JP2022137693A - ダイボンド材、発光装置、及び、発光装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】発光素子を所定の位置に固定する際に好適に用いられるダイボンド材、このダイボンド材由来の接着部材を有する発光装置、及びこの発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】下記（Ａ）成分、（Ｂ）成分、及び溶媒を含有するダイボンド材であって、（Ｂ）成分の含有量が、（Ａ）成分１００質量部に対して０質量部超、０．６質量部以下であり、所定の硬化特性を有するダイボンド材、このダイボンド材由来の接着部材を有する発光装置、及び、この発光装置の製造方法。（Ａ）成分：下記式（ａ－１）で示される繰り返し単位を有する硬化性ポリシルセスキオキサン化合物であって、２９Ｓｉ－ＮＭＲと質量平均分子量（Ｍｗ）に関する特定の要件を満たすことを特徴とする硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ｂ）成分：熱酸発生剤【選択図】図１

Description

本発明は、発光素子を所定の位置に固定する際に好適に用いられるダイボンド材、このダイボンド材由来の接着部材を有する発光装置、及びこの発光装置の製造方法に関する。

従来、硬化性組成物は用途に応じて様々な改良がなされ、光学部品や成形体の原料、接着剤、コーティング剤等として産業上広く利用されてきている。
特に、シリコーン系化合物含有硬化性組成物は、発光素子の封止材料や発光素子用ダイボンド材等として注目されてきている。
例えば、特許文献１～４には、発光装置の製造に好適に用いられる硬化性組成物として、ポリシルセスキオキサン化合物を含有する硬化性組成物が記載されている。

特開２００４－３５９９３３号公報 特開２００５－２６３８６９号公報 特開２００６－３２８２３１号公報 ＷＯ２０１７／１１０９４８号（ＵＳ２０１８／０３５５１１１ Ａ１）

本発明は、より高性能なダイボンド材や発光装置、及びこの発光装置の製造方法を提供することを目的になされたものである。
すなわち、本発明は、発光素子を所定の位置に固定する際に好適に用いられるダイボンド材、このダイボンド材由来の接着部材を有する発光装置、及びこの発光装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記課題を解決すべく、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物を含有するダイボンド材について鋭意検討を重ねた。
その結果、特定の硬化性ポリシルセスキオキサン化合物、熱酸発生剤、及び溶媒を含有するダイボンド材は、発光素子の固定用材料として適することを見出し、本発明を完成するに至った。

かくして本発明によれば、下記〔１〕～〔９〕のダイボンド材、〔１０〕～〔１２〕の発光装置、及び〔１３〕～〔１５〕の発光装置の製造方法が提供される。

〔１〕下記（Ａ）成分、（Ｂ）成分、及び溶媒を含有するダイボンド材であって、（Ｂ）成分の含有量が、（Ａ）成分１００質量部に対して０質量部超、０．６質量部以下であり、自動硬化時間測定装置にて、１００℃に加熱されたステンレス板上に０．２０ｍＬのサンプルを投入して、撹拌翼の自転回転数が３００ｒｐｍ、撹拌翼の公転回転数が１２０ｒｐｍ、ギャップ（前記ステンレス板と撹拌翼間の距離）が０．２ｍｍの条件にて撹拌翼で撹拌したとき、撹拌開始から撹拌トルクが０．０４９Ｎ・ｃｍとなるまでの時間が２００～２５００秒であるダイボンド材。
（Ａ）成分：下記式（ａ－１）で示される繰り返し単位を有する硬化性ポリシルセスキオキサン化合物であって、下記要件Ａ１、及び要件Ａ２を満たすことを特徴とする硬化性ポリシルセスキオキサン化合物

〔Ｒ^１は、組成式：Ｃ_ｍＨ_{（２ｍ－ｎ＋１）}Ｆ_ｎで表されるフルオロアルキル基を表す。ｍは１～１０の整数、ｎは２以上、（２ｍ＋１）以下の整数を表す。Ｄは、Ｒ^１とＳｉとを結合する連結基（ただし、アルキレン基を除く）又は単結合を表す。〕
〔要件Ａ１〕
硬化性ポリシルセスキオキサン化合物の^２９Ｓｉ－ＮＭＲを測定したときに、－６２ｐｐｍ以上－５２ｐｐｍ未満の領域〔領域（２）〕に１又は２以上のピークが観測され、－５２ｐｐｍ以上－４５ｐｐｍ未満の領域〔領域（１）〕と－７３ｐｐｍ以上－６２ｐｐｍ未満の領域〔領域（３）〕の少なくとも一方の領域に１又は２以上のピークが観測され、かつ、下記式で導かれるＺ２が、２０～４０％である。

Ｐ１：領域（１）における積分値
Ｐ２：領域（２）における積分値
Ｐ３：領域（３）における積分値
〔要件Ａ２〕
硬化性ポリシルセスキオキサン化合物の質量平均分子量（Ｍｗ）が、３，５００～１１，０００である。
（Ｂ）成分：熱酸発生剤
〔２〕前記硬化性ポリシルセスキオキサン化合物が、式（ａ－１）で示される繰り返し単位の割合が、全繰り返し単位に対して２５ｍｏｌ％以上のものである、〔１〕に記載のダイボンド材。
〔３〕前記硬化性ポリシルセスキオキサン化合物が、さらに、下記式（ａ－２）で示される繰り返し単位を有するものである、〔１〕又は〔２〕に記載のダイボンド材。

〔Ｒ^２は、無置換の炭素数１～１０のアルキル基、又は、置換基を有する、若しくは無置換の炭素数６～１２のアリール基を表す。〕
〔４〕前記硬化性ポリシルセスキオキサン化合物が、式（ａ－２）で示される繰り返し単位の割合が、全繰り返し単位に対して０ｍｏｌ％超、７５ｍｏｌ％以下のものである、〔３〕に記載のダイボンド材。
〔５〕前記硬化性ポリシルセスキオキサン化合物の^２９Ｓｉ－ＮＭＲを測定したときに、領域（３）に１又は２以上のピークが観測され、かつ、下記式で導かれるＺ３が、６０～８０％である、〔１〕～〔４〕のいずれか一に記載のダイボンド材。

〔６〕（Ａ）成分の含有量が、ダイボンド材の固形分中４０質量％以上、１００質量％未満である、〔１〕～〔５〕のいずれか一に記載のダイボンド材。
〔７〕（Ｂ）成分が、オニウム塩系熱酸発生剤である、〔１〕～〔６〕のいずれか一に記載のダイボンド材。
〔８〕（Ｂ）成分が、下記要件Ｂ１を満たすものである、〔１〕～〔７〕のいずれか一に記載のダイボンド材。
〔要件Ｂ１〕
（Ｂ）成分について、温度範囲が３０～３００℃、昇温速度が１０℃／分の条件で示差走査熱量測定を行って得られる最大吸熱ピークのピーク温度（酸発生温度）が、８０～１８０℃である。
〔９〕さらに、下記（Ｃ）成分を含有する、〔１〕～〔８〕のいずれか一に記載のダイボンド材。
（Ｃ）成分：シランカップリング剤
〔１０〕一対のリード電極と、前記一対のリード電極と一体に成形された成形体と、を備え、かつ、凹部を有する素子収容器であって、前記凹部の底が、前記一対のリード電極で構成されている素子収容器と、前記凹部の底を構成する前記一対のリード電極の少なくとも一方の上に、接着部材を介して固定された発光素子と、を備え、前記接着部材が、〔１〕～〔９〕のいずれか一に記載のダイボンド材の硬化物である、発光装置。
〔１１〕前記発光素子を固定した前記接着部材は、２５℃において０．３ｍｍ／ｓｅｃで前記発光素子を側面から押して、前記発光素子と前記接着部材との間で破断が生じたときに測定されるダイシェア強度が６５０ｇｆ以上のものである〔１０〕に記載の発光装置。
〔１２〕前記発光素子を固定した前記接着部材は、１５０℃において０．３ｍｍ／ｓｅｃで前記発光素子を側面から押して、前記発光素子と前記接着部材との間で破断が生じたときに測定されるダイシェア強度が３００ｇｆ以上のものである〔１０〕に記載の発光装置。
〔１３〕前記素子収容器は、下記式で導かれる反射率維持率（α）が９９．８％以上のものである請求項〔１０〕～〔１２〕のいずれか一に記載の発光装置。

（Ｒ_ｉは、波長４５０ｎｍにおける、室温（２５℃）、未加熱時の反射率測定値であり、Ｒ_ｉｉは、１００℃で１００分加熱後に室温（２５℃）まで冷却した後の波長４５０ｎｍにおける反射率測定値である。）
〔１４〕前記発光素子の発光ピーク波長が、４４５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下である、〔１０〕～〔１３〕のいずれか一に記載の発光装置。
〔１５〕前記発光素子が、窒化物半導体（Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１－ｘ－ｙ}Ｎ、０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）を含むものである、〔１０〕～〔１４〕のいずれか一に記載の発光装置。
〔１６〕一対のリード電極と、前記一対のリード電極と一体に成形された成形体と、を備え、かつ、凹部を有する素子収容器であって、前記凹部の底が、前記一対のリード電極で構成されている素子収容器と、前記凹部の底を構成する前記一対のリード電極の少なくとも一方の上に、接着部材を介して固定された発光素子と、を備える発光装置の製造方法であって、前記発光素子を、〔１〕～〔９〕のいずれか一に記載の前記ダイボンド材を用いて、前記一対のリード電極の少なくとも一方に固定する発光素子実装工程を含む、発光装置の製造方法。
〔１７〕前記発光素子実装工程は、前記ダイボンド材を前記一対のリード電極の少なくとも一方に塗布し、前記ダイボンド材上に、前記発光素子を配置し、前記ダイボンド材を９５℃以上１０５℃以下の温度で硬化させるものである、〔１６〕に記載の発光装置の製造方法。
〔１８〕前記発光素子の発光ピーク波長が、４４５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下である、〔１６〕又は〔１７〕に記載の発光装置の製造方法。

本発明によれば、発光素子を所定の位置に固定する際に好適に用いられるダイボンド材、このダイボンド材由来の接着部材を有する発光装置、及びこの発光装置の製造方法が提供される。

本発明の一実施の形態に係る発光装置の概略正面図である。 本発明の一実施の形態に係る発光装置であって、図１のＡ－Ａ断面における概略断面図である。 本発明の一実施の形態に係る発光装置であって、図１のＢ－Ｂ断面における概略断面図である。 本発明の一実施の形態に係る発光装置であって、図１の概略下面図である。

以下、本発明を、１）ダイボンド材、２）発光装置、及び、３）発光装置の製造方法、に項分けして詳細に説明する。

１）ダイボンド材
本発明のダイボンド材は、下記（Ａ）成分、（Ｂ）成分、及び溶媒を含有するダイボンド材であって、（Ｂ）成分の含有量が、（Ａ）成分１００質量部に対して０質量部超、０．６質量部以下であり、所定の硬化性を有するものである。
（Ａ）成分：上記式（ａ－１）で示される繰り返し単位を有する硬化性ポリシルセスキオキサン化合物であって、上記要件Ａ１、及び要件Ａ２を満たすことを特徴とする硬化性ポリシルセスキオキサン化合物〔硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）〕
（Ｂ）成分：熱酸発生剤
本発明において、「硬化性ポリシルセスキオキサン化合物」とは、加熱等の所定の条件を満たすことにより、単独で硬化物に変化するポリシルセスキオキサン化合物、又は、硬化性組成物（ダイボンド材）において硬化性成分として機能するポリシルセスキオキサン化合物をいう。

〔（Ａ）成分〕
本発明のダイボンド材を構成する（Ａ）成分は、下記式（ａ－１）で示される繰り返し単位を有する硬化性ポリシルセスキオキサン化合物であって、上記要件Ａ１、及び要件Ａ２を満たすことを特徴とする硬化性ポリシルセスキオキサン化合物である。

〔Ｒ^１は、組成式：Ｃ_ｍＨ_{（２ｍ－ｎ＋１）}Ｆ_ｎで表されるフルオロアルキル基を表す。ｍは１～１０の整数、ｎは２以上、（２ｍ＋１）以下の整数を表す。Ｄは、Ｒ^１とＳｉとを結合する連結基（ただし、アルキレン基を除く）又は単結合を表す。〕

式（ａ－１）中、Ｒ^１は、組成式：Ｃ_ｍＨ_{（２ｍ－ｎ＋１）}Ｆ_ｎで表されるフルオロアルキル基を表す。ｍは１～１０の整数、ｎは２以上、（２ｍ＋１）以下の整数を表す。ｍは、好ましくは１～５の整数、より好ましくは１～３の整数である。
Ｒ^１を有する硬化性ポリシルセスキオキサン化合物を用いることで、屈折率が低いダイボンド材を得ることができる。

組成式：Ｃ_ｍＨ_{（２ｍ－ｎ＋１）}Ｆ_ｎで表されるフルオロアルキル基としては、ＣＦ_３、ＣＦ_３ＣＦ_２、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_２、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_３、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_４、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_５、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_６、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_７、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_８、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_９等のパーフルオロアルキル基；ＣＦ_３ＣＨ_２ＣＨ_２、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_３ＣＨ_２ＣＨ_２、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_５ＣＨ_２ＣＨ_２、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_７ＣＨ_２ＣＨ_２等のハイドロフルオロアルキル基；が挙げられる。

式（ａ－１）中、Ｄは、Ｒ^１とＳｉとを結合する連結基（ただし、アルキレン基を除く）又は単結合を表す。
Ｄの連結基としては、１，４－フェニレン基、１，３－フェニレン基、１，２－フェニレン基、１，５－ナフチレン基等の炭素数が６～２０のアリーレン基が挙げられる。

硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）は、１種の（Ｒ^１－Ｄ）を有するもの（単独重合体）であっても、２種以上の（Ｒ^１－Ｄ）を有するもの（共重合体）であってもよい。
硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）が共重合体である場合、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）は、ランダム共重合体、ブロック共重合体、グラフト共重合体、交互共重合体等のいずれであってもよいが、製造容易性等の観点からは、ランダム共重合体が好ましい。
また、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）の構造は、ラダー型構造、ダブルデッカー型構造、籠型構造、部分開裂籠型構造、環状型構造、ランダム型構造のいずれの構造であってもよい。

硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）に含まれる式（ａ－１）で示される繰り返し単位の割合は、全繰り返し単位に対して好ましくは２５ｍｏｌ％以上、より好ましくは２５～９０ｍｏｌ％、さらに好ましくは２５～８５ｍｏｌ％である。
式（ａ－１）で示される繰り返し単位の割合が、全繰り返し単位に対して２５ｍｏｌ％以上の硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）を用いることで、屈折率がより低いダイボンド材を得ることができる。

硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）は、さらに、下記式（ａ－２）で示される繰り返し単位を有するもの（共重合体）であってもよい。

式（ａ－２）中、Ｒ^２は、無置換の炭素数１～１０のアルキル基、又は、置換基を有する、若しくは無置換の炭素数６～１２のアリール基を表す。

Ｒ^２の無置換の炭素数１～１０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基等が挙げられる。

Ｒ^２の無置換の炭素数６～１２のアリール基としては、フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基等が挙げられる。
Ｒ^２の置換基を有する炭素数６～１２のアリール基の置換基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓ－ブチル基、イソブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、イソオクチル基等のアルキル基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；が挙げられる。

これらの中でも、Ｒ^２としては、接着強度がより高く、耐熱性により優れる硬化物が得られ易いことから、無置換の炭素数１～１０のアルキル基が好ましく、無置換の炭素数１～６のアルキル基がより好ましく、無置換の炭素数１～３のアルキル基が特に好ましい。

硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）が式（ａ－２）で示される繰り返し単位を有するものである場合、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）は、１種のＲ^２を有するものであっても、２種以上のＲ^２を有するものであってもよい。

硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）が式（ａ－２）で示される繰り返し単位を有するものである場合、その割合は、全繰り返し単位に対して好ましくは０ｍｏｌ超、７５ｍｏｌ％以下、より好ましくは１０～７５ｍｏｌ％、さらに好ましくは１５～７５ｍｏｌ％である。
式（ａ－２）で示される繰り返し単位の割合が上記範囲内の硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）を用いることで、接着強度がより高く、耐熱性により優れる硬化物が得られ易くなる。

硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）中の、式（ａ－１）や式（ａ－２）で示される繰り返し単位の割合は、例えば、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）の^１Ｈ－ＮＭＲを測定することにより求めることができる。

硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）は、アセトン等のケトン系溶媒；ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；ジメチルスルホキシド等の含硫黄系溶媒；テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒；酢酸エチル等のエステル系溶媒；クロロホルム等の含ハロゲン系溶媒；及びこれらの２種以上からなる混合溶媒；等の各種有機溶媒に可溶であるため、これらの溶媒を用いて、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）の溶液状態での^１Ｈ－ＮＭＲを測定することができる。

式（ａ－１）で示される繰り返し単位や、式（ａ－２）で示される繰り返し単位は、下記式（ａ－３）で示されるものである。

〔Ｇは、（Ｒ^１－Ｄ）又はＲ^２を表す。Ｒ^１、Ｄ、Ｒ^２は、それぞれ上記と同じ意味を表す。Ｏ_１／２とは、酸素原子が隣の繰り返し単位と共有されていることを表す。〕

式（ａ－３）で示されるように、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）は、一般にＴサイトと総称される、ケイ素原子に酸素原子が３つ結合し、それ以外の基（Ｇで表される基）が１つ結合してなる部分構造を有する。
硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）に含まれるＴサイトとしては、下記式（ａ－４）～（ａ－６）で示されるものが挙げられる。

式（ａ－４）、（ａ－５）及び（ａ－６）中、Ｇは、上記と同じ意味を表す。Ｒ^３は、水素原子又は炭素数１～１０のアルキル基を表す。Ｒ^３の炭素数１～１０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓ－ブチル基、イソブチル基、ｔ－ブチル基等が挙げられる。複数のＲ^３同士は、すべて同一であっても相異なっていてもよい。また、上記式（ａ－４）～（ａ－６）中、＊には、ケイ素原子が結合している。

式（ａ－４）及び式（ａ－５）で示されるＴサイトは、重縮合反応に寄与し得る基（Ｒ^３－Ｏ）を含む。したがって、これらのＴサイトを多く含むポリシルセスキオキサン化合物は反応性に優れる。また、このようなポリシルセスキオキサン化合物を含有するダイボンド材は硬化性に優れる。
一方、式（ａ－５）及び式（ａ－６）で示されるＴサイトは、２以上のケイ素原子（隣のＴサイト）と結合している。したがって、これらのＴサイトを多く含むポリシルセスキオキサン化合物は、大きな分子量を有する傾向がある。

したがって、式（ａ－５）で示されるＴサイトを多く含むポリシルセスキオキサン化合物は、比較的大きな分子量を有し、かつ、十分な反応性を有する。
以下に説明するように、本発明に用いる硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）は、これらの特性を有するものである。

まず、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）は、以下の要件Ａ１を満たす。
〔要件Ａ１〕
硬化性ポリシルセスキオキサン化合物の^２９Ｓｉ－ＮＭＲを測定したときに、－６２ｐｐｍ以上－５２ｐｐｍ未満の領域〔領域（２）〕に１又は２以上のピークが観測され、－５２ｐｐｍ以上－４５ｐｐｍ未満の領域〔領域（１）〕と－７３ｐｐｍ以上－６２ｐｐｍ未満の領域〔領域（３）〕の少なくとも一方の領域に１又は２以上のピークが観測され、かつ、下記式で導かれるＺ２が、２０～４０％である。
なお、「領域（１）に観測されるピーク」とは、ピークトップが、領域（１）の範囲にあることをいう。「領域（２）に観測されるピーク」、「領域（３）に観測されるピーク」についても同様である。

Ｐ１：領域（１）における積分値
Ｐ２：領域（２）における積分値
Ｐ３：領域（３）における積分値

本明細書において、「領域（１）における積分値」、「領域（２）における積分値」、「領域（３）における積分値」とは、それぞれ、－５２ｐｐｍ～－４５ｐｐｍ、－６２ｐｐｍ～－５２ｐｐｍ、－７３ｐｐｍ～－６２ｐｐｍを積分範囲として計算して得られた値をいう。

領域（１）、領域（２）、領域（３）に観測されるピークは、それぞれ、式（ａ－４）、式（ａ－５）、式（ａ－６）で示されるＴサイト中のケイ素原子に由来するものである。

したがって、要件Ａ１を満たす硬化性ポリシルセスキオキサン化合物は、式（ａ－５）で示されるＴサイトを、Ｔサイト全体に対して２０～４０％含むものである。
この硬化性ポリシルセスキオキサン化合物は、上記のように、比較的大きな分子量を有し、かつ、十分な反応性を有するものであり、ダイボンド材の硬化性成分として有用である。

要件Ａ１中、Ｚ２の値は、好ましくは２４～３６％、より好ましくは２７～３２％である。Ｚ２が小さ過ぎる硬化性ポリシルセスキオキサン化合物は、反応性が十分でなく、Ｚ２が大き過ぎるとダイボンド材の貯蔵安定性が低下する。

硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）は、^２９Ｓｉ－ＮＭＲを測定したときに、領域（３）に１又は２以上のピークが観測され、かつ、下記式で導かれるＺ３が、６０～８０％であることが好ましい。

Ｚ３が６０～８０％である硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）は、式（ａ－６）で示されるＴサイトを、Ｔサイト全体に対して６０～８０％含むものである。
Ｚ３の値が６０～８０％の範囲内の硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）は、分子量と反応性のバランスにより優れるものである。
この効果がより得られ易いことから、Ｚ３の値は、６４～７６％がより好ましく、６８～７３％がさらに好ましい。

Ｚ２やＺ３の値は、例えば、実施例に記載の条件で^２９Ｓｉ－ＮＭＲを測定し、Ｐ１～Ｐ３を得、上記式に従って算出することができる。

硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）は、上記要件Ａ２を満たすものである。
すなわち、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）の質量平均分子量（Ｍｗ）は、３，５００～１１，０００であり、好ましくは４，０００～８，０００、より好ましくは５，０００～７，０００である。

上記のように、要件Ａ１を満たす硬化性ポリシルセスキオキサン化合物は、比較的大きな分子量を有する傾向がある。要件Ａ２は、その分子量の範囲を明確にするものである。
質量平均分子量（Ｍｗ）が上記範囲内にある硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）を硬化性成分として用いることで、接着強度が高く、耐熱性に優れる硬化物を与えるダイボンド材を得ることができる。

硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、特に制限されないが、通常１．０～１０．０、好ましくは１．１～６．０の範囲である。分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が上記範囲内にある硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）を硬化性成分として用いることで、接着性及び耐熱性により優れる硬化物を与えるダイボンド材を得ることができる。
質量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、例えば、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を溶媒とするゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）による標準ポリスチレン換算値として求めることができる。

硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）は、例えば、下記式（ａ－７）で示される化合物（以下、「シラン化合物（１）」ということがある。）、又は、シラン化合物（１）及び下記式（ａ－８）で示される化合物（以下、「シラン化合物（２）」ということがある。）を、重縮合触媒の存在下に重縮合させることにより製造することができる。

式（ａ－７）、（ａ－８）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｄは、上記と同じ意味を表す。Ｒ^４、Ｒ^５は、それぞれ独立に炭素数１～１０のアルキル基を表し、Ｘ^１、Ｘ^２は、それぞれ独立にハロゲン原子を表し、ｐ、ｑは、それぞれ独立に０～３の整数を表す。複数のＲ^４、Ｒ^５、及び複数のＸ^１、Ｘ^２は、それぞれ、互いに同一であっても、相異なっていてもよい。

Ｒ^４、Ｒ^５の炭素数１～１０のアルキル基としては、Ｒ^２の炭素数１～１０のアルキル基として示したものと同様のものが挙げられる。
Ｘ^１、Ｘ^２のハロゲン原子としては、塩素原子、及び臭素原子等が挙げられる。

シラン化合物（１）としては、ＣＦ_３Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、ＣＦ_３ＣＦ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、ＣＦ_３ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、ＣＦ_３（Ｃ_６Ｈ_４）Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３（４－（トリフルオロメチル）フェニルトリメトキシシラン）、ＣＦ_３Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_３、ＣＦ_３ＣＦ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_３、ＣＦ_３ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_３、ＣＦ_３（Ｃ_６Ｈ_４）Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_３（４－（トリフルオロメチル）フェニルトリエトキシシラン）等のフルオロアルキルトリアルコキシシラン化合物類；
ＣＦ_３ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＣＦ_２ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＳｉＢｒ（ＯＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＣＦ_２ＳｉＢｒ（ＯＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＳｉＢｒ（ＯＣＨ_３）_２、
ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_３）_２、ＣＦ_３（Ｃ_６Ｈ_４）ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_３）_２（４－（トリフルオロメチル）フェニルクロロジメトキシシラン）、ＣＦ_３ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＣＦ_２ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２、ＣＦ_３（Ｃ_６Ｈ_４）ＳｉＣｌ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２（４－（トリフルオロメチル）フェニルクロロジエトキシシラン）等のフルオロアルキルハロゲノジアルコキシシラン化合物類；
ＣＦ_３ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_３）、ＣＦ_３ＣＦ_２ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_３）、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_３）、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_３）、ＣＦ_３ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_３）、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_３）、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_３）、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_３）、ＣＦ_３（Ｃ_６Ｈ_４）ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_３）（４－（トリフルオロメチル）フェニルジクロロメトキシシラン）、ＣＦ_３ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）、ＣＦ_３ＣＦ_２ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）、ＣＦ_３ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）、ＣＦ_３（Ｃ_６Ｈ_４）ＳｉＣｌ_２（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）（４－（トリフルオロメチル）フェニルジクロロエトキシシラン）等のフルオロアルキルジハロゲノアルコキシシラン化合物類；
ＣＦ_３ＳｉＣｌ_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＳｉＣｌ_３、ＣＦ_３ＳｉＢｒ_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＳｉＢｒ_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＳｉＣｌ_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＳｉＣｌ_３、ＣＦ_３ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ_３、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＳｉＣｌ_３、ＣＦ_３（Ｃ_６Ｈ_４）ＳｉＣｌ_３（４－トリフルオロメチルフェニルトリクロロシラン）等のフルオロアルキルトリハロゲノシラン化合物類；が挙げられる。
シラン化合物（１）は１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
これらの中でも、シラン化合物（１）としては、フルオロアルキルトリアルコキシシラン化合物類に含まれるものが好ましい。

シラン化合物（２）としては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリプロポキシシラン、ｎ－プロピルトリメトキシシラン、ｎ－プロピルトリエトキシシラン、ｎ－プロピルトリプロポキシシラン、ｎ－プロピルトリブトキシシラン、ｎ－ブチルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、ｎ－ペンチルトリメトキシシラン、ｎ－ヘキシルトリメトキシシラン、イソオクチルトリエトキシシラン等のアルキルトリアルコキシシラン化合物類；

メチルクロロジメトキシシラン、メチルクロロジエトキシシラン、メチルジクロロメトキシシラン、メチルブロモジメトキシシラン、エチルクロロジメトキシシラン、エチルクロロジエトキシシラン、エチルジクロロメトキシシラン、エチルブロモジメトキシシラン、ｎ－プロピルクロロジメトキシシラン、ｎ－プロピルジクロロメトキシシラン、ｎ－ブチルクロロジメトキシシラン、ｎ－ブチルジクロロメトキシシラン等のアルキルハロゲノアルコキシシラン化合物類；

メチルトリクロロシラン、メチルトリブロモシラン、エチルトリクロロシラン、エチルトリブロモシラン、ｎ－プロピルトリクロロシラン、ｎ－プロピルトリブロモシラン、ｎ－ブチルトリクロロシラン、イソブチルトリクロロシラン、ｎ－ペンチルトリクロロシラン、ｎ－ヘキシルトリクロロシラン、イソオクチルトリクロロシラン等のアルキルトリハロゲノシラン化合物類；等が挙げられる。
シラン化合物（２）は１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
これらの中でも、シラン化合物（２）としては、アルキルトリアルコキシシラン化合物類に含まれるものが好ましい。

上記シラン化合物を重縮合させる方法は特に限定されず、公知の方法を利用することができる。
特に、要件Ａ１及び要件Ａ２を満たす硬化性ポリシルセスキオキサン化合物は、比較的穏やかな条件で、時間をかけて重縮合反応を行うことで得られやすい。
具体的には、溶媒中、又は無溶媒で、適量の酸触媒を用いて、所定温度でシラン化合物の重縮合反応を行って製造中間体を含む反応液を得た後、塩基を加えて反応液を中和し、さらに重縮合反応を行うことで、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）を製造することができる。

溶媒としては、水；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル等のエステル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ－プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ－ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｓ－ブチルアルコール、ｔ－ブチルアルコール等のアルコール類；等が挙げられる。これらの溶媒は１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
溶媒を使用する場合、その使用量は、シラン化合物の総ｍｏｌ量１ｍｏｌ当たり、通常０．００１～１０．０００リットル、好ましくは０．０１０～０．９リットルである。

酸触媒としては、リン酸、塩酸、ホウ酸、硫酸、硝酸等の無機酸；クエン酸、酢酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ－トルエンスルホン酸等の有機酸；等が挙げられる。これらの中でも、リン酸、塩酸、ホウ酸、硫酸、クエン酸、酢酸、及びメタンスルホン酸から選ばれる少なくとも１種が好ましい。
酸触媒の使用量は、シラン化合物の総ｍｏｌ量に対して、通常０．０１～２．００ｍｏｌ％、好ましくは０．０５～１．００ｍｏｌ％、より好ましくは０．１０～０．３０ｍｏｌ％の範囲である。

酸触媒存在下での反応の反応温度は、通常２０～９０℃、好ましくは２５～８０℃である。
酸触媒存在下での反応の反応時間は、通常１～４８時間、好ましくは３～２４時間である。

酸触媒存在下の反応により得られる製造中間体の質量平均分子量（Ｍｗ）は、通常８００～５，０００、好ましくは１，２００～４，０００である。

反応液を中和する際に用いる塩基としては、アンモニア水；トリメチルアミン、トリエチルアミン、ピリジン、１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］－７－ウンデセン、アニリン、ピコリン、１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン、イミダゾール等の有機塩基；水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム等の有機水酸化物；ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムｔ－ブトキシド、カリウムｔ－ブトキシド等の金属アルコキシド；水素化ナトリウム、水素化カルシウム等の金属水素化物；水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム等の金属水酸化物；炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸マグネシウム等の金属炭酸塩；炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等の金属炭酸水素塩；等が挙げられる。

反応液の中和に用いる塩基の量は、シラン化合物の総ｍｏｌ量に対して、通常０．０１～２．００ｍｏｌ％、好ましくは０．０５～１．００ｍｏｌ％、より好ましくは０．１０～０．７０ｍｏｌ％の範囲である。
また反応液の中和に用いる塩基の量（ｍｏｌ）は、１工程前で用いた酸触媒の量（ｍｏｌ）の０．５～５．０倍が好ましく、より好ましくは０．８～３．０倍、より更に好ましくは１．０～２．０倍である。
中和後の反応液のｐＨは、通常６．０～８．０、好ましくは６．２～７．０であり、より好ましくは６．４～６．９である。

中和後の反応の反応温度は、通常４０～９０℃、好ましくは５０～８０℃である。
中和後の反応の反応時間は、通常２０～２００分間、好ましくは３０～１５０分間である。

上記の製造方法では、酸触媒存在下での反応においては、加水分解を主な目的とし、中和後の反応においては、脱水縮合を主な目的としている。
このようにしてシラン化合物の重縮合反応を行うことで、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）を効率よく製造することができる。

反応終了後は、公知の精製処理を行い、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）を単離することができる。

本発明のダイボンド材において、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）は１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。

本発明のダイボンド材中の硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）の含有量は、ダイボンド材の固形分全体を基準として、好ましくは４０質量％以上、１００質量％未満であり、より好ましくは４８～９５質量％、さらに好ましくは５６～９０質量％である。
本発明において、「固形分」とは、ダイボンド材中の溶媒以外の成分をいう。

〔（Ｂ）成分〕
本発明のダイボンド材を構成する（Ｂ）成分は、熱酸発生剤である。
熱酸発生剤とは、加熱により、ルイス酸やブレンステッド酸等の酸成分を発生させる化合物をいう。
本発明のダイボンド材は、熱酸発生剤を含有するため、低温硬化性及び貯蔵安定性に優れる。
本発明において、低温硬化性とは、ダイボンド材が穏やかな加熱条件で硬化する特性をいう。

熱酸発生剤としては、温度範囲が３０～３００℃、昇温速度が１０℃／分の条件で示差走査熱量測定を行って得られる最大吸熱ピークのピーク温度（酸発生温度）が、８０～１８０℃のものが好ましい。
上記条件における酸発生温度が８０℃以上の熱酸発生剤を含有するダイボンド材は貯蔵安定性により優れる。また、上記条件における酸発生温度が１８０℃以下の熱酸発生剤を含有するダイボンド材は低温硬化性により優れる。
これらの効果がより得られ易いことから、上記条件における酸発生温度は、好ましくは９０～１７０℃、より好ましくは１００～１６０℃である。

熱酸発生剤としては、オニウム塩系熱酸発生剤が挙げられる。オニウム塩系熱酸発生剤は、オニウムカチオン成分とアニオン成分とを含む熱酸発生剤である。
オニウムカチオン成分としては、有機スルホニウムイオン、有機アンモニウムイオン、有機ホスホニウムイオン、有機ヨードニウムイオン等が挙げられる。

オニウム塩系熱酸発生剤を構成する有機スルホニウムイオンとしては、下記式（ｂ－１）で表されるカチオンが挙げられる。

式（ｂ－１）中、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８は、それぞれ独立に、無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換基を有する炭素数１～１０のアルキル基、無置換の炭素数６～１２のアリール基、及び、置換基を有する炭素数６～１２のアリール基からなる群から選ばれる基である。

Ｒ^６～Ｒ^８で表される「無置換の炭素数１～１０のアルキル基」の炭素数は、１～６が好ましく、１～３がより好ましい。
「無置換の炭素数１～１０のアルキル基」としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基等が挙げられる。

Ｒ^６～Ｒ^８で表される「置換基を有する炭素数１～１０のアルキル基」の炭素数は、１～６が好ましく、１～３がより好ましい。なお、この炭素数は、置換基を除いた部分（アルキル基の部分）の炭素数を意味するものである。したがって、Ｒ^６～Ｒ^８が「置換基を有する炭素数１～１０のアルキル基」である場合、Ｒ^６～Ｒ^８の炭素数は１０を超える場合もあり得る。
「置換基を有する炭素数１～１０のアルキル基」のアルキル基としては、「無置換の炭素数１～１０のアルキル基」として示したものと同様のものが挙げられる。

「置換基を有する炭素数１～１０のアルキル基」の置換基の原子数（ただし水素原子の数を除く）は、通常１～３０、好ましくは１～２０である。
「置換基を有する炭素数１～１０のアルキル基」の置換基としては、フェニル基、ｏ－トリル基、ｍ－トリル基、ｐ－トリル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基等のアリール基が挙げられる。

Ｒ^６～Ｒ^８で表される「無置換の炭素数６～１２のアリール基」の炭素数は６が好ましい。
「無置換の炭素数６～１２のアリール基」としては、フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基等が挙げられる。

Ｒ^６～Ｒ^８で表される「置換基を有する炭素数６～１２のアリール基」の炭素数は６が好ましい。なお、この炭素数は、置換基を除いた部分（アリール基の部分）の炭素数を意味するものである。したがって、Ｒ^６～Ｒ^８が「置換基を有する炭素数６～１２のアリール基」である場合、Ｒ^６～Ｒ^８の炭素数は１２を超える場合もあり得る。
「置換基を有する炭素数６～１２のアリール基」のアリール基としては、「無置換の炭素数６～１２のアリール基」として示したものと同様のものが挙げられる。

「置換基を有する炭素数６～１２のアリール基」の置換基の原子数（ただし水素原子の数を除く）は、通常１～３０、好ましくは１～２０である。
「置換基を有する炭素数６～１２のアリール基」の置換基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓ－ブチル基、イソブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、イソオクチル基等のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；ヒドロキシ基；アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基等のアシルオキシ基；メチルチオ基、エチルチオ基等のアルキルチオ基；等が挙げられる。

オニウム塩系熱酸発生剤を構成する有機アンモニウムイオンとしては、下記式（ｂ－２）で表されるカチオンが挙げられる。

式（ｂ－２）中、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２は、それぞれ独立に、無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換基を有する炭素数１～１０のアルキル基、無置換の炭素数６～１２のアリール基、及び、置換基を有する炭素数６～１２のアリール基からなる群から選ばれる基である。
Ｒ^９～Ｒ^１２としては、Ｒ^６～Ｒ^８として表したものと同様のものが挙げられる。

オニウム塩系熱酸発生剤を構成する有機ホスホニウムイオンとしては、下記式（ｂ－３）で表されるカチオンが挙げられる。

式（ｂ－３）中、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６は、それぞれ独立に、無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換基を有する炭素数１～１０のアルキル基、無置換の炭素数６～１２のアリール基、及び、置換基を有する炭素数６～１２のアリール基からなる群から選ばれる基である。
Ｒ^１３～Ｒ^１６としては、Ｒ^６～Ｒ^８として表したものと同様のものが挙げられる。

オニウム塩系熱酸発生剤を構成する有機ヨードニウムイオンとしては、下記式（ｂ－４）で表されるカチオンが挙げられる。

式（ｂ－４）中、Ｒ^１７、Ｒ^１８は、それぞれ独立に、無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換基を有する炭素数１～１０のアルキル基、無置換の炭素数６～１２のアリール基、及び、置換基を有する炭素数６～１２のアリール基からなる群から選ばれる基である。
Ｒ^１７、Ｒ^１８としては、Ｒ^６～Ｒ^８として表したものと同様のものが挙げられる。

これらの中でも、ダイボンド材の硬化性と貯蔵安定性の両立の観点から、オニウムカチオン成分としては有機スルホニウムイオン又は有機アンモニウムイオンが好ましく、下記式（ｂ－５）で表される有機スルホニウムイオンがより好ましい。

式（ｂ－５）中、Ａｒは、フェニル基、ｏ－トリル基、ｍ－トリル基、ｐ－トリル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基等の置換基を有する、又は、置換基を有しないアリール基を表す。

オニウム塩系熱酸発生剤のアニオン成分としては、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン、ヘキサフルオロリン酸アニオン、ヘキサフルオロアンチモン酸アニオン、パーフルオロブタンスルホン酸アニオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸アニオン、テトラフルオロホウ酸アニオン等が挙げられる。

これらの中でも、光学特性に優れた硬化物が得られやすいことから、アニオン成分としてはヘキサフルオロリン酸アニオン、ヘキサフルオロアンチモン酸アニオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸アニオンが好ましく、ヘキサフルオロリン酸アニオンがより好ましい。

熱酸発生剤は、１種単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
熱酸発生剤の含有量は、ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）１００質量部に対して通常０質量部超、０．６質量部以下であり、好ましくは０．００１～０．６質量部、より好ましくは０．００５～０．５質量部である。
熱酸発生剤が多過ぎると、硬化物の接着性が低下するおそれがある。

〔溶媒〕
本発明のダイボンド材を構成する溶媒は、本発明のダイボンド材の成分を溶解又は分散し得るものであれば特に限定されない。
溶媒としては、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、１，６－ヘキサンジオールジアセテート等のアセテート類；トリプロピレングリコール－ｎ－ブチルエーテル；グリセリンジグリシジルエーテル、ブタンジオールジグリシジルエーテル、ジグリシジルアニリン、ネオペンチルグリコールグリシジルエーテル、シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル、アルキレンジグリシジルエーテル、ポリグリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル等のジグリシジルエーテル類；トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル等のトリグリシジルエーテル類；４－ビニルシクロヘキセンモノオキサイド、ビニルシクロヘキセンジオキサイド、メチル化ビニルシクロヘキセンジオキサイド等のビニルヘキセンオキサイド類；等が挙げられる。
溶媒は１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。

本発明のダイボンド材は、固形分濃度が、好ましくは５０質量％以上、１００質量％未満、より好ましくは６０～９０質量％、より更に好ましくは６５～８５質量％になる量である。固形分濃度がこの範囲内であることで、塗布工程における作業性に優れるダイボンド材が得られ易くなる。

〔（Ｃ）成分〕
本発明のダイボンド材は、（Ｃ）成分として、シランカップリング剤を含有してもよい。シランカップリング剤を含有するダイボンド材を用いることで、接着性により優れる硬化物を形成し易くなる。
シランカップリング剤とは、ケイ素原子と、官能基と、前記ケイ素原子に結合した加水分解性基とを有するシラン化合物をいう。
官能基とは、他の化合物（主に有機物）と反応性を有する基をいい、例えば、アミノ基、置換アミノ基、イソシアネート基、ウレイド基、イソシアヌレート骨格を有する基等の窒素原子を有する基；酸無水物基；ビニル基；アリル基；エポキシ基；（メタ）アクリル基；メルカプト基；等が挙げられる。
本発明において、シランカップリング剤は、１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。

本発明のダイボンド材がシランカップリング剤を含有する場合、その含有量は特に限定されず、目的に応じて適宜決定することができる。
シランカップリング剤の含有量は、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）１００質量部に対して通常９５質量部以下、好ましくは６５質量部以下、より好ましくは３５質量部以下である。

シランカップリング剤としては、分子内に窒素原子を有するシランカップリング剤や分子内に酸無水物構造を有するシランカップリング剤が好ましい。

分子内に窒素原子を有するシランカップリング剤や分子内に酸無水物構造を有するシランカップリング剤を含有するダイボンド材は、耐熱性及び接着性により優れる硬化物を与える傾向がある。

分子内に窒素原子を有するシランカップリング剤としては、例えば、下記式（ｃ－１）で表されるトリアルコキシシラン化合物、式（ｃ－２）で表されるジアルコキシアルキルシラン化合物又はジアルコキシアリールシラン化合物等が挙げられる。

上記式中、Ｒ^ａは、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｔ－ブトキシ基等の炭素数１～６のアルコキシ基を表す。複数のＲ^ａ同士は同一であっても相異なっていてもよい。
Ｒ^ｂは、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｔ－ブチル基等の炭素数１～６のアルキル基；又は、フェニル基、４－クロロフェニル基、４－メチルフェニル基、１－ナフチル基等の、置換基を有する、又は置換基を有さないアリール基；を表す。

Ｒ^ｃは、窒素原子を有する、炭素数１～１０の有機基を表す。また、Ｒ^ｃは、さらに他のケイ素原子を含む基と結合していてもよい。
Ｒ^ｃの炭素数１～１０の有機基の具体例としては、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピル基、３－アミノプロピル基、Ｎ－（１，３－ジメチル－ブチリデン）アミノプロピル基、３－ウレイドプロピル基、Ｎ－フェニル－アミノプロピル基等が挙げられる。

上記式（ｃ－１）又は（ｃ－２）で表される化合物のうち、Ｒ^ｃが、他のケイ素原子を含む基と結合した有機基である場合の化合物としては、イソシアヌレート骨格を有するシランカップリング剤（イソシアヌレート系シランカップリング剤）や、ウレア骨格を有するシランカップリング剤（ウレア系シランカップリング剤）が挙げられる。

これらの中でも、分子内に窒素原子を有するシランカップリング剤としては、接着性により優れる硬化物が得られ易いことから、イソシアヌレート系シランカップリング剤、及びウレア系シランカップリング剤が好ましく、さらに、分子内に、ケイ素原子に結合したアルコキシ基を４以上有するものが好ましい。
ケイ素原子に結合したアルコキシ基を４以上有するとは、同一のケイ素原子に結合したアルコキシ基と、異なるケイ素原子に結合したアルコキシ基との総合計数が４以上という意味である。

ケイ素原子に結合したアルコキシ基を４以上有するイソシアヌレート系シランカップリング剤としては、下記式（ｃ－３）で表される化合物が挙げられる。ケイ素原子に結合したアルコキシ基を４以上有するウレア系シランカップリング剤としては、下記式（ｃ－４）で表される化合物が挙げられる。

式中、Ｒ^ａは上記と同じ意味を表す。ｔ１～ｔ５はそれぞれ独立して、１～１０の整数を表し、１～６の整数であるのが好ましく、３であるのが特に好ましい。

これらの中でも、分子内に窒素原子を有するシランカップリング剤としては、１，３，５－Ｎ－トリス（３－トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、１，３，５－Ｎ－トリス（３－トリエトキシシリルプロピル）イソシアヌレート（以下、「イソシアヌレート化合物」という。）、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－トリメトキシシリルプロピル）ウレア、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－トリエトキシシリルプロピル）ウレア（以下、「ウレア化合物」という。）、及び、上記イソシアヌレート化合物とウレア化合物との組み合わせを用いるのが好ましい。

本発明のダイボンド材が分子内に窒素原子を有するシランカップリング剤を含有する場合、その含有量は特に限定されないが、その量は、上記（Ａ）成分と分子内に窒素原子を有するシランカップリング剤の質量比〔（Ａ）成分：分子内に窒素原子を有するシランカップリング剤〕で、好ましくは１００：０．１～１００：９０、より好ましくは１００：０．３～１００：６０、より好ましくは１００：１～１００：５０、さらに好ましくは１００：３～１００：４０、特に好ましくは１００：５～１００：３５となる量である。
このような割合で（Ａ）成分及び分子内に窒素原子を有するシランカップリング剤を含有するダイボンド材の硬化物は、耐熱性及び接着性により優れたものになる。

分子内に酸無水物構造を有するシランカップリング剤は、一つの分子中に、酸無水物構造を有する基と、加水分解性基の両者を併せ持つ有機ケイ素化合物である。具体的には下記式（ｃ－５）で表される化合物が挙げられる。

式中、Ｑは酸無水物構造を有する基を表し、Ｒ^ｄは炭素数１～６のアルキル基、又は、置換基を有する、若しくは置換基を有さないフェニル基を表し、Ｒ^ｅは炭素数１～６のアルコキシ基又はハロゲン原子を表し、ｉ、ｋは１～３の整数を表し、ｊは０～２の整数を表し、ｉ+ｊ+ｋ＝４である。ｊが２であるとき、Ｒ^ｄ同士は同一であっても相異なっていてもよい。ｋが２又は３のとき、複数のＲ^ｅ同士は同一であっても相異なっていてもよい。ｉが２又は３のとき、複数のＱ同士は同一であっても相異なっていてもよい。
Ｑとしては、下記式で表される基等が挙げられ、（Ｑ１）で表される基が特に好ましい。

式中、ｈは０～１０の整数を表す。

分子内に酸無水物構造を有するシランカップリング剤としては、２－（トリメトキシシリル）エチル無水コハク酸、２－（トリエトキシシリル）エチル無水コハク酸、３－（トリメトキシシリル）プロピル無水コハク酸、３－（トリエトキシシリル）プロピル無水コハク酸等の、トリ（炭素数１～６）アルコキシシリル（炭素数２～８）アルキル無水コハク酸；
２－（ジメトキシメチルシリル）エチル無水コハク酸等の、ジ（炭素数１～６）アルコキシメチルシリル（炭素数２～８）アルキル無水コハク酸；
２－（メトキシジメチルシリル）エチル無水コハク酸等の、（炭素数１～６）アルコキシジメチルシリル（炭素数２～８）アルキル無水コハク酸；

２－（トリクロロシリル）エチル無水コハク酸、２－（トリブロモシリル）エチル無水コハク酸等の、トリハロゲノシリル（炭素数２～８）アルキル無水コハク酸；
２－（ジクロロメチルシリル）エチル無水コハク酸等の、ジハロゲノメチルシリル（炭素数２～８）アルキル無水コハク酸；
２－（クロロジメチルシリル）エチル無水コハク酸等の、ハロゲノジメチルシリル（炭素数２～８）アルキル無水コハク酸；等が挙げられる。

これらの中でも、分子内に酸無水物構造を有するシランカップリング剤としては、トリ（炭素数１～６）アルコキシシリル（炭素数２～８）アルキル無水コハク酸が好ましく、３－（トリメトキシシリル）プロピル無水コハク酸又は３－（トリエトキシシリル）プロピル無水コハク酸が特に好ましい。

本発明のダイボンド材が分子内に酸無水物構造を有するシランカップリング剤を含有する場合、その含有量は特に限定されないが、その量は、上記（Ａ）成分と分子内に酸無水物構造を有するシランカップリング剤の質量比〔（Ａ）成分：分子内に酸無水物構造を有するシランカップリング剤〕で、好ましくは１００：０．１～１００：３０、より好ましくは１００：０．３～１００：２０、より好ましくは１００：０．５～１００：１５、さらに好ましくは１００：１～１００：１０となる量である。
このような割合で（Ａ）成分及び分子内に酸無水物構造を有するシランカップリング剤を含有するダイボンド材の硬化物は、接着性により優れたものになる。

本発明のダイボンド材は、本発明の目的を阻害しない範囲で、上記（Ａ）～（Ｃ）成分以外の他の成分を含有してもよい。
他の成分としては、微粒子、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤等が挙げられる。

微粒子を添加すると、塗布工程における作業性に優れるダイボンド材を得ることができる場合がある。微粒子の材質としては、金属；金属酸化物；鉱物；炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム等の金属炭酸塩；硫酸カルシウム、硫酸バリウム等の金属硫酸塩；水酸化アルミニウム等の金属水酸化物；珪酸アルミニウム、珪酸カルシウム、珪酸マグネシウム等の金属珪酸塩；シリカ等の無機成分；シリコーン；アクリル系重合体等の有機成分；等が挙げられる。
また、用いる微粒子は表面が修飾されたものであってもよい。

これらの微粒子は１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。微粒子の含有量は特に限定されないが、（Ａ）成分に対して、通常５０質量％以下が好ましく、４０質量％以下がより好ましく、３５質量％以下がより更に好ましい。

酸化防止剤は、加熱時の酸化劣化を防止するために添加される。酸化防止剤としては、リン系酸化防止剤、フェノール系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤等が挙げられる。

リン系酸化防止剤としては、ホスファイト類、オキサホスファフェナントレンオキサイド類等が挙げられる。フェノール系酸化防止剤としては、モノフェノール類、ビスフェノール類、高分子型フェノール類等が挙げられる。硫黄系酸化防止剤としては、ジラウリル－３，３’－チオジプロピオネート、ジミリスチル－３，３’－チオジプロピオネート、ジステアリル－３，３’－チオジプロピオネート等が挙げられる。

これらの酸化防止剤は１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。酸化防止剤の使用量は、（Ａ）成分に対して、通常１０質量％以下である。

紫外線吸収剤は、得られる硬化物の耐光性を向上させる目的で添加される。
紫外線吸収剤としては、サリチル酸類、ベンゾフェノン類、ベンゾトリアゾール類、ヒンダードアミン類等が挙げられる。
紫外線吸収剤は１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
紫外線吸収剤の使用量は、（Ａ）成分に対して、通常１０質量％以下である。

光安定剤は、得られる硬化物の耐光性を向上させる目的で添加される。
光安定剤としては、例えば、ポリ［｛６－（１，１，３，３－テトラメチルブチル）アミノ－１，３，５－トリアジン－２，４－ジイル｝｛（２，２，６，６－テトラメチル－４－ピペリジン）イミノ｝ヘキサメチレン｛（２，２，６，６－テトラメチル－４－ピペリジン）イミノ｝］等のヒンダードアミン類等が挙げられる。
これらの光安定剤は１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。光安定剤の使用量は、（Ａ）成分に対して、通常２０質量％以下である。

本発明のダイボンド材は、例えば、上記（Ａ）成分、（Ｂ）成分、及び溶媒、並びに、所望により他の成分を所定割合で混合し、脱泡することにより調製することができる。
混合方法、脱泡方法は特に限定されず、公知の方法を利用することができる。

本発明のダイボンド材は（Ａ）成分を含有する。したがって、本発明のダイボンド材は屈折率が低い。
本発明のダイボンド材の２５℃における屈折率（ｎＤ）は、好ましくは１．４１０～１．４３０であり、より好ましくは１．４１２～１．４２８である。
ダイボンド材の屈折率（ｎＤ）は、実施例に記載の方法により測定することができる。

本発明のダイボンド材は（Ｂ）成分を含有する。したがって、本発明のダイボンド材は、低温硬化性を有し、さらに、貯蔵安定性に優れている。

本発明のダイボンド材が低温硬化性を有することは、例えば、実施例に記載の方法により確認することができる。
すなわち、自動硬化時間測定装置（株式会社サイバー製、商品名「まどか」）を用い、１００℃に加熱されたステンレス板上にダイボンド材のサンプルを投入して撹拌すると、撹拌トルクが上昇する。したがって、撹拌トルクが、０．０４９Ｎ・ｃｍになるまでの時間を測定することにより、ダイボンド材の低温硬化性（１００℃という比較的穏やかな加熱条件下におけるダイボンド材の硬化性）を数値化することができる。
撹拌トルクが０．０４９Ｎ・ｃｍになるまでの時間は、２００～２５００秒が好ましく、２２０～２０００秒がより好ましく、２４０～１５００秒がさらに好ましい。

本発明のダイボンド材が貯蔵安定性に優れることは、例えば、実施例に記載の方法により確認することができる。
すなわち、レオメーターにて、半径５０ｍｍ、コーン角度０．５°のコーンプレートを用い、２５℃でせん断速度が２ｓ^－１時の粘度を測定して初期粘度を得た後、サンプルを２５℃で２４時間静置し、同様の条件で粘度を測定し、静置後の粘度を得る。
得られた測定値から、下記式に基づいて粘度の上昇率を算出することで、貯蔵安定性を数値化することができる。
［粘度上昇率］＝［静置後の粘度］／［初期粘度］
上記測定条件における粘度上昇率は、１．４０以下が好ましく、１．２５以下がより好ましく、１．１０以下がよりさらに好ましい。

上記のように、本発明のダイボンド材は貯蔵安定性に優れる。したがって、本発明のダイボンド材は冷凍保存や冷蔵保存をしなくても長期間保存することができる。

本発明のダイボンド材は、加熱することで硬化させることができる。
硬化させるときの加熱温度は、通常８０～１４０℃であり、より好ましくは９０～１２０℃である。加熱時間は、通常１０分から２０時間であり、好ましくは３０分～１５時間である。
本発明のダイボンド材を硬化させる際、加熱温度が高い場合は、短時間で硬化させることができる。一方、長時間加熱する場合は、加熱温度を低くすることができる。
このように本発明のダイボンド材は比較的低い温度でも硬化し得るものである。したがって、後述するように、周囲に樹脂製部材等の耐熱性を考慮すべき部材が存在するときは、生産性等も考慮し、９５℃以上１０５℃以下のような加熱温度を採用することができる。

本発明のダイボンド材を硬化させて得られる硬化物は、耐熱性及び接着性に優れることが好ましい。
硬化物の耐熱性や接着性は、例えば、次のようにして確認することができる。すなわち、シリコンチップのミラー面に、本発明のダイボンド材を所定量塗布し、塗布面を被着体の上に載せ、圧着し、加熱処理して硬化させる。これを、予め所定温度（例えば、１００℃）に加熱したボンドテスターの測定ステージ上に３０秒間放置し、被着体から１００μｍの高さの位置より、接着面に対し水平方向（せん断方向）に応力をかけ、試験片と被着体との接着力を測定する。

硬化物の接着力は、実施例に記載の測定条件において、１５Ｎ／４ｍｍ^２以上であることが好ましく、２５Ｎ／４ｍｍ^２以上であることがより好ましく、３０Ｎ／４ｍｍ^２以上であることがさらに好ましい。
本明細書において、「４ｍｍ^２」とは、「２ｍｍ ｓｑｕａｒｅ」、すなわち、２ｍｍ×２ｍｍ（１辺が２ｍｍの正方形）を意味する。

本発明のダイボンド材は、下記要件Ｘを満たすものが好ましい。
〔要件Ｘ〕
ダイボンド材の硬化物の固体Ｓｉ核磁気共鳴スペクトルを測定したときに、－８０ｐｐｍ以上－４０ｐｐｍ未満の領域にピークが観測され、かつ、そのピークの半値幅が５００Ｈｚ以上９００Ｈｚ以下である。

ピークの半値幅とは、固体Ｓｉ核磁気共鳴スペクトルのピークの値（高さ）の半分の値でピーク形状を切ったときの横幅である。例えば、ピークの値の半分の値でピーク形状を切ったときのピークの値を、それぞれａ（ｐｐｍ）、ｂ（ｐｐｍ）とすると（ｂ＞ａとする）、式：（ｂ－ａ）×Ｍ（単位はＨｚ，Ｍは共鳴周波数を示す）で表すことができる。
－８０ｐｐｍ以上－４０ｐｐｍ未満の領域に観測されるピークの半値幅は、好ましくは５００Ｈｚ以上９００Ｈｚ以下、より好ましくは５００Ｈｚ以上８００Ｈｚ以下、さらに好ましくは５００Ｈｚ以上７００Ｈｚ以下、特に好ましくは５００Ｈｚ以上６００Ｈｚ以下である。
－８０ｐｐｍ以上－４０ｐｐｍ未満の領域に観測されるピークの半値幅が５００Ｈｚ以上９００Ｈｚ以下であることで、接着力により優れる硬化物になるダイボンド材が得られ易くなる。

－８０ｐｐｍ以上－４０ｐｐｍ未満の領域に複数のピークが重なって観測される場合は、ガウス関数やローレンツ関数を用いる波形分離解析を行うことで、各ピークの半値幅を決定することができる。
なお、硬化物の固体Ｓｉ核磁気共鳴スペクトルを測定したときに、－８０ｐｐｍ以上－４０ｐｐｍ未満の領域に複数のピークが観測される場合、上記要件Ｘを満たすダイボンド材とは、この領域に含まれる少なくとも１つのピークの半値幅が上記範囲内にあるものをいう。
固体Ｓｉ核磁気共鳴スペクトルは、室温（例えば２５℃）で、常法に従って測定することができる。

化学シフトが－８０ｐｐｍ以上－４０ｐｐｍ未満の領域のピークの半値幅は、繰り返し単位中の（Ｒ^１－Ｄ）やＲ^２の種類や、（Ａ）成分以外の成分の影響を受ける。
したがって、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（Ａ）を得、その硬化物の固体Ｓｉ核磁気共鳴スペクトルを測定して、前記領域のピークの半値幅を求めた後、その値に応じて、（Ａ）成分以外の成分の添加量等を適宜決定することにより、上記要件Ｘを満たすダイボンド材を効率よく得ることができる。

なお、固体Ｓｉ核磁気共鳴スペクトルを測定する際の測定試料として、ダイボンド材を十分に硬化させて得られた硬化物を用いる限り、通常、化学シフトやピークの半値幅は、硬化条件等に依存しない。
本発明のダイボンド材であれば、例えば、１７０℃で、２時間硬化反応を行うことで、測定試料として適する硬化物を得ることができる。
また、硬化反応が十分に進行し、測定試料として適したものであるか否かは、例えば、示差熱熱重量測定（ＴＧ－ＤＴＡ）にて昇温による重量減がほとんどないことにより確認することができる。

本発明のダイボンド材は、発光素子を所定の位置に固定する際に好適に用いられる。
すなわち、本発明のダイボンド材を用いることで、発光素子を強固に固定することができる。
さらに、後述するように、本発明のダイボンド材を用いることで、発光装置の光取り出し効率の向上という効果を得ることもできる。
本発明のダイボンド材を用いて発光素子を所定の位置に固定する方法の詳細は、発光装置の製造方法の発明の説明の中に記載する。

２）発光装置
本発明の発光装置は、一対のリード電極と、前記一対のリード電極と一体に成形された成形体と、を備え、かつ、凹部を有する素子収容器であって、前記凹部の底が、前記一対のリード電極で構成されている素子収容器と、前記凹部の底を構成する前記一対のリード電極の少なくとも一方の上に、接着部材を介して固定された発光素子と、を備え、前記接着部材が、本発明のダイボンド材の硬化物である、発光装置である。

以下、発明の実施の形態について適宜図面を参照して説明する。但し、以下に説明する発光装置は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本発明を以下のものに限定しない。また、図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。

なお以下、可視波長域は波長が３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲とし、青色域は波長が４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲、緑色乃至黄色域は波長が５００ｎｍ以上５９０ｎｍ以下の範囲、赤色域は波長が６１０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の範囲とする。

＜実施の形態１＞
図１及び図４は其々実施の形態１に係る発光装置１１００の概略正面図（概略前面図）及び概略下面図であり、図２は図１のＡ－Ａ断面における概略断面図、図３は図１のＢ－Ｂ断面における概略断面図である。

実施の形態１に係る発光装置１１００は、素子収容器１１０と２つの発光素子１２１を備えている。この発光装置１１００及び素子収容器１１０は、横方向（図１中では左右方向）に長い。素子収容器１１０は、凹部１１０ａを有している。凹部１１０ａは、素子収容器１１０と同様に、横方向に長い。素子収容器１１０は、第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２（一対のリード電極１１１，１１２）と、第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２と一体に成形された成形体１１５と、を含んでいる。第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２は、横方向に並んでいる。第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２は、凹部１１０ａの底を構成している。成形体１１５は、凹部１１０ａの側壁を構成している。２つの発光素子１２１は、凹部１１０ａ内に収容されている。

より詳細には、発光装置１１００は、発光ダイオード（ＬＥＤ）である。凹部１１０ａは、素子収容器１１０の側面の１つ（前面）に設けられている。成形体１１５は、白色顔料及び充填剤を含有し、特に白色顔料により光反射性を有している。このため、発光装置１１００の発光領域（意図しない漏光は考慮に入れない）は、前面における凹部１１０ａの開口に略一致している。本実施の形態１の第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２は、発光装置１１００（素子収容器１１０）の横方向の中央を基準として対称である。凹部１１０ａの底は、成形体１１５の表面と第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２の表面で構成されている。この凹部１１０ａの底を構成する第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２の部位は、発光素子１２１の接着領域及びワイヤ１５０の接続領域を含む第１素子実装部１１１ａ及び第２素子実装部１１２ａである。２つの発光素子１２１は、凹部１１０ａの底の第１リード電極１１１（第１素子実装部１１１ａ）上と、第２リード電極１１２（第２素子実装部１１２ａ）上にそれぞれ接着部材１６０を介して固定（実装）されている。また、第２リード電極１１２の部位は、ワイヤ１５０の接続領域を含む。さらにまた、第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２は、成形体１１５の外側にある部位として、第１外部接続端子部１１１ｂ及び第２外部接続端子部１１２ｂを有している。第１外部接続端子部１１１ｂ及び第２外部接続端子部１１２ｂは、成形体１１５の下面に沿うように折り曲げられている。発光装置１１００は、第１外部接続端子部１１１ｂ及び第２外部接続端子部１１２ｂが回路基板等にはんだ付けされることで実装される。よって、発光装置１１００（素子収容器１１０）の実装側主面は下面である。より具体的には、成形体１１５の下面は、その左右に第１外部接続端子部１１１ｂ及び第２外部接続端子部１１２ｂが各々配置される領域（左領域または右領域）があり、成形体１１５の下面の中央領域から左領域または右領域にわたって段付きになっている。これに伴って、素子収容器１１０（成形体１１５）の前面の形状、及び凹部１１０ａの開口の形状は、中央領域が左領域または右領域よりも下方側に幅広に（即ち縦方向の幅が大きく）形成されている。

成形体１１５は、凹部１１０ａの縦方向（図１中では上下方向）に向かい合う２つの側壁１１５１，１１５２同士を結ぶ補強部１１７を有している。補強部１１７の高さは、凹部１１０ａの底の第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２の表面より高く且つ発光素子１２１の上面（前面）の高さより低い。

補強部１１７は、凹部１１０ａの横方向の略中央かつ第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２を隔てる離隔領域１１５０上にあって、離隔領域１１５０と連続している。詳細には、補強部１１７は、２つの発光素子１２１の間にあり、その一部が凹部１１０ａの底の第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２の周縁部の上を覆っている。成形体１１５の離隔領域１１５０の近傍は、成形体１１５のひび割れ等の損傷を生じやすい部位であるため、補強部１１７によって、成形体１１５の離隔領域１１５０の近傍を補強することができる。これにより、第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２を成形体１１５によって強固に保持することができる。

補強部１１７は、発光素子１２１の光の遮りを適度に抑えられ発光装置１１００の配光に影響を及ぼしにくく、且つ成形体１１５の機械的強度を効果的に高めて変形を抑制することができる。したがって、外力のほか、リフローはんだ実装時における加熱、並びに／又は、発光素子１２１及び後述する波長変換物質１４０の発熱などによる温度変化に対して変形しにくく、且つ所望の配光を得やすい素子収容器１１０が得られる。

発光装置１１００は、側面発光型（サイドビュー型）であることが好ましい。

発光装置１１００は、封止部材１３０を備えている。封止部材１３０は、凹部１１０ａ内に充填されている。封止部材１３０は、発光素子１２１が発する光を異なる波長の光に変換する波長変換物質１４０を含有している。波長変換物質１４０は、緑色光乃至黄色光を発する第１蛍光体と、赤色光を発する第２蛍光体と、を含んでいる。この場合、発光素子１２１は、青色光を発する素子であると良い。このような構成により、色再現性又は演色性に優れる発光が可能となる。

さらに、第２蛍光体は、マンガンで賦活されたフッ化物蛍光体を含むことが好ましい。マンガンで賦活されたフッ化物蛍光体は、赤色域においてスペクトル半値幅の狭い発光が可能である。

封止部材１３０の母材は、フェニル基を含むシリコーン系樹脂であることが好ましい。シリコーン系樹脂は、熱硬化性樹脂であって優れた耐熱性及び耐光性を有し、フェニル基を含むことで耐熱性が更に強化されている。フェニル基を含むシリコーン系樹脂は、シリコーン系樹脂の中ではガスバリア性が比較的高いため、マンガンで賦活されたフッ化物蛍光体の水分による劣化を抑制しやすい。加えて、第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２と後述のワイヤ１５０の硫黄含有ガス等の腐食性ガスによる劣化を抑制しやすい。なお、マンガンで賦活されたフッ化物蛍光体は、水分及び熱による劣化を抑制するため、封止部材１３０中において、前方側より後方側に即ち凹部１１０ａの底側に多く存在していることが好ましい。

発光装置１１００は、第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２と発光素子１２１を接続するワイヤ１５０を備えている。ワイヤ１５０は、凹部１１０ａ内に収容され、封止部材１３０に封止されている。ワイヤ１５０は、光反射性を高める観点において、銀を含むことが好ましい。すなわち、ワイヤ１５０は、少なくとも表面が銀若しくは銀合金で構成されていることが好ましく、銀線若しくは銀合金線であることがより好ましい。また、破断抑制の観点から、銀を含むワイヤ１５０は、特に、表面に銀若しくは銀合金の被膜を有する金線、又は金を含む銀合金線であることが好ましい。

なお、成形体１１５は、第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２の後面を覆う後方成形部にゲート痕１１５ａを有している。このような成形体１１５は、主として、射出成形法により成形されたものである。射出成形法では、溶融粘度の比較的高い樹脂をゲートから金型のキャビティ内に勢いよく注入する。このため、樹脂の圧力により、第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２の前面、特に第１素子実装部１１１ａ、第２素子実装部１１２ａが金型に押し付けられ、第１素子実装部１１１ａ上、第２素子実装部１１２ａ上へのバリの発生が抑制される。また、このように、成形体１１５が第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２の前面及び後面の両方を覆うことで、第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２を成形体１１５によって強固に保持することができる。例えば、熱可塑性樹脂及び不飽和ポリエステル系樹脂は、第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２との密着性が比較的得られにくいため、このような成形体１１５の構成が好適である。なお、「ゲート痕」とは、金型のキャビティ内への樹脂の注入口であるゲートの痕跡として成形体１１５に形成される突起である。また、成形体１１５の前方成形部は、主として、凹部１１０ａ周囲の側壁を構成する。

以下、本発明の一実施の形態に係る発光装置における各構成要素について説明する。

（発光装置１１００）
発光装置は、発光素子が素子収容器に収容され一対のリード電極と電気的に接続されて構成され、好ましくは更に封止部材により封止されて構成される。発光装置は、例えば「発光ダイオード（ＬＥＤ）」等と呼ばれるものであってよい。

（素子収容器１１０）
素子収容器は、発光素子を収容し、その発光素子に外部から給電するための電極（端子）を有する容器である。素子収容器は、少なくとも、一対のリード電極と、成形体と、により構成される。素子収容器は、例えば「パッケージ」等と呼ばれるものであってよい。

（第１リード電極１１１、第２リード電極１１２）
一対のリード電極（第１リード電極及び第２リード電極）は、素子収容器における正負一対の電極（端子）を構成する。１つの素子収容器において、リード電極は、少なくとも一対あればよいが、複数対あってもよい。リード電極は、亜鉛、鉄、銅、鉛、リン、又はこれらの合金の平板に、プレス（打ち抜き含む）、エッチング、圧延など各種の加工を施したものが母体となる。リード電極は、これらの金属又は合金の積層体で構成されてもよいが、単層で構成されるのが簡便で良い。特に、銅を主成分とする銅合金（燐青銅、鉄入り銅など）が好ましい。また、その表面に、ニッケル、パラジウム、金、銀又はこれらの合金などの光反射膜が設けられていてもよく、なかでも光反射性に優れる銀又は銀合金が好ましい。特に、硫黄系光沢剤を用いた銀又は銀合金の膜（例えばめっき膜）は、膜の表面が平滑で、極めて高い光反射性が得られる。

（成形体１１５）
成形体は、素子収容器における容器の母体をなす。成形体は、素子収容器の外形の一部を構成している。成形体は、光反射性の観点から、発光素子の発光ピーク波長における光反射率が、７５％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。さらに、成形体は、白色であることが好ましい。成形体は、硬化前には流動性を有する状態つまり液状（ゾル状又はスラリー状を含む）を経る。成形体は、射出成形法、トランスファ成形法などにより成形することができる。

（成形体の母材）
成形体の母材としては、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を用いることができる。なお、以下に示す樹脂は、その変性樹脂、及びハイブリッド樹脂も含むものする。熱硬化性樹脂としては、不飽和ポリエステル樹脂が挙げられる。また、成形体の母材としては、熱可塑性樹脂も好ましい。一般的に、熱可塑性樹脂は、熱硬化性樹脂に比べ、安価であるが、耐熱性及び耐光性に劣っており、変形しやすいためである。熱可塑性樹脂としては、９Ｃナイロン（登録商標）樹脂、９Ｔナイロン（登録商標）樹脂などのポリアミド樹脂が挙げられる。成形体は、光反射性、機械的強度、熱伸縮性などの観点から、母材中に、以下のような白色顔料と充填剤を含有することが好ましいが、これに限定されない。

（白色顔料）
白色顔料としては、酸化チタンが挙げられる。酸化チタンは、屈折率が比較的高く、光隠蔽性に優れるため、好ましい。白色顔料の形状は、特に限定されず、不定形（破砕状）でもよいが、流動性の観点では球状が好ましい。白色顔料の粒径（以下「粒径」は例えば平均粒径Ｄ５０で定義される）は、特に限定されず、例えば０．０１μｍ以上１μｍ以下であり、好ましくは０．１μｍ以上０．５μｍ以下である。成形体中の白色顔料の含有量は、特に限定されず、成形体の光反射性の観点では多いほうが良いが、流動性への影響を考慮して、２０質量％以上７０質量％以下が好ましく、３０質量％以上６０質量％以下がより好ましい。なお、質量％は、全構成材料の総重量に対する各材料の重量の比率を表す。

（成形体の充填剤）
充填剤としては、珪酸カルシウム（ワラストナイト）が挙げられる。珪酸カルシウム（ワラストナイト）は強化剤として好ましく、比較的径が小さいため薄型又は小型の成形体に好適である。具体的には、強化剤の平均繊維径は、特に限定されず、例えば０．０５μｍ以上１００μｍ以下であり、０．１μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、１μｍ以上３０μｍ以下がより好ましく、２μｍ以上１５μｍ以下がよりいっそう好ましい。強化剤の平均繊維長は、特に限定されず、例えば０．１μｍ以上１ｍｍ以下であり、１μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、３μｍ以上１００μｍ以下がより好ましく、５μｍ以上５０μｍ以下がよりいっそう好ましい。強化剤の平均アスペクト比（平均繊維長／平均繊維径）は、特に限定されず、例えば２以上３００以下であり、２以上１００以下が好ましく、３以上５０以下がより好ましく、５以上３０以下がよりいっそう好ましい。充填剤の形状は、特に限定されず、不定形（破砕状）でもよいが、強化剤としての機能の観点では繊維状（針状）又は板状（鱗片状）が好ましく、流動性の観点では球状が好ましい。成形体中の充填剤の含有量は、特に限定されず、成形体の熱膨張係数、機械的強度等を考慮して適宜決めればよいが、１０質量％以上８０質量％以下が好ましく、３０質量％以上６０質量％以下がより好ましい（うち強化剤は５質量％以上３０質量％以下が好ましく、５質量％以上２０質量％以下がより好ましい）。

（発光素子１２１）
発光素子としては、半導体発光素子を用いることができる。発光素子は、多くの場合に基板を有するが、少なくとも、種々の半導体で構成される素子構造と、正負（ｐｎ）一対の電極と、を有するものであればよい。特に、紫外から可視域の発光が可能な窒化物半導体（Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１－ｘ－ｙ}Ｎ、０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）を含む発光素子が好ましい。発光素子の発光ピーク波長は、発光効率、他の光源の光との混色関係、波長変換物質の励起効率などの観点から、４４５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下の範囲が好ましい。正負一対の電極が同一面側に設けられている発光素子の場合、各電極をワイヤで一対のリード電極と接続される（フェイスアップ実装）。１つの素子収容器に搭載される発光素子の個数は１つでも複数でもよい。複数の発光素子は、ワイヤにより直列又は並列に接続することができる。

（封止部材１３０）
封止部材は、発光素子を封止して、埃や水分、外力などから保護する部材である。封止部材は、電気的絶縁性を有し、発光素子から出射される光に対して透光性（好ましくは発光素子の発光ピーク波長における光透過率が７０％以上、より好ましくは８５％以上）を有する部材であればよい。封止部材は、これらの母材中に、少なくとも波長変換物質を含有することが好ましいが、これに限定されない。

（封止部材の母材）
封止部材の母材としては、フェニル基を含むシリコーン系樹脂、変性シリコーン樹脂を用いることができる。

（波長変換物質１４０）
波長変換物質は、発光素子から出射される一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を出射する。これにより、可視波長の一次光及び二次光の混色光（例えば白色光）を出射する発光装置とすることができる。波長変換物質は、以下に示す具体例のうちの１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。

（第１蛍光体）
第１蛍光体は、緑色光乃至黄色光を発する。第１蛍光体の発光ピーク波長は、発光効率、他の光源の光との混色関係などの観点から、緑色域（５００ｎｍ以上５６０ｎｍ以下の範囲）が好ましく、５２０ｎｍ以上５６０ｎｍ以下の範囲がより好ましい。具体的には、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＹ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＬｕ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ）、シリケート系蛍光体（例えば（Ｂａ，Ｓｒ）_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ）、クロロシリケート系蛍光体（例えばＣａ_８Ｍｇ（ＳｉＯ_４）_４Ｃｌ_２：Ｅｕ）、βサイアロン系蛍光体（例えばＳｉ_６－ＺＡｌ_ＺＯ_ＺＮ_８－Ｚ：Ｅｕ（０＜Ｚ＜４．２））などが挙げられる。

（第２蛍光体）
第２蛍光体は、赤色光を発する。第２蛍光体の発光ピーク波長は、発光効率、他の光源の光との混色関係などの観点から、６２０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の範囲が好ましい。具体的には、窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣＡＳＮ又はＳＣＡＳＮ）系蛍光体（例えば（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ）などが挙げられる。また、マンガンで賦活されたフッ化物蛍光体は、一般式（Ｉ）：Ａ_２［Ｍ_１－ａＭｎ_ａＦ_６］で表される蛍光体である（但し、上記一般式（Ｉ）中、Ａは、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｃｓ及びＮＨ_４からなる群から選ばれる少なくとも１種であり、Ｍは、第４族元素及び第１４族元素からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素であり、ａは０＜ａ＜０．２を満たす）。このフッ化物蛍光体の代表例としては、フッ化珪酸カリウム系蛍光体（例えばＫ_２ＳｉＦ_６：Ｍｎ）がある。

（封止部材の充填剤）
封止部材の充填剤としては、二酸化珪素（シリカ）が挙げられる。シリカは、封止部材の熱膨張係数の低減剤として好ましい。封止部材の充填剤の形状は、特に限定されず、不定形（破砕状）でもよいが、流動性の観点では球状が好ましい。

（ワイヤ１５０）
ワイヤは、発光素子の電極と、リード電極と、を接続する導線である。具体的には、金、銅、銀、白金、アルミニウム、パラジウム又はこれらの合金の金属線を用いることができる。

（接着部材１６０）
接着部材は、発光素子をリード電極に固定する部材である。本発明の発光装置において、接着部材は本発明のダイボンド材の硬化物である。

３）発光装置の製造方法
本発明の発光装置の製造方法は、一対のリード電極と、前記一対のリード電極と一体に成形された成形体と、を備え、かつ、凹部を有する素子収容器であって、前記凹部の底が、前記一対のリード電極で構成されている素子収容器と、前記凹部の底を構成する前記一対のリード電極の少なくとも一方の上に、接着部材を介して固定された発光素子と、を備える発光装置の製造方法であって、前記発光素子を、本発明のダイボンド材を用いて、前記一対のリード電極の少なくとも一方に固定する発光素子実装工程を含む、発光装置の製造方法である。
この製造方法により得られる発光装置は、上記した本発明の発光装置と同様のものであり、その詳細な説明は省略する。

本発明の発光装置の製造法においては、発光素子実装工程以外の工程は、公知の方法を適宜利用することができる。

発光素子の実装工程は、例えば、前記ダイボンド材を前記一対のリード電極の少なくとも一方に塗布し、前記ダイボンド材（塗布物）上に前記発光素子を配置し、前記ダイボンド材を９５℃以上１０５℃以下の温度で硬化させることで行うことができる。

本発明のダイボンド材の塗布量は、特に限定されない。ダイボンド材の塗布量は、ダイボンド材の塗膜の厚さが、通常０．５～５μｍ、好ましくは１～３μｍとなる量である。

ダイボンド材を加熱硬化させる際の加熱温度は、用いるダイボンド材等にもよるが、好ましくは９５℃以上１０５℃以下である。加熱時間は、通常１０分から２０時間、好ましくは３０分から１５時間である。
加熱温度が９５℃以上１０５℃以下の範囲内であることで、周囲の部材の劣化を防ぎつつ、発光装置を効率よく製造することができる。

以下、本発明に係る実施例について詳述する。なお、本発明は以下に示す実施例のみに限定されないことは言うまでもない。

（平均分子量測定）
製造例で得た硬化性ポリシルセスキオキサン化合物の質量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、標準ポリスチレン換算値とし、以下の装置及び条件にて測定した。
装置名：ＨＬＣ－８２２０ＧＰＣ、東ソー株式会社製
カラム：ＴＳＫｇｅｌＧＭＨＸＬ、ＴＳＫｇｅｌＧＭＨＸＬ、及び、ＴＳＫｇｅｌ２０００ＨＸＬを順次連結したもの
溶媒：テトラヒドロフラン
注入量：８０μｌ
測定温度：４０℃
流速：１ｍｌ／分
検出器：示差屈折計

（ＩＲスペクトルの測定）
製造例で得た硬化性ポリシルセスキオキサン化合物のＩＲスペクトルは、フーリエ変換赤外分光光度計（パーキンエルマー社製、Ｓｐｅｃｔｒｕｍ１００）を使用して測定した。

（^２９Ｓｉ－ＮＭＲ測定）
製造例で得た硬化性ポリシルセスキオキサン化合物の繰り返し単位とその量を調べるために、以下の条件で^２９Ｓｉ－ＮＭＲ測定を行った。
装置：ブルカー・バイオスピン社製 ＡＶ－５００
^２９Ｓｉ－ＮＭＲ共鳴周波数：９９．３５２ＭＨｚ
プローブ：５ｍｍφ溶液プローブ
測定温度：室温（２５℃）
試料回転数：２０ｋＨｚ
測定法：インバースゲートデカップリング法
^２９Ｓｉ フリップ角：９０°
^２９Ｓｉ ９０°パルス幅：８．０μｓ
繰り返し時間：５ｓ
積算回数：９２００回
観測幅：３０ｋＨｚ

（^２９Ｓｉ－ＮＭＲ試料作製方法）
緩和時間短縮のため、緩和試薬としてＦｅ（ａｃａｃ）_３を添加し測定した。
硬化性ポリシルセスキオキサン化合物濃度：３０質量％
Ｆｅ（ａｃａｃ）_３濃度：０．７質量％
測定溶媒：アセトン
内部標準：ＴＭＳ

（波形処理解析）
フーリエ変換後のスペクトルの各ピークについて、ピークトップの位置によりケミカルシフトを求め、積分を行った。

（熱酸発生剤の酸発生温度の測定）
各熱酸発生剤に対し、開始温度３０℃、測定温度範囲３０～３００℃、昇温速度１０℃／分の条件下で、示差走査熱量計（ＴＡインスツルメンツ社製；製品名：ＤＳＣ Ｑ２０００Ａｕｔｏ）を用いて示差走査熱量測定を行った。得られたＤＳＣ曲線から、最大吸熱ピークのピーク温度（℃）を算出し、各熱酸発生剤の酸発生温度を得た。

＜製造例１＞
３００ｍＬのナス型フラスコに、３，３，３－トリフルオロプロピルトリメトキシシラン１７．０ｇ（７７．７ｍｍｏｌ）、及び、メチルトリエトキシシラン３２．３３ｇ（１８１．３ｍｍｏｌ）を仕込んだ後、これを撹拌しながら、蒸留水１４．０ｇに３５質量％塩酸０．０６７５ｇ（ＨＣｌの量が０．６５ｍｍｏｌ，シラン化合物の合計量に対して、０．２５ｍｏｌ％）を溶解して得られた水溶液を加え、全容を３０℃にて２時間、次いで７０℃に昇温して２０時間撹拌した。
内容物の撹拌を継続しながら、そこに、２８質量％アンモニア水０．０３９４ｇ（ＮＨ_３の量が０．６５ｍｍｏｌ）と酢酸プロピル４６．１ｇの混合溶液を加えて反応液のｐＨを６．９にし、そのまま７０℃で４０分間撹拌した。
反応液を室温まで放冷した後、そこに、酢酸プロピル５０ｇ及び水１００ｇを加えて分液処理を行い、反応生成物を含む有機層を得た。この有機層に硫酸マグネシウムを加えて乾燥処理を行った。硫酸マグネシウムを濾別除去した後、有機層をエバポレーターで濃縮し、次いで、得られた濃縮物を真空乾燥することにより、硬化性ポリシルセスキオキサン化合物（１）〔硬化性ＰＳＱ（Ａ１）〕を得た。硬化性ＰＳＱ（Ａ１）の質量平均分子量（Ｍｗ）は５，５００、分子量分布は３．４０であった。
硬化性ＰＳＱ（Ａ１）のＩＲスペクトルデータを以下に示す。
Ｓｉ－ＣＨ_３：１２７２ｃｍ^－１，１４０９ｃｍ^－１，Ｓｉ－Ｏ：１１３２ｃｍ^－１，Ｃ－Ｆ：１２１３ｃｍ^－１
また、^２９Ｓｉ－ＮＭＲスペクトル測定を行った結果、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３のピーク積分値比は、２：２７：７１であった。

実施例及び比較例で用いた化合物を以下に示す。
（Ａ成分）
硬化性ＰＳＱ（Ａ１）

（Ｂ成分及び比較用化合物）
熱酸発生剤（Ｂ１）：下記式で示される化合物（酸発生温度：１５０℃）

熱酸発生剤（Ｂ２）：下記式で示される化合物（酸発生温度：１２５℃）

熱酸発生剤（Ｂ３）：下記式で示される化合物（酸発生温度：１２５℃）

硬化促進剤（Ｘ１）：塩酸
硬化促進剤（Ｘ２）：Ｔｉ錯体

（Ｃ成分）
シランカップリング剤（Ｃ１）：１，３，５－Ｎ－トリス〔３－（トリメトキシシリル）プロピル〕イソシアヌレート
シランカップリング剤（Ｃ２）：３－（トリメトキシシリル）プロピルコハク酸無水物

（実施例１）
硬化性ＰＳＱ（Ａ１）１００質量部に、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート：トリプロピレングリコール－ｎ－ブチルエーテル＝４０：６０（質量比）の混合溶剤、シランカップリング剤（Ｃ１）３０質量部、及びシランカップリング剤（Ｃ２）３質量部を加え、全容を撹拌した。このものに、熱酸発生剤（Ｂ１）０．０５質量部（１０質量％酢酸エチル溶液として添加）を添加し、全容を十分に混合することにより、ダイボンド材を得た。

（実施例２～６、比較例１～３）
実施例１において、各成分を第１表に示すものに変更したこと以外は、実施例１と同様にしてダイボンド材を得た。

実施例、及び比較例で得たダイボンド材を用いて、それぞれ以下の測定、試験を行った。結果を第２表に示す。

［屈折率測定］
ダイボンド材を水平面上に吐出し、ペン屈折計（ＡＴＡＧＯ社製、ＰＥＮ－ＲＩ）の測定面を、２５℃で圧着させることで屈折率（ｎＤ）を測定した。

［硬化性評価］
自動硬化時間測定装置「まどか」（株式会社サイバー製）を用いて、以下の方法によりダイボンド材の硬化時間を測定した。
１００℃に加熱されたステンレス板上に、０．２０ｍＬのサンプルを投入し、撹拌した。経時的に撹拌トルクが上昇するため、撹拌トルクが０．０４９Ｎ・ｃｍになるまでの時間（秒）を測定した。撹拌条件は以下のとおりである。
・撹拌翼の自転回転数： ３００ｒｐｍ
・撹拌翼の公転回転数： １２０ｒｐｍ
・ギャップ（加熱板と撹拌翼間の距離）： ０．２ｍｍ

［粘度上昇率評価］
レオメーター（Ａｎｔｏｎ Ｐａａｒ社製、ＭＣＲ３０１）にて、半径５０ｍｍ、コーン角度０．５°のコーンプレートを用い、２５℃でせん断速度が２ｓ^－１時の粘度（初期粘度）を測定した。
サンプルを２５℃で２４時間静置した後、同様の条件で粘度を測定した。
得られた測定値から、下記式に基づいて粘度の上昇率を算出した。
［粘度上昇率］＝［静置後の粘度］／［初期粘度］

［接着強度評価］
一辺の長さが２ｍｍの正方形（面積が４ｍｍ^２）のシリコンチップのミラー面に、実施例及び比較例で得たダイボンド材を、それぞれ、厚さが約２μｍになるように塗布し、塗布面を被着体（銀メッキ銅板）の上に載せ圧着した。その後、１００℃で２時間加熱処理して硬化させて試験片付被着体を得た。この試験片付被着体を、予め１００℃に加熱したボンドテスター（デイジ社製、シリーズ４０００）の測定ステージ上に３０秒間放置し、被着体から１００μｍの高さの位置より、スピード２００μｍ／ｓで接着面に対し水平方向（せん断方向）に応力をかけ、１００℃における、試験片と被着体との接着力（Ｎ／４ｍｍ^２）を測定した。

［固体Ｓｉ－ＮＭＲ測定］
実施例３で得られたダイボンド材を、１７０℃で、２時間加熱して硬化させて得られた硬化物について、以下の条件で固体Ｓｉ－ＮＭＲ測定した。結果を第３表に示す。
装置：ブルカー・バイオスピン社製ＡＶ－５００
^２９Ｓｉ－ＮＭＲ共鳴周波数：９９．３５２ＭＨｚ
プローブ：７．０ｍｍφＣＰ－ＭＡＳ用プローブ
外部標準：ヘキサメチルシクロトリシロキサン（－９．６６ｐｐｍ）
測定温度：２５℃
試料回転数：４ｋＨｚ
測定法：パルスプログラムｈｐｄｅｃ（ハイパワーデカップリング）
^２９Ｓｉ ９０°パルス幅：５．５μｓ
繰り返し時間：６００ｓ
積算回数：１２８回
観測幅：３０ｋＨｚ
ブロードニングファクター：２０Ｈｚ

＜データ処理法＞
固体Ｓｉ－ＮＭＲ測定においては、ｔｉｍｅ ｄｏｍａｉｎ ｓｉｚｅを１０２４として測定データを取り込み、８１９２ポイントにゼロフィリングしてフーリエ変換した。

＜波形分離解析法＞
フーリエ変換後のスペクトルの各ピークについて、ピーク形状の化学シフト、高さ、半値幅、Ｇａｕｓｓ波形とＬｏｒｅｎｔｚ波形の成分比を可変パラメータとして、非線形最小二乗法により最適化計算を行った。

＜実施例６＞
実施例６の発光装置は、図１～４に示す例の発光装置１１００の構造を有する側面発光型のＬＥＤである。この発光装置（素子収容器）の大きさは、横幅（左右方向の幅）４．２ｍｍ、奥行き（前後方向の幅）１．０ｍｍ、厚さ（上下方向の幅）０．６ｍｍである。

素子収容器１１０は、成形体１１５が第１リード電極１１１（負極）及び第２リード電極１１２（正極）と一体に成形されて成っている。素子収容器１１０は、前面に横３．６ｍｍ、縦０．４６ｍｍ（左右幅狭部０．３６ｍｍ）、深さ０．３ｍｍの凹部１１０ａを有している。

成形体１１５は、ポリアミド樹脂の母材中に、酸化チタンの白色顔料（４０質量％）と、繊維状の珪酸カルシウム（ワラストナイト；１０質量％）の充填剤を含有している。成形体１１５は、射出成形法により成形されており、（後方成形部の）後面の略中心にゲート痕１１５ａを有している。第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２は、銅合金の母体上に硫黄系光沢剤を用いた銀めっきが施された厚さ０．１１ｍｍの金属小片である。凹部１１０ａの側壁面は成形体１１５の表面で構成され、凹部１１０ａの底は成形体１１５の表面と、第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２の表面で構成されている。この凹部１１０ａの底を構成する第１リード電極１１１と第２リード電極１１２の部位は、第１素子実装部１１１ａと第２素子実装部１１２ａである。また、第１リード電極１１１及び第２リード電極１１２は、成形体１１５の外側にある部位として、第１外部接続端子部１１１ｂ及び第２外部接続端子部１１２ｂを有している。第１外部接続端子部１１１ｂ及び第２外部接続端子部１１２ｂは、成形体１１５の下面から延出してその下面に沿うように折り曲げられ、更に左端面または右端面に沿うように折り曲げられている。
成形体１１５は、凹部１１０ａの縦方向に向かい合う２つの側壁１１５１，１１５２を結ぶ補強部１１７を有している。補強部１１７は、第１リード電極１１１と第２リード電極１１２を隔てる離隔領域１１５０上にあり、かつ凹部１１０ａの横方向の略中央にある。補強部１１７の前面視形状は矩形状（幅のある直線状）であり、断面視形状は台形状である。

素子収容器の凹部１１０ａ内には、２つの発光素子１２１（第１発光素子１２１と第２発光素子１２１）が収容されている。この発光素子１２１は、サファイア基板上に、窒化物半導体のｎ型層、活性層、ｐ型層が順次積層された、青色（発光ピーク波長約４５５ｎｍ）発光可能な、縦０．２４ｍｍ、横０．８５ｍｍ、厚さ０．１２ｍｍの略直方体の半導体発光素子である。第１発光素子１２１と第２発光素子１２１は、第１素子実装部１１１ａ上と第２素子実装部１１２ａ上とにそれぞれ接着部材１６０を介して固定されている。第１発光素子１２１のｎ電極と第１素子実装部１１１ａ、第１発光素子１２１のｐ電極と第２発光素子１２１のｎ電極、第２発光素子１２１のｐ電極と第２素子実装部１１２ａがワイヤ１５０により各々接続されている。本発明の発光装置においては、接着部材１６０は、実施例３のダイボンド材の硬化物である。ワイヤ１５０は、線径２５μｍの銀－金合金線（銀約８０％／金約２０％）である。

素子収容器の凹部１１０ａ内には、封止部材１３０が発光素子１２１を被覆するように充填されている。封止部材１３０は、メチル・フェニルシリコーン樹脂を母材とし、その中にβサイアロン系蛍光体である緑色（発光ピーク波長約５４０ｎｍ）発光可能な第１蛍光体とフッ化珪酸カリウム系蛍光体である赤色（発光ピーク波長約６３０ｎｍ）発光可能な第２蛍光体からなる波長変換物質１４０と、を含有している。封止部材１３０の前面は、成形体１１５の前面と略同一面（硬化収縮により若干の凹面）となっている。波長変換物質１４０は、封止部材１３０中において、凹部１１０ａの底面側に多く存在している。

＜評価１：素子収容器の成形体を構成する樹脂の耐熱性評価（樹脂反射率の変化）＞
素子収容器の成形体を構成する樹脂の耐熱性を調べるために以下の実験を行った。
酸化チタンと繊維状のワラストナイトを含有するポリアミド樹脂（酸化チタン含有量４０質量％、ワラストナイト含有量１０質量％）の薄膜板（厚さ４ｍｍ）をサンプルとして用いて、ＣＭＳ－３５ＳＰ（村上色彩技術研究所製）にて、波長４５０ｎｍにおける初期反射率（Ｒ_ｉ）を室温（２５℃）で測定した。
次いで、初期反射率（Ｒ_ｉ）を測定した面を上にして、オーブンにて、１００℃で１００分、１３５℃で１００分、又は１５０℃で１００分の条件でサンプルを加熱した。サンプルを室温（２５℃）まで冷却した後、波長４５０ｎｍでの反射率（Ｒ_ｉｉ）を同様にして測定し、下記式により反射率維持率（α）を算出した。結果を第３表に示す。

目的の性能を有する発光装置を製造するためには、発光装置の製造過程で加熱したときに、素子収容器の反射率維持率（α）が９９．８％以上であることが好ましい。上記の実験より、ポリアミド樹脂製の素子収容器に関しては、発光素子の実装工程における加熱温度を１００℃程度に低くすることができれば、その劣化を抑制し得ることが分かる。

＜評価２：接着部材のダイシェア強度＞
評価２においては、実施例３のダイボンド材により発光素子をリード電極上に固定する工程までを行った、実施例６に係る製造過程の発光装置を用いて、その効果を確認した。本実施例では、説明のために、実施例６に係る製造過程の発光装置と称することがある。本明細書において製造過程の発光装置とは、リード電極上に、ダイボンド材を塗布し、そのダイボンド材（塗布物）上に発光素子を配置した後、そのダイボンド材を硬化（実装）させた状態を示す。このときのダイボンド材の硬化条件は、１００℃で４００分（参考例１）、１００℃で５００分（実施例７）、１００℃で６００分（実施例８）、及び１００℃で８００分（実施例９）である。得られたサンプルについて、２５℃又は１５０℃に設定したステージ温度でのダイシェア強度を測定した。測定装置はボンディングテスターＰＴＲ１０００（レスカ製）を用い、センサーは２ｋｇｆ用を使用した。シェア速度は０．３ｍｍ／ｓｅｃ、ツール高さは３５μｍとし、発光素子を側面から押して、発光素子と接着部材との間で破断が生じたときの強度（ダイシェア強度）を測定した。測定した値の平均値（ｎ＝２４）を第５表に示す。
なお、評価２で用いた発光素子の大きさは縦０．２４ｍｍ、横０．８５ｍｍ、厚さ０．１２ｍｍの略直方体であった。

上記のように、実施例３のダイボンド材を１００℃で硬化させる場合、加熱時間を５００分以上にすることで、十分な強度を有する接着部材を得ることができる。

上記の実験結果から、低温硬化性を有するダイボンド材を適切な条件で硬化させることで、周囲の樹脂製部材等の劣化を抑制しつつ、十分な強度を有する接着部材を得ることができる。この結果、光束が維持された発光装置を得ることができる。

本発明の一実施の形態に係る発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト装置、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、プロジェクタ装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置などに利用することができる。

１１０…素子収容器（１１０ａ…凹部）
１１１…第１リード電極
１１２…第２リード電極
１１１ａ…第１素子実装部
１１２ａ…第２素子実装部
１１１ｂ…第１外部接続端子部
１１２ｂ…第２外部接続端子部
１１５…成形体（１１５ａ…ゲート痕、１１５０…離隔領域、１１５１，１１５２…側壁、１１７…補強部）
１２１…発光素子
１３０…封止部材
１４０…波長変換物質
１５０…ワイヤ
１６０…接着部材
１１００…発光装置

Claims (18)

1. 下記（Ａ）成分、（Ｂ）成分、及び溶媒を含有するダイボンド材であって、
   （Ｂ）成分の含有量が、（Ａ）成分１００質量部に対して０質量部超、０．６質量部以下であり、
   自動硬化時間測定装置にて、１００℃に加熱されたステンレス板上に０．２０ｍＬのサンプルを投入して、撹拌翼の自転回転数が３００ｒｐｍ、撹拌翼の公転回転数が１２０ｒｐｍ、ギャップ（前記ステンレス板と撹拌翼間の距離）が０．２ｍｍの条件にて撹拌翼で撹拌したとき、撹拌開始から撹拌トルクが０．０４９Ｎ・ｃｍとなるまでの時間が２００～２５００秒であるダイボンド材。
   （Ａ）成分：下記式（ａ－１）で示される繰り返し単位を有する硬化性ポリシルセスキオキサン化合物であって、下記要件Ａ１、及び要件Ａ２を満たすことを特徴とする硬化性ポリシルセスキオキサン化合物
   

   

   〔Ｒ^１は、組成式：Ｃ_ｍＨ_{（２ｍ－ｎ＋１）}Ｆ_ｎで表されるフルオロアルキル基を表す。ｍは１～１０の整数、ｎは２以上、（２ｍ＋１）以下の整数を表す。Ｄは、Ｒ^１とＳｉとを結合する連結基（ただし、アルキレン基を除く）又は単結合を表す。〕
   〔要件Ａ１〕
   硬化性ポリシルセスキオキサン化合物の^２９Ｓｉ－ＮＭＲを測定したときに、－６２ｐｐｍ以上－５２ｐｐｍ未満の領域〔領域（２）〕に１又は２以上のピークが観測され、－５２ｐｐｍ以上－４５ｐｐｍ未満の領域〔領域（１）〕と－７３ｐｐｍ以上－６２ｐｐｍ未満の領域〔領域（３）〕の少なくとも一方の領域に１又は２以上のピークが観測され、かつ、下記式で導かれるＺ２が、２０～４０％である。
   

   

   Ｐ１：領域（１）における積分値
   Ｐ２：領域（２）における積分値
   Ｐ３：領域（３）における積分値
   〔要件Ａ２〕
   硬化性ポリシルセスキオキサン化合物の質量平均分子量（Ｍｗ）が、３，５００～１１，０００である。
   （Ｂ）成分：熱酸発生剤
2. 前記硬化性ポリシルセスキオキサン化合物が、式（ａ－１）で示される繰り返し単位の割合が、全繰り返し単位に対して２５ｍｏｌ％以上のものである、請求項１に記載のダイボンド材。
3. 前記硬化性ポリシルセスキオキサン化合物が、さらに、下記式（ａ－２）で示される繰り返し単位を有するものである、請求項１又は２に記載のダイボンド材。
   

   

   〔Ｒ^２は、無置換の炭素数１～１０のアルキル基、又は、置換基を有する、若しくは無置換の炭素数６～１２のアリール基を表す。〕
4. 前記硬化性ポリシルセスキオキサン化合物が、式（ａ－２）で示される繰り返し単位の割合が、全繰り返し単位に対して０ｍｏｌ％超、７５ｍｏｌ％以下のものである、請求項３に記載のダイボンド材。
5. 前記硬化性ポリシルセスキオキサン化合物の^２９Ｓｉ－ＮＭＲを測定したときに、領域（３）に１又は２以上のピークが観測され、かつ、下記式で導かれるＺ３が、６０～８０％である、請求項１～４のいずれか一項に記載のダイボンド材。
   

   
6. （Ａ）成分の含有量が、ダイボンド材の固形分中４０質量％以上、１００質量％未満である、請求項１～５のいずれか一項に記載のダイボンド材。
7. （Ｂ）成分が、オニウム塩系熱酸発生剤である、請求項１～６のいずれか一項に記載のダイボンド材。
8. （Ｂ）成分が、下記要件Ｂ１を満たすものである、請求項１～７のいずれか一項に記載のダイボンド材。
   〔要件Ｂ１〕
   （Ｂ）成分について、温度範囲が３０～３００℃、昇温速度が１０℃／分の条件で示差走査熱量測定を行って得られる最大吸熱ピークのピーク温度（酸発生温度）が、８０～１８０℃である。
9. さらに、下記（Ｃ）成分を含有する、請求項１～８のいずれか一項に記載のダイボンド材。
   （Ｃ）成分：シランカップリング剤
10. 一対のリード電極と、前記一対のリード電極と一体に成形された成形体と、を備え、かつ、凹部を有する素子収容器であって、前記凹部の底が、前記一対のリード電極で構成されている素子収容器と、
    前記凹部の底を構成する前記一対のリード電極の少なくとも一方の上に、接着部材を介して固定された発光素子と、
    を備え、
    前記接着部材が、請求項１～９のいずれか一項に記載のダイボンド材の硬化物である、発光装置。
11. 前記発光素子を固定した前記接着部材は、２５℃において０．３ｍｍ／ｓｅｃで前記発光素子を側面から押して、前記発光素子と前記接着部材との間で破断が生じたときに測定されるダイシェア強度が６５０ｇｆ以上のものである請求項１０に記載の発光装置。
12. 前記発光素子を固定した前記接着部材は、１５０℃において０．３ｍｍ／ｓｅｃで前記発光素子を側面から押して、前記発光素子と前記接着部材との間で破断が生じたときに測定されるダイシェア強度が３００ｇｆ以上のものである請求項１０に記載の発光装置。
13. 前記素子収容器は、下記式で導かれる反射率維持率（α）が９９．８％以上のものである請求項１０～１２のいずれか一項に記載の発光装置。
    

    

    （Ｒ_ｉは、波長４５０ｎｍにおける、室温（２５℃）、未加熱時の反射率測定値であり、Ｒ_ｉｉは、１００℃で１００分加熱後に室温（２５℃）まで冷却した後の波長４５０ｎｍにおける反射率測定値である。）
14. 前記発光素子の発光ピーク波長が、４４５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下である、請求項１０～１３のいずれか一項に記載の発光装置。
15. 前記発光素子が、窒化物半導体（Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１－ｘ－ｙ}Ｎ、０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）を含むものである、請求項１０～１４のいずれか一項に記載の発光装置。
16. 一対のリード電極と、前記一対のリード電極と一体に成形された成形体と、を備え、かつ、凹部を有する素子収容器であって、前記凹部の底が、前記一対のリード電極で構成されている素子収容器と、
    前記凹部の底を構成する前記一対のリード電極の少なくとも一方の上に、接着部材を介して固定された発光素子と、
    を備える発光装置の製造方法であって、
    前記発光素子を、請求項１～９のいずれか一項に記載の前記ダイボンド材を用いて、前記一対のリード電極の少なくとも一方に固定する発光素子実装工程を含む、発光装置の製造方法。
17. 前記発光素子実装工程は、
    前記ダイボンド材を前記一対のリード電極の少なくとも一方に塗布し、
    前記ダイボンド材上に、前記発光素子を配置し、
    前記ダイボンド材を９５℃以上１０５℃以下の温度で硬化させるものである、請求項１６に記載の発光装置の製造方法。
18. 前記発光素子の発光ピーク波長が、４４５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下である、請求項１６又は１７に記載の発光装置の製造方法。

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