JP2020531416A - ブテンを1,3−ブタジエンに変換するための水蒸気を使用しないプロセス - Google Patents
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Abstract
Description
いくつかの実施形態では、2−ブテンからの1,3−ブタジエンの接触変換のためのプロセスは、水蒸気なしで、または従来技術のプロセスと比較して、水蒸気の量を減少させて、2−ブテンを触媒と接触させることを含む。いくつかの実施形態では、水蒸気を希釈剤として使用して、触媒床における熱の放散を助け、触媒床における温度上昇の管理を改善することができる。
以下の実施例は、本開示の実施形態を実証するために含まれる。以下の実施例において開示される技術および組成物は、本開示の実施において十分に機能することが発見された技術および組成物を表し、したがって、その実施のための様式を構成すると考えられることが、当業者によって理解されるべきである。しかしながら、当業者は本開示に照らして、開示された特定の実施形態において多くの変更を行うことができ、それでも、本開示の精神および範囲から逸脱することなく、同様のまたは類似の結果を得ることができることを理解すべきである。
日本の愛知県春日井市の富士シリシア化学株式会社で製造されたQ−10シリカ触媒担体をセラミックプレートに配置してシリカブランクを調製した。その後、Q−10試料を200℃で約3時間、次いで575℃で約5時間、1分間に3℃の傾斜速度でか焼した。Q−10シリカ触媒担体の特性を表1に示す。
上記の方法で調製したシリカブランク2gを80mlビーカーに入れた。99.99%の微量金属を有する0.235gのメタタングステン酸アンモニウム水和物を秤量し、2mlの脱イオン(DI)水と混合した。メタタングステン酸アンモニウム水和物およびDI水溶液をシリカブランクに滴下して加えた。典型的な例では、5滴のメタタングステン酸アンモニウム水和物およびDI水溶液をシリカブランク上に加えた。ガラス棒を用いて担体を完全に混合した。次に、触媒を乾燥炉内に約80℃で一晩置いた。次に、乾燥した触媒を、約250℃で約2時間、約550℃で約8時間、第1の温度に達するまで約1℃/分の傾斜速度で、第2の温度に達するまで約3℃で、か焼した。得られた触媒は、シリカブランク担体上に約10重量(wt)%のタングステンを担持していた。
市販のMgOはシグマ アルドリッチから入手した。MgOは、アメリカ合衆国ミズーリ州セントルイスのシグマ アルドリッチ社から入手したLot#MKBQ2256V(≧99%の微量金属ベース)であった。市販のMgO4gを約2℃/分の速度で約550℃に達するまで大気中でか焼した。温度を約550℃で約150分間保持した。か焼後、市販のMgOをか焼炉内で室温までゆっくりと冷却させた。
MgOはまた、MgO触媒を調製する代わりに、共沈技術を用いて調製した。25.64gの硝酸マグネシウム六水和物([MgO(NO3)・H2O])をビーカー中で100mlのDI水と混合した。別のビーカーに、100mlのDI水を添加した。次いで、第1のビーカー中の溶液を、DI水のみを含有する第2のビーカーにピペットを使用して滴下した。マグネチックスターラーをビーカー内に配置し、約600毎分回転数(600rpm)で撹拌するように設定した。溶液のpHを約11〜約12の範囲に維持するために溶液を撹拌しながら、水酸化アンモニウムを溶液に同時に滴下した。硝酸マグネシウム六水和物を添加した後、溶液を約600rpmで1時間撹拌した。次いで、溶液を遠心分離し、DI水を用いて約4または5回洗浄した。白色固形物を集め、80℃で一晩乾燥炉中で乾燥させた。乾燥固形物を約2℃/分の速度で約550℃に達するまで大気中でか焼した。温度を約550℃で約150分間保持した。か焼後、共沈したMgOをか焼炉内で室温までゆっくりと冷却させた。
MgOはまた、MgO触媒を調製し、MgOの特性を向上させるための代替物として市販のMgOを水和することによって調製された。水和は、市販のMgOをMg(OH)2に変換した後、大気中でMg(OH)2をか焼してMgOに戻す変換によって行われた。
調製した触媒を、大気圧の固定床連続流通式反応器中で、それらの活性および選択性について試験した。固定床連続流通式反応器は0.25インチの内径を有し、オートクレーブエンジニアーズ社から入手した。各試験のために、各触媒の2mlのサンプルを反応器に装填した。表5に示すように、反応器の底部に14gのグレード20炭化ケイ素(SiC20)を充填した。炭化ケイ素は、触媒を等温ゾーン内の所定の位置に保持するために使用され、反応には寄与しない。異なる装填構成および触媒量を試験した。異なる装填構成および触媒量の組み合わせをスキームA〜EおよびスキームMgOとして表5に示す。
Claims (34)
- 1,3−ブタジエンの製造方法であって、
2−ブテンを含む供給流を受け取ることと、
2−ブテンを1−3−ブタジエンに変換するために、酸化剤の存在下で前記供給流を触媒と接触させることであって、前記触媒は、無機担体上に含浸された酸化タングステンを含む、接触させることと、
を含む、方法。 - 前記供給流が水蒸気を含まない、請求項1に記載の方法。
- 酸化剤が空気を含む、先行する請求項のいずれか1項に記載の方法。
- 前記接触させることは、400℃から550℃の範囲の温度で実行される、先行する請求項のいずれか1項に記載の方法。
- 前記供給流が1−ブテンを含む、先行する請求項のいずれか1項に記載の方法。
- 前記無機担体がシリカを含む、先行する請求項のいずれか1項に記載の方法。
- 前記触媒が酸化マグネシウムを含む、先行する請求項のいずれか1項に記載の方法。
- 前記酸化マグネシウムが、30平方メートル/グラム(m2/g)から200m2/gの範囲の表面積を有する、請求項7に記載の方法。
- 前記触媒が、前記無機担体上に含浸された前記酸化タングステンの第1の層と、前記無機担体上に含浸された前記酸化タングステンの第2の層と、前記第1の層と前記第2の層との間に配置された前記酸化マグネシウムの層とを含む、請求項7に記載の方法。
- 前記触媒が、前記無機担体上に含浸された前記酸化タングステンの層上に配置された酸化マグネシウムの層を含む、請求項7に記載の方法。
- 前記無機担体上に含浸された前記酸化タングステンに対する前記酸化マグネシウムの体積比が、1:3〜3:1の範囲である、請求項7に記載の方法。
- 400℃から550℃の範囲の温度で、供給流を触媒と接触させて2−ブテンを1−3−ブタジエンに変換することは、少なくとも23%の1,3−ブタジエン選択性を達成する、先行する請求項のいずれか1項に記載の方法。
- 1,3−ブタジエンを製造するシステムであって、
反応器と、
前記反応器中に配置され、無機担体上に含浸された酸化タングステンを含む触媒であって、前記反応器は2−ブテンを含む供給流を受け取り、酸化剤の存在下で400℃〜550℃の温度で供給流を触媒と接触させて、2−ブテンを1−3−ブタジエンに変換するように構成された触媒と、
を含むシステム。 - 前記供給流が水蒸気を含まない、請求項13に記載のシステム。
- 酸化剤が空気を含む、請求項13または14に記載のシステム。
- 前記反応器が固定床連続流通式反応器を含む、請求項13、14、または15のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記供給流が1−ブテンを含む、請求項13、14、15または16のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記無機担体がシリカを含む、請求項13、14、15、16または17のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記触媒が酸化マグネシウムを含む、請求項13、14、15、16、17または18のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記酸化マグネシウムが、30平方メートル/グラム(m2/g)から200m2/gの範囲の表面積を有する、請求項19に記載のシステム。
- 前記触媒が、前記無機担体上に含浸された前記酸化タングステンの第1の層と、前記無機担体上に含浸された前記酸化タングステンの第2の層と、前記第1の層と前記第2の層との間に配置された前記酸化マグネシウムの層とを含む、請求項19に記載のシステム。
- 前記触媒が、前記無機担体上に含浸された前記酸化タングステンの層上に配置された前記酸化マグネシウムの層を含む、請求項19に記載のシステム。
- 前記無機担体上に含浸された酸化タングステンに対する酸化マグネシウムの体積比が、1:3〜3:1の範囲である、請求項19に記載のシステム。
- 前記反応器の上流に不純物除去床を含み、前記不純物除去床が前記供給流を受け取り、前記供給流から不純物を除去するように構成されている、請求項13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、または23のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記反応器の下流にブタジエン抽出ユニットを含み、ブタジエン抽出ユニットが生成物流から1,3−ブタジエンを分離するように構成されている、請求項13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、または24のいずれか一項に記載のシステム。
- 1,3−ブタジエンを製造するための触媒であって、
無機担体上に含浸された酸化タングステン、および酸化マグネシウム、
を含む触媒。 - 前記無機担体上に含浸された前記酸化タングステンの第1の層と、前記無機担体上に含浸された前記酸化タングステンの第2の層と、前記第1の層と前記第2の層との間に配置された酸化マグネシウムの層とを含む、請求項26に記載の触媒。
- 前記無機担体上に含浸された前記酸化タングステンの層上に配置された前記酸化マグネシウムの層を含む、請求項26または27に記載の触媒。
- 前記無機担体上に含浸された酸化タングステンに対する酸化マグネシウムの体積比が1:3〜3:1の範囲である、請求項26、27または28のいずれか一項に記載の触媒。
- ブテンを1,3−ブタジエンに変換するための触媒を調整する方法であって、
前記方法は、
シリカ担体をか焼することと、
ある量のメタタングステン酸アンモニウム水和物溶液をか焼シリカ担体上に配置することと、
シリカ担体を、担体上に存在する酸化タングステンを生成させるために、メタタングステン酸アンモニウム水和物溶液とか焼することであって、前記か焼は、第1の期間第1の温度で、第2の期間第2の温度で行われる、か焼することと、
を含む方法。 - 前記メタタングステン酸アンモニウム水和物溶液の量を有するシリカ担体を乾燥させることを含む、請求項30に記載の方法。
- 前記第1の温度は少なくとも250℃であり、前記第2の期間は少なくとも2時間であり、前記第2の温度は少なくとも550℃であり、前記第2の期間は少なくとも8時間である、請求項30または31に記載の方法。
- 前記シリカ担体をか焼することが、少なくとも3時間、少なくとも200℃の温度で、少なくとも5時間前、少なくとも575℃の温度で、前記シリカ担体をか焼することを含む、請求項30、31、または32のいずれか一項に記載の方法。
- メタタングステン酸アンモニウム水和物溶液の前記量が、シリカ担体上に10重量%(wt%)の酸化タングステンを生じるのに十分である、請求項30、31、32または33のいずれか一項に記載の方法。
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