JP2020535429A - 非接触動作式の変位センサ - Google Patents
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Abstract
Description
電子機器は通常、高温では、センサ素子から離れて配置されているか、又は、個別に配置されているため、高温の領域に配置されない。
125℃までの範囲では、標準設計の従来のCMOS機器を使用可能である。
変位センサという用語には、変位測定、位置測定、距離測定、厚さ測定などに適しているセンサが含まれる。
特許文献1に記載の変位センサでは、高温に適しているセンサ素子が、特別な補償素子とハウジングで囲われている。
電子機器は、センサ素子から離され、鉱物絶縁されている耐熱鋼被覆ケーブルを介して、センサ素子に電気的に接続されている。
これらの欠点について、以下で説明する。
したがって、変位センサの動作中に発生する小さな高周波信号は、ケーブルと接点を介して送信される。
センサ素子側のケーブルも、必然的に高温域にあるため、特別なケーブル等が必要となる。
例えば、銅又は鋼より線のテフロン(登録商標)ケーブル、ガラス布被覆ケーブル、又は、鉱物絶縁の鋼被覆ケーブルである。
ステンレス鋼製のより線又は被覆を、変位センサのハウジング又はセンサ素子に確実に接続するには、複雑な溶接が必要であるため、これらのタイプのケーブルは、取り扱いが非常に困難である。
封止剤又は接着剤が、テフロン(登録商標)に付着しないか、又は、付着しにくいため、テフロン(登録商標)ケーブルの密閉は、さらに困難である。
多くの場合、高温に適しているケーブルは、絶縁抵抗が低いか、又は、高いキャリア周波数が使用できないため、周波数範囲が制限される。
センサ素子は、高温領域にあるが、電子機器は、常温領域にあるため、ケーブルに沿った温度勾配が存在し、これを補正することは、困難である。
さらに、複雑なケーブル接触が必要なため、設置スペースが非常に大きくなる。
また、ケーブル又はコネクタ上の接点の密閉が困難であるため、又は、信号線の干渉のため、誤差が生じやすくなる。
例えば、振動、高圧、高温が発生する可能性のある石油及びガスの生産、パワーユニット、スーパーチャージャー、蒸気タービン又はガスタービン等のタービンの監視、熱機関又はCVDシステムなどの処理システム、放射線の周辺での使用、及び、宇宙航空術である。
したがって、本発明の変位センサは、前記電子機器が、125℃を超える温度範囲用に設計され、かつ、前記センサ素子に直接接続されているか、又は、前記センサ素子に組み込まれているように構成される。
具体的には、この高温範囲用に設計された電子機器が、センサ素子に直接接続されているか、センサ素子に組み込まれている。
高温に適している電子機器が、センサ素子と電子機器との間の電気的結合にいかなる種類のケーブル接続を使用する必要なく、センサ素子に直接取り付けられている。
これにより、非常に小さい及び/又は高周波の測定信号の送信中に、ケーブルから受ける干渉を回避できるため、測定の信頼性が高くなる。
また、取り扱いが難しいケーブルを使用する必要がなく、複雑なケーブル接触のための大きな設置スペースを設ける必要もないため、製造もさらに大幅に簡略化される。
SoI技術は、約300℃までの動作温度に適している。
また、半導体材料としてのGaAs、SiC又はダイヤモンドも、300℃を超える動作温度に適している。
これらの高温のセンサ素子は、電磁測定の原理、すなわち、誘導式、容量式、又は渦電流に基づく動作モードに基づいている。
これらの測定原理により、これらのセンサ素子は、高温用途に特に適している。
電子機器との接触に使用可能な少なくとも1つのストリップ導体が、前記基板上に配置されている。
又は、前記基板は、セラミックを含んでもよく、好ましくは、Al2O3製、LTCC(低温同時焼成セラミック)製又はHTCC(高温同時焼成セラミック)製である。
このような高温回路基板は、約300℃までの温度での使用に適している。
それより、高い温度では、セラミック製の基板が有利である。
高周波領域には、セラミック製のセンサ素子を用いることができる。
必要な組み立て及び接続技術には、高温に適している方法を使用してもよい。
前記電子機器は、例えば、セラミックハウジング内に配置されていてもよく、又は、セラミックハウジング内に配置されている少なくとも1つの構成部品を含んでもよい。
電子機器又は電子モジュールの構成部品は、セラミックハウジング内に配置されていてもよい。
あるいは、電子機器は、センサ素子に、チップオンボード又はチップオンセラミックとして、又は、シリコンキャリア上にフリップチップとして、接続されていてもよい。
半導体部品(ダイ)は、アルミニウム又は金のワイヤボンドによって、基板上のボンドパッドを用いてセンサ素子に直接接続されていてもよい。
基板上に直接配置可能な上述のストリップ導体を、この目的で使用してもよい。
基板として回路基板を用いる場合、銅ストリップ導体を使用してもよい。
LTCC又はHTCC技術では、プリント回路又はストリップ導体を使用してもよい。
このような発振器を使用することで、変位センサの動作に必要な周波数を、センサ素子の場所で生成可能である。
したがって、高周波制御信号を離れた場所からラインを介して電子機器に送信する必要がなくなる。
発振器は、例えば、正弦波発振器、又は、矩形波発振器であってもよい。
このような矩形波発振器は、容易に実現できる。
前記評価電子機器が、整流電圧信号又は整流電流信号を生成する復調器のみを機能アセンブリとして含んでもよい。
これは、評価電子機器の非常に単純な設計を表している。
このように構成することで、様々な干渉要因から影響を受けやすい接続ラインを介して高周波信号を送信する必要がなくなる。
前記評価電子機器は、前置増幅器を追加で含んでもよく、この場合、外部干渉の影響を受けにくい前置増幅された信号を、より高いレベルで送信可能である。
そのような前置増幅器の代わりに、又は、それに加えて、前記評価電子機器は、測定された信号をデジタル化可能なアナログデジタル変換器を含んでもよい。
それにより、信号送信が、干渉の影響を受けないようになる。
前置増幅器及び/又はアナログデジタル変換器へのさらなる代替又は追加として、前記評価電子機器は、信号処理、例えば、線形化やフィルタリングなどを実行する、マイクロコントローラも含んでもよい。
現在、最大200℃の温度範囲用のマイクロコントローラも存在し、評価電子機器の構成に用いると、有利である。
なぜならば、ロジック部品は、高温環境でも非常に安価に利用できるためである。
このようにすると、非常に単純な発振器と復調回路を実現可能である。
これは、高周波信号や低レベル信号を送信する必要がないためである。
電圧供給によって、制御は、充分に可能である。
センサ素子上又はセンサ素子内の電子機器は、復調済みの信号を提供可能であるため、ラインに対して特別な要求は課されない。
したがって、標準的な高温ライン又は鋼被覆ケーブルを、例えば、ねじれラインで、出力及び/又は供給に使用可能である。
最も単純なケースである、信号が供給ライン上でデジタル形式に変調される場合か、信号が電流インターフェースを介してアナログ形式で提供される場合は、1対のワイヤ(たとえば、ねじれ対)で充分である。
供給ラインと信号ラインが別々に実装されている場合、2対のワイヤ(例えば:2x2のねじれ対)で充分である。
これらは、同軸又は3軸ラインよりも安価で扱いやすい。
接続ラインは、ハウジングを通過して案内され、既知の方法で電子機器に接続されてもよい。
この目的のため、前記電子機器は、適切なケーブル接続を含んでもよい。
具体的には、前記変位センサ若しくは前記センサ素子及び/又は前記電子機器は、密封されていてもよい。
密封には、2つの側面がある。
1つは、変位センサ若しくはセンサ素子及び/又は電子機器内に有害物質が侵入して、電子機器部品や供給ラインや接点に危害が加わることを防ぐことである。
もう1つは、密封により、汚染や破損の原因となる物質や気体の漏れが、変位センサの設置場所から生じることを防止することである。
このような密封が、処理システムや宇宙航空などの特定の用途に必要である。
ハウジング、好ましくは、基板に(特に全周を)はんだ付けされ、基板に対して密封しているハウジングを用いると、密封は、簡単に実現可能である。
金属製のハウジングは、例えば、アクティブはんだ付けや、真空はんだ付けによってはんだ付けされた金属リングを使用したレーザー溶接によって、セラミック製の基板へ密封はんだ付けを施すことが可能である。
このような金属製のハウジングを用いると、干渉信号が放出されたり照射されたりしても、それらを遮蔽する。
電子機器又は電子機器の構成部品は、基板の層内又は層上に配置されていてもよい。
さらに、基板の少なくとも1つの層を、電子機器又は電子機器の構成部品を封入するために、その上に配置してもよい。
言い換えれば、電子機器は、それらの上に配置されたさらなる層によって、ある層への「埋め込み」がなされてもよい。
これにより、電子機器又は電子機器の構成部品を確実に密封可能になる。
変位センサの電子機器によって処理及び増幅された信号を用いることで、高い信号品質を提供可能である。
本発明の変位センサを適用可能な用途は、誘導式、容量式又は渦電流の測定原理による、距離、位置、変位及び振動の測定である。
この目的のために、従属請求項を参照し、図面に基づいて以下の説明を参照されたい。
図面に基づく本発明の設計例の議論に関連して、さらなる発展も同様に議論される。
ここで、変位センサは、誘導式又は渦電流式の変位センサである。
センサ素子1のコイルの多層巻線3は、基板2に埋め込まれている。
電子機器部品4を有する電子機器は、基板2の裏側に配置され、各電子機器部品4には、基板2にはんだ付けされているセラミックハウジングが含まれる。
変位センサは、測定対象物6までの距離5を測定する。
この設計例は、図1による第1設計例と本質的に同じ構成である。
しかし、電子機器部品4は、セラミック製のハウジングを有しておらず、金製ワイヤボンド8によって基板2のボンドパッドに接着されている、いわゆる、電子チップ(ダイ)7と呼ばれる半導体部品によって形成されている。
変位センサは、アクティブはんだ付けによってセラミック製の基板2に接続されている金属製のハウジング9を有する、距離測定用の容量式の変位センサである。
アクティブはんだ付けにより、密封されたはんだ接続10が形成されている。
容量式の変位センサは、測定電極11と同心のシールド電極12とを含み、これらは、基板2に、したがって、センサ素子1に組み込まれている。
この渦電流式の変位センサの設計例では、異なるタイプの密封が示されている。
電子機器部品4は、多層の基板2の層内に「埋め込み」がなされている。
電子機器部品4は、ある層の上に配置されている。
これは、多層基板2に1つ又は複数の中空スペース13を作成することで実現される。
最初に、1つの層に電子機器部品4が配置され、これに空のスペースが打ち抜かれている追加層14が重ねられ、最終的に、1つ又は複数の層15によって完全に閉じられる。
これを焼結すると、コイル3と電子機器部品4からなる電子機器との形態の焼結された測定素子を有する、全層密封パッケージが生成される。
ここで、変位センサは、渦電流式の変位センサである。
センサ素子1は、インダクタンスL及び抵抗Rを有するコイル24を測定素子として含む。
コイル24は、コンデンサC16と用いられることで、共振回路を形成している。
コイル24は、基板2内に焼結されている。
発振器17を有する制御電子機器と、復調器18、前置増幅器19及びアナログデジタル変換器20の機能アセンブリからなる評価電子機器とが、基板2の裏側に配置されている。
電子機器に接続されているケーブル21は、ねじれ対状に配置されている2x2ワイヤからなり、1対のワイヤ22が、供給ラインとして供給電圧を提供し、もう1対のワイヤ23が、デジタル信号を送信する。
2 ・・・多層の基板
3 ・・・コイル、コイルの巻き線
4 ・・・電子機器部品
5 ・・・センサ素子と測定対象物との距離
6 ・・・測定対象物
7 ・・・電子チップ(ダイ)
8 ・・・金製ワイヤボンド
9 ・・・金属製のハウジング
10 ・・・はんだ接続、継ぎ目溶接アクティブはんだ
11 ・・・測定電極
12 ・・・シールド電極
13 ・・・中空空間
14 ・・・空のスペースが打ち抜かれている層
15 ・・・最終層
16 ・・・コンデンサ
17 ・・・発振器
18 ・・・復調器
19 ・・・前置増幅器
20 ・・・AD変換機
21 ・・・ケーブル
22 ・・・ワイヤ対
23 ・・・ワイヤ対
24 ・・・コイル
Claims (15)
- 高温に適しているセンサ素子(1)と、前記センサ素子(1)に電気的に接続されて制御電子機器及び/又は評価電子機器を含む電子機器と、を有する非接触動作式の変位センサであって、
前記電子機器が、125℃を超える温度範囲用に設計され、かつ、前記センサ素子(1)に直接接続されているか、又は、前記センサ素子(1)に組み込まれていることを特徴とする、非接触動作式の変位センサ。 - 前記電子機器又は前記電子機器の少なくとも1つの構成部品(4)が、SoI(シリコンオンインシュレータ)技術に基づいて製造されているか、又は、半導体材料としてGaAs、SiC又はダイヤモンドに基づいて製造されていることを特徴とする、請求項1に記載の変位センサ。
- 前記センサ素子(1)が、少なくとも1つのセンサ構成部品が埋め込まれている基板(2)を含み、
少なくとも1つのストリップ導体が、前記基板(2)上に配置されている、請求項1又は請求項2に記載の変位センサ。 - 前記基板(2)が、回路基板を含み、
前記回路基板が、ポリイミド製、PTFE製又はLCP製である、請求項3に記載の変位センサ。 - 前記基板(2)が、セラミックを含み、
前記セラミックが、Al2O3製、LTCC製又はHTCC製である、請求項3に記載の変位センサ。 - 前記電子機器が、セラミックハウジング内に配置されているか、又は、セラミックハウジング内に配置されている少なくとも1つの構成部品(4)を含むことを特徴とする、請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の変位センサ。
- 前記電子機器が、チップオンセラミックとしてのチップオンボードを介して前記センサ素子(1)に接続されていることを特徴とする、請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の変位センサ。
- 前記制御電子機器が、正弦波発振器又は矩形波発振器からなる発振器(17)を含むことを特徴とする、請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の変位センサ。
- 前記評価電子機器が、整流電圧信号又は整流電流信号を生成する復調器(18)のみを機能アセンブリとして含み、
前記評価電子機器が、前置増幅器(19)及び/又はアナログデジタル変換器(20)及び/又はマイクロコントローラも機能アセンブリとして含む、請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の変位センサ。 - 前記電子機器が、ロジック部品からなるか、又は、ロジック部品を含むことを特徴とする、請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載の変位センサ。
- 出力及び/又は供給を行う前記電子機器の前記接続が、1対のワイヤ又は2対のワイヤを介してなされていることを特徴とする、請求項1乃至請求項10のいずれか一項に記載の変位センサ。
- 前記電子機器が、ケーブル接続を含むことを特徴とする、請求項1乃至請求項11のいずれか一項に記載の変位センサ。
- 前記センサ若しくは前記センサ素子(1)及び/又は前記電子機器が、密封されていることを特徴とする、請求項1乃至請求項12のいずれか一項に記載の変位センサ。
- 前記密封が、前記基板(2)にはんだ付けされているハウジングによってなされているか、又は、前記電子機器若しくは前記電子機器の構成部品(4)が前記基板(2)内に封入されていることによって、前記基板(2)の層内若しくは層上に前記電子機器若しくは前記電子機器の構成部品(4)を配置し、その上に前記基板(2)の少なくとも1つの層(15)を更に配置することによって、前記密封がなされていることを特徴とする、請求項13に記載の変位センサ。
- 前記変位センサが、誘導式に動作するか、渦電流を介して動作するか、又は、容量式に動作することを特徴とする、請求項1乃至請求項14のいずれか一項に記載の変位センサ。
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