JP2020173300A - 発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】パッシブマトリクスにおける各有機ＥＬ素子の逆バイアス電圧を緩和する。【解決手段】複数の走査線２００は、複数の有機ＥＬ素子１４０に電気的に接続されている。複数のデータ線３００は、複数の有機ＥＬ素子１４０に電気的に接続されている。制御部４００は、複数の有機ＥＬ素子１４０を制御する。制御部４００は、複数の走査線２００のそれぞれに第１電位を順次入力し、第１電位が入力されていない残りの走査線２００のうちの少なくとも一つをフローティング状態にさせる。さらに、制御部４００は、第１電位が入力される各期間の間において、複数の走査線２００のうちの少なくとも一に第２電位を入力する。【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置に関する。

近年、発光装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子が用いられている。有機ＥＬ素子は、第１電極、有機層及び第２電極を有している。有機層は、第１電極及び第２電極の間の電圧によって有機ＥＬによって発光する。

特許文献１には、複数の走査線及び複数のドライブ線（データ線）を用いて複数の有機ＥＬ素子をパッシブマトリクスにしたがって駆動する方法の一例について記載されている。この方法では、複数の走査線に走査信号が順次入力される。さらに、一の走査線に走査信号が入力され、次の走査線に走査信号が入力されるまでの間に、すべての走査線にリセット電圧が入力される。

特許文献２には、有機ＥＬ素子の一例について記載されている。この例では、第１電極及び第２電極の間に間欠的に逆バイアス電圧が印加される。

特開平９−２３２０７４号公報 特開平４−３０８６８７号公報

特許文献１に記載されているように、複数の有機ＥＬ素子をパッシブマトリクスにしたがって駆動する場合がある。本発明者は、パッシブマトリクスにおける各有機ＥＬ素子の逆バイアス電圧を緩和することを検討した。

本発明が解決しようとする課題としては、パッシブマトリクスにおける各有機ＥＬ素子の逆バイアス電圧を緩和することが一例として挙げられる。

請求項１に記載の発明は、
複数の有機ＥＬ素子と、
前記複数の有機ＥＬ素子に電気的に接続された複数の走査線と、
前記複数の有機ＥＬ素子に電気的に接続された複数のデータ線と、
前記複数の有機ＥＬ素子を制御する制御部と、
を含み、
前記制御部は、
前記複数の走査線のそれぞれに第１電位を順次入力し、前記第１電位が入力されていない残りの走査線のうちの少なくとも一の電位をフローティング状態にさせ、
前記第１電位が入力される各期間の間において、前記複数の走査線のうちの少なくとも一に第２電位を入力する、発光装置である。

実施形態に係る発光装置を説明するための図である。 図１に示した発光装置の動作の一例を説明するための図である。 図１に示した発光装置の動作の一例を説明するための図である。 図１に示した発光装置の動作の一例を説明するための図である。 実施形態に係る発光装置の動作の一例を示すタイムチャートである。 実施形態に係る発光装置の有機ＥＬ素子の断面の一例を示す図である。 図３の変形例を示す図である。 図１の第１の変形例を示す図である。 図１の第２の変形例を示す図である。 図１の第３の変形例を示す図である。

本明細書において「ＡがＢ上に位置する」という表現は、例えば、ＡとＢの間に他の要素（例えば、層）が位置せずにＡがＢ上に直接位置することを意味してもよいし、又はＡとＢの間に他の要素（例えば、層）が部分的又は全面的に位置することを意味してもよい。さらに、「上」、「下」、「左」、「右」、「前」及び「後ろ」等の向きを示す表現は、基本的に図面の向きと合わせて用いるものであって、例えば本明細書に記載された発明品の使用する向きに限定して解釈されるものではない。

本明細書中における陽極とは、発光材料を含む層（例えば有機層）に正孔を注入する電極のことを示し、陰極とは、発光材料を含む層に電子を注入する電極のことを示す。また、「陽極」及び「陰極」という表現は、「正孔注入電極」及び「電子注入電極」又は「正極」及び「負極」等の他の文言を意味することもある。

本明細書における「発光装置」とは、ディスプレイや照明等の発光素子を有するデバイスを含む。また、発光素子と直接的、間接的又は電気的に接続された配線、ＩＣ（集積回路）又は筐体等も「発光装置」に含む場合もある。

本明細書において、特に断らない限り、「膜」という表現と「層」という表現とは、状況及び場合に応じて適宜置換することが可能である。例えば、「絶縁膜」という文言は、「絶縁層」という文言に置換することが可能である。

本明細書において「接続」とは、複数の要素が直接的又は間接的を問わずに接続している状態を表す。例えば、複数の要素の間に接着剤又は接合部材が介して接続している場合も単に「複数の要素は接続している」と表現することがある。また、複数の要素の間に、電流、電圧又は電位を供給可能又は伝送可能な部材が存在しており、「複数の要素が電気的に接続している」場合も単に「複数の要素は接続している」と表現することがある。

本明細書において、特に断りがない限り「第１、第２、Ａ、Ｂ、（ａ）、（ｂ）」等の表現は要素を区別するためのものであり、その表現により該当要素の本質、順番、順序又は個数等が限定されるものではない。

本明細書において、各部材及び各要素は単数であってもよいし、又は複数であってもよい。ただし、文脈上、「単数」又は「複数」が明確になっている場合はこれに限らない。

本明細書において、「ＡがＢを含む」という表現は、特に断らない限り、ＡがＢのみによって構成されていることに限定されず、ＡがＢ以外の要素によって構成され得ることを意味する。

本明細書において「断面」とは、特に断らない限り、発光装置を画素や発光材料等が積層した方向に切断したときに現れる面を意味する。

本明細書において「有さない」、「含まない」、「位置しない」等の表現は、ある要素が完全に排除されていることを意味してもよいし、又はある要素が技術的な効果を有さない程度に存在していることを意味してもよい。

本明細書において、「〜後に」、「〜に続いて」、「〜次に」、「〜前に」等の時間的前後関係を説明する表現は、相対的な時間関係を表しているものであり、時間的前後関係が用いられた各要素が必ずしも連続しているとは限らない。各要素が連続していることを表現する場合、「直ちに」又は「直接」等の表現を用いることがある。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

図１は、実施形態に係る発光装置１０を説明するための図である。発光装置１０は、複数の有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子１４０、複数の走査線２００、複数のデータ線３００及び制御部４００を含んでいる。複数の走査線２００は、複数の有機ＥＬ素子１４０に電気的に接続されている。複数のデータ線３００は、複数の有機ＥＬ素子１４０に電気的に接続されている。制御部４００は、複数の有機ＥＬ素子１４０を制御する。制御部４００は、複数の走査線２００のそれぞれに第１電位を順次入力し、第１電位が入力されていない残りの走査線２００のうちの少なくとも一つをフローティング状態にさせる。さらに、制御部４００は、第１電位が入力される各期間の間において、複数の走査線２００のうちの少なくとも一に第２電位を入力する。

本実施形態によれば、パッシブマトリクスにおける各有機ＥＬ素子１４０の逆バイアス電圧を緩和することができる。図５を用いて後述するように、フローティング状態の走査線２００の電位は、他の線（例えば、データ線３００）の電位に応じて変動するものの、一定の範囲内（例えば、接地電位及び第１電位の間）に留めることができる。さらに、仮に、フローティング状態の走査線２００の電位が大きく変動したとしても、第２電位、すなわち、リセット電位の入力によって、走査線２００及びデータ線３００の間の電位差、すなわち、逆バイアス電圧を緩和することができる。

第２電位は、第１電位と等しくてもよいし、又は第１電位と異なっていてもよい。走査線２００の電位をリセットする観点からすると、第２電位は、例えば、第１電位と等しく、又は第１電位に近似させることができる。

第１電位が入力される各期間の間において、第２電位は、複数の走査線２００のすべてに入力されてもよいし、又は一部の走査線２００のみに入力されてもよい。走査線２００の電位をリセットする観点からすると、第２電位は、例えば、フローティング状態の走査線２００の電位が大きく変動したときのみ入力されるようにすることができる。

制御部４００による複数の有機ＥＬ素子１４０の制御において、複数の有機ＥＬ素子１４０のそれぞれの逆バイアス電圧の絶対値は、例えば、６Ｖ以下にすることができる。

図１を用いて、発光装置１０の詳細を説明する。

発光装置１０は、基板１００、複数の有機ＥＬ素子１４０、複数の走査線２００、複数のデータ線３００及び制御部４００を含んでいる。制御部４００は、制御回路４０２、複数のトランジスタ４１０及び複数の電流源４２０を含んでいる。

各有機ＥＬ素子１４０は、例えば、画素であってもよいし、又は面光源であってもよい。各有機ＥＬ素子１４０が画素であるとき、各有機ＥＬ素子１４０（画素）の発光の有無を制御することで、複数の有機ＥＬ素子１４０によって画像を生成することができる。各有機ＥＬ素子１４０が面光源であるとき、各有機ＥＬ素子１４０の形状は、互いに同一であってもよいし、又は互いに異なっていてもよい。さらに、各有機ＥＬ素子１４０（面光源）の形状は、矩形であってもよいし、又は非矩形（例えば、円、星、ハート、環等の形状）であってもよい。

各有機ＥＬ素子１４０は、アノードＡ及びカソードＫを有している。有機ＥＬ素子１４０のアノードＡは、走査線２００に電気的に接続されている。有機ＥＬ素子１４０のカソードＫは、データ線３００に電気的に接続されている。各有機ＥＬ素子１４０に電気的に接続されている走査線２００及びデータ線３００の組み合わせは、複数の有機ＥＬ素子１４０に応じて、異なっている。したがって、走査線２００及びデータ線３００の組み合わせに応じて、複数の有機ＥＬ素子１４０を選択的に発光させることができる。

複数の有機ＥＬ素子１４０は、物理的に、ｍ行ｎ列（ｍ及びｎは、互いに独立して２以上の整数である。）の行列状に並んでいてもよいし、又は物理的に行列状に並んでいなくてもよい。図１では、回路図の簡易な説明のため、複数の有機ＥＬ素子１４０は、４行５列の行列状に並ぶように描写されているが、図１の描写は、複数の有機ＥＬ素子１４０の実際の数及び複数の有機ＥＬ素子１４０の実際の物理的な配置を示唆するものではない。なお、複数の有機ＥＬ素子１４０が物理的に行列状に並んでいるとき、複数の走査線２００は、互いに行方向に並んで列方向に延伸し、複数のデータ線３００は、列方向に並んで行方向に延伸する。

複数のトランジスタ４１０のそれぞれは、複数の走査線２００のそれぞれに電気的に接続されている。図１に示す例において、各トランジスタ４１０は、ＰＮＰバイポーラトランジスタである。ただし、各トランジスタ４１０は、ＰチャネルＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）であってもよい。図１に示す例において、トランジスタ４１０のコレクタＣは、走査線２００に電気的に接続されている。トランジスタ４１０のコレクタＣは、トランジスタ４１０がオフ状態において電気的にフローティングする。したがって、オフ状態のトランジスタ４１０に電気的に接続された走査線２００の電位は、フローティング状態になる。これに対して、オン状態のトランジスタ４１０に電気的に接続された走査線２００の電位は、第１電位となる。各トランジスタ４１０のオン又はオフは、制御回路４０２（例えば、集積回路（ＩＣ））によって制御することができる。

一例において、走査線２００の電位がフローティング状態であるか否かは、走査線２００の電位の時間変化を、例えばオシロスコープによって検査することで判定することができる。例えば、第１電位が入力されていない走査線２００の電位が、接地電位に戻ることなく、接地電位及び第１電位の間の一部の領域（例えば、接地電位及び第１電位の間の中心の値及びその近傍を含む領域）内で変動するとき、走査線２００の電位はフローティング状態にあると判定することができる。

複数の電流源４２０のそれぞれは、複数のデータ線３００のそれぞれに電気的に接続されている。各電流源４２０は、集積回路（ＩＣ）、例えば、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）ドライバである。第１電位の走査線２００及びオン状態の電流源４２０に電気的に接続されたデータ線３００に電気的に接続された有機ＥＬ素子１４０には電流が流れる。このようにして、複数の有機ＥＬ素子１４０を選択的に発光させることができる。各電流源４２０のオン又はオフは、制御回路４０２（例えば、集積回路（ＩＣ））によって制御することができる。

図２から図４は、図１に示した発光装置１０の動作の一例を説明するための図である。

図２から図４に示す例では、制御部４００は、図２から図４に示す５つの走査線２００のうちの左側の走査線２００から右側の走査線２００に向けて、複数の走査線２００のそれぞれに第１電位（Ｈ）を順次入力している。さらなる詳細は、以下のとおりである。

まず、図２に示すように、制御部４００は、左から３つ目の走査線２００に第１電位（Ｈ）を入力し、残りの４つの走査線２００の電位をフローティング状態にさせる。さらに、制御部４００は、上から２つ目の電流源４２０及び上から４つ目の電流源４２０をオンさせ、残りの電流源４２０をオフさせる。このようにして、第１電位（Ｈ）の走査線２００及びオンされた電流源４２０に電気的に接続されたデータ線３００の双方に電気的に接続された有機ＥＬ素子１４０には電流が流れる。電流が流れた有機ＥＬ素子１４０に電気的に接続されたデータ線３００の電位は、有機ＥＬ素子１４０の順方向電圧降下ＶＦによって、Ｈ−ＶＦとなり、残りのデータ線３００の電位は、Ｈとなる。

次いで、図３に示すように、制御部４００は、複数の走査線２００のすべてに第２電位（Ｈ）を与え、複数の電流源４２０のすべてをオフさせる。このようにして、複数の走査線２００の電位を第２電位にリセットすることができる。

次いで、図４に示すように、制御部４００は、左から４つ目の走査線２００に第１電位（Ｈ）を入力し、残りの４つの走査線２００の電位をフローティング状態にさせる。さらに、制御部４００は、上から２つ目の電流源４２０及び上から４つ目の電流源４２０をオンさせ、残りの電流源４２０をオフさせる。このようにして、第１電位（Ｈ）の走査線２００及びオンされた電流源４２０に電気的に接続されたデータ線３００の双方に電気的に接続された有機ＥＬ素子１４０には電流が流れる。電流が流れた有機ＥＬ素子１４０に電気的に接続されたデータ線３００の電位は、有機ＥＬ素子１４０の順方向電圧降下ＶＦによって、Ｈ−ＶＦとなり、残りのデータ線３００の電位は、Ｈとなる。

図２及び図４において、フローティング状態の走査線２００に電気的に接続された有機ＥＬ素子１４０（特に、オンされた電流源４２０に電気的に接続されたデータ線３００に電気的に接続された有機ＥＬ素子１４０）には、順方向バイアスが加わる可能性がある。したがって、複数の有機ＥＬ素子１４０のすべての数は、少ないことが好ましく、例えば、１００以下であることが好ましい。また、一の走査線２００に電気的に接続された有機ＥＬ素子１４０の数は少ないことが好ましく、例えば、１０以下であることが好ましい。この場合、走査線２００の残留電荷及び走査線２００におけるリーク電流の総和を低減することができ、クロストークを低減することができる。

図３におけるリセットにおいて、複数の有機ＥＬ素子１４０は発光しない。したがって、走査線２００に第２電位を入力する期間は、短いことが好ましく、例えば、走査線２００に第１電位を入力する期間より短くすることができる。

図５は、実施形態に係る発光装置１０の動作の一例を示すタイムチャートである。

図５に示すタイムチャートは、３行３列の行列状に並ぶ９つの有機ＥＬ素子１４０を含む発光装置１０から測定されている。

制御部４００は、０ｓから約３ｍｓまでの第１の期間、第１の走査線２００（図５において、ＶＡ１は、第１の走査線２００の電位を示す。）に第１電位を入力しつつ第２の走査線２００の電位及び第３の走査線２００の電位をフローティング状態にさせ、約３ｍｓから６ｍｓまでの第２の期間、第２の走査線２００に第１電位を入力しつつ第３の走査線２００の電位及び第１の走査線２００の電位をフローティング状態にさせ、約６ｍｓから約９ｍｓまでの第３の期間、第３の走査線２００に第１電位を入力しつつ第１の走査線２００の電位及び第２の走査線２００の電位をフローティング状態にさせる。制御部４００は、第３の期間後、上述した動作を繰り返す。

制御部４００は、上述した各期間内において、第１のデータ線３００（図５において、ＶＣ１は、第１のデータ線３００の電位を示す。）に１ｍｓの間１００ｍＡの電流を流し、第２のデータ線３００（図５において、ＶＣ２は、第２のデータ線３００の電位を示す。）に１．５ｍｓの間２００ｍＡの電流を流し、第３のデータ線３００（図５において、ＶＣ３は、第３のデータ線３００の電位を示す。）に２ｍｓの間３００ｍＡの電流を流す。

制御部４００は、上述した各期間の間（図５における約３ｍｓ、約６ｍｓ及び約９ｍｓ）において、すべての電流源４２０をオフにしつつすべての走査線２００に第２電位を入力する。図５において、第２電位は、第１電位と等しくなっている。

第２の期間及び第３の期間において、電位ＶＡ１は、接地されておらず、フローティング状態にある。図５に示すように、電位ＶＡ１は、第２の期間及び第３の期間において接地電位まで低下しない。このため、図５における逆バイアス電圧ＶＡ１−ＶＣ１の絶対値は、第２の期間及び第３の期間において第１の走査線２００の電位が接地されている場合の逆バイアス電圧の絶対値よりも低減することができる。

一方、電位ＶＡ１は、第２の期間及び第３の期間において、電位ＶＣ１、電位ＶＣ２及び電位ＶＣ３の低下に応じて低下している。仮に、第２の期間及び第３の期間の間において、電位ＶＡ１をリセットしなかった場合、第３の期間における電位ＶＡ１は、第３の期間における電位ＶＣ１、電位ＶＣ２及び電位ＶＣ３の低下によって、第２の期間における電位ＶＡ１よりも低下して、逆バイアス電圧ＶＡ１−ＶＣ１の絶対値が増加し得る。これに対して、本実施形態では、第２の期間及び第３の期間の間において電位ＶＡ１をリセットすることで、電位ＶＡ１の低下、すなわち、逆バイアス電圧ＶＡ１−ＶＣ１の絶対値の増加を低減することができる。

次いで、実施形態に係る発光装置１０の使用方法の一例を説明する。この例において、発光装置１０は、自動車に搭載される照明、より具体的には、自動車に搭載されるテールランプである。

発光装置１０は、セグメント照明である。具体的には、各有機ＥＬ素子１４０の発光領域は、大きく、例えば、１０ｍｍ^２以上となっている。さらに、各有機ＥＬ素子１４０に流れる電流は、大きく、例えば、０．１Ａ以上１．０Ａ以下である。

発光装置１０は、湾曲可能な照明である。具体的には、基板１００は、樹脂材料を含む基板となっている。

図６は、実施形態に係る発光装置１０の有機ＥＬ素子１４０の断面の一例を示す図である。

発光装置１０は、基板１００、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を含んでいる。

基板１００は、第１面１０２及び第２面１０４を有している。第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０は、基板１００の第１面１０２側に位置している。第２面１０４は、第１面１０２の反対側にある。

基板１００は、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を形成するための支持体として機能することができる。基板１００は、透光性及び可撓性を有していてもよい。基板１００は、単層であってもよいし、又は複数層であってもよい。一例において、基板１００は、樹脂基板であり、有機材料（例えば、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）又はポリイミド）を含んでいてもよい。基板１００が樹脂基板である場合、基板１００の第１面１０２及び第２面１０４の少なくとも一方は、無機バリア層（例えば、ＳｉＮ又はＳｉＯＮ）を有していてもよい。他の例において、基板１００は、ガラス基板であってもよい。基板１００と第１電極１１０との間に、少なくとも第１電極１１０よりも広い領域に、平坦化や密着性改善を目的に１層以上の有機材料を含む層を有していてもよい。

第１電極１１０は、陽極として機能することができる。一例において、第１電極１１０は、金属又は合金を含んでいてもよい。金属又は合金は、例えば、銀又は銀合金である。この例において、第１電極１１０の厚さは、例えば、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下にしてもよい。第１電極１１０の厚さが上記下限以上である場合、第１電極１１０の電気抵抗を低くすることができ、第１電極１１０の厚さが上記上限以下である場合、第１電極１１０の透過率を高くすることができる。他の例において、第１電極１１０は、酸化物半導体を含んでいてもよい。酸化物半導体は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｕｎｇｓｔｅｎ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）又はＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）である。

有機層１２０は、発光層（ＥＭＬ）を含んでおり、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）及び電子注入層（ＥＩＬ）のうちの少なくとも一を適宜さらに含んでいてもよい。有機層１２０においては、正孔が第１電極１１０からＥＭＬに注入され、電子が第２電極１３０からＥＭＬに注入され、ＥＭＬにおける正孔及び電子の再結合によって光が発せられる。

第２電極１３０は、陰極として機能することができる。一例において、第２電極１３０は、金属又は合金を含んでいてもよい。金属又は合金は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ及びＩｎからなる群の中から選択される少なくとも１つの金属又はこの群から選択される金属の合金である。

第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０は、基板１００の第１面１０２から順に並んで、有機ＥＬ素子１４０を形成している。

発光装置１０は、ボトムエミッションであってもよいし、又はトップエミッションであってもよい。発光装置１０がボトムエミッションである場合、有機層１２０から発せられた光は、第１電極１１０及び基板１００を透過して（つまり、発光装置１０がボトムエミッションである場合、基板１００及び第１電極１１０は、透光性を有している。）、基板１００の第２面１０４から光を発する。発光装置１０がトップエミッションである場合、有機層１２０から発せられた光は、第２電極１３０を透過して（つまり、発光装置１０がトップエミッションである場合、第２電極１３０は、透光性を有している。）、基板１００の第２面１０４の反対側から光を発する。

第１電極１１０は、図１に示した走査線２００の一部分となっていてもよい。第２電極１３０は、図１に示したデータ線３００の一部分となっていてもよい。この場合、有機ＥＬ素子１４０は、走査線２００及びデータ線３００の交差部分とすることができる。

図７は、図３の変形例を示す図である。

図７に示すように、走査線２００の電位のリセットの期間において、制御部４００は、複数のデータ線３００のうちの少なくとも一の電位をフローティング状態にさせてもよい。図７に示す例においては、走査線２００の電位のリセットの期間においてデータ線３００を特定の電位（例えば、走査線２００の電位と同じ電位）に設定するための回路（例えば、スイッチ回路）を設ける必要がなく、低コストを実現することができる。さらに、図７に示す例においては、有機ＥＬ素子１４０の容量成分の残存電荷を接地電位のデータ線３００に流さないため、無効電力（すなわち、有機ＥＬ素子１４０の発光に寄与しない消費電力）を低減することができる。

図８は、図１の第１の変形例を示す図である。

制御部４００は、複数のダイオード４１２を含んでいる。複数のダイオード４１２のそれぞれは、複数のトランジスタ４１０のそれぞれに並列に接続されている。各ダイオード４１２は、各トランジスタ４１０の保護ダイオードとして機能することができる。

図９は、図１の第２の変形例を示す図である。

制御部４００は、複数の走査線２００のそれぞれの両側から第１電位及び第２電位を入力してもよい。走査線２００の両側から電位を入力することで、走査線２００における電圧降下を低減することができる。このため、各有機ＥＬ素子１４０の逆バイアス電圧を緩和することができる。

図１０は、図１の第３の変形例を示す図である。

走査線２００は、有機ＥＬ素子１４０のカソードＫに電気的に接続されており、データ線３００は、有機ＥＬ素子１４０のアノードＡに電気的に接続されている。

複数のトランジスタ４１０のそれぞれは、複数の走査線２００のそれぞれに電気的に接続されている。図１０に示す例において、各トランジスタ４１０は、ＮＰＮバイポーラトランジスタである。ただし、各トランジスタ４１０は、ＮチャネルＦＥＴであってもよい。図１０に示す例において、トランジスタ４１０のコレクタＣは、走査線２００に電気的に接続されている。トランジスタ４１０のコレクタＣは、トランジスタ４１０がオフ状態において電気的にフローティングする。したがって、オフ状態のトランジスタ４１０に電気的に接続された走査線２００の電位は、フローティング状態になる。これに対して、オン状態のトランジスタ４１０に電気的に接続された走査線２００の電位は、第１電位（接地電位）となる。各トランジスタ４１０のオン又はオフは、制御回路４０２（例えば、集積回路（ＩＣ））によって制御することができる。

複数の電流源４２０のそれぞれは、複数のデータ線３００のそれぞれに電気的に接続されている。各電流源４２０は、集積回路（ＩＣ）、例えば、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）ドライバである。第１電位の走査線２００及びオン状態の電流源４２０に電気的に接続されたデータ線３００に電気的に接続された有機ＥＬ素子１４０には電流が流れる。このようにして、複数の有機ＥＬ素子１４０を選択的に発光させることができる。各電流源４２０のオン又はオフは、制御回路４０２（例えば、集積回路（ＩＣ））によって制御することができる。

制御部４００は、複数の走査線２００のそれぞれに第１電位を順次入力し、第１電位が入力されていない残りの走査線２００のうちの少なくとも一つをフローティング状態にさせる。さらに、制御部４００は、第１電位が入力される各期間の間において、複数の走査線２００のうちの少なくとも一に第２電位を入力する。図１０に示す例においても、パッシブマトリクスにおける各有機ＥＬ素子１４０の逆バイアス電圧を緩和することができる。

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

１０ 発光装置
１００ 基板
１０２ 第１面
１０４ 第２面
１１０ 第１電極
１２０ 有機層
１３０ 第２電極
１４０ 有機ＥＬ素子
２００ 走査線
３００ データ線
４００ 制御部
４０２ 制御回路
４１０ トランジスタ
４１２ ダイオード
４２０ 電流源

Claims (10)

1. 複数の有機ＥＬ素子と、
   前記複数の有機ＥＬ素子に電気的に接続された複数の走査線と、
   前記複数の有機ＥＬ素子に電気的に接続された複数のデータ線と、
   前記複数の有機ＥＬ素子を制御する制御部と、
   を含み、
   前記制御部は、
   前記複数の走査線のそれぞれに第１電位を順次入力し、前記第１電位が入力されていない残りの走査線のうちの少なくとも一の電位をフローティング状態にさせ、
   前記第１電位が入力される各期間の間において、前記複数の走査線のうちの少なくとも一に第２電位を入力する、発光装置。
2. 請求項１に記載の発光装置において、
   前記第２電位は、前記第１電位と等しい、発光装置。
3. 請求項１又は２に記載の発光装置において、
   前記制御部は、前記第１電位が入力される各期間の間において、前記複数のデータ線のうちの少なくとも一の電位をフローティング状態にさせる、発光装置。
4. 請求項１から３までのいずれか一項に記載の発光装置において、
   前記制御部は、
   前記複数の走査線にそれぞれ電気的に接続された複数のトランジスタと、
   前記複数のトランジスタにそれぞれ並列に接続された複数のダイオードと、
   を含む、発光装置。
5. 請求項１から４までのいずれか一項に記載の発光装置において、
   前記複数の有機ＥＬ素子の数は、１００以下である、発光装置。
6. 請求項１から４までのいずれか一項に記載の発光装置において、
   前記複数の有機ＥＬ素子のそれぞれの発光領域は、１０ｍｍ^２以上である、発光装置。
7. 請求項１から６までのいずれか一項に記載の発光装置において、
   前記制御部による前記複数の有機ＥＬ素子の制御において、前記複数の有機ＥＬ素子のそれぞれには、０．１Ａ以上１．０Ａ以下の電流が流れる、発光装置。
8. 請求項１から７までのいずれか一項に記載の発光装置において、
   前記制御部による前記複数の有機ＥＬ素子の制御において、前記複数の有機ＥＬ素子のそれぞれの逆バイアス電圧の絶対値は、６Ｖ以下である、発光装置。
9. 請求項１から８までのいずれか一項に記載の発光装置において、
   前記制御部は、前記複数の走査線のそれぞれの両側から前記第１電位及び前記第２電位を入力する、発光装置。
10. 請求項１から９までのいずれか一項に記載の発光装置において、
    前記複数の有機ＥＬ素子は、樹脂材料を含む基板上に位置している、発光装置。

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