JP2020532859A - 小さい角発散でピークイオンエネルギ増強を達成するためのシステムおよび方法 - Google Patents
小さい角発散でピークイオンエネルギ増強を達成するためのシステムおよび方法 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (39)
- エッチング動作中に、イオンエネルギを増大させ、基板の表面に向けられるイオンの角発散を減少させるように、プラズマチャンバを動作させるための方法であって、
前記プラズマチャンバの動作を駆動するためのパルス信号を受信し、前記パルス信号は第1状態および第2状態を含む2つの状態を有し、
前記第1状態中に一次周波数レベルで一次高周波(RF)発生器を動作させ、前記第2状態中に前記一次RF発生器をオフ状態に維持し、前記第1状態中に前記一次RF発生器を動作させることは、前記基板の上に形成されるプラズマシースの増大した電荷を生み出し、前記増大した電荷は前記プラズマシースの厚さを増大させ、
前記第2状態中に二次周波数レベルで二次RF発生器を動作させ、前記第1状態中に前記二次RF発生器を前記オフ状態に維持し、前記第2状態中に前記二次RF発生器を動作させることは、前記第1状態中に生み出された前記プラズマシースの前記増大した電荷の少なくとも一部を、前記第2状態中に生成される前記イオンエネルギを増強するための追加電力として利用し、前記追加電力は前記基板の前記表面に向けられた時に前記イオンの前記角発散を減少させ、前記一次および二次RF発生器はインピーダンス整合回路を介して、前記プラズマチャンバに関連する上部電極に接続され、
前記第1および第2状態の複数サイクルにわたって前記エッチング動作を強化するために、前記パルス信号に従って、前記第1および第2状態で前記一次および二次RF発生器を動作させ続けること、
を備える、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、前記一次RF発生器は、少なくとも、前記プラズマシースの増大のための閾値量の電荷を生み出すために適格な所定の期間にわたって前記第1状態中にオンになるように動作する、方法。
- 請求項2に記載の方法であって、前記所定の期間は、前記基板の前記表面の或るタイプの材料をエッチングするためのレシピ較正ルーチンの間に決定される、方法。
- 請求項2に記載の方法であって、前記所定の期間は、前記パルス信号のデューティサイクルの10%〜50%の間の範囲である、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記一次RF発生器は低周波RF発生器であり、前記二次RF発生器は高周波RF発生器であり、前記高周波RF発生器は前記低周波RF発生器と比べて高い動作周波数を有する、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記第1状態中、前記プラズマシースに関連する時定数は増大し、前記第1状態中に前記一次RF発生器によって生成されるRF信号の一次電力レベルの少なくとも一部は、前記第2状態中に前記エッチング動作を強化するために、前記第2状態中に前記二次RF発生器によって生成されるRF信号の二次電力レベルに追加される、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、さらに、前記第1状態中に第1バイアス電力パラメータレベルを有し、前記第2状態中に第2バイアス電力パラメータレベルを有するように、バイアスRF発生器を動作させることを備え、
前記第1バイアス電力パラメータレベルは前記第2バイアス電力パラメータレベルよりも低く、前記バイアスRF発生器は別のインピーダンス整合回路を介して前記プラズマチャンバのチャックに接続され、前記バイアスRF発生器の前記第1バイアス電力パラメータレベルは前記第1状態中に形成されたイオンエネルギの前記第2状態への遷移を助ける、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、前記第1状態中に前記一次RF発生器を前記一次周波数レベルで動作させることは、前記プラズマシースのリアクタンスを増大させ、前記プラズマシースの前記リアクタンスの前記増大は、それに応じて、前記プラズマシースを通る電流を減少させ、前記電流の前記減少は前記プラズマシースに関連する平均抵抗量を増大させ、前記平均抵抗量の前記増大は前記プラズマシースならびに前記第1および第2状態に関連する平均時定数を増大させて、前記第1および第2状態中の前記プラズマシースの放電時間を延長し、前記放電時間の前記延長は前記イオンのピークイオンエネルギを増大させると共に前記イオンの前記角発散を減少させる、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、さらに、
前記一次RF発生器が前記第1状態中に一次電力パラメータレベルで動作することを決定し、
前記第1状態中に前記一次電力パラメータレベルで動作するように前記一次RF発生器を制御し、
前記二次RF発生器が前記第2状態中に二次電力パラメータレベルで動作することを決定し、
前記第2状態中に前記二次電力パラメータレベルで動作するように前記二次RF発生器を制御すること、
を備える、方法。 - 請求項9に記載の方法であって、前記一次電力パラメータレベルは、前記二次電力パラメータレベルと同じである、方法。
- 請求項9に記載の方法であって、前記一次電力パラメータレベルは、前記二次電力パラメータレベルと異なる、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記上部電極は前記プラズマチャンバのチャックと向かい合っており、前記上部電極はトランス結合プラズマコイルであり、前記チャックは別のインピーダンス整合回路を介してバイアスRF発生器に接続されている、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記上部電極は前記プラズマチャンバのチャックと向かい合っており、前記上部電極はトランス結合プラズマコイルであり、前記チャックは接地電位に接続されている、方法。
- エッチング動作中に、イオンエネルギを増大させ、基板の表面に向けられるイオンの角発散を減少させるように、プラズマチャンバを動作させるための方法であって、
前記プラズマチャンバの動作を駆動するためのパルス信号を受信し、前記パルス信号は第1状態および第2状態を含む2つの状態を有し、
前記第1状態中に第1一次周波数レベルおよび前記第2状態中に第2一次周波数レベルで、一次高周波(RF)発生器を動作させ、前記第1状態中に前記一次RF発生器を動作させることは、前記基板の上に形成されるプラズマシースの増大した電荷を生み出し、前記増大した電荷は前記プラズマシースの厚さを増大させ、
前記第1状態中に第1二次周波数レベルおよび前記第2状態中に第2二次周波数レベルで、二次RF発生器を動作させ、前記第2状態中に前記二次RF発生器を動作させることは、前記第1状態中に生み出された前記プラズマシースの前記増大した電荷の少なくとも一部を、前記第2状態中に生成される前記イオンエネルギを増強するための追加電力として利用し、前記追加電力は前記基板の前記表面に向けられた時に前記イオンの前記角発散を減少させ、前記一次および二次RF発生器はインピーダンス整合回路を介して、前記プラズマチャンバに関連する上部電極に接続されており、前記第1一次周波数レベル、前記第2一次周波数レベル、前記第1二次周波数レベル、前記第2二次周波数レベルの各々は、0ではなく、
前記第1および第2状態の複数サイクルにわたって前記エッチング動作を強化するために、前記パルス信号に従って、前記第1および第2状態で前記一次および二次RF発生器を動作させ続けること、
を備える、方法。 - 請求項14に記載の方法であって、前記一次RF発生器は、少なくとも、前記プラズマシースの増大のための閾値量の電荷を生み出すのための適格な所定の期間にわたって前記第1状態中にオンになるように動作する、方法。
- 請求項15に記載の方法であって、前記所定の期間は、前記基板の前記表面の或るタイプの材料をエッチングするためのレシピ較正ルーチンの間に決定される、方法。
- 請求項15に記載の方法であって、前記所定の期間は、前記パルス信号のデューティサイクルの10%〜50%の間の範囲である、方法。
- 請求項14に記載の方法であって、前記一次RF発生器は低周波RF発生器であり、前記二次RF発生器は高周波RF発生器であり、前記高周波RF発生器は前記低周波RF発生器と比べて高い動作周波数を有する、方法。
- 請求項14に記載の方法であって、前記第1状態中、前記プラズマシースに関連する時定数は増大し、前記第1状態中に前記一次RF発生器によって生成されるRF信号の一次電力レベルの少なくとも一部は、前記第2状態中に前記エッチング動作を強化するために、前記第2状態中に前記二次RF発生器によって生成されるRF信号の二次電力レベルに追加される、方法。
- 請求項14に記載の方法であって、さらに、前記第1状態中に第1バイアス電力パラメータレベルを有し、前記第2状態中に第2バイアス電力パラメータレベルを有するように、バイアスRF発生器を動作させることを備え、
前記第1バイアス電力パラメータレベルは、前記第2バイアス電力パラメータレベルよりも低く、前記バイアスRF発生器は、別のインピーダンス整合回路を介して前記プラズマチャンバのチャックに接続され、前記バイアスRF発生器の前記第1バイアス電力パラメータレベルは、前記第1状態中に形成されたイオンエネルギの前記第2状態への遷移を助ける、方法。 - 請求項14に記載の方法であって、前記第1状態中に前記一次RF発生器を前記第1一次周波数レベルで動作させることは、前記プラズマシースのリアクタンスを増大させ、前記プラズマシースの前記リアクタンスの前記増大は、それに応じて、前記プラズマシースを通る電流を減少させ、前記電流の前記減少は前記プラズマシースに関連する平均抵抗量を増大させ、前記平均抵抗量の前記増大は前記プラズマシースならびに前記第1および第2状態に関連する平均時定数を増大させて、前記第1および第2状態中の前記プラズマシースの放電時間を延長し、前記放電時間の前記延長は前記イオンのピークイオンエネルギを増大させると共に前記イオンの前記角発散を減少させる、方法。
- 請求項14に記載の方法であって、さらに、
前記一次RF発生器が、前記第1状態中に第1一次電力パラメータレベルおよび前記第2状態中に第2一次電力パラメータレベルで動作することを決定し、
前記第1状態中に前記第1一次電力パラメータレベルおよび前記第2状態中に前記第2一次電力パラメータレベルで動作するように、前記一次RF発生器を制御し、
前記二次RF発生器が、前記第1状態中に第1二次電力パラメータレベルおよび前記第2状態中に第2二次電力パラメータレベルで動作することを決定し、
前記第1状態中に前記第1二次電力パラメータレベルおよび前記第2状態中に前記第2二次電力パラメータレベルで動作するように、前記二次RF発生器を制御すること、
を備える、方法。 - 請求項22に記載の方法であって、前記第1一次電力パラメータレベル、前記第2一次電力レベル、前記第1二次電力パラメータレベル、および、前記第2二次電力レベルは、同じである、方法。
- 請求項22に記載の方法であって、前記第1一次電力パラメータレベルおよび前記第2一次電力レベルは、前記第1二次電力パラメータレベルおよび前記第2二次電力レベルと異なる、方法。
- 請求項14に記載の方法であって、前記上部電極は前記プラズマチャンバのチャックと向かい合っており、前記上部電極はトランス結合プラズマコイルであり、前記チャックは別のインピーダンス整合回路を介してバイアスRF発生器に接続されている、方法。
- 請求項14に記載の方法であって、前記上部電極は前記プラズマチャンバのチャックと向かい合っており、前記上部電極はトランス結合プラズマコイルであり、前記チャックは接地電位に接続されている、方法。
- エッチング動作中に、イオンエネルギを増大させ、基板の表面に向けられるイオンの角発散を減少させるように、プラズマチャンバを動作させるためのシステムであって、
一次RF信号を生成するよう構成されている一次電源を有する一次高周波(RF)発生器と、
二次RF信号を生成するよう構成されている二次電源を有する二次RF発生器と、
前記一次電源および前記二次電源に接続されているインピーダンス整合回路網であって、前記一次RF信号および前記二次RF信号を受信して、変調されたRF信号を生成するよう構成されているインピーダンス整合回路網と、
前記インピーダンス整合回路網に接続されている上部電極を有するプラズマチャンバであって、前記変調されたRF信号を受信するよう構成されているプラズマチャンバと、
を備え、
前記一次RF発生器は、
前記プラズマチャンバの動作を駆動するためのパルス信号を受信し、前記パルス信号は第1状態および第2状態を含む2つの状態を有し、
前記第1状態中に前記一次RF発生器を一次周波数レベルで動作させ、前記第2状態中に前記一次RF発生器をオフ状態に維持し、前記第1状態中の前記一次RF発生器の前記動作は前記基板の上に形成されるプラズマシースの増大した電荷を生み出し、前記増大した電荷は前記プラズマシースの厚さを増大させる、ように構成されている、1または複数のプロセッサを備え、
前記二次RF発生器は、
前記パルスを受信し、
前記第2状態中に前記二次RF発生器を二次周波数レベルで動作させ、前記第1状態中に前記二次RF発生器を前記オフ状態に維持し、前記第2状態中の前記二次RF発生器の前記動作は、前記第1状態中に生み出された前記プラズマシースの前記増大した電荷の少なくとも一部を、前記第2状態中に生成される前記イオンエネルギを増強するための追加電力として利用し、前記追加電力は前記基板の前記表面に向けられた時に前記イオンの前記角発散を減少させる、ように構成されている、1または複数のプロセッサを備え、
前記一次および二次RF発生器は、前記第1および第2状態の複数サイクルにわたって前記エッチング動作を強化するために、前記パルス信号に従って、前記第1および第2状態での動作を続けるよう構成されている、システム。 - 請求項27に記載のシステムであって、前記一次RF発生器は、少なくとも、前記プラズマシースの増大のための閾値量の電荷を生み出すためのに適格な所定の期間にわたって前記第1状態中にオンになるよう構成されている、システム。
- 請求項28に記載のシステムであって、前記所定の期間は前記基板の前記表面の或るタイプの材料をエッチングするためのレシピ較正ルーチンの間に決定される、システム。
- 請求項28に記載のシステムであって、前記所定の期間は前記パルス信号のデューティサイクルの10%〜50%の間の範囲である、システム。
- 請求項27に記載のシステムであって、前記一次RF発生器は低周波RF発生器であり、前記二次RF発生器は高周波RF発生器であり、前記高周波RF発生器は前記低周波RF発生器と比べて高い動作周波数を有する、システム。
- 請求項27に記載のシステムであって、前記第1状態中、前記プラズマシースに関連する時定数は増大し、前記一次RF信号は前記第1状態中に一次電力レベルを有し、前記一次電力レベルの少なくとも一部は、前記第2状態中に前記エッチング動作を強化するために、前記二次RF信号の前記第2状態中の二次電力レベルに追加される、システム。
- 請求項27に記載のシステムであって、前記プラズマチャンバはチャックを備え、前記システムは、さらに、
前記第1状態中に第1バイアス電力パラメータレベルを有し、前記第2状態中に第2バイアス電力パラメータレベルを有するよう構成されているバイアスRF発生器と、前記第1バイアス電力パラメータレベルは前記第2バイアス電力パラメータレベルよりも低く、
前記バイアスRF発生器と前記プラズマチャンバの前記チャックとに接続されているインピーダンス整合回路とを備え、前記バイアスRF発生器の前記第1バイアス電力パラメータレベルは、前記第1状態中に形成されたイオンエネルギの前記第2状態への遷移を助ける、システム。 - 請求項27に記載のシステムであって、前記一次RF発生器は、前記第1状態中に前記一次周波数レベルで動作して、前記プラズマシースのリアクタンスを増大させるよう構成されており、前記プラズマシースの前記リアクタンスの前記増大は、それに応じて、前記プラズマシースを通る電流を減少させ、前記電流の前記減少は前記プラズマシースに関連する平均抵抗量を増大させ、前記平均抵抗量の前記増大は前記プラズマシースならびに前記第1および第2状態に関連する平均時定数を増大させて、前記第1および第2状態中の前記プラズマシースの放電時間を延長し、前記放電時間の前記延長は前記イオンのピークイオンエネルギを増大させると共に前記イオンの前記角発散を減少させる、システム。
- 請求項27に記載のシステムであって、
前記一次RF発生器は、前記第1状態中に一次電力パラメータレベルで動作するよう構成され、
前記二次RF発生器は、前記第2状態中に二次電力パラメータレベルで動作するよう構成されている、システム。 - 請求項35に記載のシステムであって、前記一次電力パラメータレベルは、前記二次電力パラメータレベルと同じである、システム。
- 請求項35に記載のシステムであって、前記一次電力パラメータレベルは、前記二次電力パラメータレベルと異なる、システム。
- 請求項27に記載のシステムであって、前記プラズマチャンバはチャックを備え、前記上部電極は前記チャックと向かい合っており、前記上部電極はトランス結合プラズマコイルであり、前記システムは、さらに、
バイアスRF発生器と、
前記バイアスRF発生器と前記チャックとに接続されているインピーダンス整合回路と、
を備える、システム。 - 請求項27に記載のシステムであって、前記プラズマチャンバはチャックを備え、前記上部電極は前記チャックと向かい合っており、前記上部電極はトランス結合プラズマコイルであり、前記チャックは接地電位に接続されている、システム。
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