JP2020183944A - 圧力センサ - Google Patents
圧力センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020183944A JP2020183944A JP2020071349A JP2020071349A JP2020183944A JP 2020183944 A JP2020183944 A JP 2020183944A JP 2020071349 A JP2020071349 A JP 2020071349A JP 2020071349 A JP2020071349 A JP 2020071349A JP 2020183944 A JP2020183944 A JP 2020183944A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- stem
- housing
- pressure sensor
- land
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 27
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 39
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 23
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 11
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 PPS (that is Polymers 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 3
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 1
- 238000010273 cold forging Methods 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
Description
第1実施形態の圧力センサについて、図面を参照しつつ説明する。なお、本実施形態の圧力センサは、例えば、内燃機関の燃焼圧を検出するのに利用されると好適である。
第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対し、歪み検出素子30と絶縁膜20との間に低ドープ層を配置したものである。その他に関しては、第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
第3実施形態について説明する。本実施形態は、第2実施形態に対し、保護膜21に形成される開口部21aの形状を変更したものである。その他に関しては、第2実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
上記第3実施形態の変形例について説明する。上記第3実施形態において、配線の制約等により、パッド部33のうちの延設部分322の端部を覆う部分を露出させるように開口部21aを形成しなくてはならない可能性もある。この場合、開口部21aは、歪み検出素子30におけるパッド部33から露出する部分との距離が遠くなるようにすることが好ましい。例えば、図5と図9とを比較すると、パッド部33のうちの延設部分322の端部を覆う部分を露出させる開口部21aと、歪み検出素子30におけるパッド部33から露出する部分との距離は、図5の方が長くなる。このため、図5のように、歪み検出素子30におけるパッド部33から露出する部分と開口部21aの端部との距離が遠くなるようにすることが好ましい。
第4実施形態について説明する。本実施形態は、第2実施形態に対し、第1ステム101に薄肉部を形成したものである。その他に関しては、第2実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
上記第4実施形態において、溝部112は、第1ステム101の外壁面を一周するように形成されていなくてもよい。また、溝部112は、外壁面ではなく、内壁面に形成されていてもよい。このように溝部112を形成しても、第1ステム101には、溶接部103とダイアフラム13との間の部分に薄肉部111が形成されるため、上記第4実施形態と同様の効果を得ることができる。
第5実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対し、回路基板50の構成を変更したものである。その他に関しては、第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
第6実施形態について説明する。本実施形態は、第5実施形態に対し、回路基板50の構成を変更したものである。その他に関しては、第5実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
第7実施形態について説明する。本実施形態は、第5実施形態に対し、回路基板50の構成を変更したものである。その他に関しては、第5実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
第8実施形態について説明する。本実施形態は、第7実施形態に対し、回路基板50の構成を変更したものである。その他に関しては、第7実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
第9実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対し、ハウジング40の形状を変更したものである。その他に関しては、第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
上記第9実施形態の変形例について説明する。上記第9実施形態において、高さ用突起421は、中心軸aを中心として周方向に等間隔に四箇所以上形成されていてもよい。但し、高さ用突起421を四箇所以上形成したとしても、回路基板50は、原理的には、各高さ用突起421と三箇所で当接することになる。
第10実施形態について説明する。本実施形態は、第9実施形態に対し、ハウジング40の形状を変更したものである。その他に関しては、第9実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
上記第10実施形態の変形例について説明する。上記第10実施形態において、高さ用突起421を形成せずに二つの辺部422を備えるようにしてもよい。この場合、二つの辺部422は、各端部同士の間の周方向の長さが等間隔となるように形成されればよい。このような構成としても、回路基板50が二箇所で辺部422と当接するため、上記9実施形態と同様の効果を得ることができる。
第11実施形態について説明する。本実施形態は、第9実施形態に対し、ハウジング40の構成を変更したものである。その他に関しては、第9実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
上記第11実施形態の変形例について説明する。上記第11実施形態において、図23に示されるように、位置合わせ用突起423は、高さ用突起421と別に形成されていてもよい。また、凹部53は、図23に示されるように、回路基板50の外縁部に形成されていてもよい。つまり、凹部5は、回路基板50の外縁部に形成された切欠きであってもよい。
第12実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対し、回路基板50に導通端子部を備えたものである。その他に関しては、第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
第12実施形態の変形例について説明する。上記第12実施形態では、回路基板50の外縁部に切欠部54を形成する例に説明したが、回路基板50の内縁部に貫通孔を形成し、当該貫通孔に導通端子部900を配置するようにしてもよい。
第13実施形態について説明する。本実施形態は、第12実施形態に対し、導通端子部900の構成を変更したものである。その他に関しては、第12実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
12 圧力導入孔
13 ダイアフラム
30 歪み検出素子
101 第1ステム
102 第2ステム
103 溶接部
121 薄肉部
Claims (19)
- 圧力媒体の圧力を検出する圧力センサであって、
前記圧力媒体が導入される圧力導入孔(12)が形成されると共に、前記圧力媒体の圧力に応じて変形可能なダイアフラム(13)が形成されたステム(10)と、
前記ダイアフラムに配置され、前記ダイアフラムの変形に応じた検出信号を出力する歪み検出素子(30)と、を備え、
前記ステムは、前記ダイアフラム側を構成する第1ステム(101)と、前記圧力導入孔における開口端側を構成する第2ステム(102)と、を有し、前記第1ステムと前記第2ステムとが溶接部(103)を介して接合されることで構成され、
前記第2ステムは、前記溶接部と前記開口端との間に、前記溶接部が形成される部分よりも内壁面と外壁面との間の厚さが薄くされた薄肉部(121)を有する圧力センサ。 - 前記第1ステムは、前記第2ステムより強度が高い材料を用いて構成されている請求項1に記載の圧力センサ。
- 前記第1ステムは、一端部側が開口すると共に他端部側に前記ダイアフラムを有する有底筒状とされ、
前記第2ステムは、両端部側が開口した筒状とされ、前記第1ステム側の端部に、前記第1ステムの一端部側に挿入される位置合わせ部(122)が形成されている請求項1または2に記載の圧力センサ。 - 中空部を有する筒状とされて一端部側が前記ステムと接合され、前記ダイアフラムの周囲に搭載部(42)を構成するハウジング(40)と、
表面(50a)および裏面(50b)を有し、前記表面側に前記歪み検出素子と電気的に接続される素子用ランド(503)が形成されている共に、前記裏面側が前記搭載部と対向する状態で前記搭載部に搭載される回路基板(50)と、を有し、
前記回路基板は、表面と裏面との間を貫通する貫通孔(51)が形成され、前記貫通孔に前記ステムが位置する状態で前記搭載部に搭載されている請求項1ないし3のいずれか1つに記載の圧力センサ。 - 二組の対向する一辺(701a〜701d)を有する外形とされ、前記回路基板に配置される電子部品(70)を有し、
前記電子部品は、前記二組の対向する一辺のうちの二辺が前記貫通孔の中心と前記回路基板の外縁部とを結ぶ仮想線(K)と交差する状態で前記回路基板に配置され、前記貫通孔側の一辺(701a)と異なる三辺(701b〜701d)に形成された複数の電極部(702)を有し、
前記回路基板は、前記貫通孔側の一辺と異なる三辺に形成された前記電極部とはんだ(71)を介して接続される複数の電極部用ランド(501a〜501c)を有し、
前記貫通孔側の一辺と交差する二辺(701b、701d)に形成された前記電極部と接続される前記電極部用ランドとしての側方ランド(501a、501b)は、当該電極部と対向する位置に形成されていると共に互いに分離され、前記回路基板の面方向に対する法線方向において、前記電子部品から突出するように延設されており、
前記貫通孔側の一辺と対向する一辺(701c)に形成された前記電極部と接続される前記電極部用ランドとしての対向ランド(501)は、当該電極部と対向する位置に形成されていると共に隣合う前記電極部用ランドが繋がって構成されており、前記回路基板の面方向に対する法線方向において、前記電子部品から突出するように延設され、かつ突出長さ(L2)が前記側方ランドの突出長さ(L1)よりも短くされている請求項4に記載の圧力センサ。 - 前記回路基板に配置される電子部品(70)を有し、
前記回路基板は、前記表面側に、外部回路と接続される外部接続用ランド(502a〜502c)と前記電子部品と接続される電極部用ランド(501a)とを接続する外部接続用パターン(511a〜511c)と、前記素子用ランドと前記電子部品と接続される電極部用ランド(501b)とを接続するセンシング用パターン(512)を有し、
前記外部接続用パターンと前記センシング用パターンとは、前記貫通孔の中心と前記回路基板の外縁部とを結ぶ仮想線(K)に対し、それぞれ異なる仮想線と交差するように形成されている請求項4または5に記載の圧力センサ。 - 前記外部接続用パターンは、外部回路から電源電圧が印加される電源用ランド(502a)と前記電極部用ランドとを接続する電源用パターン(511a)を有し、
前記回路基板には、前記電源用パターンと前記センシング用パターンとの間に、所定電位に維持されるガードパターン(520)が形成されている請求項6に記載の圧力センサ。 - 前記ハウジングに組み付けられるコネクタケース(80)と、
前記ケースに保持され、前記ハウジングに組み付けられた際に前記回路基板と電気的に接続される端子部材(85)と、を有し、
前記ダイアフラム上には、前記歪み検出素子を覆うゲルで構成される保護部材(22)が配置され、
前記回路基板には、前記表面側に、前記歪み検出素子とワイヤ(52)を介して電気的に接続される前記素子用ランド、および前記端子部材が当接されることで当該端子部材と接続される外部接続用ランド(502a〜502c)が形成されていると共に、所定領域を開口させる開口部(531)が形成された保護層(530)が形成されており、
前記保護層には、前記素子用ランドから前記外部接続用ランドへ前記ゲルが流れることを抑制する堰き止め構造(531、540)が形成されている請求項4ないし7のいずれか1つに記載の圧力センサ。 - 前記堰き止め構造は、前記開口部が前記素子用ランドを露出させると共に前記貫通孔まで達するように形成されていることで構成されている請求項8に記載の圧力センサ。
- 前記堰き止め構造は、前記素子用ランドと前記外部接続用ランドとの間に位置する前記保護層に凹凸構造のダム部(540)が形成されることで構成されている請求項8または9に記載の圧力センサ。
- 前記回路基板と前記搭載部との間に配置される接合部材(60)を有し、
前記ハウジングには、前記搭載部に三個以上の凸部(421、422)が形成されており、
前記回路基板は、前記凸部と三箇所で当接し、
前記三個以上の凸部は、前記ハウジングの中心軸(a)に対する周方向の隣合う前記凸部同士の間隔が等しくされていると共に高さが等しくされている請求項4ないし10のいずれか1つに記載の圧力センサ。 - 前記回路基板と前記搭載部との間に配置される接合部材(60)を有し、
前記ハウジングには、前記搭載部に二個の凸部(421、422)が形成されており、
前記回路基板は、前記凸部と二箇所で当接し、
前記二個の凸部は、前記ハウジングの中心軸(a)に対する周方向の隣合う前記凸部同士の間隔が等しくされていると共に高さが等しくされており、少なくとも1つの前記凸部は、前記回路基板と当接する部分が所定長さを有する辺部(422)とされている請求項4ないし10のいずれか1つに記載の圧力センサ。 - 前記ハウジングに組み付けられるコネクタケース(80)と、
前記ケースに保持され、前記ハウジングに組み付けられた際に前記回路基板と電気的に接続される端子部材(85)と、を有し、
前記回路基板には、前記表面側に、前記素子用ランド、および前記端子部材が当接されることで当該端子部材と接続される外部接続用ランド(502a〜502c)が形成されており、
1つの前記凸部は、前記回路基板を挟んで前記端子部材と反対側に位置している請求項11または12に記載の圧力センサ。 - 前記回路基板には、位置合わせ用の凹部(53)が形成され、
前記ハウジングには、前記搭載部に、前記回路基板の凹部に差し込まれる位置合わせ用突起(423)が形成されている請求項11ないし13のいずれか1つに記載の圧力センサ。 - 前記回路基板には、ボディグラウンド用のパッド部(550)が形成され、
前記パッド部と電気的に接続されると共に、前記搭載部と電気的に接続される導通端子部(900)を有し、
前記導通端子部は、前記搭載部と溶接部(940)を介して接続され、
前記回路基板と前記搭載部との間には、前記回路基板と前記ハウジングとを機械的に接続する接合部材(60)が配置されている請求項4ないし14のいずれか1つに記載の圧力センサ。 - 前記回路基板には、外縁部に切欠部(54)が形成され、
前記導通端子部のうちの前記パッド部と接合される部分と異なる部分は、前記回路基板の面方向に対する法線方向において、前記切欠部内に収容されている請求項15に記載の圧力センサ - 前記パッド部は、前記回路基板の表面側に形成され、
前記導通端子部は、前記パッド部とはんだ(560)を介して接続されている請求項15または16に記載の圧力センサ。 - 前記導通端子部は、前記パッド部と接続される基板側接続部(910)と、前記搭載部と接続されるハウジング側接続部(920)と、前記基板側接続部と前記ハウジング側接続部とを連結する連結部(930)を有し、
前記連結部は、弾性変形可能な弾性部(933)を有している請求項15ないし17のいずれか1つに記載の圧力センサ。 - 前記導通端子部は、前記回路基板の表面側から突出する部分を有し、
前記弾性部は、前記回路基板の裏面側から前記回路基板の表面上まで延設されている請求項18に記載の圧力センサ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019085905 | 2019-04-26 | ||
JP2019085905 | 2019-04-26 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020183944A true JP2020183944A (ja) | 2020-11-12 |
JP2020183944A5 JP2020183944A5 (ja) | 2021-12-02 |
JP7342771B2 JP7342771B2 (ja) | 2023-09-12 |
Family
ID=73045076
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020071349A Active JP7342771B2 (ja) | 2019-04-26 | 2020-04-10 | 圧力センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7342771B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02131640U (ja) * | 1989-04-06 | 1990-11-01 | ||
JPH0534550U (ja) * | 1991-10-15 | 1993-05-07 | エヌオーケー株式会社 | 圧力センサ |
JP2006038538A (ja) * | 2004-07-23 | 2006-02-09 | Nagano Keiki Co Ltd | 圧力センサ |
US20120297886A1 (en) * | 2009-10-14 | 2012-11-29 | Chul-Sub Lee | Vertical Pressure Sensor |
-
2020
- 2020-04-10 JP JP2020071349A patent/JP7342771B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02131640U (ja) * | 1989-04-06 | 1990-11-01 | ||
JPH0534550U (ja) * | 1991-10-15 | 1993-05-07 | エヌオーケー株式会社 | 圧力センサ |
JP2006038538A (ja) * | 2004-07-23 | 2006-02-09 | Nagano Keiki Co Ltd | 圧力センサ |
US20120297886A1 (en) * | 2009-10-14 | 2012-11-29 | Chul-Sub Lee | Vertical Pressure Sensor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7342771B2 (ja) | 2023-09-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008039760A (ja) | 圧力センサ | |
JP3546059B2 (ja) | プリント配線板の実装表面に組み付け可能な圧力センサ構成素子 | |
JP5278143B2 (ja) | 圧力センサ | |
EP1705479B1 (en) | Gas sensor | |
JP7226385B2 (ja) | 圧力センサ | |
JP3915605B2 (ja) | 圧力センサ装置 | |
WO2020218570A1 (ja) | 圧力センサ | |
JP7342771B2 (ja) | 圧力センサ | |
JP3838070B2 (ja) | 圧力センサ | |
WO2019102737A1 (ja) | 流量計 | |
JPH08261857A (ja) | 圧力センサ | |
CN107490337B (zh) | 应变检测器及其制造方法 | |
JP4168813B2 (ja) | 圧力センサ装置 | |
KR0166618B1 (ko) | 연소압센서 | |
US20200399118A1 (en) | Electronic device | |
JP2004219402A (ja) | 圧力センサ装置およびその製造方法 | |
JP6406396B2 (ja) | 流量センサ | |
JP4835180B2 (ja) | 圧力センサ | |
JPH08136384A (ja) | 燃焼圧センサ | |
JP2016139734A (ja) | 受光装置 | |
JP3800759B2 (ja) | 圧力検出装置およびその製造方法 | |
JP3051777B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
JP4019966B2 (ja) | 圧力センサ装置 | |
JPH11194060A (ja) | 圧力検出装置 | |
JP6725852B2 (ja) | 半導体センサ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200616 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211022 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220519 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230516 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230713 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230801 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230814 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7342771 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |