JP2021012933A - 半導体製造装置用部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】給電電極の第１の表面と給電端子の基部の内周面との電気的な接合の不良を抑制する。【解決手段】半導体製造装置用部品の製造方法は、第１の導電性部材と、第２の導電性部材と、第１の導電性部材の第１の表面と第２の導電性部材の第２の表面とを接合する前のろう付け部である接合前ろう付け部と、第２の導電性部材の第２の表面の内、第１の導電性部材の第１の表面に直交する方向における接合前ろう付け部とねじとの間に配置されたセラミック部材と、を備える複合体を用意する、第１工程と、接合前ろう付け部を加熱することにより接合前ろう付け部を溶融させ、接合前ろう付け部を硬化させることにより、第１の導電性部材の第１の表面と第２の導電性部材の第２の表面とを接合するろう付け部を形成する、第２工程とを備える。【選択図】図７

Description

本明細書に開示される技術は、半導体製造装置用部品の製造方法に関する。

例えば半導体を製造する際にウェハを保持する保持装置として、静電チャックが用いられる。静電チャックは、例えばセラミックスにより構成され、略平面状の表面（以下、「吸着面」という。）を有する板状部材と、板状部材の内部に配置されたチャック電極とを備えている。静電チャックは、チャック電極に電圧が印加されることにより発生する静電引力を利用して、板状部材の吸着面にウェハを吸着して保持する。

静電チャックの吸着面に保持されたウェハの温度が所望の温度にならないと、ウェハに対する各処理（成膜、エッチング等）の精度が低下するおそれがあるため、静電チャックにはウェハの温度分布を制御する性能が求められる。そのため、静電チャックの使用時には、板状部材に配置されたヒータ電極による加熱や、ベース部材に形成された冷媒流路に冷媒を供給することによる冷却によって、板状部材の吸着面の温度分布の制御（ひいては、吸着面に保持されたウェハの温度分布の制御）が行われる。

静電チャックには、ヒータ電極への給電のための構成が設けられる。具体的には、板状部材に、ヒータ電極に電気的に接続された給電電極（給電パッド）と、給電電極と電気的に接続される給電端子と、ろう材で形成され、給電電極と給電端子とを接合するろう付け部とが配置される。このような構成では、電源から、給電端子、給電電極等を介して、ヒータ電極に電力が供給される。

給電端子は、貫通孔が形成された筒状であって、内周面にねじ（以下、「第１のねじ」という。）が形成された基部と、第１のねじと螺合されるねじ（以下、「第２のねじ」という。）が先端の外周面に形成された棒状部とを備える（例えば、特許文献１参照）。ろう付け部は、給電端子の基部の内周面の内、第１のねじが形成されていない部分と、給電電極の表面（以下、「第１の表面」という。）とを接合する。

このような構成の静電チャックの製造の際には、給電端子の基部の内周面の内、第１のねじが形成されていない部分と、給電電極の第１の表面との接合が行われる。

給電端子の基部の内周面の内、第１のねじが形成されていない部分と、給電電極の第１の表面との接合は、例えば以下のように行われる。まず、給電電極と、給電端子の基部と、給電電極の第１の表面と給電端子の基部の内周面（より厳密には、給電端子の基部の内周面の内、第１のねじが形成されていない部分）とに接するように配置された硬化前のろう付け部（以下、「接合前ろう付け部」という。）とを備える複合体を用意する。次に、接合前ろう付け部を加熱することにより接合前ろう付け部を溶融させ、接合前ろう付け部を硬化させることにより、給電電極の第１の表面と給電端子の基部の内周面とを接合するろう付け部を形成する（以下、この工程を「ろう付け工程」という。）。

特許第４９０８０２１号公報

上記特許文献１の静電チャックの製造方法では、上記のろう付け工程において、溶融した接合前ろう付け部が給電端子の基部の内周面を伝って、給電電極の第１の表面に直交する方向（例えば上方）に移動し、その結果、給電端子の基部の第１のねじが接合前ろう付け部により覆われることがある。そのため、この製造方法では、第１のねじと第２のねじとが螺合されない、螺合されにくい、あるいは、第１のねじと第２のねじとが互いに傾いた状態で螺合される等の不良が生じることがあり、その結果、給電電極の第１の表面と給電端子の基部の内周面との電気的な接合の不良が生じることがある。

なお、このような課題は、給電端子と、給電パッドと、給電端子と給電パッドとを接合するろう付け部とを備える静電チャックまたは当該静電チャックの製造方法に限らず、第１の導電性部材と、第２の導電性部材と、第１の導電性部材と第２の導電性部材とを接合するろう付け部とを備える半導体製造装置用部品の製造の際にも共通の課題である。

本明細書では、上述した課題を解決することが可能な技術を開示する。

本明細書に開示される技術は、例えば、以下の形態として実現することが可能である。

（１）本明細書に開示される半導体製造装置用部品の製造方法は、第１の表面を有する第１の導電性部材と、少なくとも一部が円周状である第２の表面を有し、前記第２の表面の一部にねじが形成された第２の導電性部材と、ろう材で形成され、前記第１の導電性部材の前記第１の表面と前記第２の導電性部材の前記第２の表面とを接合するろう付け部と、を備える半導体製造装置用部品の製造方法であって、前記第１の導電性部材と、前記第２の導電性部材と、前記第１の導電性部材の前記第１の表面と前記第２の導電性部材の前記第２の表面とを接合する前の前記ろう付け部である接合前ろう付け部と、前記第２の導電性部材の前記第２の表面の内、前記第１の導電性部材の前記第１の表面に直交する方向における前記接合前ろう付け部と前記ねじとの間に配置されたセラミック部材と、を備える複合体を用意する、第１工程と、前記接合前ろう付け部を加熱することにより前記接合前ろう付け部を溶融させ、前記接合前ろう付け部を硬化させることにより、前記第１の導電性部材の前記第１の表面と前記第２の導電性部材の前記第２の表面とを接合する前記ろう付け部を形成する、第２工程と、を備える。

前記セラミック部材を用いない場合には、前記第２工程において、溶融した前記接合前ろう付け部が前記第２の導電性部材の前記第２の表面を伝って、前記第１の導電性部材の前記第１の表面に直交する方向に移動し、これにより前記第２の導電性部材の前記ねじが前記接合前ろう付け部により覆われることがある。そのため、この製造方法では、前記ねじと、前記ねじと螺合されるべき他のねじとが螺合されない、螺合されにくい、あるいは、前記ねじと他のねじとが互いに傾いた状態で螺合される等の不良（以下、単に「前記ねじと他のねじとの螺合不良」という。）が生じることがあり、その結果、前記第１の導電性部材の前記第１の表面と前記第２の導電性部材の前記第２の表面との電気的な接合の不良が生じることがある。

これに対し、本半導体製造装置用部品の製造方法では、前記第１工程において、前記第２の導電性部材の前記第２の表面の内、前記第１の導電性部材の前記第１の表面に直交する方向における前記接合前ろう付け部と前記ねじとの間に前記セラミック部材が配置される。そのため、前記第２工程において、前記接合前ろう付け部を加熱することにより前記接合前ろう付け部を溶融させたときに、前記セラミック部材の存在により、前記接合前ろう付け部の前記第１の導電性部材の前記第１の表面に直交する方向への移動が抑制される。そのため、本半導体製造装置用部品の製造方法によれば、前記ねじと他のねじとの螺合不良の発生が抑制され、ひいては前記第１の導電性部材の前記第１の表面と前記第２の導電性部材の前記第２の表面との電気的な接合の不良の発生が抑制される。

（２）上記半導体製造装置用部品の製造方法において、前記第１工程において、前記第２の表面に段差を有する段差部が形成された前記第２の導電性部材を用意し、前記第２の導電性部材の前記段差部の側面に前記セラミック部材を配置することにより、前記第１の導電性部材と前記第２の導電性部材と前記接合前ろう付け部と前記セラミック部材とを備える前記複合体を用意する、構成としてもよい。本半導体製造装置用部品の製造方法によれば、前記第１工程において、前記セラミック部材を前記第２の導電性部材の前記段差部の前記側面に略直交する方向から前記側面に塗布することにより、容易に所望の位置（前記段差部の前記側面の位置。前記第２の導電性部材の前記第２の表面の内、前記第１の導電性部材の前記第１の表面に直交する方向における前記接合前ろう付け部と前記ねじとの間の位置）に前記セラミック部材を配置することができる。

なお、本明細書に開示される技術は、種々の形態で実現することが可能であり、例えば、半導体製造装置用部品、保持装置、静電チャック、真空チャック、それらの製造方法等の形態で実現することが可能である。

本実施形態における静電チャック１００の外観構成を概略的に示す斜視図である。 本実施形態における静電チャック１００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図である。 図２のＩＩＩ−ＩＩＩの位置における静電チャック１００のＸＹ平面（上面）構成を概略的に示す説明図である。 図２のＩＶ−ＩＶの位置における静電チャック１００のＸＹ平面（上面）構成を概略的に示す説明図である。 静電チャック１００における給電端子７４付近の部分（図２のＸ１の部分）のＸＺ断面構成を拡大して示す説明図である。 本実施形態における静電チャック１００の製造方法を示すフローチャートである。 本実施形態における静電チャック１００の製造方法の概要を示す説明図である。

Ａ．実施形態：
Ａ−１．装置構成：
図１は、本実施形態における静電チャック１００の外観構成を概略的に示す斜視図であり、図２は、本実施形態における静電チャック１００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図であり、図３および図４は、本実施形態における静電チャック１００のＸＹ断面構成を概略的に示す説明図である。図３には、図２のＩＩＩ−ＩＩＩの位置における静電チャック１００のＸＹ断面構成が示されており、図４には、図２のＩＶ−ＩＶの位置における静電チャック１００のＸＹ断面構成が示されている。各図には、方向を特定するための互いに直交するＸＹＺ軸が示されている。本明細書（図７，静電チャック１００の製造方法についての説明は除く）では、便宜的に、Ｚ軸正方向を上方向といい、Ｚ軸負方向を下方向というものとするを除く）が、静電チャック１００は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。

静電チャック１００は、対象物（例えばウェハＷ）を静電引力により吸着して保持する装置であり、例えば半導体製造装置の真空チャンバー内でウェハＷを固定するために使用される。静電チャック１００は、所定の配列方向（本実施形態では上下方向（Ｚ軸方向））に並べて配置された板状部材１０およびベース部材２０を備える。板状部材１０とベース部材２０とは、板状部材１０の下面Ｓ２（図２参照）とベース部材２０の上面Ｓ３とが上記配列方向に対向するように配置される。

板状部材１０は、上述した配列方向（Ｚ軸方向）に略直交する略円形平面状の上面（以下、「吸着面」という。）Ｓ１を有する板状部材であり、セラミック（例えば、アルミナや窒化アルミニウム等）により形成されている。板状部材１０の直径は例えば５０ｍｍ〜５００ｍｍ程度（通常は２００ｍｍ〜３５０ｍｍ程度）であり、板状部材１０の厚さは例えば１ｍｍ〜１０ｍｍ程度である。

図２に示すように、板状部材１０の内部には、導電性材料（例えば、タングステン、モリブデン、白金等）により形成されたチャック電極４０が配置されている。Ｚ軸方向視でのチャック電極４０の形状は、例えば略円形である。チャック電極４０に電源（図示しない）から電圧が印加されると、静電引力が発生し、この静電引力によってウェハＷが板状部材１０の吸着面Ｓ１に吸着固定される。

また、板状部材１０の内部には、板状部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御（すなわち、吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷの温度分布の制御）のための複数のヒータ電極５０と、各ヒータ電極５０への給電のための構成（ドライバ電極６０等）とが配置されている。これらの構成については、後に詳述する。

ベース部材２０は、例えば板状部材１０と同径の、または、板状部材１０より径が大きい円形平面の板状部材であり、例えば金属（アルミニウムやアルミニウム合金等）により形成されている。ベース部材２０の直径は例えば２２０ｍｍ〜５５０ｍｍ程度（通常は２２０ｍｍ〜３５０ｍｍ）であり、ベース部材２０の厚さは例えば２０ｍｍ〜４０ｍｍ程度である。

ベース部材２０は、板状部材１０の下面Ｓ２とベース部材２０の上面Ｓ３との間に配置された接着部３０によって、板状部材１０に接合されている。接着部３０は、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着材により構成されている。接着部３０の厚さは、例えば０．１ｍｍ〜１ｍｍ程度である。

ベース部材２０の内部には冷媒流路２１が形成されている。冷媒流路２１に冷媒（例えば、フッ素系不活性液体や水等）が流されると、ベース部材２０が冷却され、接着部３０を介したベース部材２０と板状部材１０との間の伝熱（熱引き）により板状部材１０が冷却され、板状部材１０の吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷが冷却される。これにより、ウェハＷの温度分布の制御が実現される。

Ａ−２．ヒータ電極５０等の構成：
次に、ヒータ電極５０およびヒータ電極５０への給電のための構成について詳述する。上述したように、静電チャック１００は、複数のヒータ電極５０（より具体的には、３つのヒータ電極５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｃ）を備える（図２および図３参照）。

３つのヒータ電極５０の内、１つのヒータ電極５０Ａは、Ｚ軸方向視で板状部材１０における外周側の領域（以下「外周領域Ｚａ」という。）に配置されており、他の１つのヒータ電極５０Ｃは、Ｚ軸方向視で板状部材１０における中心付近の領域（以下「中心領域Ｚｃ」という。）に配置されており、他の１つのヒータ電極５０Ｂは、Ｚ軸方向視で板状部材１０における外周領域Ｚａと中心領域Ｚｃとに挟まれた領域（以下「中間領域Ｚｂ」という。）に配置されている。

各ヒータ電極５０は、Ｚ軸方向視で線状の抵抗発熱体であるヒータライン部５１と、ヒータライン部５１の両端部に接続されたヒータパッド部５２とを有する。ヒータ電極５０を構成するヒータライン部５１およびヒータパッド部５２は、導電性材料（例えば、タングステン、モリブデン、白金等）により形成されている。

また、静電チャック１００は、各ヒータ電極５０への給電のための構成を備えている。具体的には、静電チャック１００は、複数のドライバ電極６０（より具体的には、６つのドライバ電極６０）を備える（図２および図４参照）。各ドライバ電極６０は、面方向に平行な所定の形状の導体パターンであり、導電性材料（例えば、タングステン、モリブデン、白金等）により形成されている。

図４に示すように、本実施形態では、静電チャック１００が備える６つのドライバ電極６０は、それぞれ一対のドライバ電極６０から構成された３つのドライバ電極対６００（６００Ａ，６００Ｂ，６００Ｃ）を構成している。３つのドライバ電極対６００は、３つのヒータ電極５０（５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｃ）に対応している。図２〜図４に示すように、１つのドライバ電極対６００（例えば、ドライバ電極対６００Ａ）を構成する一対のドライバ電極６０の一方は、導電性材料により形成されたヒータ側ビア７１を介して、対応するヒータ電極５０（例えば、ヒータ電極５０Ａ）の一方のヒータパッド部５２と電気的に接続されている。また、該ドライバ電極対６００（例えば、ドライバ電極対６００Ａ）を構成する一対のドライバ電極６０の他方は、ヒータ側ビア７１を介して、対応するヒータ電極５０（例えば、ヒータ電極５０Ａ）の他方のヒータパッド部５２と電気的に接続されている。

また、図２に示すように、静電チャック１００には、ベース部材２０の下面Ｓ４から板状部材１０の内部に至る複数の端子用孔１１０が形成されている。各端子用孔１１０は、ベース部材２０を上下方向に貫通する貫通孔２２と、接着部３０を上下方向に貫通する貫通孔３２と、板状部材１０の下面Ｓ２側に形成された凹部１３とが、互いに連通することにより構成された一体の孔である。

各端子用孔１１０には、導電性材料（例えば、タングステン、モリブデン、白金、ニッケルなど）により形成された略柱状の部材である給電端子７４が収容されている。また、各端子用孔１１０を構成する板状部材１０の凹部１３の底面には、導電性材料により形成された給電パッド７０が配置されている。給電端子７４と給電パッド７０とは、後述する第１のろう付け部７８および第２のろう付け部７８Ａにより接合されている。給電端子７４付近の詳細構成については、後述する。なお、給電パッド７０は、特許請求の範囲における第１の導電性部材に相当する。

また、図２および図４に示すように、各ドライバ電極対６００を構成する一対のドライバ電極６０の一方は、該ドライバ電極６０から板状部材１０の下面Ｓ２側に延びる給電側ビア７２を介して、１つの給電パッド７０に電気的に接続されており、該一対のドライバ電極６０の他方は、他の給電側ビア７２を介して、他の１つの給電パッド７０に電気的に接続されている。

各給電端子７４は、電源（図示せず）に接続されている。電源からの電圧は、給電端子７４、給電パッド７０、給電側ビア７２、ドライバ電極６０およびヒータ側ビア７１を介して、各ヒータ電極５０に印加される。各ヒータ電極５０に電圧が印加されると、各ヒータ電極５０が発熱して板状部材１０が加熱され、これにより、板状部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御（すなわち、吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷの温度分布の制御）が実現される。

なお、本明細書では説明を省略するが、静電チャック１００は、チャック電極４０への給電のために、上述したヒータ電極５０への給電のための給電端子、給電パッド、ビア等と同様の構成を備えている。

Ａ−３．給電端子７４付近の詳細構成：
図５は、静電チャック１００における給電端子７４付近の部分（図２のＸ１の部分）のＸＺ断面構成を拡大して示す説明図である。

図５に示すように、各給電端子７４は、基部７４Ａと、棒状部７４Ｂとを有している。

基部７４Ａは、上下方向に貫通する貫通孔７５が略中央に形成された略円筒状の部材である。本実施形態では、貫通孔７５は、Ｚ軸方向視で略円形である。すなわち、Ｚ軸方向に直交する断面において、貫通孔７５を取り囲む内表面ＳＡ（以下、単に「基部７４Ａの内表面ＳＡ」という。）の一部（後述する段差部Ｓｔの側面Ｓ１０を除く部分）は、円周状に形成されている。なお、貫通孔７５の内、基部７４Ａにおける上側に位置する部分（以下、「大径部」という。）７５Ａの直径は、大径部７５Ａにつながっており、径が大径部７５Ａの径よりも小さい部分（以下、「小径部」という。）７５Ｂとを備えている。基部７４Ａの上面Ｓ５は、給電パッド７０の下面Ｓ６に対向している。なお、給電端子７４の基部７４Ａは、特許請求の範囲における第２の導電性部材に相当する。給電パッド７０の下面Ｓ６は、特許請求の範囲における第１の表面に相当する。

基部７４Ａにおける貫通孔７５の大径部７５Ａを取り囲む内周面（貫通孔７５の延伸方向に平行な表面）Ｓ７（以下、単に「基部７４Ａの大径部７５Ａの内周面Ｓ７」という。）は、円周状に形成されている。基部７４Ａの大径部７５Ａの内周面Ｓ７（より厳密には、給電端子７４の基部７４Ａの内表面ＳＡの内、第１のねじＳｃ１が形成されていない部分）は、ろう材で形成されたろう付け部（以下、「第１のろう付け部」という。）７８により給電パッド７０の下面Ｓ６に接合されている。第１のろう付け部７８は、給電パッド７０の下面Ｓ６と給電端子７４の基部７４Ａの内表面ＳＡ（より厳密には、給電端子７４の基部７４Ａの内表面ＳＡの内、第１のねじＳｃ１が形成されていない部分）とに接するように配置されている。なお、第１のろう付け部７８の形成材料は、液相線温度が比較的高いＡｇろうなどの所謂、硬ろうに限られず、液相線温度が比較的低い所謂、軟ろう（はんだ）であってもよい（以下の「ろう付け部」においても同様）。なお、給電端子７４の基部７４Ａの内表面ＳＡは、特許請求の範囲における第２の表面に相当する。第１のろう付け部７８は、特許請求の範囲におけるろう付け部に相当する。

本実施形態では、基部７４Ａの外周面Ｓ９も、ろう材で形成されたろう付け部（以下、「第２のろう付け部」という。）７８Ａにより給電パッド７０の下面Ｓ６に接合されている。第２のろう付け部７８Ａは、給電パッド７０の下面Ｓ６と給電端子７４の基部７４Ａの外周面Ｓ９とに接するように配置されている。

また、基部７４Ａにおける貫通孔７５の小径部７５Ｂを取り囲む内周面（貫通孔７５の延伸方向に平行な表面）Ｓ８（以下、単に「基部７４Ａの小径部７５Ｂの内周面Ｓ８」という。）も、円周状に形成されている。基部７４Ａの小径部７５Ｂの内周面Ｓ８には、ねじ（以下、「第１のねじ」という。）Ｓｃ１が形成されている。

基部７４Ａの貫通孔７５が、大径部７５Ａと、大径部７５Ａにつながる小径部７５Ｂとを備えることにより、基部７４Ａには、貫通孔７５の大径部７５Ａと小径部７５Ｂとの境界部分において、段差を有する段差部Ｓｔが形成されている。段差部Ｓｔは、貫通孔７５の大径部７５Ａの内周面Ｓ７と小径部７５Ｂの内周面Ｓ８とをつなぐ表面（貫通孔７５の延伸方向に略直交する表面。以下、「段差部Ｓｔの側面」という。）Ｓ１０を備えている。

棒状部７４Ｂの略全体の径は、基部７４Ａと略同一である。棒状部７４Ｂの上端部は、基部７４Ａよりも径が小さくなっている。当該上端部の表面Ｓ１０には、ねじ（以下、「第２のねじ」という。）Ｓｃ２が形成されている。第２のねじＳｃ２は、第１のねじＳｃ１と螺合されている。これにより、棒状部７４Ｂは、基部７４Ａに接続されている。

Ａ−４．静電チャック１００の製造方法：
図６は、本実施形態における静電チャック１００の製造方法を示すフローチャートである。図７は、本実施形態における静電チャック１００の製造方法の概要を示す説明図である。なお、図７では、静電チャック１００を構成する部品である後述の複合体１５０は、完成品である静電チャック１００に対して上下方向（Ｚ軸方向）が逆向きとなるように配置されている。図７では、Ｚ１軸正方向が上方向を示し、Ｚ１軸負方向が下方向を示している。

本実施形態の静電チャック１００の製造方法は、例えば以下の通りである。まず、板状部材１０を準備する（Ｓ１１０、図７のＡ欄参照）。より詳細には、セラミックスグリーンシートを複数枚作製し、所定のセラミックスグリーンシートに所定の加工を行う。所定の加工としては、例えば、ヒータ電極５０やドライバ電極６０、チャック電極４０、給電パッド７０等の形成のためのメタライズペーストの印刷、各種ビア７１，７２の形成のための孔空けおよびメタライズペーストの充填等が挙げられる。これらのセラミックスグリーンシートを積層して熱圧着し、切断等の加工を行うことにより、セラミックスグリーンシートの積層体を作製する。作製されたセラミックスグリーンシートの積層体を焼成することにより、板状部材１０を作製する。

次に、板状部材１０に、各給電端子７４の基部７４Ａと、各第１の接合前ろう付け部７８１と、各第２の接合前ろう付け部７８１Ａとを配置する（Ｓ１２０、図７のＢ欄参照）。第１の接合前ろう付け部７８１は、給電パッド７０の下面Ｓ６（図７では上面）と給電端子７４の基部７４Ａの内表面ＳＡ（より厳密には、給電端子７４の基部７４Ａの内表面ＳＡの内、第１のねじＳｃ１が形成されていない部分）とに接するように配置される。第１の接合前ろう付け部７８１は、給電パッド７０の下面Ｓ６と給電端子７４の基部７４Ａの内表面ＳＡ（より厳密には、基部７４Ａの大径部７５Ａの内周面Ｓ７）とを接合する前の第１のろう付け部７８である。第２の接合前ろう付け部７８１Ａは、給電パッド７０の下面Ｓ６と給電端子７４の基部７４Ａの基部７４Ａの外周面Ｓ９とに接するように配置される。第２の接合前ろう付け部７８１Ａは、給電パッド７０の下面Ｓ６と給電端子７４の基部７４Ａの基部７４Ａの外周面Ｓ９とを接合する前の第２のろう付け部７８Ａである。

Ｓ１２０の工程では、さらに、各第１の接合前ろう付け部７８１に対応して配置された複数の第１のセラミック部材７７と、各第２の接合前ろう付け部７８１Ａに対応して配置された複数の第２のセラミック部材７７Ａとを配置する。第１のセラミック部材７７および第２のセラミック部材７７Ａは、ペースト状または半硬化状態のセラミック（例えば、アルミナ、窒化アルミニウム）を塗布することにより形成された部材である。第１のセラミック部材７７は、給電端子７４の基部７４Ａの内表面ＳＡの内、給電パッド７０の下面Ｓ６に直交する方向における第１の接合前ろう付け部７８１と第１のねじＳｃ１との間に配置される。本実施形態では、内表面ＳＡに段差部Ｓｔが形成された給電端子７４の基部７４Ａを用意し、第１のセラミック部材７７を、給電端子７４の基部７４Ａの段差部Ｓｔの側面Ｓ１０に略直交する方向から当該側面Ｓ１０に塗布する。段差部Ｓｔの側面Ｓ１０は、給電端子７４の基部７４Ａの内表面ＳＡの内、給電パッド７０の下面Ｓ６に直交する方向における第１の接合前ろう付け部７８１と第１のねじＳｃ１との間に位置している。そのため、本実施形態では、第１のセラミック部材７７は、段差部Ｓｔの側面Ｓ１０に配置されることにより、給電端子７４の基部７４Ａの内表面ＳＡの内、給電パッド７０の下面Ｓ６に直交する方向における第１の接合前ろう付け部７８１と第１のねじＳｃ１との間に配置される。また、第２のセラミック部材７７Ａを、給電端子７４の基部７４Ａの外周面Ｓ９における第２の接合前ろう付け部７８１Ａの上方（給電パッド７０の側とは反対側の方向）に配置する。以上のように各部材を配置することより、給電パッド７０と、給電端子７４の基部７４Ａと、第１の接合前ろう付け部７８１と、第２の接合前ろう付け部７８１Ａと、第１のセラミック部材７７とを備える複合体１５０が用意される。なお、第１のセラミック部材７７は、特許請求の範囲におけるセラミック部材に相当する。

次に、第１の接合前ろう付け部７８１および第２の接合前ろう付け部７８１Ａを加熱することにより第１の接合前ろう付け部７８１および第２の接合前ろう付け部７８１Ａを溶融させ、その後、加熱を止めることにより、第１の接合前ろう付け部７８１および第２の接合前ろう付け部７８１Ａを硬化させる（Ｓ１３０、図７のＢ欄参照）。これにより、第１のろう付け部７８および第２のろう付け部７８Ａが形成される。このとき、図７のＣ欄に示すように、溶融した第１の接合前ろう付け部７８１の一部が、基部７４Ａの内表面ＳＡ（より厳密には、基部７４Ａの大径部７５Ａの内周面Ｓ７）を伝って、給電パッド７０の下面Ｓ６に直交する方向（本実施形態では、上方）に移動することがある。この現象は、溶融した第１の接合前ろう付け部７８１の表面張力により生じるものであり、給電端子７４の基部７４Ａの内表面ＳＡに対する第１の接合前ろう付け部７８１の濡れ性（親和性）が高いほど生じやすい。本実施形態では、溶融した第１の接合前ろう付け部７８１の一部が給電端子７４の基部７４Ａの内表面ＳＡを伝って、給電パッド７０の下面Ｓ６に直交する方向に移動したときに、給電端子７４の基部７４Ａに比べて第１の接合前ろう付け部７８１の濡れ性が低い材料で形成された第１のセラミック部材７７の存在により、第１の接合前ろう付け部７８１の移動が抑制される。同様に、第２の接合前ろう付け部７８１Ａが給電端子７４の基部７４Ａの外周面Ｓ９を伝って給電パッド７０の下面Ｓ６に直交する方向（本実施形態では、上方）に移動することがあるが、第２のセラミック部材７７Ａの存在により、第２の接合前ろう付け部７８１Ａの移動は抑制される。

次に、例えば洗浄剤等を用いた洗浄作業を行うことにより、第１のセラミック部材７７および第２のセラミック部材７７Ａを除去する（Ｓ１４０）。次に、各給電端子７４の棒状部７４Ｂを基部７４Ａと螺合させるとともに、板状部材１０とベース部材２０との接着部３０による接合を行う（Ｓ１５０）。主として以上の工程により、本実施形態の静電チャック１００が製造される。

Ａ−５．本実施形態の効果：
以上説明したように、本実施形態の静電チャック１００は、下面Ｓ６を有する給電パッド７０と、一部が円周状である内表面ＳＡを有し、内表面ＳＡの一部に第１のねじＳｃ１が形成された給電端子７４の基部７４Ａと、ろう材で形成され、給電パッド７０の下面Ｓ６と給電端子７４の基部７４Ａの内表面ＳＡとを接合する第１のろう付け部７８とを備える。

本実施形態の静電チャック１００の製造方法は、給電パッド７０と、給電端子７４の基部７４Ａと、給電パッド７０の下面Ｓ６と給電端子７４の基部７４Ａの内表面ＳＡとを接合する前の第１のろう付け部７８である第１の接合前ろう付け部７８１と、給電端子７４の基部７４Ａの内表面ＳＡの内、給電パッド７０の下面Ｓ６に直交する方向における第１の接合前ろう付け部７８１と第１のねじＳｃ１との間に配置された第１のセラミック部材７７とを備える複合体１５０を用意する工程（Ｓ１１０，Ｓ１２０の一連の工程。以下、「第１工程」という。）と、第１の接合前ろう付け部７８１を加熱することにより第１の接合前ろう付け部７８１を溶融させ、第１の接合前ろう付け部７８１を硬化させることにより、給電パッド７０の下面Ｓ６と給電端子７４の基部７４Ａの内表面ＳＡとを接合する第１のろう付け部７８を形成する工程（Ｓ１３０の工程。以下、「第２工程」という。）とを備える。

第１のセラミック部材７７を用いない場合には、第２工程において、溶融した第１の接合前ろう付け部７８１が給電端子７４の基部７４Ａの内表面ＳＡを伝って、給電パッド７０の下面Ｓ６に直交する方向（本実施形態では、上方）に移動し、これにより給電端子７４の基部７４Ａの第１のねじＳｃ１が第１の接合前ろう付け部７８１により覆われることがある。そのため、この製造方法では、第１のねじＳｃ１と第２のねじＳｃ２（第１のねじＳｃ１と螺合されるねじ）とが螺合されない、螺合されにくい、あるいは、第１のねじＳｃ１と第２のねじＳｃ２とが互いに傾いた状態で螺合される等の不良（以下、単に「第１のねじＳｃ１と第２のねじＳｃ２との螺合不良」という。）が生じることがあり、その結果、給電パッド７０の下面Ｓ６と給電端子７４の基部７４Ａの内表面ＳＡとの電気的な接合の不良が生じることがある。

これに対し、本実施形態の静電チャック１００の製造方法では、上述の通り、第１工程において、給電端子７４の基部７４Ａの内表面ＳＡの内、給電パッド７０の下面Ｓ６に直交する方向における第１の接合前ろう付け部７８１と第１のねじＳｃ１との間に第１のセラミック部材７７が配置される。そのため、第２工程において、第１の接合前ろう付け部７８１を加熱することにより第１の接合前ろう付け部７８１を溶融させたときに、第１のセラミック部材７７の存在により、第１の接合前ろう付け部７８１の給電パッド７０の下面Ｓ６に直交する方向への移動が抑制される。そのため、本実施形態の静電チャック１００の製造方法によれば、第１のねじＳｃ１と第２のねじＳｃ２との螺合不良の発生が抑制され、ひいては給電パッド７０の下面Ｓ６と給電端子７４の基部７４Ａの内表面ＳＡとの電気的な接合の不良の発生が抑制される。

また、本実施形態の静電チャック１００の製造方法では、第１工程において、内表面ＳＡに段差を有する段差部Ｓｔが形成された給電端子７４の基部７４Ａを用意し、給電端子７４の基部７４Ａの段差部Ｓｔの側面Ｓ１０に第１のセラミック部材７７を配置することにより、給電パッド７０と給電端子７４の基部７４Ａと第１の接合前ろう付け部７８１と第１のセラミック部材７７とを備える複合体１５０を用意する。

本実施形態の静電チャック１００の製造方法によれば、第１工程において、第１のセラミック部材７７を給電端子７４の基部７４Ａの段差部Ｓｔの側面Ｓ１０に略直交する方向から当該側面Ｓ１０に塗布することにより、容易に所望の位置（段差部Ｓｔの側面Ｓ１０の位置。給電端子７４の基部７４Ａの内表面ＳＡの内、給電パッド７０の下面Ｓ６に直交する方向における第１の接合前ろう付け部７８１と第１のねじＳｃ１との間の位置）に第１のセラミック部材７７を配置することができる。

Ｂ．変形例：
本明細書で開示される技術は、上述の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態に変形することができ、例えば次のような変形も可能である。

上記実施形態における静電チャック１００の構成は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、給電パッド７０および給電端子７４の個数は、任意の数に設定可能である。また、ヒータ電極５０およびヒータ電極５０への給電のための構成は上述の構成に限られるものではない。

また、上記実施形態の静電チャック１００は、給電端子７４の基部７４Ａに貫通孔７５が形成され、当該貫通孔７５を取り囲む内表面ＳＡに第１のねじＳｃ１が形成され、給電端子７４の棒状部７４Ｂの表面Ｓ１０に、第１のねじＳｃ１に螺合される第２のねじＳｃ２が形成された構成である。言い換えれば、上記実施形態の静電チャック１００は、給電端子７４の基部７４Ａに雌ねじが形成され、棒状部７４Ｂに雄ねじが形成された構成である。このような構成に換えて、静電チャック１００は、給電端子７４の基部７４Ａに雄ねじが形成され、棒状部７４Ｂに雌ねじが形成された構成であってもよい。

また、上記実施形態では、静電チャック１００は、板状部材１０と、下面Ｓ６を有する給電パッド７０とを備え、給電パッド７０の下面Ｓ６に給電端子７４の基部７４Ａが接合された構成であるが、板状部材１０および給電パッド７０に換えて、板状の導電性部材（例えば、金属板）を備え、当該導電性部材に給電端子７４の基部７４Ａが接合された構成であってもよい。この構成においては、当該導電性部材が、特許請求の範囲における第１の導電性部材に相当する。

また、上記実施形態の静電チャック１００の各部材（板状部材１０、ベース部材２０、接着部３０、給電端子７４等）の形状は、あくまで一例であり、種々変更可能である。

また、上記実施形態において、給電端子７４の基部７４Ａは、段差部Ｓｔが形成されていない構成であってもよい。

また、上記実施形態では、給電端子７４の基部７４Ａの内表面ＳＡの一部のみが円周状であるが、給電端子７４の基部７４Ａの内表面ＳＡの全体が円周状であってもよい。

また、上記実施形態の静電チャック１００の各部材（板状部材１０、ベース部材２０、接着部３０等）の形成材料は、あくまで一例であり、種々変更可能である。

また、上記実施形態の静電チャック１００の製造方法では、複合体１５０の用意が完了した後に、第１の接合前ろう付け部７８１および第２の接合前ろう付け部７８１Ａを加熱することにより第１の接合前ろう付け部７８１および第２の接合前ろう付け部７８１Ａを溶融させているが、複合体１５０の用意が完了する前に、第１の接合前ろう付け部７８１および第２の接合前ろう付け部７８１Ａを加熱し、第１の接合前ろう付け部７８１および第２の接合前ろう付け部７８１Ａを溶融させてもよい。

また、本発明は、給電端子７４および給電パッド７０と電気的に接続されるヒータ電極５０を備える静電チャックに限らず、給電端子７４および給電パッド７０と電気的に接続される別の部材を備える静電チャックにも適用可能である。また、本発明は、静電引力を利用してウェハを保持する静電チャックに限らず、給電パッドまたは給電パッド以外の導電性部材（以下、給電パッドおよび給電パッド以外の導電性部材を総称して「第１の導電性部材」という。）と、第２の導電性部材と、第１の導電性部材と第２の導電性部材とを接合するろう付け部とを備え、対象物を保持する他の保持装置（例えば、ＣＶＤヒータ等のヒータ装置や真空チャック等）にも適用可能である。また、本発明は、第１の導電性部材と、第２の導電性部材と、第１の導電性部材と第２の導電性部材とを接合するろう付け部とを備える他の半導体製造装置または半導体製造装置用部品にも適用可能である。

１０：板状部材 ２０：ベース部材 ２１：冷媒流路 ３０：接着部 ４０：チャック電極 ５０：ヒータ電極 ５０Ａ：ヒータ電極 ５０Ｂ：ヒータ電極 ５０Ｃ：ヒータ電極 ５１：ヒータライン部 ５２：ヒータパッド部 ６０：ドライバ電極 ７０：給電パッド ７１：ヒータ側ビア ７２：給電側ビア ７４：給電端子 ７７：第１のセラミック部材 ７７Ａ：第２のセラミック部材 ７８：第１のろう付け部 ７８Ａ：第２のろう付け部 １００：静電チャック １１０：端子用孔 １５０：複合体 ６００：ドライバ電極対 ６００Ａ：ドライバ電極対 ７８１：第１の接合前ろう付け部 ７８１Ａ：第２の接合前ろう付け部 Ｓ１：吸着面 Ｓｃ１：第１のねじ Ｓｃ２：第２のねじ Ｓｔ：段差部 Ｗ：ウェハ Ｚａ：外周領域 Ｚｂ：中間領域 Ｚｃ：中心領域

Claims (2)

1. 第１の表面を有する第１の導電性部材と、
   少なくとも一部が円周状である第２の表面を有し、前記第２の表面の一部にねじが形成された第２の導電性部材と、
   ろう材で形成され、前記第１の導電性部材の前記第１の表面と前記第２の導電性部材の前記第２の表面とを接合するろう付け部と、を備える半導体製造装置用部品の製造方法であって、
   前記第１の導電性部材と、前記第２の導電性部材と、前記第１の導電性部材の前記第１の表面と前記第２の導電性部材の前記第２の表面とを接合する前の前記ろう付け部である接合前ろう付け部と、前記第２の導電性部材の前記第２の表面の内、前記第１の導電性部材の前記第１の表面に直交する方向における前記接合前ろう付け部と前記ねじとの間に配置されたセラミック部材と、を備える複合体を用意する、第１工程と、
   前記接合前ろう付け部を加熱することにより前記接合前ろう付け部を溶融させ、前記接合前ろう付け部を硬化させることにより、前記第１の導電性部材の前記第１の表面と前記第２の導電性部材の前記第２の表面とを接合する前記ろう付け部を形成する、第２工程と、を備える
   ことを特徴とする、半導体製造装置用部品の製造方法。
2. 請求項１に記載の半導体製造装置用部品の製造方法において、
   前記第１工程において、前記第２の表面に段差を有する段差部が形成された前記第２の導電性部材を用意し、前記第２の導電性部材の前記段差部の側面に前記セラミック部材を配置することにより、前記第１の導電性部材と前記第２の導電性部材と前記接合前ろう付け部と前記セラミック部材とを備える前記複合体を用意する、
   ことを特徴とする、半導体製造装置用部品の製造方法。

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