JP2020527855A - 構成要素の表面から保護層を制御下で除去するための方法 - Google Patents
構成要素の表面から保護層を制御下で除去するための方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020527855A JP2020527855A JP2020501202A JP2020501202A JP2020527855A JP 2020527855 A JP2020527855 A JP 2020527855A JP 2020501202 A JP2020501202 A JP 2020501202A JP 2020501202 A JP2020501202 A JP 2020501202A JP 2020527855 A JP2020527855 A JP 2020527855A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective layer
- amorphous
- intermediate layer
- etching
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 title claims abstract description 202
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 181
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 126
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 112
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 68
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 230000009471 action Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 34
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 30
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 27
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 16
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910019714 Nb2O3 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 8
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 6
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims description 5
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 amorphous ceramics Chemical class 0.000 description 6
- 239000005435 mesosphere Substances 0.000 description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007514 turning Methods 0.000 description 1
- 238000010518 undesired secondary reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
- H01J37/32495—Means for protecting the vessel against plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
本発明による方法は、構成要素の表面から保護層を制御下で除去するための方法である。それにより、構成要素は、
基体と、
基体を少なくとも部分的に被覆する中間層と、
本方法により除去されることになる前記保護層であって、非晶体、特に非晶質非金属、特に非晶質セラミックを含み、少なくとも部分的に中間層を被覆する、前記保護層と
を備える。
保護層をエッチング媒体または溶媒と接触させるステップと、
中間層が露出するまで、エッチング媒体または溶媒の作用下で保護層を除去するステップと
を含む。
化学組成、
原子近次構造、
微細構造
において異なり得る。
本方法の一実施形態では、エッチング媒体または溶媒の作用下での保護層の除去は、保護層の完全な除去まで実行される。
液体エッチング媒体または溶媒を使用して保護層を湿潤させるステップと、
保護層を液体エッチング媒体または溶媒中で溶解するステップと
を含む。
本方法の一実施形態では、保護層は、非晶質金属酸化物、特に非晶質Al2O3、非晶質金属窒化物、非晶質金属フッ化物、非晶質金属塩化物、非晶質金属炭化物、または非晶質金属ホウ化物から成る少なくとも1つのプライを含む。
NaOH水溶液、
KOH水溶液、
NH4OH水溶液、
水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液、
H2O2水溶液、
液体H2O、
ガス状H2O
のうちの少なくとも1つを含む。
本発明はさらに、構成要素上の古い保護層を新しい保護層に交換するための、請求項10または11に記載の方法にも関する。
基体を有するプロセスチャンバまたは他の構成要素に、基体を少なくとも部分的に被覆する中間層、および、非晶体、特に非晶質非金属、特に非晶質セラミックを含み、中間層を少なくとも部分的に被覆する保護層を提供するステップであって、中間層は保護層に含まれない少なくとも1つの元素を含む、提供するステップと、
以下の2つのステップ、すなわち、
プロセスチャンバ内でプロセスガスを使用して除去プロセスステップを実行するステップであって、保護層がプロセスガスと接触する、実行するステップ、および
少なくとも1つの元素に感受性である分析方法により、プロセスチャンバ内のプロセスガスを分析するステップ
を、プロセスガス中で少なくとも1つの元素が検出されるまで、繰り返し、同時に実行するステップと、
保護層を交換するための本発明による上述の方法を適用することにより、プロセスチャンバまたは他の構成要素上の保護層を新しい保護層と交換するステップと
を含む。
基体と、
基体を少なくとも部分的に被覆する中間層と、
保護層と
を備える。
KOH水溶液、
NaOH水溶液、
NH4OH水溶液、
水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液、
H2O2水溶液、
上記のエッチング溶液の混合物、
液体H2O、
ガス状H2O
に属する。
これは、上記の本発明による構成要素の製造方法である。製造方法は、
基体を形成するステップと、
中間層を基体に付与するステップと、
非晶体を含む保護層、特に非晶質非金属を含む保護層、特に非晶質セラミックを含む予測層を中間層に付与するステップを含み、
保護層は第1のエッチング媒体または溶媒によって少なくとも中間層よりも速くエッチングすることができ、第1のエッチング媒体または溶媒は、以下の群、すなわち、
KOH水溶液、
NaOH水溶液、
NH4OH水溶液、
水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液、
H2O2水溶液、
上記のエッチング溶液の混合物、
液体H2O、
ガス状H2O
に属する。
保護層をエッチング媒体または溶媒と接触させるステップ(11)と、
中間層が露出するまで、エッチング媒体または溶媒の作用下で保護層を除去するステップ(12)と
を流れ図で示す。
2 中間層
3 保護層
4 エッチング媒体または溶媒(それぞれ、エッチング溶液)
8 周囲
9 保護層がなくなる点
10 構成要素
10’ 構成要素(保護層の除去後)
10’’ 構成要素(保護層が交換されている)
11 保護層をエッチング媒体または溶媒と接触させる方法ステップ
12 保護層を除去する方法ステップ
13 付与する方法ステップ
14 保護層を制御下で除去するための方法
15 古い保護層を新しい保護層に交換する方法
20 薄膜プロセス設備の操作方法
21 提供する方法ステップ
22 構成要素を設置する方法ステップ
23 除去プロセスステップを実行する方法ステップ
24 プロセスガスを分析する方法ステップ
25 「元素が検出されたか」を決定する→はい/いいえ
26 構成要素を除去する方法ステップ
d2 中間層の層厚
d3 保護層の層厚
終了 方法の終了点
開始 方法の開始点
Claims (15)
- 構成要素(10)の表面から保護層(3)を制御下で除去するための方法(14)であって、前記構成要素は、
基体(1)と、
前記基体を少なくとも部分的に被覆する中間層(2)と、
非晶体、特に非晶質非金属、特に非晶質セラミックを含み、少なくとも部分的に前記中間層を被覆する前記保護層(3)と
を備え、
前記方法は、
前記保護層(3)をエッチング媒体または溶媒(4)と接触させるステップ(11)と、
前記中間層(2)が露出するまで、前記エッチング媒体または溶媒(4)の作用下で前記保護層(3)を除去するステップ(12)と
を含み、
前記エッチング媒体または溶媒は、前記保護層の第1のエッチングまたは溶解速度および前記中間層の第2のエッチングまたは溶解速度を引き起こし、前記第1のエッチングまたは溶解速度は前記第2のエッチングまたは溶解速度よりも大きい、方法(14)。 - 前記エッチング媒体または溶媒の作用下での前記保護層の前記除去するステップが、前記保護層の完全な除去まで実行されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記エッチング媒体または溶媒が液体であり、前記方法が、
前記液体エッチング媒体または溶媒を使用して前記保護層を湿潤させるステップと、
前記保護層を前記液体エッチング媒体または溶媒中で溶解するステップと
をさらに含むことを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。 - 前記中間層(2)が、金属、金属酸化物、特にTiO2、ZnO、Nb2O3、ZrO2、Y2O3、またはTa2O5、金属窒化物、金属炭化物、金属フッ化物、金属塩化物、または金属ホウ化物のうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記中間層(2)が結晶形態で提供される材料を含むことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記保護層(3)が、非晶質金属酸化物、特に非晶質AlO3、非晶質金属窒化物、非晶質金属フッ化物、非晶質金属塩化物、非晶質金属炭化物、または非晶質金属ホウ化物から成る少なくとも1つのプライを含むことを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記保護層(3)が複数のプライを含み、隣接するプライの化学組成が異なることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記中間層(2)が、前記エッチング媒体もしくは溶媒(4)によってエッチングされ得ない材料を含むか、または、前記エッチング媒体もしくは溶媒によってエッチングされ得ない材料から成ることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記保護層(3)が非晶質Al2O3を含み、前記中間層(2)がTiO2、ZnO、Nb2O3、ZrO2、Y2O3、およびTa2O5のうちの少なくとも1つを含み、前記エッチング媒体または溶媒(4)が、
NaOH水溶液、
KOH水溶液、
NH4OH水溶液、
水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液、
H2O2水溶液、
液体H2O、
ガス状H2O
のうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする、請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。 - 構成要素(10)上の古い保護層(3)を新しい保護層(3’’)に交換する方法(15)であって、
請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法(14)により前記古い保護層を除去するステップと、
前記新しい保護層を付与するステップと
を含む、方法(15)。 - 前記新しい保護層を付与する前記ステップは、原子層堆積によって実行される、請求項10に記載の方法。
- 加工片から層を除去するために設計されている薄膜プロセス設備を操作するための方法(20)であって、前記設備はプロセスチャンバを有し、前記プロセスチャンバまたは前記薄膜プロセス設備の別の構成要素は保護層を備え、前記方法は、
前記プロセスチャンバまたは前記他の構成要素に、基体、前記基体を少なくとも部分的に被覆する中間層、および、非晶体、特に非晶質非金属、特に非晶質セラミックを含み、前記中間層を少なくとも部分的に被覆する前記保護層を提供するステップ(21)であって、前記中間層は前記保護層に含まれない少なくとも1つの元素を含む、提供するステップ(21)と、
以下の2つのステップ、すなわち、
前記プロセスチャンバ内でプロセスガスを使用して除去プロセスステップを実行するステップ(23)であって、前記保護層が前記プロセスガスと接触する、実行するステップ(23)、および
前記少なくとも1つの元素に感受性がある分析方法により、前記プロセスチャンバ内の前記プロセスガスを分析するステップ(24)
を、前記プロセスガス中で前記少なくとも1つの元素が検出されるまで、繰り返し、同時に実行するステップと、
請求項10または11に記載の方法(15)を適用することにより、前記プロセスチャンバまたは前記他の構成要素上の前記保護層を新しい保護層と交換するステップと
を含む、方法(20)。 - 薄膜プロセス設備において使用するための構成要素(10)であって、
基体(1)と、
前記基体を少なくとも部分的に被覆する中間層(2)と、
非晶体、特に非晶質非金属、特に非晶質セラミックを含み、少なくとも部分的に前記中間層を被覆する保護層(3)と
を備え、
前記保護層は、第1のエッチング媒体または溶媒(4)によって少なくとも前記中間層よりも速くエッチングまたは溶解され得、前記第1のエッチング媒体または溶媒は、以下の群、すなわち、
KOH水溶液、
NaOH水溶液、
NH4OH水溶液、
水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液、
H2O2水溶液、
上記のエッチング溶液の混合物、
液体H2O、
ガス状H2O
に属する、構成要素(10)。 - 前記保護層(3)が非晶質Al2O3を含み、前記中間層(2)はTiO2、ZnO、Nb2O3、ZrO2、Y2O3、およびTa2O5のうちの少なくとも1つを含む、請求項13に記載の構成要素。
- 請求項13または14に記載の構成要素(10)の製造方法であって、
基体(1)を形成するステップと、
中間層(2)を前記基体に付与するステップと、
非晶体を含む保護層、特に非晶質非金属を含む保護層、特に非晶質セラミックを含む保護層(3)を前記中間層に付与するステップと
を含み、
前記保護層は第1のエッチング媒体または溶媒によって前記中間層よりも速くエッチングすることができ、前記第1のエッチング媒体または溶媒は、以下の群、すなわち、
KOH水溶液、
NaOH水溶液、
NH4OH水溶液、
水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液、
H2O2水溶液、
上記のエッチング溶液の混合物、
液体H2O、
ガス状H2O
に属する、製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP17181544.2 | 2017-07-14 | ||
EP17181544 | 2017-07-14 | ||
PCT/EP2018/062384 WO2019011507A1 (de) | 2017-07-14 | 2018-05-14 | Verfahren zum kontrollierten abtragen einer schutzschicht von einer oberfläche eines bauteils |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020527855A true JP2020527855A (ja) | 2020-09-10 |
JP7162047B2 JP7162047B2 (ja) | 2022-10-27 |
Family
ID=59350818
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020501202A Active JP7162047B2 (ja) | 2017-07-14 | 2018-05-14 | 構成要素の表面から保護層を制御下で除去するための方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11697766B2 (ja) |
JP (1) | JP7162047B2 (ja) |
KR (1) | KR102658544B1 (ja) |
CN (1) | CN110997975B (ja) |
DE (1) | DE112018003600A5 (ja) |
WO (1) | WO2019011507A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7159074B2 (ja) * | 2019-02-08 | 2022-10-24 | キオクシア株式会社 | ガス供給部材、プラズマ処理装置、及びコーティング膜の形成方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0995772A (ja) * | 1995-10-03 | 1997-04-08 | Kobe Steel Ltd | 真空装置用の窓材 |
JP2004134690A (ja) * | 2002-10-15 | 2004-04-30 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造装置用部品の使用方法及び半導体製造装置用部品 |
JP2016042496A (ja) * | 2012-12-19 | 2016-03-31 | キヤノンアネルバ株式会社 | 放電空間を画成する部材およびその再生処理方法 |
JP2016208034A (ja) * | 2015-04-27 | 2016-12-08 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | エッチングチャンバ及び堆積チャンバに利用するための長寿命溶射コーティング |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4726104A (en) * | 1986-11-20 | 1988-02-23 | United Technologies Corporation | Methods for weld repairing hollow, air cooled turbine blades and vanes |
DE4301463A1 (de) * | 1993-01-20 | 1994-07-21 | Wissenschaftlich Tech Optikzen | Verfahren zur Beschichtung von Spiegeln hoher Reflektivität und Spiegel mit einer Beschichtung |
WO1996011288A1 (en) * | 1994-10-05 | 1996-04-18 | United Technologies Corporation | Multiple nanolayer coating system |
US6158957A (en) * | 1998-12-23 | 2000-12-12 | United Technologies Corporation | Thermal barrier removal process |
US6580170B2 (en) * | 2000-06-22 | 2003-06-17 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device protective overcoat with enhanced adhesion to polymeric materials |
US20020142594A1 (en) * | 2001-03-28 | 2002-10-03 | Advanced Micro Devices, Inc. | Sacrificial films to provide structural integrity to critical dimension structures |
JP4237430B2 (ja) * | 2001-09-13 | 2009-03-11 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | エッチング方法及びエッチング保護層形成用組成物 |
KR100772740B1 (ko) | 2002-11-28 | 2007-11-01 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 플라즈마 처리 용기 내부재 |
KR100519798B1 (ko) * | 2003-12-11 | 2005-10-10 | 삼성전자주식회사 | 향상된 생산성을 갖는 박막 형성 방법 |
US7595271B2 (en) * | 2005-12-01 | 2009-09-29 | Asm America, Inc. | Polymer coating for vapor deposition tool |
CN100586585C (zh) * | 2007-01-15 | 2010-02-03 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件表面的清洗方法 |
JP2010258296A (ja) * | 2009-04-27 | 2010-11-11 | Renesas Electronics Corp | 窒化物系半導体光素子およびその製造方法 |
TWI392774B (zh) * | 2009-09-17 | 2013-04-11 | Univ Nat Taiwan | 維持材料表面平整度的製作方法 |
CN102117760B (zh) * | 2010-01-05 | 2012-10-03 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 用于形成特殊浅沟槽隔离的湿法刻蚀工艺方法 |
CA2803728A1 (en) * | 2012-02-23 | 2013-08-23 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Method of applying a thermal barrier coating by means of plasma spray physical vapor deposition |
US20140199497A1 (en) * | 2013-01-14 | 2014-07-17 | Tighe A. Spurlin | Methods for reducing metal oxide surfaces to modified metal surfaces |
US20140322527A1 (en) * | 2013-04-30 | 2014-10-30 | Research & Business Foundation Sungkyunkwan University | Multilayer encapsulation thin-film |
JP2015011746A (ja) | 2013-06-28 | 2015-01-19 | 株式会社東芝 | パターン形成方法、それを用いた磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体、及びスタンパーの製造方法 |
NL2014497B1 (en) * | 2015-03-20 | 2017-01-19 | Asm Int Nv | Method for cleaning deposition apparatus. |
CN106169421A (zh) * | 2016-08-26 | 2016-11-30 | 振图科技股份有限公司 | 自动晶圆保护层去除设备 |
-
2018
- 2018-05-14 JP JP2020501202A patent/JP7162047B2/ja active Active
- 2018-05-14 DE DE112018003600.6T patent/DE112018003600A5/de active Pending
- 2018-05-14 KR KR1020207004207A patent/KR102658544B1/ko active IP Right Grant
- 2018-05-14 WO PCT/EP2018/062384 patent/WO2019011507A1/de active Application Filing
- 2018-05-14 US US16/630,775 patent/US11697766B2/en active Active
- 2018-05-14 CN CN201880046885.5A patent/CN110997975B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0995772A (ja) * | 1995-10-03 | 1997-04-08 | Kobe Steel Ltd | 真空装置用の窓材 |
JP2004134690A (ja) * | 2002-10-15 | 2004-04-30 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造装置用部品の使用方法及び半導体製造装置用部品 |
JP2016042496A (ja) * | 2012-12-19 | 2016-03-31 | キヤノンアネルバ株式会社 | 放電空間を画成する部材およびその再生処理方法 |
JP2016208034A (ja) * | 2015-04-27 | 2016-12-08 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | エッチングチャンバ及び堆積チャンバに利用するための長寿命溶射コーティング |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110997975B (zh) | 2022-09-09 |
WO2019011507A1 (de) | 2019-01-17 |
KR20200032712A (ko) | 2020-03-26 |
US11697766B2 (en) | 2023-07-11 |
KR102658544B1 (ko) | 2024-04-17 |
CN110997975A (zh) | 2020-04-10 |
DE112018003600A5 (de) | 2020-04-09 |
US20200224096A1 (en) | 2020-07-16 |
JP7162047B2 (ja) | 2022-10-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6976215B2 (ja) | チャンバコンポーネント用多層プラズマ腐食防護 | |
JP4985928B2 (ja) | 多層コート耐食性部材 | |
KR101491437B1 (ko) | 처리 챔버 내의 아킹 및 부식을 감소시키는 보호성 이트륨 함유 코팅을 갖는 코팅 반도체 처리 장치 | |
JP6312278B2 (ja) | 半導体チャンバ構成要素のための放射率を調節したコーティング | |
KR100915722B1 (ko) | 반도체 처리 장치용의 구성 부재 및 그 제조 방법, 및반도체 처리 장치 | |
KR102213756B1 (ko) | 반도체 적용을 위한 희토류 옥사이드 기반 내침식성 코팅 | |
TWI714045B (zh) | 用於半導體製造部件之高純度金屬頂塗層 | |
JP4970887B2 (ja) | 装置構成部品の再生方法 | |
US20170204514A1 (en) | Cvd process chamber component having aluminum fluoride barrier film thereon | |
JP2006297585A (ja) | 被覆切削工具インサート及びその製造方法 | |
JP4675908B2 (ja) | 膜除去法および膜除去法を実施するための単チャンバ装置 | |
US20160336149A1 (en) | Chamber component with wear indicator | |
CN108249957A (zh) | 干式清洁陶瓷物品的方法 | |
TW201643271A (zh) | 用於形成電漿設備組件之氧化鋁層的阻隔層陽極化法 | |
JP2020527855A (ja) | 構成要素の表面から保護層を制御下で除去するための方法 | |
JP5975747B2 (ja) | 真空チャンバー構成部品 | |
JP2003321760A (ja) | プラズマ処理容器内部材およびその製造方法 | |
JP5296597B2 (ja) | 保護層の除去方法及び分離方法 | |
KR102517083B1 (ko) | 반도체 Etch 공정장비의 경시성 개선을 위한 코팅 표면 처리 방법 | |
JP2013142461A (ja) | 耐食性ねじ及びその製造方法 | |
KR20150088758A (ko) | 압출공구에서 다층박막코팅의 손상된 코팅을 재코팅하는 방법 | |
KR20060031135A (ko) | 진공 플라즈마 챔버용 코팅막 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20200828 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210317 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220217 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220222 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20220518 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220920 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221017 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7162047 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |