JP2020204080A - すべり軸受の製造方法及びすべり軸受の製造装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 信頼性の高いすべり軸受の製造方法及びすべり軸受の製造装置を提供する。【解決手段】 すべり軸受の製造方法は、固定シャフト1又は回転体であり、軸受面を有する被処理物を用意し、1MPa乃至10−6Paの範囲内の圧力の雰囲気中で、上記被処理物の上記軸受面にプラズマ放電処理を施し、上記プラズマ放電処理を施した後、上記軸受面を大気に曝すこと無しに、上記軸受面を液体金属で濡らす。【選択図】 図4
Description
本発明の実施形態は、すべり軸受の製造方法及びすべり軸受の製造装置に関する。
X線システムは、医用CT装置(診断/治療)、工業用非破壊検査、材料分析など、多くの用途に利用される。X線システムで用いられるX線管は、陽極ターゲットに陰極フィラメントからの電子ビームを衝突させてX線を発生する構成となっている。
X線管には、回転する陽極ターゲットに電子ビームが衝突してX線を発生するタイプがあり、この陽極ターゲットを軸支する軸受として、すべり軸受(通常は動圧軸受)が用いられている。
本実施形態は、信頼性の高いすべり軸受の製造方法及びすべり軸受の製造装置を提供する。
一実施形態に係るすべり軸受の製造方法は、
固定シャフト又は回転体であり、軸受面を有する被処理物を用意し、1MPa乃至10−6Paの範囲内の圧力の雰囲気中で、前記被処理物の前記軸受面にプラズマ放電処理を施し、前記プラズマ放電処理を施した後、前記軸受面を大気に曝すこと無しに、前記軸受面を液体金属で濡らす。
固定シャフト又は回転体であり、軸受面を有する被処理物を用意し、1MPa乃至10−6Paの範囲内の圧力の雰囲気中で、前記被処理物の前記軸受面にプラズマ放電処理を施し、前記プラズマ放電処理を施した後、前記軸受面を大気に曝すこと無しに、前記軸受面を液体金属で濡らす。
また、一実施形態に係るすべり軸受の製造装置は、
内部の雰囲気を気密に保持可能なチャンバと、前記チャンバに連結され前記チャンバ内を真空排気する真空装置と、前記チャンバに連結され前記チャンバ内にガスを導入する導入装置と、前記チャンバ内に設けられたプラズマ装置と、前記チャンバ内に配置され液体金属を収容した液槽と、固定シャフト又は回転体であり軸受面を有する被処理物を支持し、前記被処理物を、前記チャンバ内のうち前記液槽の外部の第1位置と前記液槽の内部の第2位置との間で移動させる移動機構と、前記第1位置に位置する前記被処理物と前記プラズマ装置との間に電圧を印加する電源と、を備える。
内部の雰囲気を気密に保持可能なチャンバと、前記チャンバに連結され前記チャンバ内を真空排気する真空装置と、前記チャンバに連結され前記チャンバ内にガスを導入する導入装置と、前記チャンバ内に設けられたプラズマ装置と、前記チャンバ内に配置され液体金属を収容した液槽と、固定シャフト又は回転体であり軸受面を有する被処理物を支持し、前記被処理物を、前記チャンバ内のうち前記液槽の外部の第1位置と前記液槽の内部の第2位置との間で移動させる移動機構と、前記第1位置に位置する前記被処理物と前記プラズマ装置との間に電圧を印加する電源と、を備える。
(一実施形態)
以下に、本発明の一実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
以下に、本発明の一実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
図1は、一実施の形態に係るX線管装置100の内部構造の一例を説明する部分断面図である。X線管装置100は、主として、医療用レントゲン装置に用いられる。
図1に示すように、X線管装置100は、X線管101と、モータステータ111と、X線管101及びモータステータ111を収容したハウジング120と、を備えている。
図1に示すように、X線管装置100は、X線管101と、モータステータ111と、X線管101及びモータステータ111を収容したハウジング120と、を備えている。
X線管101は、外囲器(真空外囲器)102、電子銃104、固定シャフト1、回転体2、陽極ターゲット106、及びモータロータ115を備えている。電子銃104、固定シャフト1、回転体2、陽極ターゲット106、及びモータロータ115は、外囲器102内に設けられている。外囲器102の内部は、高真空に保たれている。
電子銃104は電子ビームを発生する陰極として機能している。回転体2は、固定シャフト1の周囲に回転自在に支持されている。固定シャフト1及び回転体2は、後述する液体金属とともにすべり軸受110を形成している。陽極ターゲット106は、回転体2と一体に形成され、回転体2の外側に位置している。例えば、陽極ターゲット106は、回転体2の外周面に接合されている。
X線管101の外側に、モータステータ111が配置されている。モータステータ111は、モータロータ115の周りを囲んでいる。モータロータ115はモータステータ111からの回転磁界で回転し、陽極ターゲット106は、回転体2とともに回転する。
回転駆動された陽極ターゲット106に電子銃104からの電子ビームが衝突することにより、陽極ターゲット106の焦点からX線が放射される。X線管101は、制動輻射によるX線を発生させる回転陽極型X線管である。電子ビームの衝突により高温(ビーム衝突箇所は局部的に数千℃)となった陽極ターゲット106の熱は、輻射熱として放熱されるほか、相対的に温度が低い(例えば100〜300℃)すべり軸受け110側に放熱される。
図2は、X線管装置100のX線管101の固定シャフト1、回転体2、及び陽極ターゲット106を示す斜視図であり、回転体2及び陽極ターゲット106の部分断面図である。図3は、固定シャフト1、回転体2、液体金属LM、及びシール部9を示す断面図であり、すべり軸受110の構成を模式的に説明する図である。
図2及び図3に示すように、すべり軸受110は、固定シャフト1、回転体2、シール部9、及び潤滑剤としての液体金属LMを備えている。
図2及び図3に示すように、すべり軸受110は、固定シャフト1、回転体2、シール部9、及び潤滑剤としての液体金属LMを備えている。
固定シャフト1は、円柱状に形成され、X線管101の管軸方向に延出している。固定シャフト1は、径大部11と、径大部12と、径小部13と、延出部14と、を備えている。径大部11、径大部12、径小部13、及び延出部14は、同軸的に設けられ、一体に形成されている。固定シャフト1は、モリブデンを主成分とする金属で形成されている。ここで、モリブデンを主成分とする金属とは、モリブデンが70重量%以上である金属を言う。但し、固定シャフト1は、モリブデンが70重量%未満である金属で形成されていてもよく、鉄(Fe)、鉄合金など、他の金属で形成されていてもよい。
回転体2は、一端部が閉塞された筒状に形成され、固定シャフト1と同軸的に延出し、固定シャフト1の外周を囲んでいる。回転体2及び固定シャフト1は、対向領域で、互いに隙間(微小な隙間)を置いて設けられている。回転体2は、モリブデンを主成分とする金属で形成されている。但し、回転体2は、モリブデンが70重量%未満である金属で形成されていてもよく、上述した鉄系金属など、他の金属で形成されていてもよい。
液体金属LMは、固定シャフト1と回転体2との間の隙間に充填されている。この実施形態において、液体金属LMは、InGa(インジウム・ガリウム合金)である。但し、液体金属LMは、GaInSn(ガリウム・インジウム・錫合金)など、X線管101のすべり軸受110の用途として一般に知られている他の液体金属であってもよい。液体金属LMは、真空中での蒸気圧が低い液体金属で形成されている。ここで、真空中での蒸気圧が低い液体金属とは、揮発しづらい液体金属であり、室温(25℃)でも液状の液体金属を言う。
シール部9は、回転体2の開口した他端部に設けられている。シール部9は、回転体2の他端部に固着されている。シール部9は、円環状に形成され、固定シャフト1の外周面に全周に亘って隙間を置いて設けられている。シール部9は、回転体2に対する固定シャフト1の軸方向d(上記管軸方向)へのズレを規制するものである。
シール部9と固定シャフト1との間の隙間(クリアランス)は、回転体2の回転を維持するとともに液体金属LMの漏洩を抑制できる値に設定されている。上記したことから、隙間はわずかである。このため、シール部9は、ラビリンスシールリング(labyrinth seal ring)として機能する。また、軸方向dにおいて、回転体2、固定シャフト1、シール部9、及び液体金属LMは、スラストすべり軸受を形成している。
径大部11は円柱状に形成されている。径大部11は、第1ラジアル軸受面S11a及び第1スラスト軸受面を有している。第1ラジアル軸受面S11aは、径大部11の外周面の全域に形成されている。第1スラスト軸受面は、シール部9と対向する側の面に形成されている。
第1ラジアル軸受面S11aは、第1プレーン面S11b及び第1掻き込み面S11cを有している。第1プレーン面S11bは、滑らかな外周面を有し、第1掻き込み面S11cから外れて位置している。
第1掻き込み面S11cは、軸方向dにて第1プレーン面S11bの両側に位置し、滑らかな外周面に複数の第1パターン部P1が形成された凹凸面である。第1パターン部P1は、上記外周面の全周にわたって並べられ、上記外周面を窪めて形成されている。第1パターン部P1は、回転方向に対して斜線状に延出して配列されている。第1パターン部P1は、数十μmの深さを有した溝で形成されている。第1パターン部P1は、ヘリングボン・パターンを形作っている。このため、複数の第1パターン部P1は、回転体2が回転することにより、液体金属LMを掻き込むことができ、液体金属LMによる動圧を発生し易くすることができる。
径大部12は、第2ラジアル軸受面S12a及び第2スラスト軸受面を有している。第2ラジアル軸受面S12aは、径大部12の外周面の全域に形成されている。第2スラスト軸受面は、回転体2の一端部(閉塞端)に対向する側の面に形成されている。
第2ラジアル軸受面S12aは、第2プレーン面S12b及び第2掻き込み面S12cを有している。第2プレーン面S12bは、滑らかな外周面を有し、第2掻き込み面S12cから外れている。
第2掻き込み面S12cは、軸方向dに第2プレーン面S12bの両側に位置し、滑らかな外周面に複数の第2パターン部P2が形成された凹凸面である。第2パターン部P2は、上記外周面の全周にわたって並べられ、上記外周面を窪めて形成されている。第2パターン部P2は、回転方向に対して斜線状に延出して配列されている。第2パターン部P2は、数十μmの深さを有した溝で形成されている。第2パターン部P2は、ヘリングボン・パターンを形作っている。このため、複数の第2パターン部P2は、回転体2が回転することにより、液体金属LMを掻き込むことができ、液体金属LMによる動圧を発生し易くすることができる。
回転体2の内径は、径大部11,12の直径よりわずかに大きい。回転体2は、内周面に第1ラジアル軸受面S11a及び第2ラジアル軸受面S12aに対向した第3ラジアル軸受面S21aを有している。第1ラジアル軸受面S11a、第3ラジアル軸受面S21a、及びこれらの間の隙間を満たす液体金属LMは、第1ラジアルすべり軸受B1を形成している。第2ラジアル軸受面S12a、第3ラジアル軸受面S21a、及びこれらの間の隙間を満たす液体金属LMは、第2ラジアルすべり軸受B2を形成している。
径小部13は、径大部11,12より外径の小さい円柱状に形成され、軸方向dにおいて径大部11と径大部12の間に位置している。径小部13を設けることにより、固定シャフト1に円形枠状に窪めた凹部を形成することができ、液体金属LMのリザーバとして機能させることができる。延出部14は、径大部11より外径の小さい円柱状に形成され、軸方向dにおいて径大部11に対して径小部13の反対側に位置している。延出部14は、回転体2の外側に延出している。
X線管101など、X線管装置100は上記のように構成されている。
X線管101など、X線管装置100は上記のように構成されている。
次に、X線管101を製造するための装置について説明する。図4は、本実施形態に係るX線管101の製造装置50を示す構成図である。本実施形態において、製造装置50は、すべり軸受110の製造装置である。
図4に示すように、製造装置50は、チャンバ(真空チャンバ)51と、真空装置としての真空ポンプ52と、バルブ53と、導入装置54と、バルブ55と、プラズマ装置56と、液槽57と、真空導入装置58と、移動機構59と、電源61と、ヒータ62と、駆動部70と、を備えている。
図4に示すように、製造装置50は、チャンバ(真空チャンバ)51と、真空装置としての真空ポンプ52と、バルブ53と、導入装置54と、バルブ55と、プラズマ装置56と、液槽57と、真空導入装置58と、移動機構59と、電源61と、ヒータ62と、駆動部70と、を備えている。
チャンバ51は、内部の雰囲気を気密に保持可能に構成されている。チャンバ51は、接地されている。真空ポンプ52は、チャンバ51の外側に位置し、バルブ53を介してチャンバ51に連結されている。バルブ53が開いた状態にて、真空ポンプ52は、チャンバ51内を真空排気するように構成されている。なお、真空ポンプ52は、チャンバ51内を真空排気することができればよく、例えば、真空導入装置58の内部を通ってチャンバ51内につながっていてもよい。導入装置54は、チャンバ51の外側に位置し、バルブ55を介してチャンバ51に連結されている。バルブ55が開いた状態にて、導入装置54は、チャンバ51内にガスを導入するように構成されている。
プラズマ装置56は、チャンバ51内に設けられている。本実施形態において、プラズマ装置56は、RF(Radio Frequency)励起コイルである。液槽57は、チャンバ51内に配置され、液体金属LMを収容している。液槽57内の液体金属LMは、すべり軸受110に組み立てる際に固定シャフト1と回転体2との間の隙間に充填される液体金属LMと同一材料である。但し、液槽57内の液体金属LMは、固定シャフト1と回転体2との間の隙間に充填される液体金属LMと異なる液体金属であってもよい。真空導入装置58は、チャンバ51に気密に固定され、チャンバ51の内部及び外部に位置している。
移動機構59は、真空導入装置58に固定され、軸受面を有する被処理物を支持するように構成されている。本実施形態において、移動機構59は、伸縮管継手であり、金属製で蛇腹状に形成されている。また、被処理物は、第1ラジアル軸受面S11a、第2ラジアル軸受面S12a、上記第1スラスト軸受面、及び上記第2スラスト軸受面を有する固定シャフト1である(図3)。移動機構59は、液槽57の上に固定シャフト1を吊り下げている。
移動機構59は、被処理物である固定シャフト1を、第1位置と第2位置との間で移動させるように構成されている。ここで、上記第1位置にて、固定シャフト1はチャンバ51内のうち液槽57の外部に位置している。本実施形態において、第1位置にて、固定シャフト1は、プラズマ装置(RF励起コイル)56で囲まれている。また、上記第2位置にて、固定シャフト1は液槽57の内部に位置している。
電源61は、チャンバ51の外側に位置している。電源61は、上記第1位置に位置する固定シャフト1とプラズマ装置56との間に電圧を印加するように構成されている。
本実施形態において、電源61は、プラズマ装置56、チャンバ51、及び固定シャフト1に電気的に接続されている。電源61が、プラズマ装置56、チャンバ51、及び上記第1位置に位置する固定シャフト1に電圧を印加することで、プラズマ装置56及びチャンバ51を陽極とし、固定シャフト1を陰極としている。プラズマ装置56及びチャンバ51を陽極とする際、通常は接地され、本実施形態においても接地されている。
本実施形態において、電源61は、プラズマ装置56、チャンバ51、及び固定シャフト1に電気的に接続されている。電源61が、プラズマ装置56、チャンバ51、及び上記第1位置に位置する固定シャフト1に電圧を印加することで、プラズマ装置56及びチャンバ51を陽極とし、固定シャフト1を陰極としている。プラズマ装置56及びチャンバ51を陽極とする際、通常は接地され、本実施形態においても接地されている。
ヒータ62は、上記第1位置に位置する固定シャフト1の第1ラジアル軸受面S11a、第2ラジアル軸受面S12a、上記第1スラスト軸受面、及び上記第2スラスト軸受面を加熱するように構成されている(図3)。本実施形態のヒータ62は、チャンバ51の内部の雰囲気を加熱し、固定シャフト1を間接に加熱するように構成されている。但し、製造装置50に用いるヒータ62は、固定シャフト1を、直接、加熱するように構成されていてもよい。
駆動部70は、真空ポンプ52、バルブ53、導入装置54、バルブ55、真空導入装置58、電源61、及びヒータ62の駆動を制御するように構成されている。
製造装置50は上記のように構成されている。
製造装置50は上記のように構成されている。
次に、X線管101を製造するための方法について説明する。特に、X線管101の製造方法のうち、すべり軸受110の製造方法について説明する。
図4に示すように、すべり軸受110の製造が開始されると、まず、軸受面を有する被処理物を用意する。ここでは、被処理物として、第1ラジアル軸受面S11a、第2ラジアル軸受面S12a、上記第1スラスト軸受面、及び上記第2スラスト軸受面を有する固定シャフト1を用意する。次いで、固定シャフト1をチャンバ51内に搬入し、固定シャフト1を移動機構59にセットする。
図4に示すように、すべり軸受110の製造が開始されると、まず、軸受面を有する被処理物を用意する。ここでは、被処理物として、第1ラジアル軸受面S11a、第2ラジアル軸受面S12a、上記第1スラスト軸受面、及び上記第2スラスト軸受面を有する固定シャフト1を用意する。次いで、固定シャフト1をチャンバ51内に搬入し、固定シャフト1を移動機構59にセットする。
続いて、駆動部70は、バルブ53を開き、バルブ55を閉じ、真空ポンプ52にてチャンバ51内を真空排気する。その後、駆動部70は、バルブ53を閉じ、バルブ55を開き、導入装置54にてチャンバ51内にガスを低圧で導入し、チャンバ51内の雰囲気を空気からガスに低圧状態で十分に置換する。ここで、導入装置54がチャンバ51内に導入するガスは、プラズマ放電処理に使用する処理ガスであり、還元性ガスとしての水素ガスである。また、上記低圧状態とは、チャンバ51内を真空排気して減圧し、チャンバ51内の圧力が大気圧より低くなる状態を言う。さらに、上記十分に置換とは、チャンバ51内の雰囲気を空気から水素ガスに置き換えることを言う。そして、チャンバ51内にガス(水素ガス)を低圧で導入することで、チャンバ51内を低圧状態に保持することができる。
なお、本実施形態と異なり、駆動部70は、バルブ53及びバルブ55の両方を開き、真空ポンプ52にてチャンバ51内を真空排気し、導入装置54にてチャンバ51内にガスを低圧で導入し、チャンバ51内の雰囲気を空気からガスに低圧状態で十分に置換してもよい。
その後、駆動部70は、バルブ53及びバルブ55の両方を閉じた状態に保持する。これにより、チャンバ51内の圧力が100pa乃至10−3Paの範囲内に調整される。
その後、駆動部70は、バルブ53及びバルブ55の両方を閉じた状態に保持する。これにより、チャンバ51内の圧力が100pa乃至10−3Paの範囲内に調整される。
次いで、駆動部70は、真空導入装置58を介して移動機構59を駆動し、固定シャフト1を上記第1位置に固定する。本実施形態のように、上記第1位置の固定シャフト1の軸受面(第1ラジアル軸受面S11a、第2ラジアル軸受面S12a)とプラズマ装置56とは向かい合っていた方が望ましい。固定シャフト1の軸受面とプラズマ装置56とが向かい合っていない場合と比較して、固定シャフト1の軸受面を効率よく表面処理することができるためである。ここで、表面処理とは、軸受面の油脂、酸化物などの異物を取り去ることを言う。なお、本実施形態と異なり、固定シャフト1の軸受面とプラズマ装置56とは、向かい合っていなくともよく、その場合もプラズマ放電処理を行うことができる。
その後、駆動部70の駆動により、電源61は、プラズマ装置56及びチャンバ51を陽極に設定し、固定シャフト1を陰極に設定する。これにより、100pa乃至10−3Paの範囲内の圧力の雰囲気中で、固定シャフト1の軸受面にプラズマ放電処理を施こすことができる。プラズマ放電処理は、チャンバ51内で固定シャフト1の少なくとも軸受面に施される。プラズマ放電処理の際に使用する処理ガスは、水素ガス(還元性ガス)である。詳しくは、プラズマ装置56と固定シャフト1との間に電圧が印加されることで、チャンバ51内の水素ガスをプラズマ化して励起することができる。なお、チャンバ51内の圧力が低い方が励起させ易い。発生したプラズマ中のイオンが固定シャフト1の軸受面に衝突し、軸受面を表面処理することができる。
これにより、固定シャフト1の軸受面など、固定シャフト1の表面の状態を改質することができる。詳しくは、上記表面処理により、固定シャフト1の軸受面などの汚れを取り去ることができ、軸受面の濡れ性を向上させることができる。そのため、固定シャフト1の軸受面と他の素材(液体金属LM)との密着を向上させることができる。固定シャフト1の軸受面の全体で濡れ性が均一になる。そのため、上記の固定シャフト1を用いたすべり軸受110において、液体金属LMが部分的に枯渇し難くなるものである。
上記のプラズマ放電処理を一定時間、実施した後、駆動部70の駆動により、電源61は、プラズマ装置56、チャンバ51、及び固定シャフト1への電圧の印加を終了する。その後、電源61に接続されたケーブルの端子を固定シャフト1から離す。これにより、固定シャフト1の上記第2位置への移動を妨げる事態を回避することができる。なお、固定シャフト1の移動や、続く製造工程に悪影響が無い場合、固定シャフト1に上記ケーブルの端子を接続したままにしてもよい。
図5に示すように、上記プラズマ放電処理を施した後、固定シャフト1の軸受面を大気に曝すこと無しに、軸受面を液体金属LMで濡らす。本実施形態において、駆動部70の駆動により、移動機構59は、固定シャフト1を、上記第1位置から上記第2位置に移動させることで、固定シャフト1の軸受面を液槽57に収容された液体金属LMに浸漬する。これにより、チャンバ51内で、固定シャフト1の軸受面を液体金属LMで濡らすことができる。但し、固定シャフト1の軸受面を液体金属LMで濡らす手法は、上記の例に限定されるものではなく、例えば、固定シャフト1の軸受面に液体金属LMを塗布し、軸受面を液体金属LMで濡らしてもよい。
なお、本実施形態と異なり、上記プラズマ放電処理を施した後、固定シャフト1の軸受面を大気に曝した場合、軸受面に酸化層が形成されたり、軸受面にガスが吸着したりし、軸受面の濡れ性が均一でなくなるものである。
その後、上記固定シャフト1、回転体2、液体金属LMなどを用いてすべり軸受110に組み立てる。これにより、すべり軸受110の製造は終了する。
その後、上記固定シャフト1、回転体2、液体金属LMなどを用いてすべり軸受110に組み立てる。これにより、すべり軸受110の製造は終了する。
上記のように構成された一実施形態に係るすべり軸受110の製造方法(X線管101の製造方法)及びすべり軸受110の製造装置50(X線管101の製造装置)によれば、固定シャフト1の軸受面にプラズマ放電処理を施している。これにより、軸受面の状態を改質することができ、軸受面の全体で濡れ性を均一にすることができる。プラズマ放電処理を施した後、軸受面を大気に曝すこと無しに、軸受面を液体金属LMで濡らしている。これにより、固定シャフト1の軸受面の全体における均一な濡れ性を保持することができる。
回転体2が回転する際に、固定シャフト1の軸受面と回転体2の軸受面との隙間に液体金属LMを存在させることができ、固定シャフト1及び回転体2における損傷を抑制することができる。
上記のことから、信頼性の高いすべり軸受110の製造方法及びすべり軸受110の製造装置50を得ることができる。また、信頼性の高いX線管101の製造方法及びX線管101の製造装置50を得ることができる。
上記のことから、信頼性の高いすべり軸受110の製造方法及びすべり軸受110の製造装置50を得ることができる。また、信頼性の高いX線管101の製造方法及びX線管101の製造装置50を得ることができる。
(変形例1)
次に、上記実施形態の変形例1について説明する。図6は、本変形例1に係るX線管101の製造装置を示す構成図である。
図6に示すように、変形例1の製造装置50において、プラズマ装置56が電極(ロッド)で構成されている点、被処理物が軸受面(例えば、第3ラジアル軸受面S21a)を有する回転体2である点で、上記実施形態と相違している。
次に、上記実施形態の変形例1について説明する。図6は、本変形例1に係るX線管101の製造装置を示す構成図である。
図6に示すように、変形例1の製造装置50において、プラズマ装置56が電極(ロッド)で構成されている点、被処理物が軸受面(例えば、第3ラジアル軸受面S21a)を有する回転体2である点で、上記実施形態と相違している。
移動機構59は、被処理物である回転体2を、上記第1位置と上記第2位置との間で移動させるように構成されている。プラズマ装置56は、上記第1位置の回転体2の内部に位置し、回転体2から離れて設けられている。本変形例1においても、回転体2の軸受面はプラズマ装置56と向かい合っているため、プラズマ放電処理により、回転体2の軸受面を効率よく表面処理することができる。
本変形例1のすべり軸受110の製造方法に関しては、上記実施形態と同様である。そのため、まず、回転体2を用意し、100pa乃至10−3Paの範囲内の圧力の雰囲気中で、回転体2の軸受面にプラズマ放電処理を施す。その後、回転体2の軸受面を大気に曝すこと無しに、回転体2の軸受面を液体金属LMで濡らす。
続いて、上記回転体2、固定シャフト1、液体金属LMなどを用いてすべり軸受110に組み立てる。これにより、すべり軸受110の製造は終了する。
本変形例1においても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。
なお、すべり軸受110に組み立てる際、上記変形例1の製造装置50で処理した回転体2、上記実施形態の製造装置50で処理した固定シャフト1などを用いた方が望ましい。これにより、例えば、一層、信頼性の高いすべり軸受110を得ることができる。
本変形例1においても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。
なお、すべり軸受110に組み立てる際、上記変形例1の製造装置50で処理した回転体2、上記実施形態の製造装置50で処理した固定シャフト1などを用いた方が望ましい。これにより、例えば、一層、信頼性の高いすべり軸受110を得ることができる。
(変形例2)
次に、上記実施形態の変形例2について説明する。図7は、本変形例2に係るX線管101の製造装置を示す構成図である。
図7に示すように、本変形例2の製造装置50において、プラズマ装置56が回転体2の第3ラジアル軸受面S21aと向かい合っていない点で上記変形例1と相違している。但し、本変形例2においても、上記実施形態及び上記変形例1と同様の効果を得ることができる。
次に、上記実施形態の変形例2について説明する。図7は、本変形例2に係るX線管101の製造装置を示す構成図である。
図7に示すように、本変形例2の製造装置50において、プラズマ装置56が回転体2の第3ラジアル軸受面S21aと向かい合っていない点で上記変形例1と相違している。但し、本変形例2においても、上記実施形態及び上記変形例1と同様の効果を得ることができる。
(他の実施形態)
次に、他の実施形態について説明する。図8は、本実施形態に係るX線管101の内部構造の一例を説明する部分断面図である。
次に、他の実施形態について説明する。図8は、本実施形態に係るX線管101の内部構造の一例を説明する部分断面図である。
図8に示すように、X線管101は、外囲器102と、外囲器102内に収納された陽極ターゲット106と、陽極ターゲット106を回転自在に軸支する回転体2と、固定シャフト1と、固定シャフト1と同軸的に連結された固定シャフト118と、陽極ターゲット106に向けて電子ビームを放出する電子銃104と、外囲器102の外側に設けられ回転磁界を発生するモータステータ111とを備えている。
モータステータ111からの磁界を受けるモータロータ115は導電体の外筒15aと磁性体(軟鉄)の内筒15bの積層構造を持ち、モータステータ111との組み合わせで渦電流型モータを形成している。
陽極ターゲット106の傘状外面には、電子ビームが衝突する陽極ターゲット層が形成されている。陽極ターゲット106および陽極ターゲット層は高融点金属でできており、例えば、モリブデン、タングステン若しくはこれらの各合金が使用されている。
上述した製造方法や製造装置50で処理する被処理物は、本実施形態の固定シャフト1の軸受面や回転体2の軸受面であってもよい。本実施形態においても、上記実施形態などと同様の効果を得ることができる。
上述した製造方法や製造装置50で処理する被処理物は、本実施形態の固定シャフト1の軸受面や回転体2の軸受面であってもよい。本実施形態においても、上記実施形態などと同様の効果を得ることができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
例えば、被処理物の軸受面にプラズマ放電処理を施す際、100pa乃至10−3Paの範囲内の圧力の雰囲気中での実施に限らず、1MPa(メガPa)乃至10−6Paの範囲内の圧力の雰囲気中で実施してもよい。そのため、大気圧より高い圧力の雰囲気中でプラズマ放電処理を実施してもよい。圧力が高くなると、励起させるためのエネルギを高くする必要があるが、プラズマ中のイオン濃度が高くなるため、プラズマ放電処理に要する期間を短くすることができる。
プラズマ放電処理の際に使用する処理ガスは、水素ガスに限定されるものではない。上記処理ガスは、水素ガス以外の還元性ガス、還元性ガスを含む混合ガス、不活性ガス、又は、不活性ガスを含む混合ガス、であってもよい。上記不活性ガスとしては、例えば、アルゴンガス、ヘリウムガスを挙げることができる。
被処理物の軸受面にプラズマ放電処理を施す前、プラズマ放電処理の際に使用する処理ガスで満たされた雰囲気中で、室温より高温となる温度にて軸受面に熱処理を施してもよい。言い換えると、軸受面に、熱処理及びプラズマ放電処理の両方を実施してもよい。一例では、ヒータ62を用いてチャンバ51内の雰囲気を500℃以上に加熱し、500℃以上の高温水素雰囲気中で被処理物の軸受面を熱処理することができる。これにより、被処理物の表面(軸受面)の主に水分の吸着ガスを飛ばすことができる。なお、熱処理の際の温度は、500℃以上に限らず、200℃など、500℃未満の温度であってもよい。また、上述したように被処理物を、直接、加熱してもよい。これにより、軸受面の濡れ性を改善することができる。
但し、プラズマ放電処理を熱処理に置き換えるのは望ましくない。言い換えると、被処理物の軸受面に熱処理を実施しプラズマ放電処理を実施しない製造方法は、望ましくない。なぜなら、熱処理を実施しただけでは、被処理物の表面(軸受面)の状態を十分に改質することができないためである。熱処理を実施した後、大気中ですべり軸受110に組み立てても、被処理物の表面に斑状に濡れ性が悪い部分が点在して発生するためである。上記斑状の部分は、酸化層などの異物が考えられる。何れにおいても、熱処理を実施しただけでは、被処理物の表面(軸受面)の状態にばらつきが生じてしまう。
また、被処理物に熱処理を施すことは、続くプラズマ放電処理を高温の雰囲気中で実施することができる。プラズマ中で励起させ易くなるため、熱処理を実施しない場合と比較し、励起させるためのエネルギを低くすることができたり、プラズマ放電処理に要する期間を短くすることができたり、することができる。
チャンバ51内の雰囲気を空気から還元性ガスに置換に置換する場合、空気から還元性ガスに、直接、置換しなくともよい。例えば、上記プラズマ放電処理を施す前、被処理物の周りの雰囲気(チャンバ51内の雰囲気)を空気から不活性ガスに置換した後、被処理物の周りの雰囲気(チャンバ51内の雰囲気)を、不活性ガスから還元性ガスに置換してもよい。その後、還元性ガスの雰囲気中で、軸受面にプラズマ放電処理を施すことができる。空気から不活性ガスに置換する工程を追加した方が、チャンバ51内の酸素(空気に含まれる酸素)の含有量の低減に寄与することができる。
上述した実施形態や変形例は、上述したすべり軸受110(X線管101)の製造方法や上述したすべり軸受110(X線管101)の製造装置のみに適用されるものではなく、各種のすべり軸受(回転陽極型X線管)の製造方法や各種のすべり軸受(回転陽極型X線管)の製造装置に適用することが可能である。
1…固定シャフト、2…回転体、50…製造装置、51…チャンバ、52…真空ポンプ、53…バルブ、54…導入装置、55…バルブ、56…プラズマ装置、57…液槽、58…真空導入装置、59…移動機構、61…電源、62…ヒータ、70…駆動部、100…X線管装置、101…X線管、102…外囲器、104…電子銃、106…陽極ターゲット、110…軸受、LM…液体金属、B1…第1ラジアルすべり軸受、B2…第2ラジアルすべり軸受、S11a…第1ラジアル軸受面、S12a…第2ラジアル軸受面、S21a…第3ラジアル軸受面。
Claims (10)
- 固定シャフト又は回転体であり、軸受面を有する被処理物を用意し、
1MPa乃至10−6Paの範囲内の圧力の雰囲気中で、前記被処理物の前記軸受面にプラズマ放電処理を施し、
前記プラズマ放電処理を施した後、前記軸受面を大気に曝すこと無しに、前記軸受面を液体金属で濡らす、
すべり軸受の製造方法。 - 前記軸受面を前記液体金属で濡らす際、前記軸受面を前記液体金属に浸漬する、
請求項1に記載のすべり軸受の製造方法。 - 前記プラズマ放電処理の際に使用する処理ガスは、
還元性ガス、
還元性ガスを含む混合ガス、
不活性ガス、又は、
不活性ガスを含む混合ガス、である、
請求項1に記載のすべり軸受の製造方法。 - 前記プラズマ放電処理の際に使用する処理ガスは、前記還元性ガスのうち水素ガスである、
請求項3に記載のすべり軸受の製造方法。 - 100Pa乃至10−3Paの範囲内の圧力の雰囲気中で前記プラズマ放電処理を施す、
請求項1に記載のすべり軸受の製造方法。 - 前記プラズマ放電処理を施す前、前記プラズマ放電処理の際に使用する処理ガスで満たされた雰囲気中で、室温より高温となる温度にて前記軸受面に熱処理を施す、
請求項1に記載のすべり軸受の製造方法。 - 前記プラズマ放電処理を施す前、前記被処理物の周りの雰囲気を空気から不活性ガスに置換し、
前記不活性ガスに置換した後、前記被処理物の周りの雰囲気を、前記不活性ガスから還元性ガスに置換し、
前記還元性ガスの雰囲気中で、前記軸受面に前記プラズマ放電処理を施す、
請求項1に記載のすべり軸受の製造方法。 - 前記被処理物をチャンバ内に搬入し、
前記チャンバ内で、前記軸受面に前記プラズマ放電処理を施し、その後、前記軸受面を前記液体金属で濡らす、
請求項1に記載のすべり軸受の製造方法。 - 内部の雰囲気を気密に保持可能なチャンバと、
前記チャンバに連結され前記チャンバ内を真空排気する真空装置と、
前記チャンバに連結され前記チャンバ内にガスを導入する導入装置と、
前記チャンバ内に設けられたプラズマ装置と、
前記チャンバ内に配置され液体金属を収容した液槽と、
固定シャフト又は回転体であり軸受面を有する被処理物を支持し、前記被処理物を、前記チャンバ内のうち前記液槽の外部の第1位置と前記液槽の内部の第2位置との間で移動させる移動機構と、
前記第1位置に位置する前記被処理物と前記プラズマ装置との間に電圧を印加する電源と、を備える、
すべり軸受の製造装置。 - 前記第1位置に位置する前記被処理物の前記軸受面を加熱するヒータをさらに備える、
請求項9に記載のすべり軸受の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2019112826A JP2020204080A (ja) | 2019-06-18 | 2019-06-18 | すべり軸受の製造方法及びすべり軸受の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2019112826A JP2020204080A (ja) | 2019-06-18 | 2019-06-18 | すべり軸受の製造方法及びすべり軸受の製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2020204080A true JP2020204080A (ja) | 2020-12-24 |
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ID=73836925
Family Applications (1)
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JP2019112826A Pending JP2020204080A (ja) | 2019-06-18 | 2019-06-18 | すべり軸受の製造方法及びすべり軸受の製造装置 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2020204080A (ja) |
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2019
- 2019-06-18 JP JP2019112826A patent/JP2020204080A/ja active Pending
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