JP2020526914A - 半導体電力変換デバイスのための正の抵抗温度係数（ｐｔｃ）を有するゲートネットワーク - Google Patents

半導体電力変換デバイスのための正の抵抗温度係数（ｐｔｃ）を有するゲートネットワーク Download PDF

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Abstract

炭化ケイ素（ＳｉＣ）電力変換デバイスのゲートネットワークは、ＳｉＣ電力変換デバイスの活性領域に配置されたＳｉＣ金属・酸化物・半導体ベース（ＭＯＳベース）トランジスタデバイスセルの複数のゲート電極と、ＳｉＣ電力変換デバイスのゲートパッド・バス領域に配置されたゲートパッドとを含む。ゲートネットワークは、ＳｉＣ電力変換デバイスのゲートパッド・バス領域に配置されたゲートバスも含む。ここで、ゲートバスは、ゲートパッドと、ＳｉＣ電力変換デバイスの活性領域の複数のゲート電極の少なくとも一部との間に延びて電気的に接続する。ゲートネットワークの、ゲートパッド、ゲートバス、複数のゲート電極、またはそれらの組み合わせの、少なくとも一部は、約２０００パーツパーミリオン毎度Ｃ（ｐｐｍ／℃）より大きい正の抵抗温度係数を有する。

Description

本明細書で開示される主題は、全体として半導体電力変換デバイスに関し、より具体的には、炭化ケイ素（ｓｉｌｉｃｏｎ ｃａｒｂｉｄｅ、ＳｉＣ）電力変換デバイスに関する。
電力変換システムは、現代の電気システム全体で広く使用され、電力を負荷によって消費するために、ある形式から別の形式に変換する。この電力変換工程において、多くのパワーエレクトロニクスシステムが、サイリスタ、ダイオード、および様々な種類のトランジスタ（例えば、金属・酸化物・半導体電界効果トランジスタ（ｍｅｔａｌ−ｏｘｉｄｅ−ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｆｉｅｌｄ−ｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＭＯＳＦＥＴ）、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ｉｎｓｕｌａｔｅｄ ｇａｔｅ ｂｉｐｏｌａｒ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＩＧＢＴ）、およびその他の適切なトランジスタ）のような、様々な半導体デバイスおよび半導体素子を利用する。より大きな電力変換システムは、電力を変換するために協働する多くの電力変換デバイス（例えば、電力モジュールに配置される）を含む場合がある。
ゲート抵抗は、ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ電力変換デバイスおよびＳｉＣ ＩＧＢＴ電力変換デバイスなどの、ＳｉＣ電力変換デバイスの性能に大きく影響する場合がある。一般に、このようなデバイスは、高速なスイッチング時間と低いスイッチング損失を可能にするために、低いゲート抵抗を有するように設計されている。加えて、デバイスがオフになるとき、ＳｉＣ電力変換デバイスのドレイン−ソースのピーク電圧がオーバーシュートし、デバイスの定格電圧または最大電圧（Ｖｍａｘ）を一時的に超える可能性がある。そのことは、その電力変換デバイス、および電力モジュールのその他の素子に、ストレスを与える可能性がある。電圧のオーバーシュートを低減し、発振を回避または抑制するために、外部抵抗（例えば、スタンドアローン、表面実装、またはスルーチップの抵抗）を使用して、電力変換デバイスの外部ゲート抵抗を変えることができるが、このような外部抵抗は、一般に電力モジュールの追加的なコストと複雑さを増大させ、デバイスのスイッチング損失を増加し、デバイスパッケージ内の貴重な限られたスペースを消費する。
加えて、対応するＳｉのものとは異なり、ＳｉＣ電力変換デバイスは、一般に、接合部温度（Ｔｊ）とも呼ばれる半導体ダイの表面温度がデバイスの動作中に上昇すると、相互コンダクタンスの増加を示す。この相互コンダクタンスの増加の結果として、ＳｉＣ電力変換デバイスがスイッチングしているとき、スイッチング過渡が比較的速くなり（例えば、ターンオン時間が速くなる）、電圧と電流が、単位時間あたりさらに大幅に変化する。その結果、他の電力変換デバイスよりも高い温度で動作している電力変換デバイスは、スイッチング過渡時により多くの電流を処理および伝導する傾向があり、モジュールが動的に不均衡になるから、電力変換デバイスにストレスを与える可能性がある。
一実施形態において、炭化ケイ素（ＳｉＣ）電力変換デバイスは、ＳｉＣ電力変換デバイスの活性領域に配置されたＳｉＣ金属・酸化物・半導体ベース（ＭＯＳベース）トランジスタデバイスセルの複数のゲート電極を有するゲートネットワークと、ＳｉＣ電力変換デバイスのゲートパッド・バス領域に配置されたゲートパッドとを含む。ゲートネットワークは、ＳｉＣ電力変換デバイスのゲートパッド・バス領域に配置されたゲートバスも含む。ここで、ゲートバスは、ゲートパッドと、ＳｉＣ電力変換デバイスの活性領域の複数のゲート電極の少なくとも一部との間に延びて電気的に接続する。ゲートネットワークの、ゲートパッド、ゲートバス、複数のゲート電極、またはそれらの組み合わせの、少なくとも一部は、約２０００パーツパーミリオン毎度Ｃ（ｐｐｍ／℃）より大きい正の抵抗温度係数を有する。
別の実施形態において、方法は、このＳｉＣ電力変換デバイスの活性領域に配置された複数のＳｉＣ金属・酸化物・半導体ベース（ＭＯＳベース）トランジスタデバイスセルの複数のゲート電極を有する炭化ケイ素（ＳｉＣ）電力変換デバイスの半導体層の表面のゲートネットワークと、このＳｉＣ電力変換デバイスのゲートパッド・バス領域に配置され、その複数のゲート電極のそれぞれに電気的に接続されたゲートパッドと、を形成することを含む。ゲートネットワークの少なくとも一部は、約２０００パーツパーミリオン毎度Ｃ（ｐｐｍ／℃）より大きい正の抵抗温度係数を有する。
別の実施形態において、炭化ケイ素（ＳｉＣ）電力変換デバイスは、活性領域のそれぞれ異なる部分に配置された複数のＳｉＣ金属・酸化物・半導体ベース（ＭＯＳベース）トランジスタデバイスセルのそれぞれの複数のゲート電極を有する活性領域を含む。このデバイスは、集積抵抗ネットワークに隣接して配置されたゲート金属コンタクト領域を含むゲートパッドを有するゲートパッド・バス領域、および、ゲートパッドと、デバイスの活性領域の第１部分内の複数のゲート電極の第１部分との間に延びる第１ゲートバスを含む。複数のゲート電極の第１部分は、集積抵抗ネットワークの第１部分および第１ゲートバスを介して、ゲート金属コンタクト領域に電気的に接続されており、デバイスの活性領域の第２部分内の、複数のゲート電極の第２部分は、集積抵抗ネットワークの第２部分を介して、ゲート金属コンタクト領域に電気的に接続されている。集積抵抗ネットワークの第１部分の抵抗値は、集積抵抗ネットワークの第２部分の抵抗値と大幅に異なる。加えて、複数のゲート電極、ゲートパッド、第１ゲートバス、またはそれらの組み合わせの、少なくとも一部は、約２０００パーツパーミリオン毎度Ｃ（ｐｐｍ／℃）より大きい正の抵抗温度係数を有する。
本開示のこれらおよびその他の特徴、態様、および利点は、図面全体を通して同様の符号は同様の部分を表す、添付の図面を参照して以下の詳細な説明が読まれるとき、よりよく理解されるようになるであろう。
本アプローチの実施形態による、いくつかのＭＯＳＦＥＴデバイスセルを有する活性領域を含み、活性領域内のデバイスセルのゲート電極に電気的に接続されたゲートパッドを有するゲートネットワークを含む、電力変換デバイスの一部の上面図である。ここで、ゲートネットワークの少なくとも一部は、正の抵抗温度係数（ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ、ＰＴＣ）を有する。 本技術の実施形態による、図１の電力変換デバイスを製造する工程の一部のフロー図である。 本アプローチの実施形態による、図２の製造工程の開始時の例示的な電力変換デバイスの表面の上面図である。 本アプローチの実施形態による、デバイスの活性領域およびゲートパッド・バス領域の一部の上に誘電体層を成膜した後の図３に示す電力変換デバイスの表面の上面図である。 本アプローチの実施形態による、ＰＴＣを有するゲートネットワークを形成した後の図４に示す電力変換デバイスの表面の上面図である。 本アプローチの実施形態による、デバイスの表面上に誘電体層を形成し、次にデバイスの表面を選択的にエッチングしてゲートパッド・バス領域にゲートおよびバスビアを形成するとともに、活性領域内の複数のデバイスセルのボディ／ソースコンタクト領域を露出した後の図５に示す電力変換デバイスの表面の上面図である。 本アプローチの実施形態による、デバイスのゲートパッド・バス領域内にゲートパッド金属およびゲートバス金属を成膜した後、デバイスの活性領域内にソース金属を成膜した後の図６に示す電力変換デバイスの表面の上面図である。 本アプローチの実施形態による、１−１線に沿った、図７に示す電力変換デバイスの断面図である。 本アプローチの実施形態による、２−２線に沿った、図７に示す電力変換デバイスの断面図である。 本アプローチの実施形態による、ダイオードと、ＰＴＣを有するゲートネットワークを備える、電力変換デバイス（すなわち、ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ電力変換デバイス）と、を含む、電力変換モジュールの回路の一部の図である。ここで、電力変換デバイスは、ターンオフされている。 本アプローチの実施形態による、図９Ａに示す回路の電力変換デバイスのターンオフに対応する、ゲート電圧対時間のプロットである。 本アプローチの実施形態による、特定の（一定の）温度でのそれぞれ異なる全等価直列ゲート抵抗（Ｒｇ）を可能にする、それぞれ異なるゲートネットワークを有する電力変換デバイスを備える、図９Ａに示す回路の実施形態の、ＭＯＳＦＥＴのターンオフの波形を示すグラフである。 本アプローチの実施形態による、特定の（一定の）温度でのそれぞれ異なる全等価直列ゲート抵抗（Ｒｇ）を可能にする、それぞれ異なるゲートネットワークを有する電力変換デバイスを備える、図９Ａに示す回路の実施形態の、ＭＯＳＦＥＴのターンオフの波形を示すグラフである。 本アプローチの実施形態による、電力変換デバイスがオンにされている、９Ａの回路の一部の図である。 本アプローチの実施形態による、図９Ａに示す回路の電力変換デバイスのターンオンについての、ゲート電圧対時間のプロットである。 本アプローチの実施形態による、特定の（一定の）温度でのそれぞれ異なる全等価直列ゲート抵抗（Ｒｇ）を可能にする、それぞれ異なるゲートネットワークを有する電力変換デバイスを備える、図１１Ａに示す回路の実施形態の、ダイオードのターンオフの波形を示すグラフである。 本アプローチの実施形態による、特定の（一定の）温度でのそれぞれ異なる全等価直列ゲート抵抗（Ｒｇ）を可能にする、それぞれ異なるゲートネットワークを有する電力変換デバイスを備える、図１１Ａに示す回路の実施形態の、ダイオードのターンオフの波形を示すグラフである。 本アプローチの実施形態による、ゲートネットワークを有する電力変換デバイスの温度（℃）の関数としての、Ｒｇ（２５℃でＲｇに正規化されている）を示すグラフである。 本アプローチの実施形態による、電圧オーバーシュート（％）および（任意の単位の）スイッチング損失の両方を、両方とも（任意の単位の）Ｒｇの関数として示すグラフである。 本アプローチの実施形態による、ＰＴＣを有するゲートネットワークを備える電力変換デバイスの上面図であり、ここで、ゲートネットワークのゲートパッドは、少なくとも２つの異なるそれぞれの抵抗値を有する複数の集積抵抗を備える、集積抵抗ネットワークも含む。
１つまたは複数の具体的な実施形態を以下で説明する。これらの実施形態の簡潔な説明を提供するため、実際の実装のすべての特徴が、本明細書内で説明されているわけではない。そのような実際の実装の開発では、あらゆるエンジニアリングまたは設計のプロジェクトにおけるように、実装ごとに異なり得るシステム関連およびビジネス関連の制約に従うことなど、開発者の具体的な目標を達成するために、実装に固有の多くの決定を行わなければならないことが理解されるべきである。その上、そのような開発努力は複雑で時間がかかり得るが、それでも、本開示の利益を受ける当業者にとっては、設計、製造、および生産の日常業務であることが理解されるべきである。
別段定義されない限り、本明細書で使用される技術用語および科学用語は、本開示が属する技術分野の当業者によって一般に理解されるのと同じ意味を有する。本明細書で使用される「第１」、「第２」などの用語は、順序、量、または重要性を示すものではなく、ある要素を別の要素と区別するために使用される。また、本開示の様々な実施形態の要素を導入するとき、冠詞「ａ」、「ａｎ」、および「ｔｈｅ」は、１つまたは複数のその要素があることを意味するように意図されている。「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、および「有する（備える）（ｈａｖｉｎｇ）」という用語は、包括的であるように意図されており、かつ、列記された要素以外の追加的な要素があり得ることを意味するように意図されている。範囲が開示される場合、同じ構成要素または特性を対象とするすべての範囲の端点は、含まれるものであり、独立して併合されることができる。数量に関して使用される「約」という修飾語は、記載された値を含み、かつ、文脈によって指示される意味を有する（例えば、工程のばらつきの程度、または特定の数量の測定に関連する誤差を含む）。
本明細書で使用される「層（ｌａｙｅｒ）」という用語は、下地表面の少なくとも一部の上に、連続的または不連続的な方法で配置された材料を指す。さらに、「層（ｌａｙｅｒ）」という用語は、必ずしも配置された材料の均一な厚さを意味するものではなく、配置された材料は、別段明記しない限り、均一または可変の厚さを有し得る。その上さらに、本明細書で使用される「層（ａ ｌａｙｅｒ）」という用語は、文脈から明確に別段の指示がされていない限り、単一の層または複数の層を指す。さらに、本明細書で使用される「上に配置される（ｄｉｓｐｏｓｅｄ ｏｎ）」という句は、別段、特に示されない限り、互いに直接接触して配置される層、または間に介在層を有することによって、間接的に配置される層を指す。本明細書で使用される「隣接の（ａｄｊａｃｅｎｔ）」、「上に直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｏｎ）」、「わたって直接（上に直接）（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｏｖｅｒ）」、「下に直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｕｎｄｅｒ）」という用語は、互いに隣接して配置され、かつ互いに直接接触する、２つの層または特徴部分を指す。対照的に、「上に（ｏｎ）」、「上方に（ａｂｏｖｅ）」、「下方に（ｂｅｌｏｗ）」という用語は、層／領域の互いに対する相対的な位置を記述するものであり、２つの層または特徴部分が、互いに隣接して配置されることも、互いに直接接触していることも、必ずしも必要としない。本明細書で使用される「上部（ｔｏｐ）」または「上部（ｕｐｐｅｒ）」という用語は、基板層から相対的に最も遠い、特定の特徴部分を指す。
本明細書で使用される「ゲートネットワーク」は、ゲートパッド金属と複数の能動デバイスセルとの間の電気経路の一部である、電力変換デバイスの構成要素を指す。したがって、ゲートネットワークは、例えば、電力変換デバイスの、ゲートパッド（以下で説明するように、潜在的に集積抵抗ネットワークを有する）、ゲートバスおよびゲート電極を含んでよい。本明細書中で正の抵抗温度係数（ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ、正のＴＣＲ）とも呼ばれる「正の抵抗温度係数（ＰＴＣ）」という用語は、特定の温度範囲で、温度の上昇とともに増加し、かつ温度の低下とともに減少する抵抗率を有する、デバイスの構成要素および材料を表すために、本明細書で使用される。材料の抵抗温度係数（ｔｅｍｐｅｒａｔｅ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）は、パーツパーミリオン毎度Ｃ（ｐｐｍ／℃）の単位を有し、次の式に従って計算される。
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 ここで、Ｒ（Ｔ）は、特定の温度（Ｔ）での材料の抵抗であり、一方、ＴｈｉｇｈおよびＴｌｏｗは、材料の抵抗が変化する、温度範囲を表す。本明細書で使用される「Ｒｇ」は、電力変換デバイスのトランジスタゲートの全等価直列抵抗を表し、かつこれを指す。ある実施形態において、Ｒｇとは別個の分離した、かつ０以上の値を有し得る、外部抵抗素子（すなわち、Ｒｇ−ｅｘｔｅｒｎａｌ）も存在し得ることが、理解されるべきである。
上記のように、ＳｉＣ電力変換デバイス（例えば、ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴおよびＳｉＣ ＩＧＢＴ）は一般に、高速なスイッチングと低いスイッチング損失を可能にするために、低いゲート抵抗を有するように設計されている。しかし、現在のところ、ＳｉＣ電力変換デバイスについては、ゲート抵抗を低くすることで、電圧オーバーシュートがより顕著になる可能性があり、このことが、スイッチング損失を不所望に増加する可能性があり、また半導体モジュールまたは他のシステム構成要素に障害を引き起こす可能性のある、発振とオーバーシュートを誘起する可能性があることが、認識されている。加えて、上記のように、Ｓｉ電力変換デバイスとは異なり、ＳｉＣ電力変換デバイスは、一般に、接合部温度（Ｔｊ）の増加とともに相互コンダクタンスの増加を示し、そのことは、比較的高い温度でＳｉＣ電力変換デバイスがスイッチングしているとき、スイッチング過渡が比較的速くなること（例えば、ターンオン時間が速くなる）、および、電圧と電流が、単位時間あたりさらに大幅に変化することをもたらす。
上記を念頭に置いて、本実施形態は、正の抵抗温度係数（ＰＴＣ）を有するゲートネットワークを含む、半導体電力変換デバイス（例えば、ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴおよびＳｉＣ ＩＧＢＴ）を対象とする。開示されるゲートネットワークにより、電力変換デバイスが、電力変換デバイスの典型的な動作温度の範囲（例えば、約２５℃から約１５０℃の間）で、可変の全等価直列ゲート抵抗（Ｒｇ）を有することが可能になる。以下に詳細に説明するように、ある実施形態において、開示されるゲートネットワークは、一般に、近くのデバイスセルに熱的に近接しており、これらのセルの接合部温度の変化に応じて、抵抗率を変えることができる。以下で説明するように、ゲートネットワークの実施形態は、典型的な動作温度の範囲で、デバイスセルのピーク電圧が、最大電圧定格（Ｖｍａｘ）未満に維持され、リンギング、チップ間の発振を回避し、デバイスセルのスイッチング損失を低減することを、確実にするために、適切な抵抗率を有するように設計されている。さらに、開示されるゲートネットワークは、正の抵抗温度係数を有しないゲートネットワークと比べると、実装するために追加の処理ステップを必要としない。
上記を念頭に置いて、図１は、電力変換デバイス１２（例えば、ＳｉＣエピタキシャル半導体層１０を有する、ＳｉＣ電力変換デバイス）の実施形態の一部の上面図を示す。デバイス１２は、ゲートパッド１６およびゲートバス１８（例えば、ゲートバス１８Ａおよび１８Ｂ）を有する、ゲートパッド・バス領域１４（破線の輪郭によって示される）を含む。図示されたデバイス１２は、ゲートパッド・バス領域１４の破線の輪郭の外側の領域である、活性領域２０をさらに含む。図示された活性領域２０は、ゲートパッド・バス領域１４の両側に配置された、いくつかのデバイスセル２２（例えば、ストライプ型のＭＯＳＦＥＴデバイスセル２２）を含む。本技術は、本明細書において、図示されたストライプ型のＭＯＳＦＥＴデバイスセル２２との関連で説明されるが、本技術は、ダイオード、サイリスタ、トランジスタ（例えば、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、接合型電界効果トランジスタ（ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｆｉｅｌｄ−ｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＪＦＥＴ）、金属・半導体電界効果トランジスタ（ｍｅｔａｌ−ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｆｉｅｌｄ−ｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＭＥＳＦＥＴ）など）、または、任意の種類の能動セル形状（例えば、正方形、ストライプ、六角形など）を用いたゲート電極を利用する、任意のその他の適切なデバイスなどの、他の種類の半導体デバイス構造に適用でき得るということが、理解されるべきである。加えて、本アプローチは、他の種類の材料系（例えば、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、ダイヤモンド（Ｃ）、または任意のその他の適切なワイドバンドギャップ半導体）に適用でき得る。当業者は、図１が、本開示の技術の実際の実装に含まれる、デバイス１２のある特定の特徴部分（例えば、ある特定のゲート電極、ゲート誘電体、層間絶縁膜、ソース金属、終端、パッケージ）を例示の目的のために省略していることを理解するであろう。そのいくつかは、以下でより詳細に説明される。
図１の図示されたストライプ型のＭＯＳＦＥＴデバイスセル２２は、半導体層１０の表面３２に隣接して配置された、ボディ／ソースコンタクト領域２４（例えば、共通コンタクト）、ソース領域２６、チャネル領域２８、および接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）領域３０を含む。さらに、半導体層１０をよりよく見ることができるように、図１のＭＯＳＦＥＴセル２２の一部のみが、ゲート電極３４を含むものとして示されているのであるが、電力変換デバイス１２の実際の実装では、デバイスセル２２のすべてが、一般に、半導体層１０の表面３２の、ソース領域２６、チャネル領域２８、および接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）領域３０の、実質的にすべての上方に、少なくとも部分的に配置された、それぞれのゲート電極３４を含む。例示的な電力変換デバイス１２の断面図は、図８Ａおよび図８Ｂに関連して以下で説明され、これらのデバイスセル２２の構造に関する追加的な詳細を提供することに留意してよい。
図１に示すように、図示された電力変換デバイス１２のゲートネットワーク３３は、ゲートパッド１６、ゲートバス１８、およびゲート電極３４を含み、ここで、ゲートネットワーク３３の少なくとも一部は、特定の温度範囲（例えば、２５℃と１５０℃との間）で特定の量より大きい（例えば、２０００ｐｐｍ／℃より大きい）ＰＴＣを有する。図示されたゲートパッド１６は、ゲート金属コンタクト領域３６を含む。図１５に関連して以下で説明するように、他の実施形態では、ゲートパッド１６は、ゲート金属コンタクト領域３６に隣接して配置された、集積抵抗ネットワークも含んでよい。ゲートパッド金属（図１には図示せず）は、ゲート金属コンタクト領域３６上に直接配置され、ゲートパッド１６およびゲートバス１８を介して、または通して、外部ゲート接続４０に、（例えば、ワイヤボンド３８を介して）ワイヤボンディングされる。外部ゲート接続４０は、電力変換デバイス１２のゲート電極３４を動作させるために、適切なゲートバイアスを提供する。したがって、外部ゲート接続４０によって、適切なゲート電圧パルスが、ゲート金属コンタクト領域３６に印加されるとき、過渡電流は、一般に、矢印３７によって示されるように、ゲートネットワーク３３を通して（例えば、ゲートパッド１６、ゲートバス１８を通して、そしてデバイスセル２２の電極３４に沿って）、流れる。
述べたように、図示されたゲートネットワーク３３の少なくとも一部は、正の抵抗温度係数（ＰＴＣ）を有する。より具体的には、図示された実施形態については、ゲートパッド１６とゲート電極３４の両方が、ＰＴＣ材料で作られ、かつＰＴＣ特性を示す。他の実施形態では、電力変換デバイス１２は、ゲートパッド１６、ゲートバス１８、またはゲート電極３４のうちの１つのみが、ＰＴＣ材料で作られ、かつ／またはＰＴＣ特性を示す、ゲートネットワーク３３を含んでよい。ある実施形態において、ゲートネットワーク３３の他の部分（例えば、ゲート金属コンタクト領域３６、バス１８）は、一般に、ゲートネットワーク３３の残りの部分と同じ材料で作られてよいが、これらの領域のＰＴＣ特性は、金属（例えば、ゲートパッド金属、ゲートバス金属）が、これらの領域上に直接成膜される場合、大きく抑制される可能性があることが、理解されてよい。他の実施形態では、バス１８は、そのような金属層を含まなくてよく、したがって、ゲートパッド１６およびゲート電極３４に加えて（またはそれらの代わりに）、ＰＴＣを有してよい。
上記を念頭に置いて、図２は、本技術の実施形態による、図１に示す、ＰＴＣを有するゲートネットワーク３３を備える、電力変換デバイス１２を製造するための、工程５０の一部またはサブセットの実施形態を示すフロー図である。さらに、製造のそれぞれ異なる段階の、例示的な半導体電力変換デバイス１２の表面の上面図を提供する図３〜７が、図示された工程５０の説明全体を通して参照される。図示された工程５０は、半導体電力変換デバイス１２の半導体層１０を製造すること（ブロック５２）から始まる。例えば、図３は、電力変換デバイス１２の実施形態の、半導体層１０（例えば、ＳｉＣエピタキシャル層）の表面３２を示す。図示されたデバイス１０の活性領域２０は、すべて半導体層１０の表面３２に隣接して配置された、部分的に形成された複数のデバイスセル２２の、ボディ／ソースコンタクト領域２４、ソース領域２６、チャネル領域２８、およびＪＦＥＴ領域３０を含む。理解され得るように、デバイスセル２２のこれらの領域は、一般に、半導体層１０のマスキングおよびドーピングの連続を介して、形成および画定される。その上さらに、ＪＦＥＴ領域３０およびソース領域２６は、第１導電型（例えば、ｎ型またはｐ型）を有し、ボディ／ソースコンタクト領域２４およびウェル／チャネル領域２８は、第１導電型とは反対の、第２導電型（例えば、ｎ型またはｐ型）を有することに、留意してよい。加えて、図３に示すように、領域２４および２８と同様に、ゲートパッド・バス領域１４は、第２導電型の注入領域４６を含む。
図２に示す工程５０は、半導体層１０の表面３２に（例えば、表面３２上に、または表面３２にわたって）、誘電体層を形成すること（ブロック５４）へと続く。例えば、図４は、図３の電力変換デバイス１２の上面６８を示しており、上面６８において、活性領域２０は、ゲート誘電体層７０で実質的に覆われている。加えて、デバイス１２のゲートパッド・バス領域１４は、ゲート誘電体層７０よりも大幅に厚い（例えば、Ｚ軸に沿って５倍〜２０倍厚い）フィールド酸化膜層７６を有する、ゲートパッド領域７２、およびゲートバス領域７４（例えば、ゲートバス領域７４Ａおよび７４Ｂ）を含む。例えば、ゲート誘電体層７０およびフィールド酸化膜層７６は、別個の酸化物成長または酸化物成膜のステップ中に形成されてよい。
図２に戻ると、図示された工程５０は、ＰＴＣ材料を使用して、電力変換デバイス１２のゲートネットワーク３３を形成すること（ブロック５６）へと続く。例えば、これは、電力変換デバイスの活性領域２０にゲート電極３４を形成すること、ならびにデバイス１２のゲートパッド・バス領域１４にゲートパッド１６およびゲートバス１８を形成することを含み得る。ある実施形態において、ゲートネットワーク３３の一部またはすべて（例えば、ゲートパッド１６、ゲートバス１８、およびゲート電極３４の、一部またはすべて）は、同じＰＴＣ材料から形成されてよい。例えば、図５は、ゲート電極３４、ゲートパッド１６、およびゲートバス１８（例えば、ゲートバス１８Ａおよび１８Ｂ）を含む、ゲートネットワーク３３を形成した後の、電力変換デバイス１２の表面８０を示す。より具体的には、ゲート電極３４は、デバイス１２の活性領域２０のゲート誘電体層７０上に直接成膜され、ゲートパッド１６およびゲートバス１８（例えば、ゲートバス１８Ａおよび１８Ｂ）は、（図４に示すように）デバイス１２のゲートパッド・バス領域１４の一部内のフィールド酸化膜層７６上に直接成膜される。
図５に示す実施形態については、ゲート電極３４、ゲートパッド１６、およびゲートバス１８を含む、ゲートネットワーク３３は、約２０００ｐｐｍ／℃より大きい正の抵抗温度係数（ＰＴＣ）を有する、少なくとも１種類の低インピーダンスのゲート材料８２で作られる。例えば、ゲート材料８２は、金属シリサイド（例えば、ケイ化モリブデン（ＭｏＳｉ２）、ケイ化タンタル（ＴａＳｉ２）、ケイ化タングステン（ＷＳｉ２）、ケイ化コバルト（ＣｏＳｉ２）、ケイ化ニッケル（ＮｉＳｉ２）、ケイ化チタン（ＴｉＳｉ２））層の下方に直接配置される、高度にドープされたポリシリコンであってよい。すなわち、ある実施形態において、ゲートネットワーク３３（例えば、ゲート電極３４、ゲートパッド１６、およびゲートバス１８）はすべて、金属シリサイド層（例えば、ＴａＳｉ２）の下方に（例えば、金属シリサイド層（例えば、ＴａＳｉ２）の下に、または金属シリサイド層（例えば、ＴａＳｉ２）の下方に直接）配置された、ポリシリコン層（例えば、ｎ−ドープされたｐｏｌｙＳｉ）を含む、同じゲート材料８２から作られる。ある実施形態において、ゲートパッド１６の一部のみが約２０００ｐｐｍ／℃より大きいＰＴＣを有してよく、ゲートバス１８および／またはゲート電極３４が、大幅に小さいＰＴＣ（例えば、２０００ｐｐｍ／℃より小さい、１５００ｐｐｍ／℃より小さい、１０００ｐｐｍ／℃より小さい）を有するか、またはＰＴＣ特性を示さなくてよい。ある実施形態において、上記のＰＴＣを有するゲートパッド１６、ゲートバス１８、および／またはゲート電極３４を形成するゲート材料８２はまた、２５℃で、約２オーム毎スクエア（オーム／スクエア）と約５０オーム／スクエアとの間（例えば、約３オーム／スクエアと約６オーム／スクエアとの間）の間の、シート抵抗を有してもよい。さらに、ある実施形態において、ゲートパッド１６およびゲート電極３４は、実質的に同じシート抵抗を有してよい。
図５に示すように、ある実施形態において、ゲート材料８２は、最初に、図４に示すデバイス１２の表面６８の、かなりの部分の上に成膜されてよく、次に、選択的にエッチングされて、デバイスの表面８０にゲートネットワーク３３を形成してよい。図５では、ゲートネットワーク３３のＰＴＣ（例えば、ゲートパッド１６、ゲートバス１８、ゲート電極３４のＰＴＣ）は、抵抗の記号８１によって図式的に表されている。ゲート電極３４がＰＴＣ特性を示す実施形態については、ゲートネットワーク３３は、半導体層の表面の領域の、かなりの部分の上方に位置するため、ゲートネットワーク３３は、実質的にすべてのデバイスセル２２の近くにある（例えば、近接しているか、または熱的に近接している）。したがって、そのような実施形態については、開示されるゲートネットワーク３３の個々の部分（例えば、個々のゲート電極３４）は、近くのデバイスセル２２の接合部温度の変化に応じて、独立して抵抗率を変えることができる。加えて、図１５に関連して以下に説明するように、ある実施形態において、ゲートパッド１６は、集積抵抗ネットワークを追加的に含んでよい。この集積抵抗ネットワークは、ゲートネットワーク３３の残りの部分と一緒に、ゲート材料８２から製造される。
ゲートネットワーク３３は、一般に、マスキング／リソグラフィー／注入／エッチング工程を使用して製造される。ある実施形態において、これは、高度にドープされた（例えば、ｎ＋ドープされ、またはｐ＋ドープされた）ｐｏｌｙＳｉが、最初に表面８０上に成膜され（例えば、約２５００オングストローム（Å）と約４０００Åとの間の厚さまで）、その後、シリサイド層が、成膜されて（例えば、約１５００オングストローム（Å）と約４０００Åとの間の厚さまで）、シリサイドｐｏｌｙＳｉ層が形成され、続いて、このシリサイド・ｐｏｌｙＳｉ層が、パターン化およびエッチングされ、デバイス１２のゲートネットワーク３３（例えば、ゲートパッド１６、ゲートバス１８、およびゲート電極３４）が形成される、２ステップ成膜工程を伴う。述べたように、開示されるゲートネットワーク３３は、追加的な製造ステップを必要とせず、かつ外部チップ抵抗を使用せずに、典型的な接合部温度の範囲（例えば、２５℃と、１５０℃または１７５℃と、の間）で、デバイスのピーク電圧が、最大電圧（Ｖｍａｘ）未満に維持され、デバイスのスイッチング損失を低減することを、確実にする。
図２に戻ると、図示された工程５０は、電力変換デバイス１２の表面のかなりの部分の上に誘電体層を形成すること（ブロック６０）へと続く。ある実施形態において、ブロック６０で成膜される誘電体層は、層間絶縁膜層（ｉｎｔｅｒｌａｙｅｒ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｌａｙｅｒ、ＩＬＤ）と呼ばれる場合がある。続いて、電力変換デバイス１２の表面は、選択的にエッチングされて（ブロック６２）、デバイスのゲートパッド・バス領域の、ゲートパッド１６のゲート金属コンタクト領域３６、およびゲートバス１８のゲートバス金属コンタクト領域９１を露出させ、デバイス１２の活性領域２０の、デバイスセル２２のボディ／ソースコンタクト領域２４を露出させてよい。例えば、図６は、ブロック６０および６２に記載されたステップを行った後の、電力変換デバイス１２の表面８３の例を示す。図６に示すように、デバイス１２の表面８３は、デバイス１２の表面のかなりの部分（例えば、ゲート電極３４、ゲートバス１８、ゲートパッド１６）の上に配置された、ＩＬＤ９２を含む。さらに、図６では、誘電体の一部（例えば、ゲート誘電体層７０）が、選択的に除去されており、後のソースメタライゼーションのために、デバイス１２の活性領域２０の、デバイスセル２２のボディ／ソースコンタクト領域２４を露出している。加えて、ＩＬＤ９２の一部が、エッチングされており、後のメタライゼーションのために、デバイス１２のゲートパッド・バス領域１４において、ゲートパッド１６のゲート金属コンタクト領域３６を露出するゲートビア８６を形成し、ゲートバス１８のゲートバス金属コンタクト領域９１を露出するバスビア８８を形成している。
図２に戻ると、図示された工程５０は、活性領域の複数のストライプ型のデバイスセル２２の、ボディ／ソースコンタクト領域２４上にソース金属を成膜し、電力変換デバイス１２のゲートパッド・バス領域１４において、ゲートパッド１６のゲート金属コンタクト領域３８上にゲートパッド金属７８を直接成膜するとともに、ゲートバス金属コンタクト領域９１上にゲートバス金属７９を成膜すること（ブロック６４）で終了する。例えば、ある実施形態において、ブロック６２で露出した、デバイス１２の表面８３の一部が、成膜された金属と直接接触するように、図６に示すデバイス１２の、表面８３のかなりの部分の上に、１種類または複数種類の金属（例えば、アルミニウム）を成膜（例えば、蒸着、スパッタ、化学的気相成長法により成膜）してよい。続いて、図７のデバイス１２の表面９３で示すように、成膜された金属層９４は、選択的にエッチングされて、デバイス１２のゲートパッド・バス領域１４に配置されたゲートパッド金属７８を形成し、これを、デバイス１２の活性領域２０に配置されたソース金属９８から、電気的に分離する。加えて、成膜された金属層９４は、選択的にエッチングされて、ゲートパッド１６上に配置されたゲートパッド金属７８を、ゲートバス１８上に配置されたゲートバス金属７９から、電気的に分離する。ゲートバス金属７９は、ゲートバス１８のインピーダンスを低減することが理解されてよい。図７に示すように、ゲートパッド金属７８は、ワイヤボンド３８を介して外部ゲート接続４０に電気的に結合され、ソース金属９８は、ワイヤボンド１０２を介して外部ソース接続１００に電気的に結合されて、電力変換デバイス１２の動作を可能にする。
図８Ａは、図７に示す電力変換デバイス１２の実施形態の、１−１線に沿った断面図を示す。より具体的には、図８Ａのデバイス１２の断面図は、上記のように、ボディ／ソースコンタクト領域２４、ソース領域２６、チャネル領域２８（ウェル領域１０４の一部）、およびＪＦＥＴ領域３０を含む、複数のデバイスセル２２を示す。加えて、図示されたデバイス１２は、ゲート誘電体層７０によって、ソース領域２６、チャネル領域２８、およびＪＦＥＴ領域３０の、一部から分離され、ＩＬＤ９２によってソース金属９８から分離された、ゲート電極３４を含む。図示されたソース金属９８は、ボディ／ソースコンタクト領域２４上に直接ある、第１部分９８Ａ（例えば、コンタクト部分９８Ａ）と、第１部分９８Ａ上に直接配置された、第２部分９８Ｂとを含む。図８Ａはさらに、半導体層１０が、基板層１１０の上方（例えば、上に直接）に配置されていることを示す。図示されたデバイス１２は、半導体層１０とは反対側の、基板層１１０の表面上に成膜された、ドレイン金属１１２も含む。ＩＬＤ９２を通してソース金属９８に結合され、ゲート誘電体７０を通して下地半導体領域に結合された、ゲート電極３４に関連する容量が存在し、これは、スイッチング過渡中に充電および放電される、容量性負荷として作用することに、留意すべきである。
図８Ｂは、図７の電力変換デバイス１２の実施形態の、代わりに２−２線に沿った、別の断面図を示す。より具体的には、図８Ｂの断面図は、デバイスの活性領域２０と、デバイスのゲートパッド・バス領域１４との間の、境界の一部を示す。したがって、図８Ｂは、活性領域２０から延び、ゲートパッド１６に電気的かつ物理的に接続され、ＰＴＣを有する（例えば、約２０００ｐｐｍ／℃より大きい）同じゲート材料８２からすべて形成された、デバイスセル２２（図示せず）のゲート電極３４を示す。加えて、ゲートビア８６は、ゲートパッド金属７８が、ゲートパッド１６のゲート金属コンタクト領域３６に直接接触することを可能にする、ＩＬＤ９２の開口部を提供する。したがって、図示されたゲートネットワーク３３の過渡的なゲート電流（またはゲート電荷）の流路は、ゲートパッド金属７８、ゲートパッド１６、およびゲート電極３４を含む。デバイス１２のある実施形態において、図８Ｂに示すように、多数（例えば、数十個または数百個）のＭＯＳＦＥＴセル２２が、ゲートパッド１６に直接、電気的に接続された、ゲート電極３４を有してよいことに留意してよい。
上記のように、現在のところ、ＳｉＣ電力変換デバイスついては、Ｒｇを低く、接合部温度（Ｔｊ）を高くすることで、電圧オーバーシュートがより顕著になる可能性があり、このことが、スイッチング損失を不所望に増加し、かつ電力変換デバイスおよびその他のシステム構成要素にストレスを与え、早期の破壊的な障害につながる可能性があることが、認識されている。上記のように、ゲートネットワーク３３はＰＴＣを有し、したがってＴｊとともに適切に変化する抵抗を提供するように設計され、デバイスセルのピーク電圧が、デバイスの予想される動作接合部温度の範囲にわたって、所定の最大電圧値（すなわち、Ｖｍａｘ）未満に維持されることを確実にする。例として、以下で説明するように、電力変換デバイス１２の通常の（例えば、定格の）動作中に観測される温度に基づいて、所定のＴｌｏｗ（例えば、２０℃、２５℃、８０℃）から所定のＴｈｉｇｈ（例えば、１５０℃、１７５℃）までである。加えて、以下で説明するように、ゲートネットワーク３３のゲート材料８２は、接合部温度の低下に伴って抵抗が低下するため、このことは、接合部温度が最大動作接合部温度未満（すなわち、Ｔｊ＜Ｔｈｉｇｈ）のとき、ゲートネットワーク３３が、デバイス１２のスイッチング損失を大幅に低減することを可能にする。以下で説明するように、ゲートネットワーク３３のＰＴＣ挙動は、高い接合部温度でゲート抵抗を増加させる、フィードバック機構を提供する。高い接合部温度でゲート抵抗を増加させることに対応して、より高い接合部温度での損失の増加という犠牲を払って、電力変換デバイスのターンオフおよびダイオードのターンオフに関連する、電圧オーバーシュートおよびリンギングが減少する。
図９Ａは、電力モジュール１２２の回路１２０の一部を示す。本明細書で使用される「電力変換システム」は、１個または複数個の電力モジュールを使用して、電力をある形式から別の形式（例えば、ＤＣからＡＣ、ＡＣからＤＣ、ＤＣからＤＣ）に変換するように設計されたシステムを指す。本明細書で使用される「電力モジュール」は、複数の電力変換デバイス（例えば、ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ電力変換デバイス１２）とともに、それらの動作を助けるための補助素子（例えば、ダイオード、インダクタ、コンデンサ、抵抗）を含む、電力変換システムのサブシステムを指す。図示された回路１２０は、特定の（一定の）温度で動作するときに特定の（一定の）Ｒｇを可能にする、ＰＴＣを有するゲートネットワーク３３を備える、電力変換デバイス１２（すなわち、ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ電力変換デバイス１２）の実施形態を含む。図示された回路１２０では、電力変換デバイス１２は、回路１２０の第１ＶＤＣ脚部１２４に直接、電気的に接続され、互いに並列に電気的に接続されているインダクタ１２８およびダイオード１３０を介して、回路１２０の反対側のＶＤＣ脚部１２６に電気的に接続されている。図９Ｂのゲート電圧信号曲線１３６によって示されるように、図９Ａに示す回路１２０は、電力変換デバイス１２のターンオフ、およびダイオード１３０の対応するターンオンに関連する。したがって、図９Ａは、初期電流を表す矢印１３２を含み、図示された回路１２０の電力変換デバイス１２のターンオフに関連する、負荷電流を表す矢印１３４を含む。
図１０Ａおよび１０Ｂは、特定の（一定の）温度でのそれぞれ異なる全等価直列ゲート抵抗（Ｒｇ）を可能にする、それぞれ異なるゲートネットワーク３３を有する電力変換デバイス１２を備える、図９Ａに示す回路１２０の実施形態の、ＭＯＳＦＥＴのターンオフの波形を示すグラフである。より具体的には、図１０Ａは、特定のＲｇ（すなわち、Ｒ１＜Ｒ２＜Ｒ３＜Ｒ４）を可能にする特定のゲートネットワーク３３を有する、電力変換デバイス１２をそれぞれ含む、回路１２０の４つの実施形態についての、時間に対する、電力変換デバイス１２のドレイン電流を示す、グラフ１４０である。図１０Ｂは、増加するＲｇの値Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４に起因する電圧オーバーシュート（ＶＯ−Ｒ１、ＶＯ−Ｒ２、ＶＯ−Ｒ３、ＶＯ−Ｒ４）を示す、図１０Ａで表された回路１２０の同じ４つの実施形態についての、時間に対する、電力変換デバイス１２のドレイン−ソース電圧を示す、グラフ１５０である。
図１０Ａおよび図１０Ｂで表された回路１２０の実施形態については、Ｒｇが増加するにつれて、電力変換デバイス１２のターンオフ過渡が遅くなる（例えば、より遅いターンオフ電流の時間変化率、より小さいｄｉ／ｄｔ）。加えて、電力変換デバイス１２のターンオフエネルギー損失（Ｅｏｆｆ）は、過渡時間にわたるＩＤ（ｔ）×ＶＤＳ（ｔ）の積分によって与えられるため、Ｅｏｆｆは、Ｒｇの増加とともに増加する。Ｒｇが減少するにつれて、ターンオフ過渡は速度を増す（例えば、電力変換デバイス１２のターンオフ電流のより速い時間変化、より大きいｄｉ／ｄｔ）。加えて、電圧オーバーシュートは、実質的に、電流転流ループの寄生インダクタンス（Ｌｐａｒａｓｉｔｉｃ）とターンオフ過渡との積（すなわち、Ｌｐａｒａｓｉｔｉｃ×ｄｉ／ｄｔ）によるため、電圧オーバーシュートもＲｇの減少とともに増加する。したがって、本実施形態については、開示されるゲートネットワーク３３は、Ｅｏｆｆを最小化しながらピーク電圧をＶｍａｘ未満に維持するＲｇを可能にする、抵抗率を有するように設計されている。例えば、図１０Ａおよび図１０Ｂで表されたＲｇ値のうち、Ｒ３で示されるＲｇ値は、図９Ａの回路１２０の、電力変換デバイス１２のターンオフ過渡についてのＥｏｆｆを最小化しながら、ピーク電圧をＶｍａｘ未満に維持する。
図１１Ａは、図９Ａに示す回路１２０の一部であり、図１１Ｂの電圧プロットの曲線１６０によって示されるように、図１１Ａの回路１２０は、ダイオード１２８のターンオフ、およびデバイスセル２２の対応するターンオンに関連する。上記の要素に加えて、図１１Ａに示す回路１２０は、デバイスセル２２がターンオンし、ダイオード１３０がターンオフするときの、回路１２０を通る、初期電流を示す矢印１６０、負荷電流を示す矢印１６２、およびダイオード回復電流を示す矢印１６４を含む。図１２Ａおよび１２Ｂは、特定の（一定の）温度でより高いまたはより低い抵抗率を有する、開示されるゲートネットワーク３３を有する結果として、それぞれ異なるＲｇを有するデバイスセル２２を含む、図１１Ａの回路１２０のそれぞれ異なる実施形態の、ダイオードのターンオンの波形である。
より具体的には、図１２Ａは、特定のＲｇ（すなわち、Ｒ５＜Ｒ６＜Ｒ７＜Ｒ８）を有する電力変換デバイス１２を備える、回路１２０の４つの実施形態についての、時間に対する、（図１１Ａの）ダイオード１３０のドレイン電流を示す、グラフ１７０である。図１２Ｂは、増加するＲｇの値Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８に起因する電圧オーバーシュート（ＶＯ−Ｒ５、ＶＯ−Ｒ６、ＶＯ−Ｒ７、ＶＯ−Ｒ８）を示す、図１２Ａで表された回路１２０の同じ４つの実施形態についての、時間に対する、ダイオード１３０のカソード−アノード電圧（または「逆」）を示す、グラフ１８０である。図示されているように、Ｒｇが増加するにつれて、電力変換デバイス１２のターンオン過渡は、遅くなる（例えば、より遅い、ダイオード１３０のターンオフ電流の時間変化率）。Ｒｇが減少するにつれて、ターンオフ過渡は速度を増し（例えば、ダイオード１３０のターンオフ電流のより速い時間変化）、電流転流ループの寄生インダクタンス（Ｌｐａｒａｓｉｔｉｃ）により、Ｌｐａｒａｓｉｔｉｃ×ｄｉ／ｄｔに応じて電圧オーバーシュートが増加する。したがって、本実施形態については、ゲートネットワーク３３の抵抗率の範囲は、一般に、Ｅｏｆｆを最小化しながらピーク電圧をＶｍａｘ未満に維持するＲｇを可能にするように、選択されている。例えば、図１２Ａおよび図１２Ｂで表されたＲｇ値のうち、Ｒ７で示されるＲｇ値は、ダイオード１３０のＥｏｆｆを最小化しながら、ダイオード１３０のピーク電圧をＶｍａｘ（例えば、ダイオード１３０の定格電圧）未満に維持する。一般に、図１０Ａおよび図１０Ｂで表されたＲ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４は、図１２Ａおよび図１２Ｂで表されたＲ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８と同じでなくてよいことに留意してよい。換言すれば、開示されるゲートネットワーク３３は、図１０Ａおよび図１０Ｂに示すデバイスセル２２のターンオフの波形と、図１２Ａおよび図１２Ｂに示すダイオード１３０のターンオフの波形と、の両方に基づく適切なＲｇを可能にするために、ＴｌｏｗとＴｈｉｇｈとの間の温度範囲にわたって、特定の範囲の抵抗率を有するように、設計されることができることが理解されてよい。
図１３は、開示されるゲートネットワーク３３を含む電力変換デバイス１２の実施形態についての、度Ｃ（℃）で表した接合部温度（すなわち、Ｔｊ）の関数としての、正規化されたＲｇ（すなわち、Ｒｇ／２５℃でのＲｇ）を示す、グラフ１９０である。ゲートネットワーク３３のＰＴＣ特性およびＰＴＣ挙動により、Ｒｇは、曲線１９４によって示されるように、電力変換デバイス１２のＴｊの増加とともに増加し、電力変換デバイス１２のＴｊの減少とともに減少する。例えば、ある実施形態において、曲線１９４によって示されるように、Ｔｊが動作範囲（例えば、破線のボックス１９２によって示されるように、２５℃のＴｌｏｗと１５０℃のＴｈｉｇｈとの間のΔＴ）内で増減するにつれて、Ｒｇは、温度変化に応じて、約２５％より大きく増加または減少する。ある実施形態において、図１３で表されたデバイス１２の実施形態の、開示されるゲートネットワーク３３は、ＴｌｏｗとＴｈｉｇｈとの間で、約２５％と約４０％との間（例えば、約３０％と４０％との間）のＲｇの増加を可能にして、開示されているように、スイッチング損失を低減する。
本実施形態については、ゲートネットワーク３３は、ゲートネットワーク３３の構成要素（例えば、ゲートパッド１６、ゲート電極３４）を製造するために使用される構造および材料によって決定される、正の抵抗温度係数値（ＰＴＣ）を有する。例えば、ゲートネットワーク３３が、金属シリサイド／ｐｏｌｙ Ｓｉ層（例えば、ｎ＋ドープされたｐｏｌｙＳｉ上の、ＴａＳｉ２）で構築される場合、金属シリサイド層およびｐｏｌｙ Ｓｉ層の相対的な厚さは、ゲートネットワーク３３のＰＴＣ値に影響を及ぼす。例えば、ある実施形態において、ゲートネットワーク３３は、約２０００ｐｐｍ／℃より大きい、ＰＴＣまたはＰＴＣ値を有する。ある実施形態において、ゲートネットワーク３３の、ＰＴＣまたはＰＴＣ値は、約２２５０ｐｐｍ／℃より大きくてよい（例えば、約２４００ｐｐｍ／℃と３２００ｐｐｍ／℃との間）。比較すると、ｐｏｌｙ−Ｓｉ抵抗のＰＴＣは、通常のドーピングでの負の値から、退化性ドーピングでの最大数百ｐｐｍ／℃までの範囲とすることができる。したがって、特定の開示されるゲート材料８２（例えば、特定の金属シリサイド／ｐｏｌｙ−Ｓｉ層）は、より低いシート抵抗値と、ｐｏｌｙ−Ｓｉ単独のものの１０倍またはそれより大きいＰＴＣ値と、の両方を提供することが理解されてよい。
図１４は、本アプローチの電力変換デバイス１２の実施形態について、電圧オーバーシュート（％）および（任意の単位の）スイッチング損失の両方を、（任意の単位の）Ｒｇの関数として示す、二重ｙ軸のｘ−ｙグラフ２００である。曲線２０２は、動作範囲の最小接合部温度Ｔｌｏｗ（例えば、２５℃）での、電力変換デバイス１２の電圧オーバーシュートを表し、一方、曲線２０４は、動作範囲の最大接合部温度Ｔｈｉｇｈ（例、１５０℃）での、デバイス１２の電圧オーバーシュートを表す。同様に、曲線２０６は、動作範囲の最小接合部温度（Ｔｌｏｗ）での、デバイス１２のスイッチング損失を表し、一方、曲線２０８は、動作範囲の最大接合部温度（Ｔｈｉｇｈ）での、デバイス１２のスイッチング損失を表す。
上記を念頭に置いて、比較のデバイス（例えば、ゲートネットワークがＰＴＣを有しない、図１の電力変換デバイス１２と実質的に同様の電力変換デバイス）は、接合部温度がＴｌｏｗであるか、Ｔｈｉｇｈであるかにかかわらず、破線２１０によって示されるように、実質的に一定のＲｇを有する。したがって、比較の電力変換デバイス（一定のＲｇを有する）については、Ｔｌｏｗでの電圧オーバーシュートは、破線２１２で示され、Ｔｈｉｇｈでの電圧オーバーシュートは、破線２１４で示される（デバイスの定格最大電圧Ｖｍａｘに対応する）。同様に、比較の電力変換デバイス（一定のＲｇを有する）については、Ｔｌｏｗでのスイッチング損失は、破線２１６で示され、一方、Ｔｈｉｇｈでのスイッチング損失は、破線２１８で示される。
これを念頭に置いて、本アプローチの実施形態について、開示されるゲートネットワーク３３は、矢印２２０によって示されるように、Ｔｈｉｇｈ未満の接合部温度（例えば、ＴｌｏｗとＴｈｉｇｈとの間）でのＲｇの減少を伴う、可変のＲｇを可能にする。すなわち、ゲートネットワーク３３の１つまたは複数の構成要素が、ＰＴＣを有するから、デバイス１２のＲｇは、Ｔｌｏｗでの最小のＲｇ（破線２２２によって示される）と、Ｔｈｉｇｈでの最大のＲｇ（破線２１０によって示される）と、の間で変化する。図１４で表された比較については、Ｔｈｉｇｈでの本アプローチの電力変換デバイス１２のＲｇ（破線２１０によって示される）は、一定のＲｇを有する、比較の電力変換デバイスのものと、実質的に同じであることに留意してよい。その結果、電力変換デバイス１２の、表された実施形態の、Ｔｈｉｇｈでの電圧オーバーシュートおよびスイッチング損失は、比較のデバイス１２の、Ｔｈｉｇｈでの電圧オーバーシュートおよびスイッチング損失と、実質的に同じである。換言すれば、破線２１４によって示される、Ｔｈｉｇｈでの電圧オーバーシュート、および破線２１８によって示される、Ｔｈｉｇｈでのスイッチング損失は、Ｔｈｉｇｈで動作するとき、本アプローチの電力変換デバイス１２と、一定のＲｇを有する比較のデバイスとの両方についての、電圧オーバーシュートおよびスイッチング損失を示す。したがって、図示されているように、本アプローチの電力変換デバイス１２、および比較の電力変換デバイス（一定のＲｇを有する）は、両方とも、ＴｌｏｗとＴｈｉｇｈとの間のすべての温度で、電圧オーバーシュートを、最大許容電圧オーバーシュート制限未満（例えば、Ｖｍａｘ未満）に維持する。
図１４で表された本開示の電力変換デバイス１２の実施形態については、Ｔｌｏｗでの電圧オーバーシュートは、破線２２４によって示され、Ｔｌｏｗでのスイッチング損失は、破線２２６によって示される。デバイス１２の、表された実施形態については、矢印２２８によって示されるように、Ｔｈｉｇｈ未満の接合部温度（Ｔｊ）でのＲｇの減少は、Ｔｌｏｗでの比較のデバイスと比べて、わずかな電圧オーバーシュート（％）の増加をもたらす。しかし、矢印２３０によって示されるように、Ｔｊ＜Ｔｈｉｇｈの場合のＲｇの減少は、Ｔｌｏｗでの比較のデバイスと比べて、本アプローチのデバイス１２の、スイッチング損失の大幅な減少ももたらす。換言すれば、現在のところ、最高動作温度より低いすべての接合部温度（すなわち、Ｔｊ＜Ｔｈｉｇｈの場合）で一定のＲｇを有する、比較のデバイスは、スイッチングが実際に必要とされるよりも遅くなり、より大きなスイッチング損失をもたらすであろうということが認識されている。対照的に、開示されるゲートネットワーク３３は、電力変換デバイス１２の本実施形態が、最大動作温度より低いすべての接合部温度で（すなわち、Ｔｊ＜Ｔｈｉｇｈで）、より速くスイッチングすることを可能にし、それによりスイッチング損失を低減する。さらに、本デバイス１２の実施形態については、接合部温度が最大動作温度に近づくにつれて（すなわち、ＴｊがＴｈｉｇｈに近づくにつれて）、開示されるゲート材料８２は、Ｒｇが増加し、電力変換デバイス１２のスイッチング速度を遅くして、電圧オーバーシュートを最小化し、デバイス１２の安全動作領域を拡大する。したがって、デバイス１２の開示されるゲートネットワーク３３は、接合部温度がＴｈｉｇｈに達するとき、比較の電力変換デバイスと同様の性能を維持し、一方、接合部温度がＴｈｉｇｈより低いとき、スイッチング損失を大幅に低減することにより、比較の電力変換デバイスと比べて、劇的に改善された性能を示す。
ある実施形態において、本技術は、すべての目的について全体が参照により本明細書に組み込まれる、「ＩＮＴＥＧＲＡＴＥＤ ＧＡＴＥ ＲＥＳＩＳＴＯＲＳ ＦＯＲ ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ ＰＯＷＥＲ ＣＯＮＶＥＲＳＩＯＮ ＤＥＶＩＣＥＳ」という名称の、２０１７年５月１８日に出願された、同時係属中の米国特許出願第１５／５９９，１１９号に開示の技術と組み合わせることができるということに、さらに留意すべきである。すなわち、典型的な半導体電力変換デバイスでは、適切な電圧パルスがゲートパッドに印加されるとき、ゲートパッドにより近接する（例えば、ゲートパッドへのより短い電気経路を有する）デバイスセルが、ゲートパッドからより遠くに配置されたデバイスセルよりも速く応答（例えば、活性化または非活性化、電流の導通または電流の流れの遮断、ターンオンまたはターンオフ）する場合があり、その結果生じる伝播遅延の差が、電力変換デバイスの電流／電圧分布の望ましくない局所化を生む可能性があることが、理解されてよい。
これを念頭に置いて、ある実施形態において、上記のゲートネットワークに加えて、電力変換デバイスは、集積抵抗ネットワークを有するゲートパッドを含んでよい。この集積抵抗ネットワークは、一般に、電力変換デバイスのそれぞれ異なる領域に配置された、ゲート金属コンタクト領域とデバイスセルのゲート電極との間に、それぞれ異なる抵抗（例えば、最少の２つの異なる抵抗値）を提供する。集積抵抗ネットワークは、複数の集積抵抗を含む。ここで、各集積抵抗は、その集積抵抗を介して外部ゲート接続に電気的に結合されたゲート電極を備えるデバイスセルのグループの、スイッチング速度を適切に調節（例えば、低減）するそれぞれの抵抗を有する寸法になっている。したがって、集積抵抗ネットワークは、コスト、複雑さ、および外部チップ抵抗の寸法の増加を回避しながら、ゲートパッドに対するデバイスセルの位置にかかわらず、デバイスセルが、同期して（例えば、最小限の伝播遅延差で）動作することを確実にすることができる。したがって、現在のところ、本開示のゲート材料は、集積抵抗ネットワーク、およびＰＴＣ特性を有する開示されるゲートネットワークの構成要素の両方の製造を可能にすることが認識されている。例えば、ある実施形態において、電力変換デバイスのゲートネットワークは、集積抵抗ネットワークを有するゲートパッドを含んでよく、ＰＴＣ特性を示す１つまたは複数の構成要素（例えば、ゲート電極、ガスバス、ゲートパッドの一部）も含んでよい。
具体的な例として、図１５は、領域Ａ１、Ａ２、Ａ３、およびＡ４に配置されたゲート電極（図示せず）を有するデバイスセルを含む、電力変換デバイス１２の実施形態の表面の概略図である。図示された実施形態については、領域Ａ１のデバイスセルのゲート電極は、ゲートバス１８Ａを介してゲートパッド１６に電気的に結合され、領域Ａ３のデバイスセルのゲート電極は、ゲートバス１８Ｂを介してゲートパッド１６に電気的に結合される。一方、図８Ｂについての上記のように、領域Ａ２およびＡ４は、ゲートパッド１６に直接、電気的に結合される。さらに、ゲートパッド１６を中心からずらす（すなわち、デバイス１２の表面の中央に配置しない）ことが、設計の見込みからは有利であり得ることに留意してよい。しかし、図１５に示す中心からずれたゲートパッド１６は、開示される集積抵抗ネットワーク１９０の恩恵を受けることなく、より大きな伝播遅延差を示すことにも留意してよい。したがって、開示される集積抵抗ネットワーク１９０は、電力変換デバイス１２のデバイスセル２２の伝播遅延差を低減しながら、ゲートパッド１６およびゲートバス１８の配置の、より高い自由度を可能にすることが理解されるべきである。
図１５の拡大部分に示すように、図示された実施形態のゲートパッド１６は、少なくとも２つの異なるそれぞれの抵抗値を有する、複数の集積抵抗１９２（すなわち、集積抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４と標識される）を備える集積抵抗ネットワーク１９０を含む。より具体的には、ＰＴＣ（例えば、約２０００ｐｐｍ／℃より大きい）を有するゲート材料８２が、成膜およびパターン化されるとき（例えば、図２のブロック５６）、ゲートパッド・バス領域１４のゲート材料８２の追加的な部分が、除去される。これらのエッチングされた部分１９４は、ゲート材料８２の連続性を断ち、ゲート金属コンタクト領域３６に隣接して配置された集積抵抗ネットワーク１９０を含むゲートパッド１６が、結果として得られる。集積抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４はそれぞれ、並列に電気的に接続された１つまたは複数の抵抗セグメント１９８（例えば、抵抗性経路１９８）を含むか、またはそれらからなる。加えて、ゲートネットワーク３３全体が、一般に、ＰＴＣ特性を有するゲート材料８２で作られているため、ある実施形態において、ゲートパッド１６の一部（例えば、抵抗セグメント１９８、抵抗ネットワーク１９０の残りの部分）、ゲート電極、またはそれらの組み合わせは、ＰＴＣ特性を示し得ることも、理解されてよい。したがって、ある実施形態において、集積抵抗ネットワーク１９０を含む、開示されるゲートネットワーク３３は、電力変換デバイスのそれぞれ異なる領域に配置されたデバイスセルが、同期して動作することを可能にし、一方でまた、比較的低い温度（Ｔｊ＜Ｔｈｉｇｈ）で動作しているデバイスセルのスイッチング損失を低減し、かつデバイスセルのピーク電圧が、最大電圧定格（Ｖｍａｘ）未満に維持されることを確実にするものでもある。
本開示の技術的効果には、ゲートパッドおよび／またはゲート電極が、正の抵抗温度係数（ＰＴＣ、正のＴＣＲ）を有する材料で作られているような、ゲートネットワークを含む、半導体電力変換デバイスの製造が含まれる。開示されるＰＴＣゲート材料のＰＴＣ特性は、動作接合部温度の範囲（例えば、約２５℃のＴｌｏｗと約１５０℃のＴｈｉｇｈとの間）で、可変の全等価直列ゲート抵抗（Ｒｇ）を提供する。以下に詳細に説明するように、開示されるゲートネットワークは、電力変換デバイスのデバイスセルに熱的に近接しており、近くのデバイスセルの接合部温度の変化に応じて、抵抗率を変える。ゲートネットワークの実施形態は、特に接合部温度がＴｈｉｇｈに達するとき、デバイスセルのピーク電圧が、最大電圧（Ｖｍａｘ）未満に維持されることを確実にし、一方で、接合部温度がＴｈｉｇｈ未満のとき、デバイスセルのスイッチング損失を低減するために、適切な抵抗率を有するように設計されている。加えて、ある実施形態において、電力変換デバイスは、ゲートパッドに対するデバイスセルの位置にかかわらず、電力変換デバイスのデバイスセルの伝播遅延差を最小化するような寸法になっている複数の集積抵抗を備える、集積抵抗ネットワークを含む、ゲートパッドを追加的に有してもよい。
この書面による説明は、例を用いて、最良の態様を含め本発明を開示し、また、あらゆるデバイスまたはシステムを作製および使用し、あらゆる組み込まれた方法を行うことを含め、あらゆる当業者が、本発明を実施することができるようにもする。本発明の特許を受けることができる範囲は、請求項によって定められ、当業者が思いつく他の例を含み得る。そのような他の例は、それらが、請求項の文字通りの言葉との違いを有しない構造要素を備える場合、またはそれらが、請求項の文字通りの言葉との違いに実質がない、同等の構造要素を含む場合、請求項の範囲内にあることが意図されている。

Claims (21)

  1. 炭化ケイ素（ＳｉＣ）電力変換デバイスであって、
    前記ＳｉＣ電力変換デバイスの活性領域に配置された、複数のＳｉＣ金属・酸化物・半導体ベース（ＭＯＳベース）トランジスタデバイスセルそれぞれの複数のゲート電極と、
    前記ＳｉＣ電力変換デバイスのゲートパッド・バス領域に配置されたゲートパッドと、
    前記ＳｉＣ電力変換デバイスの前記ゲートパッド・バス領域に配置されたゲートバスであって、前記ゲートバスは、前記ゲートパッドと、前記ＳｉＣ電力変換デバイスの前記活性領域の前記複数のゲート電極の少なくとも一部との間に延びて電気的に接続するゲートバスと、
    を含む、ゲートネットワークであって、
    前記ゲートネットワークの、前記ゲートパッド、前記ゲートバス、前記複数のゲート電極、またはそれらの組み合わせの、少なくとも一部は、約２０００パーツパーミリオン毎度Ｃ（ｐｐｍ／℃）より大きい正の抵抗温度係数を有するゲートネットワークを備える、炭化ケイ素（ＳｉＣ）電力変換デバイス。
  2. 前記正の抵抗温度係数は、約２２５０ｐｐｍ／℃より大きい、請求項１に記載のデバイス。
  3. 前記正の抵抗温度係数は、約２４００ｐｐｍ／℃と３２００ｐｐｍ／℃との間である、請求項２に記載のデバイス。
  4. 前記ゲートネットワークの、前記ゲートパッド、前記ゲートバス、および前記複数のゲート電極の実質的にすべてが、実質的に同じ正の抵抗温度係数を有する、請求項１に記載のデバイス。
  5. 前記ＳｉＣ電力変換デバイスは、１５０℃の接合部温度（Ｔｊ）で動作している全等価直列ゲート抵抗（Ｒｇ）であって、２５℃のＴｊで動作している前記ＳｉＣ電力変換デバイスのＲｇより少なくとも２５％大きいものを有する、請求項１に記載のデバイス。
  6. １５０℃のＴｊで動作している前記ＳｉＣ電力変換デバイスのＲｇは、２５℃のＴｊで動作している前記ＳｉＣ電力変換デバイスのＲｇより約３０％から４０％大きい、請求項５に記載のデバイス。
  7. 前記ゲートネットワークは、金属シリサイド層の下方に配置された高度にドープされたポリシリコン層を含む、請求項１に記載のデバイス。
  8. 前記金属シリサイド層は、ケイ化モリブデン（ＭｏＳｉ２）、ケイ化タンタル（ＴａＳｉ２）、ケイ化タングステン（ＷＳｉ２）、ケイ化コバルト（ＣｏＳｉ２）、ケイ化ニッケル（ＮｉＳｉ２）、ケイ化チタン（ＴｉＳｉ２）、またはそれらの組み合わせを含む、請求項７に記載のデバイス。
  9. 前記ゲートネットワークのシート抵抗は、２オーム毎スクエア（オーム／スクエア）と５０オーム／スクエアとの間である、請求項１に記載のデバイス。
  10. 前記ＳｉＣ電力変換デバイスの全等価直列ゲート抵抗（Ｒｇ）は、約１オームと約８０オームとの間である、請求項１に記載のデバイス。
  11. 前記ＳｉＣ電力変換デバイスのＲｇは、約３オームと約２０オームとの間である、請求項１０に記載のデバイス。
  12. 前記ゲートネットワークの前記ゲートパッドのみが、約２０００ｐｐｍ／℃より大きい前記正の抵抗温度係数を有し、前記ゲート電極は、大幅に低い正の抵抗温度係数を有する、請求項１に記載のデバイス。
  13. 前記ゲートパッド、前記ゲートバス、および前記複数のゲート電極のうち、１つのみが、前記正の抵抗温度係数を有する、請求項１に記載のデバイス。
  14. 前記ゲートパッドは、ゲート金属コンタクト領域に隣接して配置された複数の集積抵抗を有する集積抵抗ネットワークを含み、
    前記複数のＳｉＣ ＭＯＳベーストランジスタデバイスセルは、前記デバイスの前記活性領域のそれぞれ異なる部分に配置され、
    前記複数のゲート電極の第１部分は、前記複数の集積抵抗のうちの第１集積抵抗、前記ゲートバス、および前記ゲート金属コンタクト領域を介して、外部ゲート接続に電気的に接続され、
    前記デバイスの前記活性領域の第２部分内の、前記複数のゲート電極の第２部分は、前記複数の集積抵抗のうちの第２集積抵抗および前記ゲートコンタクト領域を介して、前記外部ゲート接続に電気的に接続され、
    前記第１集積抵抗および前記第２集積抵抗は、実質的に異なるそれぞれの抵抗値を有する、
    請求項１に記載のデバイス。
  15. 前記複数のＳｉＣ ＭＯＳベーストランジスタデバイスセルは、複数の金属・酸化物・半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）デバイスセルまたは複数の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）デバイスセルである、請求項１に記載のデバイス。
  16. 炭化ケイ素（ＳｉＣ）電力変換デバイスの半導体層の表面にゲートネットワークを形成することを含み、
    前記ゲートネットワークは、
    前記ＳｉＣ電力変換デバイスの活性領域に配置された複数のＳｉＣ金属・酸化物・半導体ベース（ＭＯＳベース）トランジスタデバイスセルの複数のゲート電極と、
    前記ＳｉＣ電力変換デバイスのゲートパッド・バス領域に配置され、前記複数のゲート電極のそれぞれに電気的に接続されたゲートパッドと、を含み、
    前記ゲートネットワークの少なくとも一部は、約２０００パーツパーミリオン毎度Ｃ（ｐｐｍ／℃）より大きい正の抵抗温度係数を有する、
    方法。
  17. 前記ゲートネットワークを形成することは、
    前記半導体層の前記表面上にゲート材料層を成膜することと、
    前記ゲート材料層の一部を選択的にエッチングし、前記ゲートネットワークを形成することと、を含み、
    前記ゲート材料層は、２５℃で約３オーム毎スクエアと約６オーム毎スクエアとの間のシート抵抗を有する、
    請求項１６に記載の方法。
  18. 前記ゲート材料層を成膜することは、
    ドープされたポリシリコン層を前記半導体層の前記表面上に直接成膜することと、
    前記ドープされたポリシリコン層上にシリサイド層を成膜し、前記ゲート材料層を形成することと、を含み、
    前記ドープされたポリシリコン層は、約２５００オングストローム（Å）と４０００Åとの間の厚さを有し、
    前記シリサイド層は、約１５００Åと４０００Åとの間の厚さを有する、
    請求項１７に記載の方法。
  19. 前記複数のＳｉＣ ＭＯＳベーストランジスタデバイスセルのそれぞれについて、前記ＳｉＣ電力変換デバイスの前記表面に隣接するボディ／ソースコンタクト領域、ウェル領域、およびソース領域を注入することにより、前記ゲートネットワークを形成する前に前記ＳｉＣ電力変換デバイスの前記活性領域を製造することを含む、請求項１６に記載の方法。
  20. 前記ゲートネットワークを形成する前に、前記ＳｉＣ電力変換デバイスの前記活性領域の前記半導体層の前記表面にゲート誘電体を形成し、前記ゲートパッド・バス領域の前記ＳｉＣ電力変換デバイスの前記表面にフィールド酸化膜層を形成することと、
    前記ゲートネットワークを形成した後、前記ゲートネットワーク上に直接、前記ＳｉＣ電力変換デバイスの前記表面上の層間絶縁膜（ＩＬＤ）を形成することと、
    前記ＳｉＣ電力変換デバイスの前記表面に配置された前記ゲート誘電体、前記ＩＬＤ、またはその両方の一部を選択的に除去して前記ゲートパッド・バス領域にゲートビアおよびバスビアを形成し、前記ＳｉＣ電力変換デバイスの前記活性領域の前記複数のＳｉＣ ＭＯＳベーストランジスタデバイスセルのそれぞれの前記ボディ／ソースコンタクト領域を露出させることと、
    前記ＳｉＣ電力変換デバイスの前記活性領域の前記複数のＳｉＣ ＭＯＳベーストランジスタデバイスセルの前記ボディ／ソースコンタクト領域上に直接ソース金属を成膜するとともに、前記ＳｉＣ電力変換デバイスの前記ゲートパッド・バス領域の前記ゲートビアの中にゲートパッド金属を成膜し、前記ＳｉＣ電力変換デバイスの前記ゲートパッド・バス領域の前記バスビアの中にゲートバス金属を成膜することと、
    を含む、請求項１９に記載の方法。
  21. 炭化ケイ素（ＳｉＣ）電力変換デバイスであって、
    前記活性領域のそれぞれ異なる部分に配置された複数のＳｉＣ金属・酸化物・半導体ベース（ＭＯＳベース）トランジスタデバイスセルそれぞれの複数のゲート電極を備える、活性領域と、
    集積抵抗ネットワークに隣接して配置されたゲート金属コンタクト領域を含むゲートパッドを備える、ゲートパッド・バス領域と、
    前記ゲートパッドと、前記デバイスの前記活性領域の第１部分の前記複数のゲート電極の第１部分との間に延びる第１ゲートバスと、を備え、
    前記複数のゲート電極の前記第１部分は、前記集積抵抗ネットワークの第１部分、および、前記第１ゲートバスを介して、前記ゲート金属コンタクト領域に電気的に接続され、
    前記デバイスの前記活性領域の第２部分内の、前記複数のゲート電極の第２部分は、前記集積抵抗ネットワークの第２部分を介して、前記ゲート金属コンタクト領域に電気的に接続され、
    前記集積抵抗ネットワークの前記第１部分の抵抗値は、前記集積抵抗ネットワークの前記第２部分の抵抗値と大幅に異なり、
    前記複数のゲート電極、前記ゲートパッド、前記第１ゲートバス、またはそれらの組み合わせの、少なくとも一部は、約２０００パーツパーミリオン毎度Ｃ（ｐｐｍ／℃）より大きい正の抵抗温度係数を有する、
    炭化ケイ素（ＳｉＣ）電力変換デバイス。

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