JP2021007073A - 電子ビーム照射装置 - Google Patents
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Abstract
Description
決定基準値=(M×D)/(N+1)
ここで、Mは、ヘルプ先カラムのターゲット照射エリアの面積であり、Dは、ヘルプ先カラムのターゲット照射エリアのドーズ量である。また、Nは、ヘルプ先カラムと平面視で上下左右に隣接するヘルプ可能カラムの数である。
2 カラム
3 電子ビーム発生装置
4 偏向器
5 ビームスキャナ
6 電極
7 偏向器電源
10 記憶部
11 ヘルプ可能カラム決定部
12 ヘルプ先カラム決定部
Claims (7)
- 複数のカラムが隣接して配置されるマルチカラム式の電子ビーム照射装置であって、
各カラムは、電子ビームを発生させる電子ビーム発生装置と、前記電子ビームを偏向させる偏向器と、前記偏向器を制御するビームスキャナとを、それぞれ備えており、
前記電子ビーム照射装置は、
各カラムについて、当該カラムが電子ビームを照射可能な照射エリアのうち、前記照射エリアの中央部に設定されるメイン照射エリアの情報と、前記照射エリアの周辺部に設定され当該カラムと隣接するカラムのメイン照射エリアと重複するサブ照射エリアの情報とを記憶する記憶部と、
電子ビームを照射すべきターゲット照射エリアの情報が入力されると、前記複数のカラムのうち前記メイン照射エリアが前記ターゲット照射エリアに含まれないカラムをヘルプ可能カラムとして決定するヘルプ可能カラム決定部と、
決定された前記ヘルプ可能カラムについて、前記複数のカラムのうち前記メイン照射エリアが前記ターゲット照射エリアに含まれるカラムであって、当該ヘルプ可能カラムと隣接するカラムをヘルプ先カラムとして決定するヘルプ先カラム決定部と、
を備え、
前記ヘルプ可能カラムのビームスキャナが、当該ヘルプ可能カラムのサブ照射エリアでの電子ビームの照射をするヘルプ照射制御を行うことによって、前記ヘルプ先カラムのターゲット照射エリアへの電子ビームの照射が行われる、電子ビーム照射装置。 - 前記ヘルプ先カラム決定部は、一のヘルプ可能カラムについて複数の前記ヘルプ先カラムが存在する場合には、前記ヘルプ先カラムのターゲット照射エリアの面積と、当該ヘルプ先カラムに隣接する前記ヘルプ可能カラムの数とに基づいて、前記複数のヘルプ先カラムの中から一のヘルプ先カラムを決定する、請求項1に記載の電子ビーム照射装置。
- 前記ヘルプ先カラム決定部は、一のヘルプ可能カラムについて複数の前記ヘルプ先カラムが存在する場合に、当該ヘルプ可能カラムと平面視で斜めに隣接するヘルプ先カラムより上下左右に隣接するヘルプ先カラムを優先して、前記ヘルプ先カラムを決定する、請求項2に記載の電子ビーム照射装置。
- 前記ヘルプ先カラム決定部は、一のヘルプ可能カラムについて複数の前記ヘルプ先カラムが存在する場合に、前記ヘルプ先カラムのターゲット照射エリアのドーズ量に基づいて、前記ヘルプ先カラムを決定する、請求項2または請求項3に記載の電子ビーム照射装置。
- 前記ヘルプ先カラム決定部は、前記複数のカラムの中に故障しているカラムが存在する場合には、当該故障しているカラムを前記ヘルプ先カラムとして決定する、請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の電子ビーム照射装置。
- 複数のカラムが隣接して配置されるマルチカラム式の電子ビーム照射装置の制御方法あって、
各カラムは、電子ビームを発生させる電子ビーム発生装置と、前記電子ビームを偏向させる偏向器と、前記偏向器を制御するビームスキャナとを、それぞれ備えており、
前記電子ビーム照射装置の記憶部には、
各カラムについて、当該カラムが電子ビームを照射可能な照射エリアのうち、前記照射エリアの中央部に設定されるメイン照射エリアの情報と、前記照射エリアの周辺部に設定され当該カラムと隣接するカラムのメイン照射エリアと重複するサブ照射エリアの情報とが記憶されており、
前記制御方法は、
電子ビームを照射すべきターゲット照射エリアの情報が入力されると、前記複数のカラムのうち前記メイン照射エリアが前記ターゲット照射エリアに含まれないカラムをヘルプ可能カラムとして決定するステップと、
決定された前記ヘルプ可能カラムについて、前記複数のカラムのうち前記メイン照射エリアが前記ターゲット照射エリアに含まれるカラムであって、当該ヘルプ可能カラムと隣接するカラムをヘルプ先カラムとして決定するステップと、
を含み、
前記ヘルプ可能カラムのビームスキャナが、当該ヘルプ可能カラムのサブ照射エリアでの電子ビームの照射をするヘルプ照射制御を行うことによって、前記ヘルプ先カラムのターゲット照射エリアへの電子ビームの照射が行われる、電子ビーム照射装置の制御方法。 - 複数のカラムが隣接して配置されるマルチカラム式の電子ビーム照射装置で実行される制御プログラムあって、
各カラムは、電子ビームを発生させる電子ビーム発生装置と、前記電子ビームを偏向させる偏向器と、前記偏向器を制御するビームスキャナとを、それぞれ備えており、
前記電子ビーム照射装置の記憶部には、
各カラムについて、当該カラムが電子ビームを照射可能な照射エリアのうち、前記照射エリアの中央部に設定されるメイン照射エリアの情報と、前記照射エリアの周辺部に設定され当該カラムと隣接するカラムのメイン照射エリアと重複するサブ照射エリアの情報とが記憶されており、
前記制御プログラムは、前記電子ビーム照射装置に、
電子ビームを照射すべきターゲット照射エリアの情報が入力されると、前記複数のカラムのうち前記メイン照射エリアが前記ターゲット照射エリアに含まれないカラムをヘルプ可能カラムとして決定する処理と、
決定された前記ヘルプ可能カラムについて、前記複数のカラムのうち前記メイン照射エリアが前記ターゲット照射エリアに含まれるカラムであって、当該ヘルプ可能カラムと隣接するカラムをヘルプ先カラムとして決定する処理と、
を実行させるものであり、
前記ヘルプ可能カラムのビームスキャナが、当該ヘルプ可能カラムのサブ照射エリアでの電子ビームの照射をするヘルプ照射制御を行うことによって、前記ヘルプ先カラムのターゲット照射エリアへの電子ビームの照射が行われる、電子ビーム照射装置の制御プログラム。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019120613A JP7137533B2 (ja) | 2019-06-28 | 2019-06-28 | 電子ビーム照射装置 |
US16/909,104 US20200411275A1 (en) | 2019-06-28 | 2020-06-23 | Electron beam irradiation apparatus |
TW109121346A TWI825326B (zh) | 2019-06-28 | 2020-06-23 | 電子束照射裝置、電子束照射裝置的控制方法及控制程式 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019120613A JP7137533B2 (ja) | 2019-06-28 | 2019-06-28 | 電子ビーム照射装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021007073A true JP2021007073A (ja) | 2021-01-21 |
JP7137533B2 JP7137533B2 (ja) | 2022-09-14 |
Family
ID=74043836
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019120613A Active JP7137533B2 (ja) | 2019-06-28 | 2019-06-28 | 電子ビーム照射装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200411275A1 (ja) |
JP (1) | JP7137533B2 (ja) |
TW (1) | TWI825326B (ja) |
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2019
- 2019-06-28 JP JP2019120613A patent/JP7137533B2/ja active Active
-
2020
- 2020-06-23 US US16/909,104 patent/US20200411275A1/en active Pending
- 2020-06-23 TW TW109121346A patent/TWI825326B/zh active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200411275A1 (en) | 2020-12-31 |
JP7137533B2 (ja) | 2022-09-14 |
TW202109599A (zh) | 2021-03-01 |
TWI825326B (zh) | 2023-12-11 |
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