JP2020530586A - 塩素ドープコアおよびオフセットトレンチを有する低曲げ損失光ファイバ - Google Patents

Abstract

光ファイバは、（ｉ）コアアルファ（コアα）≧４、半径ｒ１、および最大屈折率デルタΔ１ｍａｘ％を有する塩素ドープシリカ系コア、および（ｉｉ）そのコアを取り囲むクラッドを備える。そのコアを取り囲むクラッドは、ａ）コアに隣接し、接触し、屈折率デルタΔ２、半径ｒ２、およびΔ２ｍｉｎ＜Δ１ｍａｘとなるような最小屈折率デルタΔ２ｍｉｎを有する第１の内側クラッド領域、ｂ）屈折率Δ３、半径ｒ３、およびΔ３ｍｉｎ＜Δ２となるような最小屈折率デルタΔ３ｍｉｎを有する、第１の内側クラッド領域と隣接し、接触する第２の内側クラッド領域、およびｃ）第２の内側クラッド領域を取り囲み、屈折率Δ５、半径ｒｍａｘ、およびΔ３ｍｉｎ＜Δ２となるような最小屈折率デルタΔ３ｍｉｎを有する外側クラッド領域を備える。

Description

優先権

本出願は、その内容が依拠され、ここに全て引用される、２０１７年１０月２７日に出願された蘭国特許出願第２０１９８１７号、および２０１７年８月８日に出願された米国仮特許出願第６２／５４２５１８号の米国法典第３５編第１１９条の下での優先権の恩恵を主張するものである。

本開示は、広く、低い曲げ損失を有する単一モード光ファイバに関し、詳しくは、塩素ドープコアを有する光ファイバに関し、より詳しくは、塩素ドープコアおよびそのコアを取り囲むオフセットトレンチ領域を有するクラッドを持つ単一モードファイバに関する。

低曲げ損失の光ファイバ、特に、いわゆる「アクセス」ネットワークおよびエフティーティーピー（ＦＴＴｘ）光ネットワークに利用される光ファイバが必要とされている。光ファイバは、その光ファイバを通って送信される光信号の曲げ損失を誘発する様式で、そのようなネットワーク内に敷設することができる。曲げ損失を誘発する、きつい曲げ半径、光ファイバの圧縮などの物理的負荷を与え得るいくつかの用途に、光引込みケーブルアセンブリ、工場設置型終端システム（ＦＩＴＳ：Factory Installed Termination Systems）と遊びループを有する配線ケーブル、フィーダケーブルと配線ケーブルを接続するキャビネット内に配置された小曲げ半径のマルチポート、および配線ケーブルと引込みケーブルとの間のネットワークアクセスポイントのジャンパー線における光ファイバの敷設がある。ある光ファイバ設計において、低マクロベンド損失、低マイクロベンド損失、低ケーブルカットオフ波長、１３００ｎｍと１３２４ｎｍの間のゼロ分散波長、８．２から９．６マイクロメートルの１３１０モードフィールド直径、およびＩＴＵ Ｇ．６５２／Ｇ．６５７基準の準拠を同時に達成することは、難しい。

別の実施の形態によれば、単一モード光ファイバが提供される。この単一モード光ファイバは、（ｉ）コアアルファ（コア_α）＞１０、半径ｒ_１、および最大屈折率デルタΔ_１ｍａｘ％を有する塩素ドープシリカ系コア、および（ｉｉ）そのコアを取り囲むクラッドを備える。そのコアを取り囲むクラッドは、ａ）コアに隣接し、接触し、屈折率デルタΔ_２、半径ｒ_２、およびΔ_２ｍｉｎ＜Δ_１ｍａｘとなるような最小屈折率デルタΔ_２ｍｉｎを有する第１の内側クラッド領域、ｂ）第１の内側クラッド領域と隣接し、接触し、屈折率Δ_３、半径ｒ_３、およびΔ_３ｍｉｎ＜Δ_２となるような最小屈折率デルタΔ_３ｍｉｎを有する第２の内側クラッド領域、およびｃ）第２の内側クラッド領域を取り囲み、Δ_３ｍｉｎ＜Δ_２となるような、屈折率Δ_５、および半径ｒ_ｍａｘを有する外側クラッド領域を備える。この光ファイバは、９マイクロメートル以上の、１３１０ｎｍでのモードフィールド径ＭＦＤ、１２６０ｎｍ以下のケーブルカットオフ、１３００ｎｍ≦λ_０≦１３２４ｎｍに及ぶゼロ分散波長、および０．７５ｄＢ／ｔｕｒｎ未満の、２０ｍｍのマンドレルに関する１５５０ｎｍでのマクロベンド損失を有する。

別の実施の形態によれば、単一モード光ファイバが提供される。この単一モード光ファイバは、（ｉ）コアアルファ（コア_α）≧４、半径ｒ_１、および最大屈折率デルタΔ_１ｍａｘ％を有する塩素ドープシリカ系コア、および（ｉｉ）そのコアを取り囲むクラッドを備える。そのコアを取り囲むクラッドは、ａ）コアに隣接し、接触し、屈折率デルタΔ_２、半径ｒ_２、およびΔ_２ｍｉｎ＜Δ_１ｍａｘとなるような最小屈折率デルタΔ_２ｍｉｎを有する第１の内側クラッド領域、ｂ）第１の内側クラッド領域と隣接し、接触し、屈折率Δ_３、半径ｒ_３、およびΔ_２ｍｉｎ＜Δ_３ｍａｘとなるような最大屈折率デルタΔ_３ｍａｘを有する第２の内側クラッド領域、およびｃ）第２の内側クラッド領域を取り囲み、Δ_５＜Δ_３ｍａｘとなるような、屈折率Δ_５、および半径ｒ_ｍａｘを有する外側クラッド領域を備える。この光ファイバは、９マイクロメートル以上の、１３１０ｎｍでのモードフィールド径ＭＦＤ、１２６０ｎｍ以下のケーブルカットオフ、１３００ｎｍ≦λ_０≦１３２４ｎｍに及ぶゼロ分散波長、および０．７５ｄＢ／ｔｕｒｎ未満の、２０ｍｍのマンドレルに関する１５５０ｎｍでのマクロベンド損失を有する。

追加の特徴および利点が、以下の詳細な説明に述べられており、一部は、その説明から当業者に容易に明白となるか、または以下の詳細な説明、特許請求の範囲、並びに添付図面を含む、ここに記載されたような実施の形態を実施することによって、認識されるであろう。

先の一般的な説明および以下の詳細な説明の両方とも、例示に過ぎず、請求項の性質および特徴を理解するための概要または骨子を提供する意図があることを理解すべきである。添付図面は、さらなる理解を与えるために含まれ、本明細書に含まれ、その一部を構成する。図面は、１つ以上の実施の形態を示しており、説明と共に、様々な実施の形態の原理および作動を説明する働きをする。

添付図面は、さらなる理解を与えるために含まれ、本明細書に含まれ、その一部を構成する。図面は、１つ以上の実施の形態を示しており、説明と共に、様々な実施の形態の原理および作動を説明する働きをする。
本開示の１つの実施の形態による光ファイバの側面斜視図 本開示の１つの実施の形態による、図１の線ＩＩ−ＩＩでとられた光ファイバの断面図 図２の光ファイバの半径に対して相対屈折率プロファイルΔをプロットしたグラフ 本開示のいくつかの実施の形態による光ファイバの半径に対して相対屈折率プロファイルΔをプロットしたグラフ 本開示のいくつかの実施の形態による光ファイバの半径に対して相対屈折率プロファイルΔをプロットしたグラフ 本発明の実施の形態による光ファイバの半径に対する相対屈折率プロファイルΔのプロファイル概略プロット 本発明の実施の形態による光ファイバの半径に対する相対屈折率プロファイルΔのプロファイル概略プロット 本発明の実施の形態による光ファイバの半径に対する相対屈折率プロファイルΔのプロファイル概略プロット 本発明の実施の形態による光ファイバの半径に対する相対屈折率プロファイルΔのプロファイル概略プロット 本発明の実施の形態による光ファイバの半径に対する相対屈折率プロファイルΔのプロファイル概略プロット 本発明の実施の形態による光ファイバの半径に対する相対屈折率プロファイルΔのプロファイル概略プロット 本発明の実施の形態による光ファイバの半径に対する相対屈折率プロファイルΔのプロファイル概略プロット 本発明の実施の形態による光ファイバの半径に対する相対屈折率プロファイルΔのプロファイル概略プロット 本発明の実施の形態による光ファイバの半径に対する相対屈折率プロファイルΔのプロファイル概略プロット 本発明の実施の形態による光ファイバの半径に対する相対屈折率プロファイルΔのプロファイル概略プロット

追加の特徴および利点が、以下の詳細な説明に述べられており、その説明から当業者に明白となるか、または特許請求の範囲および添付図面と共に以下の詳細な説明に記載されたように実施することによって、認識されるであろう。

低減衰は、光ファイバにおいて重大な性質である。ここに開示された光ファイバは、潜水艦および地球長距離システム用の光ファイバケーブルなどにおける低減衰光ファイバとして使用するのに重要である。

「屈折率プロファイル」は、屈折率または相対屈折率（ここに屈折率デルタとも称される）と、導波路ファイバの半径との間の関係である。屈折率プロファイルの各セグメントの半径は、略称ｒ_１、ｒ_２、ｒ_３、ｒ_４などにより与えられ、小文字と大文字がここでは交換可能に使用される（例えば、ｒ_１はＲ_１と同等である）。

特に明記のない限り、「相対屈折率パーセント」は、Δ％＝１００×（ｎ_ｉ ^２−ｎ_ｃ ^２）／２ｎ_ｉ ^２として定義され、ここに用いられているように、ｎ_ｃは、未ドープのシリカガラスの平均屈折率である。ここに用いられているように、相対屈折率は、Δで表され、その値は、特に明記のない限り、「％」の単位で与えられる。以下の用語：相対屈折率パーセント、相対屈折率、屈折率デルタ、屈折率、相対屈折率デルタ、デルタ、Δ、Δ％、％Δ、デルタ％、％デルタおよびパーセントデルタは、ここでは交換可能に使用される。ある領域の屈折率が、未ドープシリカの平均屈折率より小さい場合、相対屈折率パーセントは、負であり、低下領域または低下屈折率を有すると称される。ある領域の屈折率が、クラッド領域の平均屈折率より大きい場合、相対屈折率パーセントは、正である。「アップドーパント」は、ここでは、純粋な未ドープのＳｉＯ_２に対して屈折率を上昇させる傾向を有するドーパントと考えられる。「ダウンドーパント」は、ここでは、純粋な未ドープのＳｉＯ_２に対して屈折率を低下させる傾向を有するドーパントと考えられる。アップドーパントの例としては、ＧｅＯ_２（ゲルマニア）、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｐ_２Ｏ_５、ＴｉＯ_２、Ｃｌ、および／またはＢｒが挙げられる。ダウンドーパントの例としては、フッ素およびＢ_２Ｏ_３が挙げられる。ここに記載されているように、ｎ_ｃの屈折率が未ドープシリカである場合の、光プロファイルの相対屈折率が計算されているが、同等の光ファイバ特性を得るために、その光ファイバの屈折率プロファイル全体は、線形に上（または下）にシフトされ得る。

導波路ファイバの、ここでは特に明記のない限り「分散」と称される「色分散」は、材料分散、導波路分散、および多モード分散の合計である。単一モード導波路ファイバの場合、多モード分散はゼロである。ゼロ分散波長は、分散がゼロの値を有する波長である。分散勾配は、波長に対する分散の変化の割合である。

「実効断面積」は、式１に：

として定義され、式中、積分限界は０から∞であり、ｆは、導波路内で伝搬する光に関連する電場の横成分である。ここに用いられているように、「実効断面積」または「Ａ_ｅｆｆ」は、特に明記のない限り、１５５０ｎｍの波長での光学的実効断面積を称する。

「αコアプロファイル」という用語は、ｒが半径であり、「％」の単位のΔ（ｒ）によって表される、コアの相対屈折率プロファイルを称し、式（式２）にしたがう：

式中、ｒ_ｏは、Δ（ｒ）が最大である点であり、そのαコアプロファイルの初期点であり、ｒ_１は、コアの外半径であり、コアのαプロファイルの最終点に対応し、コアの屈折率の最大勾配を通って描かれた接線がゼロデルタ線と交差するところ（すなわち、Δ（ｒ）がゼロである点）と定義され、ｒはｒ_ｉ＜ｒ＜ｒ_ｆの範囲にあり、Δは先に定義され、ｒ_ｏは、コアのαプロファイルの初期点に対応し、ｒ_１はαプロファイルの最終点に対応し、コア_αおよびα_コア（ここで、「コアアルファ」とも称される）は、実数である指数である。いくつかの実施の形態において、コアアルファは、１≦α_コア≦１００である。他の実施の形態において、コアアルファは、４≦α_コア≦３０である。下記の議論において、α_コアの例示の値が、ここに記載された実施の形態の少なくともいくつかについて与えられている。

ここではアルファ_{ペデスタル}またはα_ｐｅｄとも称される「内側クラッドのαプロファイル」という用語は、ｒが半径であり、「％」の単位のΔ（ｒ）によって表される、内側クラッド領域の相対屈折率プロファイルを称し、式（式３）にしたがう：

式中、ｒ_１は、先のように定義され、典型的に、内側クラッド領域のΔ（ｒ）が最大である点であり、ｒ_２は、内側クラッド領域の外半径であり、最小屈折率に関連する内側クラッド領域の屈折率プロファイルを通って描かれた（垂直）線がゼロデルタ線と交差する点（すなわち、Δ（ｒ）％がゼロである点）に対応し、ｒはｒ_ｉ＜ｒ＜ｒ_ｆの範囲にあり、Δは先に定義されており、ｒ_ｉは、内側クラッド領域のαプロファイルの初期点であり、ｒ_ｆは、内側クラッド領域のαプロファイルの最終点であり、α_ｐｅｄは、実数である指数である（ここでは、内側クラッドアルファとも称される）。いくつかの実施の形態において、ペデスタルアルファは１≦α_ｐｅｄ≦１００である。いくつかの実施の形態において、ペデスタルアルファは５≦α_ｐｅｄ≦２０である。

ここではアルファ_トレンチまたはα_Ｔとも称される「トレンチのαプロファイル」という用語は、ｒが半径であり、「％」の単位のΔ（ｒ）によって表される、内側クラッド領域の相対屈折率プロファイルを称し、式（式４）にしたがう：

式中、ｒ_１は、先のように定義され、典型的に、トレンチ領域のΔ（ｒ）が最大である点であり、ｒ_３は、内側クラッド領域の外半径であり、最小屈折率に関連するトレンチの屈折率プロファイルを通って描かれた（垂直）線がゼロデルタ線と交差する点（すなわち、Δ（ｒ）％がゼロである点）に対応し、ｒはｒ_ｉ＜ｒ＜ｒ_ｆの範囲にあり、Δは先に定義されており、ｒ_ｉは、トレンチ領域のαプロファイルの初期点であり、ｒ_ｆは、トレンチ領域のαプロファイルの最終点であり、α_Ｔは、実数である指数である（ここでは、トレンチアルファとも称される）。いくつかの実施の形態において、トレンチアルファは１≦α_Ｔ≦１００である。いくつかの実施の形態において、トレンチアルファは５≦α_Ｔ≦２０である。

ここに用いられている「トレンチ」という用語は、それと接触する隣接するクラッド領域のものより低いΔ_３ｍａｘでの最小屈折率を有する可変屈折率を有するクラッド領域を称する。トレンチ体積Ｖ_Ｔは、ここでは式５に

として定義され、式中、Δ_５−３（ｒ）は、ｒ_２およびｒ_３の半径位置の間に位置する所定の半径位置ｒに関するΔ_５−Δ_３（ｒ）であり、ｒ_２は、中心線から半径方向外側に移動する、トレンチクラッド領域における屈折率が、外側クラッド領域の屈折率と最初に等しくなる半径位置である。トレンチ体積は、％デルタ・マイクロメートル^２の単位の絶対値で報告される。いくつかの実施の形態において、トレンチ体積は、０．４％デルタ・マイクロメートル^２≦Ｖ_トレンチ≦１５％デルタ・マイクロメートル^２である。他の実施の形態において、トレンチ体積は、０．３％デルタ・マイクロメートル^２≦Ｖ_トレンチ≦５％デルタ・マイクロメートル^２である。

ここに用いられている「ペデスタル」という用語は、それと接触する屈折率Δ_５のクラッド領域のものより高い屈折率Δ_２を有するクラッド領域を称する。リング体積Ｖ_{ペデスタル}は、ここでは式６に

として定義され、式中、Δ_５−２（ｒ）は、ｒ_２およびｒ_３の半径位置の間に位置する所定の半径位置ｒに関するΔ_５−Δ_２（ｒ）であり、ｒ_２は、中心線から半径方向外側に移動する、ペデスタルクラッド領域における屈折率が、外側クラッド領域の屈折率と最初に等しくなる半径位置である。ペデスタル体積は、％デルタ・マイクロメートル^２の単位の絶対値で報告される。いくつかの実施の形態において、ペデスタル体積は、１％デルタ・マイクロメートル^２≦Ｖ_{ペデスタル}≦１５％デルタ・マイクロメートル^２である。他の実施の形態において、ペデスタル体積は、２％デルタ・マイクロメートル^２≦Ｖ_{ペデスタル}≦６％デルタ・マイクロメートル^２である。

モードフィールド径（ＭＦＤ）は、ピーターマンＩＩ法を使用して測定され、ここで、２ｗ＝ＭＦＤ、ｗ^２＝（２∫ｆ^２ｒｄｒ／∫［ｄｆ／ｄｒ］^２ｒｄｒ）、積分範囲は０から∞である。

ここに用いられている「リング」という用語は、それと接触する隣接するクラッド領域のものより高いΔ_３ｍａｘでの最大屈折率を有する可変屈折率を有するクラッド領域を称する。

ここではアルファ_{リング−入口}またはα_{ｒｉｎｇ−ｅｎｔ}とも称される「リング入口αプロファイル」という用語は、ｒが半径である、「％」の単位のΔ（ｒ）で表される、内側クラッド領域の相対屈折率プロファイルを称し、式（式７）：

にしたがい、式中、ｒ_１は、先のように定義され、典型的に、内側クラッド領域のΔ（ｒ）が最大である点であり、ｒ_２は、内側クラッド領域の外半径であり、最小屈折率に関連する内側クラッド領域の屈折率プロファイルを通って描かれた（垂直）線がゼロデルタ線と交差する点（すなわち、Δ（ｒ）％がゼロである点）に対応し、ｒはｒ_ｉ＜ｒ＜ｒ_ｆの範囲にあり、Δは先に定義されており、ｒ_ｉは、内側クラッド領域のαプロファイルの初期点であり、ｒ_ｆは、内側クラッド領域のαプロファイルの最終点であり、α_{ｒｉｎｇ−ｅｎｔ}は、実数である指数である（ここでは、リング入口アルファとも称される）。いくつかの実施の形態において、リング入口アルファは１≦α_{ｒｉｎｇ−ｅｎｔ}≦１００である。いくつかの実施の形態において、リング入口アルファは５≦α_{ｒｉｎｇ−ｅｎｔ}≦３０である。ここでの他の実施の形態において（例えば、図４および表２）、リング入口アルファは、α_３ａと称することもできる。

ここではアルファ_{リング−出口}またはα_{ｒｉｎｇ−ｅｘ}とも称される「リング出口αプロファイル」という用語は、ｒが半径である、「％」の単位のΔ（ｒ）で表される、内側クラッド領域の相対屈折率プロファイルを称し、式（式８）：

にしたがい、式中、ｒ_２は、先のように定義され、典型的に、リング領域のΔ（ｒ）が最大である点であり、ｒ_３は、リング領域の外半径であり、最小屈折率に関連するリング領域の屈折率プロファイルを通って描かれた（垂直）線がゼロデルタ線と交差する点（すなわち、Δ（ｒ）％がゼロである点）に対応し、ｒはｒ_ｉ＜ｒ＜ｒ_ｆの範囲にあり、Δは先に定義されており、ｒ_ｉは、リング領域のαプロファイルの初期点であり、ｒ_ｆは、リング領域のαプロファイルの最終点であり、α_{ｒｉｎｇ−ｅｘ}は、実数である指数である（ここでは、リング出口アルファとも称される）。いくつかの実施の形態において、リング出口アルファは１≦α_{ｒｉｎｇ−ｅｘｉｔ}≦１００である。いくつかの実施の形態において、リング出口アルファは５≦α_{ｒｉｎｇ−ｅｎｔ}≦３０である。ここでの実施の形態において（例えば、図４および表２）、リング出口アルファは、α_３ｂと称することもできる。

「μｍ」および「マイクロメートル」という用語は、ここでは、交換可能に使用できる。

導波路ファイバの曲げ抵抗は、例えば、規定の直径のマンドレルの周りにファイバを敷設しまたは巻き付け、例えば、６ｍｍ、１０ｍｍ、または２０ｍｍもしくは同様の直径のいずれかのマンドレルの周りに１回巻き付け（例えば、「１×１０ｍｍ直径のマクロベンド損失」または「１×２０ｍｍ直径のマクロベンド損失」）、１巻き当たりの減衰の増加を測定することによって、規定の試験条件下での誘起減衰によって測ることができる。

曲げ試験の１つのタイプは、横荷重マイクロベンド試験である。このいわゆる「横荷重」試験（ＬＬＷＭ）において、規定の長さの導波路ファイバが、２つの平板の間に置かれる。それらの平板の一方に、＃７０のワイヤメッシュが取り付けられる。公知の長さの導波路ファイバが平板の間に挟まれ、平板が３０ニュートンの力で互いに押し付けられている間に、基準減衰が測定される。次に、７０ニュートンの力が平板に印加され、ｄＢ／ｍの減衰の増加が測定される。この減衰の増加が、所定の波長（典型的に、１２００ｎｍ〜１７００ｎｍの範囲内、例えば、１３１０ｎｍまたは１５５０ｎｍまたは１６２５ｎｍ）でのｄＢ／ｍの導波路の横荷重減衰である。

曲げ試験の別のタイプは、ワイヤメッシュ被覆ドラムマイクロベンド損失試験（ＷＭＣＤ）である。この試験において、直径４００ｍｍのアルミニウム製ドラムにワイヤメッシュが巻き付けられる。このワイヤメッシュは、引き伸ばさずにきつく巻き付けられ、穴、窪み、または損傷を持たないべきである。ワイヤメッシュ材料の仕様：ＭｃＭａｓｔｅｒ−Ｃａｒｒ Ｓｕｐｐｌｙ Ｃｏｍｐａｎｙ（オハイオ州、クリーブランド所在）、部品番号８５３８５Ｔ１０６、耐食性３０４ステンレス鋼織りワイヤメッシュ、メッシュ・パー・リニア・インチ：１６５×１６５、ワイヤ径：０．００１９インチ（約０．０４８ｍｍ）、開口幅：０．００４１インチ（約０．１０ｍｍ）、開口％：４４．０。規定の長さ（７５０メートル）の導波路ファイバが、８０（±１）グラムの張力を印加しながら、０．０５０センチメートルの巻き取りピッチでワイヤメッシュドラム上に１ｍ／ｓで巻き付けられる。規定の長さのファイバの端部は、張力を維持するためにテープが貼られ、ファイバの重なりはない。この光ファイバの減衰は、所定の波長（典型的に、１２００ｎｍ〜１７００ｎｍの範囲内、例えば、１３１０ｎｍまたは１５５０ｎｍまたは１６２５ｎｍ）で測定される；基準減衰は、滑らかなドラム上に巻かれた光ファイバについて測定される。減衰の増加は、所定の波長（典型的に、１２００ｎｍ〜１７００ｎｍの範囲内、例えば、１３１０ｎｍまたは１５５０ｎｍまたは１６２５ｎｍ）でのｄＢ／ｋｍで表される波長のワイヤメッシュ被覆ドラム減衰である。

曲げに対する導波路ファイバの相対抵抗を比較するために、「ピンアレイ」曲げ試験が使用される。この試験を行うために、誘起曲げ損失が実質的にない導波路ファイバについて、減衰損失が測定される。次に、導波路ファイバがピンアレイの周りに編まれ、再び減衰が測定される。曲げにより誘発された損失は、２つの測定された減衰の間の差である。ピンアレイは、平面上に一行に配列され、固定垂直位置に保持された一組１０本の円柱ピンである。ピンの間隔は、中心間で５ｍｍである。ピンの直径は０．６７ｍｍである。試験中、導波路ファイバをピンの表面の一部にしたがわせるために、十分な張力が印加される。減衰の増加は、所定の波長（典型的に、１２００ｎｍ〜１７００ｎｍの範囲内、例えば、１３１０ｎｍまたは１５５０ｎｍまたは１６２５ｎｍ）での導波路のｄＢで表されたピンアレイ減衰である。

所定のモードに関する、理論的ファイバカットオフ波長、または「理論的ファイバカットオフ」、もしくは「理論的カットオフ」は、そのモードで導光がそれより高いと伝搬できない波長である。数学的定義は、Ｓｉｎｇｌｅ Ｍｏｄｅ Ｆｉｂｅｒ Ｏｐｔｉｃｓ、Ｊｅｕｎｈｏｍｍｅ、３９〜４４頁、Ｍａｒｃｅｌ Ｄｅｋｋｅｒ、ニューヨーク、１９９０年に見つけられ、ここでは、理論的ファイバカットオフは、モード伝搬定数が外側クラッドにおける平面波伝搬定数と等しくなる波長と記載されている。この理論的波長は、直径の変動がない無限長の完全に真っ直ぐなファイバに適している。

ファイバカットオフは、標準２ｍファイバカットオフ試験、ＦＯＴＰ−８０（ＥＩＡ−ＴＩＡ−４５５−８０）によって測定されて、「２ｍファイバカットオフ」または「測定カットオフ」としても知られている「ファイバカットオフ波長」が得られる。このＦＯＴＰ−８０標準試験は、制御された量の曲げを使用してより高次のモードを除去するか、またはファイバのスペクトル感度を多モードファイバのものに正規化するかのいずれかのために行われる。

ここに用いられているケーブルカットオフ波長、または「ケーブルカットオフ」により、ＥＩＡ−４４５ Ｆｉｂｅｒ Ｏｐｔｉｃ Ｔｅｓｔ Ｐｒｏｃｅｄｕｒｅｓに記載された２２ｍケーブルカットオフ試験を意味し、これは、ＥＩＡ−ＴＩＡ Ｆｉｂｅｒ Ｏｐｔｉｃｓ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ、すなわち、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ Ａｌｌｉａｎｃｅ−Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ Ｆｉｂｅｒ Ｏｐｔｉｃｓ Ｓｔａｎｄａｒｄｓの一部である。

ケーブルカットオフ波長に対する１３１０ｎｍでのＭＦＤの比（１３１０ｎｍでのＭＦＤ／マイクロメートルで表されたケーブルカットオフ波長）は、ここでＭＡＣＣと定義される。

特に明記のない限り、光学的性質（分散、分散勾配など）は、ＬＰ０１モードについて報告される。

ここで図１を参照すると、単一モード光ファイバ１０の側面図が与えられている。光ファイバ１０は、中心線ＡＣおよび動径座標ｒを有する。光ファイバ１０は、最大半径ｒ_４を有するクラッド１８により取り囲まれた半径ｒ_１の塩素ドープシリカ中央コア１４を有する。いくつかの実施の形態において、光ファイバ１０は、クラッド１８を取り囲み最大半径ｒ_ｍａｘを有する未ドープシリカ層２２を備える。

コア１４は、１≦コア_α≦１００のコアアルファプロファイル（コア_α）、および最大相対屈折率デルタΔ_１ｍａｘを有し、いくつかの実施の形態において、このデルタは、以下の範囲にある：０．１０％≦Δ_１ｍａｘ≦０．４５％、０．１３％≦Δ_１ｍａｘ≦０．３９％、０．１４％≦Δ_１ｍａｘ≦０．３７％、０．１０％≦Δ_１ｍａｘ≦０．４０％、または０．１３％≦Δ_１ｍａｘ≦０．３６％。いくつかの実施の形態において、コア１４は、３．５マイクロメートル≦ｒ_１≦５．５マイクロメートル、３．６マイクロメートル≦ｒ_１≦４．５マイクロメートル、または３．７マイクロメートル≦ｒ_１≦４．３マイクロメートルの範囲の半径ｒ_１を有する。

コア１４は、Ｃｌ濃度、［Ｃｌ］≧１．５質量％で塩素（Ｃｌ）がドープされたシリカから製造することができる。いくつかの実施の形態において、コア中のＣｌ濃度は、２．０質量％以上であることがある。他の実施の形態において、コア中のＣｌ濃度は、２．５質量％以上であることがある。さらに他の実施の形態において、Ｃｌ濃度は３．０質量％以上であることがある。いくつかの実施の形態において、コア中のＣｌ濃度は、３．５質量％以上、４．０質量％以上、４．５質量％以上、または５．５質量％以上であることがある。他の実施の形態において、コア中のＣｌ濃度は、１．５質量％≦［Ｃｌ］≦８．５質量％であることがある。さらに他の実施の形態において、コア中のＣｌ濃度は、１．５質量％≦［Ｃｌ］≦５．５質量％であることがある。また他の実施の形態において、コア中のＣｌ濃度は、２．０質量％≦［Ｃｌ］≦５．５質量％であることがある。単一モード光ファイバ１０は、塩素ドープシリカ中央コア１４の領域を含み、ここで、コアアルファプロファイル（コア_α）は、１≦コア_α≦１００、１≦コア_α≦１０、４≦コア_α≦３０、または１０≦コア_α≦３０である。いくつかの実施の形態において、コアアルファプロファイル（コア_α）は、１０以上、１５以上、２０以上、または２５以上である。

いくつかの実施の形態において、光ファイバ１０は、９マイクロメートル以上の１３１０ｎｍでのモードフィールド径（ＭＦＤ）を有することがあり、それは、他の実施の形態において、９マイクロメートル≦ＭＦＤ≦９．５マイクロメートルの範囲にあり得る。いくつかの実施の形態において、光ファイバ１０は、８．２マイクロメートル≦ＭＦＤ_{１３１０ｎｍ}≦９．６マイクロメートル、または９．０≦ＭＦＤ_{１３１０ｎｍ}≦９．６の１３１０ｎｍでのモードフィールド径を示す。

いくつかの実施の形態において、光ファイバ１０は、１２６０ｎｍ以下の２２ｍケーブルカットオフ、直径２０ｍｍのマンドレル上で０．７５ｄＢ／ｔｕｒｎ以下の１５５０ｎｍでのマクロベンド損失を有することがあり、６．６と８．３の間のＭＡＣＣ数、および１３００ｎｍ≦λ_０≦１３２４ｎｍに及ぶゼロ分散波長λ_０を示すことがある。他の実施の形態において、光ファイバ１０は、１２６０ｎｍ以下の２２ｍケーブルカットオフ、直径２０ｍｍのマンドレル上で０．７０ｄＢ／ｔｕｒｎ以下の１５５０ｎｍでのマクロベンド損失を有することがあり、７．１と８．１の間のＭＡＣＣ数、および１３００ｎｍ≦λ_０≦１３２４ｎｍに及ぶゼロ分散波長λ_０を示すことがあり、８．２マイクロメートル≦ＭＦＤ_{１３１０ｎｍ}≦９．６マイクロメートルの１３１０ｎｍでのモードフィールド径を示すことがある。

いくつかの実施の形態において、光ファイバ１０は、直径２０ｍｍのマンドレル上で０．５ｄＢ／ｔｕｒｎ以下の１５５０ｎｍでのマクロベンド損失を有する。他の実施の形態において、光ファイバ１０は、直径３０ｍｍのマンドレル上で０．０５ｄＢ／ｔｕｒｎ以下の１５５０ｎｍでのマクロベンド損失を有する。さらに他の実施の形態において、光ファイバ１０は、直径３０ｍｍのマンドレル上で０．００５ｄＢ／ｔｕｒｎ以下の１５５０ｎｍでのマクロベンド損失を有する。

光ファイバ１０は、ｒ_ｍａｘ＝約６２．５マイクロメートルのクラッド１８の外半径を有することがある。いくつかの実施の形態において、光ファイバ１０は、ｒ_ｍａｘ＝６２．５マイクロメートルのクラッド１８の外半径を有することがある。

ここに示された光ファイバは、ＩＴＵ Ｇ．６５２およびＧ．６５７Ａ光学性能特性を満たし、１３１０ｎｍおよび１５５０ｎｍでの非常に低い減衰に加え、非常に低いマクロベンド損失およびマイクロベンド損失を示すまたは生じることができる。

光ファイバ１０は、下記に論じられる実施の形態に述べられるように、多数の追加の特徴を有することがある。

ペデスタルおよびトレンチの実施の形態
ここで図２を参照すると、本開示のいくつかの実施の形態による、光ファイバ１０の概略断面図が示されている。単一モード光ファイバ１０は、（ｉ）４以上のコアアルファ（コア_α）、半径ｒ_１および最大屈折率デルタΔ_１ｍａｘ％を有する塩素ドープシリカ系コア１４、および（ｉｉ）コア１４を取り囲むクラッド１８を備えることがある。コア１４を取り囲むクラッド１８は、ａ）コア１４に隣接し、接触し、屈折率デルタΔ_２、半径ｒ_２、およびΔ_２ｍｉｎ＜Δ_１ｍａｘとなるような最小屈折率デルタΔ_２ｍｉｎを有するペデスタル層２６、ｂ）屈折率Δ_３、半径ｒ_３、およびΔ_３ｍｉｎ＜Δ_２となるような最小屈折率デルタΔ_３ｍｉｎを有する、ペデスタル層２６と隣接し、接触する内側クラッド層３０またはトレンチ層３０ａ、およびｃ）Δ_３ｍｉｎ＜Δ_２となるように、屈折率Δ_５、および半径ｒ_４（この場合、ｒ_ｍａｘである）を有する、内側クラッド層３０と隣接し、接触する外側クラッド領域３４を備える。光ファイバ１０は、９マイクロメートル以上の１３１０ｎｍでのモードフィールド径ＭＦＤ、１２６０ｎｍ以下のケーブルカットオフ、１３００ｎｍ≦λ_０≦１３２４ｎｍに及ぶゼロ分散波長、および０．５ｄＢ／ｔｕｒｎ未満の２０ｍｍのマンドレルに関する１５５０ｎｍでのマクロベンド損失を有する。

さらに図２を参照すると、本開示の追加の実施の形態による、単一モード光ファイバ１０の概略断面図の別の態様が示されている。単一モード光ファイバ１０は、（ｉ）４以上のコアアルファ（コア_α）、半径ｒ_１および最大屈折率デルタΔ_１ｍａｘ％を有する塩素ドープシリカ中央コア１４、（ｉｉ）コア１４を取り囲むクラッド１８であって、ａ）コア１４に隣接し、接触し、屈折率デルタΔ_２、半径ｒ_２、およびΔ_２ｍｉｎ＜Δ_１ｍａｘとなるような最小屈折率デルタΔ_２ｍｉｎを有するペデスタル層２６、ｂ）屈折率Δ_３、半径ｒ_３、およびΔ_２ｍｉｎ＜Δ_３ｍａｘとなるような最大屈折率デルタΔ_３ｍａｘを有する、ペデスタル層２６と隣接し、接触する内側クラッド領域３０またはトレンチ層３０ａ、およびｃ）内側クラッド領域３０またはトレンチ層３０ａと隣接し、接触する、Δ_５＜Δ_３ｍａｘとなるように、屈折率Δ_５、および半径ｒ_４（この場合、ｒ_ｍａｘである）を有する、外側クラッド領域３４を備える、クラッド１８を備えることがあり；この光ファイバは、９マイクロメートル以上の１３１０ｎｍでのモードフィールド径ＭＦＤ、１２６０ｎｍ以下のケーブルカットオフ、１３００ｎｍ≦λ_０≦１３２４ｎｍに及ぶゼロ分散波長、および０．７５ｄＢ／ｔｕｒｎ未満の２０ｍｍのマンドレルに関する１５５０ｎｍでのマクロベンド損失を有する。

ここで図３Ａを参照すると、図２に示された光ファイバ１０に関する半径ｒに対する相対屈折率プロファイル（「屈折率プロファイル」）Δのプロットが示されている。光ファイバ１０のペデスタルおよびトレンチの実施の形態のクラッド１８は、以下の順序でコア１４から外側に進む２つの領域を備えることがある：半径ｒ_２および屈折率Δ_２を有する、コア１４を取り囲むペデスタル層２６；半径ｒ_３および屈折率Δ_３を有する、内側クラッド層３０またはトレンチ層３０ａ；および半径ｒ_４（この場合、ｒ_ｍａｘと等しい）を有し、屈折率Δ_５を有する外側クラッド層３４。コア１４およびクラッド１８のそれぞれの屈折率は、Δ_１ｍａｘ≧Δ_５≧Δ_２≧Δ_３ｍｉｎである。

ここで図３Ｂを参照すると、光ファイバ１０のいくつかの実施の形態に関する半径ｒに対する屈折率プロファイルΔが示されている。光ファイバ１０のペデスタルの実施の形態のクラッド１８は、以下の順序で、半径ｒ_１、屈折率Δ_１、および屈折率Δ_１ｍａｘを有するコア１４から外側に進む２つの領域を備えることがある：半径ｒ_２、屈折率Δ_２、およびアルファペデスタルα_{ペデスタル}を有する、コア１４を取り囲むペデスタル層２６；および半径ｒ_４（この場合、ｒ_ｍａｘと等しい）を有し、屈折率Δ_５を有する外側クラッド層３４。コア１４およびクラッド１８のそれぞれの屈折率は、Δ_１ｍａｘ≧Δ_２≧Δ_５である。

ここで図４を参照すると、光ファイバ１０のいくつかの実施の形態に関する半径ｒに対する屈折率プロファイルΔが示されている。光ファイバ１０のペデスタルの実施の形態のクラッド１８は、以下の順序で、半径ｒ_１、屈折率Δ_１、および屈折率Δ_１ｍａｘを有するコア１４から外側に進む２つの領域を備えることがある：半径ｒ_２および屈折率Δ_２を有する、コア１４を取り囲むペデスタル層２６；半径ｒ_３、リング入口アルファα_３ａ、リング出口アルファα_３ｂ、および屈折率Δ_３ｍａｘを有する内側クラッド層３０またはリング層３０ｂ；および半径ｒ_４（この場合、ｒ_ｍａｘと等しい）を有し、屈折率Δ_５を有する外側クラッド層３４。コア１４およびクラッド１８のそれぞれの屈折率は、Δ_１ｍａｘ≧Δ_３ｍａｘ≧Δ_５≧Δ_２である。

いくつかの実施の形態において、ペデスタル層２６は、Ｃｌ濃度、［Ｃｌ］≧０．２質量％で塩素（Ｃｌ）がドープされたシリカから製造することができる。いくつかの実施の形態において、ペデスタル層中のＣｌ濃度は、０．４質量％以上であることがある。他の実施の形態において、ペデスタル層中のＣｌ濃度は、０．５質量％以上であることがある。さらに他の実施の形態において、ペデスタル層中のＣｌ濃度は、０．７質量％以上であることがある。またさらなる実施の形態において、ペデスタル層中のＣｌ濃度は、１．０質量％以上であることがある。他の実施の形態において、ペデスタル層中のＣｌ濃度は、０．２質量％≦［Ｃｌ］≦１．５質量％であることがある。いくつかの実施の形態において、ペデスタル層中のＣｌ濃度は、０．５質量％≦［Ｃｌ］≦１．５質量％であることがある。他の実施の形態において、ペデスタル層２６は、Ｆ濃度、［Ｆ］≧０．２質量％で、フッ素（Ｆ）がドープされたシリカから製造することができる。いくつかの実施の形態において、ペデスタル層中のＦ濃度は、０．５質量％以上、０．７質量％以上、または１質量％以上であることがある。

隣接するクラッド領域は互いに結合され、一方で、ペデスタル層２６はコア１４と接触し、結合される。内側クラッドまたはトレンチ層３０ａは、ペデスタル層２６の外側に位置付けられ、それと接触し得る。外側クラッド層３４は、内側クラッドまたはトレンチ層３０ａの外側に位置付けられ、それと接触し得る。いくつかの実施の形態において、外側クラッド層３４は、未ドープシリカの最も外側の層２２に隣接し、それと接触し得る。

いくつかの実施の形態において、内側クラッドまたはトレンチ層３０ａは、未ドープシリカまたはＣｌ濃度、［Ｃｌ］≧０．１質量％で塩素（Ｃｌ）がドープされたシリカから製造することができる。他の実施の形態において、内側クラッドまたはトレンチ層３０ａ中のＣｌ濃度は、０．４質量％以上であることがある。さらに他の実施の形態において、内側クラッドまたはトレンチ層中のＣｌ濃度は、０質量％≦［Ｃｌ］≦１．５質量％であることがある。いくつかの実施の形態において、内側クラッドまたはトレンチ層３０ａは、Ｆ濃度、［Ｆ］≧０．２質量％でフッ素（Ｆ）がドープされたシリカから製造することができる。他の実施の形態において、ペデスタル層中のＦ濃度は、０．５質量％以上、０．７質量％以上、または１質量％以上であることがある。さらに他の実施の形態において、内側クラッドまたはトレンチ層３０ａ中のＦ濃度は、０質量％≦［Ｆ］≦１．５質量％であることがある。

いくつかの実施の形態において、外側クラッド層３４は、未ドープシリカまたはＣｌ濃度、［Ｃｌ］≧０．１質量％で塩素（Ｃｌ）がドープされたシリカから製造することができる。他の実施の形態において、外側クラッド層３４中のＣｌ濃度は、０．４質量％以上であることがある。さらに他の実施の形態において、外側クラッド層３４中のＣｌ濃度は、０質量％≦［Ｃｌ］≦１．５質量％であることがある。いくつかの実施の形態において、外側クラッド層３４は、Ｆ濃度、［Ｆ］≧０．２質量％でフッ素（Ｆ）がドープされたシリカから製造することができる。他の実施の形態において、ペデスタル層中のＦ濃度は、０．５質量％以上、０．７質量％以上、または１質量％以上であることがある。いくつかの実施の形態において、外側クラッド層３４中のＦ濃度は、０質量％≦［Ｆ］≦１．５質量％であることがある。

いくつかの実施の形態において、質量％のペデスタル層中のフッ素濃度［Ｆ］_{ペデスタル}に対する質量％のコア１４中の塩素濃度［Ｃｌ］_コアは、１以上である、すなわち、（［Ｃｌ］_コア／［Ｆ］_{ペデスタル}）≧１。いくつかの実施の形態において、（［Ｃｌ］_コア／［Ｆ］_{ペデスタル}）≧２。他の実施の形態において、（［Ｃｌ］_コア／［Ｆ］_{ペデスタル}）≧１０。

いくつかの実施の形態において、質量％のトレンチ層中のフッ素濃度［Ｆ］_トレンチに対する質量％のコア１４中の塩素濃度［Ｃｌ］_コアは、１以上である、すなわち、（［Ｃｌ］_コア／［Ｆ］_トレンチ）≧１。いくつかの実施の形態において、（［Ｃｌ］_コア／［Ｆ］_トレンチ）≧２。他の実施の形態において、（［Ｃｌ］_コア／［Ｆ］_トレンチ）≧１０。

下記の表１は、コアドーパントが塩素であり、ペデスタルドーパントが塩素またはフッ素の少なくとも一方である、光ファイバ１０に使用されるペデスタルおよびトレンチの実施の形態の８つの実施例（Ｅｘ．１．１からＥｘ．１．８）を示している。いくつかの実施の形態において、外側クラッドドーパント（表１にΔ_５と称される）は塩素である。「ｎａ」という用語は「該当なし」を示す。「Ａｔｔ」という用語は減衰を示す。

表１におけるモデル化光ファイバからの結果は、ＩＴＵ Ｇ．６５２およびＧ．６５７Ａ光学性能特性を満たし、１３１０ｎｍおよび１５５０ｎｍでの非常に低いマクロベンド損失およびマイクロベンド損失並びに非常に低い減衰を有する光ファイバを示す。これらの実施例において、質量％［Ｃｌ］_コア／質量％［Ｆ］_{ペデスタル}は、（［Ｃｌ］_コア／［Ｆ］_{ペデスタル}）≧１である。これらの実施例において、質量％［Ｃｌ］_コア／質量％［Ｆ］_トレンチは、（［Ｃｌ］_コア／［Ｆ］_トレンチ）≧１である。

ここで図５または実施例１．１を参照すると、光ファイバ１０のいくつかの実施の形態に関する半径ｒに対する屈折率プロファイルΔが示されている。光ファイバ１０のペデスタルの実施の形態のクラッド１８は、以下の順序で、半径ｒ_１、屈折率Δ_１、および屈折率Δ_１ｍａｘを有するコア１４から外側に進む２つの領域を備えることがある：半径ｒ_２、アルファペデスタルα_{ペデスタル}、および屈折率Δ_２を有する、コア１４を取り囲むペデスタル層２６；半径ｒ_３、アルファトレンチα_トレンチ、屈折率Δ_３を有する内側クラッド層３０またはトレンチ層３０ａ；および半径ｒ_４（この場合、ｒ_ｍａｘと等しい）を有し、屈折率Δ_５を有する外側クラッド層３４。コア１４およびクラッド１８のそれぞれの屈折率は、Δ_１ｍａｘ≧Δ_２≧Δ_５≧Δ_３である。

ここで図６または実施例１．２を参照すると、光ファイバ１０のいくつかの実施の形態に関する半径ｒに対する屈折率プロファイルΔが示されている。光ファイバ１０のペデスタルの実施の形態のクラッド１８は、以下の順序で、半径ｒ_１、屈折率Δ_１、および屈折率Δ_１ｍａｘを有するコア１４から外側に進む２つの領域を備えることがある：半径ｒ_２、アルファペデスタルα_{ペデスタル}、および屈折率Δ_２を有する、コア１４を取り囲むペデスタル層２６；半径ｒ_３、アルファトレンチα_トレンチ、屈折率Δ_３を有する内側クラッド層３０またはトレンチ層３０ａ；および半径ｒ_４（この場合、ｒ_ｍａｘと等しい）を有し、屈折率Δ_５を有する外側クラッド層３４。コア１４およびクラッド１８のそれぞれの屈折率は、Δ_１ｍａｘ≧Δ_２≧Δ_５≧Δ_３である。

ここで図７〜１０または実施例１．３〜１．６を参照すると、光ファイバ１０のいくつかの実施の形態に関する半径ｒに対する屈折率プロファイルΔが示されている。光ファイバ１０のペデスタルの実施の形態のクラッド１８は、以下の順序で、半径ｒ_１、屈折率Δ_１、および屈折率Δ_１ｍａｘを有するコア１４から外側に進む２つの領域を備えることがある：半径ｒ_２、アルファペデスタルα_{ペデスタル}、および屈折率Δ_２を有する、コア１４を取り囲むペデスタル層２６；および半径ｒ_３（この場合、ｒ_ｍａｘと等しい）および屈折率Δ_３を有する内側クラッド層３０またはトレンチ層３０ａ。コア１４およびクラッド１８のそれぞれの屈折率は、Δ_１ｍａｘ≧Δ_２≧Δ_３である。

ここで図１１または実施例１．７を参照すると、光ファイバ１０のいくつかの実施の形態に関する半径ｒに対する屈折率プロファイルΔが示されている。光ファイバ１０のペデスタルの実施の形態のクラッド１８は、以下の順序で、半径ｒ_１、屈折率Δ_１、および屈折率Δ_１ｍａｘを有するコア１４から外側に進む２つの領域を備えることがある：半径ｒ_２、アルファペデスタルα_{ペデスタル}、および屈折率Δ_２を有する、コア１４を取り囲むペデスタル層２６；半径ｒ_３、アルファトレンチα_トレンチ、屈折率Δ_３を有する内側クラッド層３０またはトレンチ層３０ａ；および半径ｒ_４（この場合、ｒ_ｍａｘと等しい）を有し、屈折率Δ_５を有する外側クラッド層３４。コア１４およびクラッド１８のそれぞれの屈折率は、Δ_１ｍａｘ≧Δ_２≧Δ_５≧Δ_３である。

ここで図１２または実施例１．８を参照すると、光ファイバ１０のいくつかの実施の形態に関する半径ｒに対する屈折率プロファイルΔが示されている。光ファイバ１０のペデスタルの実施の形態のクラッド１８は、以下の順序で、半径ｒ_１、屈折率Δ_１、および屈折率Δ_１ｍａｘを有するコア１４から外側に進む２つの領域を備えることがある：半径ｒ_２、アルファペデスタルα_{ペデスタル}、および屈折率Δ_２を有する、コア１４を取り囲むペデスタル層２６；および半径ｒ_３（この場合、ｒ_ｍａｘと等しい）および屈折率Δ_３を有する内側クラッド層３０またはトレンチ層３０ａ。コア１４およびクラッド１８のそれぞれの屈折率は、Δ_１ｍａｘ≧Δ_２≧Δ_３である。

下記の表２は、コアおよびリング（Δ_２）ドーパントが塩素であり、Δ_３およびΔ_４ドーパントが塩素である、光ファイバ１０に使用されるリングの実施の形態の２つの実施例（Ｅｘ．２．１およびＥｘ．２．２）を示している。

表２におけるモデル化光ファイバからの結果は、ＩＴＵ Ｇ．６５２およびＧ．６５７Ａ光学性能特性を満たし、１３１０ｎｍおよび１５５０ｎｍでの非常に低いマクロベンド損失およびマイクロベンド損失並びに非常に低い減衰を有する光ファイバを示す。

ここで図１３または実施例２．１を参照すると、光ファイバ１０のいくつかの実施の形態に関する半径ｒに対する屈折率プロファイルΔが示されている。光ファイバ１０のペデスタルの実施の形態のクラッド１８は、以下の順序で、半径ｒ_１、屈折率Δ_１、および屈折率Δ_１ｍａｘを有するコア１４から外側に進む２つの領域を備えることがある：半径ｒ_２および屈折率Δ_２を有する、コア１４を取り囲むペデスタル層２６；半径ｒ_３、リング入口アルファα_３ａ、リング出口アルファα_３ｂ、および屈折率Δ_３ｍａｘを有する内側クラッド層３０またはリング層３０ｂ；および半径ｒ_４（この場合、ｒ_ｍａｘと等しい）を有し、屈折率Δ_５を有する外側クラッド層３４。コア１４およびクラッド１８のそれぞれの屈折率は、Δ_１ｍａｘ≧Δ_３ｍａｘおよびΔ_５＝Δ_２である。

ここで図１４または実施例２．２を参照すると、光ファイバ１０のいくつかの実施の形態に関する半径ｒに対する屈折率プロファイルΔが示されている。光ファイバ１０のペデスタルの実施の形態のクラッド１８は、以下の順序で、半径ｒ_１、屈折率Δ_１、および屈折率Δ_１ｍａｘを有するコア１４から外側に進む２つの領域を備えることがある：半径ｒ_２および屈折率Δ_２を有する、コア１４を取り囲むペデスタル層２６；半径ｒ_３、リング入口アルファα_３ａ、リング出口アルファα_３ｂ、および屈折率Δ_３ｍａｘを有する内側クラッド層３０またはリング層３０ｂ；および半径ｒ_４（この場合、ｒ_ｍａｘと等しい）を有し、屈折率Δ_５を有する外側クラッド層３４。コア１４およびクラッド１８のそれぞれの屈折率は、Δ_１ｍａｘ≧Δ_３ｍａｘ≧Δ_５≧Δ_２である。

いくつかの実施の形態において、Δ_１ｍａｘは、０．１０％≦Δ_１ｍａｘ≦０．４５％、０．１３％≦Δ_１ｍａｘ≦０．３９％、０．１４％≦Δ_１ｍａｘ≦０．３７％、０．１０％≦Δ_１ｍａｘ≦０．４０％、または０．１３％≦Δ_１ｍａｘ≦０．３６％に及ぶ。他の実施の形態において、Δ_１ｍａｘは、０．１２％、０．１３％、０．１４％、０．１５％、０．１６％、０．１７％、０．１８％、０．３３％、０．３４％、０．３５％、０．３６％、０．３７％、０．３８％、または０．３９％であり得る。

いくつかの実施の形態において、ペデスタルの半径ｒ_２は、４．５マイクロメートル≦ｒ_２≦２０．５マイクロメートル、４．５マイクロメートル≦ｒ_２≦７．５マイクロメートル、５．３マイクロメートル≦ｒ_２≦１７．５マイクロメートル、５．３マイクロメートル≦ｒ_２≦８．０マイクロメートル、５．５マイクロメートル≦ｒ_２≦２０．５マイクロメートル、７．５マイクロメートル≦ｒ_２≦１７．５マイクロメートル、６．０マイクロメートル≦ｒ_２≦１７．５マイクロメートル、または９．０マイクロメートル≦ｒ_２≦１６．０マイクロメートルに及ぶ。他の実施の形態において、ｒ_２は、約６．０マイクロメートル、６．３マイクロメートル、６．５マイクロメートル、６．８マイクロメートル、７．０マイクロメートル、７．３マイクロメートル、１０．０マイクロメートル、１２．５マイクロメートル、１５．０マイクロメートル、１７．５マイクロメートル、または２０．５マイクロメートルであり得る。

いくつかの実施の形態において、屈折率Δ_２は、０％≦Δ_２≦１．０％、０％≦Δ_２≦０．５％、または０％≦Δ_２≦０．１％に及ぶ。他の実施の形態において、Δ_２は、約０．０１％、０．０３％、０．０５％、０．０７％、または０．０９％であり得る。

ペデスタル体積は、％デルタ・マイクロメートル^２の単位の絶対値で報告される。いくつかの実施の形態において、ペデスタル体積は、０．５％デルタ・マイクロメートル^２≦Ｖ_{ペデスタル}≦１５％デルタ・マイクロメートル^２、他の実施の形態において、０．５％デルタ・マイクロメートル^２≦Ｖ_{ペデスタル}≦６％デルタ・マイクロメートル^２である。トレンチ体積は、％デルタ・マイクロメートル^２の単位の絶対値で報告される。いくつかの実施の形態において、トレンチ体積は、１％デルタ・マイクロメートル^２≦Ｖ_トレンチ≦１５％デルタ・マイクロメートル^２、他の実施の形態において、２％デルタ・マイクロメートル^２≦Ｖ_トレンチ≦６％デルタ・マイクロメートル^２である。

いくつかの実施の形態において、内側クラッドまたはトレンチの半径ｒ_３は、１５．０マイクロメートル≦ｒ_３≦７５．０マイクロメートル、１５．０マイクロメートル≦ｒ_３≦６５．０マイクロメートル、１５．０マイクロメートル≦ｒ_３≦３０．０マイクロメートル、または５０．０マイクロメートル≦ｒ_３≦７０．０マイクロメートルに及ぶ。他の実施の形態において、ｒ_３は、約１５．０マイクロメートル、２０．０マイクロメートル、２５．０マイクロメートル、３０．０マイクロメートル、３５．０マイクロメートル、４０．０マイクロメートル、４５．０マイクロメートル、５０．０マイクロメートル、５５．０マイクロメートル、６０．０マイクロメートル、６５．０マイクロメートル、７．３マイクロメートル、１０．０マイクロメートル、１２．５マイクロメートル、１５．０マイクロメートル、１７．５マイクロメートル、または２０．５マイクロメートルであり得る。

Δ_３は、Δ_３ｍａｘおよびΔ_３ｍｉｎの両方を含むことがある。いくつかの実施の形態において、屈折率Δ_３ｍａｘは、−１．５％≦Δ_３ｍａｘ≦１．５％、−０．５％≦Δ_３ｍａｘ≦０．５％、０％≦Δ_３ｍａｘ≦１．０％、０％≦Δ_３ｍａｘ≦０．５％、または０％≦Δ_３ｍａｘ≦０．０５％に及ぶ。他の実施の形態において、Δ_３ｍａｘは、約０％、０．０１％、０．０３％、０．０５％、０．０７％、０．０９％、−０．０１％、−０．０３％、−０．０５％、−０．０７％、または−０．０９％であり得る。いくつかの実施の形態において、屈折率Δ_３ｍｉｎは、−１．５％≦Δ_３ｍｉｎ≦１．５％、−０．５％≦Δ_３ｍｉｎ≦０．５％、０％≦Δ_３ｍｉｎ≦１．０％、０％≦Δ_３ｍｉｎ≦０．５％、または０％≦Δ_３ｍｉｎ≦０．０５％に及ぶ。他の実施の形態において、Δ_３ｍｉｎは、約０％、０．０１％、０．０３％、０．０５％、０．０７％、０．０９％、−０．０１％、−０．０３％、−０．０５％、−０．０７％、または−０．０９％であり得る。

他の実施の形態において、ｒ_ｍａｘは、約６２．５マイクロメートルであり得る。いくつかの実施の形態において、屈折率Δ_５は、−１．５％≦Δ_５≦１．５％、−０．５％≦Δ_５≦０．５％、０％≦Δ_５≦１．０％、０％≦Δ_５≦０．５％、または０％≦Δ_５≦０．０５％に及ぶ。他の実施の形態において、Δ_５は、約０％、０．０１％、０．０３％、０．０５％、０．０７％、０．０９％、０．１０％、０．１５％、０．２０％、０．２５％、−０．０１％、−０．０３％、−０．０５％、−０．０７％、−０．０９％、−０．１０％、−０．１５％、−０．２０％、または−０．２５％であり得る。

いくつかの実施の形態において、光ファイバ１０は、直径２０ｍｍのマンドレル上で０．７５ｄＢ／ｔｕｒｎ以下の１５５０ｎｍでのマクロベンド損失を有する。他の実施の形態において、光ファイバ１０は、直径２０ｍｍのマンドレル上で０．５ｄＢ／ｔｕｒｎの１５５０ｎｍでのマクロベンド損失を有する。さらに他の実施の形態において、光ファイバ１０は、直径３０ｍｍのマンドレル上で０．０５ｄＢ／ｔｕｒｎ以下の１５５０ｎｍでのマクロベンド損失を有する。追加の実施の形態において、光ファイバ１０は、直径３０ｍｍのマンドレル上で０．００５ｄＢ／ｔｕｒｎ以下の１５５０ｎｍでのマクロベンド損失を有する。

いくつかの実施の形態において、光ファイバ１０は、０．１ｄＢ／ｋｍ以下の、１５５０ｎｍでのワイヤメッシュ被覆ドラムマイクロベンド損失ＷＭＣＤを示すことがある。他の実施の形態において、ワイヤメッシュ被覆ドラムマイクロベンド損失ＷＭＣＤは、０．０５ｄＢ／ｋｍ以下である。

いくつかの実施の形態において、１５５０ｎｍでの減衰は、ペデスタルの実施の形態について、０．１９ｄＢ／ｋｍ以下であり得る。他の実施の形態において、１５５０ｎｍでの減衰は、ペデスタルの実施の形態について、０．１８ｄＢ／ｋｍ以下であり得る。さらに他の実施の形態において、１５５０ｎｍでの減衰は、ペデスタルの実施の形態について、０．１７ｄＢ／ｋｍ以下であり得る。

いくつかの実施の形態において、１３１０ｎｍでの減衰は、ペデスタルの実施の形態について、０．３３ｄＢ／ｋｍ以下であり得る。他の実施の形態において、１３１０ｎｍでの減衰は、ペデスタルの実施の形態について、０．３２ｄＢ／ｋｍ以下であり得る。さらに他の実施の形態において、１３１０ｎｍでの減衰は、ペデスタルの実施の形態について、０．３１ｄＢ／ｋｍ以下であり得る。

いくつかの実施の形態において、１５５０ｎｍでの減衰は、リングの実施の形態について、０．１９ｄＢ／ｋｍ以下であり得る。他の実施の形態において、１５５０ｎｍでの減衰は、リングの実施の形態について、０．１８ｄＢ／ｋｍ以下であり得る。さらに他の実施の形態において、１５５０ｎｍでの減衰は、リングの実施の形態について、０．１７ｄＢ／ｋｍ以下であり得る。

いくつかの実施の形態において、１３１０ｎｍでの減衰は、リングの実施の形態について、０．３３ｄＢ／ｋｍ以下であり得る。他の実施の形態において、１３１０ｎｍでの減衰は、リングの実施の形態について、０．３２ｄＢ／ｋｍ以下であり得る。さらに他の実施の形態において、１３１０ｎｍでの減衰は、リングの実施の形態について、０．３１ｄＢ／ｋｍ以下であり得る。

いくつかの実施の形態において、光ファイバ１０は、１３００ｎｍ≦λ_０≦１３２４ｎｍのゼロ分散波長λ_０を有する。

いくつかの実施の形態において、光ファイバ１０は、８．２マイクロメートル≦ＭＤＦ_{１３１０ｎｍ}≦９．６マイクロメートルの１３１０ｎｍでのモードフィールド径（ＭＤＦ_{１３１０ｎｍ}）を示す。他の実施の形態において、光ファイバ１０は、９．０マイクロメートル≦ＭＤＦ_{１３１０ｎｍ}≦９．５マイクロメートルの１３１０ｎｍでのモードフィールド径を示す。

ここで図４を参照すると、図２に示された光ファイバ１０のいくつかの態様に関する半径ｒに対する相対屈折率プロファイル（「屈折率プロファイル」）のプロットまたはプロファイル図が示されている。図４に示された光ファイバ１０は、Δ_３とΔ_５の間で屈折率が段階的に変化している、塩素ドープコア１４を備える。いくつかの実施の形態において、コア１４およびクラッド１８のそれぞれの屈折率は、Δ_１ｍａｘ≧Δ_５≧Δ_２≧Δ_３ｍｉｎである。

この被覆ファイバのコアとクラッドは、当該技術分野で周知の方法によって、一段階操作または多段階操作で製造することができる。適切な方法としては、二重坩堝法、ロッド・イン・チューブ手順、および化学的気相成長法（「ＣＶＤ」）または気相酸化法とも一般に称されるドープ堆積シリカ法が挙げられる。様々なＣＶＤ法が公知であり、ここに開示された被覆光ファイバに使用されるコアおよびクラッド層の製造に適している。それらの方法としては、外部ＣＶＤ法、軸付け気相成長法、改良ＣＶＤ（ＭＣＶＤ）、内付け気相成長法、およびプラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）が挙げられる。

被覆ファイバのガラス部分は、ガラスを軟化させるのに十分な温度、例えば、シリカガラスでは約２０００℃の温度に局所的かつ対称的に加熱された、特別に調製された円柱プリフォームから線引きされることがある。プリフォームを炉に供給し、その中に通すことなどによって、プリフォームが加熱されたときに、その溶融材料からガラスファイバが線引きされる。例えば、ファイバ製造過程についてのさらなる詳細について、その開示がここに引用される、米国特許第７５６５８２０号、同第５４１０５６７号、同第７８３２６７５号、および同第６０２７０６２号の各明細書を参照のこと。

本発明のペデスタルおよびトレンチの塩素の実施の形態に記載された光ファイバ１０は、塩素ドープシリカ中央コア１４と、クラッド１８の１つ以上の層との間に位置付けられた１つ以上のコーティングを備えることがある。いくつかの実施の形態において、塩素ドープシリカ中央コア１４の外径と接触した一次被覆およびその一次被覆の外径と接触した二次被覆がある。

前記一次被覆は、オリゴマーおよびモノマーを含む硬化性組成物から形成されることがある。そのオリゴマーは、ウレタンアクリレートまたはアクリレートが置換されたウレタンアクリレートであることがある。アクリレートが置換されたウレタンアクリレートは、ウレタンメタクリレートであることがある。そのオリゴマーは、ウレタン基を含むことがある。そのオリゴマーは、１つ以上のウレタン基を含むウレタンアクリレートであることがある。そのオリゴマーは、１つ以上のウレタン基を含む、アクリレートが置換されたウレタンアクリレートあることがある。ウレタン基は、イソシアネート基とアルコール基の反応生成物として形成されることがある。

前記一次被覆は、１ＭＰａ以下、０．５０ＭＰａ以下、０．２５ＭＰａ以下、０．２０ＭＰａ以下、０．１９ＭＰａ以下、０．１８ＭＰａ以下、０．１７ＭＰａ以下、０．１６ＭＰａ以下、または０．１５ＭＰａ以下のその場(in situ)弾性率を有することがある。その一次被覆のガラス転移温度は、−１５℃以下、−２５℃以下、−３０℃以下、または−４０℃以下であることがある。

前記二次被覆は、１つ以上のモノマーを含む硬化性二次組成物から形成されることがある。その１つ以上のモノマーとしては、ビスフェノールＡジアクリレート、または置換ビスフェノールＡジアクリレート、またはアルコキシル化ビスフェノールＡジアクリレートが挙げられる。そのアルコキシル化ビスフェノールＡジアクリレートは、エトキシル化ビスフェノールＡジアクリレートであることがある。その硬化性二次組成物は、オリゴマーをさらに含むことがある。そのオリゴマーは、ウレタンアクリレートまたはアクリレートが置換されたウレタンアクリレートであることがある。その二次組成物は、ウレタン基、ウレタンアクリレート化合物、ウレタンオリゴマー、またはウレタンアクリレートオリゴマーを含まないことがある。

その二次被覆は、弾性率およびガラス転移温度が一次被覆よりも高い材料であることがある。その二次被覆のその場弾性率は、１２００ＭＰａ以上、１５００ＭＰａ以上、１８００ＭＰａ以上、２１００ＭＰａ以上、２４００ＭＰａ以上、または２７００ＭＰａ以上であることがある。その二次被覆は、約１５００ＭＰａと１０，０００ＭＰａの間、または１５００Ｐａと５０００ＭＰａの間のその場弾性率を有することがある。二次被覆のその場ガラス転移温度は、少なくとも５０℃、少なくとも５５℃、少なくとも６０℃、または５５℃と６５℃の間であることがある。

その被覆ファイバの半径は、二次被覆の外径と一致する。その被覆ファイバの半径は、１２５μｍ以下、１１０μｍ以下、１０５μｍ以下、または１００μｍ以下であることがある。いくつかの実施の形態において、被覆光ファイバの直径は、１５０マイクロメートル≦被覆光ファイバの直径≦２１０マイクロメートルである。被覆ファイバ内において、ガラスの半径（クラッドの外径と一致する）は、少なくとも５０μｍ、少なくとも５５μｍ、少なくとも６０μｍ、または少なくとも６２．５μｍであることがある。塩素ドープシリカ中央コア１４領域は、一次被覆に囲まれることがある。その一次被覆の外半径は、８５μｍ以下、８２．５μｍ以下、８０μｍ以下、７７．５μｍ以下、または７５μｍ以下であることがある。被覆ファイバの直径の残りは、二次被覆により与えられる。

請求項の精神および範囲から逸脱せずに、様々な改変および変更を行えることが、当業者に明白である。

非限定的実施の形態の列挙
実施の形態Ａは、単一モード光ファイバにおいて、（ｉ）コアアルファ（コア_α）≧４、半径ｒ_１、および最大屈折率デルタΔ_１ｍａｘを有する塩素ドープシリカ系コアと；（ｉｉ）そのコアを取り囲むクラッドであって、ａ）コアに隣接し、接触し、屈折率デルタΔ_２、半径ｒ_２、およびΔ_２ｍｉｎ＜Δ_１ｍａｘとなるような最小屈折率デルタΔ_２ｍｉｎを有する第１の内側クラッド領域、およびｂ）第１の内側クラッド領域を取り囲み、Δ_２ｍｉｎ≧Δ_５となるような、屈折率Δ_５、および半径ｒ_ｍａｘを有する外側クラッド領域を含むクラッドとを備える単一モード光ファイバである。この光ファイバは、９マイクロメートル以上の、１３１０ｎｍでのモードフィールド径ＭＦＤ、１２６０ｎｍ以下のケーブルカットオフ、１３００ｎｍ≦λ_０≦１３２４ｎｍに及ぶゼロ分散波長、および０．７５ｄＢ／ｔｕｒｎ未満の、２０ｍｍのマンドレルに関する１５５０ｎｍでのマクロベンド損失を有する。

第１の内側クラッド領域に隣接し、接触し、屈折率Δ_３、半径ｒ_３、およびΔ_３ｍｉｎ＜Δ_２となるような最小屈折率デルタΔ_３ｍｉｎを有する第２の内側クラッド領域を備える、実施の形態Ａの単一モード光ファイバ。

第２の内側クラッド領域を取り囲む外側クラッド領域が、Δ_３ｍｉｎ＜Δ_５となるような屈折率Δ_５および半径ｒ_ｍａｘを有する、実施の形態Ａまたは介在する特徴のいずれかを有する実施の形態Ａの単一モード光ファイバ。

１．５質量％以上のコア中の塩素濃度をさらに有する、実施の形態Ａまたは介在する特徴のいずれかを有する実施の形態Ａの単一モード光ファイバ。

１５５０ｎｍでのマクロベンド損失が直径２０ｍｍのマンドレルで０．５ｄＢ／ｔｕｒｎ以下である、実施の形態Ａまたは介在する特徴のいずれかを有する実施の形態Ａの単一モード光ファイバ。

最大屈折率Δ_１ｍａｘが０．１０％≦Δ_１ｍａｘ≦０．４５％に及ぶ、実施の形態Ａまたは介在する特徴のいずれかを有する実施の形態Ａの単一モード光ファイバ。

最小屈折率Δ_３ｍｉｎが−０．５％≦Δ_３ｍｉｎ≦０．２５％である、実施の形態Ａまたは介在する特徴のいずれかを有する実施の形態Ａの単一モード光ファイバ。

最小屈折率Δ_３ｍｉｎが−０．２５％≦Δ_３ｍｉｎ≦０．１５％である、実施の形態Ａまたは介在する特徴のいずれかを有する実施の形態Ａの単一モード光ファイバ。

半径ｒ_３が１２．０マイクロメートル≦ｒ_３≦２５．０マイクロメートルである、実施の形態Ａまたは介在する特徴のいずれかを有する実施の形態Ａの単一モード光ファイバ。

１５５０ｎｍで光ファイバに示されるマクロベンド損失が、直径２０ｍｍのマンドレル上で０．７０ｄＢ／ｔｕｒｎ以下であり、７．１と８．１の間のＭＡＣＣ数を示す、実施の形態Ａまたは介在する特徴のいずれかを有する実施の形態Ａの単一モード光ファイバ。

実施の形態Ｂは、単一モード光ファイバにおいて、（ｉ）コアアルファ（コア_α）≧４、半径ｒ_１、および最大屈折率デルタΔ_１ｍａｘを有する塩素ドープシリカ系コアと；（ｉｉ）そのコアを取り囲むクラッドであって、ａ）コアに隣接し、接触し、屈折率デルタΔ_２、半径ｒ_２、およびΔ_２ｍｉｎ＜Δ_１ｍａｘとなるような最小屈折率デルタΔ_２ｍｉｎを有する第１の内側クラッド領域、ｂ）第１の内側クラッド領域と隣接し、接触し、屈折率Δ_３、半径ｒ_３、およびΔ_２ｍｉｎ＜Δ_３ｍａｘとなるような最大屈折率デルタΔ_３ｍａｘを有する第２の内側クラッド領域、およびｃ）第２の内側クラッド領域を取り囲み、Δ_５＜Δ_３ｍａｘとなるような、屈折率Δ_５、および半径ｒ_ｍａｘを有する外側クラッド領域を含むクラッドとを備える単一モード光ファイバである。この光ファイバは、９マイクロメートル以上の、１３１０ｎｍでのモードフィールド径ＭＦＤ、１２６０ｎｍ以下のケーブルカットオフ、１３００ｎｍ≦λ_０≦１３２４ｎｍに及ぶゼロ分散波長、および０．７５ｄＢ／ｔｕｒｎ未満の、２０ｍｍのマンドレルに関する１５５０ｎｍでのマクロベンド損失を有する。

１．５質量％以上のコア中の塩素濃度をさらに有する、実施の形態Ｂの単一モード光ファイバ。

１５５０ｎｍでのマクロベンド損失が直径２０ｍｍのマンドレルで０．５ｄＢ／ｔｕｒｎ以下である、実施の形態Ｂまたは介在する特徴のいずれかを有する実施の形態Ｂの単一モード光ファイバ。

１５５０ｎｍでのマクロベンド損失が直径３０ｍｍのマンドレルで０．００５ｄＢ／ｔｕｒｎ以下である、実施の形態Ｂまたは介在する特徴のいずれかを有する実施の形態Ｂの単一モード光ファイバ。

最大屈折率Δ_１ｍａｘが０．１０％≦Δ_１ｍａｘ≦０．４５％に及ぶ、実施の形態Ｂまたは介在する特徴のいずれかを有する実施の形態Ｂの単一モード光ファイバ。

コア_α≧１５である、実施の形態Ｂまたは介在する特徴のいずれかを有する実施の形態Ｂの単一モード光ファイバ。

最大屈折率Δ_３ｍａｘが−０．５％≦Δ_３ｍａｘ≦０．２５％である、実施の形態Ｂまたは介在する特徴のいずれかを有する実施の形態Ｂの単一モード光ファイバ。

半径ｒ_３が１５．０マイクロメートル≦ｒ_３≦１５．０マイクロメートルである、実施の形態Ｂまたは介在する特徴のいずれかを有する実施の形態Ｂの単一モード光ファイバ。

１５５０ｎｍで光ファイバに示されるマクロベンド損失が、直径２０ｍｍのマンドレル上で０．７０ｄＢ／ｔｕｒｎ以下であり、７．１と８．１の間のＭＡＣＣ数を示す、実施の形態Ｂまたは介在する特徴のいずれかを有する実施の形態Ｂの単一モード光ファイバ。

光ファイバが、０．１ｄＢ／ｋｍ以下の１５５０ｎｍでのワイヤメッシュ被覆ドラムマイクロベンド損失（ＷＭＣＤ）を有する、実施の形態Ｂまたは介在する特徴のいずれかを有する実施の形態Ｂの単一モード光ファイバ。

以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。

実施形態１
単一モード光ファイバにおいて、
（ｉ）コアアルファ（コア_α）≧４、半径ｒ_１、および最大屈折率デルタΔ_１ｍａｘを有する塩素ドープシリカ系コアと；
（ｉｉ）前記コアを取り囲むクラッドであって、
ａ）前記コアに隣接し、接触し、屈折率デルタΔ_２、半径ｒ_２、およびΔ_２ｍｉｎ＜Δ_１ｍａｘとなるような最小屈折率デルタΔ_２ｍｉｎを有する第１の内側クラッド領域、および
ｂ）前記第１の内側クラッド領域を取り囲み、Δ_２ｍｉｎ≧Δ_５となるような、屈折率Δ_５、および半径ｒ_ｍａｘを有する外側クラッド領域、
を含むクラッドと；
を備え、
９マイクロメートル以上の、１３１０ｎｍでのモードフィールド径ＭＦＤ、１２６０ｎｍ以下のケーブルカットオフ、１３００ｎｍ≦λ_０≦１３２４ｎｍに及ぶゼロ分散波長、および０．７５ｄＢ／ｔｕｒｎ未満の、２０ｍｍのマンドレルに関する１５５０ｎｍでのマクロベンド損失を有する、単一モード光ファイバ。

実施形態２
前記第１の内側クラッド領域に隣接し、接触し、屈折率Δ_３、半径ｒ_３、およびΔ_３ｍｉｎ＜Δ_２となるような最小屈折率デルタΔ_３ｍｉｎを有する第２の内側クラッド領域を備える、実施形態１に記載の単一モード光ファイバ。

実施形態３
前記第２の内側クラッド領域を取り囲む前記外側クラッド領域が、Δ_３ｍｉｎ＜Δ_５となるような屈折率Δ_５および半径ｒ_ｍａｘを有する、実施形態２に記載の単一モード光ファイバ。

実施形態４
１．５質量％以上の前記コア中の塩素濃度をさらに有する、実施形態１から３のいずれか１つに記載の単一モード光ファイバ。

実施形態５
１５５０ｎｍでのマクロベンド損失が直径２０ｍｍのマンドレルで０．５ｄＢ／ｔｕｒｎ以下である、実施形態１から４のいずれか１つに記載の単一モード光ファイバ。

実施形態６
前記最大屈折率Δ_１ｍａｘが０．１０％≦Δ_１ｍａｘ≦０．４５％に及ぶ、実施形態１から５のいずれか１つに記載の単一モード光ファイバ。

実施形態７
前記最小屈折率Δ_３ｍｉｎが−０．５％≦Δ_３ｍｉｎ≦０．２５％である、実施形態１から６のいずれか１つに記載の単一モード光ファイバ。

実施形態８
前記最小屈折率Δ_３ｍｉｎが−０．２５％≦Δ_３ｍｉｎ≦０．１５％である、実施形態１から７のいずれか１つに記載の単一モード光ファイバ。

実施形態９
前記半径ｒ_３が１２．０マイクロメートル≦ｒ_３≦２５．０マイクロメートルである、実施形態１から８のいずれか１つに記載の単一モード光ファイバ。

実施形態１０
１５５０ｎｍで前記光ファイバに示されるマクロベンド損失が、直径２０ｍｍのマンドレル上で０．７０ｄＢ／ｔｕｒｎ以下であり、７．１と８．１の間のＭＡＣＣ数を示す、実施形態１から９のいずれか１つに記載の単一モード光ファイバ。

実施形態１１
単一モード光ファイバにおいて、
（ｉ）コアアルファ（コア_α）≧４、半径ｒ_１、および最大屈折率デルタΔ_１ｍａｘを有する塩素ドープシリカ系コアと；
（ｉｉ）前記コアを取り囲むクラッドであって、
ａ）前記コアに隣接し、接触し、屈折率デルタΔ_２、半径ｒ_２、およびΔ_２ｍｉｎ＜Δ_１ｍａｘとなるような最小屈折率デルタΔ_２ｍｉｎを有する第１の内側クラッド領域、
ｂ）前記第１の内側クラッド領域と隣接し、接触し、屈折率Δ_３、半径ｒ_３、およびΔ_２ｍｉｎ＜Δ_３ｍａｘとなるような最大屈折率デルタΔ_３ｍａｘを有する第２の内側クラッド領域、および
ｃ）前記第２の内側クラッド領域を取り囲み、Δ_５＜Δ_３ｍａｘとなるような、屈折率Δ_５、および半径ｒ_ｍａｘを有する外側クラッド領域、
を含むクラッドと；
を備え、
９マイクロメートル以上の、１３１０ｎｍでのモードフィールド径ＭＦＤ、１２６０ｎｍ以下のケーブルカットオフ、１３００ｎｍ≦λ_０≦１３２４ｎｍに及ぶゼロ分散波長、および０．７５ｄＢ／ｔｕｒｎ未満の、２０ｍｍのマンドレルに関する１５５０ｎｍでのマクロベンド損失を有する、単一モード光ファイバ。

実施形態１２
１．５質量％以上の前記コア中の塩素濃度をさらに有する、実施形態１１に記載の単一モード光ファイバ。

実施形態１３
１５５０ｎｍでのマクロベンド損失が直径２０ｍｍのマンドレルで０．５ｄＢ／ｔｕｒｎ以下である、実施形態１１または１２に記載の単一モード光ファイバ。

実施形態１４
１５５０ｎｍでのマクロベンド損失が直径３０ｍｍのマンドレルで０．００５ｄＢ／ｔｕｒｎ以下である、実施形態１１から１３のいずれか１つに記載の単一モード光ファイバ。

実施形態１５
前記最大屈折率Δ_１ｍａｘが０．１０％≦Δ_１ｍａｘ≦０．４５％に及ぶ、実施形態１１から１４のいずれか１つに記載の単一モード光ファイバ。

実施形態１６
コア_α≧１５である、実施形態１１から１５のいずれか１つに記載の単一モード光ファイバ。

実施形態１７
前記最大屈折率Δ_３ｍａｘが−０．５％≦Δ_３ｍａｘ≦０．２５％である、実施形態１１から１６のいずれか１つに記載の単一モード光ファイバ。

実施形態１８
前記半径ｒ_３が１５．０マイクロメートル≦ｒ_３≦１５．０マイクロメートルである、実施形態１１から１７のいずれか１つに記載の単一モード光ファイバ。

実施形態１９
１５５０ｎｍで前記光ファイバに示されるマクロベンド損失が、直径２０ｍｍのマンドレル上で０．７０ｄＢ／ｔｕｒｎ以下であり、７．１と８．１の間のＭＡＣＣ数を示す、実施形態１１から１８のいずれか１つに記載の単一モード光ファイバ。

実施形態２０
前記光ファイバが、０．１ｄＢ／ｋｍ以下の１５５０ｎｍでのワイヤメッシュ被覆ドラムマイクロベンド損失（ＷＭＣＤ）を有する、実施形態１１から１９のいずれか１つに記載の単一モード光ファイバ。

１０ 単一モード光ファイバ
１４ 塩素ドープシリカ中央コア
１８ クラッド
２２ 未ドープシリカ層
２６ ペデスタル層
３０ 内側クラッド層
３４ 外側クラッド領域

Claims (12)

1. 光ファイバ（１０）において、
   塩素ドープシリカ系コア（１４）であって、半径ｒ_１、最大屈折率デルタΔ_１ｍａｘ、および２．５質量％以上の該コア中の塩素濃度を有する塩素ドープシリカ系コアと；
   前記コア（１４）を取り囲む第１の内側クラッド（２６）であって、前記コア（１４）に隣接し、接触し、屈折率デルタΔ_２、半径ｒ_２、およびΔ_２ｍｉｎ＜Δ_１ｍａｘとなるような最小屈折率デルタΔ_２ｍｉｎを有する第１の内側クラッドと；
   前記コア（１４）を取り囲む前記第１の内側クラッド（２６）に隣接し、接触する第２の内側クラッド層（３０）またはトレンチ層（３０ａ）であって、屈折率Δ_３、および半径ｒ_３を有する第２の内側クラッド層（３０）またはトレンチ層（３０ａ）と；
   を備え、
   前記第２の内側クラッド層（３０）またはトレンチ層（３０ａ）が、Δ_３ｍｉｎ＜Δ_２となるような最小屈折率デルタΔ_３ｍｉｎを有し、
   前記第２の内側クラッド層（３０）またはトレンチ層（３０ａ）が、０．４％デルタ・マイクロメートル^２≦Ｖ_トレンチ≦１５％デルタ・マイクロメートル^２であるトレンチ体積Ｖ_トレンチを有する、光ファイバ（１０）。
2. 前記塩素ドープシリカ系コアが、コアアルファ（コア_α）≧４を有する、請求項１記載の光ファイバ（１０）。
3. ９マイクロメートル以上の、１３１０ｎｍでのモードフィールド径ＭＦＤ、
   １２６０ｎｍ以下のケーブルカットオフ、
   １３００ｎｍ≦λ_０≦１３２４ｎｍに及ぶゼロ分散波長、および
   ０．７５ｄＢ／ｔｕｒｎ未満の、２０ｍｍのマンドレルに関する１５５０ｎｍでのマクロベンド損失、
   を有する、請求項１または２記載の光ファイバ（１０）。
4. Δ_５＜Δ_３ｍａｘとなるような、屈折率Δ_５、および半径ｒ_ｍａｘを有する外側クラッド領域（３４）をさらに備える、請求項１から３いずれか１項記載の光ファイバ（１０）。
5. １５５０ｎｍでのマクロベンド損失が直径２０ｍｍのマンドレルで０．５ｄＢ／ｔｕｒｎ以下である、および／または
   前記最大屈折率Δ_１ｍａｘが０．１０％≦Δ_１ｍａｘ≦０．４５％に及ぶ、
   請求項１から４いずれか１項記載の光ファイバ（１０）。
6. 前記最小屈折率Δ_３ｍｉｎが−０．５％≦Δ_３ｍｉｎ≦０．２５％、好ましくは−０．２５％≦Δ_３ｍｉｎ≦０．１５％である、請求項１から５いずれか１項記載の光ファイバ（１０）。
7. 前記半径ｒ_３が１５．０マイクロメートル≦ｒ_３≦３０．０マイクロメートルである、請求項１から６いずれか１項記載の光ファイバ（１０）。
8. １５５０ｎｍで前記光ファイバに示されるマクロベンド損失が、直径２０ｍｍのマンドレル上で０．７０ｄＢ／ｔｕｒｎ以下であり、７．１と８．１の間のＭＡＣＣ数を示す、および／または
   単一モード光ファイバである、および／または
   １５５０ｎｍでのマクロベンド損失が直径３０ｍｍのマンドレルで０．００５ｄＢ／ｔｕｒｎ以下である、および／または
   前記塩素ドープシリカ中央コアが、コアアルファ（コア_α）≧１５を有する、
   請求項１から７いずれか１項記載の光ファイバ（１０）。
9. 前記最大屈折率Δ_３ｍａｘが−０．５％≦Δ_３ｍａｘ≦０．５％である、請求項１から８いずれか１項記載の光ファイバ（１０）。
10. 前記半径ｒ_３が１５．０マイクロメートル≦ｒ_３≦７５．０マイクロメートルである、請求項１から９いずれか１項記載の光ファイバ（１０）。
11. １５５０ｎｍで前記光ファイバに示されるマクロベンド損失が、直径２０ｍｍのマンドレル上で０．７０ｄＢ／ｔｕｒｎ以下であり、７．１と８．１の間のＭＡＣＣ数を示す、請求項１から１０いずれか１項記載の光ファイバ（１０）。
12. 前記光ファイバが、０．１ｄＢ／ｋｍ以下の１５５０ｎｍでのワイヤメッシュ被覆ドラムマイクロベンド損失（ＷＭＣＤ）を有する、請求項１から１１いずれか１項記載の光ファイバ（１０）。

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