JP2020532818A - 電力喪失への応答 - Google Patents
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- 230000004044 response Effects 0.000 title claims abstract description 43
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 504
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 41
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 116
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 21
- 238000013500 data storage Methods 0.000 claims description 12
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims 3
- 230000002779 inactivation Effects 0.000 claims 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 7
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000000415 inactivating effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 102100021302 Ataxin-2 Human genes 0.000 description 2
- 101000895114 Homo sapiens Ataxin-2 Proteins 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 230000036039 immunity Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3418—Disturbance prevention or evaluation; Refreshing of disturbed memory data
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
- G11C5/143—Detection of memory cassette insertion or removal; Continuity checks of supply or ground lines; Detection of supply variations, interruptions or levels ; Switching between alternative supplies
- G11C5/144—Detection of predetermined disconnection or reduction of power supply, e.g. power down or power standby
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
- G11C5/143—Detection of memory cassette insertion or removal; Continuity checks of supply or ground lines; Detection of supply variations, interruptions or levels ; Switching between alternative supplies
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/41—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
- G11C11/412—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger using field-effect transistors only
- G11C11/4125—Cells incorporating circuit means for protecting against loss of information
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/41—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
- G11C11/413—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C14/00—Digital stores characterised by arrangements of cells having volatile and non-volatile storage properties for back-up when the power is down
- G11C14/0054—Digital stores characterised by arrangements of cells having volatile and non-volatile storage properties for back-up when the power is down in which the volatile element is a SRAM cell
- G11C14/0063—Digital stores characterised by arrangements of cells having volatile and non-volatile storage properties for back-up when the power is down in which the volatile element is a SRAM cell and the nonvolatile element is an EEPROM element, e.g. a floating gate or MNOS transistor
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/08—Address circuits; Decoders; Word-line control circuits
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
Description
本明細書には具体的な実施形態が例証及び説明されているが、同じ目的を達成するために割り出された何れかの配置が、示された具体的な実施形態に代替され得ることは、当業者に理解されるであろう。実施形態の多くの改変は当業者には明らかであろう。したがって、この出願は、実施形態の任意の改変又は変更をカバーすることを意図する。
Claims (32)
- 装置の揮発性メモリセルのアレイの特定のメモリセル内に蓄積されたデータ値を指し示す情報を取得することと、
前記装置への電力喪失が指し示されたか否かを判定することと、
前記装置への電力喪失が指し示された場合に、前記特定のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報に応答して前記装置のゲート接続された不揮発性メモリセルの対の一方のメモリセルを選択的にプログラミングすることと
を含み、
ゲート接続された不揮発性メモリセルの前記対の前記一方のメモリセルの、及びゲート接続された不揮発性メモリセルの前記対の他方のメモリセルの閾値電圧のもたらされる組み合わせは、前記特定のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報を表す、
装置を動作する方法。 - 前記特定のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報に応答して、ゲート接続された不揮発性メモリセルの前記対の前記一方のメモリセルを選択的にプログラミングすることは、
ゲート接続された不揮発性メモリセルの前記対の前記一方のメモリセルの第1のソース/ドレインに、及びゲート接続された不揮発性メモリセルの前記対の前記他方のメモリセルの第1のソース/ドレインに第1の電圧レベルを印加することと、
ゲート接続された不揮発性メモリセルの前記対の前記一方のメモリセルのゲートに、及びゲート接続された不揮発性メモリセルの前記対の前記他方のメモリセルのゲートに、前記第1の電圧レベルよりも高い第2の電圧レベルを印加することと、
ゲート接続された不揮発性メモリセルの前記対の前記一方のメモリセルの第2のソース/ドレインに、前記第1の電圧レベルよりも高く前記第2の電圧レベルよりも低い第3の電圧レベルを印加することと、
ゲート接続された不揮発性メモリセルの前記対の前記他方のメモリセルの第2のソース/ドレインに前記第1の電圧レベルを印加することと
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記第1の電圧レベル、前記第2の電圧レベル、及び前記第3の電圧レベルの組み合わせは、前記一方のメモリセルをプログラミングする間に前記一方のメモリセルのデータ蓄積構造体内に電荷を蓄積させるために選択される、請求項2に記載の方法。
- 前記第1の電圧レベル、前記第2の電圧レベル、及び前記第3の電圧レベルの前記組み合わせは、前記一方のメモリセルのプログラミングの間に前記他方のメモリセルのデータ蓄積構造体内への電荷の蓄積を阻害するために更に選択される、請求項3に記載の方法。
- 前記特定のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報に応答して、ゲート接続された不揮発性メモリセルの前記対の前記一方のメモリセルを選択的にプログラミングすることは、前記特定のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報が第1のロジックレベルを有する場合に、ゲート接続された不揮発性メモリセルの前記対の前記一方のメモリセルをプログラミングすることと、前記特定のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報が前記第1のロジックレベルとは異なる第2のロジックレベルを有する場合に、ゲート接続された不揮発性メモリセルの前記対の前記一方のメモリセルのプログラミングを阻害することとを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記特定のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報が前記第2のロジックレベルを有する場合に、ゲート接続された不揮発性メモリセルの前記対の前記他方のメモリセルをプログラミングすることを更に含む、請求項5に記載の方法。
- 前記特定のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報に応答して、ゲート接続された不揮発性メモリセルの前記対の前記一方のメモリセルを選択的にプログラミングすることは、前記特定のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報がロジックローレベルを有する場合に、ゲート接続された不揮発性メモリセルの前記対の前記一方のメモリセルをプログラミングすることと、前記特定のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報がロジックハイレベルを有する場合に、ゲート接続された不揮発性メモリセルの前記対の前記他方のメモリセルをプログラミングすることとを含む、請求項1に記載の方法。
- 電力喪失が指し示された場合に前記特定のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報に応答して、ゲート接続された不揮発性メモリセルの前記対の前記一方のメモリセルを選択的にプログラミングすることは、前記特定のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報が特定のロジックレベルを有する場合にのみ、ゲート接続された不揮発性メモリセルの前記対の前記一方のメモリセルをプログラミングすることと、前記特定のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報が異なるロジックレベルを有する場合に、ゲート接続された不揮発性メモリセルの前記対の何れのメモリセルもプログラミングしないことと、を含む、請求項1に記載の方法。
- 特定のゲート電圧に応答して前記一方のメモリセルが不活性化され、前記特定のゲート電圧に応答して前記他方のメモリセルが活性化されることをもたらすゲート接続された不揮発性メモリセルの前記対の前記一方のメモリセルの、及びゲート接続された不揮発性メモリセルの前記対の前記他方のメモリセルの閾値電圧のもたらされる組み合わせは、前記特定のロジックレベルを有する前記特定のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報を表し、前記特定のゲート電圧に応答して前記一方のメモリセルが活性化されることをもたらすゲート接続された不揮発性メモリセルの前記対の前記一方のメモリセルの、及びゲート接続された不揮発性メモリセルの前記対の前記他方のメモリセルの閾値電圧のもたらされる前記組み合わせは、前記異なるロジックレベルを有する前記特定のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報を表す、請求項8に記載の方法。
- 前記特定のゲート電圧に応答して前記一方のメモリセル及び前記他方のメモリセルが活性化されることをもたらすゲート接続された不揮発性メモリセルの前記対の前記一方のメモリセルの、及びゲート接続された不揮発性メモリセルの前記対の前記他方のメモリセルの閾値電圧のもたらされる前記組み合わせは、前記異なるロジックレベルを有する前記特定のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報を表す、請求項9に記載の方法。
- 前記特定のゲート電圧に応答して前記一方のメモリセルが活性化され、前記特定のゲート電圧に応答して前記他方のメモリセルが不活性化されることをもたらすゲート接続された不揮発性メモリセルの前記対の前記一方のメモリセルの、及びゲート接続された不揮発性メモリセルの前記対の前記他方のメモリセルの閾値電圧のもたらされる前記組み合わせは、前記異なるロジックレベルを有する前記特定のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報を表す、請求項9に記載の方法。
- 前記装置への電力喪失が指し示されたか否かを判定することは、前記装置の供給電圧の電圧レベルが閾値よりも下に降下するか否かを判定することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記閾値は、前記供給電圧に対する所望の電圧レベルの特定の範囲よりも下にある、請求項12に記載の方法。
- 前記閾値は、前記供給電圧に対する所望の電圧レベルの特定の範囲内にある、請求項12に記載の方法。
- 揮発性メモリセルのアレイと、
揮発性メモリセルの前記アレイの特定のメモリセル内に蓄積されたデータ値を指し示す情報を受信するように構成された差動蓄積デバイスであって、
第1の絶縁ゲートと、第1の電圧レベルを受け取るように構成された電圧ノードとの間に接続された第1の不揮発性メモリセルと、
第2の絶縁ゲートと前記電圧ノードとの間に接続された第2の不揮発性メモリセルであって、前記第2の不揮発性メモリセルのゲートは、前記第1の不揮発性メモリセルのゲートに接続される、前記第2の不揮発性メモリセルと、
装置への電力の喪失の指標と、前記特定のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報とに応答するロジックと
を含み、
前記ロジックは、前記特定のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報のロジックレベルに関わらず、特定のロジックレベルを有する前記装置への電力の喪失の前記指標に応答して前記第1の絶縁ゲート及び前記第2の絶縁ゲートを不活性化させるように構成され、
前記ロジックは、前記特定のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報の前記ロジックレベルに関わらず、その特定のロジックレベルを有する前記装置への電力の喪失の前記指標に応答して、前記第1の不揮発性メモリセル及び前記第2の不揮発性メモリセルのゲートに、前記第1の電圧レベルよりも高い第2の電圧レベルを印加させるように更に構成され、
前記ロジックは、その特定のロジックレベルを有する前記装置への電力の喪失の前記指標と、特定のロジックレベルを有する前記特定のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報とに応答して、前記第1の不揮発性メモリセルと前記第1の絶縁ゲートとの間のノードに、前記第2の電圧レベルよりも小さく前記第1の電圧レベルよりも大きい第3の電圧レベルを印加させるように更に構成され、
前記ロジックは、その特定のロジックレベルを有する前記装置への電力の喪失の前記指標と、その特定のロジックレベルとは異なるロジックレベルを有する前記特定のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報とに応答して、前記第1の不揮発性メモリセルと前記第1の絶縁ゲートとの間の前記ノードに前記第1の電圧レベルを印加させるように更に構成される、
前記差動蓄積デバイスと
を含む、装置。 - 前記差動蓄積デバイスは、前記特定のメモリセルの第1のデータノードに接続された第1の入力と、前記特定のメモリセルの第2のデータノードに接続された第2の入力とを有する、請求項15に記載の装置。
- 前記特定のメモリセルは、交差結合したインバータの対を含み、前記特定のメモリセルの前記第1のデータノードは、交差結合したインバータの前記対の一方のインバータの出力であり、前記特定のメモリセルの前記第2のデータノードは、交差結合したインバータの前記対の他方のインバータの出力である、請求項16に記載の装置。
- 揮発性メモリセルの前記アレイの残りのメモリセル毎の個別の差動蓄積デバイス
を更に含む、請求項15に記載の装置。 - 各個別の差動蓄積デバイスは、
第1の絶縁ゲートと前記電圧ノードとの間に接続された第1の不揮発性メモリセルと、
第2の絶縁ゲートと前記電圧ノードとの間に接続された第2の不揮発性メモリセルであって、前記第2の不揮発性メモリセルのゲートは、前記第1の不揮発性メモリセルのゲートに接続される、前記第2の不揮発性メモリセルと、
前記装置への電力の喪失の前記指標と、その個別のメモリセル内に蓄積されたデータ値を指し示す情報とに応答するロジックと
を含み、
前記ロジックは、その個別のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報のロジックレベルに関わらず、その特定のロジックレベルを有する前記装置への電力の喪失の前記指標に応答して前記第1の絶縁ゲート及び前記第2の絶縁ゲートを不活性化させるように構成され、
前記ロジックは、その個別のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報の前記ロジックレベルに関わらず、その特定のロジックレベルを有する前記装置への電力の喪失の前記指標に応答して、前記第1の不揮発性メモリセル及び前記第2の不揮発性メモリセルのゲートに前記第2の電圧レベルを印加させるように更に構成され、
前記ロジックは、その特定のロジックレベルを有する前記装置への電力の喪失の前記指標と、特定のロジックレベルを有するその個別のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報とに応答して、前記第1の不揮発性メモリセルと前記第1の絶縁ゲートとの間のノードに前記第3の電圧レベルを印加させるように更に構成され、
前記ロジックは、その特定のロジックレベルを有する前記装置への電力の喪失の前記指標と、その特定のロジックレベルとは異なるロジックレベルを有するその個別のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報とに応答して、前記第1の不揮発性メモリセルと前記第1の絶縁ゲートとの間の前記ノードに前記第1の電圧レベルを印加させるように更に構成される、
請求項18に記載の装置。 - 前記装置への電力の喪失の前記指標は、メモリセルのアレイを含む前記装置の一部への電力の喪失の指標を含む、請求項15に記載の装置。
- 前記ロジックは、
その特定のロジックレベルを有する前記装置への電力の喪失の前記指標と、その特定のロジックレベルとは異なる前記ロジックレベルを有する前記特定のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報とに応答して、前記第2の不揮発性メモリセルと前記第2の絶縁ゲートとの間のノードに前記第3の電圧レベルを印加させることと、
その特定のロジックレベルを有する前記装置への電力の喪失の前記指標と、その特定のロジックレベルを有する前記特定のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報とに応答して、前記第2の不揮発性メモリセルと前記第2の絶縁ゲートとの間の前記ノードに前記第1の電圧レベルを印加させることと
をするように更に構成される、請求項15に記載の装置。 - 前記装置は車両である、請求項15に記載の装置。
- 前記特定のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報に前記ロジックが応答することは、前記特定のメモリセル内に蓄積された前記データ値のロジックレベルを指し示す相補的な制御信号に前記ロジックが応答することを含む、請求項15に記載の装置。
- 前記ロジックは、1つ以上の追加の制御信号に更に応答する、請求項15に記載の装置。
- 揮発性メモリセルのアレイと、
揮発性メモリセルの前記アレイの特定のメモリセル内に蓄積されたデータ値を指し示す情報を受信するように構成された差動蓄積デバイスであって、
閾値に対する供給電圧の電圧レベルを示す情報に、及び前記特定のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報に応答して相補的なロジックレベルを有する第1の制御信号及び第2の制御信号を生成するための第1のレベルシフタであって、前記供給電圧は、揮発性メモリセルの前記アレイのアクセスのために使用される、前記第1のレベルシフタと、
前記閾値に対する前記供給電圧の前記電圧レベルを指し示す前記情報に、及び前記特定のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報に応答して相補的なロジックレベルを有する第3の制御信号及び第4の制御信号を生成するための第2のレベルシフタと、
前記閾値に対する前記供給電圧の前記電圧レベルを指し示す前記情報に応答して相補的なロジックレベルを有する第5の制御信号及び第6の制御信号を生成するための第3のレベルシフタと、
第1のノードと第1の電圧ノードとの間に直列に接続された第1の不揮発性メモリセルと、
第2のノードと前記第1の電圧ノードとの間に直列に接続された第2の不揮発性メモリセルと、
第3のノードと前記第1のノードとの間に直列に接続された第1の絶縁ゲートと、
第4のノードと前記第2のノードとの間に直列に接続された第2の絶縁ゲートと
を含み、
前記閾値に対する前記供給電圧の前記電圧レベルを指し示す前記情報が、前記供給電圧の前記電圧レベルが前記閾値よりも大きいことを指し示す場合、前記第1の制御信号、前記第3の制御信号、及び前記第5の制御信号は第1のロジックレベルを各々有し、前記第2の制御信号、前記第4の制御信号、及び前記第6の制御信号は、前記第1のロジックレベルとは異なる第2のロジックレベルを各々有し、
前記閾値に対する前記供給電圧の前記電圧レベルを指し示す前記情報が、前記供給電圧の前記電圧レベルが前記閾値よりも小さいことを指し示し、前記特定のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報が、特定のロジックレベルを前記データ値が有することを指し示す場合、前記第2の制御信号、前記第3の制御信号、及び前記第6の制御信号は前記第1のロジックレベルを各々有し、前記第1の制御信号、前記第4の制御信号、及び前記第5の制御信号は前記第2のロジックレベルを各々有し、
前記閾値に対する前記供給電圧の前記電圧レベルを指し示す前記情報が、前記供給電圧の前記電圧レベルが前記閾値よりも小さいことを指し示し、前記特定のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報が、異なるロジックレベルを前記データ値が有することを指し示す場合、前記第1の制御信号、前記第4の制御信号、及び前記第6の制御信号は前記第1のロジックレベルを各々有し、前記第2の制御信号、前記第3の制御信号、及び前記第5の制御信号は前記第2のロジックレベルを各々有し、
前記第1の絶縁ゲート及び前記第2の絶縁ゲートは、前記第1の制御信号又は前記第3の制御信号の何れかが前記第2のロジックレベルを有する場合に第1の電圧レベルを有するゲート電圧を受け取り、前記第1の制御信号及び前記第3の制御信号の両方が前記第1のロジックレベルを有する場合に前記第1の電圧レベルよりも高い第2の電圧レベルを有するゲート電圧を受け取るように構成され、
前記第1の不揮発性メモリセル及び前記第2の不揮発性メモリセルは、前記第5の制御信号が前記第1のロジックレベルを有する場合に前記第1の電圧レベルと前記第2の電圧レベルとの間の第3の電圧レベルを有するゲート電圧を受け取り、前記第6の制御信号が前記第1のロジックレベルを有する場合に前記第2の電圧レベルよりも高い第4の電圧レベルを有するゲート電圧を受け取るように構成され、
前記第1のノードは、前記第2の制御信号が前記第1のロジックレベルを有する場合に前記第1の電圧レベルと前記第3の電圧レベルとの間の第5の電圧レベルを受け取るように構成され、
前記第2のノードは、前記第4の制御信号が前記第1のロジックレベルを有する場合に前記第5の電圧レベルを受け取るように構成される、
前記差動蓄積デバイスと
を含む、装置。 - 前記第5の電圧レベルを受け取るように構成された入力を有する第1のマルチプレクサであって、前記第1のマルチプレクサは、前記第1のノード又は前記第2のノードの何れかをその入力に選択的に接続するために、前記第2の制御信号及び前記第4の制御信号に応答する、前記第1のマルチプレクサ
を更に含む、請求項25に記載の装置。 - 前記第3の電圧レベルを受け取るように構成された第1の入力と、前記第4の電圧レベルを受け取るように構成された第2の入力とを有する第2のマルチプレクサであって、前記第2のマルチプレクサは、前記第1の入力又は前記第2の入力の何れかを前記第1のメモリセル及び前記第2のメモリセルの各々に選択的に接続するために、前記第5の制御信号及び前記第6の制御信号に応答する、前記第2のマルチプレクサ
を更に含む、請求項26に記載の装置。 - 装置をパワーアップすることに応答して、前記装置への電力喪失が指し示されたか否かを判定することと、
前記装置への電力喪失が指し示された場合に、
前記装置の差動蓄積デバイスのデータ値を指し示す情報を取得することと、
前記差動蓄積デバイスの前記データ値を指し示す前記情報に応答して前記装置の揮発性メモリセルのアレイの対応するメモリセルをプログラミングすることと
を含む、装置を動作する方法。 - 前記差動蓄積デバイスは、前記装置の複数の差動蓄積デバイスの内の1つの差動蓄積デバイスであり、前記方法は、
前記装置への電力喪失が指し示された場合に、前記複数の差動蓄積デバイスの内の各差動蓄積デバイスの個別のデータ値を指し示す情報を取得することと、
前記複数の差動蓄積デバイスの差動蓄積デバイス毎に、当該差動蓄積デバイスの前記個別のデータ値を指し示す前記情報に応答して揮発性メモリセルの前記アレイの個別の対応するメモリセルをプログラミングすることと
を更に含む、請求項28に記載の方法。 - 装置の複数の揮発性メモリセルの内の特定のメモリセル内に特定のデータ値を蓄積することと、
前記特定のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す情報を取得することと、
前記装置への電力喪失が指し示されたか否かを判定することと、
前記装置への電力喪失が指し示されない場合に、
制御されたパワーダウンがリクエストされたか否かを判定することと、
制御されたパワーダウンがリクエストされた場合に前記特定のメモリセル内に異なるデータ値を蓄積することと、
前記装置への電力喪失が指し示された場合に、
前記特定のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報に応答して前記装置の差動蓄積デバイスのゲート接続された不揮発性メモリセルの対の一方のメモリセルを選択的にプログラミングすることであって、
ゲート接続された不揮発性メモリセルの前記対の前記一方のメモリセルの、及びゲート接続された不揮発性メモリセルの前記対の他方のメモリセルの閾値電圧のもたらされる組み合わせは、前記特定のメモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報を表し、前記差動蓄積デバイス内に蓄積されたデータ値を表すことと
を含む、装置を動作する方法。 - 前記差動蓄積デバイスは、前記装置の複数の差動蓄積デバイスの内の特定の差動蓄積デバイスであり、前記方法は、
前記複数の揮発性メモリセルの内の残りのメモリセル毎に、前記複数の揮発性メモリセルの内の当該メモリセル内に蓄積された個別のデータ値を指し示す情報を取得することと、
前記装置への電力喪失が指し示された場合に、
前記複数の揮発性メモリセルの内の残りのメモリセル毎に、前記複数の揮発性メモリセルの内の当該メモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報に応答して、前記複数の差動蓄積デバイスの内の個別の差動蓄積デバイスのゲート接続された不揮発性メモリセルの対の一方のメモリセルを選択的にプログラミングすることであって、
前記個別の差動蓄積デバイスのゲート接続された不揮発性メモリセルの前記対の前記一方のメモリセルの、及びゲート接続された不揮発性メモリセルの前記対の他方のメモリセルの閾値電圧のもたらされる組み合わせは、前記複数の揮発性メモリセルの内の当該メモリセル内に蓄積された前記データ値を指し示す前記情報を表し、前記個別の差動蓄積デバイス内に蓄積されたデータ値を表すことと
を更に含む、請求項30に記載の方法。 - 前記装置をパワーダウンした後に前記装置をパワーアップすることと、
前記装置をパワーアップすることに応答して、前記特定の差動蓄積デバイスが前記特定のデータ値に対応するデータ値を有する場合に、前記複数の揮発性メモリセルの内のその対応するメモリセルに、前記複数の差動蓄積デバイスの内の各残りの差動蓄積デバイスの前記個別のデータ値をプログラミングすることと
を更に含む、請求項31に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/691,840 US10373694B2 (en) | 2017-08-31 | 2017-08-31 | Responding to power loss |
US15/691,840 | 2017-08-31 | ||
PCT/US2018/044033 WO2019045922A1 (en) | 2017-08-31 | 2018-07-27 | RESPONSE TO LOSS OF POWER |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020532818A true JP2020532818A (ja) | 2020-11-12 |
JP6887565B2 JP6887565B2 (ja) | 2021-06-16 |
Family
ID=65436162
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020511794A Active JP6887565B2 (ja) | 2017-08-31 | 2018-07-27 | 電力喪失への応答 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10373694B2 (ja) |
EP (1) | EP3676836B1 (ja) |
JP (1) | JP6887565B2 (ja) |
KR (1) | KR102354917B1 (ja) |
CN (1) | CN111052238B (ja) |
WO (1) | WO2019045922A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10373694B2 (en) * | 2017-08-31 | 2019-08-06 | Micron Technology, Inc. | Responding to power loss |
US10192626B1 (en) * | 2017-08-31 | 2019-01-29 | Micro Technology, Inc. | Responding to power loss |
WO2019054993A1 (en) * | 2017-09-12 | 2019-03-21 | Intel Corporation | FERROELECTRIC FIELD EFFECT TRANSISTORS (FEFET) WITH AMBIPOLAR CHANNELS |
Family Cites Families (59)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5396637A (en) * | 1993-03-02 | 1995-03-07 | Hewlett-Packard Company | Data processing system with power-fail protected memory module |
DE4342821C1 (de) | 1993-12-15 | 1994-12-15 | Sgs Thomson Microelectronics | Elektronische Speicherschaltung |
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US9817576B2 (en) * | 2015-05-27 | 2017-11-14 | Pure Storage, Inc. | Parallel update to NVRAM |
US9514816B1 (en) * | 2015-06-15 | 2016-12-06 | Cypress Semiconductor Corporation | Non-volatile static RAM and method of operation thereof |
US10061694B2 (en) * | 2015-09-07 | 2018-08-28 | Toshiba Memory Corporation | Memory system and method for controlling non-volatile memory |
US10541032B2 (en) * | 2017-05-10 | 2020-01-21 | Micron Technology, Inc. | Responding to power loss |
US10192626B1 (en) * | 2017-08-31 | 2019-01-29 | Micro Technology, Inc. | Responding to power loss |
US10373694B2 (en) * | 2017-08-31 | 2019-08-06 | Micron Technology, Inc. | Responding to power loss |
US10839920B2 (en) * | 2017-09-29 | 2020-11-17 | Allegro Microsystems, Llc | Circuit having a low power charge pump for storing information in non-volatile memory during a loss of power event |
US10607702B1 (en) * | 2018-12-03 | 2020-03-31 | Micron Technology, Inc. | Responding to power loss |
-
2017
- 2017-08-31 US US15/691,840 patent/US10373694B2/en active Active
-
2018
- 2018-07-27 EP EP18850489.8A patent/EP3676836B1/en active Active
- 2018-07-27 CN CN201880055113.8A patent/CN111052238B/zh active Active
- 2018-07-27 WO PCT/US2018/044033 patent/WO2019045922A1/en unknown
- 2018-07-27 JP JP2020511794A patent/JP6887565B2/ja active Active
- 2018-07-27 KR KR1020207004672A patent/KR102354917B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-06-20 US US16/446,827 patent/US10762971B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190304551A1 (en) | 2019-10-03 |
KR102354917B1 (ko) | 2022-02-08 |
JP6887565B2 (ja) | 2021-06-16 |
US20190066807A1 (en) | 2019-02-28 |
EP3676836A1 (en) | 2020-07-08 |
EP3676836B1 (en) | 2022-09-14 |
CN111052238B (zh) | 2024-04-02 |
CN111052238A (zh) | 2020-04-21 |
WO2019045922A1 (en) | 2019-03-07 |
US10762971B2 (en) | 2020-09-01 |
EP3676836A4 (en) | 2021-05-19 |
KR20200020980A (ko) | 2020-02-26 |
US10373694B2 (en) | 2019-08-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200402 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210518 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |