版印刷株式会社 ハーフトーン型euvマスク、ハーフトーン型euvマスクの製造方法、ハーフトーン型euvマスクブランク及びパターン転写方法
JP5533718B2 (ja) * 2010-07-28 2014-06-25 旭硝子株式会社 Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、該マスクブランク用の機能膜付基板
JP5772135B2 (ja) 2011-03-28 2015-09-02 凸版印刷株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスク
KR20130085774A (ko) * 2012-01-20 2013-07-30 에스케이하이닉스 주식회사 Euv 마스크
JP5953833B2 (ja) 2012-03-08 2016-07-20 凸版印刷株式会社 反射型フォトマスクおよびその製造方法
TWI652541B (zh) 2012-12-28 2019-03-01 日商Hoya股份有限公司 Method for manufacturing substrate for mask material, method for manufacturing substrate with multilayer reflective film, method for producing reflective mask material, and method for manufacturing semiconductor device
JP6225478B2 (ja) 2013-05-20 2017-11-08 凸版印刷株式会社 反射型マスク
JP6186996B2 (ja) * 2013-07-30 2017-08-30 旭硝子株式会社 Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、euvリソグラフィ用反射型マスク
JP6287046B2 (ja) * 2013-10-22 2018-03-07 凸版印刷株式会社 反射型マスク及び反射型マスクブランク並びにその製造方法

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