WO2022074851A1 - 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム - Google Patents

太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム Download PDF

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和重 山本
直之 中川
幸民 水野
聡一郎 芝崎
祐弥 保西
六月 山崎
佳子 平岡
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株式会社 東芝
東芝エネルギーシステムズ株式会社
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    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Definitions

  • the present invention relates to a solar cell, a multi-junction solar cell, a solar cell module, and a photovoltaic power generation system.
  • One of the new solar cells is a solar cell using cuprous oxide (Cu 2 O) as a light absorption layer.
  • Cu 2 O is a wide-gap semiconductor. Since Cu 2 O is a safe and inexpensive material composed of copper and oxygen, which are abundant on the earth, it is expected that a highly efficient and low cost solar cell can be realized.
  • the problem to be solved by the present invention is to provide a solar cell having excellent conversion efficiency, a multi-junction solar cell, a solar cell module, and a photovoltaic power generation system.
  • the solar cell of the embodiment has a p electrode, an n electrode, a p-type light absorption layer mainly composed of cuprous oxide located between the p electrode and the n electrode, and between the p-type light absorption layer and the n electrode. It is a layer mainly composed of a compound represented by Ga x1 M1 x2 M2 x3 M3 x4 O x5 , where M1 is Al or / and B and M2 is In, Ti, Zn, Hf and Zr.
  • M3 is one or more selected from the group consisting of Sn, Si and Ge
  • x1 and x5 are numerical values larger than 0, and x2, x3 and x4 are 0 or more.
  • Ga y1 M1 y2 M2 y3 M3 y4 O y5 is a layer mainly composed of a compound, y1 and y5 are numerical values larger than 0, y2, y3 and y4 are numerical values of 0 or more, and y1.
  • y5 is located between the n-type layer having a second n-type layer of 3.0 or more and 3.8 or less, or the p-type light absorption layer and the n electrode.
  • M3 is one or more selected from the group consisting of Sn, Si and Ge
  • x1 and x5 are numerical values larger than
  • x2 x3 and x4 are numerical values of 0 or more
  • x1 and x5 are located between the 1n region, which is 3.0 or more and 3.8 or less, the 1n region and the n electrode, and is located between the 1n region and the n electrode, and is located between the 1n region and the n electrode.
  • y1 and y5 are numerical values larger than 0, y2, y3 and y4 are numerical values of 0 or more, and the sum of y1, y2, y3 and y4 is 2.
  • Y5 has an n-type layer having a second n region which is 3.0 or more and 3.8 or less. (X2 + x3) is larger than (y2 + y3).
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of the solar cell of the embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating an analysis spot of the solar cell of the embodiment.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the solar cell of the embodiment.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the solar cell of the embodiment.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the solar cell of the embodiment.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the multi-junction solar cell of the embodiment.
  • FIG. 7 is a perspective view of the solar cell module of the embodiment.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of the solar cell module of the embodiment.
  • FIG. 9 is a block diagram of the solar power generation system of the embodiment.
  • FIG. 10 is a conceptual diagram of the vehicle of the embodiment.
  • FIG. 10 is a conceptual diagram of the vehicle of the embodiment.
  • FIG. 11 is a table relating to the n-type layer of the embodiment.
  • FIG. 12 is a table relating to the n-type layer of the embodiment.
  • FIG. 13 is a graph showing the mode of composition change of the embodiment.
  • FIG. 14 is a graph showing the mode of composition change of the embodiment.
  • FIG. 15 is a table relating to examples.
  • FIG. 1 shows a cross-sectional view of the solar cell 100 of the first embodiment.
  • the solar cell 100 according to the present embodiment has a substrate 1, a p electrode 2 which is a first electrode, a p-type light absorption layer 3, an n-type layer 4, and n which is a second electrode. It has an electrode 5.
  • the n-type layer 4 includes a first n-type layer 4A and a second n-type layer 4B.
  • An intermediate layer (not shown) may be included between the n-type layer 4 and the n electrode 5.
  • the sunlight may be incident from either the n electrode 5 side or the p electrode 2 side, but it is more preferable that the sunlight is incident from the n electrode 5 side.
  • the solar cell 100 of the embodiment is a transmissive solar cell, it is preferably used for the top cell (light incident side) of the multi-junction solar cell.
  • the substrate 1 is provided on the side opposite to the p-type light absorption layer 3 side of the p electrode 2, but the substrate 1 may be provided on the side opposite to the n-type layer 4 side of the n electrode 5. The form shown in FIG.
  • the substrate 1 is provided on the n-electrode 5 side except that the positions of the substrates 1 are different.
  • light is incident from the n electrode 5 side toward the p electrode 2 side.
  • the substrate 1 is a transparent substrate.
  • the substrate 1 contains acrylic, polyimide, polycarbonate, polyethylene terephthalate (PET) polypropylene (PP), fluororesin (polytetrafluoroethylene (PTFE), perfluoroethylene propene copolymer (FEP), ethylene tetrafluoroethylene) that transmit light.
  • polyarylate polysulfone
  • organic substrates such as polyethersulfon and polyetherimide
  • soda lime glass and white plate glass.
  • Inorganic substrates such as chemically strengthened glass and quartz can be used.
  • the substrate 1 may be laminated with the substrates listed above.
  • the p electrode 2 is provided on the substrate 1 and is arranged between the substrate 1 and the p-type light absorption layer 3.
  • the p electrode 2 is a light-transmitting conductive layer provided on the p-type light absorption layer 3 side.
  • the thickness of the p electrode 2 is typically 100 nm or more and 2,000 nm or less.
  • the p electrode 2 is in direct contact with the light absorption layer 3.
  • the p electrode 2 preferably contains one or more layers of an oxide transparent conductive film. Examples of the oxide transparent conductive film include indium tin oxide (ITO), aluminum-doped Zinc Oxide (AZO), boron-doped Zinc Oxide (BZO), and gallium-doped zinc oxide.
  • the oxide transparent conductive film may be a laminated film having a plurality of films.
  • the dopant for a film such as tin oxide is not particularly limited as long as it is one or more selected from the group consisting of In, Si, Ge, Ti, Cu, Sb, Nb, Ta, W, Mo, F and Cl. ..
  • the p electrode 2 includes a tin oxide film doped with one or more elements selected from the group consisting of In, Si, Ge, Ti, Cu, Sb, Nb, Ta, W, Mo, F, Cl and the like. Is preferable.
  • the doped tin oxide film one or more elements selected from the group consisting of In, Si, Ge, Ti, Cu, Sb, Nb, Ta, W, Mo, F, Cl and the like are contained in the tin oxide film. It is preferably contained in an amount of 10 atomic% or less based on the amount of tin.
  • a laminated film in which an oxide transparent conductive film and a metal film are laminated can be used as the p electrode 2.
  • the thickness of the metal film is preferably 10 nm or less, and the metal (including alloy) contained in the metal film is not particularly limited to Mo, Au, Cu, Ag, Al, Ta and W.
  • the p electrode 2 is a dot-shaped, line-shaped or mesh-shaped electrode (metal, alloy, graphene) between the oxide transparent conductive film and the substrate 1 or between the oxide transparent conductive film and the p-type light absorbing layer 3. , One or more selected from the group consisting of conductive nitrides and conductive oxides).
  • the dot-shaped, line-shaped or mesh-shaped metal preferably has an aperture ratio of 50% or more with respect to the transparent conductive film.
  • the dot-shaped, line-shaped or mesh-shaped metal is not particularly limited to Mo, Au, Cu, Ag, Al, Ta and W.
  • the film thickness is preferably about 5 nm or less from the viewpoint of transparency.
  • the film thickness of the metal film is not limited to this because the permeability is ensured at the opening.
  • the p-type light absorption layer 3 is a p-type semiconductor layer.
  • the p-type light absorption layer 3 may be in direct contact with the p electrode 2, or may have another layer as long as the contact with the p electrode 2 can be secured.
  • the p-type light absorption layer 3 is arranged between the electrode 2 and the first n-type layer 4A.
  • the p-type light absorption layer 3 forms a pn junction with the first n-type layer 4A.
  • the p-type light absorption layer 3 is a semiconductor layer of a metal oxide containing Cu as a main component.
  • the oxide of the metal containing Cu as a main component is cuprous oxide and / or a composite oxide of cuprous oxide.
  • the p-type light absorption layer 3 is cuprous oxide and / or a composite oxide of cuprous oxide. It is more preferable that 95 wt% or more of the p-type light absorption layer 3 is cuprous oxide and / or a composite oxide of cuprous oxide. It is even more preferable that 98 wt% or more of the p-type light absorption layer 3 is cuprous oxide and / or a composite oxide of cuprous oxide. It is preferable that the p-type light absorption layer 3 contains almost no Cu or / and CuO which are different phases.
  • the oxide of the metal containing Cu as a main component has Cu of 60.0 atom% or more and 67.0 atom% or less, and O (oxygen) of 32.5 atom% or more and 34.0 atom% or less.
  • the composite oxide of cuprous oxide includes metals other than Cu.
  • the metal contained in the composite oxide of cuprous oxide is selected from the group consisting of Sn, Sb, Ag, Li, Na, K, Cs, Rb, Al, Ga, In, Zn, Mg and Ca in addition to Cu. It is one or more kinds of metals.
  • the band of the p-type light absorption layer 3 is contained.
  • the gap can be adjusted.
  • the band gap of the p-type light absorption layer 3 is preferably 2.0 eV or more and 2.2 eV or less. With a bandgap in this range, in a multi-junction solar cell using a solar cell using Si as a light absorption layer as a bottom cell and using the solar cell of the embodiment as a top cell, the sun is used in both the top cell and the bottom cell. Light can be used efficiently.
  • the p-type light absorption layer 3 may further contain Sn or Sb.
  • the Sn and Sb of the p-type light absorption layer 3 may be those added to the light absorption layer 3 or those derived from the p electrode 2.
  • the p-type light absorption layer 3 is a layer of an oxide represented by Cu a M b Oc .
  • M is one or more metals selected from the group consisting of Sn, Sb, Ag, Li, Na, K, Cs, Rb, Al, Ga, In, Zn, Mg and Ca. It is preferable that a, b and c satisfy 1.80 ⁇ a ⁇ 2.01, 0.00 ⁇ b ⁇ 0.20 and 0.98 ⁇ c ⁇ 1.02.
  • the composition ratio of the p-type light absorption layer 3 is the overall composition ratio of the p-type light absorption layer 3. Further, it is preferable that the compound composition ratio of the p-type light absorption layer 3 is totally satisfied in the p-type light absorption layer 3. If the concentrations of Sn and Sb in the p-type light absorption layer 3 are high, defects increase and carrier recombination increases. Therefore, the total volume concentration of Sb and Sn in the p-type light absorption layer 3 is preferably 1.5 x 10 19 atoms / cm 3 or less.
  • the composition of the p-type light absorption layer 3 and the first n-type layer 4A is determined by SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry). The analysis position is the same as that of the p electrode 2, and the average value of the obtained values can be used as the composition of each layer.
  • the thickness of the p-type light absorption layer 3 is determined by cross-sectional observation with an electron microscope or a step meter, and is preferably 1,000 nm or more and 10,000 nm or less.
  • the p-type light absorption layer 3 is preferably formed by, for example, sputtering.
  • the n-type layer 4 includes a first n-type layer 4A and a second n-type layer 4B.
  • the first n-type layer 4A is an n-type semiconductor layer.
  • the first n-type layer 4A is arranged between the p-type light absorption layer 3 and the second n electrode 4B.
  • the second n-type layer 4B is arranged between the first n-type layer 4A and the n electrode 5.
  • the first n-type layer 4A is in direct contact with the surface of the p-type light absorption layer 3 opposite to the surface in contact with the p electrode 2.
  • the first n-type layer 4A is an oxide semiconductor layer containing Ga, and preferably contains a compound based on Ga.
  • the first n-type layer 4A may be a mixture of a Ga-based oxide and another oxide, or the Ga-based oxide may be doped with another element, or another element.
  • the Ga-based oxide doped with may be mixed with other oxides.
  • the first n-type layer 4A is a layer mainly composed of a compound represented by Ga x1 M1 x2 M2 x3 M3 x4 O x5 (50 wt% or more), M1 is Al or / and B, and M2 is In. It is preferably one or more selected from the group consisting of Ti, Zn, Hf and Zr, and M3 is preferably one or more selected from the group consisting of Sn, Si and Ge.
  • x1, x2 and x5 are numerical values larger than 0.
  • x3 and x4 are numerical values of 0 or more. When the sum of x1, x2, x3 and x4 is 2, x5 is preferably 3.0 or more and 3.8 or less.
  • 90 wt% or more of the 1n type layer 4A is preferably a compound represented by Ga x1 M1 x2 M2 x3 M3 x4 O x5 . More preferably, 95 wt% or more of the 1n type layer 4A is a compound represented by Ga x1 M1 x2 M2 x3 M3 x4 O x5 . It is even more preferable that 98 wt% or more of the first n-type layer 4A is a compound represented by Ga x1 M1 x2 M2 x3 M3 x4 O x5 . It is more preferable that the first n-type layer 4A is composed of a compound represented by Ga x1 M1 x2 M2 x3 M3 x4 O x5 .
  • the composition of the compound of the 1st type layer 4A is the average composition of the entire 1n type layer 4A unless otherwise specified.
  • the composition of the 1n-type layer 4A is 0.2d, 0.5d, 0.8d from the surface of the 1n-type layer 4A on the p-type light absorption layer 3 side, where d is the thickness of the 1n-type layer 4A. It is the average value of the composition at the depth of. Unless there is a condition that the elemental composition ratio of the compound of the 1n type layer 4A is inclined, it is preferable that the 1n type layer 4A satisfies the above-mentioned and the following suitable compositions at each depth.
  • the composition of the 1n-type layer 4A at a depth of 0.5 d from the surface of the 1n-type layer 4A on the p-type light absorption layer 3 side is set. It can be regarded as the whole composition.
  • the analysis spots distributed at equal intervals as shown in FIG. 2 at each distance from the surface of the n-type layer are, for example, secondary ion mass spectrometry (SIMS). ) Is used for analysis.
  • FIG. 2 is a schematic view of the solar cell 100 as viewed from the incident side of light.
  • D1 is the length in the width direction of the 1n type layer 4A
  • D2 is the length in the depth direction of the 1n type layer 4A.
  • the first n-type layer 4A in which the difference between the lower end of the conduction band (CBM) of the p-type light absorption layer 3 and the lower end of the conduction band of the first n-type layer 4A is small is preferable.
  • Ga 2 O 3 has a very low conduction band lower end with respect to the p-type light absorption layer 3, and the element M1 is contained in the compound of the first n-type layer 4A in order to reduce the difference between the conduction band lower ends.
  • the difference between the lower end of the conduction band of the p-type light absorption layer 3 and the lower end of the conduction band of the first n-type layer 4A ([lower end of the conduction band of the p-type light absorption layer 3]-[lower end of the conduction band of the first n-type layer 4A]) is It is preferably 0.0 eV or more and 0.4 eV or less.
  • the lower end of the conduction band is adjusted mainly by the elements of Ga and M1.
  • the element ratio of M1 the lower end of the conduction band of the first n-type layer 4A rises, and the difference between the lower ends of the conduction band of the p-type light absorption layer 3 can be reduced. Therefore, (x1 + x2) / (x1 + x2 + x3 + x4) is preferably 0.50 or more and 1.00 or less.
  • (x1 + x2) / (x1 + x2 + x3 + x4) is preferably 0.80 or more and 1.00 or less, and more preferably 0.90 or more and 1.00 or less.
  • X2 / (x1 + x2) is preferably 0.00 or more and 0.50 or less.
  • x2 / (x1 + x2) is larger than 0.50, spikes in which the conduction bands at the pn junction interface are discontinuous occur and the FF becomes low, so that it is difficult to obtain a solar cell with high conversion efficiency.
  • x2 / (x1 + x2) is more preferably 0.10 or more and 0.40 or less, and more preferably 0.10 or more and 0.35 or less.
  • the compound of the first n-type layer 4A can contain one or more selected from the group consisting of In, Ti, Zn, Hf and Zr represented by M2.
  • x3 / (x1 + x2 + x3 + x4) is preferably 0.00 or more and 0.50 or less.
  • the element of M2 can adjust the lower end of the conduction band of the first n-type layer 4A. If there are too many elements of M2, the difference between the lower ends of the conduction bands of the first n-type layer 4A and the p-type light absorption layer 3 may become large. Therefore, x3 / (x1 + x2 + x3 + x4) is more preferably 0.00 or more and 0.10 or less, and more preferably 0.00 or more and 0.05 or less.
  • the compound of the first n-type layer 4A can include one or more selected from the group consisting of Sn, Si and Ge represented by M3.
  • the carrier concentration of the 1n type layer 4A can be increased.
  • x4 / (x1 + x2 + x3 + x4) is preferably 0.00 or more and 0.15 or less, and more preferably 0.00 or more and 0.10 or less.
  • x4 is preferably smaller than (x2 + x3).
  • the composition ratio of 1 or more selected from the group consisting of Ga, M1 element, M2 element, and M3 element may change in the film thickness direction of the 1n type layer 4A in the 1n type layer 4A.
  • the element of M3 is preferably less on the p-type light absorption layer 3 side and more on the second n-type layer 4B side. It is preferable that the element of M1 is large on the p-type light absorption layer 3 side and small on the second n-type layer 4B side.
  • the composition change is preferably a combination of sloping, stepped or sloping changes and stepped changes. Further, the change in composition is wholly or partially in the stacking direction of each layer of the solar cell 100.
  • the carrier concentration, the lower end of the conduction band, and the refractive index can be adjusted from the p-type light absorption layer 3 side to the n electrode 5 side, which contributes to the improvement of conversion efficiency. be able to.
  • the element ratio of M1 in A0-0.25 is 1.10 times (x2 (the average value of the first n-type layer 4A) 1.10 times (the same applies hereinafter)) or more and 2.50 times (x2 (1n)) of x2. It is preferably 2.5 times (the same applies hereinafter)) or less than the average value of the mold layer 4A).
  • the elemental ratio of M1 in A0.25-0.50 is preferably 0.75 times or more and 1.50 times or less of x2. Region from the surface of the 1st n-type layer 4A on the p-type light absorption layer 3 side to the position of 0.50d 4A toward the 2n-type layer 4B side to the position of 0.75d 4A toward the 2n-type layer 4B side.
  • the elemental ratio of M1 in A0.50 to 0.75 is preferably 0.30 times or more and 1.50 times or less of x2. Region from the surface of the 1st n-type layer 4A on the p-type light absorption layer 3 side to the position of 0.75d 4A toward the 2n-type layer 4B side to the position of 1.00d 4A toward the 2n-type layer 4B side.
  • the elemental ratio of M1 in A0.75-1 is preferably 0.10 times or more and 0.90 times or less of x2. Further, when the composition changes, the composition change of the elements contained in the n-type layer 4 is preferably unidirectional in consideration of the continuity of the connection at the lower end of the conduction band.
  • the elemental ratio of M1 in the region d A0-0.25 is preferably equal to or higher than the elemental ratio of M1 in the region d A0.25-0.50 .
  • the elemental ratio of M1 in the region d A0.25-0.50 is preferably equal to or higher than the elemental ratio of M1 in the region dA0.50-0.75 .
  • the elemental ratio of M1 in the region d A0.50-0.75 is preferably equal to or higher than the elemental ratio of M1 in the region d A0.75-1 .
  • the elemental ratio of M1 in the region d A0.75-1.0 is preferably half or less of the elemental ratio of M1 in the region 0 d A0-0.25 .
  • x2 / (x1 + x2) in the region d A0-0.25 and x2 / (x1 + x2) in the region d A0.25-0.50 are 0.10 or more and 0. 40 or less is more preferable, and 0.10 or more and 0.35 or less is more preferable.
  • the rate of change is smaller than the rate of change in the composition of the element of M1.
  • the Ga ratio in A0-0.25 is 0.75 times (x1 (the average value of the 1st n-type layer 4A) 0.75 times (the same applies hereinafter)) or 0.98 times (x1 (the 1n-type layer)) of x1. It is preferably 0.98 times (the same applies hereinafter)) or less than the average value of 4A). Region from the surface of the 1st n-type layer 4A on the p-type light absorption layer 3 side to the position of 0.25d 4A toward the 2n-type layer 4B side to the position of 0.50d 4A toward the 2n-type layer 4B side. d
  • the elemental ratio of Ga in A0.25-0.50 is preferably 0.80 times or more and 1.10 times or less of x1.
  • the elemental ratio of Ga in A0.50 to 0.75 is preferably 0.90 times or more and 1.20 times or less of x1. Region from the surface of the 1st n-type layer 4A on the p-type light absorption layer 3 side to the position of 0.75d 4A toward the 2n-type layer 4B side to the position of 1.00d 4A toward the 2n-type layer 4B side.
  • the elemental ratio of Ga in A0.75-1 is preferably 1.02 times or more and 1.25 times or less of x1. Further, when the composition changes, the composition change of the elements contained in the n-type layer 4 is preferably unidirectional in consideration of the continuity of the connection at the lower end of the conduction band.
  • the elemental ratio of Ga in the region d A0-0.25 is preferably equal to or less than the elemental ratio of Ga in the region d A0.25-0.50 .
  • the elemental ratio of Ga in the region d A0.25-0.50 is preferably less than or equal to the elemental ratio of Ga in the region dA0.50-0.75 .
  • the elemental ratio of Ga in the region d A0.50-0.75 is preferably equal to or less than the elemental ratio of Ga in the region d A0.75-1 .
  • the first n-type layer 4A is preferably formed by, for example, sputtering or ALD (Atomic Layer Deposition).
  • the second n-type layer 4B is located between the first n-type layer 4A and the n electrode 5.
  • the surface of the 2n-type layer 4B on the 1n-type layer 4A side is in direct contact with the 1n-type layer 4A.
  • the second n-type layer 4B is an oxide semiconductor layer containing Ga, and preferably contains a compound based on Ga.
  • the interface between the first n-type layer 4A and the second n-type layer 4B may be clear or unclear.
  • a Ga-based oxide may be mixed with another oxide
  • a Ga-based oxide may be doped with another element, or the other element may be doped.
  • the Ga-based oxide doped with may be mixed with other oxides.
  • An intermediate layer (not shown) can be provided between the second n-type layer 4B and the n electrode 5.
  • the second n-type layer 4B is a layer mainly composed of a compound represented by Gay1 M1 y2 M2 y3 M3 y4 Oy5 (50 wt% or more), M1 is Al or / and B, and M2 is In. It is preferably one or more selected from the group consisting of Ti, Zn, Hf and Zr, and M3 is preferably one or more selected from the group consisting of Sn, Si and Ge.
  • y1 and y5 are numerical values larger than 0. y2, y3 and y4 are numerical values of 0 or more. When the sum of y1, y2, y3 and y4 is 2, y5 is preferably 3.0 or more and 3.8 or less.
  • (x2 + x3) is preferably larger than (y2 + y3).
  • (y2 + y3) is preferably 0.8 times or less of (x2 + x3), more preferably 0.5 times or less of (x2 + x3), and even more preferably 0.3 times or less of (x2 + x3).
  • the second n-type layer 4B is a compound represented by Gay1 M1 y2 M2 y3 M3 y4 Oy5 . More preferably, 95 wt% or more of the second n-type layer 4B is a compound represented by Gay1 M1 y2 M2 y3 M3 y4 Oy5 . It is even more preferable that 98 wt% or more of the second n-type layer 4B is a compound represented by Gay1 M1 y2 M2 y3 M3 y4 Oy5 . It is more preferable that the second n-type layer 4B is composed of a compound represented by Ga y1 M1 y2 M2 y3 M3 y4 O y5 .
  • the lower end of the conduction band of the second n-type layer 4B is adjusted mainly by the elements of Ga and M1.
  • the conduction band of the second n-type layer 4A is increased by making the element ratio of M1 of the second n-type layer 2B smaller than that of the first n-type layer 4A and increasing the ratio of Ga (y1 is larger than x1 and y2 is smaller than x2).
  • the lower end is lower than the first n-type layer 4A. Then, the continuity of the connection at the lower end of the conduction band between the first n-type layer 4A and the n electrode 5 is improved.
  • (y1 + y2) / (y1 + y2 + y3 + y4) is preferably 0.65 or more and 1.00 or less. From the same viewpoint, in the second n-type layer 4B, (y1 + y2) / (y1 + y2 + y3 + y4) is preferably 0.80 or more and 1.00 or less, and more preferably 0.90 or more and 1.00 or less.
  • the second n-type layer 4B is a layer having a lower conduction band lower end than the first n-type layer 4A, and the conduction band lower end of the second n-type layer 4B is between the first n-type layer 4A and the n electrode 5.
  • the second n-type layer 4B By using the second n-type layer 4B, the lower ends of the conduction band are continuously connected from the p-type light absorption layer 3 to the n electrode 5, FF and Voc are improved, which contributes to the improvement of conversion efficiency.
  • y2 is a numerical value larger than 0, it is preferable that the second n-type layer 4B also has the element of M1 common to the first n-type layer 4A.
  • Al is contained in the 1n type layer 4A, it is preferable that Al is contained in the 2n type layer 4B rather than not containing Al. Since y1 is larger than x1 and y2 is smaller than x2, the lower end of the conductor of the second n-type layer 4B is lower than the lower end of the conduction band of the first n-type layer 4A, and the continuity of the connection of the lower ends of the conduction band. Is improved. From the same viewpoint, y2 / (y1 + y2) is preferably 0.00 or more and 0.30 or less, and more preferably 0.00 or more and 0.20 or less.
  • y2 is preferably 90% or less of x2, y2 is more preferably 80% or less of x2, and y2 is more preferably 70% or less of x2.
  • the numerical value of y3 is preferably a suitable numerical value of x3 and x4 of the first embodiment. Therefore, y3 / (y1 + y2 + y3 + y4) is more preferably 0.00 or more and 0.10 or less, and more preferably 0.00 or more and 0.05 or less.
  • y4 / (y1 + y2 + y3 + y4) is 0.00 or more and 0.15 or less.
  • the carrier concentration of the second n-type layer 4B is preferably higher, and the carrier concentration of the second n-type layer 4B is preferably higher than that of the first n-type layer 4A (y4 is larger than x4). )preferable. Therefore, y4 / (y1 + y2 + y3 + y4) is more preferably 0.01 or more and 0.15 or less, and even more preferably 0.05 or more and 0.15 or less.
  • the sum of the film thickness of the 1n type layer 4A and the film thickness of the 2n type layer 4B is typically 3 nm or more and 100 nm or less. If the sum of the film thickness of the 1n-type layer 4A and the film thickness of the 2n-type layer 4B is less than 3 nm, a leak current is generated when the coverage of the 1n-type layer 4A and the 2n-type layer 4B is poor, and the characteristics are deteriorated. It may be lowered. When the coverage is good, the film thickness is not limited to the above.
  • the sum of the film thickness of the 1n-type layer 4A and the film thickness of the 2n-type layer 4B exceeds 50 nm, the characteristics of the n-type layer including the 1n-type layer 4A and the 2n-type layer 4B deteriorate due to excessively high resistance. In addition, a decrease in short-circuit current may occur due to a decrease in transmittance. Therefore, the sum of the film thickness of the 1n-type layer 4A and the film thickness of the 2n-type layer 4B is more preferably 3 nm or more and 30 nm or less, and even more preferably 5 nm or more and 30 nm or less.
  • the composition ratio of one or more elements selected from the group consisting of Ga, M1 element, M2 element, and M3 element may change in the film thickness direction of the second n-type layer 4B in the second n-type layer 4B. ..
  • the element of M3 is preferably less on the p-type light absorption layer 3 side and more on the second n-type layer 4B side. It is preferable that the element of M1 is large on the p-type light absorption layer 3 side and small on the second n-type layer 4B side.
  • the composition change is preferably a combination of sloping, stepped or sloping changes and stepped changes. Further, the change in composition is wholly or partially in the stacking direction of each layer of the solar cell 100.
  • the carrier concentration, the lower end of the conduction band, and the refractive index can be adjusted from the p-type light absorption layer 3 side to the n electrode 5 side, which contributes to the improvement of conversion efficiency. be able to.
  • the region d B0-0 from the surface of the second n-type layer 4B on the first n-type layer 4A side to the position of 0.25 d 4B toward the n electrode 5 side.
  • the element ratio of M1 in .25 is 1.10 times (y2 (the average value of the second n-type layer 4B) 1.10 times (the same applies hereinafter)) or more and 4.00 times (y2 (the second n-type layer 4B)) of y2. It is preferable that it is 4.00 times (the same applies hereinafter)) or less.
  • the element ratio of M1 at 0.50 is preferably 0.00 times or more and 1.50 times or less of y2.
  • the element ratio of M1 at 0.75 is preferably 0.00 times or more and 1.25 times or less of y2.
  • the element ratio of M1 in 1 is preferably 0.00 times or more and 0.90 times or less of y2.
  • the composition change of the elements contained in the n-type layer 4 is preferably unidirectional in consideration of the continuity of the connection at the lower end of the conduction band.
  • the elemental ratio of M1 in the region d B0-0.25 is preferably equal to or higher than the elemental ratio of M1 in the region d B0.25-0.50 .
  • the elemental ratio of M1 in the region d B0.25-0.50 is preferably equal to or higher than the elemental ratio of M1 in the region dB0.50-0.75 .
  • the elemental ratio of M1 in the region d B0.50 to 0.75 is preferably equal to or higher than the elemental ratio of M1 in the region d B0.75-1 .
  • the elemental ratio of M1 in the region d B0.75-1.00 is preferably less than half of the elemental ratio of M1 in the region dB0-0.25 .
  • the region d B0-0 from the surface of the second n-type layer 4B on the first n-type layer 4A side to the position of 0.25 d 4B toward the n electrode 5 side.
  • the element ratio of M3 in .25 is 0.00 times y4 (0.00 times y4 (average value of the second n-type layer 4B) (same below)) or 0.75 times (y4 (second n-type layer 4B)). It is preferable that it is 0.75 times (the same applies hereinafter)) or less.
  • the element ratio of M3 at 0.50 is preferably 0.30 times or more and 1.50 times or less of y4. Region from the surface of the 2nd n-type layer 4B on the 1st n-type layer side to the position of 0.50d 4B toward the n-electrode 5 side to the position of 0.75d 4B toward the n-electrode 5 side d B0.50-0
  • the element ratio of M3 in .75 is preferably 0.75 times or more and 2.00 times or less of y4.
  • Region d B0.75-1 from the surface of the 2nd n-type layer 4B on the 1st n-type layer side to the position of 0.75d 4B toward the n-electrode 5 side to the position of 1.00d 4B toward the n-electrode 5 side.
  • the element ratio of M3 in the above is preferably 1.10 times or more and 3.00 times or less of y4.
  • the composition change of the elements contained in the n-type layer 4 is preferably unidirectional in consideration of the continuity of the connection at the lower end of the conduction band.
  • the elemental ratio of M3 in the region d B0-0.25 is preferably equal to or less than the elemental ratio of M3 in the region d B0.25-0.50 .
  • the elemental ratio of M3 in the region d B0.25 to 0.50 is preferably equal to or less than the elemental ratio of M3 in the region d B0.50 to 0.75.
  • the elemental ratio of M3 in the region d B0.50 to 0.75 is preferably equal to or less than the elemental ratio of M3 in the region d B0.75-1 .
  • the elemental ratio of M3 in the region d B0-0.25 is preferably half or less of the elemental ratio of M3 in the region d B0.75-1.00 .
  • the n electrode 5 is an electrode on the side of the first n-type layer 4A that has light transmission with respect to visible light.
  • the first n-type layer 4A is sandwiched between the n-electrode 5 and the p-type light absorption layer 3.
  • An intermediate layer (not shown) can be provided between the first n-type layer 4A and the n electrode 5.
  • This intermediate layer can include mesh or line shaped electrodes. It is preferable to use an oxide transparent conductive film for the n electrode 5.
  • the oxide transparent conductive film used in the n electrode 5 includes indium tin oxide, aluminum-doped zinc oxide, boron-doped zinc oxide, gallium-doped zinc oxide, indium-doped zinc oxide, titanium-doped indium oxide, indium gallium oxide zinc oxide, and hydrogen-doped oxidation. It is preferably one or more transparent conductive films selected from the group consisting of indium.
  • Graphene can also be used for the n electrode 5. Graphene is preferably laminated with silver nanowires.
  • the thickness of the n electrode 5 is determined by cross-sectional observation with an electron microscope or a step meter, and is not particularly limited, but is typically 1 nm or more and 2 ⁇ m or less.
  • the n electrode 5 is formed into a film by, for example, sputtering.
  • the second embodiment relates to a solar cell.
  • FIG. 3 shows a conceptual cross-sectional view of the solar cell 101 of the second embodiment.
  • the solar cell 101 of the second embodiment is different from the solar cell 100 of the first embodiment in that the n-type layer 4 has a first region 4a and a second region 4b.
  • the description common to the first embodiment and the second embodiment will be omitted.
  • the first region 4a is located on the p-type light absorption layer 3 side of the third n-type layer 4A. Further, the second region 4b is located on the n electrode 5 side of the first n-type layer 4A.
  • the composition is clearly different between the p-type light absorption layer 3 side and the n electrode 5 side, but the interface between the first region 4a and the second region 4b is not confirmed. From the surface of the 1n type layer 4A on the p-type light absorption layer 3 side toward the n electrode 5 side, up to half the thickness of the 1n type layer 4A is defined as the first region 4a.
  • the second region 4b is formed from the surface of the first n-type layer 4A on the n-electrode 5 side to half the thickness of the first n-type layer 4A toward the p-type light absorption layer 3 side.
  • the analysis is performed by analyzing the analysis spots distributed at equal intervals as much as possible at each distance from the surface of the n-type layer as shown in the analysis spots of FIG. 2, for example, by SIMS. Desired.
  • the relationship between the first region 4a and the second region 4b of the second embodiment and the relationship between the first n-type layer 4A and the second n-type layer 4B of the second embodiment correspond to the composition ratio of the elements. Therefore, the inclined composition change and the like described in the first embodiment are the same in the solar cell 101 and the like in the second embodiment.
  • the solar cell 101 of the second embodiment has excellent connection continuity at the lower end of the conduction band, and Jsc, Voc and FF are improved, which contributes to the improvement of conversion efficiency.
  • the third embodiment relates to a solar cell.
  • FIG. 4 shows a conceptual cross-sectional view of the solar cell 102 of the third embodiment.
  • the solar cell 102 of the third embodiment is different from the solar cell 101 of the second embodiment in that it has an n-type layer 4 in which the first n-type layer 4A, the second n-type layer 4B, and the third n-type layer 4C3 are laminated. be.
  • the description common to the first to third embodiments and the fourth embodiment will be omitted.
  • the third n-type layer 4C is located between the second n-type layer 4C and the n electrode 5.
  • the surface of the 3n type layer 4C on the 2n type layer 4B side is in direct contact with the 2n type layer 4B.
  • the third n-type layer 4C is an oxide semiconductor layer containing Ga and / and Zn, and preferably contains a compound based on Ga and / and Zn.
  • the interface between the 2n-type layer 4B and the 3n-type layer 4C may be clear or unclear.
  • another oxide may be mixed with the oxide based on Ga, or the oxide based on Ga and / / Zn may be doped with other elements.
  • Ga and / and Zn-based oxides doped with other elements may be mixed with other oxides.
  • An intermediate layer (not shown) can be provided between the third n-type layer 4C and the n electrode 5.
  • the third n-type layer 4C is a layer mainly composed of a compound represented by Ga z1 Zn z2 Sn z3 M4 z4 O z5 (50 wt% or more), and M4 is Hf, Zr, In, Ti, Al, B, One or more selected from the group consisting of Mg, Si and Ge is preferable.
  • z1, z2 and z4 are numerical values of 0 or more.
  • z3 is a numerical value of 0 or more.
  • z5 is preferably 2.2 or more and 3.6 or less.
  • Ga or / and Zn-based oxide mixed with other oxides Ga or / and Zn-based oxides doped with other elements, and other element-doped Ga Or / and Zn are represented by Gaz1 Zn z2 Sn z3 M4 z4 Oz5 in any form in which the base oxide and other oxides are mixed.
  • the third n-type layer 4C is a compound represented by Gaz1 Zn z2 Sn z3 M4 z4 O z5 . It is more preferable that 95 wt% or more of the third n-type layer 4C is a compound represented by Gaz1 Zn z2 Sn z3 M4 z4 O z5 . It is even more preferable that 98 wt% or more of the third n-type layer 4C is a compound represented by Gaz1 Zn z2 Sn z3 M4 z4 O z5 . It is more preferable that the third n-type layer 4C is composed of a compound represented by Ga z1 Zn z2 Sn z3 M4 z4 O z5 .
  • the third n-type layer 4C is adjusted mainly by Ga, Zn and Sn so that the difference between the lower ends of the conduction band and the second n-type layer 4B and the n electrode 5 is small. Since the lower end of the conduction band of ZnO and SnO 2 is lower than the lower end of the conduction band of Ga 2 O 3 , the third n-type layer 4C should make the difference between the lower end of the conduction band and the n electrode 5 smaller than that of Ga 2 O 3 . Can be done.
  • the lower end of the conduction band of the third n-type layer 4C is lower than that of the first n-type layer 4A. Then, the continuity of the connection at the lower end of the conduction band between the first n-type layer 4A and the n electrode 5 is improved.
  • (z1 + z2) / (z1 + z2 + z3 + z4) is preferably 0.60 or more and 0.98 or less.
  • (z1 + z2) / (z1 + z2 + z3 + z4) is preferably 0.65 or more and 0.95 or less, and more preferably 0.70 or more and 0.90 or less.
  • the third n-type layer 4C is located closest to the n-electrode 5 in the n-type layer, and preferably the third n-type layer 4C is in direct contact with the n-electrode 5.
  • the composition ratio thereof is preferably lower than the respective concentrations of Zn and Sn in the third n-type layer 4C.
  • the 3n type layer 4C contains Sn.
  • Sn is contained in the third n-type layer 4C, it is preferable that the continuity of the connection at the lower end of the conduction band is improved and the carrier concentration is increased. Therefore, z3 / (z1 + z2 + z3 + z4) is preferably 0.10 or more and 0.50 or less, and more preferably 0.15 or more and 0.30 or less.
  • the element of M4 may or may not be contained in the 3n type layer 4C.
  • the composition ratio thereof is preferably low. Therefore, z4 / (z1 + z2 + z3 + z4) is preferably 0.00 or more and 0.05 or less. It is preferable that the element of M4 is common to the element contained in the second n-type layer 4B or the n electrode 5.
  • the elements of Ga, Zn, Sn and M4 are a combination of a stepped change and a stepped shape from the p-type light absorption layer 3 side toward the n electrode 5. It may change as it is. For example, it is preferable that Sn is abundant on the n electrode 5 side and Ga and Zn are abundant on the second n-type layer 4B side.
  • the sum of the film thickness of the 1n type layer 4A, the film thickness of the 2n type layer 4B, and the film thickness of the 3n type layer 4C is typically 3 nm or more and 100 nm or less.
  • the film thickness of the 1n type layer 4A, the film thickness of the 2n type layer 4B and the film thickness of the 3n type layer 4C is less than 3 nm, the film thickness of the 1n type layer 4A and the film thickness of the 2n type layer 4B If the coverage of the sum of the thickness and the film thickness of the 3n type layer 4C is poor, a leakage current may occur and the characteristics may be deteriorated.
  • the film thickness is not limited to the above.
  • the n-type layer from the first n-type layer 4A to the third n-type layer 4C is formed.
  • the characteristics may deteriorate due to excessively high resistance, and the short-circuit current may decrease due to a decrease in transmittance.
  • the sum of the film thickness of the 1n-type layer 4A, the film thickness of the 2n-type layer 4B, and the film thickness of the 3n-type layer 4C is more preferably 3 nm or more and 30 nm or less, and even more preferably 5 nm or more and 30 nm or less.
  • the continuity of the connection between the n-type layer 4 and the n-electrode 5 at the lower end of the conduction band is further improved.
  • the solar cell 102 of the third embodiment also contributes to the improvement of conversion efficiency by improving Jsc, Voc and FF.
  • FIG. 5 shows a conceptual cross-sectional view of the solar cell 103 of the fourth embodiment.
  • the solar cell 103 of the fourth embodiment is different from the solar cell 102 of the third embodiment in that the n-type layer 4 has the first region 4a, the second region 4b, and the third region 4c.
  • the description common to the first to third embodiments and the fourth embodiment will be omitted.
  • the third region 4c of the fourth embodiment corresponds to the third n-type layer 4C of the third embodiment.
  • the third region 4c is located on the n-type layer 5 side of the third n-type layer 4A. Further, the second region 4b is located between the third region 4c and the first region 4a.
  • the composition is clearly different between the p-type light absorption layer 3 side and the n electrode 5 side, but the interface between the first region 4a and the second region 4b, the second region 4b, and the second region 4b. The interface of 3 regions 4c is not confirmed.
  • the first region 4a is from the surface of the 1n-type layer 4A on the p-type light absorption layer 3 side to 0.33d toward the n electrode 5 side.
  • the third region 4c the area from the surface of the 1st n-type layer 4A on the n-electrode 5 side to 0.33d toward the p-type light absorption layer 3 side is defined as the third region 4c.
  • the area between the first region 4a and the third region 4c is referred to as the second region 4b.
  • the composition of the compound in the first region 4a is the average composition of the entire first region 4a unless otherwise specified.
  • the composition of the first region 4a is 0.10d, 0.20d, 0.30d from the surface of the first n-type layer 4A on the p-type light absorption layer 3 side, where d is the thickness of the first n-type layer 4A. It is the average value of the composition at the depth.
  • the thickness of the 1n type layer 4A is very thin (10 nm or less)
  • the composition at a depth of 0.20 d from the surface of the 1n type layer 4A is regarded as the average composition of the entire first region 4a.
  • the composition of the second region 4b is 0.40d, 0.50d, 0.60d from the surface of the first n-type layer 4A on the p-type light absorption layer 3 side, where d is the thickness of the first n-type layer 4A. It is the average value of the composition at the depth.
  • the thickness of the 1n type layer 4A is very thin (10 nm or less)
  • the composition at a depth of 0.50d from the surface of the 1n type layer 4A is regarded as the average composition of the entire second region 4b.
  • the composition of the third region 4c is 0.70d, 0.80d, 0.90d from the surface of the first n-type layer 4A on the p-type light absorption layer 3 side, where d is the thickness of the first n-type layer 4A. It is the average value of the composition at the depth.
  • the thickness of the 1n type layer 4A is very thin (10 nm or less)
  • the composition at a depth of 0.80d from the surface of the 1n type layer 4A is regarded as the average composition of the entire third region 4c.
  • the composition of the first region 4a, the second region 4b, and the third region 4c corresponds to each of the first n-type layer 4A, the second n-type layer 4B, and the third n-type layer 4C of the third embodiment.
  • the solar cell 103 of the fourth embodiment has excellent connection continuity at the lower end of the conduction band, and Jsc, Voc and FF are improved, which contributes to the improvement of conversion efficiency.
  • FIG. 6 shows a conceptual cross-sectional view of the multi-junction solar cell of the fifth embodiment.
  • the multi-junction solar cell 200 of FIG. 6 has the solar cell (first solar cell) 100 of the first embodiment and the second solar cell 201 on the light incident side.
  • the bandgap of the light absorption layer of the second solar cell 201 has a bandgap smaller than that of the p-type light absorption layer 3 of the solar cell 100 of the first embodiment.
  • the multi-junction type solar cell of the embodiment also includes a solar cell in which three or more solar cells are joined.
  • the solar cells 101-103 of the second to fourth embodiments may be used instead of the solar cell 100 of the first embodiment.
  • the band gap of the p-type light absorption layer 3 of the first solar cell 100 of the first embodiment is about 2.0 eV-2.2 eV
  • the band gap of the light absorption layer of the second solar cell 200 is 1.0 eV. It is preferably 1.6 eV or less.
  • the light absorption layer of the second solar cell is selected from the group consisting of one or more compound semiconductor layers selected from the group consisting of CIGS type, CuZnSnSSe type and CdTe type having a high In content ratio, crystalline silicon and perovskite type compounds. It is preferable that it is one kind.
  • FIG. 7 shows a perspective view of the solar cell module 300 of the fifth embodiment.
  • the solar cell module 300 of FIG. 7 is a solar cell module in which a first solar cell module 301 and a second solar cell module 302 are laminated.
  • the first solar cell module 301 is on the light incident side, and the solar cell 100 of the first embodiment is used. It is preferable to use the second solar cell 201 for the second solar cell module 302.
  • the solar cells 101-103 of the second to fourth embodiments can also be used.
  • FIG. 8 shows a cross-sectional view of the solar cell module 300.
  • FIG. 8 shows the structure of the first solar cell module 301 in detail, and does not show the structure of the second solar cell module 302.
  • the structure of the solar cell module is appropriately selected according to the light absorption layer of the solar cell to be used and the like.
  • the solar cell module of FIG. 8 includes a plurality of sub-modules 303 surrounded by a broken line in which a plurality of solar cells 100 (solar cell) are arranged side by side and electrically connected in series by wiring 304, and a plurality of subs are included. Modules 303 are electrically connected in parallel or in series. Adjacent submodules 303 are electrically connected by a bus bar 305.
  • the n electrode 5 on the upper side and the p electrode 2 on the lower side are connected by wiring 304.
  • the solar cell 100 of the sixth embodiment also has a substrate 1, a p electrode 2, a p-type light absorption layer 3, an n-type layer 4, and an n-electrode 5. Both ends of the solar cell 100 in the submodule 303 are connected to the bus bar 305, and the bus bar 305 electrically connects a plurality of submodules 303 in parallel or in series to adjust the output voltage with the second solar cell module 302. It is preferable that it is configured as such.
  • the connection form of the solar cell 100 shown in the sixth embodiment is an example, and the solar cell module can be configured by another connection form.
  • a seventh embodiment relates to a photovoltaic power generation system.
  • the solar cell module of the seventh embodiment can be used as a generator for generating power in the solar power generation system of the eighth embodiment.
  • the solar power generation system of the embodiment uses a solar cell module to generate electricity. Specifically, the solar cell module that generates electricity, the means for converting the generated electricity into electric power, and the generated electricity are used. It has a storage means for storing electricity or a load for consuming the generated electricity.
  • FIG. 9 shows a configuration diagram of the solar power generation system 400 of the embodiment.
  • the photovoltaic power generation system of FIG. 9 has a solar cell module 401 (300), a converter 402, a storage battery 403, and a load 404.
  • the storage battery 403 or the load 404 may be omitted.
  • the load 404 may be configured so that the electric energy stored in the storage battery 403 can be used.
  • the converter 402 is a device including a circuit or element that performs power conversion such as transformation or DC / AC conversion, such as a DC-DC converter, a DC-AC converter, and an AC-AC converter. As the configuration of the converter 402, a suitable configuration may be adopted according to the power generation voltage, the configuration of the storage battery 403 and the load 404.
  • the solar cell included in the received submodule 301 included in the solar cell module 300 generates electricity, and the electric energy is converted by the converter 402 and stored in the storage battery 403 or consumed by the load 404.
  • the solar cell module 401 is provided with a solar tracking drive device for always directing the solar cell module 401 toward the sun, a condenser for condensing sunlight, a device for improving power generation efficiency, and the like. It is preferable to add it.
  • the photovoltaic power generation system 400 is used for real estate such as residences, commercial facilities and factories, and is used for movables such as vehicles, aircraft and electronic devices. It is expected that the amount of power generation will be increased by using the solar cell having excellent conversion efficiency of the embodiment for the solar cell module.
  • FIG. 10 shows a conceptual diagram of the vehicle 500.
  • the vehicle 500 of FIG. 10 has a vehicle body 501, a solar cell module 502, a power conversion device 503, a storage battery 504, a motor 505, and a tire (wheel) 506.
  • the electric power generated by the solar cell module 501 provided on the upper part of the vehicle body 501 is converted by the power conversion device 503 and charged by the storage battery 504, or the electric power is consumed by the load of the motor 505 or the like.
  • the vehicle 500 can be moved by rotating the tire (wheel) 506 by the motor 505 using the electric power supplied from the solar cell module 501 or the storage battery 504.
  • the solar cell module 501 may be composed of only the first solar cell module provided with the solar cell 100 or the like of the first embodiment, instead of the multi-junction type.
  • the transparent solar cell module 502 it is also preferable to use the solar cell module 502 as a window for generating power on the side surface of the vehicle body 501 in addition to the upper portion of the vehicle body 501.
  • the present invention will be described in more detail based on Examples, but the present invention is not limited to the following Examples.
  • a Cu 2 O light absorption layer is formed on a transparent p-electrode by heating at 500 ° C. by a sputtering method in an atmosphere of oxygen and argon gas. Then, by the ALD method, Ga 1.70 Al 0.30 O 3.00 with no composition gradient was deposited as the first n-type layer at 10 nm, and Ga 1.90 Al 0.10 without composition gradient was deposited as the second n-type layer.
  • the AZO transparent conductive film is deposited with O 3.00 as the n electrode on the 10 nm deposition surface side. Then, a solar cell is obtained by forming an MgF 2 film as an antireflection film. The obtained solar cell is evaluated for short-circuit current (Jsc), open circuit voltage (Voc), fill factor (FF), conversion efficiency and translucency.
  • the oxygen composition ratio of the n-type layer is obtained from the type and composition ratio of the metal of the metal oxide.
  • the transmittance of a solar cell is the average transmittance when a wavelength of 700-1200 nm is measured with a spectrophotometer.
  • Example 2-26 comparative example
  • the table for the examples of FIG. 11 shows the conditions of the n-type layer of the examples and the comparative examples.
  • two or three n-type layers are used.
  • the thickness of each n-type layer (each region) is 6 nm.
  • the layer includes a first region and a second region. An interface exists between the second region and the third n-type layer of Example 26.
  • the composition of the n-type layer is changed in the film thickness direction (the direction in which the p-type light absorption layer and the n-type layer are laminated).
  • the table for the examples in FIG. 12 shows the composition changes of each example.
  • the table of FIG. 12 shows the elements whose composition is being changed and the modes of the composition change.
  • 13 and 14 show graphs of the mode of composition change.
  • the horizontal axis of FIGS. 13 and 14 represents the depth of the n-type layer from the p-type light absorption layer side to the n-electrode side, and the vertical axis represents the composition ratio.
  • the element having the highest composition ratio in each layer or region changes so as to compensate for the composition change of the target element. For example, if Al increases by 0.1, Ga decreases by 0.1.
  • Example 17 the composition of the first n-type layer is changed in the composition change mode in which Al is A, the composition of the second n-type layer is changed in the composition change mode of Al in A, and the composition of Sn is in the composition change mode of J. Changes.
  • Example 18 the composition of the first n-type layer changes in the composition change mode in which Al is B, and the composition of the second n-type layer changes in the composition change mode in which Al is B.
  • the composition is changed stepwise so as to be 20.
  • the composition of Al in the 1st n-type layer is 0.40 (d 0 ), 0.33 (d 0.25 ), 0.27 (d 0.50 ), 0.20 (d 0.50) from the surface on the p-type light absorption layer side.
  • the composition is changed stepwise so as to be 00: 0.05.
  • the composition of Al in the 2nd type layer is 0.20 (d 0 ), 0.13 (d 0.25 ), 0.07 (d 0.50 ), 0.00 (d) from the surface on the 1st type layer side.
  • the target ratio is adjusted to 0.75 ) and 0.00 (d 1 ).
  • Example 19 the composition changes in the composition change mode in which Al is C in the first n-type layer, and the composition changes in the composition change mode in which Al is C in the second n-type layer.
  • the composition is changed so as to be 30.
  • the composition is changed so as to be 0.05: 0.05.
  • Example 20 the composition changes in the composition change mode in which Al is D in the first n-type layer, and the composition changes in the composition change mode in which Al is D in the second n-type layer.
  • Example 21 the composition changes in the composition change mode in which Al is F in the first n-type layer, and changes in the composition change mode in which Al is F in the second n-type layer.
  • Example 22 the composition of the first n-type layer changes in the composition change mode in which Al is A, and the composition of the second n-type layer changes in the composition change mode in which Al is A.
  • the composition is changed in an inclined manner so as to be 45.
  • the composition is changed so as to be 0.05: 0.05.
  • Example 23 the composition of the first n-type layer was changed in the composition change mode in which Al was A, the composition was changed in the composition change mode in which Hf was C, and the composition was changed in the composition change mode in which Sn was I.
  • the composition changes in the composition change mode in which Al is A, and the composition changes in the composition change mode in which Sn is G.
  • the composition is changed so as to be 0.05: 0.08.
  • Example 24 in the first n-type layer, the composition was changed in the composition change mode in which Al was A, the composition was changed in the composition change mode in which Hf was E, and the composition was changed in the composition change mode in which Sn was J.
  • the composition changes in the composition change mode in which Al is A, and the composition changes in the composition change mode in which Sn is H.
  • the composition of the 3n type layer is changed in the composition change mode in which Sn is H.
  • the composition is changed so as to be: 0.20: 0.00: 0.02.
  • the composition is changed so as to be 87: 0.05: 0.08.
  • the composition changes in the composition change mode in which Al is A in the first region and the second region.
  • a solar simulator simulating a light source of AM1.5G adjust the amount of light so that it becomes 1 sun using a reference Si cell under the light source.
  • the measurement is performed under atmospheric pressure, and the temperature in the measurement room is 25 ° C. Sweep the voltage and measure the current density (current divided by cell area).
  • the horizontal axis is voltage and the vertical axis is current density
  • the point where the horizontal axis intersects is the open circuit voltage Voc
  • the point where the vertical axis intersects is the short circuit current density Jsc.
  • Jsc short-circuit current
  • Voc open circuit voltage
  • FF fill factor
  • the translucency is evaluated as A when the light transmittance in the wavelength band of 700 nm or more and 1200 nm or less is 75% or more, and the light transmittance in the wavelength band of 700 nm or more and 1200 nm or less is 70% or more and 75%. If it is less than, it is evaluated as B, and if the light transmittance in the wavelength band of 700 nm or more and 1200 nm or less is less than 70%, it is evaluated as C.
  • Jsc evaluates A when it is 1.1 times or more with respect to the conversion efficiency of Comparative Example 1, and B when it is 1.0 times or more and less than 1.1 times with respect to Jsc of Comparative Example 1. The evaluation is made, and the case where it is less than 1.0 times the Jsc of Comparative Example 1 is evaluated as C.
  • the Voc is evaluated as A when it is 1.3 times or more the conversion efficiency of Comparative Example 1, and B when it is 1.1 times or more and less than 1.3 times the Voc of Comparative Example 1.
  • the evaluation is made, and the case where it is less than 1.1 times with respect to the comparative example 21Voc is evaluated as C.
  • the FF is evaluated as A when it is 1.1 times or more the conversion efficiency of Comparative Example 1, and B when it is 1.0 times or more and less than 1.1 times the FF of Comparative Example 1. The evaluation is made, and the case where it is less than 1.0 times the FF of Comparative Example 1 is evaluated as C.
  • the conversion efficiency is evaluated as A when it is 1.5 times or more the conversion efficiency of Comparative Example 1, and 1.1 times or more and less than 1.5 times the conversion efficiency of Comparative Example 1. It is evaluated as B, and the case where it is less than 1.1 times the conversion efficiency of Comparative Example 1 is evaluated as C.
  • the n-type layer has a multi-layer structure or an inclination whose composition is intentionally controlled.
  • Jsc, Voc, and FF are each improved and the efficiency is greatly improved as compared with the comparative example.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiments as they are, and at the implementation stage, the components can be modified and embodied within a range that does not deviate from the gist thereof.
  • various inventions can be formed by an appropriate combination of the plurality of components disclosed in the above-described embodiment. For example, components over different embodiments may be appropriately combined as in the modified example.
  • Electrode 200 ... Multi-junction solar cell, 201 ... Second solar cell, 300 ... solar cell module, 6 ... board, 301 first solar cell module, 302 ... second solar cell module, 303 ... submodule, 304 ... bus bar, 400 ... Solar power system, 401 ... Solar cell module, 402 ... Converter, 403 ... Storage battery, 404 ... Load 500 ... Vehicle, 501 ... Body, 502 ... Solar cell module, 503 ... Power converter, 504 ... Storage battery, 505 ... Motor, 506 ... Tire (wheel)

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Abstract

本発明が解決しようとする課題は、変換効率に優れた太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システムを提供することである。　実施形態の太陽電池は、ｐ電極（２）と、ｎ電極（５）と、亜酸化銅を主体とするｐ型光吸収層（３）と、第１ｎ型層（４Ａ）及び第２ｎ型層（４Ｂ）を有する又は第１ｎ領域（４ａ）及び第２ｎ領域（４ｂ）を有するｎ型層（４）と、を有し、第１ｎ型層（４Ａ）及び第１ｎ領域（４ａ）は、Ｇａｘ１Ｍ１ｘ２Ｍ２ｘ３Ｍ３ｘ４Ｏｘ５で表される化合物を主体とし、Ｍ１はＡｌ又は／及びＢであり、Ｍ２はＩｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｈｆ及びＺｒからなる群より選ばれる１種以上であり、Ｍ３はＳｎ、Ｓｉ及びＧｅからなる群より選ばれる１種以上であり、ｘ１及びｘ５は０より大きい数値であり、ｘ２、ｘ３及びｘ４は０以上の数値であり、ｘ１、ｘ２、ｘ３及びｘ４の和を２とする場合のｘ５は３．０以上３．８以下であるものであり、第２ｎ型層（４Ｂ）及び第２ｎ領域（４ｂ）は、Ｇａｙ１Ｍ１ｙ２Ｍ２ｙ３Ｍ３ｙ４Ｏｙ５で表される化合物を主体とし、ｙ１とｙ５は０より大きい数値であり、ｙ２、ｙ３及びｙ４は０以上の数値であり、ｙ１、ｙ２、ｙ３及びｙ４の和を２とする場合のｙ５は３．０以上３．８以下であるものである。（ｘ２＋ｘ３）は、（ｙ２＋ｙ３）より大きい。

Description

太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム
　本発明は、太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システムに関する。
　新しい太陽電池の１つに、亜酸化銅（Ｃｕ２Ｏ）を光吸収層に用いた太陽電池がある。Ｃｕ２Ｏはワイドギャップ半導体である。Ｃｕ２Ｏは地球上に豊富に存在する銅と酸素からなる安全かつ安価な材料であるため、高効率かつ低コストな太陽電池が実現できると期待されている。
特開２０１８－４６１９６号公報
　本発明が解決しようとする課題は、変換効率に優れた太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システムを提供する。
　実施形態の太陽電池は、ｐ電極と、ｎ電極と、ｐ電極とｎ電極の間に位置する亜酸化銅を主体とするｐ型光吸収層と、ｐ型光吸収層とｎ電極の間に位置し、Ｇａｘ１Ｍ１ｘ２Ｍ２ｘ３Ｍ３ｘ４Ｏｘ５で表される化合物を主体とする層であって、Ｍ１はＡｌ又は／及びＢであり、Ｍ２はＩｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｈｆ及びＺｒからなる群より選ばれる１種以上であり、Ｍ３はＳｎ、Ｓｉ及びＧｅからなる群より選ばれる１種以上であり、ｘ１及びｘ５は、０より大きい数値であり、ｘ２、ｘ３及びｘ４は０以上の数値であり、ｘ１、ｘ２、ｘ３及びｘ４の和を２とする場合のｘ５は３．０以上３．８以下である第１ｎ型層と、第１ｎ型層とｎ電極の間に位置し、Ｇａｙ１Ｍ１ｙ２Ｍ２ｙ３Ｍ３ｙ４Ｏｙ５で表される化合物を主体とする層であって、ｙ１とｙ５は、０より大きい数値であり、ｙ２、ｙ３及びｙ４は０以上の数値であり、ｙ１、ｙ２、ｙ３及びｙ４の和を２とする場合、ｙ５は３．０以上３．８以下である第２ｎ型層を有するｎ型層、又は、ｐ型光吸収層とｎ電極の間に位置し、Ｇａｘ１Ｍ１ｘ２Ｍ２ｘ３Ｍ３ｘ４Ｏｘ５で表される化合物を主体とし、Ｍ１はＡｌ又は／及びＢであり、Ｍ２はＩｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｈｆ及びＺｒからなる群より選ばれる１種以上であり、Ｍ３はＳｎ、Ｓｉ及びＧｅからなる群より選ばれる１種以上であり、ｘ１及びｘ５は、０より大きい数値であり、ｘ２、ｘ３及びｘ４は０以上の数値であり、ｘ１、ｘ２、ｘ３及びｘ４の和を２とする場合、ｘ５は３．０以上３．８以下である第１ｎ領域と、第１ｎ領域とｎ電極の間に位置し、Ｇａｙ１Ｍ１ｙ２Ｍ２ｙ３Ｍ３ｙ４Ｏｙ５で表される化合物を主体とし、ｙ１とｙ５は、０より大きい数値であり、ｙ２、ｙ３及びｙ４は０以上の数値であり、ｙ１、ｙ２、ｙ３及びｙ４の和を２とする場合、ｙ５は３．０以上３．８以下である第２ｎ領域を有するｎ型層と、を有する。（ｘ２＋ｘ３）は、（ｙ２＋ｙ３）より大きい。
図１は、実施形態の太陽電池の断面図。 図２は、実施形態の太陽電池の分析スポットを説明する図。 図３は、実施形態の太陽電池の断面図。 図４は、実施形態の太陽電池の断面図。 図５は、実施形態の太陽電池の断面図。 図６は、実施形態の多接合型太陽電池の断面図。 図７は、実施形態の太陽電池モジュールの斜視図。 図８は、実施形態の太陽電池モジュールの断面図。 図９は、実施形態の太陽光発電システムの構成図。 図１０は、実施形態の車両の概念図。 図１１は、実施例のｎ型層に関する表。 図１２は、実施例のｎ型層に関する表。 図１３は、実施例の組成変化のモードを示すグラフ。 図１４は、実施例の組成変化のモードを示すグラフ。 図１５は、実施例に関する表。
　以下、図面を参照しながら、本発明の好適な一実施形態について詳細に説明する。なお、特に記載が無い限り、２５℃、１気圧（大気）における値を示している。
（第１実施形態）
　第１実施形態は、太陽電池に関する。図１に、第１実施形態の太陽電池１００の断面図を示す。図１に示すように、本実施形態に係る太陽電池１００は、基板１、第１電極であるｐ電極２と、ｐ型光吸収層３と、ｎ型層４と、第２電極であるｎ電極５を有する。第１実施形態において、ｎ型層４は、第１ｎ型層４Ａと第２ｎ型層４Ｂを含む。ｎ型層４のｎ電極５との間等には、図示しない中間層が含まれていてもよい。太陽光はｎ電極５側、ｐ電極２側いずれから入射しても良いが、ｎ電極５側から入射するのがより好ましい。実施形態の太陽電池１００は、透過型の太陽電池であるため、多接合型太陽電池のトップセル（光入射側）に用いることが好ましい。図１では基板１をｐ電極２のｐ型光吸収層３側とは反対側に設けているが、基板１をｎ電極５のｎ型層４側とは反対側に設けてもよい。以下は、図１に示す形態について説明するが、基板１の位置が異なること以外はｎ電極５側に基板１が設けられた形態も同様である。実施形態の太陽電池１００は、ｎ電極５側からｐ電極２側に向かって光が入射する。
　基板１は、透明な基板である。基板１には、光を透過するアクリル、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）ポリプロピレン（ＰＰ）、フッ素系樹脂（ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、パーフルオロエチレンプロペンコポリマー（ＦＥＰ）、エチレンテトラフルオロエチレンコポリマー（ＥＴＦＥ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、パーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）など）、ポリアリレート、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォンやポリエーテルイミドなどの有機系の基板やソーダライムガラス、白板ガラス、化学強化ガラスや石英などの無機系の基板を用いることができる。基板１は、上記に挙げた基板を積層してもよい。
　ｐ電極２は、基板１上に設けられており、基板１とｐ型光吸収層３との間に配置されている。ｐ電極２は、ｐ型光吸収層３側に設けられた光透過性を有する導電層である。ｐ電極２の厚さは、典型的には、１００ｎｍ以上２，０００ｎｍ以下である。図１では、ｐ電極２は、光吸収層３と直接接している。ｐ電極２は、１層以上の酸化物透明導電膜を含むことが好ましい。酸化物透明導電膜としては、酸化インジウムスズ（Indium Tin Oxide；ＩＴＯ）、アルミニウムドープ酸化亜鉛（Al-doped Zinc Oxide；ＡＺＯ）、ボロンドープ酸化亜鉛（Boron-doped Zinc Oxide；ＢＺＯ）、ガリウムドープ酸化亜鉛（Gallium-doped Zinc Oxide；ＧＺＯ）、ドープされた酸化スズ、チタンドープ酸化インジウム（Titanium-doped Indium Oxide；ＩＴｉＯ）、酸化インジウム酸化亜鉛（Indium Zinc Oxide；ＩＺＯ）や酸化インジウムガリウム亜鉛（Indium Gallium Zinc Oxide；ＩＧＺＯ）、水素ドープ酸化インジウム（Hydrogen-doped Indium Oxide；ＩＯＨ）など特に限定されない。酸化物透明導電膜は、複数の膜を持つ積層膜であってもよい。酸化スズなどの膜へのドーパントとしては、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｆ及びＣｌなどからなる群から選ばれる1種以上であれば特に限定されない。ｐ電極２は、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｆ及びＣｌなどからなる群から選ばれる1種以上の元素がドープされた酸化スズ膜が含まれることが好ましい。ドープされた酸化スズ膜において、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｆ及びＣｌなどからなる群から選ばれる1種以上の元素は、酸化スズ膜に含まれるスズに対して１０原子％以下含まれることが好ましい。ｐ電極２として、酸化物透明導電膜と金属膜を積層した積層膜を用いることができる。金属膜は、厚さが１０ｎｍ以下であることが好ましく、金属膜に含まれる金属（合金を含む）は、Ｍｏ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、ＴａやＷなど特に限定されない。またｐ電極２は、酸化物透明導電膜と基板１の間、又は、酸化物透明導電膜とｐ型光吸収層３の間にドット状、ライン状もしくはメッシュ状の電極（金属、合金、グラフェン、導電性窒化物及び導電性酸化物からなる群より選ばれる１種以上）を含むことが好ましい。ドット状、ライン状もしくはメッシュ状の金属は、透明導電膜に対して開口率が５０％以上であることが好ましい。ドット状、ライン状もしくはメッシュ状の金属は、Ｍｏ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、ＴａやＷなど特に限定されない。第１電極１に金属膜を用いる場合、透過性の観点から５ｎｍ以下程度の膜厚とすることが好ましい。ライン状やメッシュ状の金属膜を用いる場合、透過性は開口部で確保されるため、金属膜の膜厚に関してはこの限りではない。
　ｐ型光吸収層３は、ｐ型の半導体層である。ｐ型光吸収層３は、ｐ電極２と直接的に接していても良いし、ｐ電極２とのコンタクトを確保できる限り、他の層が存在していても良い。ｐ型光吸収層３は、電極２と第１ｎ型層４Ａとの間に配置される。ｐ型光吸収層３は第１ｎ型層４Ａとｐｎ接合を形成する。ｐ型光吸収層３としては、Ｃｕを主成分とする金属の酸化物の半導体層である。Ｃｕを主成分とする金属の酸化物は、亜酸化銅又は／及び亜酸化銅の複合酸化物である。ｐ型光吸収層３の９０ｗｔ％以上は亜酸化銅又は／及び亜酸化銅の複合酸化物であることが好ましい。ｐ型光吸収層３の９５ｗｔ％以上は亜酸化銅又は／及び亜酸化銅の複合酸化物であることがより好ましい。ｐ型光吸収層３の９８ｗｔ％以上は亜酸化銅又は／及び亜酸化銅の複合酸化物であることがさらにより好ましい。ｐ型光吸収層３は、異相であるＣｕ又は／及びＣｕＯをほとんど含まないことが好ましい。ｐ型光吸収層３に含まれる異相が少なく結晶性が良いとｐ型光吸収層３の透光性が高くなるため好ましい。Ｃｕを主成分とする金属の酸化物は、Ｃｕが６０．０ａｔｏｍ％以上６７．０ａｔｏｍ％以下であり、Ｏ（酸素）が３２．５ａｔｏｍ％以上３４．０ａｔｏｍ％以下である。亜酸化銅の複合酸化物には、Ｃｕ以外の金属が含まれる。亜酸化銅の複合酸化物に含まれる金属は、Ｃｕに加えて、Ｓｎ、Ｓｂ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ、Ｒｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｍｇ及びＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属である。Ｃｕ以外にＡｇ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ、Ｒｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｍｇ及びＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属が含まれると、ｐ型光吸収層３のバンドギャップを調整することができる。ｐ型光吸収層３のバンドギャップは、２．０ｅＶ以上２．２ｅＶ以下であることが好ましい。かかる範囲のバンドギャップであると、Ｓｉを光吸収層に用いた太陽電池をボトムセルに用い、実施形態の太陽電池をトップセルに用いた多接合型太陽電池において、トップセル及びボトムセルの両方で太陽光を効率よく利用できる。ｐ型光吸収層３には、ＳｎやＳｂをさらに含んでもよい。ｐ型光吸収層３のＳｎやＳｂは、光吸収層３に添加されたものでもよいし、ｐ電極２に由来するものでもよい。ｐ型光吸収層３は、ＣｕａＭｂＯｃで表される酸化物の層である。Ｍは、Ｓｎ、Ｓｂ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ、Ｒｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｍｇ及びＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属である。ａ、ｂ及びｃは、１．８０≦ａ≦２．０１、０．００≦ｂ≦０．２０及び０．９８≦ｃ≦１．０２を満たすことが好ましい。上記ｐ型光吸収層３の組成比は、ｐ型光吸収層３の全体の組成比である。また、上記のｐ型光吸収層３の化合物組成比は、ｐ型光吸収層３において全体的に満たすことが好ましい。なお、Ｓｎ及びＳｂのｐ型光吸収層３中の濃度が高いと、欠陥が増加して、キャリア再結合が増えてしまう。そこで、ｐ型光吸収層３中のＳｂ及びＳｎの合計体積濃度は、１．５ｘ１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下が好ましい。ｐ型光吸収層３と第１ｎ型層４Ａの組成は、ＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spectrometry）で求められる。分析位置は、ｐ電極２と同じで求められた値の平均値を各層組成とすることができる。
　ｐ型光吸収層３の厚さは、電子顕微鏡による断面観察や、段差計によって求められ、１，０００ｎｍ以上１０，０００ｎｍ以下が好ましい。
　ｐ型光吸収層３は、例えばスパッタなどによって成膜されることが好ましい。
　ｎ型層４は、第１ｎ型層４Ａ及び第２ｎ型層４Ｂを含む。
　第１ｎ型層４Ａは、ｎ型の半導体層である。第１ｎ型層４Ａは、ｐ型光吸収層３と第２ｎ電極４Ｂの間に配置される。第２ｎ型層４Ｂは、第１ｎ型層４Ａとｎ電極５との間に配置される。第１ｎ型層４Ａは、ｐ型光吸収層３のｐ電極２と接した面とは反対側の面と直接接している。第１ｎ型層４ＡはＧａを含む酸化物半導体層であって、Ｇａをベースとする化合物を含むことが好ましい。第１ｎ型層４ＡはＧａをベースとする酸化物に他の酸化物が混合していてもよいし、Ｇａをベースとする酸化物に他の元素がドープしていてもよいし、他の元素がドープしたＧａベースの酸化物と他の酸化物が混合していてもよい。
　第１ｎ型層４Ａは、Ｇａｘ１Ｍ１ｘ２Ｍ２ｘ３Ｍ３ｘ４Ｏｘ５で表される化合物を主体（５０ｗｔ％以上）とする層であって、Ｍ１はＡｌ又は／及びＢであり、Ｍ２はＩｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｈｆ及びＺｒからなる群より選ばれる１種以上であり、Ｍ３はＳｎ、Ｓｉ及びＧｅからなる群より選ばれる１種以上が好ましい。ｘ１、ｘ２及びｘ５は、０より大きい数値である。ｘ３とｘ４は０以上の数値である。ｘ１、ｘ２、ｘ３及びｘ４の和を２とする場合、ｘ５は３．０以上３．８以下であることが好ましい。Ｇａをベースとする酸化物に他の酸化物が混合した形態、Ｇａをベースとする酸化物に他の元素がドープしている形態及び他の元素がドープしたＧａベースの酸化物と他の酸化物が混合した形態のいずれもＧａｘ１Ｍ１ｘ２Ｍ２ｘ３Ｍ３ｘ４Ｏｘ５で表している。
　第１ｎ型層４Ａの９０ｗｔ％以上は、Ｇａｘ１Ｍ１ｘ２Ｍ２ｘ３Ｍ３ｘ４Ｏｘ５で表される化合物であることが好ましい。第１ｎ型層４Ａの９５ｗｔ％以上は、Ｇａｘ１Ｍ１ｘ２Ｍ２ｘ３Ｍ３ｘ４Ｏｘ５で表される化合物であることがより好ましい。第１ｎ型層４Ａの９８ｗｔ％以上は、Ｇａｘ１Ｍ１ｘ２Ｍ２ｘ３Ｍ３ｘ４Ｏｘ５で表される化合物であることがさらにより好ましい。第１ｎ型層４ＡはＧａｘ１Ｍ１ｘ２Ｍ２ｘ３Ｍ３ｘ４Ｏｘ５で表される化合物で構成されていることがより好ましい。
　なお、第１ｎ型層４Ａの化合物の組成は、特に条件を付けなければ第１ｎ型層４Ａ全体の平均組成である。第１ｎ型層４Ａの組成は、第１ｎ型層４Ａの厚さをｄとする場合、ｐ型光吸収層３側の第１ｎ型層４Ａの表面から０．２ｄ、０．５ｄ、０．８ｄの深さにおける組成の平均値である。第１ｎ型層４Ａの化合物の元素組成比が傾斜しているといった条件がある場合を除き各深さにおいて、第１ｎ型層４Ａは、上記及び下記の好適な組成を満たすことが好ましい。なお、第１ｎ型層４Ａが非常に薄い場合（例えば５ｎｍ以下）は、ｐ型光吸収層３側の第１ｎ型層４Ａの表面から０．５ｄの深さにおける組成を第１ｎ型層４Ａの全体の組成とみなすことができる。なお、分析はｎ型層の表面からの各距離において図２の分析スポットに示すような等間隔に可能な限り隔たり無く分布した分析スポットを例えば二次イオン質量分析法（Secondary Ion Mass Spectrometry；ＳＩＭＳ）で分析することで求められる。図２は太陽電池１００を光の入射側から見た模式図である。Ｄ１は第１ｎ型層４Ａの幅方向の長さであり、Ｄ２は第１ｎ型層４Ａの奥行き方向の長さである。
　ｐ型光吸収層３の伝導帯下端（Conduction Band Minimum：ＣＢＭ）と第１ｎ型層４Ａの伝導帯下端の差が小さくなる第１ｎ型層４Ａが好ましい。Ｇａ２Ｏ３はｐ型光吸収層３に対して伝導帯下端がとても低く、伝導帯下端の差を小さくするために、Ｍ１の元素が第１ｎ型層４Ａの化合物に含まれる。ｐ型光吸収層３の伝導帯下端と第１ｎ型層４Ａの伝導帯下端の差（［ｐ型光吸収層３の伝導帯下端］－［第１ｎ型層４Ａの伝導帯下端］）は、０．０ｅＶ以上０．４ｅＶ以下であることが好ましい。
　実施形態の第１ｎ型層４Ａは、主にＧａとＭ１の元素によって伝導帯下端が調整されている。Ｍ１の元素比率を高めることで第１ｎ型層４Ａの伝導帯下端が上がり、ｐ型光吸収層３の伝導帯下端の差を少なくすることができる。そこで、（ｘ１＋ｘ２）／（ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４）は、０．５０以上１．００以下が好ましい。同観点から、第１ｎ型層４Ａにおいて、（ｘ１＋ｘ２）／（ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４）は、０．８０以上１．００以下が好ましく、０．９０以上１．００以下がより好ましい。Ｍ１の元素としては、Ａｌ又はＡｌ及びＢが好ましく、Ａｌがより好ましい。ＧａとＭ１の元素をベースとする酸化物を第１ｎ型層４Ａに用いることで変換効率が向上することから、ｘ２は、ｘ３より大きく、ｘ４より大きいことが好ましい。同観点からｘ２は、ｘ３の２倍より大きく、ｘ４の２倍より大きいことが好ましい。
　ｘ２／（ｘ１＋ｘ２）は、０．００以上０．５０以下が好ましい。ｘ２／（ｘ１＋ｘ２）が０．５０より大きい場合は、ｐｎ接合界面の伝導帯が不連続となるスパイクが生じてＦＦが低くなるため、変換効率の高い太陽電池を得ることは難しい。ｘ２／（ｘ１＋ｘ２）は、０．１０以上０．４０以下がより好ましく、０．１０以上０．３５以下がより好ましい。
　第１ｎ型層４Ａの化合物にはＭ２で表されるＩｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｈｆ及びＺｒからなる群から選ばれる１種以上を含むことができる。ｘ３／（ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４）は、０．００以上０．５０以下であることが好ましい。また、Ｍ２の元素は、第１ｎ型層４Ａの伝導帯下端を調整することができる。Ｍ２の元素が多すぎると第１ｎ型層４Ａとｐ型光吸収層３の伝導帯下端の差が大きくなる場合がある。そこで、ｘ３／（ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４）は、０．００以上０．１０以下がより好ましく、０．００以上０．０５以下がより好ましい。
　第１ｎ型層４Ａの化合物にはＭ３で表されるＳｎ、Ｓｉ及びＧｅからなる群から選ばれる１種以上を含むことができる。Ｍ４の元素が第１ｎ型層４Ａに含まれると、第１ｎ型層４Ａのキャリア濃度を高くすることができる。ｘ４／（ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４）は、０．００以上０．１５以下であることが好ましく、０．００以上０．１０以下であることがより好ましい。ｘ４は、（ｘ２＋ｘ３）よりも小さいことが好ましい。
　Ｇａ、Ｍ１の元素、Ｍ２の元素及びＭ３の元素からなる群より選ばれる１以上は、第１ｎ型層４Ａ中で第１ｎ型層４Ａの膜厚方向に組成比率が変化していてもよい。Ｍ３の元素は、ｐ型光吸収層３側で少なく、第２ｎ型層４Ｂ側で多いことが好ましい。Ｍ１の元素は、ｐ型光吸収層３側で多く、第２ｎ型層４Ｂ側で少ないことが好ましい。組成の変化は、傾斜的、階段状又は傾斜的な変化と階段状の変化が組み合わさっていることが好ましい。また、組成の変化は太陽電池１００の各層の積層方向に全体的又は部分的である。これらの元素の組成分布を変えることで、ｐ型光吸収層３側からｎ電極５側に向かって、キャリア濃度、伝導帯下端及び屈折率を調整することができ、変換効率の向上に寄与することができる。
　第１ｎ型層４Ａの厚さをｄ４Ａとする場合、ｐ型光吸収層３側の第１ｎ型層４Ａの表面から第２ｎ型層４Ｂ側に向かって０．２５ｄ４Ａの位置までの領域ｄＡ０－０．２５におけるＭ１の元素比率は、ｘ２の１．１０倍（ｘ２（第１ｎ型層４Ａの平均値）の１．１０倍　（以下同様））以上２．５０倍（ｘ２（第１ｎ型層４Ａの平均値）の２．５倍　（以下同様））以下であることが好ましい。ｐ型光吸収層３側の第１ｎ型層４Ａの表面から第２ｎ型層４Ｂ側に向かって０．２５ｄ４Ａの位置から第２ｎ型層４Ｂ側に向かって０．５０ｄ４Ａの位置までの領域ｄＡ０．２５－０．５０におけるＭ１の元素比率は、ｘ２の０．７５倍以上１．５０倍以下であることが好ましい。ｐ型光吸収層３側の第１ｎ型層４Ａの表面から第２ｎ型層４Ｂ側に向かって０．５０ｄ４Ａの位置から第２ｎ型層４Ｂ側に向かって０．７５ｄ４Ａの位置までの領域ｄＡ０．５０－０．７５におけるＭ１の元素比率は、ｘ２の０．３０倍以上１．５０倍以下であることが好ましい。ｐ型光吸収層３側の第１ｎ型層４Ａの表面から第２ｎ型層４Ｂ側に向かって０．７５ｄ４Ａの位置から第２ｎ型層４Ｂ側に向かって１．００ｄ４Ａの位置までの領域ｄＡ０．７５－１におけるＭ１の元素比率は、ｘ２の０．１０倍以上０．９０倍以下であることが好ましい。また、組成が変化する場合、伝導帯下端の接続の連続性を考慮すると、ｎ型層４中に含まれる元素の組成変化は一方向であることが好ましい。具体的には、領域ｄＡ０－０．２５におけるＭ１の元素比率は、領域ｄＡ０．２５－０．５０におけるＭ１の元素比率以上であることが好ましい。領域ｄＡ０．２５－０．５０におけるＭ１の元素比率は、領域ｄＡ０．５０－０．７５におけるＭ１の元素比率以上であることが好ましい。領域ｄＡ０．５０－０．７５におけるＭ１の元素比率は、領域ｄＡ０．７５－１におけるＭ１の元素比率以上であることが好ましい。同観点から、領域ｄＡ０．７５－１．０におけるＭ１の元素比率は、領域０ｄＡ０－０．２５におけるＭ１の元素比率の半分以下であることが好ましい。Ｍ１の組成が変化する場合でも、上述したように領域ｄＡ０－０．２５におけるｘ２／（ｘ１＋ｘ２）と領域ｄＡ０．２５－０．５０におけるｘ２／（ｘ１＋ｘ２）は、０．１０以上０．４０以下がより好ましく、０．１０以上０．３５以下がより好ましい。
　Ｇａの組成の変化が大きいと、Ｇａ以外の元素の組成を大きく変化させることになり、伝導帯下端の接続の連続性が悪化する。そこで、Ｇａの組成が変化する場合は、その変化率がＭ１の元素の組成の変化率よりも小さいことが好ましい。第１ｎ型層４Ａの厚さをｄ４Ａとする場合、ｐ型光吸収層３側の第１ｎ型層４Ａの表面から第２ｎ型層４Ｂ側に向かって０．２５ｄ４Ａの位置までの領域ｄＡ０－０．２５におけるＧａ比率は、ｘ１の０．７５倍（ｘ１（第１ｎ型層４Ａの平均値）の０．７５倍　（以下同様））以上０．９８倍（ｘ１（第１ｎ型層４Ａの平均値）の０．９８倍　（以下同様））以下であることが好ましい。ｐ型光吸収層３側の第１ｎ型層４Ａの表面から第２ｎ型層４Ｂ側に向かって０．２５ｄ４Ａの位置から第２ｎ型層４Ｂ側に向かって０．５０ｄ４Ａの位置までの領域ｄＡ０．２５－０．５０におけるＧａの元素比率は、ｘ１の０．８０倍以上１．１０倍以下であることが好ましい。ｐ型光吸収層３側の第１ｎ型層４Ａの表面から第２ｎ型層４Ｂ側に向かって０．５０ｄ４Ａの位置から第２ｎ型層４Ｂ側に向かって０．７５ｄ４Ａの位置までの領域ｄＡ０．５０－０．７５におけるＧａの元素比率は、ｘ１の０．９０倍以上１．２０倍以下であることが好ましい。ｐ型光吸収層３側の第１ｎ型層４Ａの表面から第２ｎ型層４Ｂ側に向かって０．７５ｄ４Ａの位置から第２ｎ型層４Ｂ側に向かって１．００ｄ４Ａの位置までの領域ｄＡ０．７５－１におけるＧａの元素比率は、ｘ１の１．０２倍以上１．２５倍以下であることが好ましい。また、組成が変化する場合、伝導帯下端の接続の連続性を考慮すると、ｎ型層４中に含まれる元素の組成変化は一方向であることが好ましい。具体的には、領域ｄＡ０－０．２５におけるＧａの元素比率は、領域ｄＡ０．２５－０．５０におけるＧａの元素比率以下であることが好ましい。領域ｄＡ０．２５－０．５０におけるＧａの元素比率は、領域ｄＡ０．５０－０．７５におけるＧａの元素比率以下であることが好ましい。領域ｄＡ０．５０－０．７５におけるＧａの元素比率は、領域ｄＡ０．７５－１におけるＧａの元素比率以下であることが好ましい。
　第１ｎ型層４Ａは、例えばスパッタやＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）などによって成膜されることが好ましい。
　第２ｎ型層４Ｂは、第１ｎ型層４Ａとｎ電極５との間に位置する。第２ｎ型層４Ｂの第１ｎ型層４Ａ側の面は、第１ｎ型層４Ａと直接的に接している。第２ｎ型層４ＢはＧａを含む酸化物半導体層であって、Ｇａをベースとする化合物を含むことが好ましい。第１ｎ型層４Ａと第２ｎ型層４Ｂの界面は明瞭な場合と不明瞭な場合がある。第２ｎ型層４ＢはＧａをベースとする酸化物に他の酸化物が混合していてもよいし、Ｇａをベースとする酸化物に他の元素がドープしていてもよいし、他の元素がドープしたＧａベースの酸化物と他の酸化物が混合していてもよい。第２ｎ型層４Ｂとｎ電極５の間には、図示しない中間層を設けることができる。
　第２ｎ型層４Ｂは、Ｇａｙ１Ｍ１ｙ２Ｍ２ｙ３Ｍ３ｙ４Ｏｙ５で表される化合物を主体（５０ｗｔ％以上）とする層であって、Ｍ１はＡｌ又は／及びＢであり、Ｍ２はＩｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｈｆ及びＺｒからなる群より選ばれる１種以上であり、Ｍ３はＳｎ、Ｓｉ及びＧｅからなる群より選ばれる１種以上が好ましい。ｙ１とｙ５は０より大きい数値である。ｙ２、ｙ３及びｙ４は０以上の数値である。ｙ１、ｙ２、ｙ３及びｙ４の和を２とする場合、ｙ５は３．０以上３．８以下であることが好ましい。Ｇａをベースとする酸化物に他の酸化物が混合した形態、Ｇａをベースとする酸化物に他の元素がドープしている形態及び他の元素がドープしたＧａベースの酸化物と他の酸化物が混合した形態のいずれもＧａｙ１Ｍ１ｙ２Ｍ２ｙ３Ｍ３ｙ４Ｏｙ５で表している。
　ｐ型光吸収層３から第２ｎ型層４Ｂの伝導帯下端の接続の連続性を向上させる観点から、（ｘ２＋ｘ３）は、（ｙ２＋ｙ３）より大きいことが好ましい。同観点から、（ｙ２＋ｙ３）は、（ｘ２＋ｘ３）の０．８倍以下が好ましく、（ｘ２＋ｘ３）の０．５倍以下がより好ましく、（ｘ２＋ｘ３）の０．３倍以下がさらにより好ましい。
　第２ｎ型層４Ｂの９０ｗｔ％以上は、Ｇａｙ１Ｍ１ｙ２Ｍ２ｙ３Ｍ３ｙ４Ｏｙ５で表される化合物であることが好ましい。第２ｎ型層４Ｂの９５ｗｔ％以上は、Ｇａｙ１Ｍ１ｙ２Ｍ２ｙ３Ｍ３ｙ４Ｏｙ５で表される化合物であることがより好ましい。第２ｎ型層４Ｂの９８ｗｔ％以上は、Ｇａｙ１Ｍ１ｙ２Ｍ２ｙ３Ｍ３ｙ４Ｏｙ５で表される化合物であることがさらにより好ましい。第２ｎ型層４ＢはＧａｙ１Ｍ１ｙ２Ｍ２ｙ３Ｍ３ｙ４Ｏｙ５で表される化合物で構成されていることがより好ましい。
　第２ｎ型層４Ｂは、主にＧａとＭ１の元素によって伝導帯下端が調整されている。第２ｎ型層２ＢのＭ１の元素比率を第１ｎ型層４Ａよりも少なくしてＧａの比率を高くする（ｙ１はｘ１より大きく、ｙ２はｘ２より小さい）ことで第２ｎ型層４Ａの伝導帯下端が第１ｎ型層４Ａよりも下がる。そして、第１ｎ型層４Ａからｎ電極５の間の伝導帯下端の接続の連続性が向上する。第２ｎ型層４Ｂにおいて、（ｙ１＋ｙ２）／（ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４）は、０．６５以上１．００以下が好ましい。同観点から、第２ｎ型層４Ｂにおいて、（ｙ１＋ｙ２）／（ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４）は、０．８０以上１．００以下が好ましく、０．９０以上１．００以下がより好ましい。
　第２ｎ型層４Ｂは、第１ｎ型層４Ａよりも伝導帯下端が低い層であり、第２ｎ型層４Ｂの伝導帯下端は、第１ｎ型層４Ａとｎ電極５の間にある。第２ｎ型層４Ｂを用いることで、ｐ型光吸収層３からｎ電極５まで伝導帯下端が連続的につながりＦＦ及びＶｏｃが向上して変換効率の向上に寄与する。ｙ２が０より大きな数値である場合は、第１ｎ型層４Ａと共通するＭ１の元素を第２ｎ型層４Ｂも有すことが好ましい。つまり、第１ｎ型層４ＡにＡｌが含まれれば第２ｎ型層４ＢにＡｌが含まれないことよりもＡｌが含まれることが好ましい。そして、ｙ１はｘ１より大きく、ｙ２はｘ２より小さいことに起因して第２ｎ型層４Ｂの伝導体下端を第１ｎ型層４Ａの伝導帯下端よりも低くなり、伝導帯下端の接続の連続性が向上する。同観点からｙ２／（ｙ１＋ｙ２）は、０．００以上０．３０以下が好ましく、０．００以上０．２０以下がより好ましい。また、ｘ２とｙ２が近い値であると第２ｎ型層４Ｂを設けることによる伝導帯下端の接続の連続性の向上が少ない。そこでｙ２はｘ２の９０％以下が好ましく、ｙ２はｘ２の８０％以下がより好ましく、ｙ２は、ｘ２の７０％以下がより好ましい。
　ｙ３の数値は、第１実施形態のｘ３、ｘ４の好適な数値が好ましい。従って、ｙ３／（ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４）は、０．００以上０．１０以下がより好ましく、０．００以上０．０５以下がより好ましい。
　ｙ４／（ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４）は、０．００以上０．１５以下であることが好ましい。Ｍ３の元素が含まれると、第２ｎ型層４Ｂのキャリア濃度が高くなることが好ましい、第１ｎ型層４Ａよりも第２ｎ型層４Ｂのキャリア濃度が高いことが好ましい（ｙ４はｘ４よりも大きい）好ましい。そこで、ｙ４／（ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４）は０．０１以上０．１５以下であることがより好ましく、０．０５以上０．１５以下であることがさらにより好ましい。
　第１ｎ型層４Ａの膜厚と第２ｎ型層４Ｂの膜厚の和は、典型的には、３ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。第１ｎ型層４Ａの膜厚と第２ｎ型層４Ｂの膜厚の和が３ｎｍ未満であると第１ｎ型層４Ａと第２ｎ型層４Ｂのカバレッジが悪い場合にリーク電流が発生し、特性を低下させてしまう場合がある。カバレッジが良い場合は上記膜厚に限定されない。第１ｎ型層４Ａの膜厚と第２ｎ型層４Ｂの膜厚の和が５０ｎｍを超えると第１ｎ型層４Ａ及び第２ｎ型層４Ｂを合わせたｎ型層の過度の高抵抗化による特性低下や、透過率低下による短絡電流低下が起こる場合がある。従って、第１ｎ型層４Ａの膜厚と第２ｎ型層４Ｂの膜厚の和は３ｎｍ以上３０ｎｍ以下がより好ましく、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下がさらにより好ましい。
　Ｇａ、Ｍ１の元素、Ｍ２の元素及びＭ３の元素からなる群より選ばれる１元素以上は、第２ｎ型層４Ｂ中で第２ｎ型層４Ｂの膜厚方向に組成比率が変化していてもよい。Ｍ３の元素は、ｐ型光吸収層３側で少なく、第２ｎ型層４Ｂ側で多いことが好ましい。Ｍ１の元素は、ｐ型光吸収層３側で多く、第２ｎ型層４Ｂ側で少ないことが好ましい。組成の変化は、傾斜的、階段状又は傾斜的な変化と階段状の変化が組み合わさっていることが好ましい。また、組成の変化は太陽電池１００の各層の積層方向に全体的又は部分的である。これらの元素の組成分布を変えることで、ｐ型光吸収層３側からｎ電極５側に向かって、キャリア濃度、伝導帯下端及び屈折率を調整することができ、変換効率の向上に寄与することができる。
　第２ｎ型層４Ｂの厚さをｄ４Ｂとする場合、第１ｎ型層４Ａ側の第２ｎ型層４Ｂの表面からｎ電極５側に向かって０．２５ｄ４Ｂの位置までの領域ｄＢ０－０．２５におけるＭ１の元素比率は、ｙ２の１．１０倍（ｙ２（第２ｎ型層４Ｂの平均値）の１．１０倍　（以下同様））以上４．００倍（ｙ２（第２ｎ型層４Ｂの平均値）の４．００倍　（以下同様））以下であることが好ましい。第１ｎ型層４Ａ側の第２ｎ型層４Ｂの表面からｎ電極５側に向かって０．２５ｄ４Ｂの位置からｎ電極５側に向かって０．５０ｄ４Ｂの位置までの領域ｄＢ０．２５－０．５０におけるＭ１の元素比率は、ｙ２の０．００倍以上１．５０倍以下であることが好ましい。第１ｎ型層４Ａ側の第２ｎ型層４Ｂの表面からｎ電極５側に向かって０．５０ｄ４Ｂの位置からｎ電極５側に向かって０．７５ｄ４Ｂの位置までの領域ｄＢ０．５０－０．７５におけるＭ１の元素比率は、ｙ２の０．００倍以上１．２５倍以下であることが好ましい。第１ｎ型層４Ａ側の第２ｎ型層４Ｂの表面からｎ電極５側に向かって０．７５ｄ４Ｂの位置からｎ電極５側に向かって１．００ｄ４Ｂの位置までの領域ｄＢ０．７５－１におけるＭ１の元素比率は、ｙ２の０．００倍以上０．９０倍以下であることが好ましい。また、組成が変化する場合、伝導帯下端の接続の連続性を考慮すると、ｎ型層４中に含まれる元素の組成変化は一方向であることが好ましい。具体的には、領域ｄＢ０－０．２５におけるＭ１の元素比率は、領域ｄＢ０．２５－０．５０におけるＭ１の元素比率以上であることが好ましい。領域ｄＢ０．２５－０．５０におけるＭ１の元素比率は、領域ｄＢ０．５０－０．７５におけるＭ１の元素比率以上であることが好ましい。領域ｄＢ０．５０－０．７５におけるＭ１の元素比率は、領域ｄＢ０．７５－１におけるＭ１の元素比率以上であることが好ましい。同観点から、領域ｄＢ０．７５－１．００におけるＭ１の元素比率は、領域ｄＢ０－０．２５におけるＭ１の元素比率の半分以下であることが好ましい。
　第２ｎ型層４Ｂの厚さをｄ４Ｂとする場合、第１ｎ型層４Ａ側の第２ｎ型層４Ｂの表面からｎ電極５側に向かって０．２５ｄ４Ｂの位置までの領域ｄＢ０－０．２５におけるＭ３の元素比率は、ｙ４の０．００倍（ｙ４（第２ｎ型層４Ｂの平均値）の０．００倍　（以下同様））以上０．７５倍（ｙ４（第２ｎ型層４Ｂの平均値）の０．７５倍　（以下同様））以下であることが好ましい。第１ｎ型層４Ａ側の第２ｎ型層４Ｂの表面からｎ電極５側に向かって０．２５ｄ４Ｂの位置からｎ電極５側に向かって０．５０ｄ４Ｂの位置までの領域ｄＢ０．２５－０．５０におけるＭ３の元素比率は、ｙ４の０．３０倍以上１．５０倍以下であることが好ましい。第１ｎ型層側の第２ｎ型層４Ｂの表面からｎ電極５側に向かって０．５０ｄ４Ｂの位置からｎ電極５側に向かって０．７５ｄ４Ｂの位置までの領域ｄＢ０．５０－０．７５におけるＭ３の元素比率は、ｙ４の０．７５倍以上２．００倍以下であることが好ましい。第１ｎ型層側の第２ｎ型層４Ｂの表面からｎ電極５側に向かって０．７５ｄ４Ｂの位置からｎ電極５側に向かって１．００ｄ４Ｂの位置までの領域ｄＢ０．７５－１におけるＭ３の元素比率は、ｙ４の１．１０倍以上３．００倍以下であることが好ましい。また、組成が変化する場合、伝導帯下端の接続の連続性を考慮すると、ｎ型層４中に含まれる元素の組成変化は一方向であることが好ましい。具体的には、領域ｄＢ０－０．２５におけるＭ３の元素比率は、領域ｄＢ０．２５－０．５０におけるＭ３の元素比率以下であることが好ましい。領域ｄＢ０．２５－０．５０におけるＭ３の元素比率は、領域ｄＢ０．５０－０．７５におけるＭ３の元素比率以下であることが好ましい。領域ｄＢ０．５０－０．７５におけるＭ３の元素比率は、領域ｄＢ０．７５－１におけるＭ３の元素比率以下であることが好ましい。また、同観点から、領域ｄＢ０－０．２５におけるＭ３の元素比率は、領域ｄＢ０．７５－１．００におけるＭ３の元素比率の半分以下であることが好ましい。
　ｎ電極５は、可視光に対して、光透過性を有する第１ｎ型層４Ａ側の電極である。ｎ電極５とｐ型光吸収層３によって第１ｎ型層４Ａを挟んでいる。第１ｎ型層４Ａとｎ電極５の間には、図示しない中間層を設けることができる。この中間層にはメッシュやライン形状の電極を含むことができる。ｎ電極５には、酸化物透明導電膜を用いることが好ましい。ｎ電極５で用いられる酸化物透明導電膜としては、酸化インジウムスズ、アルミニウムドープ酸化亜鉛、ボロンドープ酸化亜鉛、ガリウムドープ酸化亜鉛、インジウムドープ酸化亜鉛、チタンドープ酸化インジウム、酸化インジウムガリウム亜鉛及び水素ドープ酸化インジウムからなる群より選ばれる１種以上の透明導電膜であることが好ましい。ｎ電極５には、グラフェンも用いることができる。グラフェンは、銀ナノワイヤと積層させることが好ましい。
　ｎ電極５の厚さは、電子顕微鏡による断面観察や、段差計によって求められ、特に限定はないが、典型的には、１ｎｍ以上２μｍ以下である。
　ｎ電極５は、例えばスパッタなどによって成膜されることが好ましい。
　（第２実施形態）
　第２実施形態は太陽電池に関する。図３に第２実施形態の太陽電池１０１の断面概念図を示す。第２実施形態の太陽電池１０１は、ｎ型層４が第１領域４ａと第２領域４ｂを有することが第１実施形態の太陽電池１００と異なることである。第１実施形態と第２実施形態で共通する説明は省略する。
　第１領域４ａは、第３ｎ型層４Ａのｐ型光吸収層３側に位置する。また、第２領域４ｂは、第１ｎ型層４Ａのｎ電極５側に位置する。第３実施形態の第１ｎ型層４Ａにおいて、ｐ型光吸収層３側とｎ電極５側では組成が明確に異なるが、第１領域４ａと第２領域４ｂの界面は確認されない。第１ｎ型層４Ａのｐ型光吸収層３側の表面からｎ電極５側に向かって第１ｎ型層４Ａの厚さの半分までを第１領域４ａとする。また、第１ｎ型層４Ａのｎ電極５側の表面からｐ型光吸収層３側に向かって第１ｎ型層４Ａの厚さの半分までを第２領域４ｂとする。なお、分析は第１実施形態と同様にｎ型層の表面からの各距離において図２の分析スポットに示すような等間隔に可能な限り隔たり無く分布した分析スポットを例えばＳＩＭＳで分析することで求められる。
　第２実施形態の第１領域４ａと第２領域４ｂの関係と第２実施形態の第１ｎ型層４Ａと第２ｎ型層４Ｂの関係は、元素の組成比率が対応している。従って、第１実施形態において説明した傾斜的な組成変化等については第２実施形態の太陽電池１０１等においても同様である。
　第２実施形態の太陽電池１０１も第１実施形態の太陽電池１００と同様に伝導帯下端の接続の連続性が優れ、Ｊｓｃ、Ｖｏｃ及びＦＦが向上して変換効率の向上に寄与する。
（第３実施形態）
　第３実施形態は太陽電池に関する。図４に第３実施形態の太陽電池１０２の断面概念図を示す。第３実施形態の太陽電池１０２は、第１ｎ型層４Ａ、第２ｎ型層４Ｂと第３ｎ型層４Ｃ３積層したｎ型層４を有することなどが第２実施形態の太陽電池１０１と異なることである。第１実施形態から第３実施形態と第４実施形態で共通する説明は省略する。
　第３ｎ型層４Ｃは、第２ｎ型層４Ｃとｎ電極５との間に位置する。第３ｎ型層４Ｃの第２ｎ型層４Ｂ側の面は、第２ｎ型層４Ｂと直接的に接している。第３ｎ型層４ＣはＧａ又は／及びＺｎを含む酸化物半導体層であって、Ｇａ又は／及びＺｎをベースとする化合物を含むことが好ましい。第２ｎ型層４Ｂと第３ｎ型層４Ｃの界面は明瞭な場合と不明瞭な場合がある。第３ｎ型層４ＢはＧａベースとする酸化物に他の酸化物が混合していてもよいし、Ｇａ又は／及びＺｎをベースとする酸化物に他の元素がドープしていてもよいし、他の元素がドープしたＧａ又は／及びＺｎベースの酸化物と他の酸化物が混合していてもよい。第３ｎ型層４Ｃとｎ電極５の間には、図示しない中間層を設けることができる。
　第３ｎ型層４Ｃは、Ｇａｚ１Ｚｎｚ２Ｓｎｚ３Ｍ４ｚ４Ｏｚ５で表される化合物を主体（５０ｗｔ％以上）とする層であって、Ｍ４はＨｆ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｂ、Ｍｇ、Ｓｉ及びＧｅからなる群より選ばれる１種以上が好ましい。ｚ１、ｚ２及びｚ４及は、０以上の数値である。ｚ３は０以上の数値である。ｚ１、ｚ２、ｚ３及びｚ４の和を２とする場合のｚ５は２．２以上３．６以下であることが好ましい。Ｇａ又は／及びＺｎをベースとする酸化物に他の酸化物が混合した形態、Ｇａ又は／及びＺｎをベースとする酸化物に他の元素がドープしている形態及び他の元素がドープしたＧａ又は／及びＺｎをベースの酸化物と他の酸化物が混合した形態のいずれもＧａｚ１Ｚｎｚ２Ｓｎｚ３Ｍ４ｚ４Ｏｚ５で表している。
　第３ｎ型層４Ｃの９０ｗｔ％以上は、Ｇａｚ１Ｚｎｚ２Ｓｎｚ３Ｍ４ｚ４Ｏｚ５表される化合物であることが好ましい。第３ｎ型層４Ｃの９５ｗｔ％以上は、Ｇａｚ１Ｚｎｚ２Ｓｎｚ３Ｍ４ｚ４Ｏｚ５で表される化合物であることがより好ましい。第３ｎ型層４Ｃの９８ｗｔ％以上は、Ｇａｚ１Ｚｎｚ２Ｓｎｚ３Ｍ４ｚ４Ｏｚ５で表される化合物であることがさらにより好ましい。第３ｎ型層４Ｃは、Ｇａｚ１Ｚｎｚ２Ｓｎｚ３Ｍ４ｚ４Ｏｚ５で表される化合物で構成されていることがより好ましい。
　第３ｎ型層４Ｃは、主にＧａ、ＺｎとＳｎによって第２ｎ型層４Ｂ及びｎ電極５との伝導帯下端の差が少なくなるように調整されている。ＺｎＯ及びＳｎＯ２の伝導体下端は、Ｇａ２Ｏ３の伝導帯下端よりも低いため、第３ｎ型層４Ｃは、Ｇａ２Ｏ３よりもｎ電極５との伝導帯下端の差を小さくすることができる。ＺｎとＳｎの元素比率を第１ｎ型層４Ａ及び第２ｎ型層４ＢのＺｎとＳｎの元素比率よりも高めることで第３ｎ型層４Ｃの伝導帯下端が第１ｎ型層４Ａよりも下がる。そして、第１ｎ型層４Ａからｎ電極５の間の伝導帯下端の接続の連続性が向上する。第３ｎ型層４Ｃにおいて、（ｚ１＋ｚ２）／（ｚ１＋ｚ２＋ｚ３＋ｚ４）は、０．６０以上０．９８以下が好ましい。同観点から、第３ｎ型層４Ｃにおいて、（ｚ１＋ｚ２）／（ｚ１＋ｚ２＋ｚ３＋ｚ４）は、０．６５以上０．９５以下が好ましく、０．７０以上０．９０以下がより好ましい。
　第３ｎ型層４Ｃは、ｎ型層において最もｎ電極５側に位置し、好ましくは第３ｎ型層４Ｃはｎ電極５と直接的に接している。第１ｎ型層４Ａ及び第２ｎ型層４ＢにＺｎやＳｎが含まれる場合、それらの組成比率は、第３ｎ型層４Ｃ中のＺｎとＳｎのそれぞれの濃度よりも低いことが好ましい。
　また、第３ｎ型層４Ｃには、Ｓｎが含まれていることが好ましい。Ｓｎが第３ｎ型層４Ｃに含まれていると伝導帯下端の接続の連続性が向上しキャリア濃度が増えることが好ましい。そこで、ｚ３／（ｚ１＋ｚ２＋ｚ３＋ｚ４）は、０．１０以上０．５０以下が好ましく、０．１５以上０．３０以下がより好ましい。
　Ｍ４の元素は第３ｎ型層４Ｃに含まれていてもよいし含まれていなくてもよい。Ｍ４の元素が含まれる場合は、その組成比率は低いことが好ましい。そこで、ｚ４／（ｚ１＋ｚ２＋ｚ３＋ｚ４）は０．００以上０．０５以下であることが好ましい。Ｍ４の元素は、第２ｎ型層４Ｂ又はｎ電極５に含まれる元素と共通していることが好ましい。
　第３ｎ型層４Ｃにおいても、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＭ４の元素は、ｐ型光吸収層３側からｎ電極５に向かって傾斜的、階段状、又は、傾斜的な変化と階段状が組み合わさったように変化してもよい。例えば、Ｓｎはｎ電極５側に多く、Ｇａ及びＺｎは第２ｎ型層４Ｂ側に多くすることが好ましい。
　第１ｎ型層４Ａの膜厚、第２ｎ型層４Ｂの膜厚と第３ｎ型層４Ｃの膜厚の和は、典型的には、３ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。第１ｎ型層４Ａの膜厚、第２ｎ型層４Ｂの膜厚と第３ｎ型層４Ｃの膜厚の和が３ｎｍ未満であると第１ｎ型層４Ａの膜厚、第２ｎ型層４Ｂの膜厚と第３ｎ型層４Ｃの膜厚の和のカバレッジが悪い場合にリーク電流が発生し、特性を低下させてしまう場合がある。カバレッジが良い場合は上記膜厚に限定されない。第１ｎ型層４Ａの膜厚、第２ｎ型層４Ｂの膜厚と第３ｎ型層４Ｃの膜厚の和が５０ｎｍを超えると第１ｎ型層４Ａから第３ｎ型層４Ｃをまでのｎ型層の過度の高抵抗化による特性低下や、透過率低下による短絡電流低下が起こる場合がある。従って、第１ｎ型層４Ａの膜厚、第２ｎ型層４Ｂの膜厚と第３ｎ型層４Ｃの膜厚の和は３ｎｍ以上３０ｎｍ以下がより好ましく、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下がさらにより好ましい。
　第３ｎ型層４Ｃを用いることで、ｎ型層４とｎ電極５との伝導帯下端の接続の連続性がより向上する。そして、第３実施形態の太陽電池１０２も、Ｊｓｃ、Ｖｏｃ及びＦＦが向上して変換効率の向上に寄与する。
（第４実施形態）
　第４実施形態は、太陽電池に関する。図５に第４実施形態の太陽電池１０３の断面概念図を示す。第４実施形態の太陽電池１０３は、ｎ型層４が第１領域４ａ、第２領域４ｂ及び第３領域４ｃを有することが第３実施形態の太陽電池１０２と異なることである。第１実施形態から第３実施形態と第４実施形態で共通する説明は省略する。第４実施形態の第３領域４ｃは、第３実施形態の第３ｎ型層４Ｃに相当する。
　第３領域４ｃは、第３ｎ型層４Ａのｎ型層５側に位置する。また、第３領域４ｃと第１領域４ａの間に第２領域４ｂが位置している。第５実施形態の第１ｎ型層４Ａにおいて、ｐ型光吸収層３側とｎ電極５側では組成が明確に異なるが、第１領域４ａと第２領域４ｂの界面と第２領域４ｂと第３領域４ｃの界面は確認されない。第１ｎ型層４Ａの厚さをｄとする場合、第１ｎ型層４Ａのｐ型光吸収層３側の表面からｎ電極５側に向かって０．３３ｄまでを第１領域４ａとする。また、第１ｎ型層４Ａのｎ電極５側の表面からｐ型光吸収層３側に向かって０．３３ｄまでを第３領域４ｃとする。第１領域４ａと第３領域４ｃの間を第２領域４ｂとする。
　第１領域４ａ中の化合物の組成は、特に条件を付けなければ第１領域４ａ全体の平均組成である。第１領域４ａの組成は、第１ｎ型層４Ａの厚さをｄとする場合、ｐ型光吸収層３側の第１ｎ型層４Ａの表面から０．１０ｄ、０．２０ｄ、０．３０ｄの深さにおける組成の平均値である。第１ｎ型層４Ａの厚さが非常に薄い（１０ｎｍ以下）場合は、第１ｎ型層４Ａの表面から０．２０ｄの深さにおける組成を第１領域４ａ全体の平均組成とみなす。第２領域４ｂの組成は、第１ｎ型層４Ａの厚さをｄとする場合、ｐ型光吸収層３側の第１ｎ型層４Ａの表面から０．４０ｄ、０．５０ｄ、０．６０ｄの深さにおける組成の平均値である。第１ｎ型層４Ａの厚さが非常に薄い（１０ｎｍ以下）場合は、第１ｎ型層４Ａの表面から０．５０ｄの深さにおける組成を第２領域４ｂ全体の平均組成とみなす。第３領域４ｃの組成は、第１ｎ型層４Ａの厚さをｄとする場合、ｐ型光吸収層３側の第１ｎ型層４Ａの表面から０．７０ｄ、０．８０ｄ、０．９０ｄの深さにおける組成の平均値である。第１ｎ型層４Ａの厚さが非常に薄い（１０ｎｍ以下）場合は、第１ｎ型層４Ａの表面から０．８０ｄの深さにおける組成を第３領域４ｃ全体の平均組成とみなす。
　第１領域４ａ、第２領域４ｂ、第３領域４ｃの組成は、第３実施形態の第１ｎ型層４Ａ、第２ｎ型層４Ｂ、第３ｎ型層４Ｃのそれぞれに対応する。第１から第３実施形態において説明した傾斜的な組成変化等も含めて第１実施形態から第３実施形態の太陽電池１００、１０１，１０２においても同様である。
　第４実施形態の太陽電池１０３も第３実施形態の太陽電池１０２と同様に伝導帯下端の接続の連続性が優れ、Ｊｓｃ、Ｖｏｃ及びＦＦが向上して変換効率の向上に寄与する。
（第５実施形態）
　第５実施形態は、多接合型太陽電池に関する。図６に第５実施形態の多接合型太陽電池の断面概念図を示す。図６の多接合型太陽電池２００は、光入射側に第１実施形態の太陽電池（第１太陽電池）１００と、第２太陽電池２０１を有する。第２太陽電池２０１の光吸収層のバンドギャップは、第１実施形態の太陽電池１００のｐ型光吸収層３よりも小さいバンドギャップを有する。なお、実施形態の多接合型太陽電池は、３以上の太陽電池を接合させた太陽電池も含まれる。なお、第５実施形態において、第１実施形態の太陽電池１００の代わりに第２実施形態から第４実施形態の太陽電池１０１－１０３を用いてもよい。
　第１実施形態の第１太陽電池１００のｐ型光吸収層３のバンドギャップが２．０ｅＶ－２．２ｅＶ程度であるため、第２太陽電池２００の光吸収層のバンドギャップは、１．０ｅＶ以上１．６ｅＶ以下であることが好ましい。第２太陽電池の光吸収層としては、Ｉｎの含有比率が高いＣＩＧＳ系、ＣｕＺｎＳｎＳＳｅ系及びＣｄＴｅ系からなる群から選ばれる１種以上の化合物半導体層、結晶シリコン及びペロブスカイト型化合物からなる群より選ばれる１種であることが好ましい。
（第６実施形態）
　第６実施形態は、太陽電池モジュールに関する。図７に第５実施形態の太陽電池モジュール３００の斜視図を示す。図７の太陽電池モジュール３００は、第１太陽電池モジュール３０１と第２太陽電池モジュール３０２を積層した太陽電池モジュールである。第１太陽電池モジュール３０１は、光入射側であり、第１実施形態の太陽電池１００を用いている。第２の太陽電池モジュール３０２には、第２太陽電池２０１を用いることが好ましい。第１太陽電池モジュール３０１には、第２から第４実施形態の太陽電池１０１－１０３も使用することができる。
　図８に太陽電池モジュール３００の断面図を示す。図８では、第１太陽電池モジュール３０１の構造を詳細に示し、第２太陽電池モジュール３０２の構造は示していない。第２太陽電池モジュール３０１では、用いる太陽電池の光吸収層などに応じて適宜、太陽電池モジュールの構造を選択する。図８の太陽電池モジュールは、複数の太陽電池１００（太陽電池セル）が横方向に並んで配線３０４で電気的に直列に接続した破線で囲われたサブモジュール３０３が複数含まれ、複数のサブモジュール３０３が電気的に並列もしくは直列に接続している。隣り合うサブモジュール３０３は、バスバー３０５で電気的に接続している。
　隣り合う太陽電池１００は、上部側のｎ電極５と下部側のｐ電極２が配線３０４によって接続している。第６実施形態の太陽電池１００も第１実施形態の太陽電池１００と同様に、基板１、ｐ電極２、ｐ型光吸収層３、ｎ型層４とｎ電極５を有する。サブモジュール３０３中の太陽電池１００の両端は、バスバー３０５と接続し、バスバー３０５が複数のサブモジュール３０３を電気的に並列もしくは直列に接続し、第２太陽電池モジュール３０２との出力電圧を調整するように構成されていることが好ましい。なお、第６実施形態に示す太陽電池１００の接続形態は一例であり、他の接続形態によって太陽電池モジュールを構成することができる。
（第７実施形態）
　第７実施形態は太陽光発電システムに関する。第７実施形態の太陽電池モジュールは、第８実施形態の太陽光発電システムにおいて、発電を行う発電機として用いることができる。実施形態の太陽光発電システムは、太陽電池モジュールを用いて発電を行うものであって、具体的には、発電を行う太陽電池モジュールと、発電した電気を電力変換する手段と、発電した電気をためる蓄電手段又は発電した電気を消費する負荷とを有する。図９に実施形態の太陽光発電システム４００の構成図を示す。図９の太陽光発電システムは、太陽電池モジュール４０１（３００）と、コンバーター４０２と、蓄電池４０３と、負荷４０４とを有する。蓄電池４０３と負荷４０４は、どちらか一方を省略しても良い。負荷４０４は、蓄電池４０３に蓄えられた電気エネルギーを利用することもできる構成にしてもよい。コンバーター４０２は、ＤＣ－ＤＣコンバーター、ＤＣ－ＡＣコンバーター、ＡＣ－ＡＣコンバーターなど変圧や直流交流変換などの電力変換を行う回路又は素子を含む装置である。コンバーター４０２の構成は、発電電圧、蓄電池４０３や負荷４０４の構成に応じて好適な構成を採用すればよい。
　太陽電池モジュール３００に含まれる受光したサブモジュール３０１に含まれる太陽電池セルが発電し、その電気エネルギーは、コンバーター４０２で変換され、蓄電池４０３で蓄えられるか、負荷４０４で消費される。太陽電池モジュール４０１には、太陽電池モジュール４０１を常に太陽に向けるための太陽光追尾駆動装置を設けたり、太陽光を集光する集光体を設けたり、発電効率を向上させるための装置等を付加することが好ましい。
　太陽光発電システム４００は、住居、商業施設や工場などの不動産に用いられたり、車両、航空機や電子機器などの動産に用いられたりすることが好ましい。実施形態の変換効率に優れた太陽電池を太陽電池モジュールに用いることで、発電量の増加が期待される。
　太陽光発電システム４００の利用例として車両を示す。図１０に車両５００の構成概念図を示す。図１０の車両５００は、車体５０１、太陽電池モジュール５０２、電力変換装置５０３、蓄電池５０４、モーター５０５とタイヤ（ホイール）５０６を有する。車体５０１の上部に設けられた太陽電池モジュール５０１で発電した電力は、電力変換装置５０３変換されて、蓄電池５０４にて充電されるか、モーター５０５等の負荷で電力が消費される。太陽電池モジュール５０１又は蓄電池５０４から供給される電力を用いてモーター５０５によってタイヤ（ホイール）５０６を回転させることにより車両５００を動かすことができる。太陽電池モジュール５０１としては、多接合型ではなく、第１実施形態の太陽電池１００等を備えた第１太陽電池モジュールだけで構成されていてもよい。透過性のある太陽電池モジュール５０２を採用する場合は、車体５０１の上部に加え、車体５０１の側面に発電する窓として太陽電池モジュール５０２を使用することも好ましい。
　以下、実施例に基づき本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
　ガラス基板上に、裏面側のｐ電極として、ガラスと接する側に上面にＩＴＯ（Ｉｎ：Ｓｎ＝９０：１０、膜厚２０ｎｍ）とＡＴＯ（Ｓｎ：Ｓｂ＝９８：２　膜厚１５０μｍ）を堆積する。透明なｐ電極上に酸素、アルゴンガス雰囲気中でスパッタリング法により５００℃で加熱してＣｕ２Ｏ光吸収層を成膜する。その後、ＡＬＤ法により、第１ｎ型層として組成傾斜の無いＧａ１．７０Ａｌ０．３０Ｏ３．００を１０ｎｍ堆積し、第２ｎ型層として、組成傾斜の無いＧａ１．９０Ａｌ０．１０Ｏ３．００を１０ｎｍ堆積表面側のｎ電極としてＡＺＯ透明導電膜を堆積する。そして、反射防止膜としてＭｇＦ２膜を成膜することで太陽電池を得る。得られた太陽電池について、短絡電流（Ｊｓｃ）、開放電圧（Ｖｏｃ）、フィルファクター（ＦＦ）、変換効率及び透光性を評価する。なお、ｎ型層の酸素組成比は金属酸化物の金属の種類と組成比から求めている。
　太陽電池の透光性を評価する。太陽電池の透過性は、分光光度計で波長７００－１２００ｎｍを測定した際の平均透過率である。
（実施例２－２６、比較例）
　図１１の実施例に関する表に実施例及び比較例のｎ型層の条件を示している。ｎ型層（第１ｎ型層（第１領域）、第２ｎ型層（第２領域）ｎ型層の条件以外は、実施例１と同様である。実施例で２層又は３層のｎ型層を形成している場合は、各ｎ型層（各領域）の厚さを６ｎｍとしている。実施例２５と２６は、第１ｎ型層と第２ｎ型層の間の界面が無く、ｎ型層に第１領域と第２領域が含まれる。実施例２６の第２領域と第３ｎ型層の間には、界面が存在する。
　実施例１７から実施例２６は膜厚方向（ｐ型光吸収層とｎ型層の積層方向）にｎ型層の組成を変化させている。図１２の実施例に関する表に各実施例の組成変化を示している。図１２の表には、組成変化させている元素とその組成変化のモードを示している。図１３と図１４に組成変化のモードのグラフを示している。図１３と図１４の横軸は、ｐ型光吸収層側からｎ電極側のｎ型層の深さを表し、縦軸は、組成比率を表している。組成が変化している場合、各層又は領域で最も組成比率が高い元素が対象の元素の組成変化を補うように変化する。例えば、Ａｌが０．１増えればＧａが０．１減る。
　実施例１７は、第１ｎ型層でＡｌがＡの組成変化モードで組成が変化し、第２ｎ型層でＡｌがＡの組成変化モードで組成が変化し、ＳｎがＪの組成変化モードで組成が変化する。第１ｎ型層のｐ型光吸収層側の表面がＧａ：Ａｌ＝１．４０：０．５０で、第１ｎ型層の第２ｎ型層側の表面がＧａ：Ａｌ＝１．６０：０．２０となるように組成を傾斜的に変化させている。また、第２ｎ型層の第１ｎ型層側の表面がＧａ：Ａｌ：Ｓｎ＝１．８０：０．２０：０．００で、第２ｎ型層の厚さの真ん中付近からＳｎが含まれ、ｎ電極側の表面でＧａ：Ａｌ：Ｓｎ＝１．９０：０．００：０．１０になるように組成を変化させている。
　実施例１８は、第１ｎ型層でＡｌがＢの組成変化モードで組成が変化し、第２ｎ型層でＡｌがＢの組成変化モードで組成が変化する。第１ｎ型層のｐ型光吸収層側の表面がＧａ：Ａｌ＝１．６０：０．４０で、第１ｎ型層の第２ｎ型層側の表面がＧａ：Ａｌ＝１．８０：０．２０となるように組成を階段状に変化させている。第１ｎ型層のＡｌの組成がｐ型光吸収層側の表面から０．４０（ｄ０）、０．３３（ｄ０．２５）、０．２７（ｄ０．５０）、０．２０（ｄ０．７５）、０．２０（ｄ１）になるようにターゲットの比率を調整している。また、第２ｎ型層の第１ｎ型層側の表面がＧａ：Ａｌ：Ｓｎ＝１．７５：０．２０：０．０５で、ｎ電極側の表面がＧａ：Ａｌ＝１．９５：０．００：０．０５になるように組成を階段状に変化させている。第２ｎ型層のＡｌの組成が第１ｎ型層側の表面から０．２０（ｄ０）、０．１３（ｄ０．２５）、０．０７（ｄ０．５０）、０．００（ｄ０．７５）、０．００（ｄ１）になるようにターゲットの比率を調整している。
　実施例１９は、第１ｎ型層でＡｌがＣの組成変化モードで組成が変化し、第２ｎ型層でＡｌがＣの組成変化モードで組成が変化する。第１ｎ型層のｐ型光吸収層側の表面がＧａ：Ａｌ＝１．６０：０．４０で、第１ｎ型層の第２ｎ型層側の表面がＧａ：Ａｌ＝１．７０：０．３０となるように組成を変化させている。また、第２ｎ型層の第１ｎ型層側の表面がＧａ：Ａｌ：Ｓｎ＝１．８０：０．１５：０．０５で、ｎ電極側の表面がＧａ：Ａｌ：Ｓｎ＝１．９０：０．０５：０．０５になるように組成をか変化させている。
　実施例２０は、第１ｎ型層でＡｌがＤの組成変化モードで組成が変化し、第２ｎ型層でＡｌがＤの組成変化モードで組成が変化する。第１ｎ型層のｐ型光吸収層側の表面がＧａ：Ａｌ＝１．５０：０．５０で、第１ｎ型層の厚さ方向の真ん中付近がＧａ：Ａｌ＝１．７０：０．３０で、第１ｎ型層の第２ｎ型層側の表面がＧａ：Ａｌ＝１．６５：０．３５となるように組成を変化させている。また、第２ｎ型層の第１ｎ型層側の表面がＧａ：Ａｌ：Ｓｎ＝１．７５：０．２０：０．０５で、第２ｎ型層の厚さ方向の真ん中付近がＧａ：Ａｌ：Ｓｎ＝１．９０：０．０５：０．０５で、ｎ電極側の表面がＧａ：Ａｌ：Ｓｎ＝１．８５：０．１０：０．０５になるように組成を変化させている。
　実施例２１は、第１ｎ型層でＡｌがＦの組成変化モードで組成が変化し、第２ｎ型層でＡｌがＦの組成変化モードで組成が変化する。第１ｎ型層のｐ型光吸収層側の表面がＧａ：Ａｌ＝１．６０：０．４０で、第１ｎ型層の厚さ方向の真ん中付近から第２ｎ型層側の表面までがＧａ：Ａｌ＝１．８０：０．２０となるように組成を変化させている。また、第２ｎ型層の第１ｎ型層側の表面がＧａ：Ａｌ：Ｓｎ＝１．８０：０．１５：０．０５で、第２ｎ型層の厚さ方向の真ん中付近からｎ電極側の表面までがＧａ：Ａｌ：Ｓｎ＝１．８７：０．０８：０．０５になるように組成を変化させている。
　実施例２２は、第１ｎ型層でＡｌがＡの組成変化モードで組成が変化し、第２ｎ型層でＡｌがＡの組成変化モードで組成が変化する。第１ｎ型層のｐ型光吸収層側の表面がＧａ：Ａｌ＝１．４５：０．５５で、第１ｎ型層の第２ｎ型層側の表面がＧａ：Ａｌ＝１．５５：０．４５となるように組成を傾斜的に変化させている。また、第２ｎ型層の第１ｎ型層側の表面がＧａ：Ａｌ：Ｓｎ＝１．８０：０．１５：０．０５で、ｎ電極側の表面でＧａ：Ａｌ：Ｓｎ＝１．９０：０．０５：０．０５になるように組成を変化させている。
　実施例２３は、第１ｎ型層でＡｌがＡの組成変化モードで組成が変化し、ＨｆがＣの組成変化モードで組成が変化し、ＳｎがＩの組成変化モードで組成が変化し、第２ｎ型層でＡｌがＡの組成変化モードで組成が変化し、ＳｎがＧの組成変化モードで組成が変化する。第１ｎ型層のｐ型光吸収層側の表面がＧａ：Ａｌ：Ｈｆ：Ｓｎ＝１．５４８：０．４０：０．０５：０．００２で、第１ｎ型層の第２ｎ型層側の表面がＧａ：Ａｌ：Ｈｆ：Ｓｎ＝１．７５５：０．２０：０．０３：０．０１５となるように組成を変化させている。また、第２ｎ型層の第１ｎ型層側の表面がＧａ：Ａｌ：Ｓｎ＝１．８３：０．１５：０．０２で、ｎ電極側の表面でＧａ：Ａｌ：Ｓｎ＝１．８７：０．０５：０．０８になるように組成を変化させている。
　実施例２４は、第１ｎ型層でＡｌがＡの組成変化モードで組成が変化し、ＨｆがＥの組成変化モードで組成が変化し、ＳｎがＪの組成変化モードで組成が変化し、第２ｎ型層でＡｌがＡの組成変化モードで組成が変化し、ＳｎがＨの組成変化モードで組成が変化する。さらに、第３ｎ型層のＳｎがＨの組成変化モードで組成が変化する。第１ｎ型層のｐ型光吸収層側の表面がＧａ：Ａｌ：Ｈｆ：Ｓｎ＝１．５２：０．４０：０．０８：０．００で、第１ｎ型層の厚さ方向の真ん中付近がＧａ：Ａｌ：Ｈｆ：Ｓｎ＝１．７０：０．３０：０．００：０．００で、第１ｎ型層の第２ｎ型層側の表面がＧａ：Ａｌ：Ｈｆ：Ｓｎ＝１．７８：０．２０：０．００：０．０２となるように組成を変化させている。また、第２ｎ型層の第１ｎ型層側の表面がＧａ：Ａｌ：Ｓｎ＝１．８３：０．１５：０．０２で、第３ｎ型層側の表面でＧａ：Ａｌ：Ｓｎ＝１．８７：０．０５：０．０８になるように組成を変化させている。また、第３ｎ型層の第１ｎ型層側の表面がＺｎ：Ｓｎ＝１．８５：０．１５で、ｎ電極側の表面でＺｎ：Ｓｎ＝１．５５：０．４５になるように組成を階段状に変化させている。
　実施例２５と実施例２６は、第１領域と第２領域でＡｌがＡの組成変化モードで組成が変化する。ｎ型層のｐ型光吸収層側の表面がＧａ：Ａｌ＝１．４０：０．６０で、ｎ型層のｐ型光吸収層側の表面からｎ電極側に３ｎｍ深い位置がＧａ：Ａｌ＝１．６０：０．４０で、ｎ型層のｐ型光吸収層側の表面からｎ電極側に６ｎｍ深い位置（第１領域と第２領域の境界）がＧａ：Ａｌ＝１．８０：０．２０で、ｎ型層のｐ型光吸収層側の表面からｎ電極側に９ｎｍ深い位置がＧａ：Ａｌ＝１．９０：０．１０で、ｎ型層のｐ型光吸収層側の表面からｎ電極側に１２ｎｍ深い位置（第２領域とｎ電極又は第３ｎ型層の界面）がＧａ：Ａｌ＝２．００：０．００となるように組成を変化させている。
　ＡＭ１．５Ｇの光源を模擬したソーラーシミュレータを用い、その光源下で基準となるＳｉセルを用いて１ｓｕｎになるように光量を調節する。測定は大気圧下で測定室内の気温は２５℃とする。電圧をスイープし、電流密度（電流をセル面積で割ったもの）を測定する。横軸を電圧、縦軸を電流密度とした際に、横軸と交わる点が開放電圧Ｖｏｃとなり、縦軸と交わる点が短絡電流密度Ｊｓｃとなる。測定曲線上において、電圧と電流密度を掛け合わせ、最大になる点をそれぞれＶｍｐｐ、Ｊｍｐｐ（マキシマムパワーポイント）とすると、ＦＦ＝（Ｖｍｐｐ＊Ｊｍｐｐ）／（Ｖｏｃ＊Ｊｓｃ）であり、変換効率Ｅｆｆ．はＥｆｆ．＝Ｖｏｃ＊Ｊｓｃ＊ＦＦで求まる。
　図１５の実施例に関する表に実施例及び比較例の短絡電流（Ｊｓｃ）、開放電圧（Ｖｏｃ）、フィルファクター（ＦＦ）、変換効率及び透光性をまとめて示す。
　透光性は、７００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下の波長帯の光の透光率が７５％以上である場合をＡと評価し、７００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下の波長帯の光の透光率が７０％以上７５％未満である場合をＢと評価し、７００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下の波長帯の光の透光率が７０％未満である場合をＣと評価する。
　Ｊｓｃは、比較例１の変換効率に対して１．１倍以上である場合をＡと評価し、比較例１のＪｓｃに対して１．０倍以上１．１倍未満である場合をＢと評価して、比較例１のＪｓｃに対して１．０倍未満である場合をＣと評価する。
　Ｖｏｃは、比較例１の変換効率に対して１．３倍以上である場合をＡと評価し、比較例１のＶｏｃに対して１．１倍以上１．３倍未満である場合をＢと評価して、比較例２１Ｖｏｃに対して１．１倍未満である場合をＣと評価する。
　ＦＦは、比較例１の変換効率に対して１．１倍以上である場合をＡと評価し、比較例１のＦＦに対して１．０倍以上１．１倍未満である場合をＢと評価して、比較例１のＦＦに対して１．０倍未満である場合をＣと評価する。
　変換効率は、比較例１の変換効率に対して１．５倍以上である場合をＡと評価し、比較例１の変換効率に対して１．１倍以上１．５倍未満である場合をＢと評価して、比較例１の変換効率に対して１．１倍未満である場合をＣと評価する。
　図１５の表から分るように、ｐ型光吸収層の伝導帯とｎ電極の間をエネルギー的にスムーズに接続するために、ｎ型層に、組成を意図的に制御した多層構造または傾斜構造を適用することで、比較例と比べて、Ｊｓｃ、Ｖｏｃ、ＦＦは各々改善して、効率は大幅に向上する。以上の結果より、ｎ層の膜厚方向の伝導帯のエネルギー構造を制御し、適正化することは、Ｃｕ２Ｏ太陽電池の特性向上に向けて、重要な技術であることが理解される。
　明細書中一部の元素は、元素記号のみで示している
　以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態そのままに限定解釈されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を形成することができる。例えば、変形例の様に異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせても良い。
１００，１０１…太陽電池（第１太陽電池）、１…基板、２…ｐ電極（第１ｐ電極２ａ、第２ｐ電極２ｂ）、３…ｐ型光吸収層、４…ｎ型層、５…ｎ電極
２００…多接合型太陽電池、２０１…第２太陽電池、
３００…太陽電池モジュール、６…基板、３０１第１太陽電池モジュール、３０２…第２太陽電池モジュール、３０３…サブモジュール、３０４…バスバー、
４００…太陽光発電システム、４０１…太陽電池モジュール、４０２…コンバーター、４０３…蓄電池、４０４…負荷
５００…車両、５０１…車体、５０２…太陽電池モジュール、５０３…電力変換装置、５０４…蓄電池、５０５…モーター、５０６…タイヤ（ホイール）

Claims (19)

  1. 　ｐ電極と、
    　ｎ電極と、
    　前記ｐ電極と前記ｎ電極の間に位置する亜酸化銅を主体とするｐ型光吸収層と、
    　前記ｐ型光吸収層と前記ｎ電極の間に位置し、Ｇａｘ１Ｍ１ｘ２Ｍ２ｘ３Ｍ３ｘ４Ｏｘ５で表される化合物を主体とする層であって、前記Ｍ１はＡｌ又は／及びＢであり、前記Ｍ２はＩｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｈｆ及びＺｒからなる群より選ばれる１種以上であり、前記Ｍ３はＳｎ、Ｓｉ及びＧｅからなる群より選ばれる１種以上であり、前記ｘ１及びｘ５は、０より大きい数値であり、前記ｘ２、ｘ３及びｘ４は０以上の数値であり、前記ｘ１、ｘ２、ｘ３及びｘ４の和を２とする場合の前記ｘ５は３．０以上３．８以下である第１ｎ型層と、前記第１ｎ型層と前記ｎ電極の間に位置し、Ｇａｙ１Ｍ１ｙ２Ｍ２ｙ３Ｍ３ｙ４Ｏｙ５で表される化合物を主体とする層であって、ｙ１とｙ５は、０より大きい数値であり、ｙ２、ｙ３及びｙ４は０以上の数値であり、ｙ１、ｙ２、ｙ３及びｙ４の和を２とする場合、ｙ５は３．０以上３．８以下である第２ｎ型層を有するｎ型層、又は、前記ｐ型光吸収層と前記ｎ電極の間に位置し、Ｇａｘ１Ｍ１ｘ２Ｍ２ｘ３Ｍ３ｘ４Ｏｘ５で表される化合物を主体とし、前記Ｍ１はＡｌ又は／及びＢであり、前記Ｍ２はＩｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｈｆ及びＺｒからなる群より選ばれる１種以上であり、前記Ｍ３はＳｎ、Ｓｉ及びＧｅからなる群より選ばれる１種以上であり、前記ｘ１及びｘ５は、０より大きい数値であり、前記ｘ２、ｘ３及びｘ４は０以上の数値であり、前記ｘ１、ｘ２、ｘ３及びｘ４の和を２とする場合、前記ｘ５は３．０以上３．８以下である第１ｎ領域と、前記第１ｎ領域と前記ｎ電極の間に位置し、Ｇａｙ１Ｍ１ｙ２Ｍ２ｙ３Ｍ３ｙ４Ｏｙ５で表される化合物を主体とし、ｙ１とｙ５は、０より大きい数値であり、ｙ２、ｙ３及びｙ４は０以上の数値であり、ｙ１、ｙ２、ｙ３及びｙ４の和を２とする場合、ｙ５は３．０以上３．８以下である第２ｎ領域を有するｎ型層と、を有し、
    　（ｘ２＋ｘ３）は、（ｙ２＋ｙ３）より大きい太陽電池。
  2. （ｘ１＋ｘ２）／（ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４）は、０．５０以上１．００以下であり、
    　ｘ２／（ｘ１＋ｘ２）は、０．００以上０．５０以下であり、
    ｘ３／（ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４）は、０．００以上０．５０以下であり、
    ｘ４／（ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４）は、０．００以上０．１５以下である請求項１に記載の太陽電池
  3. （ｘ１＋ｘ２）／（ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４）は０．８０以上１．００以下であり、
    ｘ２／（ｘ１＋ｘ２）は、０．００以上０．４０以下であり、
    ｘ３／（ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４）は、０．００以上０．１０以下であり、
    ４／（ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４）は、０．００以上０．１０以下である請求項１又は２に記載の太陽電池。
  4. （ｙ１＋ｙ２）／（ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４）は、０．６５以上１．００以下であり、
    ｙ２／（ｙ１＋ｙ２）は、０．００以上０．３０以下であり、
    前記ｙ２は、ｘ２の９０％以下であり、
    ｙ３／（ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４）は、０．００以上０．１０以下であり、
    ｙ４／（ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４）は、０．００以上０．１５以下である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の太陽電池。
  5. （ｙ１＋ｙ２）／（ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５）は、０．８０以上１．００以下であり、
    ｙ２／（ｙ１＋ｙ２）は、０．００以上０．２０以下であり
    前記ｙ２は、ｘ２の８０％以下であり、
    ｙ３／（ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４）は、０．００以上０．０５以下であり
    ｙ４／（ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４）は０．０１以上０．１５以下である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の太陽電池。
  6. 　前記ｎ型層は、前記第２ｎ型層と前記ｎ電極の間に位置し、Ｇａｚ１Ｚｎｚ２Ｓｎｚ３Ｍ４ｚ４Ｏｚ５で表される化合物を主体とする層であって、Ｍ４はＨｆ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｂ、Ｍｇ、Ｓｉ及びＧｅからなる群より選ばれる１種以上であり、ｚ１、ｚ２及びｚ４は、０以上の数値であり、ｚ３は０以上の数値であり、ｚ１、ｚ２、ｚ３及びｚ４の和を２とする場合、ｚ５は２．２以上３．６以下である第３ｎ型層をさらに有する、又は、前記第２領域と前記ｎ電極の間に位置し、Ｇａｚ１Ｚｎｚ２Ｓｎｚ３Ｍ４ｚ４Ｏｚ５で表される化合物を主体とする層であって、Ｍ４はＨｆ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｂ、Ｍｇ、Ｓｉ及びＧｅからなる群より選ばれる１種以上であり、ｚ１、ｚ２及びｚ４は、０以上の数値であり、ｚ３は０以上の数値であり、ｚ１、ｚ２、ｚ３及びｚ４の和を２とする場合、ｚ５は２．２以上３．６以下である第３領域をさらに有する請求項１ないし５のいずれか１項に記載の太陽電池。
  7. 　（ｚ１＋ｚ２）／（ｚ１＋ｚ２＋ｚ３＋ｚ４）は、０．６０以上０．９８以下であり、
    　ｚ３／（ｚ１＋ｚ２＋ｚ３＋ｚ４）は、０．１０以上０．５０以下であり、
    　ｚ４／（ｚ１＋ｚ２＋ｚ３＋ｚ４）は０．００以上０．０５以下である請求項１ないし６のいずれか１項に記載の太陽電池。
  8. 　（ｚ１＋ｚ２）／（ｚ１＋ｚ２＋ｚ３＋ｚ４）は、０．６５以上０．９５以下であり、
    　ｚ３／（ｚ１＋ｚ２＋ｚ３＋ｚ４）は、０．１５以上０．３０以下である請求項１ないし７のいずれか１項に記載の太陽電池。
  9. 　前記第１ｎ型層の厚さをｄ４Ａとする場合、
    　前記ｐ型光吸収層側の前記第１ｎ型層の表面から前記第２ｎ型層側に向かって０．２５ｄ４Ａの位置までの領域ｄＡ０－０．２５における前記Ｍ１の元素比率は、ｘ２の１．１０倍以上２．５０倍以下であり、
    　前記ｐ型光吸収層側の前記第１ｎ型層の表面から前記第２ｎ型層側に向かって０．２５ｄ４Ａの位置から前記第２ｎ型層側に向かって０．５０ｄ４Ａの位置までの領域ｄＡ０．２５－０．５０における前記Ｍ１の元素比率は、ｘ２の０．７５倍以上１．５０倍以下であり、
    　前記ｐ型光吸収層側の前記第１ｎ型層の表面から前記第２ｎ型層側に向かって０．５０ｄ４Ａの位置から前記第２ｎ型層側に向かって０．７５ｄ４Ａの位置までの領域ｄＡ０．５０－０．７５における前記Ｍ１の元素比率は、ｘ２の０．３０倍以上１．５０倍以下であり、
    　前記ｐ型光吸収層側の前記第１ｎ型層の表面から前記第２ｎ型層側に向かって０．７５ｄ４Ａの位置から前記第２ｎ型層側に向かって１．００ｄ４Ａの位置までの領域ｄＡ０．７５－１における前記Ｍ１の元素比率は、ｘ２の０．１０倍以上０．９０倍以下である請求項１ないし８のいずれか１項に記載の太陽電池。
  10. 　前記領域ｄＡ０－０．２５における前記Ｍ１の元素比率は、前記領域ｄＡ０．２５－０．５０における前記Ｍ１の元素比率以上であり、
    　前記領域ｄＡ０．２５－０．５０における前記Ｍ１の元素比率は、前記領域ｄＡ０．５０－０．７５における前記Ｍ１の元素比率以上であり、
    　前記領域ｄＡ０．５０－０．７５における前記Ｍ１の元素比率は、前記領域ｄＡ０．７５－１における前記Ｍ１の元素比率以上であり、
    　前記領域ｄＡ０．７５－１．０における前記Ｍ１の元素比率は、前記領域０ｄＡ０－０．２５における前記Ｍ１の元素比率の半分以下である請求項９に記載の太陽電池。
  11. 　前記第１ｎ型層の厚さをｄ４Ａとする場合、
    　前記ｐ型光吸収層側の前記第１ｎ型層の表面から前記第２ｎ型層側に向かって０．２５ｄ４Ａの位置までの領域ｄＡ０－０．２５におけるＧａ比率は、ｘ１の０．７５倍以上０．９８倍以下であり、
    　前記ｐ型光吸収層側の前記第１ｎ型層の表面から前記第２ｎ型層側に向かって０．２５ｄ４Ａの位置から前記第２ｎ型層側に向かって０．５０ｄ４Ａの位置までの領域ｄＡ０．２５－０．５０におけるＧａの元素比率は、ｘ１の０．８０倍以上１．１０倍以下であり、
    　前記ｐ型光吸収層側の前記第１ｎ型層の表面から前記第２ｎ型層側に向かって０．５０ｄ４Ａの位置から前記第２ｎ型層側に向かって０．７５ｄ４Ａの位置までの領域ｄＡ０．５０－０．７５におけるＧａの元素比率は、ｘ１の０．９０倍以上１．２０倍以下であり、
    　前記ｐ型光吸収層側の前記第１ｎ型層の表面から前記第２ｎ型層側に向かって０．７５ｄ４Ａの位置から前記第２ｎ型層側に向かって１．００ｄ４Ａの位置までの領域ｄＡ０．７５－１におけるＧａの元素比率は、ｘ１の１．０２倍上１．２５倍以下である請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の太陽電池。
  12. 　前記領域ｄＡ０－０．２５におけるＧａの元素比率は、前記領域ｄＡ０．２５－０．５０におけるＧａの元素比率以下であり、
    　前記領域ｄＡ０．２５－０．５０におけるＧａの元素比率は、前記領域ｄＡ０．５０－０．７５におけるＧａの元素比率以下であり、
    　前記領域ｄＡ０．５０－０．７５におけるＧａの元素比率は、前記領域ｄＡ０．７５－１におけるＧａの元素比率以下である請求項９ないし１１のいずれか１項に記載の太陽電池。
  13. 　前記第２ｎ型層の厚さをｄ４Ｂとする場合、
    　前記第１ｎ型層側の前記第２ｎ型層の表面から前記ｎ電極側に向かって０．２５ｄ４Ｂの位置までの領域ｄＢ０－０．２５における前記Ｍ１の元素比率は、ｙ２の１．１０倍以上４．００倍以下であり、
    　前記第１ｎ型層側の前記第２ｎ型層の表面から前記ｎ電極側に向かって０．２５ｄ４Ｂの位置から前記ｎ電極側に向かって０．５０ｄ４Ｂの位置までの領域ｄＢ０．２５－０．５０における前記Ｍ１の元素比率は、ｙ２の０．００倍以上１．５０倍以下であり、
    　前記第１ｎ型層側の前記第２ｎ型層の表面から前記ｎ電極側に向かって０．５０ｄ４Ｂの位置から前記ｎ電極側に向かって０．７５ｄ４Ｂの位置までの領域ｄＢ０．５０－０．７５における前記Ｍ１の元素比率は、ｙ２の０．００倍以上１．２５倍以下であり、
    　前記第１ｎ型層側の前記第２ｎ型層の表面から前記ｎ電極側に向かって０．７５ｄ４Ｂの位置から前記ｎ電極側に向かって１．００ｄ４Ｂの位置までの領域ｄＢ０．７５－１における前記Ｍ１の元素比率は、ｙ２の０．００倍以上０．９０倍以下である請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の太陽電池。
  14. 　前記領域ｄＢ０－０．２５における前記Ｍ１の元素比率は、前記領域ｄＢ０．２５－０．５０における前記Ｍ１の元素比率以上であり、
    　前記領域ｄＢ０．２５－０．５０における前記Ｍ１の元素比率は、前記領域ｄＢ０．５０－０．７５における前記Ｍ１の元素比率以上であり、
    　前記領域ｄＢ０．５０－０．７５における前記Ｍ１の元素比率は、前記領域ｄＢ０．７５－１における前記Ｍ１の元素比率以上であり、
    　前記領域ｄＢ０．７５－１．００における前記Ｍ１の元素比率は、前記領域ｄＢ０－０．２５における前記Ｍ１の元素比率の半分以下である請求項１３に記載の太陽電池。
  15. 　前記第２ｎ型層の厚さをｄ４Ｂとする場合、
    　前記第１ｎ型層側の前記第２ｎ型層の表面から前記ｎ電極側に向かって０．２５ｄ４Ｂの位置までの領域ｄＢ０－０．２５における前記Ｍ３の元素比率は、ｙ４の０．００倍以上０．７５倍以下であり、
    　前記第１ｎ型層側の前記第２ｎ型層の表面から前記ｎ電極側に向かって０．２５ｄ４Ｂの位置から前記ｎ電極側に向かって０．５０ｄ４Ｂの位置までの領域ｄＢ０．２５－０．５０における前記Ｍ３の元素比率は、ｙ４の０．３０倍以上１．５０倍以下であり、
    　前記第１ｎ型層側の前記第２ｎ型層の表面から前記ｎ電極側に向かって０．５０ｄ４Ｂの位置から前記ｎ電極側に向かって０．７５ｄ４Ｂの位置までの領域ｄＢ０．５０－０．７５における前記Ｍ３の元素比率は、ｙ４の０．７５倍以上２．００倍以下であり、
    　前記第１ｎ型層側の前記第２ｎ型層の表面から前記ｎ電極側に向かって０．７５ｄ４Ｂの位置から前記ｎ電極側に向かって１．００ｄ４Ｂの位置までの領域ｄＢ０．７５－１における前記Ｍ３の元素比率は、ｙ４の１．１０倍以上３．００倍以下である請求項１ないし１４のいずれか１項に記載の太陽電池。
  16. 　前記領域ｄＢ０－０．２５における前記Ｍ３の元素比率は、前記領域ｄＢ０．２５－０．５０における前記Ｍ３の元素比率以下であり
    　前記領域ｄＢ０．２５－０．５０における前記Ｍ３の元素比率は、前記領域ｄＢ０．５０－０．７５における前記Ｍ３の元素比率以下であり、
    　前記領域ｄＢ０．５０－０．７５における前記Ｍ３の元素比率は、前記領域ｄＢ０．７５－１における前記Ｍ３の元素比率以下であり、
    　前記領域ｄＢ０－０．２５における前記Ｍ３の元素比率は、前記領域ｄＢ０．７５－１．００における前記Ｍ３の元素比率の半分以下である請求項１５に記載の太陽電池。
  17. 　請求項１ないし１６のいずれか１項に記載の太陽電池と、
    　請求項１ないし１６のいずれか１項に記載の太陽電池のｐ型光吸収層よりもバンドギャップの小さい光吸収層を有する太陽電池とを有する多接合型太陽電池。
  18. 　請求項１ないし１６のいずれか１項に記載の太陽電池を用いた太陽電池モジュール。
  19. 　請求項１８に記載の太陽電池モジュールを用いて太陽光発電を行う太陽光発電システム。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11901474B2 (en) 2020-10-09 2024-02-13 Kabusaires Kaisha Toshiba Solar cell, multi-junction solar cell, solar cell module, and photovoltaic power generation system
WO2024062661A1 (en) * 2022-09-20 2024-03-28 Kabushiki Kaisha Toshiba N-type semiconductor layer, solar cell, multi-junction solar cell, solar cell module, and photovoltaic power generation system

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017098479A (ja) * 2015-11-27 2017-06-01 学校法人金沢工業大学 光電変換素子、タンデム型光電変換素子および光充電型バッテリー装置
JP2019057536A (ja) * 2017-09-19 2019-04-11 株式会社東芝 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム
CN110112225A (zh) * 2019-04-04 2019-08-09 浙江师范大学 一种氧化亚铜-氧化锌异质结太阳能电池及其制备方法
WO2020059053A1 (ja) * 2018-09-19 2020-03-26 株式会社 東芝 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012238720A (ja) * 2011-05-11 2012-12-06 Mitsubishi Electric Corp 薄膜太陽電池およびその製造方法
CN103646972B (zh) * 2013-12-20 2016-04-27 湖南共创光伏科技有限公司 一种tco薄膜及其制备方法
JP6276610B2 (ja) * 2014-02-28 2018-02-07 学校法人金沢工業大学 光電変換素子の製造方法およびｐ型半導体層の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017098479A (ja) * 2015-11-27 2017-06-01 学校法人金沢工業大学 光電変換素子、タンデム型光電変換素子および光充電型バッテリー装置
JP2019057536A (ja) * 2017-09-19 2019-04-11 株式会社東芝 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム
WO2020059053A1 (ja) * 2018-09-19 2020-03-26 株式会社 東芝 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム
CN110112225A (zh) * 2019-04-04 2019-08-09 浙江师范大学 一种氧化亚铜-氧化锌异质结太阳能电池及其制备方法

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CHUA, DANNY ET AL.: "Enhancement of the open circuit voltage of Cu20/Ga203 heterojunction solar cells through the mitigation of interfacial recombination", AIP ADVANCES, vol. 9, no. 5, 2 May 2019 (2019-05-02), pages 055203 - 1-055203-6, XP012237611, DOI: 10.1063/1.5096283 *
MINAMI TADATSUGU, MIYATA TOSHIHIRO, NISHI YUKI: "Cu2O-based heterojunction solar cells with an Al-doped ZnO/oxide semiconductor/thermally oxidized Cu2O sheet structure", SOLAR ENERGY, ELSEVIER, AMSTERDAM, NL, vol. 105, 1 July 2014 (2014-07-01), AMSTERDAM, NL, pages 206 - 217, XP055934235, ISSN: 0038-092X, DOI: 10.1016/j.solener.2014.03.036 *
MINAMI TADATSUGU, NISHI YUKI, MIYATA TOSHIHIRO: "Heterojunction solar cell with 6% efficiency based on an n-type aluminum–gallium–oxide thin film and p-type sodium-doped Cu 2 O sheet", APPLIED PHYSICS EXPRESS, JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS; JP, JP, vol. 8, no. 2, 1 February 2015 (2015-02-01), JP , pages 022301, XP055868523, ISSN: 1882-0778, DOI: 10.7567/APEX.8.022301 *
NISHI Y; MIYATA T; MINAMI T: "Cu20-based heterojunction solar cells fabricated using multicomponent oxide semiconductor thin films as an n-type semiconductor layer", PROCEEDINGS OF THE 60TH JSAP SPRING MEETING, 27 March 2013 (2013-03-27), pages 6 - 204, XP009537041 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11901474B2 (en) 2020-10-09 2024-02-13 Kabusaires Kaisha Toshiba Solar cell, multi-junction solar cell, solar cell module, and photovoltaic power generation system
WO2024062661A1 (en) * 2022-09-20 2024-03-28 Kabushiki Kaisha Toshiba N-type semiconductor layer, solar cell, multi-junction solar cell, solar cell module, and photovoltaic power generation system

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