JP2020165756A - ガスセンサ - Google Patents
ガスセンサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020165756A JP2020165756A JP2019065566A JP2019065566A JP2020165756A JP 2020165756 A JP2020165756 A JP 2020165756A JP 2019065566 A JP2019065566 A JP 2019065566A JP 2019065566 A JP2019065566 A JP 2019065566A JP 2020165756 A JP2020165756 A JP 2020165756A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- catalyst
- unit
- gas detection
- acetone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 82
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 70
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 29
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000012855 volatile organic compound Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 33
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 140
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 75
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- -1 for example Inorganic materials 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Abstract
Description
センサ素子20は、シリコン基板1に支持されてダイアフラムを構成する。センサ素子20は、支持部5と、絶縁部7と、ガス検知部10と、触媒部11を有する。支持部5はシリコン基板1上に形成され、支持部5上にヒータ部6が形成される。絶縁部7は、ヒータ部6の全体を覆って支持部5上に形成される。絶縁部7の上に一対の接合部8が形成され、接合部8の上に電極部9が形成されている。絶縁部7の上の、一対の電極部9の間に、ガス検知部10が形成される。絶縁部7の上に、ガス検知部10を覆う形態にて、触媒部11が形成される。なお、センサ素子20は、ブリッジ構造をとっても良く、ヒータ部6は、電極として兼用されても良い。
加熱制御部12は、ヒータ部6に対する通電制御を行い、ヒータ部6に通電してガス検知部10を加熱する加熱動作と、ヒータ部6に通電しない非加熱動作(ガス検知部10の加熱を停止する非加熱動作)とを行う。また加熱制御部12は、ヒータ部6に対する通電電圧または通電電流を制御することにより、ヒータ部6を設定された任意の温度に加熱することができる。
ガス検出部13は、ガス検知部10の電気的特性を測定して対象ガスを検出する。例えば、ガス検出部13は、一対の電極部9の間の電気抵抗値(電気的特性)を測定することにより、ガス検知部10の抵抗値を測定して、その変化から対象ガスの存在と対象ガスの濃度とを検出する。
以上の様に構成されたガス検知装置100における、対象ガスの検出の際の動作について説明する。以下に説明するガス検知装置では、アセトン検出用加熱動作が行われる。
上述のように、触媒部11における触媒金属の合計含有率を3質量%以下とすることにより、アセトン等の可燃性ガスの検出感度が向上し、低濃度の可燃性ガスを検出することが可能となる。鋭意研究の結果、これは、貴金属触媒が高濃度に担持されていると、対象ガスである可燃性ガスが触媒部11で燃焼しやすくなり、ガス検知部10による対象ガスの検知が困難となるためであるとの知見に至った。
10 ガス検知部
11 触媒部
12 加熱制御部
13 ガス検出部
14 温度検出部
20 センサ素子(ガスセンサ)
100 ガス検知装置
Claims (4)
- 所定の測定温度に加熱された際に電気的特性が変化するガス検知部と、
前記ガス検知部を加熱するヒータ部と、
前記ガス検知部を覆う触媒部とを備え、
前記触媒部は、触媒金属として、パラジウム、イリジウム、白金、およびロジウムのうちの1または複数が組み合わされて担持され、前記触媒部における前記触媒金属の合計含有率が、0.1質量%以上3質量%以下であるガスセンサ。 - 前記触媒金属として、白金とイリジウムとが担持される請求項1に記載のガスセンサ。
- 前記触媒部の担体は、遷移金属酸化物である請求項1または2に記載のガスセンサ。
- 前記電気的特性の変化により、揮発性有機化合物が含有される対象ガスを検出する請求項1から3のいずれか一項に記載のガスセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019065566A JP7203663B2 (ja) | 2019-03-29 | 2019-03-29 | ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019065566A JP7203663B2 (ja) | 2019-03-29 | 2019-03-29 | ガスセンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020165756A true JP2020165756A (ja) | 2020-10-08 |
JP7203663B2 JP7203663B2 (ja) | 2023-01-13 |
Family
ID=72715282
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019065566A Active JP7203663B2 (ja) | 2019-03-29 | 2019-03-29 | ガスセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7203663B2 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6438641A (en) * | 1987-08-03 | 1989-02-08 | Fuji Electric Co Ltd | Gas sensor |
US20160349201A1 (en) * | 2014-02-11 | 2016-12-01 | Ams Sensor Solutions Germany Gmbh | Method and sensor system for measuring gas concentrations |
JP2018031658A (ja) * | 2016-08-24 | 2018-03-01 | フィガロ技研株式会社 | アセトンセンサ及びアセトン検出装置 |
JP2018054593A (ja) * | 2016-09-21 | 2018-04-05 | 大阪瓦斯株式会社 | ガスセンサおよびガス検知装置 |
JP2019152566A (ja) * | 2018-03-05 | 2019-09-12 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | ガスセンサ群及び可燃性ガスの分析方法 |
-
2019
- 2019-03-29 JP JP2019065566A patent/JP7203663B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6438641A (en) * | 1987-08-03 | 1989-02-08 | Fuji Electric Co Ltd | Gas sensor |
US20160349201A1 (en) * | 2014-02-11 | 2016-12-01 | Ams Sensor Solutions Germany Gmbh | Method and sensor system for measuring gas concentrations |
JP2018031658A (ja) * | 2016-08-24 | 2018-03-01 | フィガロ技研株式会社 | アセトンセンサ及びアセトン検出装置 |
JP2018054593A (ja) * | 2016-09-21 | 2018-04-05 | 大阪瓦斯株式会社 | ガスセンサおよびガス検知装置 |
JP2019152566A (ja) * | 2018-03-05 | 2019-09-12 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | ガスセンサ群及び可燃性ガスの分析方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7203663B2 (ja) | 2023-01-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4580405B2 (ja) | 水素ガスセンサ | |
JP7057629B2 (ja) | ガスセンサおよびガス検知装置 | |
EP3786627B1 (en) | Mems type semiconductor gas detection element | |
JP2015045546A (ja) | ガス検知装置及びガス検知方法 | |
JP5143591B2 (ja) | ガス検知装置及びガス検知方法 | |
JP6372686B2 (ja) | ガス検出装置およびガス検出方法 | |
WO2020049643A1 (ja) | ガス検知装置 | |
JP7203663B2 (ja) | ガスセンサ | |
JP7038472B2 (ja) | ガスセンサおよびガス検知装置 | |
JP6925146B2 (ja) | ガスセンサおよびガス検知装置 | |
JP7203662B2 (ja) | 温度制御方法および温度制御装置 | |
TWI798261B (zh) | 氣體偵測裝置 | |
JP5021400B2 (ja) | 可燃性ガス検出装置 | |
JP6873803B2 (ja) | ガス検知装置 | |
JP6391520B2 (ja) | ガス検知装置 | |
WO2020053982A1 (ja) | ガス検知装置 | |
JP2018194434A (ja) | ガス検知装置 | |
JP6436835B2 (ja) | ガス検知装置 | |
TW202012902A (zh) | 氣體偵測裝置 | |
JP2022064474A (ja) | ガス検知装置の温度制御方法およびガス検知装置の温度制御装置 | |
JP2022064475A (ja) | ガス検知装置の温度制御方法およびガス検知装置の温度制御装置 | |
JP2007248197A (ja) | 接触燃焼式ガスセンサ | |
JP4953253B2 (ja) | 薄膜ガスセンサの初期安定化処理方法 | |
JP2021004851A (ja) | ガス検知器 | |
JP2000338081A (ja) | ガスセンサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210402 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211119 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220831 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220906 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221107 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221129 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221227 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7203663 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |