JP2020202360A - 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム - Google Patents
太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020202360A JP2020202360A JP2019110685A JP2019110685A JP2020202360A JP 2020202360 A JP2020202360 A JP 2020202360A JP 2019110685 A JP2019110685 A JP 2019110685A JP 2019110685 A JP2019110685 A JP 2019110685A JP 2020202360 A JP2020202360 A JP 2020202360A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar cell
- concentration
- electrode
- layer
- photoelectric conversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010248 power generation Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 108
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 229940112669 cuprous oxide Drugs 0.000 claims abstract description 31
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 103
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 41
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 35
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 29
- -1 cuprous oxide compound Chemical class 0.000 description 23
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 description 22
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 19
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 19
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 18
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 18
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 18
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 18
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 17
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 17
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 16
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 11
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004813 Perfluoroalkoxy alkane Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920011301 perfluoro alkoxyl alkane Polymers 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 2
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000005345 chemically strengthened glass Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/0328—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, semiconductor materials provided for in two or more of groups H01L31/0272 - H01L31/032
- H01L31/0336—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, semiconductor materials provided for in two or more of groups H01L31/0272 - H01L31/032 in different semiconductor regions, e.g. Cu2X/CdX hetero- junctions, X being an element of Group VI of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0725—Multiple junction or tandem solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Description
第1実施形態は、太陽電池に関する。図1に、第1実施形態の太陽電池100の概念図を示す。図1に示すように、本実施形態に係る太陽電池100は、第1電極1と、第1電極1上に光電変換層2と、光電変換層2上にn型層3と、n型層3上に第2電極4と、を備える。第1電極1と光電変換層2との間やn型層3と第2電極4との間には、図示しない中間層が含まれていてもよい。光は第1電極1側から入射しても第2電極4側から入射してもよい。光が太陽電池100に入射して発電することができる。
実施形態の第1電極1は、光電変換層2側に設けられた透明な導電層である。図1では、第1電極1は、光電変換層2と直接接している。第1電極1としては、透明導電膜、金属膜と透明導電膜と金属膜を積層したものが好ましい。透明導電膜としては、酸化インジウムスズ(Indium Tin Oxide;ITO)、アルミニウムドープ酸化亜鉛(Al-doped Zinc Oxide;AZO)、ボロンドープ酸化亜鉛(Boron-doped Zinc Oxide;BZO)、ガリウムドープ酸化亜鉛(Gallium-doped Zinc Oxide;GZO)、フッ素ドープ酸化スズ(Fluorine-doped Tin Oxide;FTO)、アンチモンドープ酸化スズ(Antimony-doped Tin Oxide;ATO)、チタンドープ酸化インジウム(Titanium-doped Indium Oxide;ITiO)、酸化インジウム酸化亜鉛(Indium Zinc Oxide;IZO)や酸化インジウムガリウム亜鉛(Indium Gallium Zinc Oxide;IGZO)、タンタルドープ酸化スズ(Ta-doped Tin Oxide;SnO2:Ta)、ニオブドープ酸化スズ(Nb-doped Tin Oxide;SnO2:Nb)、タングステンドープ酸化スズ(W-doped Tin Oxide;SnO2:W)、モリブデンドープ酸化スズ(Mo-doped Tin Oxide;SnO2:Mo)、フッ素ドープ酸化スズ(F-doped Tin Oxide;SnO2:F)、水素ドープ酸化インジウム(Hydrogen-doped Indium Oxide;IOH)など特に限定されない。透明導電膜は、複数の膜を持つ積層膜であってもよく、上記酸化物の他に酸化スズなどの膜が積層膜に含まれていてもよい。酸化スズなどの膜へのドーパントとしては、In、Si、Ge、Ti、Cu、Sb、Nb、F、Ta、W、Mo、F、Clなど特に限定されない。金属膜としては、Mo、Au、Cu、Ag、Al、TaやWの膜など特に限定されない。また、第1電極1は、透明導電膜上にドット状、ライン状もしくはメッシュ状の金属を設けた電極でもよい。このとき、ドット状、ライン状もしくはメッシュ状の金属は、透明導電膜と光電変換層2の間や透明導電膜の光電変換層2とは反対側に配置される。ドット状、ライン状もしくはメッシュ状の金属は、透明導電膜に対して開口率が50%以上であることが好ましい。ドット状、ライン状もしくはメッシュ状の金属は、Mo、Au、Cu、Ag、Al、TaやWなど特に限定されない。第1電極1に金属膜を用いる場合、透過性の観点から5nm以下程度の膜厚とすることが好ましい。ライン状やメッシュ状の金属膜を用いる場合、透過性は開口部で確保されるため、金属膜の膜厚に関してはこの限りではない。
実施形態の光電変換層2は、第1電極1とn型層3の間に配置された半導体層である。光電変換層2としては、化合物半導体層が好ましい。光電変換層2としては、亜酸化銅を主体(90wt%以上)とする半導体層が挙げられる。光電変換層2は、より具体的には、p型の化合物半導体層である。光電変換層2が厚くなると透過率が低下し、また、スパッタでの成膜を考慮すると10μm以下が実用的であり、化合物半導体層としては、亜酸化銅を主体とする半導体層が好ましい。光電変換層2の厚さは、800nm以上10μm以下であることが好ましい。化合物半導体層としては、亜酸化銅等を主体とする半導体層には、添加物を含んでもよい。光電変換層2は全体としては、p型(p+型を含む)である。光電変換層2のn型層3側には、一部n型の領域が含まれてもよい。
n型層3は、光電変換層2と第2電極4の間に配置されたn型の半導体層である。n型層3の光電変換層2を向く面は、光電変換層2のn型層3を向く面と直接的に接していることが好ましい。n型層3はアモルファスの薄膜であることが好ましい。n型層3は、Zn及びSiを含む金属酸化物層が好ましい。金属酸化物層(n型層3)は、ZnxSiyMzOwで表される化合物で構成された層であることが好ましく、x及びyは、0.90≦x+y≦1.00を満たし、zは、0.00≦z≦0.30を満たし、wは、0.90≦w≦1.10を満たし、Mは、B、Al、Ga、In及びGeからなる群から選ばれる1種以上の元素であることが好ましい。金属酸化物層は、不可避的な不純物を除き実質的にZnxSiyMzOwであることが好ましい。x、y、z、wがこれらの範囲にあることで良好なn型層が形成され、更にCu2O膜とn型層の伝導帯の位置を好ましい範囲に収めることができる。
このように、n型層は薄いため、元素置換を行っても光学的な影響は小さいため、トップセルの透過率は主に光電変換層の膜質、例えばCu2O膜質に依存し、良好なCu2O層にn型層を適用することで高い透過率を維持し、ボトムセルの発電量を向上させることができる。その結果、トップセル効率とボトムセル効率を併せたタンデム効率として増大することが確認できる。
実施形態の反射防止膜は、光電変換層2へ光を導入しやすくするための膜であって、第1電極1上又は第2電極4上の光電変換層2側とは反対側に形成されていることが好ましい。反射防止膜としては、例えば、MgF2やSiO2を用いることが望ましい。なお、実施形態において、反射防止膜を省くことができる。各層の屈折率に応じて膜厚を調整する必要があるが、70〜130nm(好ましくは、80〜120nm)程度の厚さの薄膜を蒸着することが好ましい。
第2実施形態は、多接合型太陽電池に関する。図3に第2実施形態の多接合型太陽電池200の断面概念図を示す。図3の多接合型太陽電池200は、光入射側に第1実施形態の太陽電池(第1太陽電池)100と、第2太陽電池201を有する。第2太陽電池201の光電変換層のバンドギャップは、第1実施形態の太陽電池100の光電変換層2よりも小さいバンドギャップを有する。なお、実施形態の多接合型太陽電池は、3以上の太陽電池を接合させた太陽電池も含まれる。
第3実施形態は、太陽電池モジュールに関する。図4に第3実施形態の太陽電池モジュール300の斜視概念図を示す。図4の太陽電池モジュール300は、第1太陽電池モジュール301と第2太陽電池モジュール302を積層した太陽電池モジュールである。第1太陽電池モジュール301は、光入射側であり、第1実施形態の太陽電池100を用いている。第2太陽電池モジュール302には、第2太陽電池201を用いることが好ましい。
第4実施形態は太陽光発電システムに関する。第3実施形態の太陽電池モジュール300は、第4実施形態の太陽光発電システムにおいて、発電を行う発電機として用いることができる。実施形態の太陽光発電システムは、太陽電池モジュールを用いて発電を行うものであって、具体的には、発電を行う太陽電池モジュールと、発電した電気を電力変換する手段と、発電した電気をためる蓄電手段又は発電した電気を消費する負荷とを有する。図6に実施形態の太陽光発電システム400の構成概念図を示す。図6の太陽光発電システムは、太陽電池モジュール401(300)と、電力変換装置402と、蓄電池403と、負荷404とを有する。蓄電池403と負荷404は、どちらか一方を省略しても良い。負荷404は、蓄電池403に蓄えられた電気エネルギーを利用することもできる構成にしてもよい。電力変換装置402は、変圧や直流交流変換などの電力変換を行う回路又は素子を含む装置である。電力変換装置402の構成は、発電電圧、蓄電池403や負荷404の構成に応じて好適な構成を採用すればよい。
白板ガラス基板上に、裏面側の第1電極としてITO透明導電膜、その上にSbドープしたSnO2透明導電膜を堆積する。透明な第1電極上に酸素とアルゴンガスの混合ガス雰囲気中でスパッタリング法により基板を450℃で加熱して亜酸化銅化合物を成膜する。その後、原子層堆積法によりp−亜酸化銅層上にn型のZn0.9Si0.1Oを堆積する。その後表面側の第2電極としてAZO透明導電膜を堆積する。その上に金属の補助電極を堆積させる。更に反射防止膜としてMgF2を堆積して太陽電池を得る。
効率Eff.=Voc*Jsc*FFで求まる。
白板ガラス基板上に、裏面側の第1電極としてITO透明導電膜、その上にSbドープしたSnO2透明導電膜を堆積する。透明な第1電極上に酸素とアルゴンガスの混合ガス雰囲気中でスパッタリング法により基板を450℃で加熱して亜酸化銅化合物を成膜する。その後、原子層堆積法によりp−亜酸化銅層上にn型のZn0.7Si0.3Oを堆積する。その後表面側の第2電極としてAZO透明導電膜を堆積する。その上に金属の補助電極を堆積させる。更に反射防止膜としてMgF2を堆積して太陽電池を得る。実施例1と同様に、変換効率、Voc及びFFを求める。
白板ガラス基板上に、裏面側の第1電極としてITO透明導電膜、その上にSbドープしたSnO2透明導電膜を堆積する。透明な第1電極上に酸素とアルゴンガスの混合ガス雰囲気中でスパッタリング法により基板を450℃で加熱して亜酸化銅化合物を成膜する。その後、原子層堆積法によりp−亜酸化銅層上にn型のZn0.59Si0.41Oを堆積する。その後表面側の第2電極としてAZO透明導電膜を堆積する。その上に金属の補助電極を堆積させる。更に反射防止膜としてMgF2を堆積して太陽電池を得る。実施例1と同様に、変換効率、Voc及びFFを求める。
白板ガラス基板上に、裏面側の第1電極としてITO透明導電膜、その上にSbドープしたSnO2透明導電膜を堆積する。透明な第1電極上に酸素とアルゴンガスの混合ガス雰囲気中でスパッタリング法により基板を450℃で加熱して亜酸化銅化合物を成膜する。その後、原子層堆積法によりp−亜酸化銅層上にn型のZn0.7Si0.25B0.05Oを堆積する。その後表面側の第2電極としてAZO透明導電膜を堆積する。その上に金属の補助電極を堆積させる。更に反射防止膜としてMgF2を堆積して太陽電池を得る。実施例1と同様に、変換効率、Voc及びFFを求める。
白板ガラス基板上に、裏面側の第1電極としてITO透明導電膜、その上にSbドープしたSnO2透明導電膜を堆積する。透明な第1電極上に酸素とアルゴンガスの混合ガス雰囲気中でスパッタリング法により基板を450℃で加熱して亜酸化銅化合物を成膜する。その後、原子層堆積法によりp−亜酸化銅層上にn型のZn0.7Si0.25Al0.05Oを堆積する。その後表面側の第2電極としてAZO透明導電膜を堆積する。その上に金属の補助電極を堆積させる。更に反射防止膜としてMgF2を堆積して太陽電池を得る。実施例1と同様に、変換効率、Voc及びFFを求める。
白板ガラス基板上に、裏面側の第1電極としてITO透明導電膜、その上にSbドープしたSnO2透明導電膜を堆積する。透明な第1電極上に酸素とアルゴンガスの混合ガス雰囲気中でスパッタリング法により基板を450℃で加熱して亜酸化銅化合物を成膜する。その後、原子層堆積法によりp−亜酸化銅層上にn型のZn0.7Si0.25Ga0.05Oを堆積する。その後表面側の第2電極としてAZO透明導電膜を堆積する。その上に金属の補助電極を堆積させる。更に反射防止膜としてMgF2を堆積して太陽電池を得る。実施例1と同様に、変換効率、Voc及びFFを求める。
白板ガラス基板上に、裏面側の第1電極としてITO透明導電膜、その上にSbドープしたSnO2透明導電膜を堆積する。透明な第1電極上に酸素とアルゴンガスの混合ガス雰囲気中でスパッタリング法により基板を450℃で加熱して亜酸化銅化合物を成膜する。その後、原子層堆積法によりp−亜酸化銅層上にn型のZn0.7Si0.20In0.10Oを堆積する。その後表面側の第2電極としてAZO透明導電膜を堆積する。その上に金属の補助電極を堆積させる。更に反射防止膜としてMgF2を堆積して太陽電池を得る。実施例1と同様に、変換効率、Voc及びFFを求める。
白板ガラス基板上に、裏面側の第1電極としてITO透明導電膜、その上にSbドープしたSnO2透明導電膜を堆積する。透明な第1電極上に酸素とアルゴンガスの混合ガス雰囲気中でスパッタリング法により基板を450℃で加熱して亜酸化銅化合物を成膜する。亜酸化銅化合物の成膜の後半にZnとSiも一緒にスパッタする。その後、原子堆層積法によりp−亜酸化銅層上にn型のZn0.6Si0.4Oを堆積する。その後表面側の第2電極としてAZO透明導電膜を堆積する。その上に金属の補助電極を堆積させる。更に反射防止膜としてMgF2を堆積して太陽電池を得る。
白板ガラス基板上に、裏面側の第1電極としてITO透明導電膜、その上にSbドープしたSnO2透明導電膜を堆積する。透明な第1電極上に酸素とアルゴンガスの混合ガス雰囲気中でスパッタリング法により基板を450℃で加熱して亜酸化銅化合物を成膜する。その後、原子層堆積法によりp−亜酸化銅層上にn型のZn0.95Si0.05Oを堆積する。その後表面側の第2電極としてAZO透明導電膜を堆積する。その上に金属の補助電極を堆積させる。更に反射防止膜としてMgF2を堆積して太陽電池を得る。実施例1と同様に、変換効率、Voc及びFFを求める。
白板ガラス基板上に、裏面側の第1電極としてITO透明導電膜、その上にSbドープしたSnO2透明導電膜を堆積する。透明な第1電極上に酸素とアルゴンガスの混合ガス雰囲気中でスパッタリング法により基板を450℃で加熱して亜酸化銅化合物を成膜する。その後、原子層堆積法によりp−亜酸化銅層上にn型のZn0.5Si0.5Oを堆積する。その後表面側の第2電極としてAZO透明導電膜を堆積する。その上に金属の補助電極を堆積させる。更に反射防止膜としてMgF2を堆積して太陽電池を得る。実施例1と同様に、変換効率、Voc及びFFを求める。
白板ガラス基板上に、裏面側の第1電極としてITO透明導電膜、その上にSbドープしたSnO2透明導電膜を堆積する。透明な第1電極上に酸素とアルゴンガスの混合ガス雰囲気中でスパッタリング法により基板を450℃で加熱して亜酸化銅化合物を成膜する。その後、原子層堆積法によりp−亜酸化銅層上にn型のZn0.5Ge0.3Si0.2Oを堆積する。その後表面側の第2電極としてAZO透明導電膜を堆積する。その上に金属の補助電極を堆積させる。更に反射防止膜としてMgF2を堆積して太陽電池を得る。実施例1と同様に、変換効率、Voc及びFFを求める。
白板ガラス基板上に、裏面側の第1電極としてITO透明導電膜、その上にSbドープしたSnO2透明導電膜を堆積する。透明な第1電極上に酸素とアルゴンガスの混合ガス雰囲気中でスパッタリング法により基板を450℃で加熱して亜酸化銅化合物を成膜する。その後、原子層堆積法によりp−亜酸化銅層上にn型のZn0.7Si0.1Al0.2Oを堆積する。その後表面側の第2電極としてAZO透明導電膜を堆積する。その上に金属の補助電極を堆積させる。更に反射防止膜としてMgF2を堆積して太陽電池を得る。実施例1と同様に、変換効率、Voc及びFFを求める。
白板ガラス基板上に、裏面側の第1電極としてITO透明導電膜、その上にSbドープしたSnO2透明導電膜を堆積する。透明な第1電極上に酸素とアルゴンガスの混合ガス雰囲気中でスパッタリング法により基板を450℃で加熱して亜酸化銅化合物を成膜する。その後、原子層堆積法によりp−亜酸化銅層上にn型のZn0.95Ge0.05Oを堆積する。その後表面側の第2電極としてAZO透明導電膜を堆積する。その上に金属の補助電極を堆積させる。更に反射防止膜としてMgF2を堆積して太陽電池を得る。実施例1と同様に、変換効率、Voc及びFFを求める。
白板ガラス基板上に、裏面側の第1電極としてITO透明導電膜、その上にSbドープしたSnO2透明導電膜を堆積する。透明な第1電極上に酸素とアルゴンガスの混合ガス雰囲気中でスパッタリング法により基板を450℃で加熱して亜酸化銅化合物を成膜する。その後、原子層堆積法によりp−亜酸化銅層上にn型のZn0.5Ge0.5Oを堆積する。その後表面側の第2電極としてAZO透明導電膜を堆積する。その上に金属の補助電極を堆積させる。更に反射防止膜としてMgF2を堆積して太陽電池を得る。実施例1と同様に、変換効率、Voc及びFFを求める。
白板ガラス基板上に、裏面側の第1電極としてITO透明導電膜、その上にSbドープしたSnO2透明導電膜を堆積する。透明な第1電極上に酸素とアルゴンガスの混合ガス雰囲気中でスパッタリング法により基板を450℃で加熱して亜酸化銅化合物を成膜する。その後、原子層堆積法によりp−亜酸化銅層上にn型のZn0.5Ge0.3B0.2Oを堆積する。その後表面側の第2電極としてAZO透明導電膜を堆積する。その上に金属の補助電極を堆積させる。更に反射防止膜としてMgF2を堆積して太陽電池を得る。実施例1と同様に、変換効率、Voc及びFFを求める。
白板ガラス基板上に、裏面側の第1電極としてITO透明導電膜、その上にSbドープしたSnO2透明導電膜を堆積する。透明な第1電極上に酸素とアルゴンガスの混合ガス雰囲気中でスパッタリング法により基板を450℃で加熱して亜酸化銅化合物を成膜する。その後、原子層堆積法によりp−亜酸化銅層上にn型のZn0.3Ge0.7Oを堆積する。その後表面側の第2電極としてAZO透明導電膜を堆積する。その上に金属の補助電極を堆積させる。更に反射防止膜としてMgF2を堆積して太陽電池を得る。実施例1と同様に、変換効率、Voc及びFFを求める。
白板ガラス基板上に、裏面側の第1電極としてITO透明導電膜、その上にSbドープしたSnO2透明導電膜を堆積する。透明な第1電極上に酸素とアルゴンガスの混合ガス雰囲気中でスパッタリング法により基板を450℃で加熱して亜酸化銅化合物を成膜する。その後、原子層堆積法によりp−亜酸化銅層上にn型のZn0.7Ge0.20In0.10Oを堆積する。その後表面側の第2電極としてAZO透明導電膜を堆積する。その上に金属の補助電極を堆積させる。更に反射防止膜としてMgF2を堆積して太陽電池を得る。実施例1と同様に、変換効率、Voc及びFFを求める。
明細書中、一部の元素は、元素記号のみで表している。
Claims (9)
- 透明な第1電極と、
前記第1電極上に亜酸化銅を主体とする光電変換層と、
前記第光電変換層上にZn及びSiを含む金属酸化物層であるn型層と、
前記n型層上に透明な第2電極とを有する太陽電池。 - 前記金属酸化物層は、ZnxSiyMzOwで表される化合物で構成された層であり、
x及びyは、0.90≦x+y≦1.00を満たし、
zは、0.00≦z≦0.30を満たし、
wは、0.90≦w≦1.10を満たし、
Mは、B、Al、Ga、In及びGeからなる群から選ばれる1種以上の元素である請求項1に記載の太陽電池。 - 前記金属酸化物層は、ZnxSiyMzOwで表される化合物で構成された層であり、
x及びyは、0.90≦x+y≦1.00を満たし、
前記yは、0.10≦y≦0.50を満たし
zは、0.00≦z≦0.30を満たし、
wは、0.90≦w≦1.10を満たし、
Mは、B、Al、Ga、In及びGeからなる群から選ばれる1種以上の元素である請求項1又は2に記載の太陽電池。 - 前記光電変換層中に含まれるZn濃度は、前記光電変換層中に含まれるSi濃度よりも高い請求項1ないし3のいずれか1項に記載の太陽電池。
- 前記光電変換層と前記n型層の界面から前記第1電極1方向に3nmの深さまでの領域の平均Zn濃度を第1Zn濃度とし、
前記光電変換層と前記n型層の界面から前記第1電極1方向に3nmの深さから前記第1電極1方向にさらに3nm深いところまでの領域の平均Zn濃度を第2Zn濃度とし、
前記光電変換層と前記n型層の界面から前記第1電極1方向に3nmの深さまでの領域の平均Si濃度を第1Si濃度とし、
前記光電変換層と前記n型層の界面から前記第1電極1方向に3nmの深さから前記第1電極1方向にさらに3nm深いところまでの領域の平均Si濃度を第2Si濃度とし、
前記第1Zn濃度、前記第2Zn濃度、前記第1Si濃度及び前記第2Si濃度は、[第1Zn濃度]>[第1Si濃度]、[第2Zn濃度]>[第2Si濃度]、[第1Zn濃度]>[第2Zn濃度]及び[第1Si濃度]>[第2Si濃度]を満たす請求項1ないし4のいずれか1項に記載の太陽電池。 - 前記光電変換層と前記n型層の界面から前記第1電極1方向に3nmの深さまでの領域の平均Zn濃度を第1Zn濃度とし、
前記光電変換層と前記n型層の界面から前記第1電極1方向に3nmの深さから前記第1電極1方向にさらに3nm深いところまでの領域の平均Zn濃度を第2Zn濃度とし、
前記光電変換層と前記n型層の界面から前記第1電極1方向に3nmの深さまでの領域の平均Si濃度を第1Si濃度とし、
前記光電変換層と前記n型層の界面から前記第1電極1方向に3nmの深さから前記第1電極1方向にさらに3nm深いところまでの領域の平均Si濃度を第2Si濃度とし、
前記第1Zn濃度、前記第2Zn濃度、前記第1Si濃度及び前記第2Si濃度は、3([第1Zn濃度]/[第1Si濃度])≦([第2Zn濃度]/[第2Si濃度])を満たす請求項1ないし5のいずれか1項に記載の太陽電池。 - 請求項1ないし6のいずれか1項に記載の太陽電池を用いた多接合型太陽電池。
- 請求項1ないし6のいずれか1項に記載の太陽電池を用いた太陽電池モジュール。
- 請求項8に記載の太陽電池モジュールを用いて発電する太陽光発電システム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019110685A JP7378974B2 (ja) | 2019-06-13 | 2019-06-13 | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
PCT/JP2020/011291 WO2020250521A1 (en) | 2019-06-13 | 2020-03-13 | Solar cell, multi-junction solar cell, solar cell module, and solar power generation system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019110685A JP7378974B2 (ja) | 2019-06-13 | 2019-06-13 | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020202360A true JP2020202360A (ja) | 2020-12-17 |
JP7378974B2 JP7378974B2 (ja) | 2023-11-14 |
Family
ID=70050172
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019110685A Active JP7378974B2 (ja) | 2019-06-13 | 2019-06-13 | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7378974B2 (ja) |
WO (1) | WO2020250521A1 (ja) |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006124754A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Bridgestone Corp | Cu2O膜、その成膜方法及び太陽電池 |
JP2009283886A (ja) * | 2008-05-19 | 2009-12-03 | Tatung Co | 高性能な光電デバイス |
WO2013124134A1 (de) * | 2012-02-21 | 2013-08-29 | Justus-Liebig-Universität Giessen | Kupferoxid (cu2o,cu4o3 oder cuo) -heteroübergänge, insbesondere für solarzellen und tandemzellen |
JP2013539234A (ja) * | 2010-09-30 | 2013-10-17 | カリフォルニア インスティテュート オブ テクノロジー | 改良されたp−nヘテロ接合を有する亜酸化銅半導体を含むマイクロエレクトロニクス構造 |
JP2014170865A (ja) * | 2013-03-05 | 2014-09-18 | Panasonic Corp | 光起電力装置 |
JP2015092555A (ja) * | 2013-10-04 | 2015-05-14 | 旭化成株式会社 | 太陽電池 |
JP2017098479A (ja) * | 2015-11-27 | 2017-06-01 | 学校法人金沢工業大学 | 光電変換素子、タンデム型光電変換素子および光充電型バッテリー装置 |
WO2017094547A1 (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | 国立大学法人東京工業大学 | 光電変換素子を製造する方法 |
WO2018066483A1 (ja) * | 2016-10-03 | 2018-04-12 | 国立大学法人東京工業大学 | 半導体素子 |
CN108054225A (zh) * | 2017-12-13 | 2018-05-18 | 浙江海洋大学 | 一种基于纳米结构薄膜电极的氧化亚铜太阳能电池及其制备方法 |
WO2018135145A1 (ja) * | 2017-01-18 | 2018-07-26 | 日立化成株式会社 | ナノ結晶の製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
JP2018157176A (ja) * | 2016-09-21 | 2018-10-04 | 株式会社東芝 | 太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
JP2019057536A (ja) * | 2017-09-19 | 2019-04-11 | 株式会社東芝 | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
-
2019
- 2019-06-13 JP JP2019110685A patent/JP7378974B2/ja active Active
-
2020
- 2020-03-13 WO PCT/JP2020/011291 patent/WO2020250521A1/en active Application Filing
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006124754A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Bridgestone Corp | Cu2O膜、その成膜方法及び太陽電池 |
JP2009283886A (ja) * | 2008-05-19 | 2009-12-03 | Tatung Co | 高性能な光電デバイス |
JP2013539234A (ja) * | 2010-09-30 | 2013-10-17 | カリフォルニア インスティテュート オブ テクノロジー | 改良されたp−nヘテロ接合を有する亜酸化銅半導体を含むマイクロエレクトロニクス構造 |
WO2013124134A1 (de) * | 2012-02-21 | 2013-08-29 | Justus-Liebig-Universität Giessen | Kupferoxid (cu2o,cu4o3 oder cuo) -heteroübergänge, insbesondere für solarzellen und tandemzellen |
JP2014170865A (ja) * | 2013-03-05 | 2014-09-18 | Panasonic Corp | 光起電力装置 |
JP2015092555A (ja) * | 2013-10-04 | 2015-05-14 | 旭化成株式会社 | 太陽電池 |
JP2017098479A (ja) * | 2015-11-27 | 2017-06-01 | 学校法人金沢工業大学 | 光電変換素子、タンデム型光電変換素子および光充電型バッテリー装置 |
WO2017094547A1 (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | 国立大学法人東京工業大学 | 光電変換素子を製造する方法 |
JP2018157176A (ja) * | 2016-09-21 | 2018-10-04 | 株式会社東芝 | 太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
WO2018066483A1 (ja) * | 2016-10-03 | 2018-04-12 | 国立大学法人東京工業大学 | 半導体素子 |
WO2018135145A1 (ja) * | 2017-01-18 | 2018-07-26 | 日立化成株式会社 | ナノ結晶の製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
JP2019057536A (ja) * | 2017-09-19 | 2019-04-11 | 株式会社東芝 | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
CN108054225A (zh) * | 2017-12-13 | 2018-05-18 | 浙江海洋大学 | 一种基于纳米结构薄膜电极的氧化亚铜太阳能电池及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7378974B2 (ja) | 2023-11-14 |
WO2020250521A1 (en) | 2020-12-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2019057536A (ja) | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム | |
JP7102504B2 (ja) | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム | |
US20210184066A1 (en) | Solar cell, laminated body, multi-junction solar cell, solar cell module, and solar power generation system | |
US20220406957A1 (en) | Method for manufacturing stacked thin film, method for manufacturing solar cell, multi-junction solar cell, solar cell module, and photovoltaic power generation system | |
JP7273537B2 (ja) | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム | |
WO2022074851A1 (ja) | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム | |
JP7447297B2 (ja) | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム | |
JP7330004B2 (ja) | 光電変換層、太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム | |
US11322627B2 (en) | Solar cell, multi-junction solar cell, solar cell module, and solar power generation system | |
US11581444B2 (en) | Solar cell, multi-junction solar cell, solar cell module, and solar photovoltaic power generation system | |
US11901474B2 (en) | Solar cell, multi-junction solar cell, solar cell module, and photovoltaic power generation system | |
JP7378940B2 (ja) | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム | |
JP7378974B2 (ja) | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム | |
US20200091365A1 (en) | Solar cell, multi-junction solar cell, solar cell module, and solar power generation system | |
JP7330015B2 (ja) | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム | |
US20230215965A1 (en) | Solar cell, multi-junction solar cell, solar cell module, and photovoltaic power generation system | |
WO2023281761A1 (ja) | 太陽電池、太陽電池の製造方法、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム | |
WO2020250513A1 (en) | Solar cell, multijunction solar cell, solar cell module, and solar power generation system | |
WO2022075024A1 (en) | Solar cell, multi-junction solar cell, solar cell module, and photovoltaic power generation system |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20200116 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220309 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20221228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230117 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230317 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230606 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230803 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231003 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231101 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7378974 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |