JP2020167548A - Discharge circuit - Google Patents

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Abstract

To provide a discharge circuit, for preventing a circuit scale and power consumption from increasing, having good responsiveness, capable of performing discharge.SOLUTION: A bias unit 30 energizes a differential amplifier unit 10 to amplify when an external voltage VDD becomes less than an internal voltage VDDL. In addition, the differential amplifier 10 applies a voltage for causing discharge to take place in a discharge unit 20 when a voltage difference between the external voltage VDD and the internal voltage VDDL becomes greater than a predetermined voltage difference. This causes discharge of stored charge due to the internal voltage VDDL to begin in the discharge unit 20.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、ディスチャージ回路に関する。 The present invention relates to a discharge circuit.

ディスチャージ回路に関する技術として、以下の技術が知られている。例えば、特許文献1に記載のディスチャージ回路は、残留電荷を逃がす機能を有する。 The following technologies are known as technologies related to the discharge circuit. For example, the discharge circuit described in Patent Document 1 has a function of releasing residual charges.

特開2015−097443号公報JP-A-2015-097443

上記した機能に関連して、ディスチャージ回路は、例えば、電源回路から電力(電源電圧VDD)の供給を受けるマイコン回路に設けられている。電源回路が遮断されるとき、マイコン回路内の電圧(電源電圧VDDから生成される回路内部電圧VDDL)は、理論上では、図7に示されるように、電源電圧VDDの低下の速度と同様の速度で低下する。回路内部電圧VDDLは、低下し続け、リセット閾値電圧VRSTを下回る。その後、電源回路が再投入されるとき、上記したように、回路内部電圧VDDLがリセット閾値電圧VRSTを下回っていることから、マイコン回路を含むシステム全体の再初期設定が正常に行われる。 In relation to the above-mentioned functions, the discharge circuit is provided in, for example, a microcomputer circuit that receives power (power supply voltage VDD) from the power supply circuit. When the power circuit is cut off, the voltage in the microcomputer circuit (circuit internal voltage VDDL generated from the power supply voltage VDD) is theoretically similar to the rate of decrease of the power supply voltage VDD, as shown in FIG. Decrease in speed. The circuit internal voltage VDDL continues to decrease and falls below the reset threshold voltage VRST. After that, when the power supply circuit is turned on again, as described above, since the circuit internal voltage VDDL is lower than the reset threshold voltage VRST, the reinitialization of the entire system including the microcomputer circuit is normally performed.

しかし、回路内部電圧VDDLは、実際には、マイコン回路内の安定化容量及び配線容量等のために、図8に示されるように、電源電圧VDDの低下の速度と比較すると、緩やかに低下する。従って、図8に示されるように、回路内部電圧VDDLがリセット閾値電圧VRSTを下回る前に、電源回路が再投入されると、上記したシステムの再初期設定が正常に行われない事態に至るおそれがある。 However, the circuit internal voltage VDDL actually decreases gradually as compared with the rate of decrease of the power supply voltage VDD, as shown in FIG. 8, due to the stabilizing capacity and wiring capacity in the microcomputer circuit. .. Therefore, as shown in FIG. 8, if the power supply circuit is turned on again before the circuit internal voltage VDDL falls below the reset threshold voltage VRST, the above-mentioned system reinitialization setting may not be performed normally. There is.

上記した事態を回避すべく、上記したマイコン回路では、起動部が、電源電圧VDDが低下し始めたことを検出することにより、検出部を起動させる。さらに、検出部が、回路内部電圧VDDLが所定の閾値電圧を下回ったことを検出することにより、ディスチャージ部を起動させる。ディスチャージ回路は、回路内部電圧VDDLを高速に低下させるべく、回路内部電圧VDDLにより既に蓄積されている電荷を放電させる。これにより、図7に示されるように、回路内部電圧VDDLが、リセット閾値電圧VRSTを下回ることを確保することができる。 In order to avoid the above situation, in the above-mentioned microcomputer circuit, the activation unit activates the detection unit by detecting that the power supply voltage VDD has started to decrease. Further, the detection unit activates the discharge unit by detecting that the circuit internal voltage VDDL has fallen below a predetermined threshold voltage. The discharge circuit discharges the electric charge already accumulated by the circuit internal voltage VDDL in order to reduce the circuit internal voltage VDDL at high speed. Thereby, as shown in FIG. 7, it is possible to ensure that the circuit internal voltage VDDL is lower than the reset threshold voltage VRST.

しかしながら、上記したマイコン回路は、ディスチャージ部の他に、上記した起動部及び検出部をも必要とすることから、回路規模及び消費電力が大きくなり、しかも、回路を低消費電流で動作させることに伴い、上記した起動までの所要時間が長くなり、即ち、応答性が悪化するという課題があった。 However, since the above-mentioned microcomputer circuit requires the above-mentioned start-up part and detection part in addition to the discharge part, the circuit scale and power consumption are large, and the circuit is operated with low current consumption. As a result, there is a problem that the time required for the above-mentioned activation becomes long, that is, the responsiveness deteriorates.

本発明の目的は、回路規模及び消費電力が大きくならず、かつ、応答性が良く、放電を行うことができるディスチャージ回路を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a discharge circuit which does not increase the circuit scale and power consumption, has good responsiveness, and can perform discharge.

上記した課題を解決すべく、本発明に係るディスチャージ回路は、
所定の電圧より高い制御電圧が供給された場合に、第1の電圧から生成される第2の電圧に起因して蓄積された電荷を放電するディスチャージ部と、
所定の電流より大きい制御電流の供給を受けた場合に、前記第1の電圧と前記第2の電圧との電圧差を増幅した電圧を、前記制御電圧として前記ディスチャージ部に供給する差動増幅部と、
前記第1の電圧が前記第2の電圧より低くなった場合に、前記所定の電流より大きい前記制御電流を前記差動増幅器に供給するバイアス部と、
を含む。
In order to solve the above-mentioned problems, the discharge circuit according to the present invention
A discharge unit that discharges the accumulated charge due to the second voltage generated from the first voltage when a control voltage higher than a predetermined voltage is supplied.
When a control current larger than a predetermined current is supplied, the differential amplification unit supplies the voltage obtained by amplifying the voltage difference between the first voltage and the second voltage to the discharge unit as the control voltage. When,
A bias portion that supplies the control current larger than the predetermined current to the differential amplifier when the first voltage becomes lower than the second voltage.
including.

本発明に係るディスチャージ回路によれば、前記バイアス部は、前記第1の電圧が前記第2の電圧より低くなった場合に、前記所定の電流より大きい前記制御電流を前記差動増幅器に供給し、前記差動増幅部は、前記所定の電流より大きい前記制御電流の供給を受けた場合に、前記第1の電圧と前記第2の電圧との電圧差を増幅した電圧を、前記制御電圧として前記ディスチャージ部に供給し、前記ディスチャージ部は、前記所定の電圧より高い前記制御電圧が供給された場合に、第1の電圧から生成される第2の電圧に起因して蓄積された電荷を放電する。これにより、本発明に係るディスチャージ回路は、従来の駆動部及び検出部を用いることなく、前記放電を行うことができ、その結果、ディスチャージ回路の回路規模及び消費電力を従来に比較して小さくすることが可能となり、併せて、従来に比較して応答性を良くすることも可能となる。 According to the discharge circuit according to the present invention, the bias portion supplies the differential amplifier with the control current larger than the predetermined current when the first voltage becomes lower than the second voltage. When the differential amplification unit receives the supply of the control current larger than the predetermined current, the differential amplification unit uses the voltage obtained by amplifying the voltage difference between the first voltage and the second voltage as the control voltage. It is supplied to the discharge unit, and the discharge unit discharges the charge accumulated due to the second voltage generated from the first voltage when the control voltage higher than the predetermined voltage is supplied. To do. As a result, the discharge circuit according to the present invention can perform the discharge without using the conventional drive unit and detection unit, and as a result, the circuit scale and power consumption of the discharge circuit are reduced as compared with the conventional one. At the same time, it is possible to improve the responsiveness as compared with the conventional case.

本発明の実施形態に係る差動増幅ユニットの構成を示す。The configuration of the differential amplification unit according to the embodiment of the present invention is shown. 本発明の実施形態に係るディスチャージ回路の構成を示す。The configuration of the discharge circuit according to the embodiment of the present invention is shown. 本発明の実施形態に係るディスチャージ回路の動作を示す。The operation of the discharge circuit according to the embodiment of the present invention is shown. 本発明の実施形態に係る差動増幅ユニットの構成を示す。The configuration of the differential amplification unit according to the embodiment of the present invention is shown. 本発明の変形例1に係る差動増幅ユニットの構成を示す。The configuration of the differential amplification unit according to the first modification of the present invention is shown. 本発明の変形例2に係る差動増幅ユニットの構成を示す。The configuration of the differential amplification unit according to the second modification of the present invention is shown. 電源回路の遮断及び再投入のときの電源電圧及び回路内部電圧の理論的な波形を示す。The theoretical waveforms of the power supply voltage and the circuit internal voltage when the power supply circuit is cut off and turned on again are shown. 電源回路の遮断及び再投入のときの電源電圧及び回路内部電圧の実際の波形を示す。The actual waveforms of the power supply voltage and the circuit internal voltage when the power supply circuit is cut off and turned on again are shown.

〈実施形態〉
以下、本発明の実施形態に係るディスチャージ回路について、図面を参照して説明する。
<Embodiment>
Hereinafter, the discharge circuit according to the embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

〈実施形態の構成〉
図1は、実施形態に係る差動増幅ユニットの構成を示す。図2は、実施形態に係るディスチャージ回路の構成を示す。図2に示されるように、実施形態のディスチャージ回路1は、外部から印加される外部電圧VDDを監視し、外部電圧VDDが内部電圧VDDL(後述のレギュレータ40が外部電圧VDDから生成する電圧)より低くなったとき、内部電圧VDDLによりキャパシタ50に既に蓄積されている電荷を放電することを開始することを基本的構想とする。当該構想の下に、ディスチャージ回路1は、図2に示されるように、差動増幅部10と、ディスチャージ部20と、バイアス部30と、レギュレータ40と、キャパシタ50とを含む。ここで、外部電圧VDDは、『第1の電圧』に対応し、内部電圧VDDLは、『第2の電圧』に対応する。
<Structure of Embodiment>
FIG. 1 shows the configuration of the differential amplification unit according to the embodiment. FIG. 2 shows the configuration of the discharge circuit according to the embodiment. As shown in FIG. 2, the discharge circuit 1 of the embodiment monitors the external voltage VDD applied from the outside, and the external voltage VDD is based on the internal voltage VDDL (voltage generated by the regulator 40 described later from the external voltage VDD). The basic concept is to start discharging the electric charge already accumulated in the capacitor 50 by the internal voltage VDDL when the voltage becomes low. Under this concept, the discharge circuit 1 includes a differential amplification unit 10, a discharge unit 20, a bias unit 30, a regulator 40, and a capacitor 50, as shown in FIG. Here, the external voltage VDD corresponds to the "first voltage", and the internal voltage VDDL corresponds to the "second voltage".

電流駆動型である差動増幅部10及びディスチャージ部20は、模式的に、図1に示されるように、一つの差動増幅ユニット100として一体的に表わされる。差動増幅ユニット100は、2つの入力端子in+、in−と、1つの出力端子Voutと、2つの電源端子VDD、GND(接地)と、2つの制御用端子pgnb、ibpとを有する。 The current-driven differential amplification unit 10 and the discharge unit 20 are schematically represented integrally as one differential amplification unit 100, as shown in FIG. The differential amplifier unit 100 has two input terminals in + and in−, one output terminal Vout, two power supply terminals VDD and GND (grounded), and two control terminals pgnb and ibp.

差動増幅ユニット100は、入力端子in+に入力される電圧(VDDと同一)と、入力端子in−に入力される電圧(電圧VDDLと同一)との電圧差を増幅し、増幅後の電圧の大きさにより、ディスチャージを実施しまたは停止する。 The differential amplification unit 100 amplifies the voltage difference between the voltage input to the input terminal in + (same as VDD) and the voltage input to the input terminal in− (same as voltage VDDL), and increases the voltage after amplification. Depending on the size, discharge or stop.

制御用端子pgnbは、外部電圧VDDの変動を監視するための監視点を定めるために用いられる。制御用端子ibpは、差動増幅ユニット100の動作(起動状態、非起動に近い状態)を電流により制御するために用いられる。 The control terminal pgnb is used to determine a monitoring point for monitoring fluctuations in the external voltage VDD. The control terminal ibp is used to control the operation (started state, near non-started state) of the differential amplification unit 100 by an electric current.

図2に移り、差動増幅部10では、入力端子in+は、制御用端子pgnbに接続されており、これにより、入力端子in+に、制御用端子pgnbに供給される電圧VDDが印加される。入力端子in−は、上記したように、出力端子Voutの電圧(内部電圧VDDLと同一)が印加される。制御用端子ibpは、バイアス部30に接続されており、バイアス部30から、差動増幅部10が十分に動作することができる大きさの電流、または、動作することが停止しない程度の大きさの電流の供給を受ける。差動増幅部10の出力端子は、ディスチャージ部20に接続されており、より詳しくは、ディスチャージ部20内の、例えば、MOSトランジスタのゲートに接続されている。 Moving to FIG. 2, in the differential amplification unit 10, the input terminal in + is connected to the control terminal pgnb, whereby the voltage VDD supplied to the control terminal pgnb is applied to the input terminal in +. As described above, the voltage of the output terminal Vout (same as the internal voltage VDDL) is applied to the input terminal in−. The control terminal ibp is connected to the bias unit 30, and the current from the bias unit 30 is large enough to allow the differential amplification unit 10 to operate sufficiently, or the size is such that the operation does not stop. Is supplied with current. The output terminal of the differential amplification unit 10 is connected to the discharge unit 20, and more specifically, it is connected to the gate of the MOS transistor in the discharge unit 20, for example.

ディスチャージ部20は、差動増幅部10から、ディスチャージ部20(より正確には、MOSトランジスタ)が起動することができる大きさの電圧を印加されたとき、内部電圧VDDLに起因してキャパシタ50に蓄積されている電荷を放電する機能を有する。当該機能を果たすべく、ディスチャージ部20のMOSトランジスタでは、そのドレインが、レギュレータ40の出力端及びキャパシタ50の一方の電極に接続されており、また、そのソース及びそのバックゲートが、接地電位及びキャパシタ50の他方の電極に接続されている。ここで、差動増幅部10が出力する電圧は、『制御電圧』に対応する。 When a voltage large enough to activate the discharge unit 20 (more accurately, a MOS transistor) is applied from the differential amplification unit 10 to the capacitor 50 due to the internal voltage VDDL. It has a function to discharge the accumulated charge. In order to fulfill this function, in the MOS transistor of the discharge unit 20, its drain is connected to one electrode of the output end of the regulator 40 and the capacitor 50, and its source and its back gate are the ground potential and the capacitor. It is connected to the other electrode of 50. Here, the voltage output by the differential amplification unit 10 corresponds to the "control voltage".

バイアス部30は、電圧Vref1(外部電圧VDDと同一)及び電圧Vref2(内部電圧VDDLと同一)の入力を受け、電流ibpを出力する。バイアス部30は、通常のとき、即ち、外部電圧VDDが内部電圧VDDLより大きいとき、差動増幅部10の動作が停止しない程度の大きさの電流ibpを差動増幅部10に供給する。バイアス部30は、他方で、外部電圧VDDを供給する電源回路(図示せず)が遮断等されたとき、即ち、外部電圧VDDが内部電圧VDDLより小さいとき、差動増幅部10が十分に動作することができる程度の大きさの電流ibpを差動増幅部10に供給する。ここで、電流ibpは、『制御電流』に対応する。 The bias unit 30 receives inputs of voltage Vref1 (same as external voltage VDD) and voltage Vref2 (same as internal voltage VDDL), and outputs current ibp. The bias unit 30 supplies the differential amplification unit 10 with a current ibp having a magnitude such that the operation of the differential amplification unit 10 does not stop in a normal state, that is, when the external voltage VDD is larger than the internal voltage VDDL. On the other hand, the bias unit 30 sufficiently operates the differential amplification unit 10 when the power supply circuit (not shown) for supplying the external voltage VDD is cut off, that is, when the external voltage VDD is smaller than the internal voltage VDDL. A current ibp having a magnitude that can be generated is supplied to the differential amplification unit 10. Here, the current ibp corresponds to the "control current".

レギュレータ40は、上記したように、外部電圧VDDから内部電圧VDDLを生成し、生成された内部電圧VDDLを端子Voutから出力する。 As described above, the regulator 40 generates the internal voltage VDDL from the external voltage VDD, and outputs the generated internal voltage VDDL from the terminal Vout.

キャパシタ50は、レギュレータ40から出力される内部電圧VDDLを平滑化すべく、レギュレータ40の出力端及び接地電位間に接続されている。 The capacitor 50 is connected between the output end of the regulator 40 and the ground potential in order to smooth the internal voltage VDDL output from the regulator 40.

〈実施形態の構成〉
図3は、実施形態に係るディスチャージ回路の動作を示す。以下に、実施形態のディスチャージ回路の動作について、図3を参照して説明する。以下では、外部電圧VDDは、当初、内部電圧VDDLより大きく、その後、時刻t1で低下し始めることを想定する。また、ディスチャージ部20は、当初、起動していない状態(オフ状態)であることを想定する。
<Structure of Embodiment>
FIG. 3 shows the operation of the discharge circuit according to the embodiment. The operation of the discharge circuit of the embodiment will be described below with reference to FIG. In the following, it is assumed that the external voltage VDD is initially larger than the internal voltage VDDL and then starts to decrease at time t1. Further, it is assumed that the discharge unit 20 is initially in a non-started state (off state).

時刻t1までの間、外部電圧VDDが内部電圧VDDLより大きいことから、バイアス部30は、電流ibpを用いて、差動増幅部10を駆動しない。より具体的には、バイアス部30は、差動増幅部10の動作が停止しない大きさの電流ibpを差動増幅部10に供給する。 Since the external voltage VDD is larger than the internal voltage VDDL until the time t1, the bias unit 30 does not drive the differential amplification unit 10 by using the current ibp. More specifically, the bias unit 30 supplies the differential amplifier unit 10 with a current ibp having a size that does not stop the operation of the differential amplifier unit 10.

時刻t1になると、外部電圧VDDは、低下し始める。時刻t1以後、外部電圧VDDの影響を受けて、内部電圧VDDLも、低下し始める。 At time t1, the external voltage VDD begins to decrease. After time t1, the internal voltage VDDL also begins to decrease due to the influence of the external voltage VDD.

時刻t2になると、外部電圧VDDは、内部電圧VDDLより小さくなる。これにより、バイアス部30は、差動増幅部10が十分に動作することができる大きさの電流ibpを差動増幅部10に供給する。電流ibpが供給されると、差動増幅部10は、差動増幅の動作を開始する。 At time t2, the external voltage VDD becomes smaller than the internal voltage VDDL. As a result, the bias unit 30 supplies the differential amplifier unit 10 with a current ibp having a size that allows the differential amplifier unit 10 to operate sufficiently. When the current ibp is supplied, the differential amplification unit 10 starts the operation of the differential amplification.

時刻t2以後では、外部電圧VDDは、低下し続ける。それにより、外部電圧VDDと内部電圧VDDLとの電圧差が、予め定められた電圧差より大きくなる。ここで、「予め定められた電圧差」とは、例えば、当該予め定められた電圧差を増幅すれば、当該増幅後の電圧が、ディスチャージ部20内のMOSトランジスタを起動することができる大きさを有することになるという電圧差をいう。この時点で、差動増幅部10は、ディスチャージ部20内のMOSトランジスタのゲートに、当該MOSトランジスタを起動することができる電圧を出力する。この電圧を受けて、ディスチャージ部20は、起動状態(オン状態)になることにより、ディスチャージの動作を開始し、即ち、その時点までにキャパシタ50に蓄積されている電荷を放電することを開始する。 After time t2, the external voltage VDD continues to decrease. As a result, the voltage difference between the external voltage VDD and the internal voltage VDDL becomes larger than the predetermined voltage difference. Here, the "predetermined voltage difference" means, for example, that if the predetermined voltage difference is amplified, the amplified voltage can activate the MOS transistor in the discharge unit 20. Refers to the voltage difference that will have. At this point, the differential amplification unit 10 outputs a voltage capable of activating the MOS transistor to the gate of the MOS transistor in the discharge unit 20. In response to this voltage, the discharge unit 20 starts the discharge operation by entering the activated state (on state), that is, starts discharging the electric charge accumulated in the capacitor 50 by that time. ..

時刻t3になると、内部電圧VDDLが、ディスチャージ回路1内の各部が動作可能である電圧を下回る。その結果、例えば、差動増幅部10は、ディスチャージ部20を駆動(オン状態)にすることができるほどの大きさの電圧を出力することができなくなる。それにより、ディスチャージ部20は、起動していない状態(オフ状態)になり、即ち、放電を停止する。 At time t3, the internal voltage VDDL falls below the voltage at which each part in the discharge circuit 1 can operate. As a result, for example, the differential amplification unit 10 cannot output a voltage large enough to drive (on the state) the discharge unit 20. As a result, the discharge unit 20 is in a non-started state (off state), that is, the discharge is stopped.

〈実施形態の効果〉
上述したように、実施形態に係るディスチャージ回路1では、外部電圧VDDが内部電圧VDDLより小さくなると、バイアス部30が、差動増幅部10が十分に動作することができるほどに大きい電流ibpを差動増幅部10に通電する。また、外部電圧VDD及び内部電圧VDDL間の電圧差が、予め定められた電圧より大きくなると、差動増幅部10は、ディスチャージ部20が動作できるほどの大きさの電圧をディスチャージ部20に出力する。これにより、ディスチャージ部20は、内部電圧VDDLに起因してキャパシタ50にその時点までに蓄積されていた電荷の放電を開始することができる。換言すれば、ディスチャージ部20は、従来のディスチャージ回路に必要であった駆動部及び検出部を必要とすることなく、即ち、従来に比して小さい回路規模及び消費電力、並びに、良い応答性の下で、放電を開始することができる。
<Effect of embodiment>
As described above, in the discharge circuit 1 according to the embodiment, when the external voltage VDD becomes smaller than the internal voltage VDDL, the bias unit 30 transmits a current ibp large enough to allow the differential amplification unit 10 to operate sufficiently. The dynamic amplification unit 10 is energized. Further, when the voltage difference between the external voltage VDD and the internal voltage VDDL becomes larger than the predetermined voltage, the differential amplification unit 10 outputs a voltage large enough for the discharge unit 20 to operate to the discharge unit 20. .. As a result, the discharge unit 20 can start discharging the charges accumulated in the capacitor 50 up to that point due to the internal voltage VDDL. In other words, the discharge unit 20 does not require the drive unit and the detection unit required for the conventional discharge circuit, that is, the circuit scale and power consumption are smaller than those of the conventional one, and the responsiveness is good. Below, the discharge can be started.

〈具体例〉
図4は、差動増幅ユニットの具体的な構成を示す等価回路図である。以下、差動増幅ユニットの具体的な構成について、図4を参照して説明する。
<Concrete example>
FIG. 4 is an equivalent circuit diagram showing a specific configuration of the differential amplification unit. Hereinafter, a specific configuration of the differential amplification unit will be described with reference to FIG.

〈具体例の構成〉
図4に図示された差動増幅ユニット100Aは、図1に図示された差動増幅ユニット100を回路素子(トランジスタ、キャパシタ等)で実現すべく、図4に示されるように、Pチャネル型MOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタP1〜P7(以下、例えば、「トランジスタP1」略記する。)と、Nチャネル型MOSトランジスタN1〜N7(以下、例えば、「トランジスタN1」と略記する。)と、キャパシタC1、C2とを有する。
<Structure of specific example>
The differential amplification unit 100A shown in FIG. 4 is a P-channel type MOS as shown in FIG. 4 in order to realize the differential amplification unit 100 shown in FIG. 1 with a circuit element (transistor, capacitor, etc.). (Metal Oxide Semiconductor) Transistors P1 to P7 (hereinafter, abbreviated as "transistor P1"), N-channel MOS transistors N1 to N7 (hereinafter, abbreviated as "transistor N1"), and a capacitor C1. , C2 and.

トランジスタP1、N4は、反転増幅を行うべく、ソース接地型の構成を有し、外部電圧VDD及び接地電位間に直列接続されている。 The transistors P1 and N4 have a source grounded configuration in order to perform inverting amplification, and are connected in series between the external voltage VDD and the ground potential.

トランジスタP1について、ソース及びバックゲートが、外部電圧VDDに接続されており、ゲートが、トランジスタP2のドレイン及びトランジスタN1のドレインに接続されており、ドレインが制御用端子ibp(バイアス部30(図2に図示。)の出力端)及びトランジスタN4のドレインに接続されており、ゲート及びドレイン間に、キャパシタC1が接続されている。 Regarding the transistor P1, the source and the back gate are connected to the external voltage VDD, the gate is connected to the drain of the transistor P2 and the drain of the transistor N1, and the drain is the control terminal ibp (bias portion 30 (FIG. 2). The output end) and the drain of the transistor N4 are connected, and the capacitor C1 is connected between the gate and the drain.

トランジスタN4について、ゲートが、トランジスタN5のゲートに接続されており、ドレイン及びゲートが相互に接続されており、ソース及びバックゲートが、接地電位に接続されている。 For transistor N4, the gate is connected to the gate of transistor N5, the drain and gate are connected to each other, and the source and back gate are connected to the ground potential.

トランジスタP2、P4、N1、N3は、第1の差動増幅機能を有する。また、トランジスタP3、P4、N2、N3は、第2の差動増幅機能を有する。例えば、トランジスタP2及びトランジスタN1の関係他については、トランジスタP2のソース及びバックゲートが、外部電圧VDDに接続されており、ゲートが、トランジスタP3のゲート及びトランジスタP4のゲートと接続されており、ドレインが、トランジスタN1のドレインに接続されており、トランジスタN1のソース、トランジスタN2のソース、トランジスタN3のソースが、相互に接続されており、かつ、トランジスタN5のドレインに接続されている。 The transistors P2, P4, N1 and N3 have a first differential amplification function. Further, the transistors P3, P4, N2 and N3 have a second differential amplification function. For example, regarding the relationship between the transistor P2 and the transistor N1, the source and the back gate of the transistor P2 are connected to the external voltage VDD, the gate is connected to the gate of the transistor P3 and the gate of the transistor P4, and the drain. Is connected to the drain of the transistor N1, the source of the transistor N1, the source of the transistor N2, and the source of the transistor N3 are connected to each other and are connected to the drain of the transistor N5.

トランジスタP3及びトランジスタN2の関係他、並びに、トランジスタP4及びトランジスタN3の関係他については、上記したトランジスタP2及びトランジスタN1との関係他と同様である。 The relationship between the transistor P3 and the transistor N2, the relationship between the transistor P4 and the transistor N3, and the like are the same as the relationship with the transistor P2 and the transistor N1 described above.

更に、トランジスタN1のゲート及びトランジスタN2のゲートが、端子in−に接続されており、トランジスタN3のゲートが、端子in+に接続されており、トランジスタN2のバックゲート及びトランジスタN3のバックゲートが、接地電位に接続されている。 Further, the gate of the transistor N1 and the gate of the transistor N2 are connected to the terminal in−, the gate of the transistor N3 is connected to the terminal in +, and the back gate of the transistor N2 and the back gate of the transistor N3 are grounded. It is connected to the electric potential.

トランジスタP3、P4の各ゲートと、トランジスタP4、N3の各ドレインと、トランジスタP5のゲートと、端子pgnbとは、相互に接続されている。ここで、端子pgnbと、端子in+とは、図2に示されるように、相互に接続されている(図4に図示無し)。 The gates of the transistors P3 and P4, the drains of the transistors P4 and N3, the gate of the transistor P5, and the terminal pgnb are connected to each other. Here, the terminal pgnb and the terminal in + are connected to each other as shown in FIG. 2 (not shown in FIG. 4).

トランジスタP5については、ソース及びバックゲートが、外部電圧VDDに接続されており、ドレインが、トランジスタN6のドレインに接続されている。 For the transistor P5, the source and backgate are connected to the external voltage VDD, and the drain is connected to the drain of the transistor N6.

トランジスタP6については、ゲートが、トランジスタP3、N2の各ドレインに接続されており、ソース及びバックゲートが、電源電圧VDDに接続されており、ドレインが、トランジスタN7のドレイン、トランジスタN8のゲート、及び、キャパシタC2の一方の電極に接続されている。 For the transistor P6, the gate is connected to each of the drains of the transistors P3 and N2, the source and the back gate are connected to the power supply voltage VDD, and the drains are the drain of the transistor N7, the gate of the transistor N8, and the drain. , Is connected to one electrode of the capacitor C2.

トランジスタN6及びトランジスタN7は、カレントシンクの機能を有する。トランジスタN6については、ゲート及びドレインが、相互に接続されており、ゲートが、トランジスタN7のゲートに接続されており、ソース及びバックゲートが、接地電位に接続されている。 The transistor N6 and the transistor N7 have a function of a current sink. For transistor N6, the gate and drain are connected to each other, the gate is connected to the gate of transistor N7, and the source and back gate are connected to the ground potential.

トランジスタN7については、ソース及びバックゲートが、接地電位に接続されている。ここで、トランジスタN7の特性については、その閾値電圧は、他のトランジスタの閾値電圧よりも小さい。 For transistor N7, the source and backgate are connected to the ground potential. Here, regarding the characteristics of the transistor N7, the threshold voltage thereof is smaller than the threshold voltage of the other transistors.

トランジスタP7については、ゲートが、外部電圧VDDに接続されており、ソース及びバックゲートが、出力端子Vout、キャパシタC2の他方の電極、及び、トランジスタN8のドレインに接続されており、ドレインが、接地電位に接続されている。 For transistor P7, the gate is connected to an external voltage VDD, the source and backgate are connected to the output terminal Vout, the other electrode of capacitor C2, and the drain of transistor N8, and the drain is grounded. It is connected to the electric potential.

トランジスタN8については、ソース及びバックゲートが、接地電位に接続されている。 For transistor N8, the source and backgate are connected to the ground potential.

〈具体例の動作〉
実施形態に係る差動増幅ユニットの動作について説明する。
<Operation of specific example>
The operation of the differential amplification unit according to the embodiment will be described.

1.外部電圧VDDが、内部電圧VDDLより高いとき(端子in+の電圧が、端子in−の電圧より高いとき)
トランジスタP5が、遮断状態であり、そのために、トランジスタN6、N7も、遮断状態である。これにより、トランジスタN8は、遮断状態であり、即ち、トランジスタN8のドレインが、オープン状態である。その結果、出力端子Voutには、図2に示されるように、レギュレータ40が出力する電圧である内部電圧VDDLが、印加される。
1. 1. When the external voltage VDD is higher than the internal voltage VDDL (when the voltage at terminal in + is higher than the voltage at terminal in−)
The transistor P5 is in the cutoff state, and therefore the transistors N6 and N7 are also in the cutoff state. As a result, the transistor N8 is in the cutoff state, that is, the drain of the transistor N8 is in the open state. As a result, as shown in FIG. 2, an internal voltage VDDL, which is a voltage output by the regulator 40, is applied to the output terminal Vout.

2.外部電圧VDDが、内部電圧VDDLより低くなったとき(端子in+の電圧が、端子in−の電圧より低くなったとき)
外部電圧VDDが内部電圧VDDLより低くなると、トランジスタP2、P3が、導通状態になる。前者のトランジスタP2の導通により、トランジスタP1が、導通状態になる。他方で、後者のトランジスタP3の導通により、トランジスタP6が、導通状態になり、更に、トランジスタP6の導通により、トランジスタN8が、導通状態になる。
2. When the external voltage VDD becomes lower than the internal voltage VDDL (when the voltage at the terminal in + becomes lower than the voltage at the terminal in−)
When the external voltage VDD becomes lower than the internal voltage VDDL, the transistors P2 and P3 are brought into a conductive state. Due to the continuity of the former transistor P2, the transistor P1 is brought into a conductive state. On the other hand, the conduction of the latter transistor P3 puts the transistor P6 in a conductive state, and the conduction of the transistor P6 puts the transistor N8 in a conductive state.

上記に加えて、外部電圧VDDが内部電圧VDDLより低くなると、トランジスタN1、N2が、導通状態になり、また、トランジスタP7が、導通状態になる。 In addition to the above, when the external voltage VDD becomes lower than the internal voltage VDDL, the transistors N1 and N2 are brought into a conductive state, and the transistors P7 are brought into a conductive state.

上記した、トランジスタN8の導通、及び、トランジスタP7の導通により、トランジスタN8、N7は、キャパシタ50(図2に図示)に蓄積されている電荷を放電することを開始する。加えて、トランジスタP7の閾値電圧は、他のトランジスタの閾値電圧より低いことから、内部電圧VDDLが、時刻t3(図3に図示)以後に、他のトランジスタが動作することができないほどに低下した後であっても、引き続き、ディスチャージの動作を継続することができる。 Due to the continuity of the transistor N8 and the continuity of the transistor P7 described above, the transistors N8 and N7 start to discharge the electric charge accumulated in the capacitor 50 (shown in FIG. 2). In addition, since the threshold voltage of the transistor P7 is lower than the threshold voltage of the other transistor, the internal voltage VDDL has dropped to such an extent that the other transistor cannot operate after the time t3 (shown in FIG. 3). Even after that, the discharge operation can be continued.

なお、電流駆動型である差動増幅ユニット100Aの動力源については、少しの電流ibpが流れて続けていることから、トランジスタN4、N5の各ゲートの電圧が高くなり、これにより、トランジスタN4、N5が、導通状態になる。トランジスタN4、N5の導通により、トランジスタP1、N4を通るパス、及び、トランジスタP2、N1、N5を通るパスに大きい電流が流れる。 As for the power source of the current-driven differential amplification unit 100A, since a small amount of current ibp continues to flow, the voltage of each gate of the transistors N4 and N5 becomes high, and as a result, the transistors N4, N5 becomes a conductive state. Due to the continuity of the transistors N4 and N5, a large current flows through the paths passing through the transistors P1 and N4 and the paths passing through the transistors P2, N1 and N5.

〈変形例1〉
図5は、変形例1に係る差動増幅ユニットの構成を示す。以下、変形例1の差動増幅ユニットについて、図5を参照して説明する。
<Modification example 1>
FIG. 5 shows the configuration of the differential amplification unit according to the first modification. Hereinafter, the differential amplification unit of the first modification will be described with reference to FIG.

変形例1の差動増幅ユニット100Bは、基本的に、具体例の差動増幅ユニット100Aと同様な構成を有する。変形例1の差動増幅ユニット100Bは、他方で、具体例の差動増幅ユニット100Aと相違して、更に、3つの抵抗器R2、R3、R4を含む。抵抗器R2、R3、R4は、抵抗値r2Ω、r3Ω、r4Ωを有する。また、変形例1の説明及び理解を容易にすべく、トランジスタの閾値電圧を考慮しないことにする。ここで、3つの抵抗器R2、R3、R4は、『電圧降下部』に対応する。 The differential amplification unit 100B of the first modification basically has the same configuration as the differential amplification unit 100A of the specific example. On the other hand, the differential amplification unit 100B of the first modification, unlike the differential amplification unit 100A of the specific example, further includes three resistors R2, R3, and R4. The resistors R2, R3 and R4 have resistance values r2Ω, r3Ω and r4Ω. Further, in order to facilitate the explanation and understanding of the modified example 1, the threshold voltage of the transistor will not be considered. Here, the three resistors R2, R3, and R4 correspond to the "voltage drop portion".

抵抗器R4は、トランジスタP4のドレイン及びトランジスタN3のドレイン間に設けられている。差動増幅ユニット100Bも、具体例の差動増幅ユニット100Aと同様に、2つの差動増幅機能を有することから、抵抗器R2が、トランジスタP2のドレイン及びトランジスタN1のドレイン間に設けられており、また、抵抗器R3が、トランジスタP3のドレイン及びトランジスタN2のドレイン間に設けられている。 The resistor R4 is provided between the drain of the transistor P4 and the drain of the transistor N3. Since the differential amplification unit 100B also has two differential amplification functions like the differential amplification unit 100A of the specific example, the resistor R2 is provided between the drain of the transistor P2 and the drain of the transistor N1. Further, a resistor R3 is provided between the drain of the transistor P3 and the drain of the transistor N2.

抵抗器R4が設けられることにより、トランジスタP4に電流Ids4が流れることを仮定すると、端子pgnbの電圧は、外部電圧VDDから、抵抗器R4により降下する分の電圧、即ち、r4×Ids4を差し引いた電圧[VDD−r4×Ids4]になる。 Assuming that the current Ids4 flows through the transistor P4 by providing the resistor R4, the voltage of the terminal pgnb is obtained by subtracting the voltage dropped by the resistor R4, that is, r4 × Ids4 from the external voltage VDD. The voltage becomes [VDD-r4 × Ids4].

端子in+と端子pgnbとは、図2に示されるように、相互に接続されている。従って、具体例の差動増幅ユニット100Aでは、端子in+に、端子pgnbに印加される電圧であるトランジスタP4のドレインの電圧、即ち、電源電圧VDDがそのままの大きさで印加される。対照的に、変形例1の差動増幅ユニット100Bでは、端子in+に、具体例での電源電圧VDDに代えて、電源電圧VDDより小さい電圧[VDD−R4×Ids4]が印加される。これにより、電源電圧VDDが、内部電圧VDDLを下回る時点である、ディスチャージを開始するタイミングを早めることができる。また、抵抗器R4、R2、R3の抵抗値を変更することにより、上記したタイミングを調整することが可能となる。より具体的には、抵抗値を大きくすれば、上記したタイミングを大きく早めることができ、反対に、抵抗値を小さくすれば、上記したタイミングを小さく早めることができる。なお、抵抗器R2、R3、R4は、抵抗値が可変である可変抵抗器を用いて構成してもよい。
〈変形例2〉
図6は、変形例2に係る差動増幅ユニットの構成を示す。以下、変形例2の差動増幅ユニットについて、図6を参照して説明する。
The terminal in + and the terminal pgnb are connected to each other as shown in FIG. Therefore, in the differential amplification unit 100A of the specific example, the voltage of the drain of the transistor P4, which is the voltage applied to the terminal pgnb, that is, the power supply voltage VDD is applied to the terminal in + with the same magnitude. In contrast, in the differential amplification unit 100B of the first modification, a voltage [VDD-R4 × Ids4] smaller than the power supply voltage VDD is applied to the terminal in + instead of the power supply voltage VDD in the specific example. As a result, the timing at which the discharge is started, which is the time when the power supply voltage VDD falls below the internal voltage VDDL, can be accelerated. Further, by changing the resistance values of the resistors R4, R2, and R3, the above timing can be adjusted. More specifically, if the resistance value is increased, the above-mentioned timing can be greatly accelerated, and conversely, if the resistance value is decreased, the above-mentioned timing can be shortened. The resistors R2, R3, and R4 may be configured by using a variable resistor having a variable resistance value.
<Modification 2>
FIG. 6 shows the configuration of the differential amplification unit according to the second modification. Hereinafter, the differential amplification unit of the second modification will be described with reference to FIG.

変形例2の差動増幅ユニット100Cは、基本的に、具体例の差動増幅ユニット100A及び変形例1の差動増幅ユニット100Bに共通する構成を有する。変形例2の差動増幅ユニット100Cは、他方で、変形例1の差動増幅ユニット100Bと相違して、3つの抵抗器R2、R3、R4に代えて、トランジスタP2−1〜P2−3、トランジスタP3−1〜P3−3、及び、トランジスタP4−1〜P4−3を含む。ここで、トランジスタP2−1〜P2−3、トランジスタP3−1〜P3−3、及び、トランジスタP4−1〜P4−3は、『電圧降下部』に対応する。 The differential amplification unit 100C of the second modification basically has a configuration common to the differential amplification unit 100A of the specific example and the differential amplification unit 100B of the first modification. On the other hand, the differential amplification unit 100C of the modification 2 is different from the differential amplification unit 100B of the modification 1, and instead of the three resistors R2, R3, R4, the transistors P2-1 to P2-3, Includes transistors P3-1 to P3-3 and transistors P4-1 to P4-3. Here, the transistors P2-1 to P2-3, the transistors P3-1 to P3-3, and the transistors P4-1 to P4-3 correspond to the "voltage drop section".

トランジスタP4−1〜P4−3は、変形例1での抵抗器R4と同様に、トランジスタP4のドレイン及びトランジスタN3のドレイン間に設けられおり、かつ、相互にカスコード接続(縦続接続)されている。また、トランジスタP4、P4−1〜P4−3の各バックゲートは、相互に接続されており、かつ、外部電圧VDDに接続されている。 Transistors P4-1 to P4-3 are provided between the drain of the transistor P4 and the drain of the transistor N3, and are cascode-connected (longitudinal connection) to each other, similarly to the resistor R4 in the first modification. .. Further, the back gates of the transistors P4 and P4-1 to P4-3 are connected to each other and are connected to the external voltage VDD.

差動増幅ユニット100Cも、2つの差動増幅機能を有することから、トランジスタP2−1〜P2−3は、トランジスタP2のドレイン及びトランジスタN1のドレイン間に設けられており、相互にカスコード接続されている。また、トランジスタP2、P2−1〜P2−3の各バックゲートは、相互に接続されており、かつ、外部電圧VDDに接続されている。同様に、トランジスタP3−1〜P3−3は、トランジスタP3のドレイン及びトランジスタN2のドレイン間に設けられており、かつ、相互にカスコード接続されている。また、トランジスタP3、P3−1〜P3−3の各バックゲートは、相互に接続されており、かつ、外部電圧VDDに接続されている。 Since the differential amplification unit 100C also has two differential amplification functions, the transistors P2-1 to P2-3 are provided between the drain of the transistor P2 and the drain of the transistor N1, and are cascode-connected to each other. There is. Further, the back gates of the transistors P2 and P2-1 to P2-3 are connected to each other and are connected to the external voltage VDD. Similarly, the transistors P3-1 to P3-3 are provided between the drain of the transistor P3 and the drain of the transistor N2, and are cascode-connected to each other. Further, the back gates of the transistors P3 and P3-1 to P3-3 are connected to each other and are connected to the external voltage VDD.

カスコード接続のトランジスタP4−1〜P4−3が設けられることにより、変形例1と同様に、端子pgnb、即ち、端子in+に印加される電圧を、外部電圧VDDよりも、トランジスタP4−1〜P4−3の各々の閾値電圧を合算した電圧だけ低く設定することができる。これにより、変形例1と同様に、ディスチャージを開始するタイミングを早めることが可能となる。加えて、カスケード接続するトランジスタの個数を変更することにより、上記したディスチャージを開始するタイミングを調整することが可能となる。より具体的には、カスケード接続トランジスタの個数を大きくすれば、上記したタイミングを大きく早めることができ、反対に、カスケード接続するトランジスタの戸数を小さくすれば、上記したタイミングを小さく早めることができる。 By providing the cascode-connected transistors P4-1 to P4-3, the voltage applied to the terminal pgnb, that is, the terminal in + is set to the transistors P4-1 to P4 rather than the external voltage VDD, as in the first modification. It can be set lower by the sum of the threshold voltages of -3. As a result, it is possible to advance the timing of starting the discharge as in the modification example 1. In addition, by changing the number of transistors connected in cascade, it is possible to adjust the timing at which the discharge is started as described above. More specifically, if the number of cascade-connected transistors is increased, the above-mentioned timing can be greatly accelerated, and conversely, if the number of cascade-connected transistors is reduced, the above-mentioned timing can be greatly accelerated.

〈他の発明〉
本発明に係る他のディスチャージ回路は、
外部から印加を受ける外部電圧から生成される、内部で使用される内部電圧に起因して蓄積された電荷を放電するディスチャージ部であって、該ディスチャージ部の前記放電の許可または禁止を制御するための制御電圧の印加を受ける前記ディスチャージ部と、
前記外部電圧及び前記内部電圧の入力を受け、該外部電圧及び該内部電圧間の電圧差を増幅することにより前記制御電圧を生成し、かつ、該電圧差が予め定められた電圧差より大きくなったとき、前記ディスチャージ部による前記放電を許可する前記制御電圧を前記ディスチャージ部に印加する差動増幅部であって、該差動増幅部の前記増幅の許可または禁止を制御するための制御電流の通電を受ける前記差動増幅部と、
前記外部電圧が前記内部電圧より小さくなったとき、前記差動増幅部による前記増幅を許可する前記制御電流を前記差動増幅部に通電するバイアス部と、
を含む。
<Other inventions>
The other discharge circuit according to the present invention is
A discharge unit that discharges the electric charge accumulated due to the internal voltage used internally, which is generated from an external voltage applied from the outside, and for controlling the permission or prohibition of the discharge of the discharge unit. The discharge unit that receives the control voltage of
The control voltage is generated by receiving the input of the external voltage and the internal voltage and amplifying the voltage difference between the external voltage and the internal voltage, and the voltage difference becomes larger than a predetermined voltage difference. At that time, the differential amplification unit that applies the control voltage that allows the discharge by the discharge unit to the discharge unit, and the control current for controlling the permission or prohibition of the amplification of the differential amplification unit. The differential amplification unit that receives energization and
When the external voltage becomes smaller than the internal voltage, the bias unit that energizes the differential amplifier unit with the control current that allows the amplification by the differential amplifier unit.
including.

本発明に係る他のディスチャージ回路によれば、前記バイアス部が、前記外部電圧が前記内部電圧より小さくなったとき、前記差動増幅部による前記増幅を許可する前記制御電流を前記差動増幅部に通電し、かつ、前記差動増幅部が、前記外部電圧及び前記内部電圧間の前記電圧差が、予め定められた電圧差より大きくなったとき、前記ディスチャージ部による前記放電を許可する前記制御電圧を前記ディスチャージ部に印加する。これにより、前記ディスチャージ部は、前記内部電圧に起因して蓄積されている電荷を放電することを開始する。従って、本発明に係るディスチャージ回路は、従来のディスチャージ回路と異なり、駆動部及び検出部を用いることなく、前記放電を行うことができ、その結果、ディスチャージ回路の回路規模及び消費電力を従来に比して小さくすることが可能となり、併せて、従来に比して応答性を良くすることも可能となる。 According to another discharge circuit according to the present invention, when the external voltage becomes smaller than the internal voltage, the bias unit applies the control current that allows the amplification by the differential amplification unit to the differential amplification unit. When the voltage difference between the external voltage and the internal voltage becomes larger than a predetermined voltage difference, the differential amplification unit permits the discharge by the discharge unit. A voltage is applied to the discharge unit. As a result, the discharge unit starts to discharge the electric charge accumulated due to the internal voltage. Therefore, unlike the conventional discharge circuit, the discharge circuit according to the present invention can perform the discharge without using the drive unit and the detection unit, and as a result, the circuit scale and power consumption of the discharge circuit are compared with those of the conventional one. It is possible to make the size smaller, and at the same time, it is possible to improve the responsiveness as compared with the conventional case.

1 ディスチャージ回路、10 差動増幅部、20 ディスチャージ部、30 バイアス部、40 レギュレータ、50 キャパシタ、100 差動増幅ユニット 1 Discharge circuit, 10 differential amplifier, 20 discharge, 30 bias, 40 regulator, 50 capacitor, 100 differential amplifier unit

Claims (4)

所定の電圧より高い制御電圧が供給された場合に、第1の電圧から生成される第2の電圧に起因して蓄積された電荷を放電するディスチャージ部と、
所定の電流より大きい制御電流の供給を受けた場合に、前記第1の電圧と前記第2の電圧との電圧差を増幅した電圧を、前記制御電圧として前記ディスチャージ部に供給する差動増幅部と、
前記第1の電圧が前記第2の電圧より低くなった場合に、前記所定の電流より大きい前記制御電流を前記差動増幅器に供給するバイアス部と、
を含むディスチャージ回路。
A discharge unit that discharges the accumulated charge due to the second voltage generated from the first voltage when a control voltage higher than a predetermined voltage is supplied.
When a control current larger than a predetermined current is supplied, the differential amplification unit supplies the voltage obtained by amplifying the voltage difference between the first voltage and the second voltage to the discharge unit as the control voltage. When,
A bias portion that supplies the control current larger than the predetermined current to the differential amplifier when the first voltage becomes lower than the second voltage.
Discharge circuit including.
前記差動増幅部は、前記第1の電圧を降下させる電圧降下部を有し
前記電圧降下部により降下した前記第1の電圧と前記第2の電圧との電圧差を増幅した電圧を前記制御電圧として出力する請求項1記載のディスチャージ回路。
The differential amplification unit has a voltage drop unit that lowers the first voltage, and controls the voltage obtained by amplifying the voltage difference between the first voltage and the second voltage dropped by the voltage drop unit. The discharge circuit according to claim 1, which outputs a voltage.
前記電圧降下部は、抵抗器を備える請求項2記載のディスチャージ回路。 The discharge circuit according to claim 2, wherein the voltage drop portion includes a resistor. 前記電圧降下部は、カスケード接続された複数のトランジスタを備える請求項2記載のディスチャージ回路。
The discharge circuit according to claim 2, wherein the voltage drop portion includes a plurality of transistors connected in cascade.
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CN113793815A (en) * 2021-09-26 2021-12-14 杭州广立微电子股份有限公司 Wide-voltage-range high-speed multistage discharge circuit, test system and discharge method
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