JP2020176212A - ダイボンド材、発光装置、及び、発光装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】発光素子を所定の位置に固定する際に好適に用いられるダイボンド材、このダイボンド材由来の接着部材を有する発光装置、及びこの発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】下記（Ａ）成分、及び、溶媒を含有し、２５℃における屈折率（ｎＤ）が、１．４１〜１．４３であること、及び、チキソ指数が２以上であること、を特徴とするダイボンド材、このダイボンド材由来の接着部材を有する発光装置、及び、この発光装置の製造方法。（Ａ）成分：下記式（ａ−１）で示される繰り返し単位を有する硬化性ポリシルセスキオキサン化合物であって、２９Ｓｉ−ＮＭＲと質量平均分子量（Ｍｗ）に関する特定の要件を満たすことを特徴とする硬化性ポリシルセスキオキサン化合物〔Ｒ１は、組成式：ＣｍＨ（２ｍ−ｎ＋１）Ｆｎで表されるフルオロアルキル基を表す。〕【選択図】図１

Description

本発明は、発光素子を所定の位置に固定する際に好適に用いられるダイボンド材、このダイボンド材由来の接着部材を有する発光装置、及びこの発光装置の製造方法に関する。

従来、硬化性組成物は用途に応じて様々な改良がなされ、光学部品や成形体の原料、接着剤、コーティング剤等として産業上広く利用されてきている。
特に、シリコーン系化合物含有硬化性組成物は、発光素子の封止材料や発光素子用ダイボンド材等として注目されてきている。
例えば、特許文献１〜４には、発光装置の製造に好適に用いられる硬化性組成物として、ポリシルセスキオキサン化合物を含有する硬化性組成物が記載されている。

特開２００４−３５９９３３号公報 特開２００５−２６３８６９号公報 特開２００６−３２８２３１号公報 ＷＯ２０１７／１１０９４８号

本発明は、より高性能なダイボンド材や発光装置、及びこの発光装置の製造方法を提供することを目的になされたものである。
すなわち、本発明は、発光素子を所定の位置に固定する際に好適に用いられるダイボンド材、このダイボンド材由来の接着部材を有する発光装置、及びこの発光装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記課題を解決すべく、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物を含有するダイボンド材について鋭意検討を重ねた。
その結果、特定の硬化性ポリシルセスキオキサン化合物と溶媒を含有するダイボンド材であって、屈折率（ｎＤ）とチキソ指数に関する所定の要件を満たすものは、塗布性に優れ、発光素子を強固に固定することができ、さらに、発光装置の光取り出し効率の向上に寄与することを見出し、本発明を完成するに至った。

かくして本発明によれば、下記〔１〕〜〔８〕のダイボンド材、〔９〕〜〔１１〕の発光装置、及び〔１２〕〜〔１４〕の発光装置の製造方法が提供される。

〔１〕下記（Ａ）成分、及び、溶媒を含有し、２５℃における屈折率（ｎＤ）が、１．４１〜１．４３であること、及び、チキソ指数が２以上であること、を特徴とするダイボンド材。
（Ａ）成分：下記式（ａ−１）で示される繰り返し単位を有する硬化性ポリシルセスキオキサン化合物であって、下記要件１、及び要件２を満たすことを特徴とする硬化性ポリシルセスキオキサン化合物

〔Ｒ^１は、組成式：Ｃ_ｍＨ_{（２ｍ−ｎ＋１）}Ｆ_ｎで表されるフルオロアルキル基を表す。ｍは１〜１０の整数、ｎは２以上、（２ｍ＋１）以下の整数を表す。Ｄは、Ｒ^１とＳｉとを結合する連結基（ただし、アルキレン基を除く）又は単結合を表す。〕
〔要件１〕
硬化性ポリシルセスキオキサン化合物の^２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定したときに、−６２ｐｐｍ以上−５２ｐｐｍ未満の領域〔領域（２）〕に１又は２以上のピークが観測され、−５２ｐｐｍ以上−４５ｐｐｍ未満の領域〔領域（１）〕と−７３ｐｐｍ以上−６２ｐｐｍ未満の領域〔領域（３）〕の少なくとも一方の領域に１又は２以上のピークが観測され、かつ、下記式で導かれるＺ２が、２０〜４０％である。

Ｐ１：領域（１）における積分値
Ｐ２：領域（２）における積分値
Ｐ３：領域（３）における積分値
〔要件２〕
硬化性ポリシルセスキオキサン化合物の質量平均分子量（Ｍｗ）が、４，０００〜１１，０００である。
〔２〕前記硬化性ポリシルセスキオキサン化合物が、式（ａ−１）で示される繰り返し単位の割合が、全繰り返し単位に対して２５ｍｏｌ％以上のものである、〔１〕に記載のダイボンド材。
〔３〕前記硬化性ポリシルセスキオキサン化合物が、さらに、下記式（ａ−２）で示される繰り返し単位を有するものである、〔１〕又は〔２〕に記載のダイボンド材。

〔Ｒ^２は、無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、又は、置換基を有する、若しくは無置換の炭素数６〜１２のアリール基を表す。〕
〔４〕前記硬化性ポリシルセスキオキサン化合物が、式（ａ−２）で示される繰り返し単位の割合が、全繰り返し単位に対して０ｍｏｌ％超、７５ｍｏｌ％以下のものである、〔３〕に記載のダイボンド材。
〔５〕前記硬化性ポリシルセスキオキサン化合物の^２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定したときに、領域（３）に１又は２以上のピークが観測され、かつ、下記式で導かれるＺ３が、６０〜８０％である、〔１〕〜〔４〕のいずれか一に記載のダイボンド材。

〔６〕さらに、下記（Ｂ）成分を含有する、〔１〕〜〔５〕のいずれか一に記載のダイボンド材。
（Ｂ）成分：分子内に窒素原子を有するシランカップリング剤
〔７〕さらに、下記（Ｃ）成分を含有する、〔１〕〜〔６〕のいずれか一に記載のダイボンド材。
（Ｃ）成分：分子内に酸無水物構造を有するシランカップリング剤
〔８〕さらに、下記（Ｄ）成分を含有する、〔１〕〜〔７〕のいずれか一に記載のダイボンド材。
（Ｄ）成分：平均一次粒子径が５〜４０ｎｍの微粒子
〔９〕一対のリード電極と、前記一対のリード電極と一体に成形された成形体と、を備え、かつ、凹部を有する素子収容器であって、前記凹部の底が、前記一対のリード電極で構成されている素子収容器と、前記凹部の底を構成する前記一対のリード電極の少なくとも一方の上に、接着部材を介して固定された発光素子と、を備え、前記接着部材が、〔１〕〜〔８〕のいずれか一に記載のダイボンド材の硬化物である、発光装置。
〔１０〕前記発光素子の発光ピーク波長が、４４５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下である、〔９〕に記載の発光装置。
〔１１〕前記発光素子が、窒化物半導体（Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ、０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）を含むものである、〔９〕又は〔１０〕に記載の発光装置。
〔１２〕一対のリード電極と、前記一対のリード電極と一体に成形された成形体と、を備え、かつ、凹部を有する素子収容器であって、前記凹部の底が、前記一対のリード電極で構成されている素子収容器と、前記凹部の底を構成する前記一対のリード電極の少なくとも一方の上に、接着部材を介して固定された発光素子と、を備える発光装置の製造方法であって、前記発光素子を、〔１〕〜〔８〕のいずれか一に記載の前記ダイボンド材を用いて、前記一対のリード電極の少なくとも一方に固定する発光素子実装工程を含む、発光装置の製造方法。
〔１３〕前記発光素子実装工程は、前記ダイボンド材を前記一対のリード電極の少なくとも一方に塗布し、前記ダイボンド材上に、前記発光素子を配置し、前記ダイボンド材を１３０℃以上１４０℃以下の温度で硬化するものである、〔１２〕に記載の発光装置の製造方法。
〔１４〕前記発光素子の発光ピーク波長が、４４５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下である〔１２〕又は〔１３〕に記載の発光装置の製造方法。

本発明によれば、発光素子を所定の位置に固定する際に好適に用いられるダイボンド材、このダイボンド材由来の接着部材を有する発光装置、及びこの発光装置の製造方法が提供される。

本発明の一実施の形態に係る発光装置の概略正面図である。 本発明の一実施の形態に係る発光装置であって、図１のＡ−Ａ断面における概略断面図である。 本発明の一実施の形態に係る発光装置であって、図１のＢ−Ｂ断面における概略断面図である。 本発明の一実施の形態に係る発光装置であって、図１の概略下面図である。 本発明の一実施の形態に係る発光装置の概略正面図である。 本発明の一実施の形態に係る発光装置であって、図５のＣ−Ｃ断面における概略断面図である。 本発明の一実施の形態に係る発光装置であって、図５のＤ−Ｄ断面における概略断面図である。 本発明の一実施の形態に係る発光装置であって、図５の概略下面図である。

以下、本発明を、１）ダイボンド材、２）発光装置、及び、３）発光装置の製造方法、に項分けして詳細に説明する。

１）ダイボンド材
本発明のダイボンド材は、下記（Ａ）成分、及び、溶媒を含有し、２５℃における屈折率（ｎＤ）が、１．４１〜１．４３であること、及び、チキソ指数が２以上であること、を特徴とする。
（Ａ）成分：上記式（ａ−１）で示される繰り返し単位を有する硬化性ポリシルセスキオキサン化合物であって、上記要件１、及び要件２を満たすことを特徴とする硬化性ポリシルセスキオキサン化合物〔硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）〕

〔（Ａ）成分〕
本発明のダイボンド材を構成する（Ａ）成分は、下記式（ａ−１）で示される繰り返し単位を有する硬化性ポリシルセスキオキサン化合物であって、上記要件１、及び要件２を満たすことを特徴とする硬化性ポリシルセスキオキサン化合物である。

〔Ｒ^１は、組成式：Ｃ_ｍＨ_{（２ｍ−ｎ＋１）}Ｆ_ｎで表されるフルオロアルキル基を表す。ｍは１〜１０の整数、ｎは２以上、（２ｍ＋１）以下の整数を表す。Ｄは、Ｒ^１とＳｉとを結合する連結基（ただし、アルキレン基を除く）又は単結合を表す。〕

式（ａ−１）中、Ｒ^１は、組成式：Ｃ_ｍＨ_{（２ｍ−ｎ＋１）}Ｆ_ｎで表されるフルオロアルキル基を表す。ｍは１〜１０の整数、ｎは２以上、（２ｍ＋１）以下の整数を表す。ｍは、好ましくは１〜５の整数、より好ましくは１〜３の整数である。
Ｒ^１を有する硬化性ポリシルセスキオキサン化合物を用いることで、屈折率が低いダイボンド材を得ることができる。

組成式：Ｃ_ｍＨ_{（２ｍ−ｎ＋１）}Ｆ_ｎで表されるフルオロアルキル基としては、ＣＦ_３、ＣＦ_３ＣＦ_２、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_２、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_３、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_４、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_５、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_６、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_７、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_８、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_９等のパーフルオロアルキル基；ＣＦ_３ＣＨ_２ＣＨ_２、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_３ＣＨ_２ＣＨ_２、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_５ＣＨ_２ＣＨ_２、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_７ＣＨ_２ＣＨ_２等のハイドロフルオロアルキル基；が挙げられる。

式（ａ−１）中、Ｄは、Ｒ^１とＳｉとを結合する連結基（ただし、アルキレン基を除く）又は単結合を表す。
Ｄの連結基としては、１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，２−フェニレン基、１，５−ナフチレン基等の炭素数が６〜２０のアリーレン基が挙げられる。

硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）は、１種の（Ｒ^１−Ｄ）を有するもの（単独重合体）であっても、２種以上の（Ｒ^１−Ｄ）を有するもの（共重合体）であってもよい。
硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）が共重合体である場合、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）は、ランダム共重合体、ブロック共重合体、グラフト共重合体、交互共重合体等のいずれであってもよいが、製造容易性等の観点からは、ランダム共重合体が好ましい。
また、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）の構造は、ラダー型構造、ダブルデッカー型構造、籠型構造、部分開裂籠型構造、環状型構造、ランダム型構造のいずれの構造であってもよい。

硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）に含まれる式（ａ−１）で示される繰り返し単位の割合は、全繰り返し単位に対して好ましくは２５ｍｏｌ％以上、より好ましくは２５〜９０ｍｏｌ％、さらに好ましくは２５〜８５ｍｏｌ％である。
式（ａ−１）で示される繰り返し単位の割合が、全繰り返し単位に対して２５ｍｏｌ％以上の硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）を用いることで、屈折率がより低いダイボンド材を得ることができる。

硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）は、さらに、下記式（ａ−２）で示される繰り返し単位を有するもの（共重合体）であってもよい。

式（ａ−２）中、Ｒ^２は、無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、又は、置換基を有する、若しくは無置換の炭素数６〜１２のアリール基を表す。

Ｒ^２の無置換の炭素数１〜１０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等が挙げられる。

Ｒ^２の無置換の炭素数６〜１２のアリール基としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等が挙げられる。
Ｒ^２の置換基を有する炭素数６〜１２のアリール基の置換基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基等のアルキル基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；が挙げられる。

これらの中でも、Ｒ^２としては、接着強度がより高く、耐熱性により優れる硬化物が得られ易いことから、無置換の炭素数１〜１０のアルキル基が好ましく、無置換の炭素数１〜６のアルキル基がより好ましく、無置換の炭素数１〜３のアルキル基が特に好ましい。

硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）が式（ａ−２）で示される繰り返し単位を有するものである場合、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）は、１種のＲ^２を有するものであっても、２種以上のＲ^２を有するものであってもよい。

硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）が式（ａ−２）で示される繰り返し単位を有するものである場合、その割合は、全繰り返し単位に対して好ましくは０ｍｏｌ超、７５ｍｏｌ％以下、より好ましくは１０〜７５ｍｏｌ％、さらに好ましくは１５〜７５ｍｏｌ％である。
式（ａ−２）で示される繰り返し単位の割合が上記範囲内の硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）を用いることで、接着強度がより高く、耐熱性により優れる硬化物が得られ易くなる。

硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）中の、式（ａ−１）や式（ａ−２）で示される繰り返し単位の割合は、例えば、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）の^２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定することにより求めることができる。

硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）は、アセトン等のケトン系溶媒；ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；ジメチルスルホキシド等の含硫黄系溶媒；テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒；酢酸エチル等のエステル系溶媒；クロロホルム等の含ハロゲン系溶媒；及びこれらの２種以上からなる混合溶媒；等の各種有機溶媒に可溶であるため、これらの溶媒を用いて、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）の溶液状態での^２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定することができる。

式（ａ−１）で示される繰り返し単位や、式（ａ−２）で示される繰り返し単位は、下記式（ａ−３）で示されるものである。

〔Ｇは、（Ｒ^１−Ｄ）又はＲ^２を表す。Ｒ^１、Ｄ、Ｒ^２は、それぞれ上記と同じ意味を表す。Ｏ_１／２とは、酸素原子が隣の繰り返し単位と共有されていることを表す。〕

式（ａ−３）で示されるように、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）は、一般にＴサイトと総称される、ケイ素原子に酸素原子が３つ結合し、それ以外の基（Ｇで表される基）が１つ結合してなる部分構造を有する。
硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）に含まれるＴサイトとしては、下記式（ａ−４）〜（ａ−６）で示されるものが挙げられる。

式（ａ−４）、（ａ−５）及び（ａ−６）中、Ｇは、上記と同じ意味を表す。Ｒ^３は、水素原子又は炭素数１〜１０のアルキル基を表す。Ｒ^３の炭素数１〜１０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基等が挙げられる。複数のＲ^３同士は、すべて同一であっても相異なっていてもよい。また、上記式（ａ−４）〜（ａ−６）中、＊には、ケイ素原子が結合している。

式（ａ−４）及び式（ａ−５）で示されるＴサイトは、重縮合反応に寄与し得る基（Ｒ^３−Ｏ）を含む。したがって、これらのＴサイトを多く含むポリシルセスキオキサン化合物は反応性に優れる。また、このようなポリシルセスキオキサン化合物を含有する組成物は硬化性に優れる。
一方、式（ａ−５）及び式（ａ−６）で示されるＴサイトは、２以上のケイ素原子（隣のＴサイト）と結合している。したがって、これらのＴサイトを多く含むポリシルセスキオキサン化合物は、大きな分子量を有する傾向がある。

したがって、式（ａ−５）で示されるＴサイトを多く含むポリシルセスキオキサン化合物は、比較的大きな分子量を有し、かつ、十分な反応性を有する。
以下に説明するように、本発明に用いる硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）は、これらの特性を有するものである。

まず、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）は、以下の要件１を満たす。
〔要件１〕
硬化性ポリシルセスキオキサン化合物の^２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定したときに、−６２ｐｐｍ以上−５２ｐｐｍ未満の領域〔領域（２）〕に１又は２以上のピークが観測され、−５２ｐｐｍ以上−４５ｐｐｍ未満の領域〔領域（１）〕と−７３ｐｐｍ以上−６２ｐｐｍ未満の領域〔領域（３）〕の少なくとも一方の領域に１又は２以上のピークが観測され、かつ、下記式で導かれるＺ２が、２０〜４０％である。
なお、「領域（１）に観測されるピーク」とは、ピークトップが、領域（１）の範囲にあることをいう。「領域（２）に観測されるピーク」、「領域（３）に観測されるピーク」についても同様である。

Ｐ１：領域（１）における積分値
Ｐ２：領域（２）における積分値
Ｐ３：領域（３）における積分値

本明細書において、「領域（１）における積分値」、「領域（２）における積分値」、「領域（３）における積分値」とは、それぞれ、−５２ｐｐｍ〜−４５ｐｐｍ、−６２ｐｐｍ〜−５２ｐｐｍ、−７３ｐｐｍ〜−６２ｐｐｍを積分範囲として計算して得られた値をいう。

領域（１）、領域（２）、領域（３）に観測されるピークは、それぞれ、式（ａ−４）、式（ａ−５）、式（ａ−６）で示されるＴサイト中のケイ素原子に由来するものである。

したがって、要件１を満たす硬化性ポリシルセスキオキサン化合物は、式（ａ−５）で示されるＴサイトを、Ｔサイト全体に対して２０〜４０％含むものである。
この硬化性ポリシルセスキオキサン化合物は、上記のように、比較的大きな分子量を有し、かつ、十分な反応性を有するものであり、ダイボンド材の硬化性成分として有用である。

要件１中、Ｚ２の値は、好ましくは２４〜３６％、より好ましくは２７〜３２％である。Ｚ２が小さ過ぎると反応性が十分でなく、Ｚ２が大き過ぎると貯蔵安定性が低下する。

硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）は、^２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定したときに、領域（３）に１又は２以上のピークが観測され、かつ、下記式で導かれるＺ３が、６０〜８０％であることが好ましい。

Ｚ３が６０〜８０％である硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）は、式（ａ−６）で示されるＴサイトを、Ｔサイト全体に対して６０〜８０％含むものである。
Ｚ３の値が６０〜８０％の範囲内の硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）は、分子量と反応性のバランスにより優れるものである。
この効果がより得られ易いことから、Ｚ３の値は、６４〜７６％がより好ましく、６８〜７３％がさらに好ましい。

Ｚ２やＺ３の値は、例えば、実施例に記載の条件で^２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定し、Ｐ１〜Ｐ３を得、上記式に従って算出することができる。

硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）は、上記要件２を満たすものである。
すなわち、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）の質量平均分子量（Ｍｗ）は、４，０００〜１１，０００であり、好ましくは４，０００〜８，０００、より好ましくは６，０００〜７，０００である。

上記のように、要件１を満たす硬化性ポリシルセスキオキサン化合物は、比較的大きな分子量を有する傾向がある。要件２は、その分子量の範囲を明確にするものである。
質量平均分子量（Ｍｗ）が上記範囲内にある硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）を硬化性成分として用いることで、接着強度が高く、耐熱性に優れる硬化物を与えるダイボンド材を得ることができる。

硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、特に制限されないが、通常１．０〜１０．０、好ましくは１．１〜６．０の範囲である。分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が上記範囲内にある硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）を硬化性成分として用いることで、接着性及び耐熱性により優れる硬化物を与えるダイボンド材を得ることができる。
質量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、例えば、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を溶媒とするゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）による標準ポリスチレン換算値として求めることができる。

硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）は、例えば、下記式（ａ−７）で示される化合物（以下、「シラン化合物（１）」ということがある。）、又は、シラン化合物（１）及び下記式（ａ−８）で示される化合物（以下、「シラン化合物（２）」ということがある。）を、重縮合触媒の存在下に重縮合させることにより製造することができる。

式（ａ−７）、（ａ−８）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｄは、上記と同じ意味を表す。Ｒ^４、Ｒ^５は、それぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｘ^１、Ｘ^２は、それぞれ独立にハロゲン原子を表し、ｐ、ｑは、それぞれ独立に０〜３の整数を表す。複数のＲ^４、Ｒ^５、及び複数のＸ^１、Ｘ^２は、それぞれ、互いに同一であっても、相異なっていてもよい。

Ｒ^４、Ｒ^５の炭素数１〜１０のアルキル基としては、Ｒ^２の炭素数１〜１０のアルキル基として示したものと同様のものが挙げられる。
Ｘ^１、Ｘ^２のハロゲン原子としては、塩素原子、及び臭素原子等が挙げられる。

シラン化合物（１）としては、ＣＦ_３Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、ＣＦ_３ＣＦ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、ＣＦ_３ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、ＣＦ_３（Ｃ_６Ｈ_４）Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３（４−（トリフルオロメチル）フェニルトリメトキシシラン）、ＣＦ_３Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_３、ＣＦ_３ＣＦ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_３、ＣＦ_３ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_３、ＣＦ_３（Ｃ_６Ｈ_４）Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_３、４−（トリフルオロメチル）フェニルトリエトキシシラン等のフルオロアルキルトリアルコキシシラン化合物類；
ＣＦ_３ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＣＦ_２ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＳｉＢｒ（ＯＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＣＦ_２ＳｉＢｒ（ＯＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＳｉＢｒ（ＯＣＨ_３）_２、
ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_３）_２、ＣＦ_３（Ｃ_６Ｈ_４）ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_３）_２、４−（トリフルオロメチル）フェニルクロロジメトキシシラン、ＣＦ_３ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＣＦ_２ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２、ＣＦ_３（Ｃ_６Ｈ_４）ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２、４−（トリフルオロメチル）フェニルクロロジエトキシシラン等のフルオロアルキルハロゲノジアルコキシシラン化合物類；
ＣＦ_３ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_３）、ＣＦ_３ＣＦ_２ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_３）、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_３）、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_３）、ＣＦ_３ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_３）、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_３）、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_３）、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_３）、ＣＦ_３（Ｃ_６Ｈ_４）ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_３）、４−（トリフルオロメチル）フェニルジクロロメトキシシラン、ＣＦ_３ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）、ＣＦ_３ＣＦ_２ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）、ＣＦ_３ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）、ＣＦ_３（Ｃ_６Ｈ_４）ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）、４−（トリフルオロメチル）フェニルジクロロエトキシシラン等のフルオロアルキルジハロゲノアルコキシシラン化合物類；
ＣＦ_３ＳｉＣｌ_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＳｉＣｌ_３、ＣＦ_３ＳｉＢｒ_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＳｉＢｒ_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＳｉＣｌ_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＳｉＣｌ_３、ＣＦ_３ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ_３、ＣＦ_３（Ｃ_６Ｈ_４）ＳｉＣｌ_３、４−トリフルオロメチルフェニルトリクロロシシラン、ＣＦ_３ＳｉＣｌ_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＳｉＣｌ_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＳｉＣｌ_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＳｉＣｌ_３、ＣＦ_３ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ_３、ＣＦ_３（Ｃ_６Ｈ_４）ＳｉＣｌ_３、４−（トリフルオロメチル）フェニルトリクロロシラン等のフルオロアルキルトリハロゲノシラン化合物類；が挙げられる。
シラン化合物（１）は１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
これらの中でも、シラン化合物（１）としては、フルオロアルキルトリアルコキシシラン化合物類に含まれるものが好ましい。

シラン化合物（２）としては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリプロポキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリプロポキシシラン、ｎ−プロピルトリブトキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、ｎ−ペンチルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン、イソオクチルトリエトキシシラン等のアルキルトリアルコキシシラン化合物類；

メチルクロロジメトキシシラン、メチルクロロジエトキシシラン、メチルジクロロメトキシシラン、メチルブロモジメトキシシラン、エチルクロロジメトキシシラン、エチルクロロジエトキシシラン、エチルジクロロメトキシシラン、エチルブロモジメトキシシラン、ｎ−プロピルクロロジメトキシシラン、ｎ−プロピルジクロロメトキシシラン、ｎ−ブチルクロロジメトキシシラン、ｎ−ブチルジクロロメトキシシラン等のアルキルハロゲノアルコキシシラン化合物類；

メチルトリクロロシラン、メチルトリブロモシラン、エチルトリトリクロロシラン、エチルトリブロモシラン、ｎ−プロピルトリクロロシラン、ｎ−プロピルトリブロモシラン、ｎ−ブチルトリクロロシラン、イソブチルトリクロロシラン、ｎ−ペンチルトリクロロシラン、ｎ−ヘキシルトリクロロシラン、イソオクチルトリクロロシラン等のアルキルトリハロゲノシラン化合物類；等が挙げられる。
シラン化合物（２）は１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
これらの中でも、シラン化合物（２）としては、アルキルトリアルコキシシラン化合物類に含まれるものが好ましい。

上記シラン化合物を重縮合させる方法は特に限定されず、公知の方法を利用することができる。ただし、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）の製造においては以下に示す問題があるため、反応条件を特別に検討する必要がある。

硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）を製造する際の問題の一つは、上記特許文献４に示されている。すなわち、上記特許文献４の表１を見ると、フルオロアルキル基を有するシラン化合物の使用割合が増加するにしたがって、得られる重合体は低分子量化する傾向があることが分かる。
このように、シラン化合物（１）の反応性とシラン化合物（２）の反応性は大きく異なるため、シラン化合物（２）の重縮合反応に関する従来の知見をそのまま利用して、要件１及び要件２を満たす硬化性ポリシルセスキオキサン化合物を得ることは困難である。

特許文献４の実施例においては、実際に、フルオロアルキル基を有するシラン化合物を用いて重縮合反応を行い、重合体を製造している。しかしながら、上記のように、この文献に記載の製造方法においては、反応に用いたシラン化合物の混合割合が反応に大きく影響するため、重合体の分子量を制御することはできていない。
また、特許文献４の実施例に記載の反応条件を用いることで、反応性に劣るシラン化合物（フルオロアルキル基を有するシラン化合物）を単量体として使用することはできるが、この反応条件を用いても、要件１及び要件２を満たす硬化性ポリシルセスキオキサン化合物を得ることは困難である。

本発明者は、シラン化合物（１）を用いる重縮合反応について検討した結果、比較的穏やかな条件で、時間をかけて重縮合反応を行うことで、要件１及び要件２を満たす硬化性ポリシルセスキオキサン化合物が得られることが分かった。
具体的には、溶媒中、又は無溶媒で、適量の酸触媒を用いて、所定温度でシラン化合物の重縮合反応を行って製造中間体を含む反応液を得た後、塩基を加えて反応液を中和し、さらに重縮合反応を行うことで、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）を製造することができる。

溶媒としては、水；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル等のエステル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｓ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコール等のアルコール類；等が挙げられる。これらの溶媒は１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
溶媒を使用する場合、その使用量は、シラン化合物の総ｍｏｌ量１ｍｏｌ当たり、通常０．００１〜１０．０００リットル、好ましくは０．０１０〜０．９リットルである。

酸触媒としては、リン酸、塩酸、ホウ酸、硫酸、硝酸等の無機酸；クエン酸、酢酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸等の有機酸；等が挙げられる。これらの中でも、リン酸、塩酸、ホウ酸、硫酸、クエン酸、酢酸、及びメタンスルホン酸から選ばれる少なくとも１種が好ましい。
酸触媒の使用量は、シラン化合物の総ｍｏｌ量に対して、通常０．０１〜２．００ｍｏｌ％、好ましくは０．０５〜１．００ｍｏｌ％、より好ましくは０．１０〜０．３０の範囲である。

酸触媒存在下での反応の反応温度は、通常２０〜９０℃、好ましくは２５〜８０℃である。
酸触媒存在下での反応の反応時間は、通常１〜４８時間、好ましくは３〜２４時間である。

酸触媒存在下の反応により得られる製造中間体の質量平均分子量（Ｍｗ）は、通常８００〜５，０００、好ましくは１，２００〜４，０００である。

反応液を中和する際に用いる塩基としては、アンモニア水；トリメチルアミン、トリエチルアミン、ピリジン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、アニリン、ピコリン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン、イミダゾール等の有機塩基；水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム等の有機塩水酸化物；ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムｔ−ブトキシド、カリウムｔ−ブトキシド等の金属アルコキシド；水素化ナトリウム、水素化カルシウム等の金属水素化物；水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム等の金属水酸化物；炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸マグネシウム等の金属炭酸塩；炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等の金属炭酸水素塩；等が挙げられる。

反応液の中和に用いる塩基の量は、シラン化合物の総ｍｏｌ量に対して、通常０．０１〜２．００ｍｏｌ％、好ましくは０．０５〜１．００ｍｏｌ％、より好ましくは０．１０〜０．７０の範囲である。
また反応液の中和に用いる塩基の量（ｍｏｌ）は、１工程前で用いた酸触媒の量（ｍｏｌ）の０．５〜５．０倍が好ましく、より好ましくは０．８〜３．０倍、より更に好ましくは１．０〜２．０倍である。
中和後の反応液のｐＨは、通常６．０〜８．０、好ましくは６．２〜７．０であり、より好ましくは６．４〜６．９である。

中和後の反応の反応温度は、通常４０〜９０℃、好ましくは５０〜８０℃である。
中和後の反応の反応時間は、通常２０〜２００分間、好ましくは３０〜１５０分間である。

上記の製造方法では、酸触媒存在下での反応においては、加水分解を主な目的とし、中和後の反応においては、脱水縮合を主な目的としている。
このようにしてシラン化合物の重縮合反応を行うことで、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）を効率よく製造することができる。

反応終了後は、公知の精製処理を行い、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）を単離することができる。

本発明のダイボンド材において、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）は１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。

本発明のダイボンド材中の硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）の含有量は、ダイボンド材の固形分全体を基準として、通常４０〜８０質量％、好ましくは５０〜７０質量％である。

〔溶媒〕
本発明のダイボンド材を構成する溶媒は、本発明のダイボンド材の成分を溶解又は分散し得るものであれば特に限定されない。
溶媒としては、２５４℃以上の沸点を有する溶媒（以下、「溶媒（Ｓ１）」と記載することがある。）が好ましい。
溶媒（Ｓ１）の沸点は、２５４℃以上であり、２５４〜３００℃が好ましい。
ここで、沸点は、１０１３ｈＰａにおける沸点をいう（本明細書において同じ。）

溶媒（Ｓ１）としては、沸点が２５４℃以上であり、かつ、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）を溶解可能なものであれば特に制限されない。
このような溶媒（Ｓ１）は、揮発速度が比較的遅い。したがって、溶媒（Ｓ１）を含有するダイボンド材は、塗布後に長時間放置されても粘度変化が小さいため、塗布直後と同様に光素子等を良好にマウントすることが可能となる。

溶媒（Ｓ１）としては、具体的には、トリプロピレングリコール−ｎ−ブチルエーテル（沸点２７４℃）、１，６−へキサンジオールジアクリレート（沸点２６０℃）、ジエチレングリコールジブチルエーテル（沸点２５６℃）、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル（沸点２６１℃）、ポリエチレングリコールジメチルエーテル（沸点２６４〜２９４℃）、テトラエチレングリコールジメチルエーテル（沸点２７５℃）、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル（沸点２９０〜３１０℃）等が挙げられる。
これらの中でも、溶媒（Ｓ１）としては、本発明の効果がより得られやすい観点から、トリプロピレングリコール−ｎ−ブチルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジアクリレートが好ましい。
溶媒（Ｓ１）は１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。

本発明のダイボンド材は、溶媒（Ｓ１）以外の溶媒を含有してもよい。
溶媒（Ｓ１）以外の溶媒としては、沸点が２００℃以上２５４℃未満の溶媒（以下、「溶媒（Ｓ２）」と記載することがある。）が好ましい。
溶媒（Ｓ２）としては、沸点が２００℃以上２５４℃未満であり、かつ、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）を溶解可能なものであれば特に制限されない。
溶媒（Ｓ１）と溶媒（Ｓ２）を併用することで、ダイボンド材の硬化性が向上する。

溶媒（Ｓ２）の具体例としては、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート（沸点２４７℃）、ジプロピレングリコール−ｎ−ブチルエーテル（沸点２２９℃）、ベンジルアルコール（沸点２０４．９℃）、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（沸点２０９℃）、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル（沸点２１２℃）、ジプロピレングリコール−ｎ−プロピルエーテル（沸点２１２℃）、トリプロピレングリコールジメチルエーテル（沸点２１５℃）、トリエチレングリコールジメチルエーテル（沸点２１６℃）、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（沸点２１７．４℃）、ジエチレングリコール−ｎ−ブチルエーテル（沸点２３０℃）、エチレングリコールモノフェニルエーテル（沸点２４５℃）、トリプロピレングリコールメチルエーテル（沸点２４２℃）、プロピレングリコールフェニルエーテル（沸点２４３℃）、トリエチレングリコールモノメチルエーテル（沸点２４９℃）等が挙げられる。
これらの中でも、溶媒（Ｓ２）としては、その効果が得られやすいことから、グリコール系溶媒が好ましく、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコール−ｎ−ブチルエーテルが好ましく、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテートがより好ましい。

溶媒（Ｓ１）と溶媒（Ｓ２）を併用する場合、具体的には、トリプロピレングリコール−ｎ−ブチルエーテル（溶媒（Ｓ１））とジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート（溶媒（Ｓ２））の組み合わせ、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート（溶媒（Ｓ１））と、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート（溶媒（Ｓ２））の組み合わせ、トリプロピレングリコール−ｎ−ブチルエーテル（溶媒（Ｓ１））とジプロピレングリコール−ｎ−ブチルエーテル（溶媒（Ｓ２））の組み合わせ、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート（溶媒（Ｓ１））とジプロピレングリコール−ｎ−ブチルエーテル（有機溶媒（Ｓ２））の組み合わせが好ましい。

本発明のダイボンド材は、固形分濃度が、好ましくは５０〜９５質量％、より好ましくは６０〜８５質量％になる量の溶媒を含有する。固形分濃度がこの範囲内であることで、塗布工程における作業性に優れるダイボンド材が得られ易くなる。

本発明のダイボンド材が、溶媒（Ｓ１）及び／又は溶媒（Ｓ２）を含有する場合、これらの溶媒の合計量は、全溶媒に対して、通常５０〜１００質量％、好ましくは７０〜１００質量％、より好ましくは９０〜１００質量％である。

本発明のダイボンド材が、溶媒（Ｓ１）を含有する場合、溶媒（Ｓ１）の含有量は、溶媒（Ｓ１）と溶媒（Ｓ２）の合計量に対して、通常２０〜１００質量％、好ましくは３０〜８５質量％、より好ましくは５０〜８０質量％である。

溶媒量に関するこれらの要件を満たすダイボンド材は、接着性、及び、濡れ広がり性（後述する、液滴の広がりに関する特性）が適度にバランスされたものとなる。

本発明のダイボンド材は、（Ｂ）成分として、分子内に窒素原子を有するシランカップリング剤（以下、「シランカップリング剤（Ｂ）」と記載することがある。）を含有してもよい。

シランカップリング剤（Ｂ）を含有するダイボンド材は、塗布工程における作業性に優れ、かつ、接着性、耐剥離性、及び耐熱性により優れる硬化物を与える。
ここで、塗布工程における作業性に優れるとは、塗布工程において、ダイボンド材を吐出管から吐出し、次いで吐出管を引き上げる際、糸引き量が少ないか、又はすぐに途切れることをいう。この性質を有するダイボンド材を用いることで、樹脂飛びや液滴の広がりによる周囲の汚染を防ぐことができる。

シランカップリング剤（Ｂ）としては、分子内に窒素原子を有するシランカップリング剤であれば特に制限はない。例えば、下記式（ｂ−１）で表されるトリアルコキシシラン化合物、式（ｂ−２）で表されるジアルコキシアルキルシラン化合物又はジアルコキシアリールシラン化合物等が挙げられる。

上記式中、Ｒ^ａは、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基を表す。複数のＲ^ａ同士は同一であっても相異なっていてもよい。
Ｒ^ｂは、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基等の炭素数１〜６のアルキル基；又は、フェニル基、４−クロロフェニル基、４−メチルフェニル基、１−ナフチル基等の、置換基を有する、又は置換基を有さないアリール基；を表す。

Ｒ^ｃは、窒素原子を有する、炭素数１〜１０の有機基を表す。また、Ｒ^ｃは、さらに他のケイ素原子を含む基と結合していてもよい。
Ｒ^ｃの炭素数１〜１０の有機基の具体例としては、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピル基、３−アミノプロピル基、Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）アミノプロピル基、３−ウレイドプロピル基、Ｎ−フェニル−アミノプロピル基等が挙げられる。

上記式（ｂ−１）又は（ｂ−２）で表される化合物のうち、Ｒ^ｃが、他のケイ素原子を含む基と結合した有機基である場合の化合物としては、イソシアヌレート骨格を介して他のケイ素原子と結合してイソシアヌレート系シランカップリング剤を構成するものや、ウレア骨格を介して他のケイ素原子と結合してウレア系シランカップリング剤を構成するものが挙げられる。

これらの中でも、シランカップリング剤（Ｂ）としては、接着強度がより高い硬化物が得られ易いことから、イソシアヌレート系シランカップリング剤、及びウレア系シランカップリング剤が好ましく、さらに、分子内に、ケイ素原子に結合したアルコキシ基を４以上有するものが好ましい。
ケイ素原子に結合したアルコキシ基を４以上有するとは、同一のケイ素原子に結合したアルコキシ基と、異なるケイ素原子に結合したアルコキシ基との総合計数が４以上という意味である。

ケイ素原子に結合したアルコキシ基を４以上有するイソシアヌレート系シランカップリング剤としては、下記式（ｂ−３）で表される化合物が、ケイ素原子に結合したアルコキシ基を４以上有するウレア系シランカップリング剤としては、下記式（ｂ−４）で表される化合物が挙げられる。

式中、Ｒ^ａは上記と同じ意味を表す。ｔ１〜ｔ５はそれぞれ独立して、１〜１０の整数を表し、１〜６の整数であるのが好ましく、３であるのが特に好ましい。

式（ｂ−３）で表される化合物の具体例としては、１，３，５−Ｎ−トリス（３−トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、１，３，５，−Ｎ−トリス（３−トリエトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、１，３，５，−Ｎ−トリス（３−トリｉ−プロポキシシリルプロピル）イソシアヌレート、１，３，５，−Ｎ−トリス（３−トリブトキシシリルプロピル）イソシアヌレート等の１，３，５−Ｎ−トリス〔（トリ（炭素数１〜６）アルコキシ）シリル（炭素数１〜１０）アルキル〕イソシアヌレート；
１，３，５，−Ｎ−トリス（３−ジトキシメチルシリルプロピル）イソシアヌレート、１，３，５，−Ｎ−トリス（３−ジメトキシエチルシリルプロピル）イソシアヌレート、１，３，５，−Ｎ−トリス（３−ジメトキシｉ−プロピルシリルプロピル）イソシアヌレート、１，３，５，−Ｎ−トリス（３−ジメトキシｎ−プロピルシリルプロピル）イソシアヌレート、１，３，５，−Ｎ−トリス（３−ジメトキシフェニルシリルプロピル）イソシアヌレート、１，３，５，−Ｎ−トリス（３−ジエトキシメチルシリルプロピル）イソシアヌレート、１，３，５，−Ｎ−トリス（３−ジエトキシエチルシリルプロピル）イソシアヌレート、１，３，５，−Ｎ−トリス（３−ジエトキシｉ−プロピルシリルプロピル）イソシアヌレート、１，３，５，−Ｎ−トリス（３−ジエトキシｎ−プロピルシリルプロピル）イソシアヌレート、１，３，５，−Ｎ−トリス（３−ジエトキシフェニルシリルプロピル）イソシアヌレート、１，３，５，−Ｎ−トリス（３−ジｉ−プロポキシメチルシリルプロピル）イソシアヌレート、１，３，５，−Ｎ−トリス（３−ジｉ−プロポキシエチルシリルプロピル）イソシアヌレート、１，３，５，−Ｎ−トリス（３−ジｉ−プロポキシｉ−プロピルシリルプロピル）イソシアヌレート、１，３，５，−Ｎ−トリス（３−ジｉ−プロポキシｎ−プロピルシリルプロピル）イソシアヌレート、１，３，５，−Ｎ−トリス（３−ジｉ−プロポキシフェニルシリルプロピル）イソシアヌレート、１，３，５，−Ｎ−トリス（３−ジブトキシメチルシリルプロピル）イソシアヌレート、１，３，５，−Ｎ−トリス（３−ジブトキシエチルシリルプロピル）イソシアヌレート、１，３，５，−Ｎ−トリス（３−ジブトキシｉ−プロピルシリルプロピル）イソシアヌレート、１，３，５，−Ｎ−トリス（３−ジブトキシｎ−プロピルシリルプロピル）イソシアヌレート、１，３，５，−Ｎ−トリス（３−ジブトキシフェニルシリルプロピル）イソシアヌレート等の１，３，５−Ｎ−トリス〔（ジ（炭素数１〜６）アルコキシ）シリル（炭素数１〜１０）アルキル〕イソシアヌレート；等が挙げられる。

式（ｂ−４）で表される化合物の具体例としては、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−トリメトキシシリルプロピル）ウレア、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）ウレア、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−トリプロポキシシリルプロピル）ウレア、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−トリブトキシシリルプロピル）ウレア、Ｎ，Ｎ’−ビス（２−トリメトキシシリルエチル）ウレア等のＮ，Ｎ’−ビス〔（トリ（炭素数１〜６）アルコキシシリル）（炭素数１〜１０）アルキル〕ウレア；
Ｎ，Ｎ’−ビス（３−ジメトキシメチルシリルプロピル）ウレア、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−ジメトキシエチルシリルプロピル）ウレア、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−ジエトキシメチルシリルプロピル）ウレア等のＮ，Ｎ’−ビス〔（ジ（炭素数１〜６）アルコキシ（炭素数１〜６）アルキルシリル（炭素数１〜１０）アルキル）ウレア；
Ｎ，Ｎ’−ビス（３−ジメトキシフェニルシリルプロピル）ウレア、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−ジエトキシフェニルシリルプロピル）ウレア等のＮ，Ｎ’−ビス〔（ジ（炭素数１〜６）アルコキシ（炭素数６〜２０）アリールシリル（炭素数１〜１０）アルキル）ウレア；等が挙げられる。
シランカップリング剤（Ｂ）は、１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。

これらの中でも、シランカップリング剤（Ｂ）としては、１，３，５−Ｎ−トリス（３−トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、１，３，５−Ｎ−トリス（３−トリエトキシシリルプロピル）イソシアヌレート（以下、「イソシアヌレート化合物」という。）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−トリメトキシシリルプロピル）ウレア、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）ウレア（以下、「ウレア化合物」という。）、及び、上記イソシアヌレート化合物とウレア化合物との組み合わせを用いるのが好ましい。

上記イソシアヌレート化合物とウレア化合物とを組み合わせて用いる場合、両者の使用割合は、（イソシアヌレート化合物）と（ウレア化合物）の質量比で、１００：１〜１００：２００であるのが好ましく、１００：１０〜１００：１１０がより好ましい。このような割合で、イソシアヌレート化合物とウレア化合物とを組み合わせて用いることにより、接着強度がより高く、耐熱性により優れる硬化物を与えるダイボンド材を得ることができる。

本発明のダイボンド材がシランカップリング剤（Ｂ）〔（Ｂ）成分〕を含有する場合、（Ｂ）成分の含有量は特に限定されないが、その量は、上記（Ａ）成分と（Ｂ）成分の質量比〔（Ａ）成分：（Ｂ）成分〕で、好ましくは１００：０．１〜１００：９０、より好ましくは１００：０．３〜１００：６０、より好ましくは１００：１〜１００：５０、さらに好ましくは１００：３〜１００：４０、特に好ましくは１００：５〜１００：３０となる量である。
このような割合で（Ａ）成分及び（Ｂ）成分を含有するダイボンド材の硬化物は、接着強度がより高く、耐熱性により優れたものになる。

本発明のダイボンド材は、（Ｃ）成分として、分子内に酸無水物構造を有するシランカップリング剤（以下、「シランカップリング剤（Ｃ）」と記載することがある。）を含有してもよい。
シランカップリング剤（Ｃ）を含有するダイボンド材は、塗布工程における作業性に優れ、かつ、接着強度がより高く、耐剥離性及び耐熱性により優れる硬化物を与える。

シランカップリング剤（Ｃ）としては、２−（トリメトキシシリル）エチル無水コハク酸、２−（トリエトキシシリル）エチル無水コハク酸、３−（トリメトキシシリル）プロピル無水コハク酸、３−（トリエトキシシリル）プロピル無水コハク酸等の、トリ（炭素数１〜６）アルコキシシリル（炭素数２〜８）アルキル無水コハク酸；
２−（ジメトキシメチルシリル）エチル無水コハク酸等の、ジ（炭素数１〜６）アルコキシメチルシリル（炭素数２〜８）アルキル無水コハク酸；
２−（メトキシジメチルシリル）エチル無水コハク酸等の、（炭素数１〜６）アルコキシジメチルシリル（炭素数２〜８）アルキル無水コハク酸；

２−（トリクロロシリル）エチル無水コハク酸、２−（トリブロモシリル）エチル無水コハク酸等の、トリハロゲノシリル（炭素数２〜８）アルキル無水コハク酸；
２−（ジクロロメチルシリル）エチル無水コハク酸等の、ジハロゲノメチルシリル（炭素数２〜８）アルキル無水コハク酸；
２−（クロロジメチルシリル）エチル無水コハク酸等の、ハロゲノジメチルシリル（炭素数２〜８）アルキル無水コハク酸；等が挙げられる。
シランカップリング剤（Ｃ）は、１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。

これらの中でも、シランカップリング剤（Ｃ）としては、トリ（炭素数１〜６）アルコキシシリル（炭素数２〜８）アルキル無水コハク酸が好ましく、３−（トリメトキシシリル）プロピル無水コハク酸又は３−（トリエトキシシリル）プロピル無水コハク酸が特に好ましい。

本発明のダイボンド材がシランカップリング剤（Ｃ）〔（Ｃ）成分〕を含有する場合、（Ｃ）成分の含有量は特に限定されないが、その量は、上記（Ａ）成分と（Ｃ）成分の質量比〔（Ａ）成分：（Ｃ）成分〕で、好ましくは１００：０．１〜１００：３０、より好ましくは１００：０．３〜１００：２０、より好ましくは１００：０．５〜１００：１５、さらに好ましくは１００：１〜１００：１０となる量である。
このような割合で（Ｃ）成分を含有するダイボンド材の硬化物は、接着強度がより高いものになる。

本発明のダイボンド材は、（Ｄ）成分として、平均一次粒子径が５〜４０ｎｍの微粒子（以下、「微粒子（Ｄ）」と記載することがある。）を含有してもよい。
微粒子（Ｄ）を含有するダイボンド材は、塗布工程における作業性に優れる。
この効果がより得られ易いことから、微粒子（Ｄ）の平均一次粒子径は、好ましくは５〜３０ｎｍ、より好ましくは５〜２０ｎｍである。

微粒子（Ｄ）の平均一次粒子径は、透過型電子顕微鏡を用いて微粒子の形状を観察することにより求められる。

微粒子（Ｄ）の比表面積は、好ましくは１０〜５００ｍ^２／ｇ、より好ましくは２０〜３００ｍ^２／ｇである。比表面積が上記範囲内であることで、塗布工程における作業性により優れるダイボンド材が得られ易くなる。
比表面積は、ＢＥＴ多点法により求めることができる。

微粒子（Ｄ）の形状は、球状、鎖状、針状、板状、片状、棒状、繊維状等のいずれであってもよいが、球状であるのが好ましい。ここで、球状とは、真球状の他、回転楕円体、卵形、金平糖状、まゆ状等球体に近似できる多面体形状を含む略球状を意味する。

微粒子（Ｄ）の構成成分としては、特に制限はなく、金属；金属酸化物；鉱物；炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム等の金属炭酸塩；硫酸カルシウム、硫酸バリウム等の金属硫酸塩；水酸化アルミニウム等の金属水酸化物；珪酸アルミニウム、珪酸カルシウム、珪酸マグネシウム等の金属珪酸塩；シリカ等の無機成分；シリコーン；アクリル系重合体等の有機成分；等が挙げられる。
また、用いる微粒子（Ｄ）は表面が修飾されたものであってもよい。

金属とは、周期表における、１族（Ｈを除く）、２〜１１族、１２族（Ｈｇを除く）、１３族（Ｂを除く）、１４族（Ｃ及びＳｉを除く）、１５族（Ｎ、Ｐ、Ａｓ及びＳｂを除く）、又は１６族（Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ及びＰｏを除く）に属する元素をいう。

金属酸化物としては、例えば、酸化チタン、アルミナ、ベーマイト、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化銅、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化亜鉛、及びこれらの複合酸化物等が挙げられる。金属酸化物の微粒子には、これらの金属酸化物からなるゾル粒子も含まれる。

鉱物としては、スメクタイト、ベントナイト等が挙げられる。
スメクタイトとしては、例えば、モンモリロナイト、バイデライト、ヘクトライト、サポナイト、スチブンサイト、ノントロナイト、ソーコナイト等が挙げられる。
シリカとしては、乾式シリカ、湿式シリカ、表面修飾シリカ(表面が修飾されたシリカ)等が挙げられる。

微粒子（Ｄ）は、１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
これらの中でも、透明性に優れる硬化物が得られ易いことから、微粒子（Ｄ）としては、シリカ、金属酸化物、鉱物が好ましく、シリカがより好ましい。

シリカの中でも、塗布工程における作業性により優れるダイボンド材が得られ易いことから、表面修飾シリカが好ましく、疎水性の表面修飾シリカがより好ましい。
疎水性の表面修飾シリカとしては、表面に、トリメチルシリル基等のトリ炭素数１〜２０のトリアルキルシリル基；ジメチルシリル基等のジ炭素数１〜２０のアルキルシリル基；オクチルシリル基等の炭素数１〜２０のアルキルシリル基；を結合させたシリカ；シリコーンオイルで表面を処理したシリカ；等が挙げられる。
疎水性の表面修飾シリカは、例えば、シリカ粒子に、トリ炭素数１〜２０のトリアルキルシリル基、ジ炭素数１〜２０のアルキルシリル基、炭素数１〜２０のアルキルシリル基等を有するシランカップリング剤を用いて表面修飾することにより、あるいは、シリカ粒子をシリコーンオイルで処理することにより得ることができる。また、表面修飾シリカとして市販されているものをそのまま用いることもできる。

本発明のダイボンド材が微粒子（Ｄ）〔（Ｄ）成分〕を含有する場合、（Ｄ）成分の含有量は特に限定されないが、その量は、上記（Ａ）成分と（Ｄ）成分の質量比〔（Ａ）成分：（Ｄ）成分〕で、好ましくは１００：０．１〜１００：９０、より好ましくは１００：０．２〜１００：６０、より好ましくは１００：０．３〜１００：５０、より好ましくは１００：０．５〜１００：４０、より好ましくは１００：０．８〜１００：３０となる量である。（Ｄ）成分を上記範囲で用いることにより、（Ｄ）成分を加える効果をより発現させることができる。

本発明のダイボンド材は、（Ｅ）成分として、平均一次粒子径が０．０４μｍ超、８μｍ以下の微粒子（以下、「微粒子（Ｅ）」と記載することがある。）を含有してもよい。
微粒子（Ｅ）を含有するダイボンド材を用いることで、耐剥離性に優れる硬化物を形成することができる。
この効果がより得られ易いことから、微粒子（Ｅ）の平均一次粒子径は、好ましくは０．０６〜７μｍ、より好ましくは０．３〜６μｍ、さらに好ましくは０．５〜４μｍである。

微粒子（Ｅ）の平均一次粒子径は、レーザー回折・散乱式粒度分布測定装置（例えば、株式会社堀場製作所製、製品名「ＬＡ−９２０」）等を用いて、レーザー散乱法による粒度分布の測定を行うことにより求められる。

微粒子（Ｅ）の形状は、球状、鎖状、針状、板状、片状、棒状、繊維状等のいずれであってもよいが、球状であるのが好ましい。ここで、球状とは、真球状の他、回転楕円体、卵形、金平糖状、まゆ状等球体に近似できる多面体形状を含む略球状を意味する。

微粒子（Ｅ）の構成成分としては、微粒子（Ｄ）の構成成分として例示したものと同様のものが挙げられる。
これらの中でも、上記効果が得られ易いことから、微粒子（Ｅ）としては、シリコーンで表面が被覆された金属酸化物、シリカ及びシリコーンからなる群から選ばれる少なくとも一種の微粒子が好ましく、シリカ、シリコーンがより好ましい。

本発明のダイボンド材が微粒子（Ｅ）〔（Ｅ）成分〕を含有する場合、（Ｅ）成分の含有量は特に限定されないが、その量は、（Ａ）成分と（Ｅ）成分の質量比〔（Ａ）成分：（Ｅ）成分〕で、好ましくは１００：０．１〜１００：４０、より好ましくは１００：０．２〜１００：３０、より好ましくは１００：０．３〜１００：２０、より好ましくは１００：０．５〜１００：１５、さらに好ましくは１００：０．８〜１００：１２となる量である。（Ｅ）成分を上記範囲で用いることにより、（Ｅ）成分を加える効果をより発現させることができる。

本発明のダイボンド材は、本発明の目的を阻害しない範囲で、上記（Ａ）〜（Ｅ）成分以外の他の成分を含有してもよい。
他の成分としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤等が挙げられる。

酸化防止剤は、加熱時の酸化劣化を防止するために添加される。酸化防止剤としては、リン系酸化防止剤、フェノール系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤等が挙げられる。

リン系酸化防止剤としては、ホスファイト類、オキサホスファフェナントレンオキサイド類等が挙げられる。フェノール系酸化防止剤としては、モノフェノール類、ビスフェノール類、高分子型フェノール類等が挙げられる。硫黄系酸化防止剤としては、ジラウリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジミリスチル−３，３’−チオジプロピオネート、ジステアリル−３，３’−チオジプロピオネート等が挙げられる。

これらの酸化防止剤は一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。酸化防止剤の使用量は、（Ａ）成分に対して、通常１０質量％以下である。

紫外線吸収剤は、得られる硬化物の耐光性を向上させる目的で添加される。
紫外線吸収剤としては、サリチル酸類、ベンゾフェノン類、ベンゾトリアゾール類、ヒンダードアミン類等が挙げられる。
紫外線吸収剤は一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。
紫外線吸収剤の使用量は、（Ａ）成分に対して、通常１０質量％以下である。

光安定剤は、得られる硬化物の耐光性を向上させる目的で添加される。
光安定剤としては、例えば、ポリ［｛６−（１，１，３，３，−テトラメチルブチル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジイル｝｛（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジン）イミノ｝ヘキサメチレン｛（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジン）イミノ｝］等のヒンダードアミン類等が挙げられる。
これらの光安定剤は一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。
これらの他の成分の総使用量は、（Ａ）成分に対して、通常２０質量％以下である。

本発明のダイボンド材は、例えば、上記（Ａ）成分と溶媒、及び、所望により他の成分を所定割合で混合し、脱泡することにより調製することができる。
混合方法、脱泡方法は特に限定されず、公知の方法を利用することができる。

本発明のダイボンド材は、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）を含有する。したがって、本発明のダイボンド材は硬化性に優れ、かつ、屈折率が低い。また、本発明のダイボンド材は、接着強度が高い硬化物の形成材料として有用である。

本発明のダイボンド材の２５℃における屈折率（ｎＤ）は、１．４１〜１．４３であり、好ましくは１．４１２〜１．４２８である。
ダイボンド材の屈折率（ｎＤ）は、実施例に記載の方法により測定することができる。

本発明のダイボンド材は、チキソ指数が２以上であり、３以上が好ましい。チキソ指数の上限は特に限定されないが、通常２０以下であり、１５以下が好ましく、１２以下がより好ましい。
本発明において、チキソ指数とは、公知のレオメーターにて、コーン半径が５０ｍｍ、コーン角度が０．５°のコーンプレートを用い、２５℃で、せん断速度２ｓ^−１及び２００ｓ^−１での粘度を測定し、せん断速度２ｓ^−１で測定された粘度を、せん断速度２００ｓ^−１で測定された粘度で除して得られる値をいう。

チキソ指数が２以上のダイボンド材は、チキソ性に優れる。チキソ性とは、力を加えると粘度が下がって容易に変形し、放置しておく（静止する）と再び粘度が上がる性質をいう。
チキソ性に優れるダイボンド材は、塗工時の作業性に優れたものとなる。
すなわち、チキソ性に優れるダイボンド材を吐出管から吐出し、次いで吐出管を引き上げる場合、糸引き量が少ないか、又はすぐに途切れるため、この性質を有するダイボンド材を用いることで、樹脂飛びや液滴の広がりによる周囲の汚染を防ぐことができる。

チキソ性に優れるダイボンド材は、例えば、上記の（Ｂ）〜（Ｄ）成分のいずれかを配合することにより得ることができる。
これらの中でも、チキソ性に対して（Ｄ）成分が大きく影響することから、（Ｄ）成分を用いることが好ましい。

本発明のダイボンド材は、発光素子を所定の位置に固定する際に好適に用いられる。
すなわち、本発明のダイボンド材を用いることで、発光素子を強固に固定することができる。また、本発明のダイボンド材を用いることで、周囲を汚染することなく、発光装置を製造することができる。
さらに、後述するように、本発明のダイボンド材を用いることで、発光装置の光取り出し効率の向上という効果を得ることもできる。
本発明のダイボンド材を用いて発光素子を所定の位置に固定する方法の詳細は、発光装置の製造方法の発明の説明の中に記載する。

２）発光装置
本発明の発光装置は、一対のリード電極と、前記一対のリード電極と一体に成形された成形体と、を備え、かつ、凹部を有する素子収容器であって、前記凹部の底が、前記一対のリード電極で構成されている素子収容器と、前記凹部の底を構成する前記一対のリード電極の少なくとも一方の上に、接着部材を介して固定された発光素子と、を備え、前記接着部材が、本発明のダイボンド材の硬化物である、発光装置である。

以下、発明の実施の形態について適宜図面を参照して説明する。但し、以下に説明する発光装置は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本発明を以下のものに限定しない。また、一の実施の形態において説明する内容は、他の実施の形態にも適用可能である。また、図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。

なお以下、可視波長域は波長が３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲とし、青色域は波長が４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲、緑色乃至黄色域は波長が５００ｎｍ以上５９０ｎｍ以下の範囲、赤色域は波長が６１０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の範囲とする。

＜実施の形態１＞
図１及び図４は其々実施の形態１に係る発光装置１１００の概略正面図（概略前面図）及び概略下面図であり、図２は図１のＡ−Ａ断面における概略断面図、図３は図１のＢ−Ｂ断面における概略断面図である。

実施の形態１に係る発光装置１１００は、素子収容器１１０と発光素子１２１を備えている。この発光装置１１００及び素子収容器１１０は、横方向（図中では左右方向）に長い。素子収容器１１０は、凹部１１０ａを有している。凹部１１０ａは、素子収容器１１０と同様に、横方向に長い。素子収容器１１０は、第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２（一対のリード電極１１１，１１２）と、第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２と一体に成形された成形体１１５と、を含んでいる。第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２は、横方向に並んでいる。第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２は、凹部１１０ａの底を構成している。成形体１１５は、凹部１１０ａの側壁を構成している。発光素子１２１は、凹部１１０ａ内に収容されている。発光素子１２１は、第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２と電気的に接続されている。なお、発光素子は、凹部１１０ａの底の第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２の少なくとも一方の上に１つ配置されていればよい。

より詳細には、発光装置１１００は、発光ダイオード（ＬＥＤ）である。凹部１１０ａは、素子収容器１１０の側面の１つ（前面）に設けられている。成形体１１５は、白色顔料及び充填剤を含有し、特に白色顔料により光反射性を有している。このため、発光装置１１００の発光領域（意図しない漏光は考慮に入れない）は、前面における凹部１１０ａの開口に略一致している。本実施の形態１の第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２は、発光装置１１００（素子収容器１１０）の横方向の中央を基準として非対称である。凹部１１０ａの底は、成形体１１５の表面と第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２の表面で構成されている。この凹部１１０ａの底を構成する第１リード電極１１１の部位は、発光素子１２１の接着領域及び／又はワイヤ１５０の接続領域を含む第１素子実装部１１１ａである。発光素子１２１は、接着部材１６０を介して第１リード電極１１１の上に固定（実装）されている。また、第２リード電極１１２の部位は、ワイヤ１５０の接続領域を含む。さらにまた、第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２は、成形体１１５の外側にある部位として、第１外部接続端子部１１１ｂ及び第２外部接続端子部１１２ｂを有している。第１外部接続端子部１１１ｂ及び第２外部接続端子部１１２ｂは、成形体１１５の下面に沿うように折り曲げられている。発光装置１１００は、第１外部接続端子部１１１ｂ及び第２外部接続端子部１１２ｂが回路基板等にはんだ付けされることで実装される。よって、発光装置１１００（素子収容器１１０）の実装側主面は下面である。より具体的には、成形体１１５の下面は、その左右に第１外部接続端子部１１１ｂ及び第２外部接続端子部１１２ｂが各々配置される領域（左領域または右領域）があり、成形体１１５の下面の中央領域から左領域または右領域にわたって段付きになっている。これに伴って、素子収容器１１０（成形体１１５）の前面の形状、及び凹部１１０ａの開口の形状は、中央領域が左領域または右領域よりも下方側に幅広に（即ち縦方向の幅が大きく）形成されている。

そして、成形体１１５は、凹部１１０ａの縦方向（図中では上下方向）に向かい合う２つの側壁１１５１，１１５２にそれぞれ略対称な補強部１１７を有している。２つの補強部１１７の高さは、成形体１１５の前面の高さより低く、発光素子１２１の上面（前面）の高さより高い。

補強部１１７は、発光素子１２１の光の遮りを適度に抑えられ装置の配光に影響を及ぼしにくく、且つ成形体１１５の機械的強度を効果的に高めて変形を抑制することができる。したがって、外力のほか、リフローはんだ実装時における加熱、並びに／又は、発光素子１２１及び後述する波長変換物質１４０の発熱などによる温度変化に対して変形しにくく、且つ所望の配光を得やすい素子収容器１１０が得られる。

なお、補強部１１７は、凹部１１０ａ内、特に凹部１１０ａの底から側壁１１５１，１１５２にかけて存在する。より詳細には、補強部１１７は、凹部１１０ａの底の第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２の表面より高い凸部である。また、２つの補強部１１７は其々、側壁１１５１，１１５２の表面を基準として、凹部１１０ａの内側に向かって凸の凸部である。
補強部１１７は、第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２を隔てる離隔領域１１５０上にあることが好ましい。成形体１１５の離隔領域１１５０の近傍は、成形体１１５のひび割れ等の損傷を生じやすい部位であるため、補強部１１７によって、成形体１１５の離隔領域１１５０の近傍を補強することができる。なお、この場合、通常、補強部１１７は、成形体１１５の離隔領域１１５０と連続している。

発光装置１１００は、側面発光型（サイドビュー型）であることが好ましい。

発光装置１１００は、封止部材１３０を備えている。封止部材１３０は、凹部１１０ａ内に充填されている。封止部材１３０は、発光素子１２１が発する光を異なる波長の光に変換する波長変換物質１４０を含有している。波長変換物質１４０は、緑色光乃至黄色光を発する第１蛍光体と、赤色光を発する第２蛍光体と、を含んでいる。この場合、発光素子１２１は、青色光を発する素子であると良い。このような構成により、色再現性又は演色性に優れる発光が可能となる。

さらに、第２蛍光体は、マンガンで賦活されたフッ化物蛍光体を含むことが好ましい。マンガンで賦活されたフッ化物蛍光体は、赤色域においてスペクトル半値幅の狭い発光が可能である。

封止部材１３０の母材は、フェニル基を含むシリコーン系樹脂であることが好ましい。シリコーン系樹脂は、熱硬化性樹脂であって優れた耐熱性及び耐光性を有し、フェニル基を含むことで耐熱性が更に強化されている。フェニル基を含むシリコーン系樹脂は、シリコーン系樹脂の中ではガスバリア性が比較的高いため、マンガンで賦活されたフッ化物蛍光体の水分による劣化を抑制しやすい。加えて、第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２と後述のワイヤ１５０の硫黄含有ガス等の腐食性ガスによる劣化を抑制しやすい。なお、マンガンで賦活されたフッ化物蛍光体は、水分及び熱による劣化を抑制するため、封止部材１３０中において、前方側より後方側に即ち凹部１１０ａの底側に多く存在していることが好ましい。

発光装置１１００は、第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２と発光素子１２１を接続するワイヤ１５０を備えている。ワイヤ１５０は、凹部１１０ａ内に収容され、封止部材１３０に封止されている。ワイヤ１５０は、光反射性を高める観点において、銀を含むことが好ましい。すなわち、ワイヤ１５０は、少なくとも表面が銀若しくは銀合金で構成されていることが好ましく、銀線若しくは銀合金線であることがより好ましい。また、破断抑制の観点から、銀を含むワイヤ１５０は、特に、表面に銀若しくは銀合金の被膜を有する金線、又は金を含む銀合金線であることが好ましい。なお、ワイヤ１５０は、第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２の少なくとも一方と発光素子１２１を接続していればよい。

なお、成形体１１５は、第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２の後面を覆う後方成形部にゲート痕１１５ａを有している。特に、この成形体１１５の後方成形部は、第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２の成形体１１５の内側にある部位の後面の全てを覆っている。このような成形体１１５は、主として、射出成形法により成形されたものである。射出成形法では、溶融粘度の比較的高い樹脂をゲートから金型のキャビティ内に勢いよく注入する。このため、樹脂の圧力により、第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２の前面、特に第１素子実装部１１１ａが金型に押し付けられ、第１素子実装部１１１ａ上へのバリの発生が抑制される。また、このように、成形体１１５が第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２の前面及び後面の両方を覆うことで、第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２を成形体１１５によって強固に保持することができる。例えば、熱可塑性樹脂及び不飽和ポリエステル系樹脂は、第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２との密着性が比較的得られにくいため、このような成形体１１５の構成が好適である。なお、「ゲート痕」とは、金型のキャビティ内への樹脂の注入口であるゲートの痕跡として成形体１１５に形成される突起である。また、成形体１１５の前方成形部は、主として、凹部１１０ａ周囲の側壁を構成する。

＜実施の形態２＞
図５及び図８は其々実施の形態２に係る発光装置２１００の概略正面図（概略前面図）及び概略下面図であり、図６は図５のＣ−Ｃ断面における概略断面図、図７は図５のＤ−Ｄ断面における概略断面図である。

実施の形態２に係る発光装置２１００は、素子収容器２１０の形状、第１リード電極２１１及び第２リード電極２１２（一対のリード電極２１１，２１２）の形状、２つの発光素子２２１（第１発光素子２２１と第２発光素子２２１）の配置、及び補強部２１７の形状を除けば、実施の形態１に係る発光装置１１００と実質上同様である。したがって、以下、発光装置２１００及び素子収容器２１０について、発光装置１１００及び素子収容器１１０と異なる点のみを説明し、その他の点の説明は省略する。

実施の形態２に係る発光装置２１００は、素子収容器２１０と２つの発光素子２２１を備えている。第１リード電極２１１及び第２リード電極２１２は、発光装置２１００（素子収容器２１０）の横方向の中央を基準として対称である。凹部２１０ａの底は、成形体２１５の表面と第１リード電極２１１及び第２リード電極２１２の表面で構成されている。この凹部２１０ａの底を構成する第１リード電極２１１及び第２リード電極２１２の部位は、発光素子２２１の接着領域及びワイヤ２５０の接続領域を含む第１素子実装部２１１ａ及び第２素子実装部２１２ａである。２つの発光素子２２１は、凹部２１０ａの底の第１リード電極２１１（第１素子実装部２１１ａ）上と、第２リード電極２１２（第２素子実装部２１２ａ）上にそれぞれ接着部材２６０を介して固定（実装）されている。２つの発光素子２２１は、第１リード電極２１１及び第２リード電極２１２と電気的に接続されている。

成形体２１５は、凹部２１０ａの縦方向（図中では上下方向）に向かい合う２つの側壁２１５１，２１５２同士を結ぶ補強部２１７を有している。補強部２１７の高さは、凹部２１０ａの底の第１リード電極２１１及び第２リード電極２１２の表面より高く且つ発光素子２２１の上面（前面）の高さより低い。

補強部２１７は、凹部２１０ａの横方向の略中央かつ第１リード電極２１１及び第２リード電極２１２を隔てる離隔領域２１５０上にあって、離隔領域２１５０と連続している。詳細には、補強部２１７は、２つの発光素子２２１の間にあり、その一部が凹部２１０ａの底の第１リード電極２１１及び第２リード電極２１２の周縁部の上を覆っている。これにより、第１リード電極２１１及び第２リード電極２１２を成形体２１５によって強固に保持することができる。

以下、本発明の一実施の形態に係る発光装置における各構成要素について説明する。

（発光装置１１００，２１００）
発光装置は、発光素子が素子収容器に収容され一対のリード電極と電気的に接続されて構成され、好ましくは更に封止部材により封止されて構成される。発光装置は、例えば「発光ダイオード（ＬＥＤ）」等と呼ばれるものであってよい。

（素子収容器１１０，２１０）
素子収容器は、発光素子を収容し、その発光素子に外部から給電するための電極（端子）を有する容器である。素子収容器は、少なくとも、一対のリード電極と、成形体と、により構成される。素子収容器は、例えば「パッケージ」等と呼ばれるものであってよい。

（第１リード電極１１１，２１１、第２リード電極１１２，２１２）
一対のリード電極（第１リード電極及び第２リード電極）は、素子収容器における正負一対の電極（端子）を構成する。１つの素子収容器において、リード電極は、少なくとも一対あればよいが、複数対あってもよい。リード電極は、亜鉛、鉄、銅、鉛、リン、又はこれらの合金の平板に、プレス（打ち抜き含む）、エッチング、圧延など各種の加工を施したものが母体となる。リード電極は、これらの金属又は合金の積層体で構成されてもよいが、単層で構成されるのが簡便で良い。特に、銅を主成分とする銅合金（燐青銅、鉄入り銅など）が好ましい。また、その表面に、ニッケル、パラジウム、金、銀又はこれらの合金などの光反射膜が設けられていてもよく、なかでも光反射性に優れる銀又は銀合金が好ましい。特に、硫黄系光沢剤を用いた銀又は銀合金の膜（例えばめっき膜）は、膜の表面が平滑で、極めて高い光反射性が得られる。

（成形体１１５，２１５）
成形体は、素子収容器における容器の母体をなす。成形体は、素子収容器の外形の一部を構成している。成形体は、光反射性の観点から、発光素子の発光ピーク波長における光反射率が、７５％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。さらに、成形体は、白色であることが好ましい。成形体は、硬化前には流動性を有する状態つまり液状（ゾル状又はスラリー状を含む）を経る。成形体は、射出成形法、トランスファ成形法などにより成形することができる。

（成形体の母材）
成形体の母材は、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を用いることができる。なお、以下に示す樹脂は、その変性樹脂、及びハイブリッド樹脂も含むものする。熱硬化性樹脂としては、不飽和ポリエステル樹脂が挙げられる。また、成形体の母材としては、熱可塑性樹脂も好ましい。一般的に、熱可塑性樹脂は、熱硬化性樹脂に比べ、安価であるが、耐熱性及び耐光性に劣っており、変形しやすいためである。熱可塑性樹脂としては、９Ｃナイロン樹脂、９Ｔナイロン樹脂などが挙げられる。成形体は、光反射性、機械的強度、熱伸縮性などの観点から、母材中に、以下のような白色顔料と充填剤を含有することが好ましいが、これに限定されない。

（白色顔料）
白色顔料は、酸化チタンが挙げられる。酸化チタンは、屈折率が比較的高く、光隠蔽性に優れるため、好ましい。白色顔料の形状は、特に限定されず、不定形（破砕状）でもよいが、流動性の観点では球状が好ましい。白色顔料の粒径（以下「粒径」は例えば平均粒径Ｄ５０で定義される）は、特に限定されず、例えば０．０１μｍ以上１μｍ以下であり、好ましくは０．１μｍ以上０．５μｍ以下である。成形体中の白色顔料の含有量は、特に限定されず、成形体の光反射性の観点では多いほうが良いが、流動性への影響を考慮して、２０質量％以上７０質量％以下が好ましく、３０質量％以上６０質量％以下がより好ましい。なお、質量％は、全構成材料の総重量に対する各材料の重量の比率を表す。

（成形体の充填剤）
充填剤は、珪酸カルシウム（ワラストナイト）が挙げられる。珪酸カルシウム（ワラストナイト）は強化剤として好ましく、比較的径が小さいため薄型又は小型の成形体に好適である。具体的には、強化剤の平均繊維径は、特に限定されず、例えば０．０５μｍ以上１００μｍ以下であり、０．１μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、１μｍ以上３０μｍ以下がより好ましく、２μｍ以上１５μｍ以下がよりいっそう好ましい。強化剤の平均繊維長は、特に限定されず、例えば０．１μｍ以上１ｍｍ以下であり、１μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、３μｍ以上１００μｍ以下がより好ましく、５μｍ以上５０μｍ以下がよりいっそう好ましい。強化剤の平均アスペクト比（平均繊維長／平均繊維径）は、特に限定されず、例えば２以上３００以下であり、２以上１００以下が好ましく、３以上５０以下がより好ましく、５以上３０以下がよりいっそう好ましい。充填剤の形状は、特に限定されず、不定形（破砕状）でもよいが、強化剤としての機能の観点では繊維状（針状）又は板状（鱗片状）が好ましく、流動性の観点では球状が好ましい。成形体中の充填剤の含有量は、特に限定されず、成形体の熱膨張係数、機械的強度等を考慮して適宜決めればよいが、１０質量％以上８０質量％以下が好ましく、３０質量％以上６０質量％以下がより好ましい（うち強化剤は５質量％以上３０質量％以下が好ましく、５質量％以上２０質量％以下がより好ましい）。

（発光素子１２１，２２１）
発光素子は、ＬＥＤ素子などの半導体発光素子を用いることができる。発光素子は、多くの場合に基板を有するが、少なくとも、種々の半導体で構成される素子構造と、正負（ｐｎ）一対の電極と、を有するものであればよい。特に、紫外〜可視域の発光が可能な窒化物半導体（Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ、０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）を含む発光素子が好ましい。発光素子の発光ピーク波長は、発光効率、他の光源の光との混色関係、波長変換物質の励起効率などの観点から、４４５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下の範囲が好ましい。正負一対の電極が同一面側に設けられている発光素子の場合、各電極をワイヤで一対のリード電極と接続される（フェイスアップ実装）。１つの素子収容器に搭載される発光素子の個数は１つでも複数でもよい。複数の発光素子は、ワイヤにより直列又は並列に接続することができる。

（封止部材１３０，２３０）
封止部材は、発光素子を封止して、埃や水分、外力などから保護する部材である。封止部材は、電気的絶縁性を有し、発光素子から出射される光に対して透光性（好ましくは発光素子の発光ピーク波長における光透過率が７０％以上、より好ましくは８５％以上）を有する部材であればよい。封止部材は、これらの母材中に、少なくとも波長変換物質を含有することが好ましいが、これに限定されない。

（封止部材の母材）
封止部材の母材は、フェニル基を含むシリコーン系樹脂、変性シリコーン樹脂を用いることができる。

（波長変換物質１４０，２４０）
波長変換物質は、発光素子から出射される一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を出射する。これにより、可視波長の一次光及び二次光の混色光（例えば白色光）を出射する発光装置とすることができる。波長変換物質は、以下に示す具体例のうちの１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。

（第１蛍光体）
第１蛍光体は、緑色光乃至黄色光を発する。第１蛍光体の発光ピーク波長は、発光効率、他の光源の光との混色関係などの観点から、緑色域（５００ｎｍ以上５６０ｎｍ以下の範囲）が好ましく、５２０ｎｍ以上５６０ｎｍ以下の範囲がより好ましい。具体的には、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＹ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＬｕ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ）、シリケート系蛍光体（例えば（Ｂａ，Ｓｒ）_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ）、クロロシリケート系蛍光体（例えばＣａ_８Ｍｇ（ＳｉＯ_４）_４Ｃｌ_２：Ｅｕ）、βサイアロン系蛍光体（例えばＳｉ_６−ＺＡｌ_ＺＯ_ＺＮ_８−Ｚ：Ｅｕ（０＜Ｚ＜４．２））などが挙げられる。

（第２蛍光体）
第２蛍光体は、赤色光を発する。第２蛍光体の発光ピーク波長は、発光効率、他の光源の光との混色関係などの観点から、６２０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の範囲が好ましい。具体的には、窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣＡＳＮ又はＳＣＡＳＮ）系蛍光体（例えば（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ）などが挙げられる。また、マンガンで賦活されたフッ化物蛍光体は、一般式（Ｉ）：Ａ_２［Ｍ_１−ａＭｎ_ａＦ_６］で表される蛍光体である（但し、上記一般式（Ｉ）中、Ａは、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｃｓ及びＮＨ_４からなる群から選ばれる少なくとも１種であり、Ｍは、第４族元素及び第１４族元素からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素であり、ａは０＜ａ＜０．２を満たす）。このフッ化物蛍光体の代表例としては、フッ化珪酸カリウム系蛍光体（例えばＫ_２ＳｉＦ_６：Ｍｎ）がある。

（封止部材の充填剤）
封止部材の充填剤は、二酸化珪素（シリカ）が挙げられる。シリカは、封止部材の熱膨張係数の低減剤として好ましい。封止部材の充填剤の形状は、特に限定されず、不定形（破砕状）でもよいが、流動性の観点では球状が好ましい。

（ワイヤ１５０，２５０）
ワイヤは、発光素子の電極と、リード電極と、を接続する導線である。具体的には、金、銅、銀、白金、アルミニウム、パラジウム又はこれらの合金の金属線を用いることができる。

（接着部材１６０，２６０）
接着部材は、発光素子をリード電極に固定する部材である。本発明の発光装置において、接着部材は本発明のダイボンド材の硬化物である。

３）発光装置の製造方法
本発明の発光装置の製造方法は、一対のリード電極と、前記一対のリード電極と一体に成形された成形体と、を備え、かつ、凹部を有する素子収容器であって、前記凹部の底が、前記一対のリード電極で構成されている素子収容器と、前記凹部の底を構成する前記一対のリード電極の少なくとも一方の上に、接着部材を介して固定された発光素子と、を備える発光装置の製造方法であって、前記発光素子を、本発明のダイボンド材を用いて、前記一対のリード電極の少なくとも一方に固定する発光素子実装工程を含む、発光装置の製造方法である。
この製造方法により得られる発光装置は、上記した本発明の発光装置と同様のものであり、その詳細な説明は省略する。

本発明の発光装置の製造法においては、発光素子実装工程以外の工程は、公知の方法を適宜利用することができる。

発光素子の実装工程は、例えば、前記ダイボンド材を前記一対のリード電極の少なくとも一方に塗布し、前記ダイボンド材（塗布物）上に前記発光素子を配置し、前記ダイボンド材を１３０℃以上１４０℃以下の温度で硬化することで行うことができる。

本発明のダイボンド材の塗布量は、特に限定されない。ダイボンド材の塗膜の厚さが、通常０．５〜５μｍ、好ましくは１〜３μｍとなる量である。

ダイボンド材を加熱硬化する際の加熱温度は、用いるダイボンド材等にもよるが、好ましくは１３０℃以上１４０℃以下である。加熱時間は、通常１０分から２０時間、好ましくは３０分から１０時間である。

以下、本発明に係る実施例について詳述する。なお、本発明は以下に示す実施例のみに限定されないことは言うまでもない。

＜製造例１＞
３００ｍＬのナス型フラスコに、３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン１７．０ｇ（７７．７ｍｍｏｌ）、及び、メチルトリエトキシシラン３２．３３ｇ（１８１．３ｍｍｏｌ）を仕込んだ後、これを撹拌しながら、蒸留水１４．０ｇに３５質量％塩酸０．０６７５ｇ（ＨＣｌの量が０．６５ｍｍｏｌ，シラン化合物の合計量に対して、０．２５ｍｏｌ％）を溶解して得られた水溶液を加え、全容を３０℃にて２時間、次いで７０℃に昇温して２０時間撹拌した。
内容物の撹拌を継続しながら、そこに、２８質量％アンモニア水０．０３９４ｇ（ＮＨ_３の量が０．６５ｍｍｏｌ）と酢酸プロピル４６．１ｇの混合溶液を加えて反応液のｐＨを６．９にし、そのまま７０℃で６０分間撹拌した。
反応液を室温まで放冷した後、そこに、酢酸プロピル５０ｇ及び水１００ｇを加えて分液処理を行い、反応生成物を含む有機層を得た。この有機層に硫酸マグネシウムを加えて乾燥処理を行った。硫酸マグネシウムを濾別除去した後、有機層をエバポレーターで濃縮し、次いで、得られた濃縮物を真空乾燥することにより、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（１）〔硬化性ＰＳＱ（１）〕を得た。

＜製造例２＞
３００ｍＬのナス型フラスコに、メチルトリエトキシシラン７１．３７ｇ（４００ｍｍｏｌ）を仕込んだ後、これを撹拌しながら、蒸留水２１．６ｇに３５質量％塩酸０．１ｇ（シラン化合物の合計量に対して、０．２５ｍｏｌ％）を溶解した水溶液を加え、全容を３０℃にて２時間、次いで７０℃に昇温して５時間撹拌した。
内容物の撹拌を継続しながら、そこに、酢酸プロピル１４０ｇと、２８質量％アンモニア水０．１２ｇ（シラン化合物の合計量に対してＮＨ_３が０．５ｍｏｌ％）を加え、７０℃で３時間撹拌した。
反応液を室温まで冷却した後、精製水を用いて、水層のｐＨが７になるまで有機層を洗浄した。
有機層をエバポレーターで濃縮し、濃縮物を真空乾燥することにより、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（２）〔硬化性ＰＳＱ（２）〕を得た。

［質量平均分子量測定］
硬化性ポリシルセスキオキサン化合物の質量平均分子量（Ｍｗ）は、以下の装置及び条件にて測定した。
装置名：ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ、東ソー株式会社製
カラム：ＴＳＫｇｅｌＧＭＨＸＬ、ＴＳＫｇｅｌＧＭＨＸＬ、及び、ＴＳＫｇｅｌ２０００ＨＸＬを順次連結したもの
溶媒：テトラヒドロフラン
標準物質：ポリスチレン
注入量：２０μｌ
測定温度：４０℃
流速：０．６ｍｌ／分
検出器：示差屈折計

［^２９Ｓｉ−ＮＭＲ測定］
硬化性ポリシルセスキオキサン化合物のＮＭＲ測定は、以下の装置及び条件にて行った。
装置：ブルカー・バイオスピン社製 ＡＶ−５００
^２９Ｓｉ−ＮＭＲ共鳴周波数：９９．３５２ＭＨｚ
プローブ：５ｍｍφ溶液プローブ
測定温度：室温（２５℃）
試料回転数：２０ｋＨｚ
測定法：インバースゲートデカップリング法
^２９Ｓｉ フリップ角：９０°
^２９Ｓｉ ９０°パルス幅：８．０μｓ
繰り返し時間：５ｓ
積算回数：９２００回
観測幅：３０ｋＨｚ

〈^２９Ｓｉ−ＮＭＲ試料作製方法〉
緩和時間短縮のため、緩和試薬としてＦｅ（ａｃａｃ）_３を添加し測定した。
ポリシルセスキオキサン濃度：１５質量％
Ｆｅ（ａｃａｃ）_３濃度：０．６質量％
測定溶媒：アセトン
内部標準：ＴＭＳ

〈波形処理解析〉
フーリエ変換後のスペクトルの各ピークについて、ピークトップの位置によりケミカルシフトを求め、積分を行った。

硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（１）、（２）の物性を以下に示す。

［屈折率測定］
実施例１又は参考例１で得られたダイボンド材を水平面上に吐出し、ペン屈折計（ＡＴＡＧＯ社製、ＰＥＮ−ＲＩ）の測定面を、２５℃で圧着させることで屈折率（ｎＤ）を測定した。

＜実施例１＞
製造例１で得られた硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（１）１００質量部に、平均一次粒子径が７ｎｍのシリカフィラー２０質量部、平均一次粒子径が０．８μｍのシリコーンフィラー１０質量部を加えた。さらに、溶剤としてジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート：トリプロピレングリコール−ｎ−ブチルエーテル＝４０：６０（質量比）の混合溶剤を３０質量部加えた後、全容を撹拌した。
三本ロールミルによる分散処理を行った後、１，３，５−Ｎ−トリス〔３−（トリメトキシシリル）プロピル〕イソシアヌレート３０質量部、３−（トリメトキシシリル）プロピルコハク酸無水物３質量部、さらに、溶剤としてジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート：トリプロピレングリコール−ｎ−ブチルエーテル＝４０：６０（質量比）の混合溶剤を加えて、全容を十分に混合、脱泡することにより、固形分濃度８２質量％のダイボンド材（１）を得た。ダイボンド材（１）の屈折率は１．４２５であった。

＜参考例１＞
硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（１）に代えて、製造例２で得られた硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（２）を使用したことを除き、実施例１と同様にして、固形分濃度８２質量％のダイボンド材（２）を得た。ダイボンド材（２）の屈折率は１．４３５であった。

＜実施例２＞
実施例２の発光装置は、図１〜４に示す例の発光装置１１００の構造を有する側面発光型のＬＥＤである。この発光装置（素子収容器）の大きさは、横幅（左右方向の幅）３．０ｍｍ、奥行き（前後方向の幅）０．８５ｍｍ、厚さ（上下方向の幅）０．４ｍｍである。

素子収容器１１０は、成形体１１５が第１リード電極１１１（負極）及び第２リード電極１１２（正極）と一体に成形されて成っている。素子収容器１１０は、前面に横２．２ｍｍ、縦０．２９ｍｍ（左右幅狭部０．１９ｍｍ）、深さ０．３ｍｍの凹部１１０ａを有している。成形体１１５は、９Ｃナイロン樹脂の母材中に、酸化チタンの白色顔料（３０質量％）と、繊維状の珪酸カルシウム（ワラストナイト；１５質量％）の充填剤を含有している。成形体１１５は、射出成形法により成形されており、（後方成形部の）後面の略中心にゲート痕１１５ａを有している。第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２は、銅合金の母体上に硫黄系光沢剤を用いた銀めっきが施された厚さ０．１１ｍｍの金属小片である。凹部１１０ａの側壁面は成形体１１５の表面で構成され、凹部１１０ａの底は成形体１１５の表面と、第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２の表面で構成されている。この凹部１１０ａの底を構成する第１リード電極１１１の部位は、第１素子実装部１１１ａである。また、第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２は、成形体１１５の外側にある部位として、第１外部接続端子部１１１ｂ及び第２外部接続端子部１１２ｂを有している。第１外部接続端子部１１１ｂ及び第２外部接続端子部１１２ｂは、成形体１１５の下面から延出してその下面に沿うように折り曲げられ、更に左端面または右端面に沿うように折り曲げられている。

成形体１１５は、凹部１１０ａの縦方向に向かい合う２つの側壁１１５１，１１５２にそれぞれ補強部１１７を有している。この補強部１１７は、第１リード電極１１１と第２リード電極１１２を隔てる離隔領域１１５０上にある。２つの補強部１１７の表面は、３つの傾斜面で構成されている。２つの補強部１１７の高さは０．１５ｍｍである。

素子収容器の凹部１１０ａ内には、発光素子１２１が収容されている。この発光素子１２１は、サファイア基板上に、窒化物半導体のｎ型層、活性層、ｐ型層が順次積層された、青色（発光ピーク波長約４５５ｎｍ）発光可能な、縦０．２ｍｍ、横０．７５ｍｍ、厚さ０．１５ｍｍの略直方体のＬＥＤチップである。発光素子１２１は、第１素子実装部１１１ａ上に接着部材１６０を介して固定されている。発光素子１２１のｎ電極と第１素子実装部１１１ａ、発光素子１２１のｐ電極と第２リード電極１１２がワイヤ１５０により各々接続されている。本発明の発光装置においては、接着部材１６０は、実施例１のダイボンド材（１）の硬化物である。ワイヤ１５０は、線径２５μｍの銀−金合金線（銀約９８％／金約２％）である。

素子収容器の凹部１１０ａ内には、封止部材１３０が発光素子１２１を被覆するように充填されている。封止部材１３０は、メチル・フェニルシリコーン樹脂を母材とし、その中にβサイアロン系蛍光体である緑色（発光ピーク波長約５４０ｎｍ）発光可能な第１蛍光体とフッ化珪酸カリウム系蛍光体である赤色（発光ピーク波長約６３０ｎｍ）発光可能な第２蛍光体からなる波長変換物質１４０と、を含有している。封止部材１３０の前面は、成形体１１５の前面と略同一面（硬化収縮により若干の凹面）となっている。波長変換物質１４０は、封止部材１３０中において、凹部１１０ａの底面側に多く存在している。

＜実施例３＞
実施例３の発光装置は、図５〜８に示す例の発光装置２１００の構造を有する側面発光型のＬＥＤである。この発光装置（素子収容器）の大きさは、横幅（左右方向の幅）４．２ｍｍ、奥行き（前後方向の幅）１．０ｍｍ、厚さ（上下方向の幅）０．６ｍｍである。実施例３に係る発光装置２１００は、素子収容器２１０の形状、第１リード電極２１１及び第２リード電極２１２の形状、２つの発光素子２２１（第１発光素子２２１と第２発光素子２２１）の配置、ワイヤ２５０の組成、及び補強部２１７の形状を除けば、実施例２に係る発光装置１１００と実質上同様である。したがって、以下、発光装置２１００及び素子収容器２１０について、発光装置１１００及び素子収容器１１０と異なる点のみを説明し、その他の点の説明は省略する。

素子収容器２１０は、成形体２１５が第１リード電極２１１（負極）及び第２リード電極２１２（正極）と一体に成形されて成っている。素子収容器２１０は、前面に横３．６ｍｍ、縦０．４６ｍｍ（左右幅狭部０．３６ｍｍ）、深さ０．３ｍｍの凹部２１０ａを有している。この凹部２１０ａの底を構成する第１リード電極２１１と第２リード電極２１２の部位は、第１素子実装部２１１ａと第２素子実装部２１２ａである。

成形体２１５は、凹部２１０ａの縦方向に向かい合う２つの側壁２１５１，２１５２を結ぶ補強部２１７を有している。補強部２１７は、第１リード電極２１１と第２リード電極２１２を隔てる離隔領域２１５０上にあり、かつ凹部２１０ａの横方向の略中央にある。補強部２１７の前面視形状は矩形状（幅のある直線状）であり、断面視形状は台形状である。

素子収容器の凹部２１０ａ内には、２つの発光素子２２１（第１発光素子２２１と第２発光素子２２１）が収容されている。この発光素子２２１は、サファイア基板上に、窒化物半導体のｎ型層、活性層、ｐ型層が順次積層された、青色（発光ピーク波長約４５５ｎｍ）発光可能な、縦０．２４ｍｍ、横０．８５ｍｍ、厚さ０．１２ｍｍの略直方体のＬＥＤチップである。第１発光素子２２１と第２発光素子２２１は、第１素子実装部２１１ａ上と第２素子実装部２１２ａ上とにそれぞれ接着部材２６０を介して固定されている。第１発光素子２２１のｎ電極と第１素子実装部２１１ａ、第１発光素子２２１のｐ電極と第２発光素子２２１のｎ電極、第２発光素子２２１のｐ電極と第２素子実装部２１２ａがワイヤ２５０により各々接続されている。本発明の発光装置においては、接着部材２６０は、実施例１のダイボンド材（１）の硬化物である。ワイヤ２５０は、線径２５μｍの銀−金合金線（銀約８０％／金約２０％）である。

＜評価１：発光装置の光束＞
接着部材の形成材料として実施例１のダイボンド材（１）を用いて、実施例２に記載の発光装置１１００と実施例３に記載の発光装置２１００をそれぞれサンプル１，２として作製した。また、接着部材の形成材料として参考例１のダイボンド材（２）を用いて、実施例２に記載の発光装置１１００と実施例３に記載の発光装置２１００をそれぞれ参考例２，３として作製した。このときのダイボンド材の硬化条件は、ダイボンド材（１）は１３５℃で１００分、ダイボンド材（２）は１５０℃で１００分とした。これらサンプル１，２、参考例２，３をＬａｂｓｐｈｅｒｅ社製積分球で初期光束を測定した。その結果、ダイボンド材（１）を用いたサンプル１は、参考例２に対して０．２％光束が向上した。また、ダイボンド材（１）を用いたサンプル２は、参考例３に対して０．７％光束が向上した。

＜評価２：接着部材のダイシェア強度＞
接着部材の形成材料（以下「ダイボンド材等」と称することがある。）として、実施例１のダイボンド材（１）、参考例１のダイボンド材（２）、エポキシ変性樹脂、ジメチル系樹脂を用いて、実施例２に記載の発光装置１１００の製造中間体を、それぞれサンプル３，参考例４，比較例１，２として作製した。具体的には、リード電極上に、ダイボンド材等を塗布し、そのダイボンド材等（塗布物）上に発光素子を配置した後、そのダイボンド材等を硬化（実装）した。このときのダイボンド材等の硬化条件は、ダイボンド材（１）は１３５℃で１００分、ダイボンド材（２）は１５０℃で１００分、エポキシ変性樹脂は１７０℃で９０分、ジメチル系樹脂は１５０℃で１００分とした。これらサンプル３，参考例４，比較例１，２について、１５０℃に設定したステージ温度でのダイシェア強度を測定した。測定装置はボンディングテスターＰＴＲ１０００（レスカ製）を用い、センサーは２ｋｇｆ用を使用した。シェア速度は０．３ｍｍ／ｓｅｃ、ツール高さは３５μｍとした。測定した値の平均値を相対値とし、参考例４を基準としてそれぞれ比較した。なお、評価２で用いた発光素子の大きさは縦０．２１ｍｍ、横０．８ｍｍ、厚さ０．１５ｍｍの略直方体であった。

この結果、参考例４の強度相対値を１００％としたとき、ジメチル系樹脂である比較例２はダイシェア強度が５５．１％であり、エポキシ変性樹脂である比較例１はダイシェア強度が７５．２％であった。一方、サンプル３のダイシェア強度は１０３．５％となり、接着部材の硬化温度が参考例４より１５℃低いにもかかわらず、参考例４よりもダイシェア強度が向上した。

＜評価３：発光素子の正負（ｐｎ）電極の汚染確認＞
接着部材の形成材料として、実施例１のダイボンド材（１）、参考例１のダイボンド材（２）、エポキシ変性樹脂、ジメチル系樹脂を用いて、実施例２に記載の発光装置１１００の製造中間体を、それぞれサンプル４，参考例５，比較例３，４として作製した。具体的には、リード電極上にダイボンド材等を塗布し、そのダイボンド材等（塗布物）上に発光素子を配置した。なお、評価３で用いた発光素子の大きさは評価２と同様に縦０．２１ｍｍ、横０．８ｍｍ、厚さ０．１５ｍｍの略直方体であり、ワイヤ、封止部材及び外部接続端子部は設けていない。次に、サンプル４，参考例５，比較例３，４のそれぞれをアルミホイルに包み、サンプル４は１３５℃で１００分、参考例５は１５０℃で１００分、比較例３は１７０℃で９０分、比較例４は１５０℃で１００分の条件で蒸焼きにしてダイボンド材等を硬化した。その後、金属顕微鏡ＢＸ６０（オリンパス製）にて発光素子の正負（ｐｎ）一対の電極の変色を確認した。

その結果、ジメチル系樹脂である比較例４で正負（ｐｎ）一対の電極に変色が見られたが、サンプル４、参考例５、比較例３では正負（ｐｎ）一対の電極に変色がないことを確認した。これにより、サンプル４、参考例５、比較例３はそれぞれの条件の加熱処理において、ダイボンド材の揮発成分が発光素子の正負電極を汚染しないことが分かった。

＜評価４：素子収容器の成形体の樹脂反射率＞
素子収容器の成形体の材料である、酸化チタンの白色顔料と繊維状のケイ酸カルシウム（ワラストナイト）を含有する９Ｃナイロン樹脂について、実施例１のダイボンド材（１）と参考例１のダイボンド材（２）それぞれの硬化温度の条件で加熱処理する前後の反射率を確認した。硬化温度について詳細には、ダイボンド材（１）は１３５℃、ダイボンド材（２）は１５０℃である。熱可塑性樹脂は、酸化チタン添加量３５質量％かつワラストナイト添加量１０質量％である厚さ４ｍｍの薄膜板（サンプル５：１３５℃、参考例６：１５０℃）と、酸化チタン添加量３０質量％かつワラストナイト添加量１５質量％である厚さ０．４ｍｍの薄膜板（サンプル６：１３５℃、参考例７：１５０℃）と、を用いた。これらについて、まず、波長４５０ｎｍでの初期反射率をＣＭＳ−３５ＳＰ（村上色彩技術研究所製）で測定した。次に、初期反射率を測定した面を上にしてオーブンにて１３５℃又は１５０℃で加熱処理した。その後、再度波長４５０ｎｍでの反射率を同様に測定して初期からの反射率の低下を確認した。その結果を第２表に示す。これにより、加熱処理前後での反射率から、熱による熱可塑性樹脂の劣化具合を判断した。

硬化温度を１５℃下げると反射率の低下が１％程度抑えられた。つまり、低い温度で接着部材を硬化することは、言い換えると発光装置の素子収容器の成形体の材料である熱可塑性樹脂の劣化を抑制し、光束向上に有利である。

本発明の一実施の形態に係る発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト装置、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、プロジェクタ装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置などに利用することができる。

１１０，２１０…素子収容器（１１０ａ，２１０ａ…凹部）
１１１，２１１…第１リード電極
１１２，２１２…第２リード電極
１１１ａ，２１１ａ…第１素子実装部
２１２ａ…第２素子実装部
１１１ｂ，２１１ｂ…第１外部接続端子部
１１２ｂ、２１２ｂ…第２外部接続端子部
１１５，２１５…成形体（１１５ａ，２１５ａ…ゲート痕、１１５０，２１５０…離隔領域、１１５１，１１５２，２１５１，２１５２…側壁、１１７，２１７…補強部）
１２１，２２１…発光素子
１３０，２３０…封止部材
１４０，２４０…波長変換物質
１５０，２５０…ワイヤ
１６０，２６０…接着部材
１１００，２１００…発光装置

Claims (14)

1. 下記（Ａ）成分、及び、溶媒を含有し、２５℃における屈折率（ｎＤ）が、１．４１〜１．４３であること、及び、チキソ指数が２以上であること、を特徴とするダイボンド材。
   （Ａ）成分：下記式（ａ−１）で示される繰り返し単位を有する硬化性ポリシルセスキオキサン化合物であって、下記要件１、及び要件２を満たすことを特徴とする硬化性ポリシルセスキオキサン化合物
   

   

   〔Ｒ^１は、組成式：Ｃ_ｍＨ_{（２ｍ−ｎ＋１）}Ｆ_ｎで表されるフルオロアルキル基を表す。ｍは１〜１０の整数、ｎは２以上、（２ｍ＋１）以下の整数を表す。Ｄは、Ｒ^１とＳｉとを結合する連結基（ただし、アルキレン基を除く）又は単結合を表す。〕
   〔要件１〕
   硬化性ポリシルセスキオキサン化合物の^２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定したときに、−６２ｐｐｍ以上−５２ｐｐｍ未満の領域〔領域（２）〕に１又は２以上のピークが観測され、−５２ｐｐｍ以上−４５ｐｐｍ未満の領域〔領域（１）〕と−７３ｐｐｍ以上−６２ｐｐｍ未満の領域〔領域（３）〕の少なくとも一方の領域に１又は２以上のピークが観測され、かつ、下記式で導かれるＺ２が、２０〜４０％である。
   

   

   Ｐ１：領域（１）における積分値
   Ｐ２：領域（２）における積分値
   Ｐ３：領域（３）における積分値
   〔要件２〕
   硬化性ポリシルセスキオキサン化合物の質量平均分子量（Ｍｗ）が、４，０００〜１１，０００である。
2. 前記硬化性ポリシルセスキオキサン化合物が、式（ａ−１）で示される繰り返し単位の割合が、全繰り返し単位に対して２５ｍｏｌ％以上のものである、請求項１に記載のダイボンド材。
3. 前記硬化性ポリシルセスキオキサン化合物が、さらに、下記式（ａ−２）で示される繰り返し単位を有するものである、請求項１又は２に記載のダイボンド材。
   

   

   〔Ｒ^２は、無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、又は、置換基を有する、若しくは無置換の炭素数６〜１２のアリール基を表す。〕
4. 前記硬化性ポリシルセスキオキサン化合物が、式（ａ−２）で示される繰り返し単位の割合が、全繰り返し単位に対して０ｍｏｌ％超、７５ｍｏｌ％以下のものである、請求項３に記載のダイボンド材。
5. 前記硬化性ポリシルセスキオキサン化合物の^２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定したときに、領域（３）に１又は２以上のピークが観測され、かつ、下記式で導かれるＺ３が、６０〜８０％である、請求項１〜４のいずれか一項に記載のダイボンド材。
   

   
6. さらに、下記（Ｂ）成分を含有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載のダイボンド材。
   （Ｂ）成分：分子内に窒素原子を有するシランカップリング剤
7. さらに、下記（Ｃ）成分を含有する、請求項１〜６のいずれか一項に記載のダイボンド材。
   （Ｃ）成分：分子内に酸無水物構造を有するシランカップリング剤
8. さらに、下記（Ｄ）成分を含有する、請求項１〜７のいずれか一項に記載のダイボンド材。
   （Ｄ）成分：平均一次粒子径が５〜４０ｎｍの微粒子
9. 一対のリード電極と、前記一対のリード電極と一体に成形された成形体と、を備え、かつ、凹部を有する素子収容器であって、前記凹部の底が、前記一対のリード電極で構成されている素子収容器と、
   前記凹部の底を構成する前記一対のリード電極の少なくとも一方の上に、接着部材を介して固定された発光素子と、
   を備え、
   前記接着部材が、請求項１〜８のいずれか一項に記載のダイボンド材の硬化物である、発光装置。
10. 前記発光素子の発光ピーク波長が、４４５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下である、請求項９に記載の発光装置。
11. 前記発光素子が、窒化物半導体（Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ、０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）を含むものである、請求項９又は１０に記載の発光装置。
12. 一対のリード電極と、前記一対のリード電極と一体に成形された成形体と、を備え、かつ、凹部を有する素子収容器であって、前記凹部の底が、前記一対のリード電極で構成されている素子収容器と、
    前記凹部の底を構成する前記一対のリード電極の少なくとも一方の上に、接着部材を介して固定された発光素子と、
    を備える発光装置の製造方法であって、
    前記発光素子を、請求項１〜８のいずれか一項に記載の前記ダイボンド材を用いて、前記一対のリード電極の少なくとも一方に固定する発光素子実装工程を含む、発光装置の製造方法。
13. 前記発光素子実装工程は、
    前記ダイボンド材を前記一対のリード電極の少なくとも一方に塗布し、
    前記ダイボンド材上に、前記発光素子を配置し、
    前記ダイボンド材を１３０℃以上１４０℃以下の温度で硬化するものである、請求項１２に記載の発光装置の製造方法。
14. 前記発光素子の発光ピーク波長が、４４５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下である請求項１２又は１３に記載の発光装置の製造方法。

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