JP2020516077A - 不揮発性メモリ - Google Patents
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Abstract
Description
前記記憶層に第1または第2方向に分極を誘導し、それによって前記メモリセルにデータを書き込み、前記第1方向の前記記憶層における分極は、前記アンチペロブスカイト圧電層の第1磁気状態を誘導し、前記第2方向の前記記憶層における分極は、前記アンチペロブスカイト圧電層の第2磁気状態を誘導し、
前記メモリセルの磁気容量を測定し、前記アンチペロブスカイト圧電層の前記磁気容量は、前記第1磁気状態と前記第2磁気状態とで異なり、それにより前記記憶層に記憶されたデータを読み取る
工程を備える。
任意の適切な酸化物基板(例えば、MgO、SrTiO3、Nb:SrTiO3、(LaA1O3)O.3(Sr2TaAlO6)0.7)またはSiを基板として使用できる。成長の前に、基板を標準的な溶剤洗浄手順で洗浄する。標準的な溶媒洗浄手順は、アセトン、次いでイソプロパノールそして最後に蒸留水を用いて超音波浴中で3分間洗浄することができ、各溶媒工程の後にN2ブロー乾燥させる。一実施形態では、基板は下部電極60になり得る。
薄膜をKrFエキシマレーザー(λ=248nm)を使用してPLDによって堆積する。SrRuO3、Nb:SrTiO3、BaTiO3、BaxSrl−xTiO3、BaZrxTil−xO3、Mn3SnN、Mn3GaNの化学量論的単相ターゲットを、それぞれ0.8J/cm2、10Hzのレーザーでアブレーションする。
アレイパターンを適用するために、標準のフォトリソグラフィープロセスが実装される。2Dデバイスの場合、すべての層を堆積してからパターン化できる。3Dスタッキングデバイスでは、各メモリセル層を、次の層を堆積する前にパターン化する必要がある。
材料を除去し、フォトリソグラフィからサンプルにパターンを転写するための標準的なアルゴンイオンミリングプロセス、またはその他の適切な化学的または物理的エッチング技術が実装される。
Claims (28)
- 磁化方向としてデータを記録可能な強磁性材料から構成される記憶層と、
当該圧電層の歪みに応じて、前記記憶層に対する第1タイプの効果と前記記憶層に対する第2タイプの効果とを選択的に有するアンチペロブスカイト圧電材料から構成される圧電層と、
前記圧電層に歪みを誘導し、それによって前記第1タイプの効果から前記第2タイプの効果に切り替えるための歪み誘起層と、
を備える不揮発性メモリセル。 - 請求項1の不揮発性メモリセルにおいて、
前記第1タイプの効果は、前記圧電層の正味磁化が、前記記憶層の保磁力場を克服し、前記記憶層の磁化を双極子結合を介して前記圧電層の磁化に揃えるのに十分強くなるものであり、前記第2タイプの効果は、前記圧電層の磁化による前記記憶層の磁場が前記記憶層の前記保磁力場より弱くなるものである不揮発性メモリセル。 - 請求項1または2の不揮発性メモリセルにおいて、
前記記憶層と前記圧電層との間にあり、前記記憶層と前記圧電層との間の交換バイアスを防ぐための非磁性層をさらに含む不揮発性メモリセル。 - 請求項1、2、3のいずれか一つの不揮発性メモリセルにおいて、
前記アンチペロブスカイト材料は、歪みが+/−30%、好ましくは+/−10%、最も好ましくは+/−1%でネール温度が350Kより大きい不揮発性メモリセル。 - 請求項1〜4のいずれか一つの不揮発性メモリセルにおいて、
アンチペロブスカイト圧電材料は、Mn3SnN、またはMn3−xAxSnl−yByNl−zのようなMn3SnN系であり、AおよびBはリストから選択される1つ以上の元素であり、前記リストは、Ag、Al、Au、Co、Cu、Fe、Ga、Ge、In、Ir、Ni、Pd、Pt、Rh、Sb、Si、SN、Znを含む不揮発性メモリセル。 - 請求項1の不揮発性メモリセルにおいて、
前記第1タイプの効果は、前記圧電層が常磁性状態にあり、前記記憶層と前記圧電層との間に交換バイアス相互作用がなく、前記圧電層が存在することにより、外部磁場によって前記記憶層の磁化の方向を変えることができるものであり、前記第2タイプの効果は、前記圧電材料が反強磁性状態にあり前記記憶層の磁化の方向が前記圧電層によって固定される交換バイアス相互作用である不揮発性メモリセル。 - 請求項6の不揮発性メモリセルにおいて、
前記アンチペロブスカイト圧電材料は、歪みに応じて変化するネール温度を有し、前記歪みが+30%から−30%、好ましくは+10%から−10%、最も好ましくは+1%から−1%の場合、前記ネール温度は293kを超える不揮発性メモリセル。 - 請求項6または7の不揮発性メモリセルにおいて、
前記アンチペロブスカイト圧電材料は、Mn3GaNまたはMn3NiN、またはMn3GaNまたはMn3NiN系であって、Mn3−xAxGal−yByNl−zまたはMn3−xAxNil−yByNl−zのようなMn3NiN系であり、AおよびBは、Ag、Al、Au、Co、Cu、Fe、Ga、Ge、In、Ir、Ni、Pd、Pt、Rh、Sb、Si、Sn、Znを含むリストから選択される1つまたは複数の元素である不揮発性メモリセル。 - 請求項6、7または8のいずれか一つの不揮発性メモリセルにおいて、
前記記憶層の磁化の方向を変えるために、前記記憶層の隣に位置する磁場を加える少なくとも1つの追加の電極をさらに備える不揮発性メモリセル。 - 請求項1〜9のいずれか一つの不揮発性メモリセルにおいて、
前記歪み誘起層は、圧電層および/またはペロブスカイト材料である不揮発性メモリセル。 - 請求項1〜10のいずれか一つの不揮発性メモリにおいて、
前記記憶層と前記圧電層との間の格子不整合、および/または前記圧電層と前記歪み誘起層との間の格子不整合は、1%未満である不揮発性メモリ。 - 請求項1〜11のいずれか一つの不揮発性メモリにおいて、
前記強磁性層がペロブスカイトまたはアンチペロブスカイト構造を有する不揮発性メモリ。 - 請求項1〜12のいずれか一つの不揮発性メモリセルにおいて、
前記記憶層に対し前記圧電層とは反対側に接続された第1電極をさらに備える不揮発性メモリセル。 - 請求項1〜13のいずれか一つの不揮発性メモリセルにおいて、
前記歪み誘起層に対し前記圧電層とは反対側に接続された第2電極をさらに備える不揮発性メモリセル。 - 請求項13または14の不揮発性メモリセルにおいて、
前記電極とその隣接層との間の格子不整合が1%以下である不揮発性メモリセル。 - 請求項1−15のいずれかの複数の不揮発性メモリセルを二次元アレイに含むメモリセルの二次元アレイ。
- 請求項1−15のいずれかの複数の不揮発性メモリセルを三次元アレイに含むメモリセルの三次元アレイ。
- 記憶層およびアンチペロブスカイト圧電層を含む不揮発性メモリセルに対するデータの書き込みおよび読み出し方法であって、前記方法は、
前記記憶層に第1または第2方向に分極を誘導し、それによって前記メモリセルにデータを書き込み、前記第1方向の前記記憶層における分極は、前記アンチペロブスカイト圧電層の第1磁気状態を誘導し、前記第2方向の前記記憶層における分極は、前記アンチペロブスカイト圧電層の第2磁気状態を誘導し、
前記メモリセルの磁気容量を測定し、前記アンチペロブスカイト圧電層の前記磁気容量は、前記第1磁気状態と前記第2磁気状態とで異なり、それにより前記記憶層に記憶されたデータを読み取る
工程を備える方法。 - 請求項18の方法において、
前記測定は、前記記憶層と前記アンチペロブスカイト層の間に交流電圧を印加し、リアクタンスを決定し、それにより前記メモリセルの前記磁気容量を決定することを含む方法。 - 請求項18の方法において、
前記測定は、前記メモリセルの共振周波数のシフトを決定することを含む方法。 - 請求項18,19,20のいずれか一つの方法において、
前記記憶層は強磁性材料から構成され、前記分極は磁気分極である方法。 - 請求項21の方法において、
前記誘導は、双極子結合により前記記憶層の前記磁気分極が前記アンチペロブスカイト圧電層の磁化と揃うのに十分な前記アンチペロブスカイト圧電層の磁化を誘導することにより、実行される方法。 - 請求項22の方法において、
前記不揮発性メモリセルは、歪み誘起層をさらに備え、前記アンチペロブスカイト圧電層の磁化の誘導は、前記歪み誘起層を用いて前記アンチペロブスカイト圧電層の歪みを誘導することによって成される方法。 - 請求項21の方法において、
前記誘導は、磁化電極を用いて前記記憶層に磁化を誘導することを含む方法。 - 請求項24の方法において、
前記誘導は、前記アンチペロブスカイト圧電層に歪みを誘導し、それによって前記アンチペロブスカイト圧電層を常磁性にすることをさらに含む方法。 - 請求項25の方法において、
前記不揮発性メモリセルは、歪み誘起層をさらに備え、歪みの前記誘導は、前記歪み誘起層を用いて成される方法。 - 請求項18,19,20のいずれか一つの方法において、
前記記憶層は強誘電体材料から構成され、前記分極は電気分極である方法。 - 請求項18,19,20、27のいずれか一つの方法において、
前記不揮発性メモリセルは、前記アンチペロブスカイト圧電層に対し前記記憶層とは反対側に接続された第1電極と、前記記憶層に対し前記アンチペロブスカイト圧電層とは反対側に接続された第2電極とを備え、前記誘導は、前記第1、第2電極間に電位差を加えることを含み、前記測定は、前記第1、第2電極間の前記磁気容量を測定することを含む方法。
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Citations (2)
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---|---|---|---|---|
JP2001028466A (ja) * | 1999-07-14 | 2001-01-30 | Sony Corp | 磁気機能素子及び磁気記録装置 |
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JP3312174B2 (ja) | 1999-09-24 | 2002-08-05 | 東北大学長 | 高密度磁気固定メモリの書き込み方法及び高密度磁気固定メモリ |
US6829157B2 (en) * | 2001-12-05 | 2004-12-07 | Korea Institute Of Science And Technology | Method of controlling magnetization easy axis in ferromagnetic films using voltage, ultrahigh-density, low power, nonvolatile magnetic memory using the control method, and method of writing information on the magnetic memory |
US6835463B2 (en) * | 2002-04-18 | 2004-12-28 | Oakland University | Magnetoelectric multilayer composites for field conversion |
KR100754930B1 (ko) | 2004-12-22 | 2007-09-03 | 한국과학기술원 | 전압제어 자화반전 기록방식의 mram 소자 및 이를이용한 정보의 기록 및 판독 방법 |
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US8129043B2 (en) * | 2009-04-14 | 2012-03-06 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | System, method and apparatus for strain-assisted magnetic recording for controlling switching field and tightening switching field distribution in bit patterned media |
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US8921962B2 (en) * | 2011-04-19 | 2014-12-30 | Virginia Commonwealth University | Planar multiferroic/magnetostrictive nanostructures as memory elements, two-stage logic gates and four-state logic elements for information processing |
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US6387476B1 (en) * | 1999-07-14 | 2002-05-14 | Sony Corporation | Magnetic functional element and magnetic recording medium |
JP2010145147A (ja) * | 2008-12-17 | 2010-07-01 | Seiko Epson Corp | 磁気センサ素子および磁気センサ |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
LUKASHEV PAVEL ET AL.: "Theory of the piezomagnetic effect in Mn-based antiperovskites", PHYSICAL REVIEW B, vol. 78, no. 18, JPN7021003992, November 2008 (2008-11-01), pages 184414 - 1, ISSN: 0004608767 * |
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