JP2020188074A - 回路基板及びその作製方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の第1の実施形態に係る回路基板について図1を参照して説明する。回路基板1は、基材2と、基材2上のプライマ層3と、プライマ層3上の光焼成皮膜4と、光焼成皮膜4上のめっき層5を備える。光焼成皮膜4は、銅微粒子の光焼成によってプライマ層3上に形成される。基材2は、ポリエーテルエーテルケトンから成る。プライマ層3は、溶剤可溶型熱可塑性ポリイミド樹脂及びエポキシ樹脂を含有する樹脂層31である。
本発明の第2の実施形態に係る回路基板について図3を参照して説明する。図3は本実施形態の回路基板10の断面構成を示す。本実施形態の回路基板10は、第1の実施形態の回路基板1と同様の構成を有し(以下同様)、プライマ層3が単層ではなく、複層である点が異なる。本実施形態では、第1の実施形態と同等の箇所には同じ符号を付している。以下の説明において、第1の実施形態と同等の箇所の詳細な説明は省略する。
実施例1と同じ基材2を用い、基材2に表面処理は施さなかった。基材2上にプライマ層3を形成しなかった。それ以外の条件は実施例1と同じにして、基材2上に光焼成皮膜4を直接形成した(図5参照)。基材2上に形成された光焼成皮膜4に実施例1と同様に電気銅めっきを施した。めっき中に光焼成皮膜4が基材2から剥離した。プライマ層3を設けない場合、光焼成皮膜4の基材2への密着性が不十分であることが確認された。
基材2の厚みを50μmとし、基材2にプラズマ処理を施した。プラズマ処理におけるプラズマ電力は400Wとし、処理時間は30秒とした。それ以外の条件を比較例1と同じにして基材2上に光焼成皮膜4を直接形成した。基材2上に形成された光焼成皮膜4に電気銅めっきを施した。めっき中に光焼成皮膜4が基材2から剥離した。プライマ層3を設けない場合、基材2にプラズマ処理を施しても、光焼成皮膜4の基材2への密着性が不十分であることが確認された。
実施例7に対する比較例として、図6に示すように、プライマ層3における第1の樹脂層を省略し、第2の樹脂層32を設けた回路基板100を作製して試験を行った。実施例7と同じ基材2を用い、基材2に表面処理を施さなかった。基材2上に第1の樹脂層を形成せず、ポリアミドイミド樹脂を含有する第2の樹脂層32を形成した。そして、実施例7と同じ銅微粒子分散液を用い、実施例7と同様の光焼成により、第2の樹脂層32上に光焼成皮膜4を形成した。そして、光焼成皮膜4に電気銅めっきを施した。この電気銅めっきにより、光焼成皮膜4上にめっき厚10μmのめっき層5を形成した。
第2の樹脂層を設けない実施例1〜実施例6では、実施例6が最も導体層6の剥離強度が大きかった。実施例7に対する比較例として、実施例6で作製した回路基板1について、実施例7と同様に高温放置試験を行った。試験片を150℃で168時間放置後、180°ピール試験をした。高温放置後、導体層6の剥離強度は、0.03N/mmに低下していた。その試験における剥離面は、樹脂層31と光焼成皮膜4間であった。すなわち、プライマ層3として、第2の樹脂層32を設けず、溶剤可溶型熱可塑性ポリイミド樹脂及びエポキシ樹脂を含有する樹脂層31のみの場合、回路基板1は、この高温放置試験に耐えないことが確認された。
実施例6に対する比較例として、実施例6と同じ材料を用い、光焼成にかえて、熱焼成を行って同様の構成を有する回路基板を作製して試験を行った。その熱焼成において、窒素雰囲気にギ酸を混入し、焼成温度150℃、焼成時間10分間とし、樹脂層31上に焼成皮膜を形成した。その焼成皮膜は、光焼成の場合と同程度の電気抵抗(シート抵抗)となった。その焼成皮膜に電気銅めっきを施すことは可能であった。作成した回路基板について実施例6と同様に180°ピール試験をした。比較例5における導体層の剥離強度は、0.05N/mm未満であった。この試験結果は、熱焼成では、銅微粒子の樹脂層31へのくい込みが発生しないためと考えられる。
実施例7に対する比較例として、実施例7と同じ材料を用い、光焼成にかえて、熱焼成を行って同様の構成を有する回路基板を作製して試験を行った。その熱焼成において、窒素雰囲気にギ酸を混入し、焼成温度150℃、焼成時間10分間とし、第2の樹脂層32上に焼成皮膜を形成した。その焼成皮膜は、光焼成の場合と同程度の電気抵抗(シート抵抗)となった。その焼成皮膜に電気銅めっきを施すことは可能であった。作成した回路基板について実施例7と同様に180°ピール試験をした。比較例6における導体層の剥離強度は、0.05N/mm未満であった。この試験結果は、熱焼成では、銅微粒子の第2の樹脂層32へのくい込みが発生しないためと考えられる。
10 回路基板
2 基材
3 プライマ層
31 樹脂層、第1の樹脂層
32 第2の樹脂層
4 光焼成皮膜
41 銅微粒子
5 めっき層
6 導体層
Claims (4)
- 基材と、
前記基材上のプライマ層と、
銅微粒子の光焼成によって前記プライマ層上に形成された光焼成皮膜と、
前記光焼成皮膜上のめっき層とを備えた回路基板であって、
前記基材は、ポリエーテルエーテルケトンから成り、
前記プライマ層は、溶剤可溶型熱可塑性ポリイミド樹脂及びエポキシ樹脂を含有する樹脂層であることを特徴とする回路基板。 - 基材と、
前記基材上のプライマ層と、
銅微粒子の光焼成によって前記プライマ層上に形成された光焼成皮膜と、
前記光焼成皮膜上のめっき層とを備えた回路基板であって、
前記基材は、ポリエーテルエーテルケトンから成り、
前記プライマ層は、溶剤可溶型熱可塑性ポリイミド樹脂及びエポキシ樹脂を含有する第1の樹脂層と、前記第1の樹脂層上のポリアミドイミド樹脂を含有する第2の樹脂層から成ることを特徴とする回路基板。 - 溶剤可溶型熱可塑性ポリイミド樹脂及びエポキシ樹脂を含有する樹脂層をポリエーテルエーテルケトンから成る基材上に形成する工程と、
銅微粒子分散液を用いて銅微粒子から成る微粒子層を前記樹脂層上に形成する工程と、
前記微粒子層を光焼成して光焼成皮膜を形成する工程と、
前記光焼成皮膜上にめっき層を形成する工程とを有することを特徴とする回路基板の作製方法。 - 溶剤可溶型熱可塑性ポリイミド樹脂及びエポキシ樹脂を含有する第1の樹脂層をポリエーテルエーテルケトンから成る基材上に形成する工程と、
ポリアミドイミド樹脂を含有する第2の樹脂層を前記第1の樹脂層上に形成する工程と、
銅微粒子分散液を用いて銅微粒子から成る微粒子層を前記第2の樹脂層上に形成する工程と、
前記微粒子層を光焼成して光焼成皮膜を形成する工程と、
前記光焼成皮膜上にめっき層を形成する工程とを有することを特徴とする回路基板の作製方法。
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