JP2020523763A - バッテリー用固体高分子電解質 - Google Patents
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Abstract
Description
固体高分子電解質の1つの成分は、本明細書において高分子系とも呼ぶ金属イオン導電性高分子系である。高分子系の成分は、(a)高分子系が金属イオンを可溶化及び伝導できる(両方の特徴を合わせて本明細書では金属イオン伝導度と呼ぶ)ように、且つ(b)高分子系と、金属塩と、ホスホニウム塩とを含む固体高分子電解質が全体として、少なくとも20℃の温度で固体のままであるように選択される。少なくとも20℃の温度で固体である固体高分子電解質を提供できるこの能力を、本明細書では、物理的安定性を固体高分子電解質に与える高分子系の能力と呼ぶ。
固体高分子電解質に含まれる成分は、25℃未満の溶融温度を有し、且つ一般式[R1R2R3R4P]X(式中、R1、R2、R3及びR4のそれぞれは、C1〜C12炭化水素から独立して選択され、その炭化水素は、N、O及びSから選択された1〜5個のヘテロ原子で任意選択で置換されてもよく、Xはアニオンである)を有するホスホニウム塩である。適したアニオンは、当業者には公知であり、それらには、例えば、ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド(TFSI)、ビス(フルオロスルホニル)イミド(FSI)、ビス(ペルフルオロエチルスルホニル)イミド(BETI)、トリフルオロメタンスルホネート、ヘキサフルオロホスフェート、テトラフルオロボレート、パークロレート及びビス(オキサラト)ボレート(BOB)が含まれる。そのようなホスホニウム塩は、ホスホニウムイオン液体(又はP-IL)と呼ぶこともあり、これらの用語は、本明細書において互換的に使用される。更なる実施形態において、ホスホニウム塩は、20℃未満、0℃未満、-20℃未満、-40℃未満又は-60℃未満の融点を有する。
固体高分子電解質は、当業者には公知である通りの、電気化学電池における使用に適した解離性金属塩を更に含む。例えば、金属塩は、アルカリ金属塩、アルミニウム塩又はマグネシウム塩であってもよい。ある実施形態において、金属塩は、リチウム塩、ナトリウム塩及びカリウム塩から選択されたアルカリ金属塩である。別の実施形態において、金属塩はリチウム塩である。金属塩は、固体高分子電解質に同じく含まれる高分子系及びホスホニウム塩に少なくとも部分的に溶解することができるように選択される。
本明細書に記載の固体高分子電解質は、電気化学電池内の使用に適した任意の物理的形状を有し得る。例えば、固体高分子電解質は、例えば、約5μm〜約500μm、又は約10μm〜約100μmの厚さを有する膜の形態でもよい。いくつかの実施形態において、固体高分子電解質は、その面積全体にわたって実質的に一定の膜厚を有する、例えば、膜の全体にわたって厚さのばらつきが15%未満、10%未満、5%未満又は1%未満であり得る膜の形態である。
ポリマーを含む混合物からの膜又は物体の成形に適した任意の方法を使用して、本明細書において定義される固体高分子電解質を成形することができる。そのような方法には、例えば、溶融押出、メルトブロー法及び溶媒キャスト法が含まれる。ある実施形態において、膜形成の前に、金属イオン導電性高分子系と、ホスホニウム塩と、解離性金属塩とが混和され、膜形成の前に混和物は、金属イオン導電性高分子系の溶融温度を上回る温度にされる。
一実施形態において、膜でもよい固体高分子電解質物体の成形後、固体高分子電解質の物理的安定性を向上させるために、固体高分子電解質は架橋される。架橋固体高分子電解質を得るために、高分子系は架橋性成分を含んでいてもよく、高分子系は架橋開始剤を更に含んでいてもよい。代わりに、固体高分子電解質の成形の前に、架橋開始剤が混合物に加えられてもよい。
いくつかの実施形態において、金属イオンの伝導が固体高分子電解質内を流れるように、固体高分子電解質がアノードとカソードとの間に置かれて電気化学電池を形成する。固体高分子電解質は、アノードに隣接していても、カソードに隣接していても、その両方に隣接していてもよい。更に、金属イオンが固体高分子電解質を通じてアノードとカソードとの間を流れる限り、材料の1つ又は複数の層が、固体高分子電解質と、アノード及びカソードのうちの一方又は両方との間に存在してもよい。
ホスホニウムイオン液体のキャラクタリゼーション
Table 1(表1)に示すいくつかのイオン液体を固体高分子電解質の候補成分として選択した。固体高分子電解質膜を形成するために溶融押出の使用を本発明者らが意図したため、溶融押出法において使用される温度でイオン液体が安定であることを検証するためにイオン液体を評価した。
溶融押出による固体高分子電解質の調製
様々なイオン液体を使用して、固体高分子電解質の複数のバリエーションを溶融押出により調製した。加えて、イオン液体を使用せずにリファレンス固体高分子電解質を形成した。以下で説明する通り、架橋性導電性高分子であるポリエチレンオキシド(PEO)(600K mol.wt.;Polyscience社)及び支持高分子PVDF-co-HFP(Kynar Flex 2500 Arkema社);並びに金属塩LiTFSI(Aldrich社);ラジカル重合開始剤であるベンゾフェノン;並びにイオン液体を含む高分子系から固体高分子電解質を調製した。
固体高分子電解質のキャラクタリゼーション
実施例2において調製したP-IL含有固体高分子電解質を熱重量分析(図4)によってキャラクタリゼーションし、350℃を上回る温度まで安定なままであることが明らかになった。
電気化学電池の調製及びキャラクタリゼーション
LiFePO4カソード層、調製した固体高分子電解質、及び金属リチウムからなるアノード膜を積層することにより、実施例2に記載の通り調製した固体高分子電解質を含む電気化学電池を調製した。
デンドライト形成に対する安定性
デンドライト形成に対する固体高分子電解質の安定性を評価するために、更に固体高分子電解質/リチウム界面の安定性を評価するために、加速ストリッピング/めっき試験を実施した。この試験では、固体高分子電解質を金属リチウム膜の間に挟み、リチウム膜間に電流0.5mA/cm2を印加することにより金属リチウムのストリッピング/めっきを誘発し、この電流を1時間ごとに反転させた。系のインピーダンスも24時間ごとに測定した。
図9a-非架橋リファレンス固体高分子電解質
図9b-架橋リファレンス固体高分子電解質
図9c-N-IL-1を含む固体高分子電解質
図9d-N-IL-4を含む固体高分子電解質
図9e-PX-28を含む固体高分子電解質
イオン液体を含む固体高分子電解質の物理的安定性
イオン液体を含む固体高分子電解質の物理的安定性を評価するために、様々な濃度のイオン液体を使用して一連の固体高分子電解質を調製し、次いで、これらに対してイオン液体抽出試験を行い、次いで、走査型電子顕微鏡法(SEM)により観察した。
Claims (63)
- a.解離性金属塩と、
b.金属イオン導電性高分子系と、
c.ホスホニウム塩と
を含む固体高分子電解質であって、
解離性金属塩が、金属イオン導電性高分子系及びホスホニウム塩に可溶であり、
ホスホニウム塩が、一般式:[PR1R2R3R4]X
(式中、R1、R2、R3及びR4のそれぞれは、C1〜C12炭化水素から独立して選択され、その炭化水素は、N、O及びSから選択された1〜5個のヘテロ原子で任意選択で置換されてもよく、Xはアニオンである)
を有し、
ホスホニウム塩が、100℃未満の融点を有し、
固体高分子電解質が、20℃の温度で固体である、固体高分子電解質。 - 解離性金属塩と金属イオン導電性高分子系との混和物が、ホスホニウム塩の非存在下で、10-5S/cm〜10-6S/cmの伝導度を有する、請求項1に記載の固体高分子電解質。
- 解離性金属塩が、アルカリ金属塩、アルミニウム塩又はマグネシウム塩である、請求項1又は2に記載の固体高分子電解質。
- 解離性金属塩が、リチウム塩又はナトリウム塩である、請求項3に記載の固体高分子電解質。
- 解離性金属塩が、リチウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド(LiTFSI)、リチウムビス(フルオロスルホニル)イミド(LiFSI)、リチウムビス(ペルフルオロエチルスルホニル)イミド(LiBETI)、トリフルオロメタンスルホン酸リチウム(LiCF3SO3)、ヘキサフルオロリン酸リチウム(LiPF6)、ヘキサフルオロホウ酸リチウム(LiBF4)、過塩素酸リチウム(LiClO4)、リチウムビス(オキサラト)ボレート(LiBOB)、又はそれらのうちの2つ以上の混合物を含む、リチウム塩である、請求項4に記載の固体高分子電解質。
- リチウム塩がLiTFSIを含む、請求項5に記載の固体高分子電解質。
- 金属イオン導電性高分子系が、任意選択で架橋されていてもよい単一のポリマー又はコポリマーを含む、請求項1から6のいずれか一項に記載の固体高分子電解質。
- 金属イオン導電性高分子系が、ポリマー、コポリマー又はそれらの組合せのうちの2つ以上を含む、請求項1から6のいずれか一項に記載の固体高分子電解質。
- ポリマー及び/又はコポリマーのうちの少なくとも1つが架橋されている、請求項7又は8に記載の固体高分子電解質。
- 金属イオン導電性高分子系が、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、ポリブチレンオキシド、ペルフルオロスルホン酸官能基を持つポリマー、トリフルオロメタンスルホニルイミド官能基を持つポリマー、それらのうちの1つ若しくは複数のコポリマー、又はそれらのうちの2つ以上の混合物を含む、請求項1から9のいずれか一項に記載の固体高分子電解質。
- 金属イオン導電性高分子系が、ポリエチレンオキシド又はそのコポリマーを含む、請求項10に記載の固体高分子電解質。
- 金属イオン導電性高分子系が、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)、ポリフッ化ビニリデン-co-トリフルオロエチレン(PVDF-TrFE)、ポリ(メチルメタクリレート)(PMMA)、ニトリルブタジエンゴム(NBR)、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、又はそれらのうちの2つ以上の組合せを更に含む、請求項1から11のいずれか一項に記載の固体高分子電解質。
- 金属イオン導電性高分子系が、金属イオン導電性高分子系に含まれる1つ又は複数のポリマー又はコポリマーの結晶化度を低下させる添加剤を更に含む、請求項1から12のいずれか一項に記載の固体高分子電解質。
- 金属イオン導電性高分子系に含まれる1つ又は複数のポリマー又はコポリマーの結晶化度を低下させる添加剤が、コモノマーから形成されたコポリマーである、請求項13に記載の固体高分子電解質。
- コモノマーがヘキサフルオロプロピレン(HFP)である、請求項14に記載の固体高分子電解質。
- 金属イオン導電性高分子系が、ポリエチレンオキシドポリマー又はコポリマー、及びPVDF-HFPコポリマーを含む、請求項1から15のいずれか一項に記載の固体高分子電解質。
- ポリエチレンオキシドポリマー、又はコポリマーに含まれるポリエチレンオキシド部分が、約1.0×104g/mol〜約1.0×106g/molの間の分子量を有する、請求項16に記載の固体高分子電解質。
- ホスホニウム塩が、80℃未満の融点を有する、請求項1から17のいずれか一項に記載の固体高分子電解質。
- ホスホニウム塩が、25℃未満の融点を有する、請求項18に記載の固体高分子電解質。
- ホスホニウム塩が、160℃の温度で物理的に安定である、請求項1から19のいずれか一項に記載の固体高分子電解質。
- R1、R2、R3及びR4がアルキル基であり、そのそれぞれが、N、O及びSから選択された1〜5個のヘテロ原子で任意選択で置換されていてもよい、請求項1から20のいずれか一項に記載の固体高分子電解質。
- R1、R2及びR3が、C1〜C4アルキル基から独立して選択され、R4が、C6〜C12アルキル基から選択される、請求項21に記載の固体高分子電解質。
- R1、R2及びR3が、C1〜C4アルキル基から選択される同じアルキル基であり、R4が、C6〜C12アルキル基から選択される、請求項21に記載の固体高分子電解質。
- R1及びR2が、C1〜C4アルキル基から選択される同じアルキル基であり、R3及びR4が、C6〜C12アルキル基から選択される同じアルキル基である、請求項21に記載の固体高分子電解質。
- R1、R2及びR3が、C2〜C4アルキル基から選択される同じアルキル基であり、R4がC8アルキル基である、請求項21に記載の固体高分子電解質。
- ホスホニウム塩が、トリエチルオクチルホスホニウム、トリ-n-ブチルオクチルホスホニウム、トリ-n-ブチルメチルホスホニウム、又はそれらのうちの2つ以上の混合物を含む、請求項21に記載の固体高分子電解質。
- ホスホニウム塩がトリエチルオクチルホスホニウムを含む、請求項26に記載の固体高分子電解質。
- 約5wt%〜約50wt%の量のホスホニウム塩を含む、請求項1から27のいずれか一項に記載の固体高分子電解質。
- 約15wt%〜約50wt%の量のホスホニウム塩を含む、請求項28に記載の固体高分子電解質。
- 約15wt%〜約25wt%の量のホスホニウム塩を含む、請求項28に記載の固体高分子電解質。
- 約5mol%〜約25mol%の解離性金属塩を含む、請求項1から30のいずれか一項に記載の固体高分子電解質。
- 約10mol%の解離性金属塩を含む、請求項31に記載の固体高分子電解質。
- 膜の形態である、請求項1から32のいずれか一項に記載の固体高分子電解質。
- 膜が、約5μm〜約500μmの厚さを有する、請求項33に記載の固体高分子電解質。
- 膜が、約10μm〜約100μmの厚さを有する、請求項33に記載の固体高分子電解質。
- 80℃の温度で固体である、請求項1から35のいずれか一項に記載の固体高分子電解質。
- ラジカル重合開始剤を更に含む、請求項1から36のいずれか一項に記載の固体高分子電解質。
- ラジカル重合開始剤が、ペンタエリトリトールトリアクリレート、ジアルキルペルオキシド、ベンゾフェノン、(4-ベンゾイルベンジル)トリメチルアンモニウムクロリド、又はそれらのうちの2つ以上の組合せを含む、請求項37に記載の固体高分子電解質。
- ラジカル重合開始剤がベンゾフェノンを含む、請求項38に記載の固体高分子電解質。
- 固体高分子電解質を調製するための方法であって、
a.金属イオン導電性高分子系と、ホスホニウム塩と、解離性金属塩とを含む混合物を準備する工程と、
混合物を物体に成形する工程と
を含み、
金属イオン導電性高分子系及びホスホニウム塩が、解離性金属塩を可溶化し、
ホスホニウム塩が、一般式:[PR1R2R3R4]X
(式中、R1、R2、R3及びR4のそれぞれは、C1〜C12炭化水素から独立して選択され、その炭化水素は、N、O及びSから選択された1〜5個のヘテロ原子で任意選択で置換されていてもよく、Xはアニオンである)
を有し、
ホスホニウム塩が、100℃未満の融点を有し、
固体高分子電解質が、20℃の温度で固体である、方法。 - 金属イオン導電性高分子系が架橋性金属イオン導電性高分子系であり、混合物を物体に成形する工程の後に金属イオン導電性高分子系を架橋する工程を更に含む、請求項40に記載の方法。
- 混合物が重合開始剤を更に含む、請求項41に記載の方法。
- 重合開始剤がラジカル重合開始剤である、請求項42に記載の方法。
- ラジカル重合開始剤が、ペンタエリトリトールトリアクリレート、ジアルキルペルオキシド、ベンゾフェノン、(4-ベンゾイルベンジル)トリメチルアンモニウムクロリド、又はそれらのうちの2つ以上の組合せを含む、請求項43に記載の方法。
- ラジカル重合開始剤がベンゾフェノンを含む、請求項44に記載の方法。
- 混合物が、2wt%〜4wt%の量の重合開始剤を含む、請求項42から45のいずれか一項に記載の方法。
- 架橋性金属イオン導電性高分子系が、ラジカル重合を開始することができる化学基を有するポリマーを含む、請求項41に記載の方法。
- 混合物を物体に成形する工程の前に、混合物が、金属イオン導電性高分子系の溶融温度を上回る温度である、請求項40から47のいずれか一項に記載の方法。
- 混合物を物体に成形する工程が溶融押出による、請求項40から48のいずれか一項に記載の方法。
- 混合物を形成する工程が、ホスホニウム塩の溶融温度を下回る温度で、金属イオン導電性高分子系と、ホスホニウム塩と、解離性金属塩とを混和することにより行われる、請求項49に記載の方法。
- 混和が、約-210℃〜-50℃の間の温度で行われる、請求項50に記載の方法。
- 混合物を形成する工程が、金属イオン導電性高分子系と解離性金属塩とを混和して固体混合物を形成し、次いで、ホスホニウム塩の溶融温度を上回る温度でホスホニウム塩を固体混合物に加えることにより行われる、請求項49に記載の方法。
- 物体が、バッキング層上に溶融押出される、請求項49から52のいずれか一項に記載の方法。
- 物体が、電極上に溶融押出される、請求項49から52のいずれか一項に記載の方法。
- 混合物が、溶媒キャスト法により物体に成形される、請求項40から48のいずれか一項に記載の方法。
- 架橋性導電性高分子を架橋する工程が、物体をUV源に曝露する工程、物体を赤外線源に曝露する工程、又は物体を加熱する工程を含む、請求項41から55のいずれか一項に記載の方法。
- 架橋性導電性高分子を架橋する工程が、物体をUV源に曝露する工程を含む、請求項56に記載の方法。
- 物体が膜である、請求項40から57のいずれか一項に記載の方法。
- 膜が、約5μm〜約500μmの厚さを有する、請求項58に記載の方法。
- 膜が、約10μm〜約100μmの厚さを有する、請求項59に記載の方法。
- 固体高分子電解質、金属イオン導電性高分子系、ホスホニウム塩及び解離性金属塩が、請求項1から39のいずれか一項に定義された通りである、請求項40から60のいずれか一項に記載の方法。
- 請求項1から39のいずれか一項に記載の固体高分子電解質、又は請求項40から61のいずれか一項に記載の方法により製造された固体高分子電解質を含む、電気化学電池。
- 金属リチウムアノードを備える、請求項62に記載の電気化学電池。
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