JP2020530656A - マルチコンポーネントからなるリードレススタック - Google Patents
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Abstract
Description
各電子素子は第1側と第2側を有し、該電子素子のうちの少なくとも1つの電子素子は積層セラミックコンデンサであり、各積層セラミックコンデンサは各第1電極と各第1電極に隣接する第2電極との間に誘電体を挟んで交互に積層された第1電極と第2電極とを含み、該第1電極はコンデンサの第1側に終端しかつ該第2電極はコンデンサの第2側に終端する、電子素子を備え;
各第1側が平行になり、かつ各第2側が平行になるように該電子素子を積層し;
遷移的液相焼結導電層の第1コンポーネントの第1層を形成し;
遷移的液相焼結導電層の第1コンポーネントの第2層を形成し;
該第1層と該第2層を遷移的液相焼結導電層の第2コンポーネントと接触させ;
該第1コンポーネントと該第2コンポーネントを含む第1遷移的液相焼結導電層を形成するために十分な第1温度まで加熱して、該第1遷移的液相焼結導電層が該第1電極に電気的に接触して第1コンポーネントと第2コンポーネントを含む第2遷移的液相焼結導電層を形成し、該第2遷移的液相焼結導電層が該第2電極に電気的に接触してそれによりスタックコンデンサを形成する、ことを含む。
多数の電子素子を備え、該電子素子のうち少なくとも1つの電子素子は積層セラミックコンデンサであり、各積層セラミックコンデンサは:
各第1電極と各第1電極に隣接する第2電極との間に誘電体を挟んで交互に積層される第1電極と第2電極を含み、第1電極は第1の極性を有して積層セラミックコンデンサの第1側に終端し及び第2電極は第2の極性を有して積層セラミックコンデンサの第2側に終端し;
電子素子のスタックを形成し;
隣接の電子素子に電気的に接触する第1遷移的液相焼結導電層を形成し;及び
隣接の電子素子の第2電極に電気的に接触する第2遷移的液相焼結導電層を形成する、ことを含む。
特に好ましい非金属柔軟層はFR4、パーフロロエラストマー、ポリイミド、カプトン、PEEK、イットリア安定化ジルコニア又はAl203(酸化アルミニウム)等の電子グレードセラミックスから選択される。
共通のリードフレームに実装されるケースサイズが5.6mm×5.1mm(0.22×0.20インチ)のMLCCをそれぞれ2つ備えた68個の同一のスタックを製造した。該スタックをそれぞれ34個の同数のセットに分けた。セット1において、91.5wt%Snと8.5wt%Sbを含む1mgのSn/Sbハンダを用いてリードフレームを各MLCCに取り付けた。セット2において、91.5wt%Snと8.5wt%Sbを含む1mgの、Henkel10048−11Aポリマーハンダにより入手できる、Sn/Sbポリマーハンダを用いてリードフレームを各MLCCに取り付けた。各部品を260℃のハンダリフロー炉に3回通過させて、通過ごとに流動したチップの数を測定した。その結果を表1に示す。不良部品の累積数が通過ごとに記録される。
同様のスタックが銀又は錫メッキされたリードフレームとともに製造されOrmet328として入手できるCu系遷移的液相焼結接着剤を用いて取り付けられた。該サンプルはスランピング(流動)や外部リードの脱離等は示さなかった。その後米国特許第6,704,189号に記載の負荷試験を行い、30gの重りがMLCCにかけられスタックの下方へ垂下された状態でスタックを炉に入れた。少なくとも10℃毎の各温度で10分の滞留時間を設けて約260℃に温度を上昇させた。部品はその後流動及び又は外部リードの離脱の不良について検査された。錫メッキされた外部リードフレームの不良が360℃で検出されたが、銀メッキされたリードフレームについては最初の不良が検出されたのは630℃であり、TLPSに対する超高温での機械的性能が実証された。
120個のJリード型スタックが同一のMLCC、同一のJリード、及び熱圧着プロセスを使って製造された。該サンプルは30個のグループに分割され、それぞれがHenkel92ADA1OODAP85V EU 2460として入手可能な様々のボリュームの91.5/8.5Sn/Sbハンダを使って接着され、セット3に対してはHenkel20048−11Aとして入手可能なポリマーハンダを、セット4に対しては同じハンダ組成を用いた。サンプルはその後様々のハンダ炉へ送られて異なる温度で3回以上炉を通過させた。サンプルはその後部品毎に検査された。その結果を図13に示す。ポリマーハンダにおいてスランピングは検出されず、サンプルは試験された範囲で改善された高温堅牢性を示した。ポリマーハンダは350℃を超える温度には耐性がない。
Jリード型スタックが同一のMLCC、同一のJリード、及び熱圧着プロセスを使って製造された。対照サンプルがHenkel92ADA100DAP85V EU 2460として入手可能な91.5/8.5 Sn/Sbハンダを用いて作成された。セット5はHenkel20048−11Aとして入手可能な同じハンダ組成を含むポリマーハンダを使って作成された。その後サンプルは標準的なハンダを使ってFR4基板に取り付けられ、リードフレームのハンダ付けに推奨されるものよりも速い温度傾斜率を使うIRリフロー炉に投入された。スランピング又はリードフレームの接触不良について検査された。Sn/Sbハンダを含有するサンプルは15個のうち9個に不良があり、一方ポリマーハンダは15サンプル中不良はゼロで、高速アセンブリに対して堅牢性が高くなったことを実証した。部品は同じ高速アセンブリにかけられた。
図14、15はOrmet701シリーズとして入手可能なTLPS Ag/Sn/BiとOrmet280CEシリーズとして入手可能なCu/Sn/Biを使った接合を明示する顕微鏡写真であり、IRリフロープロセスを使って銀メッキされたリン青銅のクーポン間を接合するものである。ボイドの有意エリアが表示されている。図16は熱圧着接合プロセス後のTLPS Cu/Sn/Biの状態を示す顕微鏡写真であり、図17は熱圧着接合プロセス後のCu/Sn/Biの状態を示す顕微鏡写真である。両方の実施例において、ち密な微細構造が観察される。熱圧着接合は2−10ポンドの圧力で5分未満の非常に短い時間で達成される。
実施例5と同様な一組の実験がOrmet280CE Ag/Sn/Biを銀メッキされたクーポンに用いて行われた。その結果を図19のバーグラフに示す。この実施例において、外部リードは、不良に至る最大引っ張り力(Kg単位で)測定すると、熱圧着プロセスでポストキュアが使われなかったにもかかわらずハンダを超えるせん断強度を示す。サンプルはいずれの場合も第1温度で第1の時間予熱され、その後3秒かけて第2温度へと温度が上げられて、一定時間第2温度が保持された。図19において、サンプルA2は140℃で10秒間予熱され、温度は300℃へ上げられて20秒間保持された。サンプルB2は140℃で10秒間予熱され、温度は300℃へ上げられて10秒間保持された。サンプルC2は140℃で10秒間予熱され、温度は300℃へ上げられて5秒間保持された。サンプルD2は140℃で3秒間予熱され、温度は300℃へ上げられて20秒間保持された。サンプルE2は140℃で3秒間予熱され、温度は300℃へ上げられて10秒間保持された。サンプルF2は140℃で3秒間予熱され、温度は300℃へ上げられて5秒間保持された。サンプルG2は140℃で10秒間予熱され、温度は280℃へ上げられて20秒間保持された。サンプルH2は140℃で10秒間予熱され、温度は280℃へ上げられて10秒間保持された。サンプルI2は140℃で10秒間予熱され、温度は280℃へ上げられて5秒間保持された。サンプルJ2は140℃で3秒間予熱され、温度は280℃へ上げられて20秒間保持された。サンプルK2は140℃で3秒間予熱され、温度は280℃へ上げられて10秒間保持された。サンプルL2は140℃で3秒間予熱され、温度は280℃へ上げられて5秒間保持された。サンプルM2は140℃で10秒間予熱され、温度は260℃へ上げられて20秒間保持された。サンプルN2は140℃で10秒間予熱され、温度は260℃へ上げられて10秒間保持された。サンプルO2は140℃で10秒間予熱され、温度は260℃へ上げられて5秒間保持された。サンプルP2は140℃で3秒間予熱され、温度は260℃へ上げられて20秒間保持された。サンプルQ2は140℃で3秒間予熱され、温度は260℃へ上げられて10秒間保持された。サンプルR2は140℃で3秒間予熱され、温度は260℃へ上げられて5秒間保持された。サンプルS2は140℃で10秒間予熱され、温度は240℃へ上げられて20秒間保持された。サンプルT2は140℃で10秒間予熱され、温度は240℃へ上げられて10秒間保持された。サンプルU2は140℃で10秒間予熱され、温度は240℃へ上げられて5秒間保持された。サンプルV2は140℃で3秒間予熱され、温度は240℃へ上げられて20秒間保持された。サンプルW2は140℃で3秒間予熱され、温度は240℃へ上げられて10秒間保持された。サンプルX2は140℃で3秒間予熱され、温度は240℃へ上げられて5秒間保持された。サンプルY2は140℃で10秒間予熱され、温度は220℃へ上げられて20秒間保持された。サンプルZ2は140℃で10秒間予熱され、温度は220℃へ上げられて10秒間保持された。サンプルAA2は140℃で10秒間予熱され、温度は220℃へ上げられて5秒間保持された。サンプルBB2は140℃で3秒間予熱され、温度は220℃へ上げられて20秒間保持された。サンプルCC2は140℃で3秒間予熱され、温度は220℃へ上げられて10秒間保持された。サンプルDD2は140℃で3秒間予熱され、温度は220℃へ上げられて5秒間保持された。実施例6の結果は、ポスト焼結を行うことのないTLPSプロセスについて時間温度効果を実証する。
Ormet701として入手可能なTLPS Cu/Sn/Biをニッケル系金属電極のMLCCに硬化させてニッケルの内部電極に直接終端を形成した。平均的容量は0.32μFで標準的な高燃焼終端材料と類似し、連続的な導電路を備えた接合が内部電極に対して形成されたことを示した。
接着剤の接合強度を試験するために、特許文献1に従って、外部リードを備えた部品が底部の外部リードに取り付けた30グラムの重りで空中に吊り下げられる負荷試験が実施された。吊り下げられた部品と重りは外部リードワイヤが離脱して不良が検出されるまで温度上昇にさらされた。その結果が図20に示されており、ポリマーハンダが温度を関数として88Pb/10Sn/2Agハンダよりも非常に優れた接合強度を示した。図20において、セット6が88Pb/10Sn/2Agハンダを使って接合された。セット7ではニッケル/錫リードが導電性接着剤により接合された。セット8は導電性接着剤を使ってニッケル/金リードに接合された。セット9は95Sn/5Agハンダドットを中心部に導電性接着剤をネールヘッドに使ってニッケル/銀リードに接合された。
ジルコン酸カルシウムとニッケルの内部電極に基づくC0G誘電体セラミックを備えたケースサイズ2220、定格0.47μF、50VのMLCCが従来技術で周知のプロセスで製造された。これらMLCCはガラスフリットを含む銅の厚膜ペーストを使って終端された。サンプルは異なる2種類の電界メッキにより作られた。ニッケルメッキが焼成された銅の終端に施され、その後1つのケースには銅メッキが他のケースには銀メッキが施された。全てのメッキ層は最小5ミクロン(200μインチ)の厚さにされた。両方のメッキタイプのMLCCに対して銅と錫の金属粒子を主に含有するTLPSペーストのOrmet CS510を使ってリードレススタックが製造された。スタックは接合されるメッキされた終端の上面に沿ってTLPSペーストの薄いビーズを施して製造された。このように、隣接するコンデンサの終端に沿ってOrmet CS510で4チップのスタックがアセンブルされた。これらのスタックは1つのアセンブリにクランプされ窒素雰囲気下でヘラーのリフロー炉を使って330℃のピーク温度まで加熱され300℃以上を90秒保持した。これらのリードレススタックのサンプルの基板曲げ性能は、AEC−Q200−005 Rev Aに記載の試験方法を使って10mmまで曲げることにより単一MLCCと比較された。曲げは不良として記録される1mm/秒のスピードで2%のキャパシタンス損失で加えられた。サンプルはリフローされた錫−鉛(SnPb)ハンダを使って試験用回路基板へ接続された。これらの結果は、銅及び銀メッキされた部品に対するワイブルグラフとして図22、23にそれぞれ示される。スタックの性能は単一MLCCと比べてわずかに劣るが、両タイプのメッキで作られたリードレススタックに対する曲げ不良はC0GタイプのMLCCに対しAECによって求められる最小3mmを十分に超えている。
チタン酸バリウムとニッケルの内部電極に基づくX7R誘電体セラミックを備えたケースサイズ2220、定格0.50μF、500VのMLCCが従来技術で周知のプロセスで製造された。これらMLCCはガラスフリットを含む銅の厚膜ペーストを使って終端された。その後サンプルは電界ニッケル(最小50μインチ)で、そして錫(最小100μインチ)でメッキされた。2つのMLCCのリードレススタックはTLPSペーストのOrmet CS510を使って接合されるメッキされた終端の上面に沿ってTLPSペーストの薄いビーズを施して製造された。これらのスタックは1つのアセンブリにクランプされ窒素雰囲気下でヘラーのリフロー炉を使って330℃のピーク温度まで加熱され300℃以上を90秒保持した。これらのリードレススタックの基板曲げ性能は、AEC−Q200−005 Rev Aに記載の試験方法を使って10mmまで曲げることにより単一MLCCと比較された。曲げは不良として記録される1mm/秒のスピードで2%のキャパシタンス損失で加えられた。サンプルはリフローされた錫−銀−銅(SAC)ハンダを使って試験用回路基板へ接続された。これらの結果は、ワイブルグラフとして図26に示される。リードレススタックの性能は単一MLCCと同様であり、両方共にX7RタイプMLCCのAECによって求められる最小2mmを十分超える。図27はある曲げ条件を加えた2チップリードレススタックの曲げに対するある曲げ条件を加えた単一チップの曲げ、及び6mmを優に超える曲げの分布の大きさ示している。
リード付きスタック間のさらなる比較は例11に見ることができ、それはSnSbハンダで相互接続されたリード付きスタックの対照グループの高温性能とTLPS(CS510)を使って相互接続されたリード付きスタックの高温性能とを比較する。
表2はTLPS材料CS510の高温性能を、標準的なCu/Ni/Sn終端、錫のリード仕上げ、及びコンデンサスタックを有するキャップによってつくられ、リードフレームが標準的なSnSbハンダで終端された対照グループの高温性能とともに表す。試験グループは金属被覆やさまざまのリードフレーム表面仕上げ、さらに無終端コンデンサ、及びCS510TLPSを使った相互接続等の多様なコンデンサ終端を使って、内部電極とリードフレーム間の電気的及び機械的接続を行った結果を示す。過熱され30グラムの重りを付けて吊り下げられると対照グループは230から235℃の温度範囲で不良となったことが表2からわかる。Ormet CS510を使って作られたサンプルは無終端のコンデンサを含んでコンデンサ終端の金属皮膜のタイプに関わらず600℃の試験限界に達しても不良は起こらなかった。唯一の例外は終端とリードフレーム表面の両方に錫を使った試験グループが420−450℃の範囲で不良を示した。
図25は本発明の実施例の比較を表し、図24で示された2つのメッキされたクーポンを比較している。図24において、2つの銅のクーポンが、一枚はニッケルメッキされた上に銀メッキされ、二枚目の銅のクーポンはニッケルメッキされた上に銀メッキされその後インジウムでメッキされる。2つのクーポンはその後向かい合うように置かれ、加熱してインジウムの拡散を開始させる。加工処理を経て、2つのクーポンはせん断試験にかけられ、接合不良が生じるまで引っ張られた。その結果、最大の接合力と一様な拡散を確実にするには接合部間の密着表面が欠かせないことを実証した。図24矢印は拡散が生じた接合エリア内の孤立した接触点を示す。接合の表面積は3.81×3.81mm(0.150” ×0.150”)平方あるいは14.52mm2(0.0225インチ2)であり、接合せん断強度は266psiである。しかし、接触表面積は20%と推定される。このことは接合強度を最大化するには接合表面間を密着させることが必要であることを明確に示している。
Claims (65)
- 少なくとも1つの積層セラミックコンデンサと電子素子とを含む電子部品スタックであって:
前記少なくとも1つの積層セラミックコンデンサは:
第1の電極と第2の電極とが交互に平行に配置され、隣接する前記第1の電極と前記第2の電極との間に誘電体を有し、前記第1の電極は第1の極性を有して前記積層セラミックコンデンサの第1側に終端し、前記第2の電極は第2の極性を有して前記積層セラミックコンデンサの第2側に終端する、第1の電極及び第2の電極と;
前記第1側にあって前記各第1電極と電気的に接触する第1遷移的液相焼結適合材料と;
前記第2側にあって前記各第2電極と電気的に接触する第2遷移的液相焼結適合材料と
を含み、
前記電子素子は:
第1外部終端上に第3遷移的液相焼結適合材料を含む第1外部終端と;
第2外部終端上に第4遷移的液相焼結適合材料を含む第2外部終端と;
前記第1遷移的液相焼結適合材料と前記第3遷移的液相焼結適合材料との間に冶金結合部と
を含む、電子部品スタック。 - 前記第1側と前記第1遷移的液相焼結導電層の少なくとも1つの間又は前記第1外部終端と前記第3遷移的液相焼結適合材料との間に導電層をさらに含む、請求項1に記載の電子部品スタック。
- 遷移的液相焼結適合材料の前記第1層又は前記第3遷移的液相焼結適合材料の少なくとも1つは、インジウム、錫、アンチモニー、ビスマス、カドミウム、亜鉛、ガリウム、テルリウム、水銀、タリウム、セレニウム、ポロニウム、鉛から選択される少なくとも1つの低融点金属を含む、請求項2に記載の電子部品スタック。
- 前記導電層は、銀、銅、アルミニウム、金、プラチナ、パラジウム、ベリリウム、ロジウム、ニッケル、コバルト、鉄、モリブデンからなるグループから選択される高融点金属を含む、請求項2に記載の電子部品スタック。
- 前記導電層は、Ag、Sn、Au又はSnPbからなるグループから選択される成分でメッキされたニッケルを含む、請求項2に記載の電子部品スタック。
- 前記積層セラミックコンデンサはさらに外部終端を含む、請求項1に記載の電子部品スタック。
- 前記外部終端又は前記第1外部終端の少なくとも1つは、Ag、Sn、Au又はSnPbからなるグループから選択される成分でメッキされたニッケルを含む、請求項6に記載の電子部品スタック。
- リードフレームをさらに含む、請求項1に記載の電子部品スタック。
- 前記第1遷移的液相焼結適合材料又は前記第3遷移型液相焼結適合材料の少なくとも1つは、前記リードフレームに拡散する低融点金属を含む、請求項8に記載の電子部品スタック。
- 前記低融点金属は前記第1電極へも拡散する、請求項9に記載の電子部品スタック。
- 前記第1遷移的液相焼結適合材料又は前記第3遷移型液相焼結適合材料の少なくとも1つはさらに高融点金属を含む、請求項8に記載の電子部品スタック。
- 前記第1遷移的液相焼結導電層はさらに非金属フィラーを含む、請求項1に記載の電子部品スタック。
- 前記非金属フィラーはガラスフリットである、請求項12に記載の電子部品スタック。
- 前記第1遷移的液相焼結適合材料と前記第3遷移型液相焼結適合材料とに電気的に接触する第1リードフレームをさらに含む、請求項1に記載の電子部品スタック。
- 前記第1リードフレームは、リン青銅、銅、銅合金からなるグループから選択される材料を含む、請求項14に記載の電子部品スタック。
- 前記第1リードフレームは、Cu、Ag、Sn、Au、Ni、又はPbのリードフレーム表面仕上げを含む、請求項15に記載の電子部品スタック。
- 前記第1リードフレームは、ベリリウム銅、Cu194及びCu192からなるグループから選択される材料を含む、請求項14に記載の電子部品スタック。
- 前記第1リードフレームは、Cu、Ag、Sn、Au、Ni、又はPbのリードフレーム表面仕上げを含む、請求項17に記載の電子部品スタック。
- 前記第1リードフレームは、銅の合金、42アロイ及びコバ−ルからなるグループから選択される材料を含む、請求項14に記載の電子部品スタック。
- 前記第1リードフレームは、Cu、Ag、Sn、Au、Ni、又はPbのリードフレーム表面仕上げを含む、請求項19に記載の電子部品スタック。
- 前記第1遷移的液相焼結適合材料又は前記第3遷移型液相焼結適合材料の少なくとも1つは、低融点金属及び高融点金属を含む、請求項1に記載の電子部品スタック。
- 前記低融点金属は、前記高融点金属と前記第1電極の両方に拡散される、請求項21に記載の電子部品スタック。
- 前記低融点金属は、インジウム、錫、アンチモニー、ビスマス、カドミウム、亜鉛、ガリウム、テルリウム、水銀、タリウム、セレニウム、ポロニウム、鉛からからなるグループから選択される、請求項21に記載の電子部品スタック。
- 前記高融点金属は、銀、銅、アルミニウム、金、プラチナ、パラジウム、ベリリウム、ロジウム、ニッケル、コバルト、鉄、モリブデンからなるグループから選択される、請求項21に記載の電子部品スタック。
- 前記低融点金属は、インジウム、錫、又はビスマスからなるグループから選択され、前記高融点金属は、銀、銅、又はニッケルからなるグループから選択される、請求項21に記載の電子部品スタック。
- 隣接する積層セラミックコンデンサ間に絶縁体をさらに含む、請求項1に記載の電子部品スタック。
- 犠牲チップをさらに含む、請求項1に記載の電子部品スタック。
- 前記電子素子は、抵抗、バリスタ、インダクタ、ダイオード、ヒューズ、過電圧放電デバイス、センサー、スイッチ、静電気放電サプレッサー、半導体、及び集積回路からなるグループから選択される、請求項1に記載のスタック化された電子部品。
- 前記電子素子は、抵抗、バリスタ、インダクタ、ダイオード、ヒューズ、過電圧放電デバイス、センサー、スイッチ、静電気放電サプレッサー及び集積回路からなるグループから選択される、請求項28に記載のスタック化された電子部品。
- 少なくとも2つの電子素子を含むスタックであって、前記電子素子のうちの各電子素子は第1外部終端と第2外部終端を含むスタックと;
隣接する電子素子の前記各第1外部終端間にあって前記各第1外部終端に電気的に接触する遷移的液相焼結接着剤と
を含むスタック化された電子部品。 - 各電子素子は、MLCC、抵抗、バリスタ、インダクタ、ダイオード、ヒューズ、過電圧放電デバイス、センサー、スイッチ、静電気放電サプレッサー、半導体、及び集積回路からなるグループから独立に選択される、請求項27に記載のスタック化された電子部品。
- 各電子素子は、MLCC、抵抗、バリスタ、インダクタ、ダイオード、ヒューズ、過電圧放電デバイス、センサー、スイッチ、静電気放電サプレッサー、半導体、及び集積回路からなるグループから独立に選択される、請求項31に記載のスタック化された電子部品。
- 前記電子素子の少なくとも1つがMLCCである、請求項30に記載のスタック化された電子部品。
- 前記MLCCは、誘電体で分離された第1電極と第2電極を含み、前記第1電極は前記第1外部終端で終端し、前記第2電極は前記第2終端で終端する、請求項33に記載のスタック化された電子部品。
- 前記MLCCは、浮遊電極とシールド電極から選択される少なくとも導体をさらに含む、請求項34に記載のスタック化された電子部品。
- 前記浮遊電極は、外部浮遊電極と内部浮遊電極からなるグループから選択される、請求項35に記載のスタック化された電子部品。
- 前記内部浮遊電極は、前記第1電極のうち少なくとも1つの第1電極と同一平面である、請求項36に記載のスタック化された電子部品。
- 少なくとも1つの前記第1外部終端は、Ni、Ag、Sn、Au、Cu、Al及びSnPbからなるグループから選択される金属を含む、請求項30に記載のスタック化された電子部品。
- 少なくとも1つの前記第1外部終端は、Ag、Sn、Au又はSnPbからなるグループから選択される成分によってメッキされたニッケルを含む、請求項30に記載のスタック化された電子部品。
- スタックに50までの電子素子を含む、請求項30に記載のスタック化された電子部品。
- 前記各第1外部終端と電気的に接触するリードをさらに含む、請求項30に記載のスタック化された電子部品。
- 犠牲チップをさらに含む、請求項30に記載のスタック化された電子部品。
- 請求項30に記載の前記スタック化された電子部品を含む電子デバイス。
- 第1コンデンサ外部終端とコンデンサ第2コンデンサ外部終端とを有するMLCCと;
前記MLCCに隣接して前記MLCCと共にスタックを形成する電子素子であって、各電子素子が第1素子外部終端と第2素子外部終端とを有し、前記電子素子が抵抗、バリスタ、インダクタ、ダイオード、ヒューズ、過電圧放電デバイス、センサー、スイッチ、静電気放電サプレッサー、半導体及び集積回路からなるグループから選択される、少なくとも1つの電子素子と;
前記第1コンデンサ外部終端と前記第1素子外部終端との間で前記第1コンデンサ外部終端と前記第1素子外部終端に電気的に接触する遷移的液相焼結接着剤と
を含むスタック化された電子部品。 - 前記MLCCは、誘電体によって分離された第1電極と第2電極とを含み、前記第1電極は前記第1外部終端に終端し、前記第2電極は前記第2外部終端に終端する、請求項44に記載のスタック化された電子部品。
- 前記MLCCは浮遊電極とシールド電極から選択される少なくとも導体をさらに含む、請求項45に記載のスタック化された電子部品。
- 前記浮遊電極は外部浮遊電極と内部浮遊電極からなるグループから選択される、請求項46に記載のスタック化された電子部品。
- 前記内部浮遊電極は、前記第1電極のうち少なくとも1つの第1電極と同一平面である、請求項47に記載のスタック化された電子部品。
- 少なくとも1つの前記第1外部終端は、Ni、Ag、Sn、Au、Cu、Al及びSnPbからなるグループから選択される金属を含む、請求項44に記載のスタック化された電子部品。
- 少なくとも1つの前記第1外部終端は、Ag、Sn、Au又はSnPbからなるグループから選択される成分によってメッキされたニッケルを含む、請求項44に記載のスタック化された電子部品。
- スタックに50までの電子素子を含む、請求項44に記載のスタック化された電子部品。
- 前記各第1外部終端と電気的に接触するリードをさらに含む、請求項44に記載のスタック化された電子部品。
- 各電子素子は、抵抗、バリスタ、インダクタ、ダイオード、ヒューズ、過電圧放電デバイス、センサー、スイッチ、静電気放電サプレッサー及び集積回路からなるグループから独立に選択される、請求項44に記載のスタック化された電子部品。
- 犠牲チップをさらに含む、請求項44に記載のスタック化された電子部品。
- 請求項44に記載の前記スタック化された電子部品を含む電子デバイス。
- 電子素子を形成する方法であって、
第1コンデンサ外部終端と第2コンデンサ外部終端とを含むMLCCを形成すること;
第1素子外部終端と第2素子外部終端とを含む電子素子を形成すること;及び
前記第1コンデンサ外部終端と前記第1素子外部終端との間のTLPS接合部により前記MLCC及び前記電子素子をスタック状に配置すること
を含む、電子素子を形成する方法。 - 隣接する第1素子外部終端の間にTLPS接合部を形成して複数の電子素子を前記スタック状に配置することをさらに含む、請求項56に記載の電子素子を形成する方法。
- 前記電子素子のうちの各電子素子は、抵抗、バリスタ、インダクタ、ダイオード、ヒューズ、過電圧放電デバイス、センサー、スイッチ、静電気放電サプレッサー、半導体及び集積回路からなるグループから選択される、請求項56に記載の電子素子を形成する方法。
- 前記電子素子のうちの各電子素子は、抵抗、バリスタ、インダクタ、ダイオード、ヒューズ、過電圧放電デバイス、センサー、スイッチ、静電気放電サプレッサー及び集積回路からなるグループから選択される、請求項56に記載の電子素子を形成する方法。
- 前記MLCCは誘電体によって分離された第1電極と第2電極とを含み、前記第1電極は前記第1外部終端に終端し、前記第2電極は前記第2外部終端に終端する、請求項56に記載の電子素子を形成する方法。
- 前記MLCCは浮遊電極とシールド電極から選択される少なくとも導体をさらに含む、請求項60に記載の電子素子を形成する方法。
- 前記浮遊電極は外部浮遊電極と内部浮遊電極からなるグループから選択される、請求項61に記載の電子素子を形成する方法。
- 前記内部浮遊電極は、前記第1電極のうち少なくとも1つの第1電極と同一平面である、請求項62に記載の電子素子を形成する方法。
- 少なくとも1つの前記第1外部終端は、Ni、Ag、Sn、Au、Cu、Al及びSnPbからなるグループから選択される金属を含む、請求項56に記載の電子素子を形成する方法。
- 少なくとも1つの前記第1外部終端は、Ag、Sn、Au又はSnPbからなるグループから選択される成分によってメッキされたニッケルを含む、請求項56に記載の電子素子を形成する方法。
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