JP2020510230A - 複合トリガーフォトレジスト組成物および方法 - Google Patents
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Abstract
Description
e−ビーム露光には、ELPHY Plusパターン発生器(Raith GmbH)を備えたFEI XL30 SFEG電界放出走査型電子顕微鏡を使用した。感度およびコントラスト評価のために、0.5μC/cm2〜1000μC/cm2の範囲の電子線量を有する50×50μm正方形の組を20keVの電子ビームを使用してパターン化した。現像後の各正方形の残存膜厚を表面プロファイラ(Dektak 3st Auto)を使用して測定した。シグモイド関数を使用して応答曲線を当てはめて、感度(すなわち50%の残存膜厚に対する線量)を抽出した。高解像電子ビーム評価のために、30keVの加速電圧を約20pAのビーム電流と共に使用した。単一画素線を使用した場合、線量は、線線量(pC/cm)として記載した。XILビームラインの干渉リソグラフィセットアップを使用して、13.5nm波長によるEUV露光を実行した。この研究では、様々な露光後ベーク(PEB)条件を使用した。現像剤は、モノクロロベンゼン(MCB)とIPAとの混合物[1:1]であった。20秒間浸漬現像した後、IPAでのリンスを数秒間適用した。可能であれば、レジストパターンのSEM画像をソフトウェアパッケージSUMMITで分析して、限界寸法(CD)値を抽出した。
感度評価
PHOST1とPBOCST1との比較感度を評価した。PEBなし(室温20℃)〜140℃のPEBまで様々なPEB温度を適用した。フィッティングからの感度値を表1に示す。PHOST1では、露光パターンは、90℃のPEBから51.6μC/cm2の感度で現れ始めた。PEB温度を120℃を超えて上昇させることによってレジスト感度のかなりの改善が得られた。おそらく熱架橋に起因して、140℃のPEBで未露光領域において残留膜の層が観察された。一方、PBOCST1は、120℃のPEBを受けるまでパターン化できず、これにより17.3μC/cm2の感度を得た。さらにベーク温度を140℃に上昇させると、感度が7.8μC/cm2に改善された。
30keVの電子ビームを用いて、微細フィーチャをパターン化して、レジスト中の解像度および酸拡散を評価した。PEB条件は、130℃/1分であった。2μm幅の長方形を10μC/cm2〜320μC/cm2の線量マトリックスでパターン化した。両方の材料においてかなりの拡散が観察されたが、PBOCST1レジスト(図1b)は、PHOST1レジスト(図1a)と比較してはるかにより良好なCD制御を有した。図1(a)が、レジストによって得られる唯一の5本の線(A)およびより高い露光量での画像の併合(B)を示し、図1(b)では、10本の線(C)が得られたことに留意されたい。PBOCST1のより良好な拡散制御の能力は、酸レベルが低いパターンエッジでの望ましくない架橋を抑制するが、過剰の酸を有する領域では効果が少ない、2トリガー反応から生じる短縮された触媒鎖長に起因する場合がある。結果として、露光領域と未露光領域との間の化学的コントラストが増強される。
感度評価
PBOCST2とPHOST2との比較感度を評価した。追加のエポキシド単独重合反応経路(すなわちエポキシ架橋剤分子間の架橋)に起因して、PEB温度に対するレジスト感度の依存性は、HMMM架橋剤を有するレジストとは異なっていた(表2)。全PGEFエポキシ配合物も対照として研究した。PBOCST2レジストおよびPHOST2レジストは、両方ともPEBを用いなくてもパターン化した。感度がPEB温度と共に増加するにつれて、PHOST2は、130℃で7.4μC/cm2に到達し、PBOCST2は、160℃で9.6μC/cm2に到達した(表2)。場合により熱架橋に起因して、160℃PEBでPHOST2の未露光領域にいくらかの残留膜が観察された。対照的に、エポキシおよびPAGのみを有する参照レジストは、PEBを用いずにより高い感度を有し、すべてのPEB温度で約6μC/cm2であった。
エポキシPGEFを有するPBOCST2およびPHOST2レジストの解像能力は、30keVの電子ビームを使用して評価した。95℃のPEBを適用した。周期的な単一画素線をパターン化した。図2は、様々な線量での2つの材料の60nmピッチの密な線のSEM画像および限界寸法(CD)値を示す。PBOCST2レジストは、PHOST2レジストと比較して、より小さなCDおよびより広い露光寛容度を有する。60nmピッチ線パターンにおける最小フィーチャサイズは、それぞれ、PHOST2では20.4nm、PBOCST2では15.9nmであった。高線量でPHOST2は、エッジ検出とCD測定を困難するマイクロブリッジングを示し始めた。したがって、線量191pC/cmおよび216pC/cmにおけるPHOST2についてのCD値は示していない。試験したPEB温度(表2)でのより高い感度によって、PBOCST2が、同じ線量でのPHOST2と比較してより小さいCDを依然として示したことは、注目に値する。
本開示の組成物のCD制御の能力および露光寛容度をさらに評価するために、対照と現在のレジストとを比較して焦点ぼけ試験を行い、PBOCST2およびPHOST2レジストのCD広がりを露光中の電子ビームの焦点ぼけ時に測定する。
Claims (18)
- a.少なくとも1つのポリマー、オリゴマー、またはモノマーであって、それぞれが、2つ以上の架橋性官能基を含み、本質的にすべての前記官能基が、酸不安定保護基に結合している、少なくとも1つのポリマー、オリゴマー、またはモノマーと、
b.少なくとも1つの酸活性化架橋剤と、
c.少なくとも1つの光酸発生剤と、を含む、複合トリガーネガ作用フォトレジスト組成物。 - 前記架橋性官能基の少なくとも約90%が、酸不安定保護基に結合している、請求項1に記載のフォトレジスト組成物。
- 前記酸不安定保護基が、露光後ベーキングプロセス中に光発生酸に曝されたときに除去することができ、前記架橋剤が前記光発生酸に曝されたときに前記架橋剤と架橋することができる官能基を提供する、請求項1に記載のフォトレジスト組成物。
- 前記酸不安定保護基が、第三級アルコキシカルボニル基を含む、請求項1に記載のフォトレジスト組成物。
- 前記少なくとも1つの光酸発生剤が、オニウム塩化合物、トリフェニルスルホニウム塩、スルホンイミド、ハロゲン含有化合物、スルホン、スルホン酸エステル、キノンジアジド、ジアゾメタン、ヨードニウム塩、オキシムスルホネート、またはジカルボキシイミジルスルフェートを含む、請求項1に記載のフォトレジスト組成物。
- 前記少なくとも1つの酸活性化架橋剤が、モノマー、オリゴマー、またはポリマーを含む、請求項1に記載のフォトレジスト組成物。
- 前記少なくとも1つの酸活性化架橋剤が、グリシジルエーテル、グリシジルエステル、オキセタン、グリシジルアミン、メトキシメチル基(methoxyrnethyl group)、エトキシメチル基、ブトキシメチル基(butoxyrnethyl group)、ベンジルオキシメチル基、ジメチルアミノメチル基、ジエチルアミノメチルアミノ基、ジアルキロールメチルアミノ基、ジブトキシメチルアミノ基、ジメチロールメチルアミノ基、ジエチロールメチルアミノ基、ジブチロールメチルアミノ基、モルホリノメチル基、アセトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、ホルミル基、アセチル基、ビニル基、またはイソプロペニル基のうちの少なくとも1つを含む、請求項1に記載のフォトレジスト組成物。
- 前記少なくとも1つの酸活性化架橋剤が、アリールモノマー、オリゴマー、またはポリマーに結合した1つ以上のグリシジルエーテル基を含む、請求項1に記載のフォトレジスト組成物。
- UV、遠UV、極端UV、X線、またはe−ビーム化学線のうちの少なくとも1つによって光画像形成可能である、請求項1に記載のフォトレジスト組成物。
- 前記フォトレジストが、溶媒、水性塩基、またはそれらの組み合わせにおいて現像することができる、請求項1に記載のフォトレジスト組成物。
- 基板上にパターン化されたレジスト層を形成する方法であって、
a.基板を提供する工程と、
b.請求項1に記載の複合トリガーネガ作用フォトレジスト組成物を所望の湿潤厚さに塗布する工程と、
c.実質的に乾燥したコーティングを形成するためにコーティングされた基板を加熱して、所望の厚さを得る工程と、
d.前記コーティングされた基板を化学線に像様露光する工程と、
e.水性、溶媒、または水性−溶媒現像剤組成物の組み合わせを使用して、前記コーティングの未露光領域を除去する工程と、を含み、残存フォトイメージパターンが、任意選択的に加熱される、方法。 - 前記化学線が、UV、遠UV、極端UV、X線、またはe−ビーム化学線のうちの少なくとも1つから選択される、請求項11に記載の方法。
- 前記架橋性官能基の少なくとも約90%が、酸不安定保護基に結合している、請求項11に記載の方法。
- 前記酸不安定保護基が、周囲条件下で酸に曝されると除去することができ、架橋系が酸によって触媒されると前記架橋系と架橋することができる官能基を提供する、請求項11に記載の方法。
- 前記酸不安定保護基が、第三級アルコキシカルボニル基を含む、請求項11に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの光酸発生剤が、オニウム塩化合物、トリフェニルスルホニウム塩、スルホンイミド、ハロゲン含有化合物、スルホン、スルホン酸エステル、キノンジアジド、ジアゾメタン、ヨードニウム塩、オキシムスルホネート、またはジカルボキシイミジルスルフェートを含む、請求項11に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの酸活性化架橋剤が、モノマー、オリゴマー、またはポリマーを含む、請求項11に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの酸活性化架橋剤が、グリシジルエーテル、グリシジルエステル、グリシジルアミン、メトキシメチル基(methoxyrnethyl group)、エトキシメチル基、ブトキシメチル基(butoxyrnethyl group)、ベンジルオキシメチル基(henzyloxymethyl group)、ジメチルアミノメチル基、ジエチルアミノメチルアミノ基、ジアルキロールメチルアミノ基、ジブトキシメチルアミノ基、ジメチロールメチルアミノ基、ジエチロールメチルアミノ基、ジブチロールメチルアミノ基、モルホリノメチル基、アセトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、ホルミル基、アセチル基、ビニル基、イソプロペニル基、またはアリールモノマー、オリゴマー、もしくはポリマーに結合した1つ以上のグリシジルエーテル基のうちの少なくとも1つを含む、請求項11に記載の方法。
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KR102417180B1 (ko) | 2017-09-29 | 2022-07-05 | 삼성전자주식회사 | Duv용 포토레지스트 조성물, 패턴 형성 방법 및 반도체 소자의 제조 방법 |
US10907030B2 (en) | 2019-01-31 | 2021-02-02 | Bae Systems Controls Inc. | Process for mitigation of whisker growth on a metallic substrate |
CN116102938B (zh) * | 2021-11-09 | 2023-10-20 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 一种深紫外光刻用底部抗反射涂层及其制备方法和应用 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20100009801A (ko) * | 2008-07-21 | 2010-01-29 | 테크노세미켐 주식회사 | 화학증폭형 포지티브형 초고감도 유기절연막 조성물 및이를 이용한 유기절연막 형성 방법 |
US20150241773A1 (en) * | 2014-02-24 | 2015-08-27 | Alex Philip Graham Robinson | Two-Step Photoresist Compositions and Methods |
JP2015535526A (ja) * | 2012-11-14 | 2015-12-14 | アレックス フィリップ グラハム ロビンソンAlex Philip Graham ROBINSON | メタノフラーレン |
US20160139506A1 (en) * | 2013-05-22 | 2016-05-19 | Alex Philip Graham Robinson | Fullerenes |
JP2016517532A (ja) * | 2013-03-02 | 2016-06-16 | アレックス フィリップ グラハム ロビンソンAlex Philip Graham ROBINSON | メタノフラーレン |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW502133B (en) * | 1999-06-10 | 2002-09-11 | Wako Pure Chem Ind Ltd | Resist composition, agent and method for reducing substrate dependence thereof |
JP4401033B2 (ja) * | 2001-03-19 | 2010-01-20 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | ネガ型感光性樹脂組成物及びこれを用いた表示デバイス |
GB0420702D0 (en) * | 2004-09-17 | 2004-10-20 | Univ Birmingham | Use of methanofullerene derivatives as resist materials and method for forming a resist layer |
JP4396849B2 (ja) * | 2005-01-21 | 2010-01-13 | 信越化学工業株式会社 | ネガ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4554665B2 (ja) * | 2006-12-25 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液 |
US8110339B2 (en) * | 2007-09-06 | 2012-02-07 | Massachusetts Institute Of Technology | Multi-tone resist compositions |
US8236476B2 (en) * | 2008-01-08 | 2012-08-07 | International Business Machines Corporation | Multiple exposure photolithography methods and photoresist compositions |
GB0920231D0 (en) * | 2009-11-18 | 2010-01-06 | Univ Birmingham | Photoresist composition |
US8932796B2 (en) * | 2011-11-10 | 2015-01-13 | International Business Machines Corporation | Hybrid photoresist composition and pattern forming method using thereof |
JP5846110B2 (ja) * | 2011-12-09 | 2016-01-20 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ネガ型レジスト組成物、光硬化性ドライフィルム、その製造方法、パターン形成方法、及び電気・電子部品保護用皮膜 |
US9323149B2 (en) * | 2013-03-05 | 2016-04-26 | Irresistible Materials Ltd | Methanofullerenes |
-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20100009801A (ko) * | 2008-07-21 | 2010-01-29 | 테크노세미켐 주식회사 | 화학증폭형 포지티브형 초고감도 유기절연막 조성물 및이를 이용한 유기절연막 형성 방법 |
JP2015535526A (ja) * | 2012-11-14 | 2015-12-14 | アレックス フィリップ グラハム ロビンソンAlex Philip Graham ROBINSON | メタノフラーレン |
JP2016517532A (ja) * | 2013-03-02 | 2016-06-16 | アレックス フィリップ グラハム ロビンソンAlex Philip Graham ROBINSON | メタノフラーレン |
US20160139506A1 (en) * | 2013-05-22 | 2016-05-19 | Alex Philip Graham Robinson | Fullerenes |
US20150241773A1 (en) * | 2014-02-24 | 2015-08-27 | Alex Philip Graham Robinson | Two-Step Photoresist Compositions and Methods |
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