JP2020509600A - P型perc両面太陽電池及びそのモジュール、システムと製造方法 - Google Patents
P型perc両面太陽電池及びそのモジュール、システムと製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020509600A JP2020509600A JP2019547972A JP2019547972A JP2020509600A JP 2020509600 A JP2020509600 A JP 2020509600A JP 2019547972 A JP2019547972 A JP 2019547972A JP 2019547972 A JP2019547972 A JP 2019547972A JP 2020509600 A JP2020509600 A JP 2020509600A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser grooving
- grid line
- solar cell
- aluminum
- silicon wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 title claims abstract description 79
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 title claims abstract description 79
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 title claims abstract description 79
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 183
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 183
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 130
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 128
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 128
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 49
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 49
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 49
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 24
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 21
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 13
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 7
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 claims description 7
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 claims description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 28
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 90
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 4
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000003915 cell function Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02366—Special surface textures of the substrate or of a layer on the substrate, e.g. textured ITO/glass substrate or superstrate, textured polymer layer on glass substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/047—PV cell arrays including PV cells having multiple vertical junctions or multiple V-groove junctions formed in a semiconductor substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
- H01L31/0684—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells double emitter cells, e.g. bifacial solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1864—Annealing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1868—Passivation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Description
前記裏面アルミニウムグリッド線が、曲線状、アーク状、波状等であってもよい。
裏面パッシベーション層には、レーザグルービングによって第1のレーザグルービング領域が形成され、前記裏面アルミニウムグリッド線は、前記第1のレーザグルービング領域を介してP型シリコンに接続され、
前記第1のレーザグルービング領域は、水平方向に設置された複数組の第1のレーザグルービングユニットを含み、各組の第1のレーザグルービングユニットは、水平方向に設置された一つまたは複数の第1のレーザグルービング体を含み、前記裏面アルミニウムグリッド線は、前記第1のレーザグルービング体と垂直である。
前記グリッド線背骨の下方に、第3のレーザグルービング領域が設置され、前記第3のレーザグルービング領域は、複数組の第3のレーザグルービングユニットを含み、各組の第3のレーザグルービングユニットは、鉛直方向に設置された一つまたは複数の第3のレーザグルービング体を含み、前記第3のレーザグルービング体は、前記グリッド線背骨と垂直であり、前記グリッド線背骨は、前記第3のレーザグルービング体を介してP型シリコンに接続される。
前記第1のレーザグルービングユニット同士の間隔は、0.5〜50mmであり、
各第1のレーザグルービングユニットにおいて、前記第1のレーザグルービング体同士の間隔は、0.5〜50mmであり、
前記第1のレーザグルービング体の長さは、50〜5000μmであり、前記第1のレーザグルービング体の幅は、10〜500μmである。
前記裏面アルミニウムグリッド線の幅は、30〜500μmであり、前記第1のレーザグルービング体の長さよりも小さく、
前記グリッド線背骨の幅は、30〜500μmであり、前記第3のレーザグルービング体の長さよりも小さい。
前記グリッド線背骨は、銀ペーストから製造され、幅が30〜60μmであり、又は、アルミニウムペーストから製造され、幅が50〜500μmである。
P型シリコンであるシリコンウエハの表面と裏面に、テクスチャ構造を形成するステップ(1)と、
前記シリコンウエハに対して拡散処理を施して、前記N型エミッタを形成するステップ(2)と、
拡散処理時に形成された表面のリンケイ酸ガラスと周辺のPN接合とを除去するステップ(3)と、
前記シリコンウエハの裏面に酸化アルミニウム膜を堆積するステップ(4)と、
前記シリコンウエハの裏面に窒化シリコン膜を堆積するステップ(5)と、
前記シリコンウエハの表面に窒化シリコン膜を堆積するステップ(6)と、
水平方向に設置された複数組の第1のレーザグルービングユニットを含み、各組の第1のレーザグルービングユニットは、水平方向に設置された一つまたは複数の第1のレーザグルービング体を含む第1のレーザグルービング領域を形成するように、前記シリコンウエハの裏面にレーザグルービングするステップ(7)と、
前記シリコンウエハの裏面に裏面銀バスバー電極を印刷するステップ(8)と、
前記シリコンウエハの裏面に、レーザグルービングと垂直な方向に沿ってアルミニウムペーストを印刷して、前記第1のレーザグルービング体と垂直である前記裏面アルミニウムグリッド線を得ており、前記裏面アルミニウムグリッド線の周りに沿ってアルミニウムペーストを印刷して、前記アルミニウムグリッド外枠を得るステップ(9)と、
前記シリコンウエハの裏面に前記グリッド線背骨を印刷するステップ(10)と、
前記シリコンウエハの表面に表面電極ペーストを印刷するステップ(11)と、
前記シリコンウエハを高温で焼結して、前記裏面銀電極と前記表面銀電極とを形成するステップ(12)と、
前記シリコンウエハに対して、LIDを抑制するためのアニーリング処理を施すステップ(13)と、を含む。
前記第2のレーザグルービング領域は、鉛直方向または水平方向に設置された第2のレーザグルービングユニットを含み、各組の第2のレーザグルービングユニットは、鉛直方向または水平方向に設置された一つまたは複数の第2のレーザグルービング体を含み、前記第2のレーザグルービング体は前記アルミニウムグリッド外枠と垂直であり、
前記第3のレーザグルービング領域は、複数組の第3のレーザグルービングユニットを含み、各組の第3のレーザグルービングユニットは、鉛直方向に設置された一つまたは複数の第3のレーザグルービング体を含み、前記第3のレーザグルービング体は前記グリッド線背骨と垂直である。
本発明において、シリコンウエハの裏面に裏面パッシベーション層を形成してから、裏面パッシベーション層にレーザグルービングによって第1のレーザグルービング領域を形成し、その後、アルミニウムペーストがグルービング領域を介してP型シリコンに接続するように、レーザスクライビング方向と垂直な方向に沿ってアルミニウムペーストを印刷し、このようにして、裏面アルミニウムグリッド線を得る。当該PERC両面太陽電池は、アルミニウムペーストを印刷する通常の方式とは異なる方式を使用して、シリコンウエハの表面と裏面に電池のグリッド線の構成を製造することによって、アルミニウムグリッドの幅が第1のレーザグルービング領域の長さよりもはるかに小さいため、アルミニウムペーストと第1のレーザグルービング領域を精密に位置合わせする必要がなく、レーザプロセスと印刷プロセスを簡素化し、印刷装置の試運転の難易度を低減し、容易に産業化して大規模に生産する。また、アルミニウムペースト被覆領域以外の第1のレーザグルービング領域によって、電池の裏面と表面による太陽光の吸収が増加し、電池の光電変換効率を向上することができる。
前記窒化シリコン層32の厚さは、20〜500nmであり、
前記酸化アルミニウム層31の厚さは、2〜50nmである。
好ましくは、前記窒化シリコン層32の厚さは、100〜200nmであり、
前記酸化アルミニウム層31の厚さは、5〜30nmである。
P型シリコンであるシリコンウエハの表面と裏面に、テクスチャ構造を形成するS101と、
シリコンウエハに対して拡散処理を施して、N型エミッタを形成するS102と、
拡散処理時に形成された表面のリンケイ酸ガラスと周辺のPN接合とを除去するS103と、
シリコンウエハの裏面に酸化アルミニウム膜を堆積するS104と、
シリコンウエハの裏面に窒化シリコン膜を堆積するS105と、
シリコンウエハの表面に窒化シリコン膜を堆積するS106と、
水平方向に設置された複数組の第1のレーザグルービングユニットを含み、各組の第1のレーザグルービングユニットは、水平方向に設置された一つまたは複数の第1のレーザグルービング体を含む第1のレーザグルービング領域を形成するように、シリコンウエハの裏面にレーザグルービングするS107と、
前記シリコンウエハの裏面に裏面銀バスバー電極を印刷するS108と、
前記シリコンウエハの裏面に、レーザグルービングと垂直な方向に沿ってアルミニウムペーストを印刷して、第1のレーザグルービング体と垂直である裏面アルミニウムグリッド線を得ており、裏面アルミニウムグリッド線の周りに沿ってアルミニウムペーストを印刷して、アルミニウムグリッド外枠を得るS109と、
前記シリコンウエハの裏面にグリッド線背骨を印刷するS110と、
前記シリコンウエハの表面に表面電極ペーストを印刷するS111と、
シリコンウエハを高温で焼結して、裏面銀電極と表面銀電極とを形成するS112と、
シリコンウエハに対して、LID(Light Induced Degradation)を抑制するためのアニーリング処理を施すS113と、を含む。
前記第2のレーザグルービング領域は、鉛直方向または水平方向に設置された第2のレーザグルービングユニットを含み、各組の第2のレーザグルービングユニットは、鉛直方向または水平方向に設置された一つまたは複数の第2のレーザグルービング体を含み、前記第2のレーザグルービング体は、アルミニウムグリッド外枠と垂直であり、
前記第3のレーザグルービング領域は、複数組の第3のレーザグルービングユニットを含み、各組の第3のレーザグルービングユニットは、鉛直方向に設置された一つまたは複数の第3のレーザグルービング体を含み、前記第3のレーザグルービング体は、グリッド線背骨と垂直である。
(1)P型シリコンであるシリコンウエハの表面及び裏面にテクスチャ構造を形成し、
(2)シリコンウエハに拡散処理を施して、N型エミッタを形成し、
(3)拡散処理時に形成された表面のリンケイ酸ガラスと周辺のPN接合とを除去し、
(4)シリコンウエハの裏面に酸化アルミニウム膜を堆積し、
(5)シリコンウエハの裏面に窒化シリコン膜を堆積し、
(6)シリコンウエハの表面に窒化シリコン膜を堆積し、
(7)シリコンウエハの裏面にレーザグルービングして、第1のレーザグルービング領域を形成し、前記第1のレーザグルービング領域は、水平方向に設置された複数組の第1のレーザグルービングユニットを含み、各組の第1のレーザグルービングユニットは、水平方向に設置された一つまたは複数の第1のレーザグルービング体を含み、前記第1のレーザグルービング体の長さは、1000μmであり、幅は、40μmであり、
(8)前記シリコンウエハの裏面に裏面銀バスバー電極を印刷し、
(9)前記シリコンウエハの裏面に、レーザグルービングと垂直な方向に沿ってアルミニウムペーストを印刷して、第1のレーザグルービング体と垂直である裏面アルミニウムグリッド線を得ており、且つ、裏面アルミニウムグリッド線の周りに沿ってアルミニウムペーストを印刷して、アルミニウムグリッド外枠を得ており、裏面アルミニウムグリッド線の数は、150本であり、前記裏面アルミニウムグリッド線の幅は、150μmであり、アルミニウムグリッド外枠の寸法は裏面アルミニウムグリッド線と同等であり、
(10)銀ペーストを選択して前記シリコンウエハの裏面にグリッド線背骨を印刷し、前記グリッド線背骨の数は、140本であり、幅は60μmであり、
(11)前記シリコンウエハの表面に表面電極ペーストを印刷し、
(12)シリコンウエハを高温で焼結して、裏面銀電極と表面銀電極とを形成し、
(13)シリコンウエハに対して、LIDを抑制するためのアニーリング処理を施す。
(1)P型シリコンであるシリコンウエハの表面及び裏面にテクスチャ構造を形成し、
(2)シリコンウエハに拡散処理を施して、N型エミッタを形成し、
(3)拡散処理時に形成された表面のリンケイ酸ガラスと周辺のPN接合とを除去し、シリコンウエハの裏面を研磨し、
(4)シリコンウエハの裏面に酸化アルミニウム膜を堆積し、
(5)シリコンウエハの裏面に窒化シリコン膜を堆積し、
(6)シリコンウエハの表面に窒化シリコン膜を堆積し、
(7)シリコンウエハの裏面にレーザグルービングして、第1のレーザグルービング領域、第2のレーザグルービング領域及び第3のレーザグルービング領域を形成し、前記第1のレーザグルービング領域は、水平方向に設置された複数組の第1のレーザグルービングユニットを含み、各組の第1のレーザグルービングユニットは、水平方向に設置された一つまたは複数の第1のレーザグルービング体を含み、前記第1のレーザグルービング体の長さは、500μmであり、幅は、50μmであり、
前記第2のレーザグルービング領域は、鉛直方向又は水平方向に設置された第2のレーザグルービングユニットを含み、各組の第2のレーザグルービングユニットは、鉛直方向または水平方向に設置された一つまたは複数の第2のレーザグルービング体を含み、前記第2のレーザグルービング体は、アルミニウムグリッド外枠と垂直であり、前記第2のレーザグルービング体の長さは、500μmであり、幅は、50μmであり、
前記第3のレーザグルービング領域は、複数組の第3のレーザグルービングユニットを含み、各組の第3のレーザグルービングユニットは、鉛直方向に設置された一つまたは複数の第3のレーザグルービング体を含み、前記第3のレーザグルービング領域の長さは、500μmであり、幅は、50μmであり、
(8)前記シリコンウエハの裏面に裏面銀バスバー電極を印刷し、
(9)前記シリコンウエハの裏面に、レーザグルービングと垂直な方向に沿ってアルミニウムペーストを印刷して、第1のレーザグルービング体と垂直である裏面アルミニウムグリッド線を得ており、且つ、裏面アルミニウムグリッド線の周りに沿ってアルミニウムペーストを印刷して、アルミニウムグリッド外枠を得ており、裏面アルミニウムグリッド線の数は、200本であり、前記裏面アルミニウムグリッド線の幅は、200μmであり、アルミニウムグリッド外枠の寸法は裏面アルミニウムグリッド線と同等であり、アルミニウムグリッド外枠は、第2のレーザグルービング体と垂直であり、
(10)銀ペーストを選択して前記シリコンウエハの裏面にグリッド線背骨を印刷し、前記グリッド線背骨の数は、190本であり、幅は50μmであり、グリッド線背骨は、第3のレーザグルービング体と垂直であり、
(11)前記シリコンウエハの表面に表面電極ペーストを印刷し、
(12)シリコンウエハを高温で焼結して、裏面銀電極と表面銀電極とを形成し、
(13)シリコンウエハに対して、LIDを抑制するためのアニーリング処理を施す。
(1)P型シリコンであるシリコンウエハの表面及び裏面にテクスチャ構造を形成し、
(2)シリコンウエハに拡散処理を施して、N型エミッタを形成し、
(3)拡散処理時に形成された表面のリンケイ酸ガラスと周辺のPN接合とを除去し、
(4)シリコンウエハの裏面に酸化アルミニウム膜を堆積し、
(5)シリコンウエハの裏面に窒化シリコン膜を堆積し、
(6)シリコンウエハの表面に窒化シリコン膜を堆積し、
(7)シリコンウエハの裏面にレーザグルービングして、第1のレーザグルービング領域を形成し、前記第1のレーザグルービング領域は、水平方向に設置された複数組の第1のレーザグルービングユニットを含み、各組の第1のレーザグルービングユニットは、水平方向に設置された一つまたは複数の第1のレーザグルービング体を含み、前記第1のレーザグルービング体の長さは、300μmであり、幅は、30μmであり、
(8)前記シリコンウエハの裏面に裏面銀バスバー電極を印刷し、
(9)前記シリコンウエハの裏面に、レーザグルービングと垂直な方向に沿ってアルミニウムペーストを印刷して、第1のレーザグルービング体と垂直である裏面アルミニウムグリッド線を得ており、裏面アルミニウムグリッド線と垂直な方向に沿ってアルミニウムペーストを選択してグリッド線背骨を印刷し、更に、裏面アルミニウムグリッド線の周りに沿ってアルミニウムペーストを印刷して、アルミニウムグリッド外枠を得ており、裏面アルミニウムグリッド線の数は、250本であり、幅は、250μmであり、背骨の数は、240本であり、幅は100μmであり、アルミニウムグリッド外枠の寸法は裏面アルミニウムグリッド線と同等であり、
(10)前記シリコンウエハの表面に表面電極ペーストを印刷し、
(11)シリコンウエハを高温で焼結して、裏面銀電極と表面銀電極とを形成し、
(12)シリコンウエハに対して、LIDを抑制するためのアニーリング処理を施す。
(1)P型シリコンであるシリコンウエハの表面及び裏面にテクスチャ構造を形成し、
(2)シリコンウエハに拡散処理を施して、N型エミッタを形成し、
(3)拡散処理時に形成された表面のリンケイ酸ガラスと周辺のPN接合とを除去し、シリコンウエハの裏面を研磨し、
(4)シリコンウエハの裏面に酸化アルミニウム膜を堆積し、
(5)シリコンウエハの裏面に窒化シリコン膜を堆積し、
(6)シリコンウエハの表面に窒化シリコン膜を堆積し、
(7)シリコンウエハの裏面にレーザグルービングして、第1のレーザグルービング領域、第2のレーザグルービング領域および第3のレーザグルービング領域を形成し、前記第1のレーザグルービング領域は、水平方向に設置された複数組の第1のレーザグルービングユニットを含み、各組の第1のレーザグルービングユニットは、水平方向に設置された一つまたは複数の第1のレーザグルービング体を含み、前記第1のレーザグルービング体の長さは、1200μmであり、幅は、200μmであり、
前記第2のレーザグルービング領域は、鉛直方向又は水平方向に設置された第2のレーザグルービングユニットを含み、各組の第2のレーザグルービングユニットは、鉛直方向または水平方向に設置された一つまたは複数の第2のレーザグルービング体を含み、前記第2のレーザグルービング体は、アルミニウムグリッド外枠と垂直であり、前記第2のレーザグルービング体の長さは、1200μmであり、幅は、200μmであり、
前記第3のレーザグルービング領域は、複数組の第3のレーザグルービングユニットを含み、各組の第3のレーザグルービングユニットは、鉛直方向に設置された一つまたは複数の第3のレーザグルービング体を含み、前記第3のレーザグルービング体の長さは、1200μmであり、幅は、200μmであり、
(8)前記シリコンウエハの裏面に裏面銀バスバー電極を印刷し、
(9)前記シリコンウエハの裏面に、レーザグルービングと垂直な方向に沿ってアルミニウムペーストを印刷して、裏面アルミニウムグリッド線を得ており、裏面アルミニウムグリッド線と垂直な方向に沿ってアルミニウムペーストを選択してグリッド線背骨を印刷し、且つ、裏面アルミニウムグリッド線の周りに沿ってアルミニウムグリッド外枠を印刷し、裏面アルミニウムグリッド線は第1のレーザグルービング体と垂直であり、アルミニウムグリッド外枠の寸法は裏面アルミニウムグリッド線と同等であり、アルミニウムグリッド外枠は第2のレーザグルービング体と垂直であり、グリッド線背骨は第3のレーザグルービング体と垂直であり、裏面アルミニウムグリッド線の数は、300本であり、裏面アルミニウムグリッド線の幅は、300μmであり、背骨の数は、280本であり、幅は200μmであり、
(10)前記シリコンウエハの表面に表面電極ペーストを印刷し、
(11)シリコンウエハを高温で焼結して、裏面銀電極と表面銀電極とを形成し、
(12)シリコンウエハに対して、LIDを抑制するためのアニーリング処理を施す。
Claims (10)
- 裏面銀電極と、裏面アルミニウムグリッド線と、裏面パッシベーション層と、P型シリコンと、N型エミッタと、表面窒化シリコン膜と、表面銀電極とをこの順に含み、前記裏面銀電極は、前記裏面アルミニウムグリッド線に垂直に接続され、前記裏面アルミニウムグリッド線には、グリッド線背骨が設置され、前記裏面アルミニウムグリッド線の周りに、アルミニウムグリッド外枠が設置され、前記グリッド線背骨が前記裏面アルミニウムグリッド線に接続され、前記アルミニウムグリッド外枠は、前記裏面アルミニウムグリッド線および前記裏面銀電極に接続され、
前記裏面パッシベーション層には、レーザグルービングによって第1のレーザグルービング領域が形成され、前記裏面アルミニウムグリッド線は、前記第1のレーザグルービング領域を介してP型シリコンに接続され、
前記第1のレーザグルービング領域は、水平方向に設置された複数組の第1のレーザグルービングユニットを含み、各組の第1のレーザグルービングユニットは、水平方向に設置された一つまたは複数の第1のレーザグルービング体を含み、前記裏面アルミニウムグリッド線は、前記第1のレーザグルービング体と垂直である、
ことを特徴とするP型PERC両面太陽電池。 - 前記アルミニウムグリッド外枠の下方には、第2のレーザグルービング領域が設置され、前記第2のレーザグルービング領域は、鉛直方向または水平方向に設置された第2のレーザグルービングユニットを含み、各組の第2のレーザグルービングユニットは、鉛直方向または水平方向に設置された一つまたは複数の第2のレーザグルービング体を含み、前記アルミニウムグリッド外枠は、前記第2のレーザグルービング体と垂直である、
ことを特徴とする請求項1に記載のP型PERC両面太陽電池。 - 前記リッド線背骨が、前記裏面アルミニウムグリッド線に垂直に接続され、
前記リッド線背骨の下方に、第3のレーザグルービング領域が設置され、前記第3のレーザグルービング領域は、複数組の第3のレーザグルービングユニットを含み、各組の第3のレーザグルービングユニットは、鉛直方向に設置された一つまたは複数の第3のレーザグルービング体を含み、前記第3のレーザグルービング体は、前記リッド線背骨と垂直であり、前記グリッド線背骨は、前記第3のレーザグルービング体を介してP型シリコンに接続される、
ことを特徴とする請求項1に記載のP型PERC両面太陽電池。 - 前記第1のレーザグルービングユニット同士は、平行に設置され、
各第1のレーザグルービングユニットにおいて、前記第1のレーザグルービング体は、並列に設置され、前記第1のレーザグルービング体は、同一の水平面に位置するか、または、上下にずらして位置し、
前記第1のレーザグルービングユニット同士の間隔は、0.5〜50mmであり、
各第1のレーザグルービングユニットにおいて、前記第1のレーザグルービング体同士の間隔は、0.5〜50mmであり、
前記第1のレーザグルービング体の長さは、50〜5000μmであり、前記第1のレーザグルービング体の幅は、10〜500μmであり、
前記裏面アルミニウムグリッド線の数は、30〜500本であり、前記グリッド線背骨の数は、30〜500本であり、
前記裏面アルミニウムグリッド線の幅は、30〜500μmであり、前記第1のレーザグルービング体の長さよりも小さく、
前記グリッド線背骨の幅は、30〜500μmであり、前記第3のレーザグルービング体の長さよりも小さい
ことを特徴とする請求項1に記載のP型PERC両面太陽電池。 - 前記グリッド線背骨のパターンは、一つの連続的な直線、又は複数の線分からなる破線であり、
前記グリッド線背骨は、銀ペーストから製造され、幅が30〜60μmであり、又は、アルミニウムペーストから製造され、幅が50〜500μmである
ことを特徴とする請求項4に記載のP型PERC両面太陽電池。 - 請求項1〜5のいずれか1項に記載のP型PERC両面太陽電池の製造方法であって、
P型シリコンであるシリコンウエハの表面と裏面に、テクスチャ構造を形成するステップ(1)と、
前記シリコンウエハに対して拡散処理を施して、前記N型エミッタを形成するステップ(2)と、
拡散処理時に形成された表面のリンケイ酸ガラスと周辺のPN接合とを除去するステップ(3)と、
前記シリコンウエハの裏面に酸化アルミニウム膜を堆積するステップ(4)と、
前記シリコンウエハの裏面に窒化シリコン膜を堆積するステップ(5)と、
前記シリコンウエハの表面に窒化シリコン膜を堆積するステップ(6)と、
水平方向に設置された複数組の第1のレーザグルービングユニットを含み、各組の第1のレーザグルービングユニットは、水平方向に設置された一つまたは複数の第1のレーザグルービング体を含む前記第1のレーザグルービング領域を形成するように、前記シリコンウエハの裏面にレーザグルービングするステップ(7)と、
前記シリコンウエハの裏面に裏面銀バスバー電極を印刷するステップ(8)と、
前記シリコンウエハの裏面に、レーザグルービングと垂直な方向に沿ってアルミニウムペーストを印刷して、前記第1のレーザグルービング体と垂直である前記裏面アルミニウムグリッド線を得ており、且つ、裏面アルミニウムグリッド線の周りに沿ってアルミニウムペーストを印刷して、前記アルミニウムグリッド外枠を得るステップ(9)と、
前記シリコンウエハの裏面に前記グリッド線背骨を印刷するステップ(10)と、
前記シリコンウエハの表面に表面電極ペーストを印刷するステップ(11)と、
前記シリコンウエハを高温で焼結して、前記裏面銀電極と前記表面銀電極とを形成するステップ(12)と、
前記シリコンウエハに対して、LIDを抑制するためのアニーリング処理を施すステップ(13)と、を含む、
ことを特徴とするP型PERC両面太陽電池の製造方法。 - ステップ(3)と(4)の間に、前記シリコンウエハの裏面を研磨するステップをさらに含む、
ことを特徴とする請求項6に記載のP型PERC両面太陽電池の製造方法。 - ステップ(7)は、前記シリコンウエハの裏面にレーザグルービングして、第2のレーザグルービング領域と第3のレーザグルービング領域とを形成することを、さらに含み、
前記第2のレーザグルービング領域は、鉛直方向または水平方向に設置された第2のレーザグルービングユニットを含み、各組の第2のレーザグルービングユニットは、鉛直方向または水平方向に設置された一つまたは複数の第2のレーザグルービング体を含み、前記第2のレーザグルービング体は、前記アルミニウムグリッド外枠と垂直であり、
前記第3のレーザグルービング領域は、複数組の第3のレーザグルービングユニットを含み、各組の第3のレーザグルービングユニットは、鉛直方向に設置された一つまたは複数の第3のレーザグルービング体を含み、前記第3のレーザグルービング体は前記グリッド線背骨と垂直である、
ことを特徴とする請求項7に記載のP型PERC両面太陽電池の製造方法。 - PERC太陽電池と封止材とを含むPERC太陽電池モジュールであって、
前記PERC太陽電池は、請求項1〜5のいずれか1項に記載のP型PERC両面太陽電池である、
ことを特徴とするPERC太陽電池モジュール。 - PERC太陽電池を含むPERC太陽エネルギーシステムであって、
前記PERC太陽電池は、請求項1〜5のいずれか1項に記載のP型PERC両面太陽電池である、
ことを特徴とするPERC太陽エネルギーシステム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710122400.3A CN106887475B (zh) | 2017-03-03 | 2017-03-03 | P型perc双面太阳能电池及其组件、系统和制备方法 |
CN201710122400.3 | 2017-03-03 | ||
PCT/CN2018/077591 WO2018157824A1 (zh) | 2017-03-03 | 2018-02-28 | P型perc双面太阳能电池及其组件、系统和制备方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020509600A true JP2020509600A (ja) | 2020-03-26 |
JP2020509600A5 JP2020509600A5 (ja) | 2021-04-15 |
JP7023974B2 JP7023974B2 (ja) | 2022-02-22 |
Family
ID=59179116
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019547972A Active JP7023974B2 (ja) | 2017-03-03 | 2018-02-28 | P型perc両面太陽電池及びそのモジュール、システムと製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10964828B2 (ja) |
EP (1) | EP3591714B1 (ja) |
JP (1) | JP7023974B2 (ja) |
KR (1) | KR102323460B1 (ja) |
CN (1) | CN106887475B (ja) |
WO (1) | WO2018157824A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106887475B (zh) | 2017-03-03 | 2019-07-05 | 广东爱旭科技股份有限公司 | P型perc双面太阳能电池及其组件、系统和制备方法 |
CN106952972B (zh) * | 2017-03-03 | 2019-04-19 | 广东爱旭科技股份有限公司 | P型perc双面太阳能电池及其组件、系统和制备方法 |
CN107425080B (zh) * | 2017-03-03 | 2019-11-15 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | P型perc双面太阳能电池及其组件、系统和制备方法 |
CN107039543B (zh) * | 2017-03-03 | 2019-10-22 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | P型perc双面太阳能电池及其组件、系统和制备方法 |
CN107256898B (zh) * | 2017-05-18 | 2018-08-03 | 广东爱旭科技股份有限公司 | 管式perc双面太阳能电池及其制备方法和专用设备 |
CN108074998B (zh) * | 2017-12-22 | 2024-06-28 | 广东爱旭科技股份有限公司 | 管式perc双面太阳电池及其制备方法和专用电镀设备 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011134999A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Kyocera Corp | 太陽電池モジュール |
CN203883015U (zh) * | 2014-04-11 | 2014-10-15 | 东莞职业技术学院 | 一种晶硅太阳能电池栅线 |
JP2014216652A (ja) * | 2013-04-22 | 2014-11-17 | エルジー エレクトロニクスインコーポレイティド | 太陽電池 |
CN203983300U (zh) * | 2014-06-04 | 2014-12-03 | 浙江尖山光电股份有限公司 | 一种环形细栅多晶电池片 |
JP2016005003A (ja) * | 2014-06-17 | 2016-01-12 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池の後処理装置 |
WO2016068237A1 (ja) * | 2014-10-29 | 2016-05-06 | 京セラ株式会社 | 太陽電池モジュール |
JP2016523452A (ja) * | 2013-09-25 | 2016-08-08 | 晶澳(▲揚▼州)太▲陽▼能科技有限公司 | 両面透光である局所アルミニウム裏面電界を有する結晶シリコン太陽電池及びその製造方法 |
CN106098839A (zh) * | 2016-06-15 | 2016-11-09 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 一种高效晶硅perc电池的制备方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7354532B2 (en) * | 2004-04-13 | 2008-04-08 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Compositions of electrically conductive polymers and non-polymeric fluorinated organic acids |
CN202721137U (zh) * | 2012-05-25 | 2013-02-06 | 嘉兴优太太阳能有限公司 | 带渐变结构外框栅线的太阳能电池片 |
DE102014105358A1 (de) | 2014-04-15 | 2015-10-15 | Solarworld Innovations Gmbh | Solarzelle und Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle |
DE102015104236B4 (de) | 2015-03-20 | 2021-11-18 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Photovoltaische Solarzelle |
DE202015004065U1 (de) | 2015-06-09 | 2015-07-30 | Solarworld Innovations Gmbh | Solarzellenanordnung |
CN106057925B (zh) * | 2016-07-31 | 2017-07-04 | 湖南工程学院 | 一种正面电极侧绕背接触p型晶硅太阳电池的制造方法 |
CN106449834B (zh) | 2016-10-08 | 2018-01-23 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种双面perc太阳能电池片背面栅线结构 |
CN106252445B (zh) | 2016-10-08 | 2019-04-23 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种双面perc太阳能电池片背面的栅线结构 |
CN106711239A (zh) * | 2017-02-24 | 2017-05-24 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | Perc太阳能电池的制备方法及其perc太阳能电池 |
CN106887475B (zh) * | 2017-03-03 | 2019-07-05 | 广东爱旭科技股份有限公司 | P型perc双面太阳能电池及其组件、系统和制备方法 |
-
2017
- 2017-03-03 CN CN201710122400.3A patent/CN106887475B/zh active Active
-
2018
- 2018-02-28 US US16/489,670 patent/US10964828B2/en active Active
- 2018-02-28 WO PCT/CN2018/077591 patent/WO2018157824A1/zh active Application Filing
- 2018-02-28 EP EP18760574.6A patent/EP3591714B1/en active Active
- 2018-02-28 KR KR1020197029114A patent/KR102323460B1/ko active IP Right Grant
- 2018-02-28 JP JP2019547972A patent/JP7023974B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011134999A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Kyocera Corp | 太陽電池モジュール |
JP2014216652A (ja) * | 2013-04-22 | 2014-11-17 | エルジー エレクトロニクスインコーポレイティド | 太陽電池 |
JP2016523452A (ja) * | 2013-09-25 | 2016-08-08 | 晶澳(▲揚▼州)太▲陽▼能科技有限公司 | 両面透光である局所アルミニウム裏面電界を有する結晶シリコン太陽電池及びその製造方法 |
CN203883015U (zh) * | 2014-04-11 | 2014-10-15 | 东莞职业技术学院 | 一种晶硅太阳能电池栅线 |
CN203983300U (zh) * | 2014-06-04 | 2014-12-03 | 浙江尖山光电股份有限公司 | 一种环形细栅多晶电池片 |
JP2016005003A (ja) * | 2014-06-17 | 2016-01-12 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池の後処理装置 |
WO2016068237A1 (ja) * | 2014-10-29 | 2016-05-06 | 京セラ株式会社 | 太陽電池モジュール |
CN106098839A (zh) * | 2016-06-15 | 2016-11-09 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 一种高效晶硅perc电池的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10964828B2 (en) | 2021-03-30 |
KR20200005536A (ko) | 2020-01-15 |
EP3591714B1 (en) | 2022-12-28 |
CN106887475B (zh) | 2019-07-05 |
WO2018157824A1 (zh) | 2018-09-07 |
EP3591714A1 (en) | 2020-01-08 |
EP3591714A4 (en) | 2020-12-30 |
JP7023974B2 (ja) | 2022-02-22 |
US20200119208A1 (en) | 2020-04-16 |
CN106887475A (zh) | 2017-06-23 |
KR102323460B1 (ko) | 2021-11-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7023975B2 (ja) | P型perc両面太陽電池及びそのモジュール、システムと製造方法 | |
JP6741867B2 (ja) | P型perc両面受光型太陽電池及びそのモジュール、システム並びに製造方法 | |
JP7023974B2 (ja) | P型perc両面太陽電池及びそのモジュール、システムと製造方法 | |
JP7023976B2 (ja) | P型perc両面太陽電池の製造方法 | |
CN106876497B (zh) | P型perc双面太阳能电池的制备方法 | |
CN107039544B (zh) | P型perc双面太阳能电池及其制备方法、组件和系统 | |
CN106887476B (zh) | P型perc双面太阳能电池及其组件、系统和制备方法 | |
JP6815533B2 (ja) | 穿孔perc両面太陽電池およびそのモジュール、システムと製造方法 | |
JP2016503959A (ja) | 太陽電池スライスの電極構造 | |
WO2018157823A1 (zh) | P型perc双面太阳能电池及其组件、系统和制备方法 | |
JP2010502002A (ja) | 薄膜太陽モジュール | |
KR101198430B1 (ko) | 양면 수광형 국부화 에미터 태양전지 및 그 제조 방법 | |
KR101198438B1 (ko) | 양면 수광형 국부화 에미터 태양전지 및 그 제조 방법 | |
KR101101621B1 (ko) | 전후면전계 태양전지 및 그 제조방법 | |
TW201635574A (zh) | 太陽能電池、其模組及其製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210226 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210226 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20210226 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20210316 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210511 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210805 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210921 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211217 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220111 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220209 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7023974 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |