JP2016502273A - リードレスの多層セラミックコンデンサスタック - Google Patents
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Abstract
Description
複数の多層セラミックコンデンサを提供するステップであり、当該複数の多層セラミックコンデンサのそれぞれが、各第1の電極および隣接する各第2の電極の間に誘電体を用いて交互に積層されている、複数の第1の電極および複数の第2の電極を含み、第1の電極は第1の側面で終端し、第2の電極は第2の側面で終端している、提供するステップと、
各第1の側面が平行となり、各第2の側面が平行となるように、複数の多層セラミックコンデンサを積層するステップと、
遷移的液相焼結導電層の第1のコンポーネントの第1の層を形成するステップと、
遷移的液相焼結導電層の第1のコンポーネントの第2の層を形成するステップと、
第1の層および第2の層を、遷移的液相焼結導電層の第2のコンポーネントと接触させるステップと、
第1のコンポーネントおよび第2のコンポーネントを含み、第1の電極と電気的に接触する第1の遷移的液相焼結導電層を形成するのに十分な第1の温度に加熱するステップと、
第1のコンポーネントおよび第2のコンポーネントを含み、第2の電極と電気的に接触する第2の遷移的液相焼結導電層を形成し、それによりスタック型のコンデンサを形成するステップと、を含む。
複数の多層セラミックコンデンサを提供するステップであり、当該複数の多層セラミックコンデンサのそれぞれが、
各第1の電極および隣接する各第2の電極の間に誘電体を用いて交互に積層されている、複数の第1の電極および複数の第2の電極を含み、第1の電極は第1の極性を有して多層セラミックコンデンサの第1の側面で終端し、第2の電極が第2の極性を有して多層セラミックコンデンサの第2の側面で終端している、提供するステップと、
多層セラミックコンデンサのスタックを形成するステップと、
隣接する多層セラミックコンデンサの第1の電極と電気的に接触する第1の遷移的液相焼結導電層を形成するステップと、
隣接する多層セラミックコンデンサの第2の電極と電気的に接触する第2の遷移的液相焼結導電層を形成するステップと、を含む。
例1:ポリマーはんだの改善された機械的な強固性
例2:TLPSの改善された機械的な強固性
例3:ポリマーはんだの温度性能
例4:高速な第2の組み立てプロセスに対するポリマーはんだの耐久性
例5:熱圧着
例6:
例7:TLPS終端
例8:温度耐久性試験
例9:
例10:
例11:
Claims (57)
- コンデンサスタックであって、
複数の多層セラミックコンデンサを含み、当該複数の多層セラミックコンデンサのそれぞれの多層セラミックコンデンサが、
複数の第1の電極および複数の第2の電極であり、前記複数の第1の電極の各第1の電極と、前記複数の第2の電極の隣接する各第2の電極との間に、誘電体を用いて交互に積層され、前記第1の電極が第1の極性を有して前記多層セラミックコンデンサの第1の側面で終端し、前記第2の電極が第2の極性を有して前記多層セラミックコンデンサの第2の側面で終端する、複数の第1の電極および複数の第2の電極と、
各前記第1の電極と電気的に接触する、前記第1の側面上の第1の遷移的液相焼結導電層と、
各前記第2の電極と電気的に接触する、前記第2の側面上の第2の遷移的液相焼結導電層と、
を含む、コンデンサスタック。 - 前記第1の側面と前記第1の遷移的液相焼結導電層との間に導電層をさらに含む、請求項1のコンデンサスタック。
- 前記第1の遷移的液相焼結導電層が、インジウム、錫、アンチモン、ビスマス、カドミウム、亜鉛、ガリウム、テルル、水銀、タリウム、セレンまたはポロニウム、鉛から選択される少なくとも1つの低融点金属を含む、請求項2のコンデンサスタック。
- 前記導電層が、銀、銅、アルミニウム、金、プラチナ、パラジウム、ベリリウム、ロジウム、ニッケル、コバルト、鉄およびモリブデンからなる群から選択される高融点金属を含む、請求項2のコンデンサスタック
- 前記導電層が、Ag、Sn、Au、またはSnPbからなる群から選択される要素でめっきされたニッケルを含む、請求項2のコンデンサスタック。
- Ag、Sn、AuまたはSnPbからなる群から選択される要素でめっきされたニッケルを含む外部終端をさらに含む、請求項1のコンデンサスタック。
- リードフレームをさらに含む、請求項1のコンデンサスタック。
- 前記第1の遷移的液相焼結導電層が、融解すると前記リードフレーム内に拡散される低融点金属を含む、請求項7のコンデンサスタック。
- 前記低融点金属が前記第1の電極内にも拡散される、請求項8のコンデンサスタック。
- 前記第1の側面と前記第1の遷移的液相焼結導電層との間に外部終端をさらに含む、請求項8のコンデンサスタック。
- 前記低融点金属が前記外部終端内にも拡散される、請求項10のコンデンサスタック。
- 前記第1の遷移的液相焼結導電層が高融点金属をさらに含む、請求項7のコンデンサスタック。
- 前記第1の遷移的焼結導電層が非金属のフィラーをさらに含む、請求項1のコンデンサスタック。
- 前記非金属のフィラーがガラス原料である、請求項1のコンデンサスタック。
- 前記第1の遷移的液相焼結導電層と電気的に接触する第1のリードフレームと、前記第2の遷移的液相焼結導電層と電気的に接触する第2のリードフレームとをさらに含む、請求項1のコンデンサスタック
- 前記第1のリードフレームまたは前記第2のリードフレームが、リン青銅、銅、および合金鉄からなる群から選択される物質を含む、請求項15のコンデンサスタック。
- 前記第1のリードフレームまたは前記第2のリードフレームが、Cu、Ag、Sn、Au、NiまたはPbのリードフレーム表面仕上げを含む、請求項16のコンデンサスタック。
- 前記第1のリードフレームまたは前記第2のリードフレームが、ベリリウム銅、Cu194、およびCu192からなる群から選択される物質を含む、請求項15のコンデンサスタック。
- 前記第1のリードフレームまたは前記第2のリードフレームが、Cu、Ag、Sn、Au、NiまたはPbのリードフレーム表面仕上げを含む、請求項18のコンデンサスタック。
- 前記第1のリードまたは前記第2のリードが、銅の合金、合金42、およびコバールからなる群から選択される物質を含む、請求項15のコンデンサスタック。
- 前記第1のリードフレームまたは前記第2のリードフレームが、Cu、Ag、Sn、Au、NiまたはPbのリードフレーム表面仕上げを含む、請求項20のコンデンサスタック。
- 前記第1の遷移的液相焼結導電層が、低融点金属および高融点金属を含む、請求項1のコンデンサスタック。
- 前記低融点金属が、前記高融点金属内および前記第1の電極内の両方に拡散される、請求項22のコンデンサスタック。
- 前記低融点金属が、インジウム、錫、アンチモン、ビスマス、カドミウム、亜鉛、ガリウム、テルル、水銀、タリウム、セレン、ポロニウム、および鉛からなる群から選択される、請求項22のコンデンサスタック。
- 前記高融点金属が、銀、銅、アルミニウム、金、プラチナ、パラジウム、ベリリウム、ロジウム、ニッケル、コバルト、鉄およびモリブデンからなる群から選択される、請求項22のコンデンサスタック。
- 前記低融点金属が、インジウム、錫またはビスマスからなる群から選択され、前記高融点金属が、銀、銅またはニッケルからなる群から選択される、請求項22のコンデンサスタック。
- 隣接する多層セラミックコンデンサ間に絶縁体をさらに含む、請求項1のコンデンサスタック。
- 前記スタックの底部に屈曲性を吸収するための犠牲的なチップをさらに含む、請求項1のコンデンサスタック。
- 電気コンポーネントを形成する方法であって、
複数の多層セラミックコンデンサを提供するステップであり、当該複数の多層セラミックコンデンサのそれぞれの多層セラミックコンデンサが、複数の第1の電極および複数の第2の電極を含み、当該複数の第1の電極および複数の第2の電極が、前記複数の第1の電極の各第1の電極と、前記複数の第2の電極の隣接する各第2の電極との間に、誘電体を用いて交互に積層され、前記第1の電極が第1の側面で終端し、前記第2の電極が第2の側面で終端している、提供するステップと、
各前記第1の側面が平行となり、各前記第2の側面が平行となるように、前記複数の多層セラミックコンデンサを積層するステップと、
遷移的液相焼結導電層の第1のコンポーネントの第1の層を形成するステップと、
前記遷移的液相焼結導電層の前記第1のコンポーネントの第2の層を形成するステップと、
前記第1の層および前記第2の層を、前記遷移的液相焼結導電層の第2のコンポーネントと接触させるステップと、
前記第1のコンポーネントおよび前記第2のコンポーネントを含み、前記第1の電極と電気的に接触する第1の遷移的液相焼結導電層を形成するのに十分な第1の温度に加熱するステップと、
前記第1のコンポーネントおよび前記第2のコンポーネントを含み、前記第2の電極と電気的に接触する第2の遷移的液相焼結導電層を形成し、それによりスタック型のコンデンサを形成するステップと、
を含む、電気コンポーネントの形成方法。 - 各前記多層セラミックコンデンサ上に、前記第1の側面と前記第1の遷移的液相焼結導電層との間に外部終端を形成するステップをさらに含む、請求項29の電気コンポーネントの形成方法。
- 前記第1のコンポーネントが、各前記外部終端内に拡散される、請求項30の電気コンポーネントの形成方法。
- 各前記外部終端が前記第2のコンポーネントを含む、請求項21の電気コンポーネントの形成方法。
- 前記第1のコンポーネントを含むプリフォームを形成するステップをさらに含む、請求項32の電気コンポーネントの形成方法。
- 前記加熱するステップに先立って、前記プリフォームが、隣接する外部終端間に挿入される、請求項33の電気コンポーネントの形成方法。
- 前記プリフォームが、第2のコンポーネントをさらに含む、請求項34の電気コンポーネントの形成方法。
- 前記プリフォームが、不活性フィラーをさらに含む、請求項34の電気コンポーネントの形成方法。
- 前記不活性フィラーがガラス原料である、請求項36の電気コンポーネントの形成方法。
- 前記加熱するステップに先立って、前記プリフォームが順応性を有する、請求項34の電気コンポーネントの形成方法。
- 前記プリフォームが粒子を含み、当該粒子が、前記第1のコンポーネントまたは前記第2のコンポーネントの少なくとも1つを含む、請求項34の電気コンポーネントの形成方法。
- 前記粒子が、前記第2のコンポーネントのコアと、前記第1のコンポーネントのシェルとを含む、請求項39の電気コンポーネントの形成方法。
- 前記第1のコンポーネントが、インジウム、錫、アンチモン、ビスマス、カドミウム、亜鉛、ガリウム、テルル、水銀、タリウム、セレン、ポロニウムまたは鉛から選択される少なくとも1つの低融点金属を含む、請求項29の電気コンポーネントの形成方法。
- 前記第2のコンポーネントが、銀、銅、アルミニウム、金、プラチナ、パラジウム、ベリリウム、ロジウム、ニッケル、コバルト、鉄およびモリブデンからなる群から選択される高融点金属を含む、請求項29の電気コンポーネントの形成方法。
- 第1のリードと前記第1の電極との間の前記第1の遷移的液相焼結導電層を用いて、前記第1のリードを前記第1の電極に電気的に接続するステップをさらに含む、請求項29の電気コンポーネントの形成方法。
- 前記第1のリードまたは前記第2のリードが、リン青銅、銅、および合金鉄からなる群から選択される物質を含む、請求項43の電気コンポーネントの形成方法。
- 前記第1のリードまたは前記第2のリードが、銅の合金、合金42、およびコバールからなる群から選択される物質を含む、請求項43の電気コンポーネントの形成方法。
- 前記第1のリードまたは前記第2のリードが、ベリリウム銅、Cu194、およびCu192からなる群から選択される物質を含む、請求項45の電気コンポーネントの形成方法。
- 前記第1のコンポーネントおよび前記第2のコンポーネントを含むプリフォームを形成するステップをさらに含む、請求項29の電気コンポーネントの形成方法。
- 前記第2のコンポーネントが銅を含む、請求項47の電気コンポーネントの形成方法。
- 多層セラミックコンデンサのスタックを形成する方法であって、
複数の多層セラミックコンデンサを提供するステップであり、当該複数の多層セラミックコンデンサのそれぞれの多層セラミックコンデンサが、複数の第1の電極および複数の第2の電極を含み、当該複数の第1の電極および複数の第2の電極が、前記複数の第1の電極の各第1の電極と、前記複数の第2の電極の隣接する各第2の電極との間に、誘電体を用いて交互に積層され、前記第1の電極が第1の極性を有して前記多層セラミックコンデンサの第1の側面で終端し、前記第2の電極が第2の極性を有して前記多層セラミックコンデンサの第2の側面で終端している、提供するステップと、
前記多層セラミックコンデンサのスタックを形成するステップと、
隣接する多層セラミックコンデンサの前記第1の電極と電気的に接触する第1の遷移的液相焼結導電層を形成するステップと、
隣接する多層セラミックコンデンサの前記第2の電極と電気的に接触する第2の遷移的液相焼結導電層を形成するステップと、
を含む、多層セラミックコンデンサのスタックを形成する方法。 - 前記多層セラミックコンデンサが、前記電極と電気的に接触する第1の終端と、前記第2の電極と電気的に接触する第2の終端とをさらに含む、請求項49の多層セラミックコンデンサのスタックを形成する方法。
- 前記第1の遷移的液相焼結導電層が、隣接する第1の終端間にある、請求項50の多層セラミックコンデンサのスタックを形成する方法。
- 前記第1の遷移的液相焼結導電層が低融点金属を含む、請求項51の多層セラミックコンデンサのスタックを形成する方法。
- 前記低融点金属が、インジウム、錫、アンチモン、ビスマス、カドミウム、亜鉛、ガリウム、テルル、水銀、タリウム、セレン、またはポロニウムからなる群から選択される、請求項52の多層セラミックコンデンサのスタックを形成する方法。
- 前記第1の遷移的液相焼結導電層を形成する前記ステップが、隣接する多層セラミックコンデンサ間にプリフォームを配置することを含む、請求項49の多層セラミックコンデンサのスタックを形成する方法。
- 前記プリフォームが、インジウム、錫、アンチモン、ビスマス、カドミウム、亜鉛、ガリウム、テルル、水銀、タリウム、セレン、またはポロニウムからなる群から選択される低融点金属を含む、請求項54の多層セラミックコンデンサのスタックを形成する方法
- 前記プリフォームが順応性を有する、請求項54の多層セラミックコンデンサのスタックを形成する方法。
- 前記プリフォームが、銀、銅、鉛、アルミニウム、金、プラチナ、パラジウム、ベリリウム、ロジウム、ニッケル、コバルト、鉄、およびモリブデンからなる群から選択される高融点金属を含む、請求項54の多層セラミックコンデンサのスタックを形成する方法。
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