JP2020178135A

JP2020178135A - 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体

Info

Publication number: JP2020178135A
Application number: JP2020120128A
Authority: JP
Inventors: 宮本　健一; Kenichi Miyamoto; 健一宮本
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2020-07-13
Filing date: 2020-07-13
Publication date: 2020-10-29
Anticipated expiration: 2036-09-09
Also published as: JP7028285B2

Abstract

【課題】角形の基板Ｍの周縁部における塗布膜Ｒを当該基板Ｍの周に沿って環状に除去するにあたり、異常が発生することを防ぐこと。【解決手段】基板Ｍの表面に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成モジュール３と、前記塗布膜形成モジュール３により、前記塗布膜Ｒが形成された前記基板の表面を撮像して第１の画像データを取得するための第１の撮像モジュール６と、前記第１の画像データが取得された前記基板Ｍの表面の周縁部における塗布膜Ｒを前記基板Ｍの周に沿って環状に除去するために、当該塗布膜Ｍの除去液を供給する塗布膜除去モジュール４と、前記第１の画像データに基づいて、前記塗布膜が除去される環状領域の幅が制御されるように制御信号を出力する制御部７と、を備えるように装置を構成する。【選択図】図１７

Description

本発明は角形の基板の表面に塗布膜を形成した後、当該基板の周縁部における塗布膜を基板の周に沿って除去する技術に関する。

半導体デバイスの製造工程においては、半導体ウエハ（以下、ウエハという）の表面にレジストを塗布してレジスト膜を形成し、次いで半導体デバイスの回路パターンに沿ってレジスト膜を露光し、然る後、レジスト膜を現像するというフォトリソグラフィが行われている。上記の露光はフォトマスクを介してウエハに光を照射することで、当該フォトマスクに描画されている回路パターンをウエハに転写するように行われている。

上記のフォトマスクを製造する場合においても、角形であるフォトマスク製造用の基板に対して上記のフォトリソグラフィが行われる。従って、当該角型の基板に対してはレジスト膜の形成が行われる。また、当該レジスト膜の形成後、露光前においては、当該角型の基板の周に沿ってレジストの溶剤が供給され、当該基板の周縁部における不要なレジスト膜が除去される。

ところで半導体デバイスの微細化が進行していることにより、上記のフォトマスクの品質を向上させることが求められている。そこで、周縁部のレジスト膜の除去が行われた角型の基板について、作業員が光学顕微鏡を用いて表面状態を観察し、異常が発生している基板を探すという手作業による検査が行われる場合が有る。しかし、このような手作業による異常の検査は比較的多くの時間を要してしまうため、当該基板に対してフォトリソグラフィを行う基板処理装置のスループットの向上を図り難い。また、作業員間で検査の精度にばらつきが発生し、検査の精度を十分に上げることが難しい場合が有る。

特許文献１には、スピンチャックに保持された円形の基板であるウエハを回転させると共に当該ウエハの周縁部に溶剤を供給することで、当該ウエハの周縁部における不要なレジスト膜を除去するモジュールについて記載されている。さらに特許文献１には、当該モジュールにおいて周縁部のレジストが除去されたウエハを撮像し、その撮像結果に基づいて後続のウエハが上記のスピンチャックに載置される位置を制御することで、ウエハにおいてレジスト膜が除去される領域の制御を行うことについて記載されている。しかし、角形基板における塗布膜の除去を行う場合における、上記の問題を解決する手法は記載されていない。

特許５８３５１８８号公報

本発明はこのような問題を解決するためになされたものであり、その目的は、角形の基板の周縁部における塗布膜を当該基板の周に沿って環状に除去するにあたり、異常が発生することを防ぐことができる技術を提供することである。

本発明の基板処理装置は、角形の基板を格納するキャリアを載置するキャリア載置部と、
前記キャリアから搬出された前記基板の表面に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成モジュールと、
前記塗布膜形成モジュールにより、前記塗布膜が形成された前記基板の表面を撮像して第１の画像データを取得するための第１の撮像モジュールと、
前記第１の画像データが取得された前記基板の表面の周縁部における塗布膜を前記基板の周に沿って環状に除去するために、当該塗布膜の除去液を供給する塗布膜除去モジュールと、
前記第１の画像データに基づいて、前記塗布膜が除去される環状領域の幅が制御されるように制御信号を出力する制御部と、
を備えたことを特徴とする。

本発明の基板処理方法は、角形の基板を格納するキャリアをキャリア載置部に搬送する工程と、
塗布膜形成モジュールにより、前記キャリアから搬出された前記基板の表面に塗布液を供給して塗布膜を形成する工程と、
次いで、第１の撮像モジュールにより、前記塗布膜が形成された前記基板の表面を撮像して第１の画像データを取得するための工程と、
続いて、塗布膜除去モジュールにより、前記第１の画像データが取得された前記基板の表面の周縁部における塗布膜を前記基板の周に沿って環状に除去するために、当該塗布膜の除去液を供給する塗布膜除去工程と、
前記塗布膜除去工程において、前記第１の画像データに基づいて前記塗布膜が除去される環状領域の幅を制御する工程と、
を備えたことを特徴とする。

本発明の記憶媒体は、角形の基板に塗布膜を形成する基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、前記プログラムは上記の基板処理方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする。

本発明によれば、塗布膜が形成された角形の基板の表面を撮像して画像データを取得し、この画像データに基づいて塗布膜の除去液が供給されることで、塗布膜が除去される環状領域の幅が制御される。従って、基板の表面の状態によって除去液が飛散する不具合が発生することを抑制し、基板が異常となることを抑制することができる。

本発明が適用される基板処理装置の平面図である。前記基板処理装置の側面図である。前記基板処理装置に含まれるレジスト膜形成モジュールの縦断側面図である。前記基板処理装置に含まれるレジスト膜除去モジュールの斜視図である。前記レジスト膜除去モジュールの平面図である。前記レジスト膜除去モジュールに設けられる本体部の縦断側面図である。前記レジスト膜除去モジュールにおける処理を示す工程図である。前記レジスト膜除去モジュールにおける処理を示す工程図である。前記レジスト膜除去モジュールにおける処理を示す工程図である。前記レジスト膜除去モジュールにより処理された基板の表面を示す平面図である。前記基板処理装置に含まれる前段撮像モジュールの縦断側面図である。前記前段撮像モジュールの横断平面図である。前記基板処理装置に設けられる制御部の構成を示すブロック図である。前記基板処理装置における基板の搬送経路を示す説明図である。前記レジスト膜形成モジュールにより処理された基板の表面を示す平面図である。前記レジスト膜除去モジュールにおける処理が補正される様子を示す説明図である。前記レジスト膜除去モジュールにおける処理が補正される様子を示す説明図である。前記前段撮像モジュールにて取得される画像データに基づいて基板の異常が判定されるフローを示すチャート図である。前記基板処理装置に含まれる後段撮像モジュールにて取得される画像データに基づいて基板の異常が判定されるフローを示すチャート図である。評価試験における設定を示すためのグラフ図である。

（基板処理装置の全体の構成）
本発明の実施の形態に係る基板処理装置１について、図１の平面図及び図２の縦断側面図を参照して説明する。この基板処理装置１は、角型の基板Ｍの表面に塗布膜としてレジスト膜を形成した後、基板Ｍの周縁部の不要なレジスト膜を当該基板Ｍの周に沿って除去する。そして、基板Ｍのうち検査対象として設定された基板Ｍについてはレジスト膜の形成後で不要なレジスト膜の除去前と、不要なレジスト膜の除去後とにおいて、その表面を撮像して画像データを取得し、当該画像データに基づいた検査を行う。基板Ｍは特に記載が無い限り、背景技術の項目で述べたフォトマスクを製造するためのマスク基板である。また、基板Ｍは一辺の長さが１５０ｍｍである概ね正方形に構成されているが、角部については平面で見て円弧をなすように形成されている。

基板処理装置１は、キャリアブロックＤ１と処理ブロックＤ２とが横方向に接続されて構成されている。以下、図１、図２を用いて基板処理装置１の構成を説明するにあたって、キャリアブロックＤ１及び処理ブロックＤ２の配列方向を前後方向とし、キャリアブロックＤ１側を前方側、処理ブロックＤ２側を後方側として説明する。キャリアブロックＤ１には、基板処理装置１の外部から基板Ｍを格納するキャリア１１が搬送され、当該キャリアブロックＤ１は、キャリア１１の載置部をなす載置台１２と、開閉部１３と、当該開閉部１３を介してキャリア１１から基板Ｍを搬送するための搬送機構１４とを備えている。

また、キャリアブロックＤ１内には紫外線照射モジュール１５が設けられており、この紫外線照射モジュール１５は基板Ｍの表面に紫外線を照射して、当該表面に付着する有機物を除去する。上記の搬送機構１４は、キャリア１１と紫外線照射モジュール１５と後述する受け渡しモジュールＴＲＳ１、ＴＲＳ２との間で基板Ｍを受け渡すことができるように左右方向に移動自在、鉛直軸周りに回転自在な基台１４Ａと、基台１４Ａ上を進退自在な基板Ｍを保持する保持部１４Ｂとを備えている。

処理ブロックＤ２内には、基板Ｍの搬送機構１６が設けられている。そして、搬送機構１６の前方、後方にはタワーＥ１、タワーＥ２が夫々設けられている。また、前方側から後方側に向かって見て、例えば搬送機構１６の右側には、洗浄モジュール１７とレジスト膜形成モジュール３とからなる積層体と、レジスト膜除去モジュール４とが前後方向に配置されている。搬送機構１６は、鉛直軸周りに回転自在な基台１６Ａと、基台１６Ａ上を進退自在な基板Ｍの保持部１６Ｂとを備えており、タワーＥ１、Ｅ２を構成する後述の各モジュール、洗浄モジュール１７、レジスト膜形成モジュール３及びレジスト膜除去モジュール４に対して、基板Ｍの受け渡しを行う。上記の洗浄モジュール１７は、基板Ｍの表面に洗浄液を供給して洗浄するモジュールである。レジスト膜形成モジュール３は、基板Ｍの表面にレジストを供給してレジスト膜を形成するモジュールである。レジスト膜除去モジュール４は、上記の基板Ｍの周縁部における不要なレジスト膜の除去を行うモジュールである。

上記のタワーＥ１は、受け渡しモジュールＴＲＳ１、ＴＲＳ２、冷却モジュールＣＰＬ、加熱モジュール２１、及び前段撮像モジュール６が互いに積層されて構成されている。受け渡しモジュールＴＲＳ１は、キャリアブロックＤ１から処理ブロックＤ２へ基板Ｍを搬入するために当該基板Ｍが載置される載置部を備えた搬入用モジュールであり、受け渡しモジュールＴＲＳ２は、処理ブロックＤ２からキャリアブロックＤ１へ基板Ｍを搬出するために当該基板Ｍが載置される載置部を備えた搬出用モジュールである。冷却モジュールＣＰＬは、載置された基板Ｍを冷却し、所定の温度に調整するための載置部を備えたモジュールである。加熱モジュール２１は、載置された基板Ｍを加熱する熱板を備えている。前段撮像モジュール６は、レジスト膜形成後、基板Ｍの周縁部のレジスト膜を除去する前に、基板Ｍの表面を撮像するモジュールである。

タワーＥ２は、加熱モジュール２２、バッファモジュール２３及び後段撮像モジュール６０が互いに積層されて構成されている。加熱モジュール２２は、上記の加熱モジュール２１と同様に構成されている。バッファモジュール２３は、基板Ｍを載置する複数の載置部を備えている。後段撮像モジュール６０は、上記のように不要な周縁部のレジスト膜が除去された後の基板Ｍの表面を撮像するモジュールである。

（レジスト膜形成モジュール３の構成）
次に、塗布膜形成モジュールであるレジスト膜形成モジュール３の構成について図３の縦断側面図を参照しながら詳しく説明する。図中３１は基板Ｍを載置するスピンチャックである。図中３２は回転機構であり、後述の制御部７から出力される制御信号に基づいた回転数でスピンチャック３１を回転させる。上記のスピンチャック３１は、基板Ｍが水平に収納される角型の凹部３３を備え、当該凹部３３は搬送機構１６の昇降によって基板Ｍを凹部３３に受け渡すことができるように形成されている。スピンチャック３１の回転により、凹部３３に収納された基板Ｍは当該基板Ｍの中心軸回りに回転する。凹部３３を構成する起立壁３３１は、当該凹部３３内に収納された基板Ｍの側面に沿うと共に近接する。起立壁３３１の上端は外方に広がり、基板Ｍの中心部と周縁部との間で気流の状態が変化することを防ぐために、当該基板Ｍの表面と略同じ高さの平坦な表面をなす気流調整部材３３２を形成する。図中３３３は支持部であり、基板Ｍの裏面の端部を支持するように凹部３３内に設けられる。なお、凹部３３内には、基板Ｍの側面に当接してその位置を規制するアライメント部材も設けられているが、当該アライメント部材の図示は省略している。

図中３４は、鉛直下方にレジストを吐出するレジスト吐出ノズルであり、図示しない移動機構に接続され、基板Ｍの中心部上と、スピンチャック３１の外側との間で横方向に移動することができる。レジスト吐出ノズル３４から基板Ｍの中心部に供給されたレジストは、基板Ｍの回転の遠心力により基板Ｍの周縁部へと向かって展伸されることによって、基板Ｍの表面全体に塗布される。このように表面全体にレジストが塗布され、レジストの基板Ｍへの供給が停止した後も所定の時間、基板Ｍの回転が続けられることで塗布されたレジストが乾燥し、レジスト膜が形成される。

図中３５は、鉛直下方にレジストの溶剤であるシンナーを吐出するシンナー吐出ノズルであり、基板Ｍの中心部上と、スピンチャック３１の外側との間で横方向に移動することができる。このシンナーは、後述するようにフォトマスクの製造を目的としない基板Ｍが異常と判定された場合に当該基板Ｍに供給されて、当該基板Ｍに形成されたレジスト膜を溶解して除去する除去液である。より詳しくは、当該シンナーはノズル３５から基板Ｍの中心部に供給される。そして、当該シンナーは基板Ｍの回転の遠心力により基板Ｍの周縁部へと向かって展伸されて、基板Ｍの表面全体に供給されてレジスト膜の除去が行われる。従って、レジスト膜形成モジュールは、表面全体塗布膜除去モジュールを構成する。図中３４１は、レジスト吐出ノズル３４に接続されるレジストの供給源であり、図中３５１は、シンナー吐出ノズル３５に接続されるシンナーの供給源である。これらの供給源３４１、３５１は、制御部７から送信される制御信号に基づいてレジスト、シンナーをノズル３４、３５へ夫々供給する。

図中３６は、前記スピンチャック３１を囲むカップである。このカップ３６においては、気流調整部材３３２の外周縁を囲むように吸引口３６１が開口すると共に、カップ３６の底部に一端が接続された排気管３６２により排気を行うことで当該吸引口３６１から排気が行われるように、排気路が形成されている。例えば、この吸引口３６１からの排気は、基板Ｍの処理中に常時行われる。上記の排気管３６２の他端はダンパー３６３を介して図示しない排気機構に接続されており、ダンパー３６３の開度が制御部７からの制御信号に基づいて制御されることで、単位時間あたりの排気管３６２による排気量が制御される。つまり、吸引口３６１からの排気流量が制御される。また、カップ３６の底部には、スピンチャック３１からこぼれ落ちた廃液を除去する排液口３７が開口している。

（レジスト膜除去モジュール４の構成）
続いてレジスト膜除去モジュール４について、図４の斜視図及び図５の平面図を参照しながら説明する。レジスト膜除去モジュール４は、支持板４１と、４つの載置台４３と、２つのノズル部５とから構成されている。支持板４１は角型リング状に構成され、その表面には基板Ｍの裏面の端部を支持する支持ピン４１１が周方向に複数配列されている。支持板４１は駆動機構４２に接続され、当該駆動機構４２により昇降自在及び鉛直軸周りに回転自在であり、上記の処理ブロックＤ２の搬送機構１６と載置台４３との間で基板Ｍを受け渡すこと及び載置台４３に載置される基板Ｍの向きを変更することができる。

４つの載置台４３は平面視マトリクス状に配置されており、基板Ｍの裏面縁部を支持する支持ピン４３１を各々備えている。これら４つの載置台４３に基板Ｍは水平に載置される。以下、レジスト膜除去モジュール４について説明するにあたり、平面で見たときに互いに直交する載置台４３の配列方向を前後方向、左右方向とする。なお、このレジスト膜除去モジュール４における前後方向、左右方向は、図１、図２を参照して基板処理装置１の構成を説明するために用いた前後方向、左右方向と一致してもよいし、不一致であってもよい。

左右方向に並んだ載置台４３上には助走ステージ４４が配置されている。この助走ステージ４４は左右方向に延設された水平な板状部材であり、長さ方向の両端部は前後に拡幅され、平面視矩形状の拡幅部４５を構成する。当該拡幅部４５は、基板Ｍの位置を規制すると共に、基板Ｍの角部を処理する際と、角部以外の箇所を処理する際とで、ノズル部５の周囲の気流の状態が変化することを防ぐ役割を有する。図中４４１は、助走ステージ４４を支持する支持部である。

２つのノズル部５について説明すると、各ノズル部５は、側面視コ字状に形成されたノズル本体部５１を各々備えており、２つのノズル本体部５１は載置台４３に載置された基板Ｍを左右から挟むように設けられる。図中５２はノズル本体部５１を支持する支持部材である。図中５２１は、支持部材５２を前後方向に移動させる移動機構である。また、この移動機構５２１を前後方向に移動させる駆動機構５２２が設けられている。

図６も参照しながらノズル本体部５１についてさらに説明すると、ノズル本体部５１はコ字型の上部側をなす上片部５１１、コ字型の下部側をなす下片部５１２、上片部５１１及び下片部５１２を互いに接続する垂直壁部５１３とから構成され、上片部５１１及び下片部５１２は、載置台４３に載置された基板Ｍの端部を互いに挟む高さに設けられており、垂直壁部５１３は基板Ｍの側面に対向する。上片部５１１には、レジスト膜Ｒを溶解して除去する除去液であるシンナーを基板Ｍの表面に吐出する吐出口５３が設けられている。同様に、下片部５１２にはシンナーを基板Ｍの端部の裏面に開口する吐出口５４が設けられている。図中５３１は、シンナー吐出口５３、５４にシンナーを供給するシンナー供給源である。

また、図中５５は、上片部５１１の下面においてシンナー吐出口５３よりも基板Ｍの中央部側に開口したガス吐出口であり、Ｎ_２（窒素）ガスの供給機構５５１から供給されたＮ_２ガスを垂直壁部５１３に向かって斜め下方に吐出する。垂直壁部５１３には、排気機構５７に接続された排気口５６が開口している。シンナー吐出口５３、５４から共にシンナーが供給されるとき、排気口５６からの排気及びガス吐出口５５からのＮ_２ガスの吐出が行われることで、余剰のシンナー及び溶解したレジストが基板Ｍから排気口５６に向かって流れて除去され、基板Ｍの表面においては、シンナー吐出口５３の基板Ｍへの投影領域（図中５０として表示している）から基板Ｍの周端に至る領域のレジスト膜Ｒが、局所的に除去される。なお、基板Ｍの裏面に回り込んで形成されたレジスト膜Ｒは、吐出口５４から吐出されたシンナーにより除去され、基板Ｍの側面に回り込んで形成されたレジスト膜Ｒは、吐出口５３、５４から吐出されたシンナーが当該側面に回り込むことによって除去される。

また、図中５６１は上片部５１１に設けられる投光部、図中５６２は下片部５１２に設けられる受光部であり、投光部５６１から受光部５６２へ投光される。ノズル本体部５１の移動と受光部５６２への投光の有無の変化とに基づいて基板Ｍの周端の位置を検出することができるので、上記の投影領域５０を後述するように配置して処理を行うことができる。

（レジスト膜除去モジュール４による処理）
次に、上記のレジスト膜除去モジュール４におけるレジスト膜の除去処理について、基板Ｍの表面における上記のシンナー吐出口５３の投影領域５０の軌跡を示す図７〜図９を参照しながら説明する。レジスト膜除去モジュール４では、基板Ｍの左右の中心に対して、各投影領域５０が左右対称に位置するようにノズル部５が動作し、基板Ｍの左右の縁部が互いに同様に且つ並行して処理される。なお、これらの図７〜図９及び後述の図１０、図１１ではレジスト膜Ｒにグレースケールを付して示し、レジスト膜Ｒが除去された領域が明確になるようにしている。

先ず、投影領域５０が基板Ｍの前方側の端部よりも若干前方の位置と、当該端部から後方側に距離Ｌ１だけずれた位置との間で、平面で見た基板Ｍの辺に沿って前後に往復移動するように、図６で説明したノズル本体部５１が移動する。このノズル本体部５１の移動中に、図６で説明した各吐出口からのシンナー及びＮ２ガスの吐出及び排気が行われ、基板Ｍの前方側の角部におけるレジスト膜Ｒが除去される（除去工程１）。このノズル本体部５１の往復移動は、図７に示すように当該投影領域５０の軌跡と、この軌跡に並行すると共に近接する基板Ｍの辺との距離が、予め設定された距離となるように行われる。この設定された距離を角部カット幅設定値Ｌ２とする。

然る後、各吐出口からのシンナー及びＮ２ガスの吐出及び排気が一旦停止し、続いて投影領域５０が基板Ｍの後方側の端部よりも若干後方の位置と、当該端部から前方側に距離Ｌ１だけずれた位置との間で、前後に基板Ｍの辺に沿って往復移動するようにノズル本体部５１が移動する。この移動中に、各吐出口からのシンナー及びＮ２ガスの吐出及び排気が行われ、基板Ｍの後方側の角部におけるレジスト膜Ｒが除去される（除去工程２）。このノズル本体部５１の往復移動は、図８に示すように前方側の角部を除去するときと同様に、投影領域５０の軌跡とこの軌跡に並行すると共に近接する基板Ｍの辺との距離が、上記の角部カット幅設定値Ｌ２となるように行われる。

然る後、各吐出口からのシンナー及びＮ２ガスの吐出及び排気が一旦停止し、続いて投影領域５０が基板Ｍの前方側の端部よりも若干前方の位置と、基板Ｍの後方側の端部よりも若干後方の位置との間で前後に、基板Ｍの辺に沿って往復移動するようにノズル本体部５１が移動する。この移動中に、各吐出口からのシンナー及びＮ２ガスの吐出及び排気が行われ、基板Ｍの辺全体に沿ってレジスト膜Ｒが除去される（除去工程３）。この投影領域５０の往復移動は、図９に示すように投影領域５０の軌跡とこの軌跡に並行すると共に近接する基板Ｍの辺との距離が、予め設定された距離となるように行われる。この設定された距離を主カット幅設定値Ｌ３とすると、当該Ｌ３は、上記の角部カット幅設定値Ｌ２より小さい。

然る後、各吐出口からのシンナー及びＮ２ガスの吐出及び排気が一旦停止し、支持板４１により基板Ｍは、その向きが９０°変更されて載置台４３に載置され、除去工程１〜３が行われる。それによって、図１０に示すように基板Ｍの周に沿って基板Ｍの表面の周端部のレジスト膜Ｒが環状に除去される。図中Ｌ４で示す基板Ｍの角部におけるレジスト膜Ｒが除去された領域の幅（角部カット幅とする）は、図７、図８で説明した角部カット幅設定値Ｌ２に対応する。また、図中Ｌ５で示す基板Ｍの角部以外の領域におけるレジスト膜Ｒが除去された領域の幅（主カット幅とする）は、図９で説明した主カット幅設定値Ｌ３に対応する。なお、上記のように基板Ｍの角部が円弧状に形成されるので、基板Ｍは正方形の基板に対して角端部が切り欠かれた形状となっている。仮にカット幅Ｌ２＝Ｌ３とすると、その切り欠きに起因して基板Ｍの角部においてレジスト膜Ｒが残留し、レジスト膜が除去される環状領域が基板Ｍの全周に亘るように形成されないことが懸念されるために、上記のようにカット幅設定値をＬ２＞Ｌ３として設定している。

（撮像モジュールの構成）
続いて、第１の撮像モジュールである前段撮像モジュール６について、図１１の縦断側面図と、図１２の横断平面図とを参照しながら説明する。この前段撮像モジュール６は、基板Ｍの異常を検出するために、上記のレジスト膜形成モジュール３でレジスト膜Ｒが形成され、レジスト膜除去モジュール４で処理する前の基板Ｍを撮像するモジュールである。

図中６１は横方向に細長の筐体であり、当該筐体６１の側壁には基板Ｍの搬送口６２が形成されている。なお、この前段撮像モジュール６の説明においては、この筐体６１の長さ方向の一端側を前方、他端側を後方とする。この前段撮像モジュール６の説明で用いる前後方向についても、図１、図２を参照して基板処理装置１の構成を説明するために用いた前後方向と一致してもよいし、不一致であってもよい。

図中６３は、筐体６１内において基板Ｍを水平に支持する支持部である。処理ブロックＤ２の搬送機構１６により基板Ｍが当該支持部６３に受け渡され、支持部６３は基板Ｍの裏面の端部を支持する爪部６３１を備えている。支持部６３は、接続部６３２を介して移動機構６３３に接続されており、この移動機構６３３によって筐体６１内を前後に移動することができる。

図中６４は照明であり、筐体６１内の前後の中央部において、基板Ｍの移動路の上方に設けられており、その下方に設けられるハーフミラー６５を介して、基板Ｍに光を照射する。図中６６は筐体６１内の後方側に設けられるカメラである。基板Ｍが支持部６３により筐体６１内を前方から後方へ移動する際に、ハーフミラー６５に映された基板Ｍを間欠的にカメラ６６が撮像することで、基板Ｍの表面全体が撮像される。そしてカメラ６６は、そのように撮像することで取得した基板Ｍの画像データを制御部７に送信する。

ところで第２の撮像モジュールである後段撮像モジュール６０は、撮像モジュール６と同様に構成されている。前段撮像モジュール６、後段撮像モジュール６０により取得される基板Ｍの画像データを各々区別するために、前段撮像モジュール６により取得される画像データをレジスト膜除去前画像データ、後段撮像モジュール６０により取得される画像データをレジスト膜除去後画像データと記載する場合が有る。

（制御部の構成）
続いて、基板処理装置１に設けられる制御部７について図１３を参照して説明する。制御部７は例えばコンピュータにより構成されており、図中７１はバスである。バス７１にはプログラム格納部７２、画像データ記憶部７３、表示部７４、パラメータ記憶部７５が接続されている。また、バス７１には、前段撮像モジュール６のカメラ６６、後段撮像モジュール６０のカメラ６６が接続されており、制御部７はこれらのカメラ６６から送信される画像データを取得し、当該画像データを画像データ記憶部７３に記憶することができる。表示部７４は、作業員が必要に応じて画像データ記憶部７３に記憶された画像データを表示させて閲覧するためのディスプレイである。

さらにレジスト膜形成モジュール３、レジスト膜除去モジュール４などの上記の各モジュールがバス７１に接続されており、これらのモジュール３、４ではパラメータ記憶部７５に記憶される各種のパラメータに基づいて処理が行われる。上記のパラメータとしては、レジスト膜形成モジュール３におけるダンパー３６３の開度及び基板Ｍへのレジスト吐出後のスピンチャック３１の回転数や、図７〜図９で説明したレジスト膜除去モジュール４の角部カット幅設定値Ｌ２及び主カット幅設定値Ｌ３が挙げられる。後述するように基板Ｍの検査が行われることで、これらのパラメータ記憶部７５のパラメータは更新される場合がある。さらに、バス７１には搬送機構１４、１６が接続され、基板Ｍの検査結果に応じて基板Ｍを搬送することができる。

上記のプログラム格納部７２には、各モジュールでの基板Ｍの処理、各搬送機構１４、１６によるモジュール間における基板Ｍの搬送及び後述のフローで示す基板の検査が行えるように、命令（ステップ群）が組まれたプログラム７６が格納されている。当該プログラム７６によって制御部７から基板処理装置１の各部に制御信号が出力されることで、当該基板処理装置１の各部の動作が制御される。このプログラム７６は、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスクまたはメモリーカードなどの記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部７２に格納される。

（基板処理装置１における基板Ｍの搬送経路）
キャリア１１に格納されて基板処理装置１に搬送される複数の基板Ｍのうちの一部が、検査対象の基板として設定される。この検査対象として設定された基板Ｍの搬送経路と処理手順について、図１４を参照しながら説明する。なお、この説明では、後述するように搬送中に取得される各画像データによって行われる検査において、基板Ｍは正常な基板として判定されるものとする。先ず、キャリア１１に格納された基板Ｍは、紫外線照射モジュール１５に搬送されて紫外線の照射を受けた後、受け渡しモジュールＴＲＳ１に搬送される。然る後、基板Ｍは、洗浄モジュール１７に搬送されて洗浄された後、加熱モジュール２１に搬送されて加熱され、さらにその後、冷却モジュールＣＰＬに搬送されて冷却されて、所定の温度になるように調整される。

続いて、基板Ｍはレジスト膜形成モジュール３に搬送されて、レジスト膜Ｒが形成された後、前段撮像モジュール６に搬送されて第１の画像データであるレジスト膜除去前画像データが取得された後、レジスト膜除去モジュール４に搬送される。そして図７〜図９で説明したように除去工程１〜３が行われて基板Ｍの周縁部のレジスト膜Ｒが限定的に除去される。その後、基板Ｍは、後段撮像モジュール６０に搬送されて第２の画像データであるレジスト膜除去後画像データが取得された後、加熱モジュール２２に搬送されて加熱されてレジスト膜Ｒに残留するレジストの溶剤が除去される。然る後、基板Ｍは受け渡しモジュールＴＲＳ２を介してキャリア１１に戻される。なお、検査対象として設定されていない基板Ｍについては、レジスト膜形成モジュール３による処理後、前段撮像モジュール６には搬送されずにレジスト膜除去モジュール４に搬送されること、及びレジスト膜除去モジュール４による処理後、加熱モジュール２２に搬送されることを除いて、検査対象として設定された基板Ｍと同様に搬送されて処理される。

（レジスト膜除去前画像データに基づく検査及び対応）
レジスト膜除去前画像データを用いた検査の概要及び検査結果に基づく対応の概要を説明する。図１５は、前段撮像モジュール６により取得されるレジスト膜除去前画像データの一例を示している。図中の点線の矢印の先には、画像から推定することができる基板Ｍの縦断面を示している。上記のようにレジスト膜形成モジュール３では遠心力により中心部に供給されたレジストを基板Ｍの周縁部へと展伸させてレジスト膜Ｒを形成するため、基板Ｍの表面の周端部には基板Ｍの周に沿った環状の隆起領域Ｒ１が形成される場合が有る。この隆起領域Ｒ１については例えば他の領域に比べて画像の輝度が低いので、後述の制御部７は当該隆起領域Ｒ１を識別可能であり、当該制御部７は隆起領域Ｒ１の幅Ｌ６を検出する。

レジスト膜除去モジュール４において図７〜図９で説明した除去工程１〜除去工程３を行って基板Ｍの周縁部のレジスト膜Ｒを除去するにあたり、上記の隆起領域Ｒ１にシンナーが吐出されると、当該隆起領域Ｒ１に衝突したシンナーが基板Ｍの中心部側へと飛散して欠陥となったり、シンナーの流れが不安定となることにより、平面で見たときのレジスト膜Ｒの縁部の直線性が低下したりするなどの異常が発生してしまう懸念が有る。そこで、図１６の上段に示すようにレジスト膜除去前画像データから検出される隆起領域Ｒ１の幅Ｌ６≧角部カット幅設定値Ｌ２である場合、図１６の下段に示すように角部カット幅設定値Ｌ２が隆起領域Ｒ１の幅Ｌ６よりＡ１大きくなるように当該角部カット幅設定値Ｌ２の補正候補値が算出される。Ａ１は所定の正数である。

この角部カット幅設定値Ｌ２の補正候補値（＝Ｌ６＋Ａ１）が許容値以下であれば、当該補正候補値をカット幅設定値Ｌ２と決定して、パラメータ記憶部７５に記憶された角部カット幅設定値Ｌ２が決定した値に更新される。そして、レジスト膜除去前画像データを取得した基板Ｍ及び後続の基板Ｍについては、更新された角部カット幅設定値Ｌ２を用いて上記の除去工程１、２が行われる。ただし、角部カット幅設定値Ｌ２の補正候補値（＝Ｌ６＋Ａ１）が許容値より大きい場合、当該Ｌ２に基づいて基板Ｍを処理すると必要なレジスト膜Ｒを除去してしまうことになる。従ってその場合は、パラメータ記憶部７５に記憶された角部カット幅設定値Ｌ２の更新は行われず、レジスト膜除去前画像データを取得した基板Ｍが異常な基板として判定される。

同様に、図１７の上段に示すようにレジスト膜除去前画像データから検出される隆起領域Ｒ１の幅Ｌ６≧主カット幅設定値Ｌ３である場合、図１７の下段に示すように主カット幅設定値Ｌ３が隆起領域Ｒ１の幅Ｌ６よりＡ２大きくなるように当該主カット幅設定値Ｌ３の補正候補値が算出される。Ａ２は所定の正数である。この主カット幅設定値Ｌ３の補正候補値（＝Ｌ６＋Ａ２）が許容値以下であれば、当該補正候補値をカット幅設定値Ｌ３と決定して、パラメータ記憶部７５に記憶された主カット幅設定値Ｌ３が決定した値に更新される。そして、レジスト膜除去前画像データを取得した基板Ｍ及び後続の基板Ｍについては、更新された主カット幅設定値Ｌ３を用いて上記の除去工程３が行われる。ただし、主カット幅設定値Ｌ３の補正候補値（＝Ｌ６＋Ａ２）が許容値より大きい場合、当該Ｌ３に基づいて基板Ｍを処理すると必要なレジスト膜Ｒを除去してしまうことになる。従ってその場合は、パラメータ記憶部７５に記憶された主カット幅設定値Ｌ３の更新は行われず、レジスト膜除去前画像データを取得した基板Ｍが異常な基板として判定される。このようにレジスト膜除去前画像データからは、隆起領域Ｒ１の幅Ｌ６に基づいて、基板Ｍが異常であるか否かの検査が行われる。

そして、上記のようにレジスト膜除去前画像データから基板Ｍが異常な基板と判定されると、パラメータ記憶部７５におけるレジスト膜形成モジュール３のダンパー３６３の開度及びレジストの吐出終了後における当該レジストの流動性が比較的高い所定の時間帯におけるスピンチャック３１の回転数が、各々所定の量上昇するように補正される。つまり、異常な基板と判定された基板Ｍの後続の基板Ｍに対しては、異常な基板と判定された基板Ｍとは異なる処理条件でレジスト膜Ｒが形成される。

上記のようにダンパー３６３の開度を上昇させるのは、カップ３６の吸引口３６１からの排気流量を上昇させて基板Ｍの表面を当該基板Ｍの周端へと向かう気流の速度を高めることにより、基板Ｍの表面に供給されたレジストを基板Ｍの周端へと押しやり、当該隆起領域Ｒ１の幅Ｌ６の縮小化を図るためである。また、上記のようにスピンチャック３１の回転数を上昇させるのは、基板Ｍの表面に供給されたレジストに作用する遠心力を上昇させて当該レジストを基板Ｍの周端へと押しやり、当該隆起領域Ｒ１の幅Ｌ６の縮小化を図るためである。

続いて、図１７に示すフローチャートを参照して、以上のレジスト膜除去前画像データに基づいた検査と、検査に基づいて行われる対処とを順を追って説明する。先ず、前段撮像モジュール６にて基板Ｍが撮像され、レジスト膜除去前画像データが取得される（ステップＳ１）。この画像データにおいて、図１５で説明した基板Ｍの周端部におけるレジスト膜Ｒの隆起領域Ｒ１の幅Ｌ６が検出される（ステップＳ２）。続いて、図１６、図１７で説明したように角部カット幅設定値Ｌ２及び主カット幅設定値Ｌ３について、各々隆起領域Ｒ１の幅Ｌ６より大きいか否かが判定される（ステップＳ３）。ステップＳ３で角部カット幅設定値Ｌ２及び主カット幅設定値Ｌ３が共に隆起領域Ｒ１の幅Ｌ６よりも大きいと判定された場合、レジスト膜除去前画像データが取得された基板Ｍは正常であると判定され（ステップＳ４）、検査が終了する。検査終了後、そのように正常であると判定された基板Ｍは、図１４で説明したようにレジスト膜除去モジュール４へ搬送される。

ステップＳ３で、角部カット幅設定値Ｌ２及び主カット幅設定値Ｌ３の一方、または両方が幅Ｌ６より大きくないと判定された場合、そのように幅Ｌ６より大きくないと判定されたカット幅設定値Ｌ２、Ｌ３については、図１６、図１７で説明したように補正候補値（Ｌ２についてはＬ６＋Ａ１、Ｌ３についてはＬ６＋Ａ２）が算出され、さらに当該補正候補値が許容値以下であるか否かが判定される（ステップＳ５）。ステップＳ５で補正候補値が許容値以下と判定された場合には、補正候補値が算出されたＬ２及び／またはＬ３については、当該補正候補値となるようにパラメータ記憶部７５に記憶される値が更新される（ステップＳ６）。そして上記のステップＳ４が実行される、即ち撮像された基板Ｍは正常であると判定されて検査が終了し、基板Ｍはレジスト膜除去モジュール４へ搬送される。

ステップＳ５で、補正候補値が許容値より大いと判定された場合には、撮像された基板Ｍは異常であると判定されて（ステップＳ７）、検査が終了する。このようにステップＳ７により基板Ｍが異常であると判定されると、既述のようにパラメータ記憶部７５に記憶されるダンパー３６３の開度及びレジスト吐出後のスピンチャック３１の回転数が更新される。

なお、上記のフローにおいては隆起領域Ｒ１の幅のみに基づいて基板Ｍが異常であるか否かが判定されるものとして説明しているが、レジスト膜除去前画像データからは、例えば基板Ｍの表面においてレジストが飛散したことによる欠陥の有無など、他の種類の異常の有無についても判定される。つまり、上記のステップＳ４で正常な基板と判定された場合であっても他の種類の異常が有ると判定された場合には、上記のステップＳ７が実行される。即ち、基板Ｍは異常な基板として判定される。そのように異常な基板と判定された基板Ｍについては、前段撮像モジュール６以降、搬送が予定されていたレジスト膜除去モジュール４、後段撮像モジュール６０及び加熱モジュール２２には搬送されずに、キャリア１１に戻される。

（レジスト膜除去後画像データに基づく基板の検査及び対応）
続いて、図１９のフローチャートを参照しながら後段撮像モジュール６０から得られるレジスト膜除去後画像データに基づいた検査と、検査に基づいて行われる対処とを説明する。先ず、後段撮像モジュール６０にて基板Ｍが撮像され、周端処理後画像データが取得される（ステップＴ１）。この画像データにおいて、図１０で説明した角部カット幅Ｌ４及び主カット幅Ｌ５が検出される（ステップＴ２）。これらのカット幅Ｌ４、Ｌ５が、各々について設定される許容範囲に含まれるか否かが判定される（ステップＴ３）。

ステップＴ３において、カット幅Ｌ４、Ｌ５が共に許容範囲に含まれる場合は、画像データを取得した基板Ｍは正常な基板であると判定され（ステップＴ４）、検査が終了して、当該基板Ｍは既述のように加熱モジュール２２へ搬送される。ステップＴ３においてカット幅Ｌ４及び／またはカット幅Ｌ５が許容範囲から外れていると判定された場合、Ｌ４、Ｌ５のうち許容範囲から外れたカット幅については、全て許容範囲より小さいか、あるいは許容範囲よりも大きいものが有るかが判定される（ステップＴ５）。

ステップＴ５において、許容範囲から外れたカット幅について全て許容範囲より小さいと判定された場合は、基板Ｍは、必要な領域のみならず不要な領域にもレジスト膜Ｒが残留している状態となっている。この場合、基板Ｍが正常であるか否かの判定は保留され、当該基板Ｍは周縁部のレジスト膜Ｒの除去の再処理を受ける基板と決定されて（ステップＴ６）、検査が終了する。ステップＴ５で許容範囲から外れたカット幅について許容範囲より大きいものが有ると判定された場合は、必要な領域のレジスト膜Ｒが除去された状態となっているため、この場合は基板Ｍが異常な基板であると判定されて（ステップＴ７）、検査が終了する。

なお、上記のフローでは、カット幅Ｌ４、Ｌ５に基づいてのみ基板Ｍが異常であるか否かが判定されるように説明したが、レジスト膜除去後画像データからは、例えば、シンナーが基板Ｍの中央部へ飛散することによるレジスト膜Ｒの溶解の有無、レジスト膜の端部の形状についての異常、レジスト膜Ｒが除去された領域におけるレジストの残渣の有無など、他の種類の異常の有無も判定される。即ち、上記のステップＴ４で正常な基板と判定されても他の種類の異常が有ると判定された場合にはステップＴ７が実行される。即ち、基板Ｍは、異常な基板と判定される。このように異常な基板と判定された基板Ｍについては、後段撮像モジュール６０以降、加熱されてレジスト膜Ｒが除去し難くなることを防ぐために、搬送が予定されていた加熱モジュール２２には搬送されずに、キャリア１１に戻される。

上記のステップＴ６で基板Ｍが再処理を受けるように決定されると、当該基板Ｍは、後段撮像モジュール６０から加熱モジュール２２には搬送されずにキャリア１１に戻され、然る後当該キャリア１１から受け渡しモジュールＴＲＳ１を介してレジスト膜除去モジュール４に搬送される。その一方で、当該基板ＭについてステップＴ１で取得された画像データから、カット幅Ｌ４、Ｌ５が共に許容範囲に収まるように、カット幅設定値Ｌ２及び／またはＬ３の値が補正される。

即ち、上記のステップＴ３の判定で角部カット幅Ｌ４が許容範囲から外れているとされた場合は、パラメータ記憶部７５に記憶される角部カット幅設定値Ｌ２を補正する。例えばＬ４の許容範囲内の所定の値をＢ１とすると、Ｂ１と画像データから取得された角部カット幅Ｌ４との差分値だけ角部カット幅Ｌ２を大きくする。同様に、ステップＴ３の判定で主カット幅Ｌ５が許容範囲から外れているとされた場合は、パラメータ記憶部７５に記憶される主カット幅設定値Ｌ３を補正する。例えばＬ５の許容範囲内の所定の値をＢ２とすると、Ｂ２と画像データから取得された角部カット幅Ｌ５との差分値だけ角部カット幅Ｌ３を大きくする。

そして、基板Ｍはそのように補正されたカット幅設定値Ｌ２、Ｌ３に基づいてレジスト膜除去モジュール４で処理された後、再度後段撮像モジュール６０に搬送され、上記のステップＴ１〜Ｔ６のフローが実行されて、基板Ｍが異常であるか否かが判定される。レジスト膜除去モジュール４による再処理を受けない基板Ｍと同様に、正常であると判定された場合には、加熱モジュール２２を介してキャリア１１に戻され、異常であると判定された場合には加熱モジュール２２には搬送されずにキャリア１１に戻される。

上記のレジスト膜除去前画像データによる検査及びレジスト膜除去後画像データによる検査によって、異常であると判定されてキャリア１１に戻された基板Ｍについては、基板処理装置１の外部の処理装置に搬送されてレジスト膜Ｒの除去が行われる。さらに、そのようにレジスト膜Ｒが除去された基板ＭについてはＳＰＭ（硫酸及び過酸化水素水との混合液）を用いて洗浄処理が行われ、微細なレジストの残渣や有機物などの異物が確実に除去されるように処理される。キャリア１１に格納されて基板処理装置１に再度搬送されて、処理を受ける。

ところで、そのように異常と判定された基板Ｍを、外部の処理装置に搬送することには限られない。異常と判定された基板Ｍは、例えば前段撮像モジュール６または後段撮像モジュール６０からバッファモジュール２３に搬送されて、当該モジュールに滞留される。そして、例えばレジスト膜形成モジュール３から当該モジュール３で処理を終えた基板Ｍが搬出されて、当該レジスト膜形成モジュール３に基板Ｍを搬入可能になると、異常と判定された基板Ｍが、バッファモジュール２３から当該レジスト膜形成モジュール３に搬送される。そして、ノズル３４からのシンナーの供給と、スピンチャック３１の回転とにより、当該基板Ｍの表面全体にシンナーが供給されてレジスト膜Ｒが除去される。このようにレジスト膜Ｒが除去された後、基板Ｍには当該レジスト膜形成モジュール３においてレジスト膜Ｒが再度形成される。然る後、当該基板Ｍは、図１４で説明したようにレジスト膜形成モジュール３の後段の各モジュールを順に搬送される。

例えば基板Ｍがフォトマスクの製造を目的としない基板（非製品基板とする）であり、フォトマスクを製造するための基板（製品基板とする）に比べて異物の付着が多くなることが許容される場合には、このように基板処理装置１の外部の処理装置で洗浄を行わずに、基板処理装置１内でレジスト膜Ｒを除去して、再度基板Ｍを処理することが装置１のスループットの低下を防ぐために有効である。非製品基板としては、例えば基板処理装置１の各モジュールにおいて、処理が適正に行われるか否かを確認するための基板が挙げられる。製品基板である基板Ｍが異常と判定された場合には、確実に異物を除去するために、上記のように基板Ｍを外部の処理装置に搬送して洗浄することが好ましい。

上記の基板処理装置１によれば、基板Ｍの表面にレジスト膜Ｒを形成後、前段撮像モジュールで当該基板Ｍの表面を撮像し、取得されたレジスト膜除去前画像データに基づいて、当該基板Ｍをレジスト膜除去モジュール４で除去するときに基板Ｍの表面の周縁部においてシンナーが吐出される位置が制御される。それによって、レジスト膜Ｒが除去される環状領域の幅が制御される。従って、基板Ｍの周縁部のレジスト膜Ｒの隆起領域Ｒ１に起因する異常の発生を抑えることができる。基板Ｍが上記の製品基板である場合には、当該製品基板から製造されるフォトマスクの品質を高めることができる。

さらに、後段撮像モジュール６０で、レジスト膜除去モジュール４で処理済みの基板Ｍの表面を撮像し、取得された画像データに基づいて当該基板Ｍを再度レジスト膜除去モジュール４で処理するか、あるいはレジスト膜を除去するかが決定される。従って、レジスト膜を除去する基板Ｍの枚数が多くなることを防ぐことができるので、基板処理装置１における製品の生産性を高くすることができる。また、制御部７が各画像データを用いて検査を行うため、作業員が基板Ｍを目視して検査を行う場合に比べて検査に要する時間の短縮化を図ることができる。さらに作業員間における検査の精度のばらつきも発生しないので、当該検査精度の向上を図ることができる。

また、異常と判定された基板Ｍについては、レジスト膜形成モジュール３が使用可能になるまでバッファモジュール２３に待機されるので、当該基板Ｍをキャリア１１に戻す手間を省いてレジスト膜Ｒの再形成を速やかに行うことができる。従って、基板処理装置１のスループットの低下を抑えることができる。なお、ステップＴ６で周縁部のレジスト膜Ｒの除去の再処理を行うと決定された基板Ｍについても、後段撮像モジュール６０からキャリア１１に戻さず、当該バッファモジュール２３に搬送して、当該バッファモジュール２３で待機させるようにしてもよい。そして、レジスト膜除去モジュール４に搬送が可能になったらバッファモジュール２３から、当該再処理を行うと決定された基板Ｍをレジスト膜除去モジュール４に搬送する。

ところで図７〜図９に示すようにレジスト膜Ｒの除去処理を行うにあたり、シンナー吐出中のノズル本体部５１における前後の移動速度が大き過ぎたり、小さ過ぎたりすると、平面で見たレジスト膜Ｒの辺は直線にならずに波状に形成される。そこで、制御部７によってレジスト膜除去後画像データから、レジスト膜Ｒの辺がそのように波状に形成されたと判定された場合に、上記の移動速度が所定量上昇あるいは所定量低下するように、パラメータ記憶部７５に格納されたノズル本体部５１の前後の移動速度を規定するパラメータを更新するようにしてもよい。つまり、カット幅Ｌ４、Ｌ５に基づいてパラメータを更新することには限られない。

なお、既述の例では説明を容易にするためにレジスト膜Ｒの隆起領域Ｒ１の幅Ｌ６が基板Ｍの周の各部で均一なものとして説明しているが、実際にはばらつきが有るので、例えば基板Ｍの周の各部の幅Ｌ６の平均値を求め、この平均値に基づいてカット幅設定値Ｌ２、Ｌ３の補正を行ってもよい。また、図７〜図９で説明したようにシンナーを吐出するノズル本体部５１を前後に動かす際に、画像データに基づいてノズル本体部５１の吐出口５３を左右にも動かすことで、吐出口５３の基板Ｍへの投影領域５０が、隆起領域Ｒ１から外れた位置に位置するようにして、レジスト膜Ｒの除去を行うようにしてもよい。

上記の各種のパラメータの変更は、連続して検査される基板の１枚のみが異常と判定されたときには行われず、複数枚続いて異常と判定されたときに行われるようにしてもよい。さらに、上記の例ではレジスト膜除去前画像データに基づいて基板が異常であると判定されたときにレジスト膜形成モジュール３のダンパーの開度及び基板Ｍの回転数を共に変更しているが、いずれか一方のみを変更するようにしてもよい。さらに基板Ｍに形成される塗布膜としてはレジスト膜Ｒに限られず、絶縁膜などであってもよい。なお、上記の各実施形態は適宜変更したり、組み合わせたりすることができる。

（評価試験）
本発明に関連して行われた評価試験について説明する。上記のレジスト膜除去モジュール４を用いて、基板Ｍの一辺に沿って表面のレジスト膜Ｒを除去した。この一辺におけるレジスト膜Ｒの隆起領域Ｒ１の幅Ｌ６は、当該一辺に沿った各位置で異なっている。そして、シンナーを吐出するノズル本体部５１は前後方向に移動中、左右方向にも若干移動するように処理を行った。つまり上記のカット幅設定値Ｌ３が、基板Ｍの一辺に沿った各位置で異なるように処理を行った。処理後に、処理を行った基板Ｍの辺の近くのレジスト膜Ｒの端部について、辺に沿った各位置の状態を観察した。カット幅設定値Ｌ３の設定を変えて２回処理を行い、各回の処理を評価試験１−１、１−２とする。評価試験１−１は、評価試験１−２よりも基板Ｍの一辺の各位置におけるカット幅設定値Ｌ３が大きく設定されている。

図２０のグラフは、上記の基板Ｍの一辺に沿った各位置について、隆起領域Ｒ１の幅Ｌ６を点線と円のプロットで、評価試験１−１のカット幅設定値Ｌ３を実線と四角のプロットで、評価試験１−２のカット幅設定値Ｌ３を鎖線と三角のプロットで夫々示したものである。グラフの横軸は、基板Ｍの一辺の一端を０ｍｍとしたときの当該一端からの距離（単位：ｍｍ）を示している。グラフの縦軸は、上記の隆起領域Ｒ１の幅Ｌ６あるいはカット幅設定値Ｌ３を示しており、単位はｍｍである。

グラフに示すように評価試験１−１では基板Ｍの一辺の各位置でカット幅設定値が隆起領域Ｒ１の幅Ｌ６よりも大きい。従って、図６などで示したシンナー吐出口５３の基板表面への投影領域５０が、隆起領域Ｒ１から外れるように設定されている。この評価試験１−１においては、基板Ｍの辺に沿った各位置でレジスト膜Ｒの端部に異常は観察されなかった。また、グラフに示すように評価試験１−２では基板Ｍの一辺の各位置のうち、カット幅設定値が隆起領域Ｒ１の幅Ｌ６よりも小さくなる位置が有る。つまり、シンナー吐出口５３の基板表面への投影領域５０が隆起領域Ｒ１上に位置する場合が有る。この評価試験１−２においては、基板Ｍの辺に沿った各位置でレジスト膜Ｒの端部の形状が波状となり、異常となっていた。従って、この評価試験から図１６、図１７などで説明したように、カット幅設定値Ｌ２、Ｌ３の補正を行うことが有効であることが確認された。

Ｍ基板
Ｒレジスト膜
１基板処理装置
３レジスト膜形成モジュール
３１スピンチャック
４レジスト膜除去モジュール
５０投影領域
５３シンナー吐出口
６前段撮像モジュール
６０後段撮像モジュール
７制御部

本発明の基板処理装置は、膜が形成された基板の表面を撮像して第１の画像データを取得するための第１の撮像モジュールと、
前記第１の画像データが取得された前記基板の表面の周縁部における膜を前記基板の周に沿って環状に除去するために、当該膜の除去液を供給する膜除去モジュールと、
前記基板の表面の前記膜が除去される環状領域を撮像して第２の画像データを取得するための第２の撮像モジュールと、
前記第１の画像データに基づいて、前記環状領域の幅が制御されるように制御信号を出力し、且つ前記第２の画像データに基づいて前記基板が異常であるか正常であるかを判定する制御部と、
を備える。

本発明の基板処理方法は、第１の撮像モジュールにより、膜が形成された基板の表面を撮像して第１の画像データを取得する工程と、
続いて、膜除去モジュールにより、前記第１の画像データが取得された前記基板の表面の周縁部における膜を前記基板の周に沿って環状に除去するために、当該膜の除去液を供給する膜除去工程と、
前記第２の撮像モジュールにより、前記基板の表面の前記膜が除去される環状領域を撮像して第２の画像データを取得する工程と、
制御部により、前記第１の画像データに基づいて、前記環状領域の幅を制御する工程と、
前記第２の画像データに基づいて前記基板が異常であるか正常であるかを判定する工程と、
を備える。

Claims

膜が形成された基板の表面を撮像して第１の画像データを取得するための第１の撮像モジュールと、
前記第１の画像データが取得された前記基板の表面の周縁部における膜を前記基板の周に沿って環状に除去するために、当該膜の除去液を供給する膜除去モジュールと、
前記環状領域において前記膜が除去された前記基板の表面を撮像して第２の画像データを取得するための第２の撮像モジュールと、
前記第１の画像データに基づいて、前記膜が除去される環状領域の幅が制御されるように制御信号を出力し、且つ前記第２の画像データに基づいて前記基板が異常であるか正常であるかを判定する制御部と、
を備える基板処理装置。