JP2020180895A - 電流検出器及びパワーモジュール - Google Patents
電流検出器及びパワーモジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020180895A JP2020180895A JP2019084827A JP2019084827A JP2020180895A JP 2020180895 A JP2020180895 A JP 2020180895A JP 2019084827 A JP2019084827 A JP 2019084827A JP 2019084827 A JP2019084827 A JP 2019084827A JP 2020180895 A JP2020180895 A JP 2020180895A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coil
- current
- high resistance
- current detector
- main current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 181
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 4
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
Landscapes
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Abstract
Description
従来のパワーモジュール700は、図13に示すように、基板500上に配置されたスイッチング素子(パワートランジスタ)200と、スイッチング素子200と接続されている回路と接続されたワイヤ410と、電流検出器とを備える。従来のパワーモジュールにおいては、電流検出器として、シャント抵抗850を用いる。
1.実施形態1に係るパワーモジュール1の構成
実施形態1に係るパワーモジュール1は、図1に示すように、実施形態1に係る電流検出器100、スイッチング素子200、及び、制御部300を備える。スイッチング素子200は電力変換回路の一部を構成しており、スイッチング素子200と直列に接続された配線(電流路L)に流れる電流を電流検出器100を用いて検出する。
電流検出器100は、図2及び図3に示すように、高抵抗基体110と、主電流導通部120と、コイル部150と、積分器160とを備える。
次に、高抵抗基体110の比抵抗が100Ωcm〜1×107Ωcmの範囲内にある理由(特に高抵抗基体110の比抵抗が100Ωcm以上である理由)について説明する。
まず、主電流導通部120を検出対象電流Ilが流れたとき(電流変化が起こったとき)にコイル部150の端子間(積分器160の端子間)に流れる電流Icを見積る(図5(a)参照。)。
一般に、電力変換回路(電源装置)にロゴスキーコイルを用いた電流検出器を用いる場合において、主電流導通部120に検出対象電流Ilが流れたとき(電流変化が起こったとき)にコイル部150のコイル130に生じる誘導起電力は1mV〜100mV程度であり、積分器160の入力インピーダンス(R1+R2)はおよそ1kΩである。このことから、オームの法則により、主電流導通部120を検出対象電流Ilが流れたときにコイル部150の端子間(積分器160の端子間)に流れる電流Icは、およそ1μA〜100μA程度となる。
従って、積分器160の端子間に流れるノイズ電流Incは、コイル部150の端子間(積分器160の端子間)に流れる電流Icの10%以下である0.1μAであることが望ましい。
次に、実施形態1に係るパワーモジュール(及び背景技術に係る電流検出器)を用いて、コイル部150に生じるコモンモードノイズのノイズ電流及びノイズ電圧を算出する。
なお、コイル部150は積分器160と接続されている。
図6の下図のモデル化された等価回路から、主電流導通部120とコイル130との間の複素インピーダンスZを表すと、以下の式(1)のように表すことができる。
上記(1)で記載したように、検出電流は、1μA〜100μAであるため、適切な電流検出のためには、積分器160に突入する電流を最低値1μAの10%以下である0.1μA以下とすることが望ましい。
したがって、オームの法則に、ノイズ電圧Vnlを0.1V、ノイズ電流Inlを1μAと代入して抵抗Rを算出すると、高抵抗基体110の抵抗Rは100000Ωとなる。
従って、接地抵抗の引き下げや積分器160から接地位置までの距離を短くする等の手段によりコモンモードノイズを低減する状況下で本発明の電流検出器及びパワーモジュールを用いる場合には、高抵抗基体の比抵抗をより低くすることができる。しかし、そのようなコモンモードノイズを低減する手段を用いた場合であってもノイズを多く見積もって2桁オーダーで低減するのが限度であるため、このような場合であっても高抵抗基体の比抵抗ρは100Ωcm以上とする必要がある。
なお、上限が1×107Ωcmであるのは、これ以上高抵抗の高抵抗基体を製造するのは実際上困難であるからである。
また、仮に両端子に同相のコモンモードノイズが入ったとしても、オペアンプIC1の出力電圧が電源電圧付近まで上昇してしまい、同相入力範囲を超える場合には非線形になってしまい、この場合でも測定対象となる電流を測定することが難しい。
従って、いずれにしても主電流導通部120から混入したノイズをコイル130に影響させないことが必要になる。よって、高抵抗基体の比抵抗ρは100Ωcm以上とする必要がある。
試験例は、「実施形態1に係る電流検出器100は、ノイズがコイル部150に入り込むことを防ぐことができ、主電流導通部120に流れる電流を高い精度で測定することができる」ことを確かめるための試験例である。
実施例に係る電流検出器は、実施形態1に係る電流検出器と同様の構成の電流検出器である。但し、実施例に係る電流検出器において、高抵抗基体の比抵抗は10000Ωcmであり、コイル部150はリセット回路付きの積分器と接続されている。
比較例に係る電流検出器は、基本的には実施形態1に係る電流検出器100と同様の構成を有するが、高抵抗基体に代わりに比抵抗が1mΩcmであるシリコン基板を用いる点で実施形態1に係る電流検出器100と異なる電流検出器(すなわち、背景技術に係る電流検出器と同じ構成)である。
基準例に係る電流検出器は、一般的なロゴスキーコイルを用いた電流検出器(岩通製のロゴスキーコイル電流プローブSS282)である。基準例に係る電流検出器は、接地して使用しないため、コモンモードノイズの影響を受けることなく検出対象の電流を検出することができるため、本試験例の基準例とする。
比較例に係る電流検出器又は実施例に係る電流検出器の主電流導通部120に、時刻t0からt1までの所定期間、交流電圧(5V,5Hz/3μs)を印加して主電流導通部120に電流を流す。このとき、コイル部150の端子間(積分器160の端子間)の電圧を検出し、プロットして、基準と比較する。
なお、本試験例においては、時刻t1において主電流導通部120に流れる電流をオフにするとともにリセット回路からの信号で積分器に印加する電圧をオフにしている。
基準例に係る電流検出器においては、図7及び図8に示すように、時刻t0において、コイル部150の端子間の電圧が大きく立ち上がり、時刻t1まで一定のレベルを維持している。なお、基準例に係る電流検出器においては、リセット回路からのオフ信号に影響されないため、時刻t1以降は徐々に減衰している。
実施形態1に係る電流検出器100及びパワーモジュール1によれば、高抵抗基体110に形成され、主電流導通部120と離間した位置で主電流導通部120を取り囲む位置に配置されたコイル130を有するコイル部150を備えるため、従来の電流検出器800及び従来の他のパワーモジュール900の場合と同様に検出対象電流が抵抗を流れることに起因した電力損失が発生せず、シャント抵抗と比較して電力損失が少なくて済む。
これに対して、実施形態1に係る電流検出器100及びパワーモジュール1によれば、同一の高抵抗基体110に形成された、主電流導通部120とコイル130を有するコイル部150とを備えるため、コイル130をクリップリード400に巻きつける必要がなく、パワーモジュールをより一層小型化・薄型化することができる。
実施形態1に係る電流検出器100を適用するパワーモジュール1の回路としては、例えば、DC−DCコンバータ及びPFC回路を含む回路において、スイッチング素子200に過電流が流れないように監視するのに用いることができる(図9参照。)。また、同期整流回路において、電流検出器の検出結果に基づいてスイッチング素子200aとダイオードD1のどちらかに流す電流を切り替えることで(スイッチング素子200bとダイオードD2についても同様)、同期整流を実現するのに用いることができる(図10参照。)。その他、適宜の回路において電流検出器を用いることができる。
実施形態2に係る電流検出器(図示せず)及びパワーモジュールにおいては、基本的には実施形態1に係る電流検出器100及びパワーモジュール1と構成を有するが、高抵抗基体として、ガラス基体を用いる点で実施形態1に係る電流検出器100及びパワーモジュール1の場合とは異なる。
実施形態3に係る電流検出器101及びパワーモジュールにおいては、基本的には実施形態1に係る電流検出器100及びパワーモジュール1と構成を有するが、戻し線の構成が実施形態1に係る電流検出器100及びパワーモジュール1の場合とは異なる。すなわち、実施形態3に係る電流検出器101においては、戻し線140aは、平面的に見て、コイル130aで囲まれている領域の内側に配置されている(図11(a)参照。)。
実施形態4に係る電流検出器102及びパワーモジュールにおいては、基本的には実施形態1に係る電流検出器100及びパワーモジュール1と構成を有するが、戻し線の構成が実施形態1に係る電流検出器100及びパワーモジュール1の場合とは異なる。実施形態4に係る電流検出器102において、戻し線140bは、平面的に見て、コイル130bで囲まれている領域の内側と外側とを横断するように配置されている(図12(a)参照。)。
また、GaN基体、サファイア基体等のシリコン基体やSiC基体以外の半導体基体であってもよい。
Claims (13)
- 高抵抗基体と、
前記高抵抗基体に形成され、前記高抵抗基体を貫通するように検出対象電流が流れる主電流導通部と、
前記高抵抗基体に形成され、前記主電流導通部と離間した位置で前記主電流導通部を取り囲む位置に配置されたコイルを有するコイル部とを備え、
前記高抵抗基体が半導体基体である場合には、前記高抵抗基体のうち少なくとも前記主電流導通部と前記コイル部との間の領域の比抵抗が100Ωcm〜1×107Ωcmの範囲内にあり、
前記高抵抗基体がガラス基体である場合には、前記高抵抗基体のうち少なくとも前記主電流導通部と前記コイル部との間の領域の比抵抗が100Ωcm〜1×1019Ωcmの範囲内にあることを特徴とする電流検出器。 - 前記主電流導通部と前記コイル部との間の領域の浮遊容量が0.1pF〜20pFの範囲内にあることを特徴とする請求項1に記載の電流検出器。
- 前記高抵抗基体は、FZ法又はMCZ法で形成されたシリコン基体であり、
前記高抵抗基体のうち少なくとも前記主電流導通部と前記コイル部との間の領域の比抵抗が100Ωcm〜220000Ωcmの範囲内にあることを特徴とする請求項1又は2に記載の電流検出器。 - 前記高抵抗基体は、SiC基体であり、
前記高抵抗基体のうち少なくとも前記主電流導通部と前記コイル部との間の領域の比抵抗が100Ωcm〜1×107Ωcmの範囲内にあることを特徴とする請求項1又は2に記載の電流検出器。 - 前記コイルは、前記高抵抗基体の両面に形成された導体膜を、前記高抵抗基体の厚さ方向に形成されたビアを介して接続することによって形成されたロゴスキーコイルであることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の電流検出器。
- 前記主電流導通部は、前記高抵抗基体の両面に形成された導体膜を、前記高抵抗基体の厚さ方向に形成されたビアを介して接続することによって形成されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の電流検出器。
- 前記コイル部で囲まれている領域において、所定の断面で見たときに、前記主電流導通部と前記コイルとの間の間隔をAとし、前記主電流導通部が形成されている領域の幅をBとしたときに、B/8<A<2Bの関係を満たすことを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の電流検出器。
- 前記コイル部は、前記コイルの一方の端部と接続され、前記主電流導通部を囲むように配置された戻し線をさらに有し、
前記戻し線は、平面的に見て、前記コイルで囲まれている領域の外側に配置されていることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の電流検出器。 - 前記コイル部は、前記コイルの一方の端部と接続され、前記主電流導通部を囲むように配置された戻し線をさらに有し、
前記戻し線は、平面的に見て、前記コイルで囲まれている領域の内側に配置されていることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の電流検出器。 - 前記コイル部は、前記コイルの一方の端部と接続され、前記主電流導通部を囲むように配置された戻し線をさらに有し、
前記戻し線は、平面的に見て、前記コイルで囲まれている領域の内側と外側とを横断するように配置されていることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の電流検出器。 - 平面的に見て、前記戻し線が前記コイルで囲まれている領域の内側に配置されている部分における前記戻し線と前記コイルとの間の領域の面積は、平面的に見て、前記戻し線が前記コイルで囲まれている領域の外側に配置されている部分における前記戻し線と前記コイルとの間の領域の面積と等しいことを特徴とする請求項10に記載の電流検出器。
- 前記主電流導通部が形成されている領域の面積は、平面的に見て前記コイル部で囲まれている領域の面積の4%〜65%の範囲内にあることを特徴とする請求項1〜11のいずれかに記載の電流検出器。
- 請求項1〜12のいずれかの電流検出器を備えることを特徴とするパワーモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019084827A JP7385368B2 (ja) | 2019-04-26 | 2019-04-26 | 電流検出器及びパワーモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019084827A JP7385368B2 (ja) | 2019-04-26 | 2019-04-26 | 電流検出器及びパワーモジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020180895A true JP2020180895A (ja) | 2020-11-05 |
JP7385368B2 JP7385368B2 (ja) | 2023-11-22 |
Family
ID=73024571
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019084827A Active JP7385368B2 (ja) | 2019-04-26 | 2019-04-26 | 電流検出器及びパワーモジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7385368B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022168156A1 (ja) * | 2021-02-02 | 2022-08-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
US11639946B2 (en) | 2021-09-15 | 2023-05-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sensor and electric device |
US11719722B2 (en) | 2021-09-14 | 2023-08-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sensor and electric device |
US11761988B2 (en) | 2021-09-15 | 2023-09-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sensor |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001343401A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Mitsubishi Electric Corp | 電流検出装置 |
JP2005145744A (ja) * | 2003-11-13 | 2005-06-09 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 高抵抗シリコンウェーハ |
JP2007258384A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Kyocera Corp | ガラスセラミック焼結体およびその製造方法ならびに配線基板およびその製造方法 |
JP2008010640A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 化合物半導体スイッチ回路装置 |
JP2009124086A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-04 | Toshiba Corp | 集積回路装置 |
JP2015070085A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-13 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法 |
JP2016017767A (ja) * | 2014-07-04 | 2016-02-01 | 三菱電機株式会社 | ロゴスキーコイルおよび電流測定器 |
JP2017152528A (ja) * | 2016-02-24 | 2017-08-31 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板、および半導体モジュール |
WO2018116679A1 (ja) * | 2016-12-21 | 2018-06-28 | 日本碍子株式会社 | 電流検出用の耐熱性素子 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4627234B2 (ja) | 2005-08-31 | 2011-02-09 | 京セラミタ株式会社 | 画像形成装置 |
-
2019
- 2019-04-26 JP JP2019084827A patent/JP7385368B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001343401A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Mitsubishi Electric Corp | 電流検出装置 |
JP2005145744A (ja) * | 2003-11-13 | 2005-06-09 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 高抵抗シリコンウェーハ |
JP2007258384A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Kyocera Corp | ガラスセラミック焼結体およびその製造方法ならびに配線基板およびその製造方法 |
JP2008010640A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 化合物半導体スイッチ回路装置 |
JP2009124086A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-04 | Toshiba Corp | 集積回路装置 |
JP2015070085A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-13 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法 |
JP2016017767A (ja) * | 2014-07-04 | 2016-02-01 | 三菱電機株式会社 | ロゴスキーコイルおよび電流測定器 |
JP2017152528A (ja) * | 2016-02-24 | 2017-08-31 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板、および半導体モジュール |
WO2018116679A1 (ja) * | 2016-12-21 | 2018-06-28 | 日本碍子株式会社 | 電流検出用の耐熱性素子 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022168156A1 (ja) * | 2021-02-02 | 2022-08-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP7479523B2 (ja) | 2021-02-02 | 2024-05-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
US11719722B2 (en) | 2021-09-14 | 2023-08-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sensor and electric device |
US11639946B2 (en) | 2021-09-15 | 2023-05-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sensor and electric device |
US11761988B2 (en) | 2021-09-15 | 2023-09-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sensor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7385368B2 (ja) | 2023-11-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7385368B2 (ja) | 電流検出器及びパワーモジュール | |
US10809312B2 (en) | Electric leakage detector | |
US7612553B2 (en) | Current sensor having sandwiched magnetic permeability layer | |
CN101379405B (zh) | 电流传感器 | |
US7642768B1 (en) | Current sensor having field screening arrangement including electrical conductors sandwiching magnetic permeability layer | |
US10436821B2 (en) | Apparatus for detecting AC components in a DC circuit and use of the apparatus | |
US6798189B2 (en) | Current detection resistor, mounting structure thereof and method of measuring effective inductance | |
US11879951B2 (en) | Magnetic field sensor apparatus | |
US8228152B2 (en) | Transforming device of power source and transformer thereof | |
US20190331724A1 (en) | Direct-current electricity leakage detection device and electricity leakage detection device | |
JP2003050254A (ja) | 電流検出器 | |
US11519941B2 (en) | Current sensing device having an integrated electrical shield | |
TW201341828A (zh) | 霍爾效應感測器隔離體 | |
KR101981640B1 (ko) | 교류 전자파를 측정하는 전류센서와 이를 이용한 차단기 | |
CN116868065A (zh) | 电流感测装置 | |
JP3479061B2 (ja) | 電流検出用抵抗器の実装構造および方法 | |
WO2017213003A1 (ja) | マグネトインピーダンスセンサ | |
CN109374941B (zh) | 铜排型导线的电流测量方法及装置 | |
JP3834222B2 (ja) | 電流検出用抵抗器の電圧検出回路 | |
RU2329514C1 (ru) | Устройство для измерения переменного тока | |
JPS63302371A (ja) | 電流検出器 | |
Ghislanzoni et al. | A DC current transformer for large bandwidth and high common-mode rejection | |
JP3597162B2 (ja) | 電流検出用低抵抗器のインダクタンス測定装置および方法 | |
JP6885486B1 (ja) | 電力変換装置の短絡故障検出装置 | |
US11486904B2 (en) | Electronic module |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190509 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220408 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230314 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230512 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20230725 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230927 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20231005 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231031 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231110 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7385368 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |