JP2020505305A - ドープされた酸化ガリウム結晶材料、その製造方法及び使用 - Google Patents
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Abstract
Description
上記の式から分かるように、IV族元素をドープする場合、自由電子を提供する能力は理論的に最大1:1であり、しかもドープ濃度の増加に伴い、結晶の結晶化はより困難になり、電気伝導率の向上が制限される。
上記の式から分かるように、VB族元素をドープする場合、自由電子を提供する能力は理論的に最大1:2であり、電気伝導率の向上する度合いはIV族元素のそれを明らかに上回っている。従って、通常のプロセスを採用しても高ドープ濃度において結晶化させて結晶を得ることができる。
(1)本発明において採用される5価のVB族金属イオンがドープされた結晶β−Ga2O3は自由電子を提供する能力が最大1:であり、これは+4価のイオンがドープされる場合に自由電子を提供する能力(1:1)を明らかに上回り、そのため同じドープ濃度においてより多くの自由電子を提供することができ、キャリア濃度を上げ、電気伝導率を向上させるために役立つ。
Taがドープされたβ−Ga2O3単結晶であって、分子式はGa2(1−x)Ta2xO3(ただしx=0.000001)であり、単斜晶系であり、空間群はC2/mである。以下の製造方法により製造され、具体的なステップは以下のとおりである。
(1)原料の配合:0.999999:0.000001のモル比で、原料となる純度が6N以上のGa2O3及び純度が4N以上のTa2O5を秤量する。
(2)原料の混合:秤量された原料をきれいなポリテトラフルオロエチレン製ボールミルポットに投入し、高純度のコランダムボールを入れ、適量の無水エタノールを注入して密封した後、ボールミルに入れ、12時間混合させる。
(3)乾燥:ボールミルポットをオーブンに入れ、80℃で6時間乾燥させて、エタノールを完全に揮発させ、次にボールミルに入れて、10分間で乾燥されたブロック状の原料を粉末に粉砕する。
(4)原料棒の作製:乾燥された混合粉末原料を有機材料製の金型に入れ、静水圧プレスを使用してプレスし原料棒を成形させる。
(5)焼成:成形された原料棒をマッフル炉に入れ、1500℃で10時間焼成し、原料中の水分を除去し、原料となるTa2O5とGa2O3を固相反応させて、多結晶材料を形成する。
(6)結晶成長:焼成された多結晶の試料棒を原料棒として浮遊帯域溶融炉に装入し、<010>方向のβ−Ga2O3結晶を種結晶として下方に配置し、次に昇温させて種結晶を溶融させ、上方の試料棒と接触して、安定すると結晶成長が開始し、結晶成長速度は5mm/時間、回転速度は10rpm、成長雰囲気は空気雰囲気とし、結晶成長完了後に、原料棒の下降を停止させ、下方の結晶が自然降下するため溶融帯から段階的に引き離され、さらに約1時間経過後に徐々に室温に冷却されると、結晶を取り出す。得られたオリジナル結晶は整った形を有し欠陥はなく、均一な色合いを呈する。
(7)アニール:得られたオリジナル結晶を1000℃で3時間アニールする。
Taがドープされたβ−Ga2O3単結晶であって、分子式はGa2(1−x)Ta2xO3(ただしx=0.00005)であり、単斜晶系であり、空間群はC2/mである。その製造ステップ及び条件は、ステップ(1)のTa2O5ドープ濃度とは異なり、Ga2O3とTa2O5のモル比は0.99995:0.00005である以外、その他は実施例1と同じである。
Taがドープされたβ−Ga2O3単結晶であって、分子式はGa2(1−x)Ta2xO3(ただしx=0.001)であり、単斜晶系であり、空間群はC2/mである。その製造ステップ及び条件は、ステップ(1)のTa2O5ドープ濃度とは異なり、Ga2O3とTa2O5のモル比は0.999:0.001であり、アニール工程を行わない以外、その他は実施例1と同じである。
Taがドープされたβ−Ga2O3単結晶であって、分子式はGa2(1−x)Ta2xO3(ただしx=0.01)であり、単斜晶系であり、空間群はC2/mである。その製造ステップ及び条件は、ステップ(1)のTa2O5ドープ濃度とは異なり、Ga2O3とTa2O5のモル比は0.99:0.01であり、アニール工程を行わない以外、その他は実施例1と同じである。
Nbがドープされたβ−Ga2O3単結晶であって、分子式はGa2(1−x)Nb2xO3(ただしx=0.000001)であり、単斜晶系であり、空間群はC2/mである。その製造ステップ及び条件は、ステップ(1)とは異なるドーパントのNb2O5を使用し、ドープ濃度が異なる以外、その他は実施例1と同じである。
Nbがドープされたβ−Ga2O3単結晶であって、分子式はGa2(1−x)Nb2xO3(ただしx=0.00001)であり、単斜晶系であり、空間群はC2/mである。その製造ステップ及び条件は、ステップ(1)とは異なるドーパントのNb2O5を使用し、ドープ濃度が異なる以外、その他は実施例1と同じである。
Nbがドープされたβ−Ga2O3単結晶であって、分子式はGa2(1−x)Nb2xO3(ただしx=0.0001)であり、単斜晶系であり、空間群はC2/mである。その製造ステップ及び条件は、ステップ(1)とは異なるドーパントのNb2O5を使用し、ドープ濃度が異なり、アニール工程を行わない以外、その他は実施例1と同じである。
Nbがドープされたβ−Ga2O3単結晶であって、分子式はGa2(1−x)Nb2xO3(ただしx=0.002)であり、単斜晶系であり、空間群はC2/mである。その製造ステップ及び条件は、ステップ(1)とは異なるドーパントのNb2O5を使用し、ドープ濃度が異なり、アニール工程を行わない以外、その他は実施例1と同じである。
Nbがドープされたβ−Ga2O3単結晶であって、分子式はGa2(1−x)Nb2xO3(ただしx=0.008)であり、単斜晶系であり、空間群はC2/mである。その製造ステップ及び条件は、ステップ(1)とは異なるドーパントのNb2O5を使用し、ドープ濃度が異なり、アニール工程を行わない以外、その他は実施例1と同じである。
Vがドープされたβ−Ga2O3単結晶であって、分子式はGa2(1−x)V2xO3(ただしx=0.01)であり、単斜晶系であり、空間群はC2/mである。その製造ステップ及び条件は、ステップ(1)とは異なるドーパントのV2O5を使用し、ドープ濃度が異なり、アニール工程を行わない以外、その他は実施例1と同じである。
Vがドープされたβ−Ga2O3単結晶であって、分子式はGa2(1−x)V2xO3(ただしx=0.00001)であり、単斜晶系であり、空間群はC2/mである。その製造ステップ及び条件は、ステップ(1)とは異なるドーパントのV2O5を使用し、ドープ濃度が異なり、アニール工程を行わない以外、その他は実施例1と同じである。
純β−Ga2O3単結晶であって、その製造ステップ及び条件は、T2O5をドープしない以外、その他は実施例1と同じである。
本発明においてβ−Ga2O3単結晶にドープされたTaは最大1at%である(すなわちx=0.01)ことを実験から判明し、
1molのβ−Ga2O3の体積は184.44/5.94cm3=31cm3であることから、
Taが1at%ドープされたβ−Ga2O31molに含まれるTa原子の個数は、1×2×1%×6.023×1023=1.2×1022であり、
よって、Taが1at%ドープされたβ−Ga2O31molはキャリア濃度の理論値が2×1.2×1022/31=7.7×1020/cm3である。
[付記1]
VB族元素がドープされた酸化ガリウム結晶材料であって、その抵抗率は2.0×10−4乃至1×104Ω・cmの範囲にある、且つ/又は、キャリア濃度は5×1012乃至7×1020/cm3の範囲にあることを特徴とするドープされた酸化ガリウム結晶材料。
前記酸化ガリウムは単斜晶系のβ−Ga2O3結晶であり、空間群はC2/mであることを特徴とする付記1に記載のドープされた酸化ガリウム結晶材料。
前記ドープされた酸化ガリウム結晶材料は、分子式がGa2(1−x)M2xO3であり、ドープ元素MがVB族元素のバナジウム(V)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)のいずれか1種又はそれらの任意の組み合わせであり、ただし0.000000001≦x≦0.01であることを特徴とする付記1に記載のドープされた酸化ガリウム結晶材料。
0.000001≦x≦0.01であることを特徴とする付記3に記載のドープされた酸化ガリウム結晶材料。
前記ドープされた酸化ガリウム結晶材料はTaがドープされたβ−Ga2O3結晶材料であり、その抵抗率は2.0×10−4乃至1×104Ω・cmの範囲にある、且つ/又は、キャリア濃度は5×1012乃至7×1020/cm3の範囲にあることを特徴とする付記1乃至3のいずれか1つに記載のドープされた酸化ガリウム結晶材料。
前記Taがドープされたβ−Ga2O3結晶材料は、分子式がGa2(1−x)Ta2xO3であり、ただし0.000000001≦x≦0.01であり、好ましくは0.000001≦x≦0.01であることを特徴とする付記5に記載のドープされた酸化ガリウム結晶材料。
前記Taがドープされたβ−Ga2O3結晶材料はTaがドープされたβ−Ga2O3結晶である、
且つ/又は、前記Taがドープされたβ−Ga2O3結晶材料の抵抗率は2.0×10−3乃至3.6×102Ω・cmの範囲にある、
且つ/又は、前記Taがドープされたβ−Ga2O3結晶材料のキャリア濃度は3.7×1015乃至6.3×1019/cm3の範囲にあることを特徴とする付記6に記載のドープされた酸化ガリウム結晶材料。
前記Taがドープされたβ−Ga2O3結晶材料はTaがドープされたβ−Ga2O3単結晶である、
且つ/又は、前記Taがドープされたβ−Ga2O3結晶材料の抵抗率は4×10−3乃至7.9Ω・cmの範囲にある、
且つ/又は、前記Taがドープされたβ−Ga2O3結晶材料のキャリア濃度は3.7×1015乃至3.0×1019/cm3の範囲にあることを特徴とする付記7に記載のドープされた酸化ガリウム結晶材料。
前記ドープされた酸化ガリウム結晶材料はNbがドープされたβ−Ga2O3結晶材料であり、その抵抗率は2.5×10−4乃至1×104Ω・cmの範囲にある、且つ/又は、キャリア濃度は5×1012乃至5.6×1020/cm3の範囲にあることを特徴とする付記1乃至3のいずれか1つに記載のドープされた酸化ガリウム結晶材料。
前記Nbがドープされたβ−Ga2O3結晶材料は、分子式がGa2(1−x)Nb2xO3であり、ただし0.000000001≦x≦0.008であり、好ましくは、Nbのドープ濃度が0.0001〜0.8mol%である、すなわち0.000001≦x≦0.008であることを特徴とする付記9に記載のドープされた酸化ガリウム結晶材料。
前記Nbがドープされたβ−Ga2O3結晶材料はNbがドープされたβ−Ga2O3結晶である、
且つ/又は、前記Nbがドープされたβ−Ga2O3結晶材料の抵抗率は2.5×10−3乃至3.6×102Ω・cmの範囲にある、
且つ/又は、前記Nbがドープされたβ−Ga2O3結晶材料のキャリア濃度は3.7×1015乃至5×1019/cm3の範囲にあることを特徴とする付記10に記載のドープされた酸化ガリウム結晶材料。
前記Nbがドープされたβ−Ga2O3結晶材料はNbがドープされたβ−Ga2O3結晶である、
且つ/又は、前記Nbがドープされた酸化ガリウム結晶の抵抗率は5.5×10−3乃至36Ω・cmの範囲にある、
且つ/又は、前記Nbがドープされた酸化ガリウム結晶のキャリア濃度は9.55×1016乃至1.8×1019/cm3の範囲にあることを特徴とする付記11に記載のドープされた酸化ガリウム結晶材料。
前記ドープされた酸化ガリウム結晶材料はVがドープされたβ−Ga2O3結晶材料であり、その抵抗率は2.0×10−4乃至1×104Ω・cmの範囲にある、且つ/又は、キャリア濃度は5×1012乃至7×1020/cm3の範囲にあることを特徴とする付記1乃至3のいずれか1つに記載のドープされた酸化ガリウム結晶材料。
前記Vがドープされたβ−Ga2O3結晶材料は、分子式がGa2(1−x)V2xO3であり、ただし0.000000001≦x≦0.01であり、好ましくは、Vのドープ濃度が0.000001≦x≦0.01であることを特徴とする付記13に記載のドープされた酸化ガリウム結晶材料。
前記Vがドープされたβ−Ga2O3結晶材料はVがドープされたβ−Ga2O3結晶である、
且つ/又は、前記Vがドープされたβ−Ga2O3結晶材料の抵抗率は2.0×10−3乃至3.6×102Ω・cmの範囲にある、
且つ/又は、前記Vがドープされたβ−Ga2O3結晶材料のキャリア濃度は3.7×1015乃至6.3×1019/cm3の範囲にあることを特徴とする付記14に記載のドープされた酸化ガリウム結晶材料。
前記Vがドープされたβ−Ga2O3結晶材料はVがドープされたβ−Ga2O3単結晶である、
且つ/又は、前記Vがドープされたβ−Ga2O3結晶材料の抵抗率は3×10−2乃至50Ω・cmの範囲にある、
且つ/又は、前記Vがドープされたβ−Ga2O3結晶材料のキャリア濃度は5×1015乃至3.69×1018/cm3の範囲にあることを特徴とする付記15に記載のドープされた酸化ガリウム結晶材料。
VB族元素Mがドープされたβ−Ga2O3結晶材料の製造方法であって、
純度が4N以上のM2O5及びGa2O3をモル比(0.000000001〜0.01):(0.999999999〜0.99)で混合して結晶成長を行わせることにより、ドープされた酸化ガリウム結晶材料を得るステップを含み、
任意に、結晶成長完了後に、得られたMがドープされたβ−Ga2O3結晶材料に対してさらにアニール工程を行うことを特徴とするVB族元素Mがドープされたβ−Ga2O3結晶材料の製造方法。
前記M2O5及びGa2O3の純度は5N以上であることが好ましく、
前記Mがドープされたβ−Ga2O3結晶材料が、Mがドープされたβ−Ga2O3単結晶である場合、製造プロセスで使用されるGa2O3は純度が6N以上であることが好ましく、
前記モル比は(0.000001〜0.01):(0.999999〜0.99)であることが好ましいことを特徴とする付記17に記載の製造方法。
前記Mがドープされたβ−Ga2O3結晶材料が、Mがドープされたβ−Ga2O3単結晶である場合、縁部限定薄膜供給結晶成長法、チョクラルスキー法、浮遊帯溶融法、ルツボ降下法のいずれか1種である溶融成長法を採用して、単結晶を育成することを特徴とする付記17又は18に記載の製造方法。
付記17乃至19のいずれか1つに記載の製造方法により製造されることを特徴とするMがドープされたβ−Ga2O3結晶材料。
付記1乃至16及び付記20のいずれか1つに記載のMがドープされたβ−Ga2O3結晶材料の電力用半導体素子、光電素子、光触媒又は導電性基板における使用。
前記光電素子は、透明電極、太陽電池パネル、発光素子、光検出器及び/又はセンサを含み、前記導電性基板は、GaN系及び/又はAlN系材料としての基板材料、Ga2O3自体による基板材料を含むことを特徴とする付記21に記載の使用。
付記5乃至8のいずれか1つに記載のTaがドープされたβ−Ga2O3結晶材料の電力用半導体素子、光電素子、光触媒又は導電性基板における使用。
前記光電素子は、透明電極、太陽電池パネル、発光素子、光検出器及び/又はセンサを含み、前記導電性基板は、GaN系及び/又はAlN系材料としての基板材料、Ga2O3自体による基板材料を含むことを特徴とする付記23に記載の使用。
Claims (24)
- VB族元素がドープされた酸化ガリウム結晶材料であって、その抵抗率は2.0×10−4乃至1×104Ω・cmの範囲にある、且つ/又は、キャリア濃度は5×1012乃至7×1020/cm3の範囲にあることを特徴とするドープされた酸化ガリウム結晶材料。
- 前記酸化ガリウムは単斜晶系のβ−Ga2O3結晶であり、空間群はC2/mであることを特徴とする請求項1に記載のドープされた酸化ガリウム結晶材料。
- 前記ドープされた酸化ガリウム結晶材料は、分子式がGa2(1−x)M2xO3であり、ドープ元素MがVB族元素のバナジウム(V)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)のいずれか1種又はそれらの任意の組み合わせであり、ただし0.000000001≦x≦0.01であることを特徴とする請求項1に記載のドープされた酸化ガリウム結晶材料。
- 0.000001≦x≦0.01であることを特徴とする請求項3に記載のドープされた酸化ガリウム結晶材料。
- 前記ドープされた酸化ガリウム結晶材料はTaがドープされたβ−Ga2O3結晶材料であり、その抵抗率は2.0×10−4乃至1×104Ω・cmの範囲にある、且つ/又は、キャリア濃度は5×1012乃至7×1020/cm3の範囲にあることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のドープされた酸化ガリウム結晶材料。
- 前記Taがドープされたβ−Ga2O3結晶材料は、分子式がGa2(1−x)Ta2xO3であり、ただし0.000000001≦x≦0.01であり、好ましくは0.000001≦x≦0.01であることを特徴とする請求項5に記載のドープされた酸化ガリウム結晶材料。
- 前記Taがドープされたβ−Ga2O3結晶材料はTaがドープされたβ−Ga2O3結晶である、
且つ/又は、前記Taがドープされたβ−Ga2O3結晶材料の抵抗率は2.0×10−3乃至3.6×102Ω・cmの範囲にある、
且つ/又は、前記Taがドープされたβ−Ga2O3結晶材料のキャリア濃度は3.7×1015乃至6.3×1019/cm3の範囲にあることを特徴とする請求項6に記載のドープされた酸化ガリウム結晶材料。 - 前記Taがドープされたβ−Ga2O3結晶材料はTaがドープされたβ−Ga2O3単結晶である、
且つ/又は、前記Taがドープされたβ−Ga2O3結晶材料の抵抗率は4×10−3乃至7.9Ω・cmの範囲にある、
且つ/又は、前記Taがドープされたβ−Ga2O3結晶材料のキャリア濃度は3.7×1015乃至3.0×1019/cm3の範囲にあることを特徴とする請求項7に記載のドープされた酸化ガリウム結晶材料。 - 前記ドープされた酸化ガリウム結晶材料はNbがドープされたβ−Ga2O3結晶材料であり、その抵抗率は2.5×10−4乃至1×104Ω・cmの範囲にある、且つ/又は、キャリア濃度は5×1012乃至5.6×1020/cm3の範囲にあることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のドープされた酸化ガリウム結晶材料。
- 前記Nbがドープされたβ−Ga2O3結晶材料は、分子式がGa2(1−x)Nb2xO3であり、ただし0.000000001≦x≦0.008であり、好ましくは、Nbのドープ濃度が0.0001〜0.8mol%である、すなわち0.000001≦x≦0.008であることを特徴とする請求項9に記載のドープされた酸化ガリウム結晶材料。
- 前記Nbがドープされたβ−Ga2O3結晶材料はNbがドープされたβ−Ga2O3結晶である、
且つ/又は、前記Nbがドープされたβ−Ga2O3結晶材料の抵抗率は2.5×10−3乃至3.6×102Ω・cmの範囲にある、
且つ/又は、前記Nbがドープされたβ−Ga2O3結晶材料のキャリア濃度は3.7×1015乃至5×1019/cm3の範囲にあることを特徴とする請求項10に記載のドープされた酸化ガリウム結晶材料。 - 前記Nbがドープされたβ−Ga2O3結晶材料はNbがドープされたβ−Ga2O3結晶である、
且つ/又は、前記Nbがドープされた酸化ガリウム結晶の抵抗率は5.5×10−3乃至36Ω・cmの範囲にある、
且つ/又は、前記Nbがドープされた酸化ガリウム結晶のキャリア濃度は9.55×1016乃至1.8×1019/cm3の範囲にあることを特徴とする請求項11に記載のドープされた酸化ガリウム結晶材料。 - 前記ドープされた酸化ガリウム結晶材料はVがドープされたβ−Ga2O3結晶材料であり、その抵抗率は2.0×10−4乃至1×104Ω・cmの範囲にある、且つ/又は、キャリア濃度は5×1012乃至7×1020/cm3の範囲にあることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のドープされた酸化ガリウム結晶材料。
- 前記Vがドープされたβ−Ga2O3結晶材料は、分子式がGa2(1−x)V2xO3であり、ただし0.000000001≦x≦0.01であり、好ましくは、Vのドープ濃度が0.000001≦x≦0.01であることを特徴とする請求項13に記載のドープされた酸化ガリウム結晶材料。
- 前記Vがドープされたβ−Ga2O3結晶材料はVがドープされたβ−Ga2O3結晶である、
且つ/又は、前記Vがドープされたβ−Ga2O3結晶材料の抵抗率は2.0×10−3乃至3.6×102Ω・cmの範囲にある、
且つ/又は、前記Vがドープされたβ−Ga2O3結晶材料のキャリア濃度は3.7×1015乃至6.3×1019/cm3の範囲にあることを特徴とする請求項14に記載のドープされた酸化ガリウム結晶材料。 - 前記Vがドープされたβ−Ga2O3結晶材料はVがドープされたβ−Ga2O3単結晶である、
且つ/又は、前記Vがドープされたβ−Ga2O3結晶材料の抵抗率は3×10−2乃至50Ω・cmの範囲にある、
且つ/又は、前記Vがドープされたβ−Ga2O3結晶材料のキャリア濃度は5×1015乃至3.69×1018/cm3の範囲にあることを特徴とする請求項15に記載のドープされた酸化ガリウム結晶材料。 - VB族元素Mがドープされたβ−Ga2O3結晶材料の製造方法であって、
純度が4N以上のM2O5及びGa2O3をモル比(0.000000001〜0.01):(0.999999999〜0.99)で混合して結晶成長を行わせることにより、ドープされた酸化ガリウム結晶材料を得るステップを含み、
任意に、結晶成長完了後に、得られたMがドープされたβ−Ga2O3結晶材料に対してさらにアニール工程を行うことを特徴とするVB族元素Mがドープされたβ−Ga2O3結晶材料の製造方法。 - 前記M2O5及びGa2O3の純度は5N以上であることが好ましく、
前記Mがドープされたβ−Ga2O3結晶材料が、Mがドープされたβ−Ga2O3単結晶である場合、製造プロセスで使用されるGa2O3は純度が6N以上であることが好ましく、
前記モル比は(0.000001〜0.01):(0.999999〜0.99)であることが好ましいことを特徴とする請求項17に記載の製造方法。 - 前記Mがドープされたβ−Ga2O3結晶材料が、Mがドープされたβ−Ga2O3単結晶である場合、縁部限定薄膜供給結晶成長法、チョクラルスキー法、浮遊帯溶融法、ルツボ降下法のいずれか1種である溶融成長法を採用して、単結晶を育成することを特徴とする請求項17又は18に記載の製造方法。
- 請求項17乃至19のいずれか1項に記載の製造方法により製造されることを特徴とするMがドープされたβ−Ga2O3結晶材料。
- 請求項1乃至16及び請求項20のいずれか1項に記載のMがドープされたβ−Ga2O3結晶材料の電力用半導体素子、光電素子、光触媒又は導電性基板における使用。
- 前記光電素子は、透明電極、太陽電池パネル、発光素子、光検出器及び/又はセンサを含み、前記導電性基板は、GaN系及び/又はAlN系材料としての基板材料、Ga2O3自体による基板材料を含むことを特徴とする請求項21に記載の使用。
- 請求項5乃至8のいずれか1項に記載のTaがドープされたβ−Ga2O3結晶材料の電力用半導体素子、光電素子、光触媒又は導電性基板における使用。
- 前記光電素子は、透明電極、太陽電池パネル、発光素子、光検出器及び/又はセンサを含み、前記導電性基板は、GaN系及び/又はAlN系材料としての基板材料、Ga2O3自体による基板材料を含むことを特徴とする請求項23に記載の使用。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024053010A1 (ja) * | 2022-09-07 | 2024-03-14 | 住友電気工業株式会社 | 高純度三酸化二ガリウムおよびその製造方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3085535B1 (fr) * | 2019-04-17 | 2021-02-12 | Hosseini Teherani Ferechteh | Procédé de fabrication d’oxyde de gallium de type p par dopage intrinsèque, le film mince obtenu d’oxyde de gallium et son utilisation |
CN111077560B (zh) * | 2019-12-03 | 2022-12-16 | 同济大学 | 一种基于掺镁氧化镓单晶的x射线和伽玛射线探测器 |
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US11462402B2 (en) * | 2020-10-21 | 2022-10-04 | Cornell University | Suboxide molecular-beam epitaxy and related structures |
JP2022149310A (ja) * | 2021-03-25 | 2022-10-06 | Tdk株式会社 | 結晶製造方法、結晶製造装置、及び単結晶 |
CN114086254B (zh) * | 2021-10-12 | 2022-11-11 | 杭州富加镓业科技有限公司 | 一种Ga2O3单晶及其制备方法 |
CN114134561A (zh) * | 2021-12-07 | 2022-03-04 | 杭州富加镓业科技有限公司 | 一种晶体生长热场动态反射屏调整方法 |
CN114408970B (zh) * | 2022-01-25 | 2023-07-18 | 重庆邮电大学 | 一种中空介孔的碳掺杂三氧化二镓纳米球的制备方法及其产品 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004262684A (ja) * | 2003-02-24 | 2004-09-24 | Univ Waseda | β−Ga2O3系単結晶成長方法 |
JP2005235961A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Univ Waseda | Ga2O3系単結晶の導電率制御方法 |
JP2015083536A (ja) * | 2014-11-04 | 2015-04-30 | 学校法人早稲田大学 | β−Ga2O3単結晶及び発光素子 |
JP2016015503A (ja) * | 2011-09-08 | 2016-01-28 | 株式会社タムラ製作所 | Ga2O3系半導体素子 |
JP2016175807A (ja) * | 2015-03-20 | 2016-10-06 | 株式会社タムラ製作所 | 結晶積層構造体 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4083396B2 (ja) * | 2000-07-10 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 紫外透明導電膜とその製造方法 |
TWI290907B (en) | 2000-10-17 | 2007-12-11 | Sharp Kk | Oxide material, method for preparing oxide thin film and element using said material |
KR100787272B1 (ko) * | 2003-02-24 | 2007-12-20 | 각코호진 와세다다이가쿠 | Ga2O3계 발광 소자 및 그 제조 방법 |
CN102431977B (zh) * | 2011-09-05 | 2013-02-13 | 吉林大学 | 一种制备锰掺杂氮化镓纳米材料的方法 |
CN103878010B (zh) * | 2014-04-15 | 2016-02-17 | 哈尔滨工业大学 | VB族金属离子掺杂(Ga1-xZnx)(N1-xOx)固溶体光催化剂的制备方法 |
CN105239162A (zh) * | 2015-08-25 | 2016-01-13 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 用于宽禁带半导体的氧化铝-氧化镓混晶材料 |
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Patent Citations (5)
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JP2004262684A (ja) * | 2003-02-24 | 2004-09-24 | Univ Waseda | β−Ga2O3系単結晶成長方法 |
JP2005235961A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Univ Waseda | Ga2O3系単結晶の導電率制御方法 |
JP2016015503A (ja) * | 2011-09-08 | 2016-01-28 | 株式会社タムラ製作所 | Ga2O3系半導体素子 |
JP2015083536A (ja) * | 2014-11-04 | 2015-04-30 | 学校法人早稲田大学 | β−Ga2O3単結晶及び発光素子 |
JP2016175807A (ja) * | 2015-03-20 | 2016-10-06 | 株式会社タムラ製作所 | 結晶積層構造体 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024053010A1 (ja) * | 2022-09-07 | 2024-03-14 | 住友電気工業株式会社 | 高純度三酸化二ガリウムおよびその製造方法 |
Also Published As
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